JP7047523B2 - 荷電粒子ビーム軸合わせ装置、荷電粒子ビーム照射装置および荷電粒子ビーム軸合わせ方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る荷電粒子ビーム照射装置の構成を示す図である。図1においては、主として荷電粒子ビーム照射装置100のハードウエアの構成が示される。図1に示すように、荷電粒子ビーム照射装置100は、処理装置10および照射部20を含む。
図3は、荷電粒子ビーム照射装置100が備える軸合わせ装置1の構成を示す図である。図3に示すように、軸合わせ装置1は、受付部A、設定部B、生成部C、回転情報取得部D、回転量差特定部E、走査制御部F、画像処理部G、位置関係特定部H、偏向情報取得部I、偏向量特定部Jおよび偏向制御部Kを含む。
図4は、軸合わせプログラムにより行われる軸合わせ処理のアルゴリズムを示すフローチャートである。図5(a)~(d)は、軸合わせ処理における走査像の変化の一例を示す図である。なお、軸合わせ処理の実行前には、偏向部24を通過する電子ビームは対物レンズ27の中心を通過していないことを仮定する。
本実施の形態に係る荷電粒子ビーム照射装置100においては、対物レンズ27の強度が設定部Bにより第1の強度に設定された状態で、検出部29により検出される電子に基づいて第1の走査像が生成部Cにより生成される。その後、対物レンズ27の強度が設定部Bにより第2の強度に設定される。第1の強度と第2の強度との間の強度差に基づいて、強度が第1の強度に設定された場合と強度が第2の強度に設定された場合との間での電子ビームの回転量差が回転量差特定部Eにより特定される。
(a)上記実施の形態において、荷電粒子ビームは電子ビームであるが、本発明はこれに限定されない。荷電粒子ビームはイオンビーム等の他の荷電粒子ビームであってもよい。
Claims (8)
- 対物レンズの磁場により荷電粒子ビームを集束して試料に照射し、前記荷電粒子ビームを走査部により試料の表面で2次元的に走査させるとともに、前記荷電粒子ビームを偏向部により偏向することにより前記荷電粒子ビームの軸と前記対物レンズの光軸との位置関係を調整可能な荷電粒子ビーム照射装置において前記荷電粒子ビームの軸を前記対物レンズの光軸に合わせる荷電粒子ビーム軸合わせ装置であって、
前記対物レンズの磁場強度を第1の強度および第2の強度に設定する設定部と、
前記第1の強度と前記第2の強度との間の強度差に基づいて、磁場強度が前記第1の強度に設定された場合と磁場強度が前記第2の強度に設定された場合との間での前記荷電粒子ビームの回転量の差を回転量差として特定する回転量差特定部と、
磁場強度が前記第2の強度に設定されたときに、前記回転量差特定部により特定された回転量差を相殺する回転を前記荷電粒子ビームに付与するように前記走査部を制御する走査制御部と、
磁場強度が前記第1の強度に設定されたときに試料からの荷電粒子に基づいて第1の走査像を生成し、磁場強度が前記第2の強度に設定されたときに試料からの荷電粒子に基づいて第2の走査像を生成する生成部と、
前記第1の走査像と前記第2の走査像との相対的な位置関係を特定する位置関係特定部と、
前記位置関係特定部により特定された位置関係に基づいて、前記第1の走査像の位置と前記第2の走査像の位置とが一致するように前記偏向部を制御する偏向制御部とを備える、荷電粒子ビーム軸合わせ装置。 - 前記第1および第2の走査像に画像処理を行う画像処理部をさらに備え、
前記位置関係特定部は、前記画像処理部による画像処理の結果に基づいて、前記第1の走査像と前記第2の走査像との位置関係を特定する、請求項1記載の荷電粒子ビーム軸合わせ装置。 - 前記対物レンズの磁場強度と前記荷電粒子ビームの回転量との対応関係を示す回転情報を取得する回転情報取得部をさらに備え、
前記回転量差特定部は、前記回転情報取得部により取得された回転情報に基づいて前記荷電粒子ビームの回転量差を特定する、請求項1または2記載の荷電粒子ビーム軸合わせ装置。 - 前記第1の走査像と前記第2の走査像との位置関係と、前記荷電粒子ビームの偏向量との対応関係を示す偏向情報を取得する偏向情報取得部と、
前記偏向情報取得部により取得された偏向情報に基づいて、前記第1の走査像の位置と前記第2の走査像の位置とを一致させるための前記荷電粒子ビームの偏向量を特定する偏向量特定部とをさらに備え、
前記偏向制御部は、前記偏向量特定部により特定された前記荷電粒子ビームの偏向量に基づいて前記偏向部を制御する、請求項1~3のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム軸合わせ装置。 - 前記対物レンズの磁場強度の指定を受け付ける受付部をさらに備え、
前記設定部は、前記受付部により受け付けられた磁場強度に基づいて前記第1および第2の強度を設定する、請求項1~4のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム軸合わせ装置。 - 前記対物レンズの焦点が試料に一致するときの前記対物レンズの磁場強度を第3の強度と定義した場合、前記設定部は、前記第3の強度より所定の値だけ小さい磁場強度を前記第1および第2の強度のうちの一方に設定し、前記第3の強度より前記所定の値だけ大きい磁場強度を前記第1および第2の強度のうちの他方に設定する、請求項1~4のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム軸合わせ装置。
- 荷電粒子ビームを生成する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源により生成された前記荷電粒子ビームを磁場により集束して試料に照射する対物レンズと、
前記対物レンズを通して試料に照射される前記荷電粒子ビームを試料の表面で2次元的に走査させる走査部と、
前記荷電粒子源により生成された前記荷電粒子ビームを偏向することにより前記荷電粒子ビームの軸と前記対物レンズの光軸との位置関係を調整する偏向部と、
試料の表面での前記荷電粒子ビームの走査により試料から生成される荷電粒子を検出する検出部と、
前記荷電粒子ビームの軸を前記対物レンズの光軸に合わせる荷電粒子ビーム軸合わせ装置とを備え、
前記荷電粒子ビーム軸合わせ装置は、
前記対物レンズの磁場強度を第1の強度および第2の強度に設定する設定部と、
前記第1の強度と前記第2の強度との間の強度差に基づいて、磁場強度が前記第1の強度に設定された場合と磁場強度が前記第2の強度に設定された場合との間での前記荷電粒子ビームの回転量の差を回転量差として特定する回転量差特定部と、
磁場強度が前記第2の強度に設定されたときに、前記回転量差特定部により特定された回転量差を相殺する回転を前記荷電粒子ビームに付与するように前記走査部を制御する走査制御部と、
磁場強度が前記第1の強度に設定されたときに前記検出部により検出される荷電粒子に基づいて第1の走査像を生成し、磁場強度が前記第2の強度に設定されたときに前記検出部により検出される荷電粒子に基づいて第2の走査像を生成する生成部と、
前記第1の走査像と前記第2の走査像との相対的な位置関係を特定する位置関係特定部と、
前記位置関係特定部により特定された位置関係に基づいて、前記第1の走査像の位置と前記第2の走査像の位置とが一致するように前記偏向部を制御する偏向制御部とを備える、荷電粒子ビーム照射装置。 - 対物レンズの磁場により荷電粒子ビームを集束して試料に照射し、前記荷電粒子ビームを走査部により試料の表面で2次元的に走査させるとともに、前記荷電粒子ビームを偏向部により偏向することにより前記荷電粒子ビームの軸と前記対物レンズの光軸との位置関係を調整可能な荷電粒子ビーム照射装置において前記荷電粒子ビームの軸を前記対物レンズの光軸に合わせる荷電粒子ビーム軸合わせ方法であって、
前記対物レンズの磁場強度を第1の強度に設定するステップと、
磁場強度が前記第1の強度に設定されたときに、試料からの荷電粒子に基づいて第1の走査像を生成するステップと、
前記対物レンズの磁場強度を第2の強度に設定するステップと、
前記第1の強度と前記第2の強度との間の強度差に基づいて、磁場強度が前記第1の強度に設定された場合と磁場強度が前記第2の強度に設定された場合との間での前記荷電粒子ビームの回転量の差を回転量差として特定するステップと、
磁場強度が前記第2の強度に設定されたときに、特定された回転量差を相殺する回転を前記荷電粒子ビームに付与するように前記走査部を制御するステップと、
磁場強度が前記第2の強度に設定されたときに、試料からの荷電粒子に基づいて第2の走査像を生成するステップと、
前記第1の走査像と前記第2の走査像との相対的な位置関係を特定するステップと、
特定された位置関係に基づいて、前記第1の走査像の位置と前記第2の走査像の位置とが一致するように前記偏向部を制御するステップとを含む、荷電粒子ビーム軸合わせ方法。
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