JP5329265B2 - 半導体装置の製造方法および基板処理装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5329265B2 JP5329265B2 JP2009055370A JP2009055370A JP5329265B2 JP 5329265 B2 JP5329265 B2 JP 5329265B2 JP 2009055370 A JP2009055370 A JP 2009055370A JP 2009055370 A JP2009055370 A JP 2009055370A JP 5329265 B2 JP5329265 B2 JP 5329265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- resist pattern
- source gas
- processing chamber
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 84
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 182
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 134
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 73
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 38
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 260
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 25
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical group CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N dimethylpyridine Natural products CC1=CC=CN=C1C HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
- C23C16/45538—Plasma being used continuously during the ALD cycle
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
Memory)、SRAM(Static Random Access
Memory)等のメモリデバイスや、ロジックデバイス等の半導体デバイスは、近年、高集積化が求められているが、そのためにはパターンの微細化が必須である。狭い面積に多くのデバイスを集積させるためには、個別デバイスのサイズを小さく形成しなくてはならず、このためには、形成しようとするパターンの幅と間隔との和であるピッチを小さくしなければならない。しかし、必要なパターンを形成するためのホトリソグラフィ工程に解像限界があり、微細ピッチを有するパターンの形成に限界がある。
次に第2のレジスト溶剤602bを塗布し(ステップe)、第2のレジスト溶剤602bの露光を行う(ステップf)。ここで保護膜704は透過性を持つ膜なので、(f)のステップで、第1のレジストパターン603a、第2のレジスト溶剤602bの両方を露光することになる。さらに、現像液を用いて露光された部分の除去を行うことで第2のレジストパターン603bを形成する(ステップg)。ここで第2のレジスト溶剤602bは容易に除去することが可能だが、第1のレジストパターン603aは保護膜704に保護されるため除去されない。
保護膜の上であって複数の第1のレジストパターンの間に第2のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも2層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する半導体デバイスの製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、露光を2回行うことで第1のレジストパターンと第2のレジストパターンとを基板上に形成する際の半導体デバイスの製造方法であって、
第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を形成する第1の保護膜形成工程と、
第1の保護膜の上に形成され、第2のレジストパターンと接する第2の保護膜を形成する第2の保護膜形成工程とを有する半導体デバイスの製造方法が提供される。
さらに、本発明の他の態様によれば、基板上に形成された第1のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
保護膜の上であって複数の第1のレジストパターンの間に第2のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも2層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する基板処理方法が提供される。
さらに、本発明の他の態様によれば、基板を収容する処理室と、
処理室に複数の原料ガスを供給する複数の原料ガス供給手段と、
処理室に触媒を供給する触媒供給手段と、
プラズマを生成して原料ガスを活性化させるプラズマ生成手段と、
処理室を排気する排気手段と、
原料ガス供給手段、触媒供給手段、プラズマ生成手段および排気手段を制御する制御部と、
を有し、
制御部は、原料ガス供給手段、触媒供給手段、プラズマ生成手段および排気手段を制御して、複数の原料ガスと触媒を用いて基板上に形成された第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を形成した後、プラズマにより少なくとも1種の原料ガスを活性化させて用いて第1の保護膜の上に第2の保護膜を形成する基板処理装置が提供される。
低温による成膜はプラズマエネルギーを用いることにより容易に可能となるが、プラズマを用いた酸化(例えば、O2プラズマによる酸化)を行うと、プラズマがレジストを燃やす(アッシング)してしまう場合があるため、プラズマを用いた成膜をレジスト上で行うことは好ましくない。
本実施例に係る基板処理装置は、半導体装置(IC(Integrated Circuits))の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。
下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。しかし、本発明は、縦型装置の使用を前提としたものでなく、例えば、枚葉装置を使用しても良い。
そして、バッファ室237内において、各ガス供給孔440aより噴出したガスの粒子速度差が緩和された後、ガス供給孔440bより処理室201に噴出させている。よって、各ガス供給孔440aより噴出したガスは、各ガス供給孔440bより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができる。
第1のレジストパターン形成工程では、ウエハ200上もしくはウエハ200上に形成されたハードマスク上(図示しない)に第1のレジストパターン603aを形成する。
最初に、ウエハ200上もしくはウエハ200上に形成されたハードマスク上(図示しない)に、第1のレジスト溶剤602aを塗布する(図4のステップa)。次に、ベーキング、ArFエキシマ光源(193nm)やKrFエキシマ光源(248nm)等の光源によるマスクパターン等を用いた選択的露光、現像等を行うことで、第1のレジストパターン603aを形成する(図4のステップb、c)。
第1の保護膜形成工程では、第1のレジストパターン形成工程にて形成された第1のレジストパターン603a上及び第1のレジストパターン603aが形成されていない部分に、薄膜を保護材として形成する(図4のステップd)。これにより、熱による第1のレジストパターン603aの形状変化や膜質変化を防止しつつ後述の第2の保護膜を形成する際に用いるプラズマによる第1のレジストパターン603aのアッシングを防止することができる。以下では、基板処理装置101を使用してALD法により、第1の保護膜としての第1のSiO2膜604を極低温にて成膜する例について説明する。
本実施例では、Si原料ガスとしてHCDを、酸化原料としてH2Oを、触媒としてピリジンを、キャリアガスとしてN2を、それぞれ用いた場合について図1、図2及び図5を使用して説明する。
原料ガス供給管310にHCDを、原料ガス供給管320にH2Oを、触媒供給管330に触媒を、キャリアガス供給管510,520,530にN2を導入(流入)させた状態で、バルブ314,334,514,524,534を適宜開く。但し、バルブ304、324、344は閉じたままである。
バルブ314,334を閉じてHCD,触媒の供給を停止させるとともに、図5のように、N2をキャリアガス供給管510,520,530から処理室201に供給し続け、処理室201内をN2でパージする。パージ時間は例えば15秒とする。また15秒内にパージと真空引きの2工程があってもよい。その結果、処理室201内に残留したHCD,触媒が処理室201内から排除される。
バルブ514,524,534を開いたままで、バルブ324,334を適宜開く。バルブ304、314、344は閉じたままである。その結果、図5のように、H2Oが、N2と混合されながら原料ガス供給管320を流通してノズル420に流出し、ガス供給孔420aから処理室201に供給される。また、触媒も、N2と混合されながら触媒供給管330を流通してノズル430に流出し、触媒供給孔430aから処理室201に供給される。さらに、N2がキャリアガス供給管510を流通してノズル410に流出し、ガス供給孔410aから処理室201に供給される。処理室201に供給されたH2O,触媒はウエハ200の表面上を通過して排気管231から排気される。
バルブ324,334を閉じてH2O,触媒の供給を停止させるとともに、図5のように、N2をキャリアガス供給管510,520,530から処理室201に供給し続け、処理室201内をN2でパージする。パージ時間は例えば15秒とする。また15秒内にパージと真空引きの2工程があってもよい。その結果、処理室201内に残留したH2O,触媒が処理室201内から排除される。
第2の保護膜形成工程では、図4のステップd‘のように、第1の保護膜形成工程にて形成された第1の保護膜である第1のSiO2膜604上に、現像液耐性が強い(すなわち膜中の水成分が低減された)第2の保護膜である第2のSiO2膜605を保護材として形成する。以下では、基板処理装置101を使用してALD法により、第2の保護膜としての第2のSiO2膜605を極低温にて成膜する例について説明する。尚、第1の保護膜としての第1のSiO2膜604を成膜する第1の保護膜形成工程と同じ処理を行う部分は説明を省略する。
原料ガス供給管300にTDMASを、原料ガス供給管340にO2を、キャリアガス供給管510,520,530にN2を導入(流入)させた状態で、バルブ304,514,524,534を適宜開く。但し、バルブ314、324、334、344は閉じたままである。
バルブ304を閉じてTDMASの供給を停止させるとともに、図6のように、N2をキャリアガス供給管510,520,530から処理室201に供給し続け、処理室201内をN2でパージする。パージ時間は例えば15秒とする。また15秒内にパージと真空引きの2工程があってもよい。その結果、処理室201内に残留したTDMASが処理室201内から排除される。
バルブ514,524,534を開いたままで、バルブ344を適宜開く。バルブ304、314、324、334は閉じたままである。その結果、図6のように、O2が、N2と混合されながら原料ガス供給管340を流通してノズル440に流出し、ガス供給孔440aからバッファ室237に供給される。そして、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してO2をプラズマ励起し、活性種としてガス供給孔440bから処理室201へ供給する。処理室201に供給されたO2プラズマはウエハ200の表面上を通過して排気管231から排気される。
バルブ344を閉じてO2プラズマの供給を停止させるとともに、図6のように、N2をキャリアガス供給管510,520,530から処理室201に供給し続け、処理室201内をN2でパージする。パージ時間は例えば15秒とする。また15秒内にパージと真空引きの2工程があってもよい。その結果、処理室201内に残留したO2プラズマが処理室201内から排除される。
第2のレジストパターン形成工程では、第2の保護膜形成工程にて形成された第2のSiO2膜605上であって、第1のレジストパターン603aが形成される位置とは異なる位置に、第2のレジストパターン603bを形成する。つまり、第2のレジストパターン603bは、複数の第1のレジストパターン603aの間に形成される。このとき、第1のレジストパターン603aを覆う第2のSiO2膜605と第2のレジストパターン603bの側面が触れないよう所定の間隔を空けて第2のレジストパターン203bを形成すると良い。
最初に、第2の保護膜である第2のSiO2膜605上に、第2のレジスト溶剤602bを塗布する(図4のステップe)。次に、ベーキング、ArFエキシマ光源(193nm)やKrFエキシマ光源(248nm)等による露光、現像等を行うことで(図4のステップf)、第2のレジストパターン603bを形成する(図4のステップg)。
第1の保護膜除去工程では、第1のSiO2膜604及び第2のSiO2膜605を除去する。
本発明の一態様によれば、基板上に形成された複数の第1のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
保護膜の上であって複数の第1のレジストパターンの間に第2のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも2層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する半導体デバイスの製造方法が提供される。
好ましくは、保護膜形成工程は、
第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を、触媒を用いて形成する第1の保護膜形成工程と、
第2のレジストパターンと接する第2の保護膜をプラズマを用いて形成する第2の保護膜形成工程を有する。
好ましくは、第1の保護膜及び第2の保護膜は、原料ガスの堆積により形成される。
2層の保護膜は、第1のレジストパターンと接する第1の保護膜と、第2のレジストパターンと接する第2の保護膜とを有し、
第2の保護膜は、所定の膜厚に対して第2のレジストパターンを形成する際の現像液を通過させない程度の現像液耐性を有する。
第2の保護膜の現像液耐性は、第1の保護膜の現像液耐性より高い。
2層の保護膜は、第1のレジストパターンと接する第1の保護膜と、第2のレジストパターンと接する第2の保護膜とを有し、
第2の保護膜は、所定の膜厚に対して第2のレジストパターンを形成する際の現像液を通過させない程度に低い膜中水分濃度を有する。
第2の保護膜の膜中水分濃度は、第1の保護膜の膜中水分濃度より低い。
本発明の他の態様によれば、
露光を2回行うことで第1のレジストパターンと第2のレジストパターンとを基板上に形成する半導体デバイスの製造方法であって、
第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を形成する第1の保護膜形成工程と、
第1の保護膜の上に形成され、第2のレジストパターンと接する第2の保護膜を形成する第2の保護膜形成工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法が提供される。
好ましくは、第1の保護膜形成工程は、
処理室に収容された基板に第1の原料ガスを曝す第1の工程と、
処理室に収容された基板に第2の原料ガスを曝す第2の工程と、
処理室に触媒を供給する第3の工程と、
を有し、各工程を行うことにより第1の保護膜を形成し、
第2の保護膜形成工程は、
第1の保護膜の上に第3の原料ガスを曝して第3の原料ガスのうち少なくとも一部の成分を第1の保護膜の上に吸着させる第4の工程と、
第4の原料ガスであって、プラズマ励起により活性化された第4の原料ガスを基板に曝して第1の保護膜の上に吸着された第3の原料の成分と反応させる第5の工程と、
を有し、各工程を行うことにより第2の保護膜を形成する。
好ましくは、第1の工程及び第3の工程もしくは第2の工程及び第3の工程の少なくともどちらかを同時に行う。
好ましくは、第1の保護膜形成工程では、第1の原料ガス及び第2の原料ガスを互いに混じらないように供給し、第2の保護膜形成工程では、第3の原料ガス及び第4の原料ガスを互いに混じらないように供給する。
好ましくは、第1の保護膜形成工程では、第1の工程、第2の工程、第3の工程を複数回行うことで所望の膜厚の第1の保護膜を形成し、
第2の保護膜形成工程では、第4の工程及び第5の工程を複数回行うことで所望の膜厚の第2の保護膜を形成する。
好ましくは、第1の保護膜形成工程及び第2の保護膜形成工程は、インサイチューで連続して行う。
好ましくは、第1の原料ガス及び第3の原料ガスはSi含有原料ガスである。
好ましくは、第1の原料ガスは、トリスジメチルアミノシラン(TDMAS)、ジクロロシラン(DCS)、ヘキサクロロジシラン(HCD)やトリクロロシランのいずれかである。
好ましくは、第2の原料ガス及び第4の原料ガスは酸化原料である。
好ましくは、第2の原料ガスは、H2O、H2O2のいずれかである。
好ましくは、第4の原料ガスは、O2+H2、N2O、NOのいずれかである。
好ましくは、触媒は、ピリジン、ピリミジン、キノリン、アミノピリジン、ピコリン、ピペラジン、ルチジンのいずれかである。
好ましくは、第3の原料ガスは、トリスジメチルアミノシラン(TDMAS)、ビスターシャルブチルアミノシラン(BTBAS)、ビスジエチルアミノシラン(BDEAS)、ビスジエチルメチルアミノシラン(BDEMAS)のいずれかである。
好ましくは、第1の保護膜形成工程及び第2の保護膜形成工程は、基板を150℃以下に加熱して行う。
好ましくは、第1の保護膜形成工程及び第2の保護膜形成工程は、基板を略100℃に加熱して行う。
(付記23)
本発明の一態様によれば、基板上に形成された第1のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
保護膜の上であって第1のレジストパターンが形成されていない部位に第2のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも2層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する半導体デバイスの製造方法が提供される。
105 カセット棚
107 予備カセット棚
110 カセット
111 筐体
114 カセットステージ
115 ボートエレベータ
118 カセット搬送装置
118a カセットエレベータ
118b カセット搬送機構
123 移載棚
125 ウエハ移載機構
125a ウエハ移載装置
125b ウエハ移載装置エレベータ
125c ツイーザ
128 アーム
134a,134b クリーンユニット
147 炉口シャッタ
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
209 マニホールド
210 底板
211 天板
212 支柱
217 ボート
218 ボート支持台
219 シールキャップ
220 Oリング
231 排気管
243e バルブ
246 真空ポンプ
267 ボート回転機構
280 コントローラ
300、310、320、340 原料ガス供給管
330 触媒供給管
302,312,322,332、342 マスフローコントローラ
304,314,324,334、344 バルブ
410,420,430,440 ノズル
400a,410a,420a,440a,440b ガス供給孔
430a 触媒供給孔
500,510,520,530,540 キャリアガス供給管
512,522,532 マスフローコントローラ
504,514,524,534,544 バルブ
602a:第1のレジスト溶剤
602b:第2のレジスト溶剤
603a:第1のレジストパターン
603b:第1のレジストパターン
604:第1のSiO2膜
605:第2のSiO2膜
Claims (6)
- 基板上に形成された第1のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を、触媒を用いて形成する第1の保護膜形成工程と、
第2の保護膜を、前記第1の保護膜の上にプラズマを用いて形成する第2の保護膜形成工程と、
を有し、
前記第2の保護膜の上であって前記複数の第1のレジストパターンの間に第2のレジストパターンが形成される半導体デバイスの製造方法。 - 前記第2の保護膜は、所定の膜厚に対して前記第2のレジストパターンを形成する際の現像液を通過させない程度の現像液耐性を有する請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第1の保護膜と前記第2の保護膜は同じ組成を有する請求項1もしくは請求項2に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 露光を2回行うことで第1のレジストパターンと第2のレジストパターンとを基板上に形成する際の半導体デバイスの製造方法であって、
処理室に収容された基板に第1の原料ガスを曝す第1の工程と、
処理室に収容された基板に第2の原料ガスを曝す第2の工程と、
処理室に触媒を供給する第3の工程と、
を有し、前記基板上に前記第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を形成する第1の保護膜形成工程と、
第1の保護膜の上に第3の原料ガスを曝して前記第3の原料ガスのうち少なくとも一部の成分を前記第1の保護膜の上に吸着させる第4の工程と、
第4の原料ガスであって、プラズマ励起により活性化された第4の原料ガスを前記基板に曝して前記第1の保護膜の上に吸着された第3の原料の成分と反応させる第5の工程と、
を有し、前記第1の保護膜の上に、前記第2のレジストパターンと接する第2の保護膜を形成する第2の保護膜形成工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室に複数の原料ガスを供給する複数の原料ガス供給手段と、
前記処理室に触媒を供給する触媒供給手段と、
プラズマを生成して前記原料ガスを活性化させるプラズマ生成手段と、
前記処理室を排気する排気手段と、
前記原料ガス供給手段、前記触媒供給手段、前記プラズマ生成手段および前記排気手段を制御して、前記複数の原料ガスと前記触媒を用いて基板上に形成された第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を形成した後、前記プラズマにより少なくとも1種の前記原料ガスを活性化させて用いて前記第1の保護膜の上に第2の保護膜を形成するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室に第1の原料ガス、第2の原料ガス、第3の原料ガスおよび第4の原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
前記処理室に処理室に触媒を供給する触媒供給手段と、
プラズマを生成して前記原料ガスを活性化させるプラズマ生成手段と、
前記処理室を排気する排気手段と、
前記原料ガス供給手段、前記触媒供給手段、前記プラズマ生成手段および前記排気手段を制御して、前記処理室に収容された基板に第1の原料ガスを曝す処理と、処理室に収容された基板に第2の原料ガスを曝す処理と、処理室に触媒を供給する処理と、を有し、前記基板上に第1のレジストパターンと接する第1の保護膜を形成する第1の処理と、第1の保護膜の上に第3の原料ガスを曝して前記第3の原料ガスのうち少なくとも一部の成分を前記第1の保護膜の上に吸着させる処理と、プラズマ励起により活性化された第4の原料ガスを前記基板に曝して前記第1の保護膜の上に吸着された第3の原料の成分と反応させる処理と、を有し、前記第1の保護膜の上に、第2のレジストパターンと接する第2の保護膜を形成する第2の処理と、を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009055370A JP5329265B2 (ja) | 2009-03-09 | 2009-03-09 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US12/717,389 US8349544B2 (en) | 2009-03-09 | 2010-03-04 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009055370A JP5329265B2 (ja) | 2009-03-09 | 2009-03-09 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013108986A Division JP5519059B2 (ja) | 2013-05-23 | 2013-05-23 | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010212371A JP2010212371A (ja) | 2010-09-24 |
JP2010212371A5 JP2010212371A5 (ja) | 2012-04-12 |
JP5329265B2 true JP5329265B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=42678580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009055370A Active JP5329265B2 (ja) | 2009-03-09 | 2009-03-09 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8349544B2 (ja) |
JP (1) | JP5329265B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2462589B (en) * | 2008-08-04 | 2013-02-20 | Sony Comp Entertainment Europe | Apparatus and method of viewing electronic documents |
US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8716154B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
JP5658118B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置 |
CN104025256B (zh) * | 2011-12-29 | 2017-03-29 | 英特尔公司 | 双重图案化光刻技术 |
JP5761724B2 (ja) * | 2012-01-24 | 2015-08-12 | 文彦 廣瀬 | 薄膜形成方法および装置 |
US9005877B2 (en) | 2012-05-15 | 2015-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method of forming patterns using block copolymers and articles thereof |
US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US8975009B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-10 | Tokyo Electron Limited | Track processing to remove organic films in directed self-assembly chemo-epitaxy applications |
US20140273534A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Tokyo Electron Limited | Integration of absorption based heating bake methods into a photolithography track system |
US8980538B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-17 | Tokyo Electron Limited | Chemi-epitaxy in directed self-assembly applications using photo-decomposable agents |
US9147574B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-09-29 | Tokyo Electron Limited | Topography minimization of neutral layer overcoats in directed self-assembly applications |
US9136110B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-15 | Tokyo Electron Limited | Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control |
KR102399752B1 (ko) | 2013-09-04 | 2022-05-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리 |
US9560730B2 (en) * | 2013-09-09 | 2017-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
US9349604B2 (en) | 2013-10-20 | 2016-05-24 | Tokyo Electron Limited | Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications |
US9793137B2 (en) | 2013-10-20 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines |
US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
US9947597B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-04-17 | Tokyo Electron Limited | Defectivity metrology during DSA patterning |
KR102223708B1 (ko) * | 2016-06-08 | 2021-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유기 멘드렐 보호 공정 |
US10354873B2 (en) * | 2016-06-08 | 2019-07-16 | Tokyo Electron Limited | Organic mandrel protection process |
CN108511388B (zh) * | 2017-02-27 | 2023-07-21 | Imec 非营利协会 | 使目标层图案化的方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63236325A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子における微細パタ−ンの形成方法 |
EP1326271A4 (en) * | 2000-09-18 | 2005-08-24 | Tokyo Electron Ltd | METHOD FOR FILMING A GATE INSULATOR, DEVICE FOR FILMING A GATE INSULATOR AND A CLUSTER TOOL |
KR100480610B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법 |
TWI262960B (en) * | 2003-02-27 | 2006-10-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for forming silicon dioxide film using siloxane |
US7902074B2 (en) * | 2006-04-07 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Simplified pitch doubling process flow |
JP4772618B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-09-14 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
KR100876783B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2009-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
KR101101785B1 (ko) * | 2007-06-08 | 2012-01-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 패터닝 방법 |
US7858535B2 (en) * | 2008-05-02 | 2010-12-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of reducing defect formation on silicon dioxide formed by atomic layer deposition (ALD) processes and methods of fabricating semiconductor structures |
JP5384852B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP5695818B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2015-04-08 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工方法及び断面観察試料の製造方法 |
-
2009
- 2009-03-09 JP JP2009055370A patent/JP5329265B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-04 US US12/717,389 patent/US8349544B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8349544B2 (en) | 2013-01-08 |
US20100227276A1 (en) | 2010-09-09 |
JP2010212371A (ja) | 2010-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5329265B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP5384852B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP5156086B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP5743488B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI545625B (zh) | 半導體裝置的製造方法,基板處理裝置及記錄媒體 | |
TW202004855A (zh) | 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式 | |
JP2015092637A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2020016914A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP5519059B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
JP6186022B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2011176177A (ja) | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスおよび基板処理装置 | |
JP5385001B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置 | |
JP2017069330A (ja) | 半導体装置の製造方法、ガス供給方法及び基板処理装置並びに基板保持具 | |
JP7047117B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 | |
JP2011159906A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2024016232A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム | |
JP2011035191A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2022019778A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法。 | |
JP2005033058A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130703 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5329265 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |