JP7047117B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 - Google Patents
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Description
本開示は、半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体に関する。
近年、半導体装置の高集積化及び高性能化に伴い、様々な種類の金属膜が用いられ、3次元構造の半導体装置の製造が行なわれている(例えば特許文献1及び特許文献2参照)。
3次元構造の半導体装置の一例であるNAND型フラッシュメモリのコントロールゲートにはタングステン膜(W膜)等が用いられている。このW膜の抵抗がデバイス特性に与える影響は大きく、埋め込み性がよく、かつ高品質、低抵抗な膜が要求される。
また、NAND型フラッシュメモリのコントロールゲートとして用いられるW膜は、図1に示すような表面にトレンチやホール等の凹部5が形成され、凹部5の側面から横方向すなわち水平方向に横穴6が形成されたウエハ200に対して、ガスが供給されて形成される。図1における矢印は、ガスの流れを示している。なお、凹部5は、ウエハ200の表面に対して垂直な方向に延びるように設けられており、横穴6は、凹部5の側面から凹部5の深さ方向とは異なる方向、すなわち、ウエハ200の表面に対して平行な方向に延びるように設けられている。なお、図1では、横穴6は、左右方向に延びる様子が示されているが、奥行き方向にも延びるように形成されている。また、横穴6は、ホール状であってもよく、トレンチ状であってもよい。凹部5、横穴6を、それぞれ、第1凹部、第2凹部とも称する。
しかし、ウエハ200の凹部5から横方向に形成された横穴6にW膜を形成する際に、横穴6の入口付近でW膜が厚くなる傾向がある。このため、横穴6の入口付近が先に塞がってしまい、横穴6の奥側までガスが届かず、横穴6内にW膜が埋め込まれずに隙間が形成されてしまう場合がある。この隙間によりW膜が埋め込まれる量が少なくなるため、隙間が無い場合と比べてW膜の抵抗が高くなってしまう。
本開示の一態様によれば、
(a)表面に、第1凹部と前記第1凹部の側面から前記第1凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた第2凹部と、が形成された基板に対して、金属含有ガスを供給する工程と、
(b)前記基板に対して、還元ガスを供給する工程と、
(c)前記基板に対して、ハロゲン含有ガスを供給する工程と、
(d)前記基板に対して、酸素含有ガスを供給する工程と、
を有する技術が提供される。
(a)表面に、第1凹部と前記第1凹部の側面から前記第1凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた第2凹部と、が形成された基板に対して、金属含有ガスを供給する工程と、
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(c)前記基板に対して、ハロゲン含有ガスを供給する工程と、
(d)前記基板に対して、酸素含有ガスを供給する工程と、
を有する技術が提供される。
本開示によれば、表面に形成された凹部とこの凹部の側面から凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた別の凹部に隙間が形成されることを抑制して基板に膜を形成することができる。
<本開示の一実施形態>
以下、本開示の一実施形態について、図2~6を参照しながら説明する。基板処理装置10は半導体装置の製造工程において使用される装置の一例として構成されている。
以下、本開示の一実施形態について、図2~6を参照しながら説明する。基板処理装置10は半導体装置の製造工程において使用される装置の一例として構成されている。
(1)基板処理装置の構成
基板処理装置10は、加熱手段(加熱機構、加熱系、加熱部)としてのヒータ207が設けられた処理炉202を備える。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。
基板処理装置10は、加熱手段(加熱機構、加熱系、加熱部)としてのヒータ207が設けられた処理炉202を備える。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応容器(処理容器)を構成するアウタチューブ203が配設されている。アウタチューブ203は、例えば石英(SiO2)、炭化シリコン(SiC)などの耐熱性材料で構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウタチューブ203の下方には、アウタチューブ203と同心円状に、マニホールド(インレットフランジ)209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス(SUS)などの金属で構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209の上端部と、アウタチューブ203との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベースに支持されることにより、アウタチューブ203は垂直に据え付けられた状態となる。
アウタチューブ203の内側には、反応容器を構成するインナチューブ204が配設されている。インナチューブ204は、例えば石英(SiO2)、炭化シリコン(SiC)などの耐熱性材料で構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。主に、アウタチューブ203と、インナチューブ204と、マニホールド209とにより処理容器(反応容器)が構成されている。処理容器の筒中空部(インナチューブ204の内側)には処理室201が形成されている。なお、ここでは、処理容器(反応容器)、処理室201の構成にインナチューブ204を含めたが、インナチューブ204が無い構成であっても良い。
処理室201は、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で鉛直方向に多段に配列した状態で収容可能に構成されている。
処理室201内には、ノズル410,420,430がマニホールド209の側壁及びインナチューブ204を貫通するように設けられている。ノズル410,420,430には、ガス供給ラインとしてのガス供給管310,320,330が、それぞれ接続されている。このように、基板処理装置10には3本のノズル410,420,430と、3本のガス供給管310,320,330とが設けられており、処理室201内へ複数種類のガスを供給することができるように構成されている。ただし、本実施形態の処理炉202は上述の形態に限定されない。
ガス供給管310,320,330には上流側から順に流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)312,322,332がそれぞれ設けられている。また、ガス供給管310,320,330には、開閉弁であるバルブ314,324,334がそれぞれ設けられている。ガス供給管310,320,330のバルブ314,324,334の下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管510,520,530がそれぞれ接続されている。ガス供給管510,520,530には、上流側から順に、MFC512,522,532及びバルブ514,524,534がそれぞれ設けられている。
ガス供給管310,320,330の先端部にはノズル410,420,430がそれぞれ連結接続されている。ノズル410,420,430は、L字型のノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド209の側壁及びインナチューブ204を貫通するように設けられている。ノズル410,420,430の垂直部は、インナチューブ204の径方向外向きに突出し、かつ鉛直方向に延在するように形成されているチャンネル形状(溝形状)の予備室201aの内部に設けられており、予備室201a内にてインナチューブ204の内壁に沿って上方(ウエハ200の配列方向上方)に向かって設けられている。
ノズル410,420,430は、処理室201の下部領域から処理室201の上部領域まで延在するように設けられており、ウエハ200と対向する位置にそれぞれ複数のガス供給孔410a,420a,430aが設けられている。これにより、ノズル410,420,430のガス供給孔410a,420a,430aからそれぞれウエハ200に処理ガスを供給する。このガス供給孔410a,420a,430aは、インナチューブ204の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれ同一の開口面積を有し、さらに同一の開口ピッチで設けられている。ただし、ガス供給孔410a,420a,430aは上述の形態に限定されない。例えば、インナチューブ204の下部から上部に向かって開口面積を徐々に大きくしてもよい。これにより、ガス供給孔410a,420a,430aから供給されるガスの流量をより均一化することが可能となる。
ノズル410,420,430のガス供給孔410a,420a,430aは、後述するボート217の下部から上部までの高さの位置に複数設けられている。そのため、ノズル410,420,430のガス供給孔410a,420a,430aから処理室201内に供給された処理ガスは、ボート217の下部から上部までに収容されたウエハ200、すなわちボート217に収容されたウエハ200の全域に供給される。ノズル410,420,430は、処理室201の下部領域から上部領域まで延在するように設けられていればよいが、ボート217の天井付近まで延在するように設けられていることが好ましい。
ガス供給管310からは、処理ガスとして、金属元素を含むガス(以下、「金属含有ガス」とも呼ぶ)が、MFC312、バルブ314、ノズル410を介して処理室201内に供給される。金属含有ガスとしては、例えば金属元素としてのタングステン(W)を含み、ハロゲン元素としてのフッ素(F)を含むハロゲン含有ガスとしての六フッ化タングステン(WF6)ガスが用いられる。
ガス供給管320からは、処理ガスとして、還元ガスが、MFC322、バルブ324、ノズル420を介して処理室201内に供給される。還元ガスとしては、例えば水素(H)を含むガス(以下、「水素含有ガス」とも呼ぶ)である水素(H2)ガスを用いることができる。
ガス供給管330からは、処理ガスとして、酸素(O)を含むガス(以下、「酸素含有ガス」とも呼ぶ)が、MFC332、バルブ334、ノズル430を介して処理室201内に供給される。酸素含有ガスとしては、例えば酸素(O2)ガスを用いることができる。
ガス供給管510,520,530からは、不活性ガスとして、例えば窒素(N2)ガスが、それぞれMFC512,522,532、バルブ514,524,534、ノズル410,420,430を介して処理室201内に供給される。なお、以下、不活性ガスとしてN2ガスを用いる例について説明するが、不活性ガスとしては、N2ガス以外に、例えば、アルゴン(Ar)ガス、ヘリウム(He)ガス、ネオン(Ne)ガス、キセノン(Xe)ガス等の希ガスを用いてもよい。
主に、ガス供給管310,320,330、MFC312,322,332、バルブ314,324,334、ノズル410,420,430により処理ガス供給系(処理ガス供給部)が構成されるが、ノズル410,420,430のみを処理ガス供給系と考えてもよい。処理ガス供給系を、単に、ガス供給系と称することもできる。ガス供給管310から金属含有ガスを流す場合、主に、ガス供給管310、MFC312、バルブ314により金属含有ガス供給系(金属含有ガス供給部)が構成されるが、ノズル410を金属含有ガス供給系に含めて考えてもよい。また、金属含有ガス供給系をハロゲン含有ガス供給系と称することもできる。ガス供給管320から還元ガスを流す場合、主に、ガス供給管320、MFC322、バルブ324により還元ガス供給系(還元ガス供給部)が構成されるが、ノズル420を還元ガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管320から還元ガスとして水素含有ガスを供給する場合、還元ガス供給系を水素含有ガス供給系(水素含有ガス供給部)と称することもできる。ガス供給管330から酸素含有ガスを流す場合、主に、ガス供給管330、MFC332、バルブ334により酸素含有ガス供給系(酸素含有ガス供給部)が構成されるが、ノズル430を酸素含有ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に、ガス供給管510,520,530、MFC512,522,532、バルブ514,524,534により不活性ガス供給系(不活性ガス供給部)が構成される。不活性ガス供給系を、パージガス供給系、希釈ガス供給系、或いは、キャリアガス供給系と称することもできる。
本実施形態におけるガス供給の方法は、インナチューブ204の内壁と、複数枚のウエハ200の端部とで定義される円環状の縦長の空間内、すなわち、円筒状の空間内の予備室201a内に配置したノズル410,420,430を経由してガスを搬送している。そして、ノズル410,420,430のウエハと対向する位置に設けられた複数のガス供給孔410a,420a,430aからインナチューブ204内にガスを噴出させている。より詳細には、ノズル410のガス供給孔410a、ノズル420のガス供給孔420a及びノズル430のガス供給孔430aにより、ウエハ200の表面と平行方向、すなわち水平方向に向かって原料ガス等を噴出させている。
排気孔(排気口)204aは、インナチューブ204の側壁であってノズル410,420,430に対向した位置、すなわち予備室201aとは180度反対側の位置に形成された貫通孔であり、例えば、鉛直方向に細長く開設されたスリット状の貫通孔である。そのため、ノズル410,420,430のガス供給孔410a,420a,430aから処理室201内に供給され、ウエハ200の表面上を流れたガス、すなわち、残留するガス(残ガス)は、排気孔204aを介してインナチューブ204とアウタチューブ203との間に形成された隙間で構成される排気路206内に流れる。そして、排気路206内へと流れたガスは、排気管231内に流れ、処理炉202外へと排出される。
排気孔204aは、複数のウエハ200と対向する位置(好ましくはボート217の上部から下部と対向する位置)に設けられており、ガス供給孔410a、420a、430aから処理室201内のウエハ200の近傍に供給されたガスは、水平方向、すなわちウエハ200の表面と平行方向に向かって流れた後、排気孔204aを介して排気路206内へと流れる。すなわち、処理室201に残留するガスは、排気孔204aを介してウエハ200の主面に対して平行に排気される。なお、排気孔204aはスリット状の貫通孔として構成される場合に限らず、複数個の孔により構成されていてもよい。
マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、上流側から順に、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245、APC(Auto Pressure Controller)バルブ243、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ243は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気及び真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができる。主に、排気孔204a,排気路206,排気管231,APCバルブ243及び圧力センサ245により、排気系すなわち排気ラインが構成される。なお、真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に鉛直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ219は、例えばSUS等の金属で構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。シールキャップ219における処理室201の反対側には、ウエハ200を収容するボート217を回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217に接続されている。回転機構267は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、アウタチューブ203の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって鉛直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ115は、シールキャップ219を昇降させることで、ボート217を処理室201内外に搬入及び搬出することが可能なように構成されている。ボートエレベータ115は、ボート217及びボート217に収容されたウエハ200を、処理室201内外に搬送する搬送装置(搬送機構)として構成されている。
基板支持具としてのボート217は、複数枚、例えば25~200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で鉛直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料で構成される。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料で構成される断熱板218が水平姿勢で多段(図示せず)に支持されている。この構成により、ヒータ207からの熱がシールキャップ219側に伝わりにくくなっている。ただし、本実施形態は上述の形態に限定されない。例えば、ボート217の下部に断熱板218を設けずに、石英やSiC等の耐熱性材料で構成される筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。
図3に示すように、インナチューブ204内には温度検出器としての温度センサ263が設置されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電量を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、ノズル410,420及び430と同様にL字型に構成されており、インナチューブ204の内壁に沿って設けられている。
図4に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バスを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
記憶装置121cは、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶装置121c内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラム、後述する半導体装置の製造方法の手順や条件などが記載されたプロセスレシピなどが、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する半導体装置の製造方法における各工程(各ステップ)をコントローラ121に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピ、制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、プロセスレシピ及び制御プログラムの組み合わせを含む場合がある。RAM121bは、CPU121aによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されている。
I/Oポート121dは、上述のMFC312,322,332,512,522,532、バルブ314,324,334,514,524,534、圧力センサ245、APCバルブ243、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ263、回転機構267、ボートエレベータ115等に接続されている。
CPU121aは、記憶装置121cから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置122からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置121cからレシピ等を読み出すように構成されている。CPU121aは、読み出したレシピの内容に沿うように、MFC312,322,332,512,522,532による各種ガスの流量調整動作、バルブ314,324,334,514,524,534の開閉動作、APCバルブ243の開閉動作及びAPCバルブ243による圧力センサ245に基づく圧力調整動作、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、真空ポンプ246の起動及び停止、回転機構267によるボート217の回転及び回転速度調節動作、ボートエレベータ115によるボート217の昇降動作、ボート217へのウエハ200の収容動作等を制御するように構成されている。
コントローラ121は、外部記憶装置(例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、CDやDVD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリやメモリカード等の半導体メモリ)123に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置121cや外部記憶装置123は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体は、記憶装置121c単体のみを含む場合、外部記憶装置123単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置123を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
(2)基板処理工程(成膜工程)
半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、図1に示されているような表面にトレンチやホール等の凹部5が形成され、この凹部5に連通し、凹部5からウエハ表面に対して水平方向(横方向)に横穴6が形成されたウエハ200に金属層としてのW層を成膜する工程の一例について、図5及び図6を用いて説明する。本基板処理工程は、上述した基板処理装置10の処理炉202を用いて実行される。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、図1に示されているような表面にトレンチやホール等の凹部5が形成され、この凹部5に連通し、凹部5からウエハ表面に対して水平方向(横方向)に横穴6が形成されたウエハ200に金属層としてのW層を成膜する工程の一例について、図5及び図6を用いて説明する。本基板処理工程は、上述した基板処理装置10の処理炉202を用いて実行される。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
本実施形態による基板処理工程(半導体装置の製造工程)では、
(a)表面に第1凹部としての凹部が形成され、この凹部の側面からこの凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた第2凹部としての横穴が形成されたウエハ200に対して、金属含有ガスとしてWF6ガスを供給する工程と、
(b)ウエハ200に対して、還元ガスとしてH2ガスを供給する工程と、
を有し、(a)と(b)を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する工程と、
(c)ウエハ200に対して、ハロゲン含有ガスとしてWF6ガスを供給する工程と、
(d)ウエハ200に対して、酸素含有ガスとしてO2ガスとH2ガスを供給する工程と、
を有し、(c)と(d)を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する工程と、
を行って、ウエハ200上に金属層であるW層を形成する。
(a)表面に第1凹部としての凹部が形成され、この凹部の側面からこの凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた第2凹部としての横穴が形成されたウエハ200に対して、金属含有ガスとしてWF6ガスを供給する工程と、
(b)ウエハ200に対して、還元ガスとしてH2ガスを供給する工程と、
を有し、(a)と(b)を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する工程と、
(c)ウエハ200に対して、ハロゲン含有ガスとしてWF6ガスを供給する工程と、
(d)ウエハ200に対して、酸素含有ガスとしてO2ガスとH2ガスを供給する工程と、
を有し、(c)と(d)を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する工程と、
を行って、ウエハ200上に金属層であるW層を形成する。
なお、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体(集合体)」を意味する場合(すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合)がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面(露出面)」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。なお、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
(ウエハ搬入)
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図2に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介して反応管203の下端開口を閉塞した状態となる。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図2に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介して反応管203の下端開口を閉塞した状態となる。
(圧力調整および温度調整)
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
[W層形成工程]
続いて、ウエハ200上に、金属層として例えばW層4を形成するステップを実行する。
続いて、ウエハ200上に、金属層として例えばW層4を形成するステップを実行する。
(WF6ガス供給 ステップS10)
バルブ314を開き、ガス供給管310内に金属含有ガスであるWF6ガスを流す。WF6ガスは、MFC312により流量調整され、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してWF6ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510内を流れたN2ガスは、MFC512により流量調整され、WF6ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420,430内へのWF6ガスの侵入を防止するために、バルブ524,534を開き、ガス供給管520,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320,330、ノズル420,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
バルブ314を開き、ガス供給管310内に金属含有ガスであるWF6ガスを流す。WF6ガスは、MFC312により流量調整され、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してWF6ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510内を流れたN2ガスは、MFC512により流量調整され、WF6ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420,430内へのWF6ガスの侵入を防止するために、バルブ524,534を開き、ガス供給管520,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320,330、ノズル420,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
このときAPCバルブ243を調整して、処理室201内の圧力を、例えば0.1~6650Paの範囲内の圧力とする。MFC312で制御するWF6ガスの供給流量は、例えば0.01~10slmの範囲内の流量とする。MFC512,522,532で制御するN2ガスの供給流量は、それぞれ例えば0.1~30slmの範囲内の流量とする。WF6ガスをウエハ200に対して供給する時間は、例えば0.01~30秒の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば250~550℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。処理室201内に流しているガスはWF6ガスとN2ガスのみであり、WF6ガスの供給により、ウエハ200(表面の下地膜)上に、例えば1原子層未満から数原子層程度の厚さの金属含有層としてのW含有層が形成される。
(残留ガス除去 ステップS11)
W含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、WF6ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはW含有層形成に寄与した後のWF6ガスを処理室201内から排除する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくはW含有層形成に寄与した後のWF6ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
W含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、WF6ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはW含有層形成に寄与した後のWF6ガスを処理室201内から排除する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくはW含有層形成に寄与した後のWF6ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(H2ガス供給 ステップS12)
バルブ324を開き、ガス供給管320内に還元ガスであるH2ガスを流す。H2ガスは、MFC322により流量調整され、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してH2ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ524を開き、ガス供給管520内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管520内を流れたN2ガスは、MFC522により流量調整され、H2ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル410,430内へのH2ガスの侵入を防止するために、バルブ514,534を開き、ガス供給管510,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,330、ノズル410,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
バルブ324を開き、ガス供給管320内に還元ガスであるH2ガスを流す。H2ガスは、MFC322により流量調整され、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してH2ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ524を開き、ガス供給管520内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管520内を流れたN2ガスは、MFC522により流量調整され、H2ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル410,430内へのH2ガスの侵入を防止するために、バルブ514,534を開き、ガス供給管510,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,330、ノズル410,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
このときAPCバルブ243を調整して、処理室201内の圧力を、例えば1~3990Paの範囲内の圧力とする。MFC322で制御するH2ガスの供給流量は、例えば0.1~50slmの範囲内の流量とする。MFC512,522,532で制御するN2ガスの供給流量は、それぞれ例えば0.1~20slmの範囲内の流量とする。H2ガスをウエハ200に対して供給する時間は、例えば0.1~20秒の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば200~600℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。処理室201内に流しているガスはH2ガスとN2ガスのみであり、H2ガスの供給により、ウエハ200(表面の下地膜)上に、例えば1原子層未満から数原子層程度の厚さの金属層としてのW層が形成される。
(残留ガス除去 ステップS13)
W層が形成された後、バルブ324を閉じ、H2ガスの供給を停止する。そして、ステップS11と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはW層形成に寄与した後のH2ガスを処理室201内から排除する。
W層が形成された後、バルブ324を閉じ、H2ガスの供給を停止する。そして、ステップS11と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはW層形成に寄与した後のH2ガスを処理室201内から排除する。
(所定回数実施)
上記したステップS10~ステップS13を順に行うサイクルを1回以上(所定回数(n回))実行することにより、ウエハ200上に、所定の厚さのW層を形成する。上述のサイクルは、複数回実行するのが好ましい。
上記したステップS10~ステップS13を順に行うサイクルを1回以上(所定回数(n回))実行することにより、ウエハ200上に、所定の厚さのW層を形成する。上述のサイクルは、複数回実行するのが好ましい。
[W層エッチング工程]
続いて、ウエハ200のW層表面上に、金属含有層としてのW含有層を形成し、このW含有層の一部を金属酸素含有層としてのWO含有層に改質する(エッチングする)ステップを実行する。WO含有層は、例えば、W含有層の表面側に形成される。即ち、W含有層の表面側の数層が、WO含有層に改質した場合は、その数層がエッチングされる。
続いて、ウエハ200のW層表面上に、金属含有層としてのW含有層を形成し、このW含有層の一部を金属酸素含有層としてのWO含有層に改質する(エッチングする)ステップを実行する。WO含有層は、例えば、W含有層の表面側に形成される。即ち、W含有層の表面側の数層が、WO含有層に改質した場合は、その数層がエッチングされる。
(WF6ガス供給 ステップS20)
バルブ314を開き、ガス供給管310内にハロゲン含有ガスであるWF6ガスを流す。WF6ガスは、MFC312により流量調整され、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してWF6ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510内を流れたN2ガスは、MFC512により流量調整され、WF6ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420,430内へのWF6ガスの侵入を防止するために、バルブ524,534を開き、ガス供給管520,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320,330、ノズル420,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
バルブ314を開き、ガス供給管310内にハロゲン含有ガスであるWF6ガスを流す。WF6ガスは、MFC312により流量調整され、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してWF6ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510内を流れたN2ガスは、MFC512により流量調整され、WF6ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420,430内へのWF6ガスの侵入を防止するために、バルブ524,534を開き、ガス供給管520,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320,330、ノズル420,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
このときAPCバルブ243を調整して、処理室201内の圧力を、例えば0.1~6650Paの範囲内の圧力とする。MFC312で制御するWF6ガスの供給流量は、例えば0.01~10slmの範囲内の流量とする。MFC512,522,532で制御するN2ガスの供給流量は、それぞれ例えば0.1~30slmの範囲内の流量とする。WF6ガスをウエハ200に対して供給する時間は、例えば0.01~30秒の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば250~550℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。処理室201内に流しているガスはWF6ガスとN2ガスのみであり、WF6ガスの供給により、ウエハ200(表面の下地膜)上に、例えば1原子層未満から数原子層程度の厚さの金属含有層としてのW含有層が形成される。
(残留ガス除去 ステップS21)
W含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、WF6ガスの供給を停止する。そして、ステップS11と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはW含有層形成に寄与した後のWF6ガスを処理室201内から排除する。
W含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、WF6ガスの供給を停止する。そして、ステップS11と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはW含有層形成に寄与した後のWF6ガスを処理室201内から排除する。
(H2ガス、O2ガス供給 ステップS22)
バルブ324,334を開き、ガス供給管320,330内にそれぞれ水素含有ガスであるH2ガスと酸素含有ガスであるO2ガスを流す。H2ガスは、MFC322により流量調整され、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。O2ガスは、MFC332により流量調整され、ノズル430のガス供給孔430aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してH2ガスとO2ガスが同時に供給されることとなる。またこのとき同時にバルブ524,534を開き、ガス供給管520,530内にそれぞれN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管520,530内を流れたN2ガスは、MFC522,532により流量調整され、H2ガス、O2ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル410内へのH2ガス、O2ガスの侵入を防止するために、バルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310、ノズル410を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
バルブ324,334を開き、ガス供給管320,330内にそれぞれ水素含有ガスであるH2ガスと酸素含有ガスであるO2ガスを流す。H2ガスは、MFC322により流量調整され、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。O2ガスは、MFC332により流量調整され、ノズル430のガス供給孔430aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してH2ガスとO2ガスが同時に供給されることとなる。またこのとき同時にバルブ524,534を開き、ガス供給管520,530内にそれぞれN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管520,530内を流れたN2ガスは、MFC522,532により流量調整され、H2ガス、O2ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル410内へのH2ガス、O2ガスの侵入を防止するために、バルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310、ノズル410を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
このとき処理室201内に供給されるO2ガスの供給量を、処理室201内に供給されるH2ガスの供給量に比べて多くする。言い換えれば、処理室201内に供給されるO2ガスの供給比率を、H2ガスの供給比率よりも大きくする。なお、供給量は、流量と供給時間のいずれか又は両方により調整される。この様に供給することで、WO含有層の酸素比率を増やすことが可能となる。WO含有層の酸素比率を増やすことで、昇華させやすくなる。
このときAPCバルブ243を調整して、処理室201内の圧力を、例えば0.1~3990Paの範囲内の圧力とする。MFC322で制御するH2ガスの供給流量は、例えば0.1~50slmの範囲内の流量とする。MFC332で制御するO2ガスの供給流量は、例えば0.1~10slmの範囲内の流量とする。MFC512,522,532で制御するN2ガスの供給流量は、それぞれ例えば0.1~20slmの範囲内の流量とする。H2ガス、O2ガスをウエハ200に対して供給する時間は、例えば0.1~20秒の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば200~600℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。このとき処理室201内に流しているガスはH2ガスとO2ガスとN2ガスのみであり、H2ガスとO2ガスの供給により、ステップS20~ステップS21においてウエハ200(表面の下地膜)上に形成されたW含有層の一部が酸化されて、金属酸素含有層としてのWO含有層に改質される。なお、WO含有層は、W含有層の表面側に形成される。金属酸素含有層は、少なくとも金属元素および酸素元素を含む層であり、この層を金属酸化層と称することもできる。本ステップにおいて、W含有層の少なくとも一部が酸化されることでタングステン酸化物WOxが生成される。ここでxは自然数である。WOxは、上述の処理条件下で、昇華させることが可能である。すなわち、上述の処理条件は、W含有層の少なくとも一部をWO含有層へ改質させると共に、改質されたWO含有層を昇華させることが可能な処理条件である。つまり、本ステップでは、W含有層の少なくとも一部をWO含有層へ改質させた後、このWO含有層が自身の蒸気圧により、昇華が開始される。なお、W含有層の内、酸化されなかった部分は、W含有層として残ることとなる。
なお、H2ガスとO2ガスとを供給することにより、O2のみを供給した場合と比較して、酸化力の強い活性種を生成することが可能となる。酸化力の強い活性種を生成することにより、W含有層の表面のWO含有層の均一性を向上させることが可能となる。
(残留ガス除去 ステップS23)
WO含有層が形成された後、バルブ324,334を閉じ、H2ガスとO2ガスの供給を停止する。そして、ステップS11と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはWO含有層形成に寄与した後のH2ガスとO2ガスを処理室201内から排除する。なお、本ステップにおいても、ステップS22で形成されたWO含有層を昇華させることが可能であり、ステップS22でWO含有層を昇華し切れなかった場合は、本ステップにおいて残留したWO含有層を昇華させることが可能である。
WO含有層が形成された後、バルブ324,334を閉じ、H2ガスとO2ガスの供給を停止する。そして、ステップS11と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはWO含有層形成に寄与した後のH2ガスとO2ガスを処理室201内から排除する。なお、本ステップにおいても、ステップS22で形成されたWO含有層を昇華させることが可能であり、ステップS22でWO含有層を昇華し切れなかった場合は、本ステップにおいて残留したWO含有層を昇華させることが可能である。
(所定回数実施)
上記したステップS20~ステップS23を順に行うことにより、ウエハ200上の所定の厚さのW含有層がWO含有層に改質され、生成されたWO含有層は昇華される。すなわち、ウエハ200上のW含有層の内、所定厚さのW含有層が酸化されてエッチングされる。上記したステップS20~ステップS23を順に行うサイクルを1回以上(所定回数(m回))行うことにより、サイクル毎に、W含有層が所定の厚さ毎にエッチングされる。上述のサイクルは、W含有層が目的の厚さ分エッチングされるまで、複数回実行するのが好ましい。
上記したステップS20~ステップS23を順に行うことにより、ウエハ200上の所定の厚さのW含有層がWO含有層に改質され、生成されたWO含有層は昇華される。すなわち、ウエハ200上のW含有層の内、所定厚さのW含有層が酸化されてエッチングされる。上記したステップS20~ステップS23を順に行うサイクルを1回以上(所定回数(m回))行うことにより、サイクル毎に、W含有層が所定の厚さ毎にエッチングされる。上述のサイクルは、W含有層が目的の厚さ分エッチングされるまで、複数回実行するのが好ましい。
[所定回数実施]
そして、上述したW層形成工程のステップS10~ステップS13を順に行うサイクルを所定回数(n回)行った後、W層エッチング工程のステップS20~ステップS23を順に行うサイクルを所定回数(m回)行って、このW層形成工程とW層エッチング工程を交互に所定回数(p回)行うことにより、ウエハ200上に、所定の厚さのW層を形成する。上述のサイクルは、複数回行うのが好ましい。なお、上記したnは、mより大きい整数である。また、nとmの比率は、W層形成工程の成膜レートや、W層エッチング工程のエッチングレートによって、適宜変更しても良い。また、横穴6を埋める工程の初期と後期とで、nとmの比率を変更する様に構成しても良い。
そして、上述したW層形成工程のステップS10~ステップS13を順に行うサイクルを所定回数(n回)行った後、W層エッチング工程のステップS20~ステップS23を順に行うサイクルを所定回数(m回)行って、このW層形成工程とW層エッチング工程を交互に所定回数(p回)行うことにより、ウエハ200上に、所定の厚さのW層を形成する。上述のサイクルは、複数回行うのが好ましい。なお、上記したnは、mより大きい整数である。また、nとmの比率は、W層形成工程の成膜レートや、W層エッチング工程のエッチングレートによって、適宜変更しても良い。また、横穴6を埋める工程の初期と後期とで、nとmの比率を変更する様に構成しても良い。
ここで、図7(A)~図7(E)は、比較例における基板処理工程を用いて形成されるウエハ200の断面を示す図である。比較例では、上述したW層形成工程(ステップS10~S13)のみを複数回行って、W層エッチング工程(ステップS20~S23)を行わない。比較例では、図7(A)に示すように、表面に凹部5が形成され、凹部5から横方向に横穴6が形成されたウエハ200の横穴6にW層4を形成する(埋め込む)際に、先ず凹部5と横穴6の表面に、金属層でありバリア層としての窒化チタン層(TiN層)3を形成する(図7(B))。そして、上述したW層形成工程を複数回行うことにより、横穴6の入口付近でW層が厚くなり(図7(C))、横穴の入口付近が閉塞して横穴6の奥までW層4が埋め込まれずに隙間が形成されてしまう(図7(D))。図7(E)は、図7(D)の後に、凹部5と横穴6の入口付近に形成されたW層4とTiN層3をエッチバックした図を示している。
本実施形態では、図8(A)に示すように、表面に凹部5が形成され、凹部5から横方向に横穴6が形成されたウエハ200の横穴6にW層4を形成する際に、先ず凹部5と横穴6の表面に、金属層でありバリア層としての窒化チタン層(TiN層)3を形成する(図8(B))。そして、上述したW層形成工程とW層エッチング工程を交互に複数回行うことにより、凹部5と横穴6内に金属層であるW層4を埋め込む(図8(C)~図8(E))。すなわち、上述のW層形成工程を行って、横穴6内を埋め込むように、W層4を形成し(図8(C))、横穴6の入口付近が塞がる前に、上述のW層エッチング工程を行って、W層4をエッチングして横穴6の入口付近の間口を広げる(図8(D))。このように、W層形成工程とW層エッチング工程とをそれぞれ複数回行うことにより、ガスを横穴6の奥方向へ進入させて、W層4で埋め込まれない隙間を少なくすることができ、ウエハ200の横穴6がW層4で埋め込まれる(図8(E))。そして、凹部5と横穴6の入口付近に埋め込まれたW層4とTiN層3に対して、エッチバックを行う(図8(F))。
つまり、W層エッチング工程としてW層形成工程後に酸素含有ガスであるO2ガスとH2ガスを供給することにより、ウエハ200の横穴6の入口付近に形成されたW含有層を酸化させてWO含有層に改質させる。これにより横穴6の入口付近に形成され、酸化層に改質されたWO含有層がエッチングされる。すなわち、酸化した部分がエッチングされ、ガスを横穴6の奥方向へ進入させて、W層4に隙間を生じさせずに横穴6内にW層4を埋め込むことができる。そして、隙間が生じてしまったウエハ200と比べて低抵抗化を達成できる。
なお、W層形成工程のサイクル数(n回)と、W層エッチング工程のサイクル数(m回)を比率制御することで、横穴6内に隙間を生じさせずにW層4を形成する(埋め込む)ことができる。また、W層形成工程において形成されるW層の膜厚(成膜レート)の割合によって、W層形成工程とW層エッチング工程のサイクル数の比率を制御することにより、横穴6内に隙間を生じさせずにW層4を形成する(埋め込む)ことができる。
(アフターパージおよび大気圧復帰)
ガス供給管510,520,530のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ガス供給管510,520,530のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
(ウエハ搬出)
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口される。そして、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口される。そして、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
(3)本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を得ることができる。
(a)表面に凹部が形成され、凹部から横方向に形成された横穴に隙間を生じさせずにW層を形成する(埋め込む)ことができる。
(b)隙間が生じてしまったW層と比べて低抵抗化を達成できる。
(c)横穴の形状や大きさに応じて、W層形成工程のサイクル数と、W層エッチング工程のサイクル数を比率制御することで、横穴に隙間を生じさせずにW層を形成する(埋め込む)ことができる。
(d)W層形成工程において形成されるW層の膜厚(成膜レート)の割合によって、W層形成工程のサイクル数と、W層エッチング工程のサイクル数を比率制御することで、横穴に隙間を生じさせずにW層を形成する(埋め込む)ことができる。
(e)W層エッチング工程において酸素含有ガスとしてH2ガスとO2ガスを用いる際に、H2ガスを99%~0%の範囲内、O2ガスを1%~100%の範囲内で、H2ガスとO2ガスの供給比率を異なるようにすることにより、エッチングレートを調整(制御)することができる。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を得ることができる。
(a)表面に凹部が形成され、凹部から横方向に形成された横穴に隙間を生じさせずにW層を形成する(埋め込む)ことができる。
(b)隙間が生じてしまったW層と比べて低抵抗化を達成できる。
(c)横穴の形状や大きさに応じて、W層形成工程のサイクル数と、W層エッチング工程のサイクル数を比率制御することで、横穴に隙間を生じさせずにW層を形成する(埋め込む)ことができる。
(d)W層形成工程において形成されるW層の膜厚(成膜レート)の割合によって、W層形成工程のサイクル数と、W層エッチング工程のサイクル数を比率制御することで、横穴に隙間を生じさせずにW層を形成する(埋め込む)ことができる。
(e)W層エッチング工程において酸素含有ガスとしてH2ガスとO2ガスを用いる際に、H2ガスを99%~0%の範囲内、O2ガスを1%~100%の範囲内で、H2ガスとO2ガスの供給比率を異なるようにすることにより、エッチングレートを調整(制御)することができる。
<他の実施形態>
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
上記実施形態では、W層形成工程のステップS10とW層エッチング工程のステップS20において、同じ種類のガス(WF6ガス)を用いる例について説明したが、これに限らず、異なるガスを用いる場合にも適用できる。例えば、W層エッチング工程におけるハロゲン含有ガスとして、W層形成工程における金属元素を含まないハロゲンのみを含んでいればよい。ハロゲン元素は、例えば、フッ素(F)である。例えば、Fを含む3フッ化窒素(NF3)ガス、F2ガス等を用いる場合にも適用できる。Fを含むF系ガスは、エッチングガスとして好適に用いられる。F系ガスは、塩素(Cl)を含むCl系ガスに比べて蒸気圧が高く、昇華しやすい反応生成物(WFxOy)が生成されるためである。
また上記実施形態では、W層エッチング工程のステップS22において、H2ガスとO2ガスを同時に供給する場合を例にして説明したが、これに限らず、図9に示すように、H2ガスをO2ガスよりも先に処理室201内に供給し、先に供給を停止するようにしてもよい。言い換えれば、O2ガス供給をH2ガスよりも後に処理室201内に供給し、後に供給を停止するようにしてもよい。先に水素含有ガスを供給することで、ハロゲンガス分子中のハロゲン元素の一部を除去し、その後に供給される酸素含有ガスとウエハ200上のハロゲンとの反応性を高くすることができる。上述の例では、WFxとO2ガスとの反応性を向上させることができる。また、水素含有ガスを先に止めることにより、W層の表面に形成される反応生成物が還元され、反応生成物の昇華性が低下してしまうことを抑制することができる。
また上記実施形態では、W層エッチング工程のステップS22において、処理室201内に供給されるO2ガスの流量を、処理室201内に供給されるH2ガスの流量に比べて多くする場合を例にして説明したが、これに限らず、処理室201内に供給されるO2ガスの供給時間を、処理室201内に供給されるH2ガスの供給時間に比べて長くするようにしてもよい。
また上記実施形態では、W層エッチング工程のステップS22において、酸素含有ガスとしてH2ガスとO2ガスを用いる例について説明したが、これに限らず、O2ガス、亜酸化窒素(N2O)ガス、一酸化窒素(NO)ガス、水(H2O)等を用いる場合にも適用できる。O2ガス、N2Oガス、NOガスは、W層内に入り込むため、複数層毎にエッチングすることが可能である。また、H2Oは、W層の表面に吸着するので、表面1層毎にエッチングすることが可能である。即ち、H2Oの様に、水素元素と酸素元素の両方を含むガス(酸素元素と水素元素の化合ガス)を供給した場合には、水素含有ガスと酸素含有ガスとを別々に供給した場合と比べて、エッチングレートを小さくすることが可能となる。即ち、膜厚のコントロール性が向上する。故に、隙間の形成が少ない場合には、H2Oの様なガスを供給して、開口を開ける様に処理工程を構成しても良い。また、処理工程の終盤で、ガスをH2Oに切り替えて、膜厚を調整するサイクルを行っても良い。
また上記実施形態では、上述したW層エッチング工程のステップS22において、O2ガスと同時に供給する還元ガスとしてH2ガスを用いる例について説明したが、これに限らず、シラン(SiH4)ガス、ジシラン(Si2H6)ガス、ジクロロシラン(SiH2Cl2、略称DCS)ガス、アンモニア(NH3)ガス、ジボラン(B2H6)ガス等を用いる場合にも適用できる。SiH4ガス、Si2H6ガスは、成膜にも寄与するため、エッチングレートを調整することが可能である。
また上記実施形態では、金属層としてW層を形成する例について説明したが、これに限らず、成膜とエッチバックを行う導電性の膜に適用できる。
また上記実施形態では、フラッシュメモリのコントロールゲートにW層を用いる例について説明したが、これに限らず、MOSFETのワードライン向け電極やバリア膜を形成する場合にも適用できる。
以下に実施例を説明するが、本開示はこれらの実施例により限定されるものではない。
<実施例>
図10(A)は、本実施例におけるW層の成膜膜厚とエッチング膜厚のサイクル依存性を示す図であって、図10(B)は、W層の成膜速度とエッチング速度を示す図である。
図10(A)は、本実施例におけるW層の成膜膜厚とエッチング膜厚のサイクル依存性を示す図であって、図10(B)は、W層の成膜速度とエッチング速度を示す図である。
W層の成膜では、上述した基板処理装置10を用いて上述の基板処理工程におけるW層形成工程(ステップS10~S13)を用いた。また、W層のエッチングでは、上述した基板処理装置10を用いて上述の基板処理工程におけるW層エッチング工程(ステップS20~S23)を用いた。いずれの工程も処理室201内の温度を380℃で行った。
図10(A)及び図10(B)に示されているように、W層の成膜は、ステップS10~ステップS13を順に行うサイクルを100回以上行うと、サイクル数に応じて形成されるW層も膜厚が厚くなることが確認された。一方で、W層のエッチングは、ステップS20~ステップS23を順に行うサイクルを数十回行うだけで、W層がエッチングされ、成膜速度に比べてエッチング速度が速いことが確認された。
また、W層のエッチングにおいて、酸素含有ガスとしてO2ガスのみを用いる場合の方が、H2ガスとO2ガスを用いる場合と比較して、エッチング速度が速く、処理時間を短くすることができることが確認された。また、W層のエッチングにおいて、H2ガスとO2ガスを用いる場合の方が、O2ガスのみを用いる場合と比較して、エッチング速度(エッチングレート)を微調整できることが確認された。
すなわち、エッチングの目的によって、エッチング工程における酸素含有ガスとして、O2ガスのみを用いたり、H2ガスとO2ガスを用いたりして使い分けることで、エッチングレートを選択することができることとなる。
以上、本開示の種々の典型的な実施形態及び実施例を説明してきたが、本開示はそれらの実施形態及び実施例に限定されず、適宜組み合わせて用いることもできる。
10 基板処理装置
121 コントローラ
200 ウエハ(基板)
201 処理室
121 コントローラ
200 ウエハ(基板)
201 処理室
Claims (24)
- (a)表面に、第1凹部と前記第1凹部の側面から前記第1凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた第2凹部と、が形成された基板に対して、金属含有ガスを供給する工程と、
(b)前記基板に対して、還元ガスを供給する工程と、
(c)前記基板に対して、ハロゲン含有ガスを供給する工程と、
(d)前記基板に対して、酸素含有ガスを供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (e)前記(a)と、前記(b)と、を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する工程を有する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- (f)前記(c)と、前記(d)と、を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する工程を有する請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(d)において、前記酸素含有ガスに加えて、水素含有ガスを供給する請求項1から3のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素含有ガスの供給量を前記水素含有ガスの供給量よりも多くする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素含有ガスの供給流量を前記水素含有ガスの供給流量よりも多くする請求項4又は5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素含有ガスの供給時間を前記水素含有ガスの供給時間よりも長くする請求項4から6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(d)において、前記酸素含有ガスの供給は、前記水素含有ガスの供給を開始した後に開始する請求項4から7のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(d)において、前記水素含有ガスの供給を停止した後に前記酸素含有ガスの供給を停止する請求項4から8のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
- (g)前記(f)工程の後に、前記(c)工程と、前記基板に対して酸素と水素とを含むガスを供給する工程と、を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する工程を有する請求項3から9のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(d)において、前記酸素含有ガスは、水素を含む請求項1から3のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ハロゲン含有ガスは、フッ素含有ガスである請求項1から11のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(a)において金属含有層を形成し、
前記(b)において金属層を形成し、
前記(c)において金属含有層を形成し、
前記(d)において前記(c)で形成した金属含有層を金属酸素含有層に改質する請求項1から12のいずれか記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(a)と、前記(b)と、を少なくとも含むサイクルを複数回行った後に、前記(c)と、前記(d)と、を少なくとも含むサイクルを複数回行う工程を有する請求項1から13のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
- 表面に、第1凹部と前記第1凹部の側面から前記第1凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた第2凹部と、が形成された基板に対して、金属含有ガスを供給する金属含有ガス供給系と、
前記基板に対して、還元ガスを供給する還元ガス供給系と、
前記基板に対して、ハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給系と、
前記基板に対して、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
(a)前記基板に対して、前記金属含有ガスを供給する処理と、(b)前記基板に対して、前記還元ガスを供給する処理と、(c)前記基板に対して、前記ハロゲン含有ガスを供給する処理と、(d)前記基板に対して、前記酸素含有ガスを供給する処理と、を実行するように、前記金属含有ガス供給系、前記還元ガス供給系、前記ハロゲン含有ガス供給系及び前記酸素含有ガス供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、(e)前記(a)と、前記(b)と、を少なくとも含むサイクルを所定回数実行するように制御することが可能なように構成される請求項15記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、(f)前記(c)と、前記(d)と、を少なくとも含むサイクルを所定回数実行するように制御することが可能なように構成される請求項15又は16に記載の基板処理装置。
- 前記基板に対して、前記酸素含有ガスに加えて、水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系をさらに有し、
前記制御部は、前記(d)において、前記酸素含有ガスに加えて、前記水素含有ガスを供給するように制御することが可能なように構成される請求項15から17のいずれか記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記酸素含有ガスの供給量を、前記水素含有ガスの供給量よりも多くするよう制御することが可能なように構成される請求項18に記載の基板処理装置。
- (a)表面に、第1凹部と前記第1凹部の側面から前記第1凹部の深さ方向とは異なる方向に延びるように設けられた第2凹部と、が形成された基板に対して、金属含有ガスを供給する手順と、
(b)前記基板に対して、還元ガスを供給する手順と、
(c)前記基板に対して、ハロゲン含有ガスを供給する手順と、
(d)前記基板に対して、酸素含有ガスを供給する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - (e)前記(a)と、前記(b)と、を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する手順をさらに有する請求項20記載の記録媒体。
- (f)前記(c)と、前記(d)と、を少なくとも含むサイクルを所定回数実行する手順をさらに有する請求項20又は21記載の記録媒体。
- 前記(d)の手順において、前記酸素含有ガスに加えて、水素含有ガスを供給する請求項20から22のいずれか記載の記録媒体。
- 前記酸素含有ガスの供給量を、前記水素含有ガスの供給量よりも多くする請求項23に記載の記録媒体。
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