JP7046515B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7046515B2 JP7046515B2 JP2017143433A JP2017143433A JP7046515B2 JP 7046515 B2 JP7046515 B2 JP 7046515B2 JP 2017143433 A JP2017143433 A JP 2017143433A JP 2017143433 A JP2017143433 A JP 2017143433A JP 7046515 B2 JP7046515 B2 JP 7046515B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- region
- pixel region
- pixel
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 109
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 80
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は表示装置に関し、より詳細には有機発光層の発光特性の低下を防止できる表示装置に関する。
有機発光表示装置は、二つの電極とその間に位置する有機発光層を含み、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が、有機発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成する。励起子が、励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に変わりながら、エネルギを放出して発光する。
このような有機発光表示装置は、自発光素子である有機発光ダイオードを含む複数の画素を含み、各画素には、有機発光ダイオードを駆動するための複数のトランジスタ、および一つ以上のキャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）が形成されている。複数のトランジスタは、基本的にスイッチングトランジスタおよび駆動トランジスタを含む。
このようなトランジスタと電極との間には、保護膜が位置する。保護膜は有機物質からなり、このような有機物質をベーキングする過程で、保護膜の内部に気体が発生する。発生した気体は、保護膜の上面へ移動し、保護膜の上に位置する電極によって遮蔽されて排出できないことがある。有機発光層は、透湿に弱い特性を有し、保護膜で発生した気体によって有機発光層の縁部が影響を受けて、発光特性が低下するという問題点がある。
実施形態はこのような問題点を解決するためになされたものであって、有機発光層の発光特性の低下を防止できる表示装置を提供するためのものである。
上記の課題を解決するため、本発明の一実施形態による表示装置は、第１画素領域を含む基板と、前記基板上に位置する第１電極と、前記基板と前記第１電極との間に位置する保護膜と、前記第１電極上に位置する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機発光層を含み、前記第１画素領域は、発光領域、および、前記発光領域によって囲まれている非発光領域を含む。
前記第１画素領域の縁から、前記第１画素領域の非発光領域までの距離が、５０μｍ以下であり得る。
前記第１電極および前記有機発光層は、前記第１画素領域の発光領域内に位置し得る。
前記基板は、第２画素領域および第３画素領域をさらに含み、前記第２画素領域および前記第３画素領域は、いずれも、発光領域、および、前記発光領域によって囲まれている非発光領域を含み、前記第２画素領域の縁から前記第２画素領域の非発光領域までの距離が５０μｍ以下であり、前記第３画素領域の縁から前記第３画素領域の非発光領域までの距離が５０μｍ以下であり、前記第１電極および前記有機発光層は、前記第２画素領域の発光領域内、および前記第３画素領域の発光領域内に位置し得る。
前記基板は、前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に隣接した透過領域をさらに含み得る。
前記第１電極および前記有機発光層は、前記透過領域内に位置しなくてもよい。
前記第２電極は、前記第１画素領域、前記第２画素領域、前記第３画素領域および前記透過領域内に位置し得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記基板上に位置するバッファー層と、前記バッファー層上に位置し、前記第１電極と連結されている薄膜トランジスタをさらに含み、前記透過領域内で前記第２電極は前記バッファー層と接触し得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記第１画素領域の非発光領域内に位置する埋立パターンをさらに含み得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記第１画素領域の縁を囲む画素定義膜（画素区画用バンク）をさらに含み、前記埋立パターンは、前記画素定義膜と同じ物質からなり、同じ層に位置し得る。
前記第１電極は、透明な導電物質からなる層と、反射性金属からなる層とを含む積層膜からなり得る。
前記第１画素領域の面積に対する前記第１画素領域の非発光領域の面積の比率は、５％以上、かつ、２０％以下であり得る。
前記第１画素領域の非発光領域は、平面上で、四角形、円形、および十字形のうちの少なくともいずれか一つからなり得る。
前記第１画素は複数の非発光領域を含み、互いに隣接した前記複数の非発光領域の間の距離は５０μｍ以下であり得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記第１電極と連結されている薄膜トランジスタをさらに含み、前記薄膜トランジスタは、前記第１画素領域内に位置し得る。
前記薄膜トランジスタは、前記第１画素領域の非発光領域と、少なくとも一部重複し得る。
前記保護膜は、第１高さを有する第１部分と、前記第１高さより高い第２高さを有する第２部分とを含み得る。
前記保護膜の第２部分は、前記第１画素領域の縁部に位置し得る。
前記第１電極は、前記保護膜の前記第１部分と前記第２部分との間で段差を有し得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記保護膜に形成されている溝をさらに含み、前記溝は、前記第１画素領域の非発光領域内に位置し得る。
前記溝の幅は、前記非発光領域の幅より小さくてもよい。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記第１画素領域の非発光領域内に位置する埋立パターンをさらに含み、前記埋立パターンは、前記溝内に位置し得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記第１画素領域の縁を囲む画素定義膜をさらに含み、前記埋立パターンは、前記画素定義膜と同じ物質からなり、同じ層に位置するのであり得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記保護膜に形成されている溝をさらに含み、前記溝は、前記第１画素領域の縁と隣接するように位置し得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記溝内に位置する埋立パターンをさらに含み得る。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記第１画素領域の縁を囲み、前記埋立パターンと一体に形成された画素定義膜をさらに含み、前記埋立パターンは、前記画素定義膜と同じ物質からなるのであり得る。
前記基板は、第２画素領域、第３画素領域、並びに、前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に隣接した透過領域をさらに含み、前記第２画素領域および前記第３画素領域は、いずれも、発光領域、および、前記発光領域によって囲まれている非発光領域を含み得る。
前記第１電極および前記有機発光層は、前記透過領域内に位置せず、前記第２電極は、前記第１画素領域、前記第２画素領域、前記第３画素領域および前記透過領域の中に位置し得る。
前記第２画素領域は、前記第１画素領域と前記第３画素領域との間に位置しており、前記第２画素領域と隣接した箇所にて、前記透過領域の第１縁に、これが部分的に押し込まれた形に形成されている第１凹部をさらに含み得る。
前記第２画素領域の幅は、前記第１画素領域の幅より広く、前記第３画素領域の幅より広くてもよい。
前記透過領域の第１縁と対向する第２縁に、同様に形成されている第２凹部をさらに含み得る。
前記第１画素領域は青色画素領域で、前記第２画素領域は緑色画素領域で、前記第３画素領域は赤色画素領域であり得る。
前記第１画素領域の一部および前記第２画素領域の幅は、前記第３画素領域の幅より広くてもよい。
前記第１凹部は、前記第１画素領域の一部および前記第２画素領域に隣接した、前記透過領域の第１縁に形成され得る。
前記透過領域の第１縁と対向する第２縁に、同様に形成されている第２凹部をさらに含み得る。
前記第１画素領域は青色画素領域で、前記第２画素領域は緑色画素領域で、前記第３画素領域は赤色画素領域であり得る。
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域と、前記透過領域とを含む表示単位がマトリクス状に配列されており、各表示単位中、前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域は、マトリクスの列方向に沿って配置されており、前記透過領域は、前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域と行方向に隣接するのであり得る。
前記透過領域の奥側縁（図の紙面の上側縁）から手前側縁（下側縁）までの長さは、前記第１画素領域の奥側縁（上側縁）から前記第３画素領域の手前側縁（下側縁）までの長さより短くてもよい。
実施形態によれば、有機発光層の発光特性を向上させることができる。
以下、添付する図面を参照して本発明の様々な実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は様々な相異する形態に具現され得、ここで説明する実施形態に限定されない。
本発明を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素に対しては同じ参照符号を付す。
また、図面に示す各構成の大きさおよび厚さは、説明の便宜上任意に示したものであり、本発明は必ずしも示されたものに限定されない。図面から複数層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜上、一部層および領域の厚さを誇張して示した。
また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分の「上」にあるという時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の「上」にあるということは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力と反対方向の「上」に位置することを意味するものではない。
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは、特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
また、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象の部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時は、対象の部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
まず、図１乃至図５を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図１は一実施形態による表示装置の配置図であり、図２は一実施形態による表示装置の第１画素領域の配置図であり、図３は一実施形態による表示装置の第１画素領域の断面図である。図４は一実施形態による表示装置の第２画素領域の配置図であり、図５は一実施形態による表示装置の第３画素領域の配置図である。
図１に示すように、一実施形態による表示装置は、映像を表示する画素領域ＰＡと、光が透過する透過領域ＴＡとを含む。
画素領域ＰＡは、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３を含み得る。第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３は互いに異なる色を表示し得る。例えば、第１画素領域ＰＸ１は青色を表示し得、第２画素領域ＰＸ２は緑色を表示し得、第３画素領域ＰＸ３は赤色を表示し得る。ただし、本発明はこれに限定されず、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３は、それぞれ多様な他の色を表示し得る。また、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３以外に他の色を表示する画素領域をさらに含むこともできる。
第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３は互いに異なる大きさを有し得る。図１において、第１画素領域ＰＸ１が最も大きく、第３画素領域ＰＸ３が最も小さい場合を示しているが、本発明はこれに限定されない。第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３の大きさは、多様に変更され得る。また、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３の大きさは実質的に同じであり得る。
一実施形態による表示装置は、車両用表示装置に用いられることができる。一例において、フロントガラス（windshield）などに備え付けられた透明表示装置（透過型ディスプレイ）として、道路情報などを表示するのに用いられることができる。このような車両用表示装置の場合、各画素領域の大きさが、ＴＶ、モニター、携帯電話用表示装置に比べて大きいのが一般的である。一例において、図１に示す表示単位は、略正方形の各辺の寸法が、３００～１０００μｍであり、各画素領域における長方形の短辺の寸法が、５０μｍより大きく、例えば、６０～５００μｍ、または６０～３００μｍである。
第１画素領域ＰＸ１は、第１発光領域ＥＡ１および第１非発光領域ＮＡ１を含む。第１画素領域ＰＸ１および第１非発光領域ＮＡ１は、略四角形からなる。第１非発光領域ＮＡ１は、第１発光領域ＥＡ１によって、左側（透過領域の側）、右側及び奥側（図の紙面の上方）の三方から囲まれている。第１発光領域ＥＡ１は、第１非発光領域ＮＡ１の四つの縁（四角形の辺）のうち三つの縁を、第１発光領域ＥＡ１と、第１非発光領域ＮＡ１との境界とするようにして、第１非発光領域ＮＡ１を取り囲んでいる。例えば、平面上で第１発光領域ＥＡ１が、第１非発光領域ＮＡ１の左側縁、上側縁および右側縁を境界として三方から囲む形態を有し得る。
第２画素領域ＰＸ２は、第２発光領域ＥＡ２および第２非発光領域ＮＡ２を含む。第２画素領域ＰＸ２および第２非発光領域ＮＡ２は、いずれも略四角形からなる。第２非発光領域ＮＡ２は第２発光領域ＥＡ２によって四方から囲まれている。第２発光領域ＥＡ２が第２非発光領域ＮＡ２を、その四つの縁を境界として四方から完全に取り囲んでいる。
第３画素領域ＰＸ３は第３発光領域ＥＡ３および第３非発光領域ＮＡ３を含む。第３画素領域ＰＸ３および第３非発光領域ＮＡ３は略四角形からなる。第３非発光領域ＮＡ３は第３発光領域ＥＡ３によって囲まれている。第３発光領域ＥＡ３が、第３非発光領域ＮＡ３を、その四つの縁のうち三つの縁を境界として三方から囲んでいる。例えば、平面上で第３発光領域ＥＡ３が第３非発光領域ＮＡ３の上側縁、左側縁および下側縁を境界として三方から囲む形態を有し得る。
ただし、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３の形状、第１発光領域ＥＡ１、第２発光領域ＥＡ２および第３発光領域ＥＡ３の形状、並びに、第１非発光領域ＮＡ１、第２非発光領域ＮＡ２および第３非発光領域ＮＡ３の形状は、多様に変更し得る。図１において、各領域の平面形状が多角形からなるが、これに限定されず、円形、楕円形等のように曲線を含む形状からなるのでありうる。また、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３内にて、それぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３）と非発光領域（ＮＡ１、ＮＡ２、ＮＡ３）の配置は、多様に変更し得る。
透過領域ＴＡは外部の光がそのまま透過する領域である。このような透過領域ＴＡによって一実施形態による表示装置は透明表示装置（透過型ディスプレイ）であり得る。すなわち、複数の表示単位がマトリクス状に配列された表示装置において、図１に示すような各表示単位中に、画素領域ＰＸとともに、透過領域ＴＡが備えられる。そのため、各表示単位中の画素領域により画像や情報を表示しつつ、各表示単位中の透過領域ＴＡにより、表示装置の背面側が透けて見えるようにすることができる。なお、各表示単位は、図１のように正方形または長方形でありうるが、これに限定されず、台形、三角形などであってもよい。図１においては、一つの透過領域ＴＡが、ほぼ正方形の表示単位における左側に位置し、この右側に縦に並んだ、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３と、隣接している。ただし、本発明はこれに限定されず、三つの分離された透過領域が、それぞれ、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３と、例えば交互に配置されて、隣接するように位置することもできる。また、３個以上の画素領域と隣接するように一つの透過領域が位置することもできる。
画素領域ＰＡと透過領域ＴＡのトータルの面積に対する透過領域ＴＡの面積の比率は、約２０％以上であり得、約７０％以下であり得る。第１画素領域ＰＸ１の面積に対する第１非発光領域ＮＡ１の面積の比率は、約５％以上であり得、約２０％以下であり得る。第２画素領域ＰＸ２の面積に対する第２非発光領域ＮＡ２の面積の比率は、約５％以上であり得、約２０％以下であり得る。第３画素領域ＰＸ３の面積に対する第３非発光領域ＮＡ３の面積の比率は、約５％以上であり得、約２０％以下であり得る。
図２に示すように、第１画素領域ＰＸ１において、第１発光領域ＥＡ１は第１非発光領域ＮＡ１を囲んでいる。ここで、第１画素領域ＰＸ１の左側縁の下部に位置する地点ａ１から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、距離は最短距離を意味し、以下においても同様である。第１画素領域ＰＸ１の左側縁の中間部に位置する地点ａ２から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第１画素領域ＰＸ１の左側縁と上側縁が接する頂点ａ３から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第１画素領域ＰＸ１の上側縁の中間部に位置する地点ａ４から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第１画素領域ＰＸ１の上側縁と右側縁が接する頂点ａ５から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第１画素領域ＰＸ１の右側縁の中間部に位置する地点ａ６から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第１画素領域ＰＸ１の右側縁の下部に位置する地点ａ７から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。つまり、第１画素領域ＰＸ１のすべての縁のあらゆる地点から第１非発光領域ＮＡ１までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
図３に示すように、一実施形態による表示装置は、基板１１０、基板１１０の上に位置する第１電極１９１、基板１１０と第１電極１９１との間に位置する保護膜１８０、第１電極１９１の上に位置する第２電極２７０、第１電極１９１と第２電極２７０との間に位置する有機発光層３７０を含む。
基板１１０は、ガラス、石英、セラミック、プラスチック等からなる絶縁性基板や、ステンレス鋼等からなる金属性基板であり得る。基板１１０は、柔軟性を有したり（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）、伸ばせたり（ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ）、折り畳めたり（ｆｏｌｄａｂｌｅ）、曲げられたり（ｂｅｎｄａｂｌｅ）、巻くことができたり（ｒｏｌｌａｂｌｅ）するのであり得る。基板１１０が柔軟性を有したり（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）、伸ばせたり（ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ）、折り畳めたり（ｆｏｌｄａｂｌｅ）、曲げられたり（ｂｅｎｄａｂｌｅ）、巻くことができたり（ｒｏｌｌａｂｌｅ）するのであり得ることによって、表示装置も柔軟性を有したり（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）、伸ばせたり（ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ）、折り畳めたり（ｆｏｌｄａｂｌｅ）、曲げられたり（ｂｅｎｄａｂｌｅ）、巻くことができたり（ｒｏｌｌａｂｌｅ）するのであり得る。
基板１１０は、第１画素領域ＰＸ１と透過領域ＴＡとを含む。第１画素領域ＰＸ１は第１発光領域ＥＡ１と第１非発光領域ＮＡ１とを含む。
基板１１０の上にはバッファー層１２０がさらに位置し得る。バッファー層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の単一膜、または、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）が積層された積層膜構造からなる。バッファー層１２０は、不純物または水分といった、有機発光層３７０などに悪影響を及ぼしうる不要な成分の浸透を防止すると共に、基板１１０の表面を平坦化する役割を果たす。バッファー層１２０は、場合によって省略し得る。バッファー層１２０は、第１画素領域ＰＸ１および透過領域ＴＡを全て含む領域にわたって位置する。バッファー層１２０は、基板１１０の上面を全て覆うように位置し得る。
バッファー層１２０の上に半導体１３５が位置する。半導体１３５は、多結晶半導体物質または酸化物半導体物質からなる。また、半導体１３５は、不純物がドーピングされていないチャンネル領域１３１、チャンネル領域１３１と、その両側に位置して不純物がドーピングされている接触ドーピング領域１３２、１３３とを含む。接触ドーピング領域１３２、１３３は、ソース領域１３２とドレイン領域１３３とを含む。ここで、不純物の種類は薄膜トランジスタの種類によって変わる。
半導体１３５の上にはゲート絶縁膜１４０が位置する。ゲート絶縁膜１４０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等を含む無機絶縁物質からなる。
ゲート絶縁膜１４０の上にはゲート電極１２５が位置する。ここで、ゲート電極１２５は半導体１３５の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３１と重複する。
ゲート電極１２５およびゲート絶縁膜１４０の上には、層間絶縁膜１６０が位置する。層間絶縁膜１６０は、無機絶縁物質または有機絶縁物質からなる。
ゲート絶縁膜１４０および層間絶縁膜１６０には半導体１３５の少なくとも一部と重複するコンタクトホール１６２、１６４が形成されている。コンタクトホール１６２、１６４は、特に半導体１３５の接触ドーピング領域１３２、１３３を露出している。
層間絶縁膜１６０の上にはソース電極１７３およびドレイン電極１７５が位置する。また、ソース電極１７３およびドレイン電極１７５は、それぞれコンタクトホール１６２、１６４を介して、半導体１３５のソース領域１３２およびドレイン領域１３３と連結されている。
このように、半導体１３５、ゲート電極１２５、ソース電極１７３およびドレイン電極１７５が一つの薄膜トランジスタを構成する。薄膜トランジスタの構成は、前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知された構成で多様に変更することができる。有機発光表示装置は、スイッチングトランジスタおよび駆動トランジスタを含み得、前述した薄膜トランジスタは駆動トランジスタであり得る。図面に図示していないが、スイッチング薄膜トランジスタがさらに形成され得る。
薄膜トランジスタおよび層間絶縁膜１６０の上には保護膜１８０が位置する。保護膜１８０はその上に形成される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の発光効率を上げるために段差をなくし、平坦化させる役割を果たす。また、保護膜１８０にはドレイン電極１７５の少なくとも一部と重複するコンタクトホール１８２が形成されている。
保護膜１８０は、アクリル系樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ系樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ ｏｒ ｏｘｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、およびベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏ ｃｙｃｌｏ ｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）等からなる。
保護膜１８０の上には第１電極１９１が位置する。第１電極１９１は、第１画素領域ＰＸ１の第１発光領域ＥＡ１内に位置する。第１電極１９１は、第１画素領域ＰＸ１の第１非発光領域ＮＡ１内にはほとんど位置しない。
第１電極１９１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電物質や、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）等の反射性金属から作られる。第１電極１９１は、保護膜１８０に形成されているコンタクトホール１８２を介して、薄膜トランジスタのドレイン電極１７５と電気的に連結されて、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアノード電極になる。
図面に図示していないが、第１電極１９１は、透明な導電物質を含む第１透明電極と第２透明電極を含むとともに、第１透明電極と第２透明電極との間に位置し、第２電極２７０と共に微細共振構造（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）を形成するための半透過層を含むのであり得る。つまり、第１電極１９１は、透明な導電物質からなる層と反射性金属からなる層を含む積層構造からなる。
保護膜１８０における電極により覆われていない領域の上と、第１電極１９１の縁部の上には、画素定義膜（画素区画用バンク）３５０が位置する。画素定義膜３５０は、第１画素領域ＰＸ１の外縁を決めるように、第１画素領域ＰＸ１を取り囲んでいる。画素定義膜３５０は、ポリアクリル系（ｐｏｌｙａｃｒｙｌｉｃｓ）またはポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂、及び／またはシリカ系の無機物等を含み得る。
保護膜１８０における電極により覆われていない領域の上と、第１電極１９１の縁部の上には、埋立パターン３５２がさらに位置する。埋立パターン３５２は、第１画素領域ＰＸ１の第１非発光領域ＮＡ１内に位置する。埋立パターン３５２は、画素定義膜３５０と同じ物質からなり、同じ層に位置し得る。埋立パターン３５２が、第１電極１９１の内縁の側端面を覆うようになるので、第１電極１９１の側端面やその近傍が外部に露出して腐食され、暗点不良として視認されるということを防止し得る。第１非発光領域ＮＡ１の縁部に、第１電極１９１および有機発光層３７０が位置したとしても、埋立パターン３５２によって光が遮断され得る。埋立パターン３５２と、第１電極１９１の内縁部とが重複する幅は、実質上ゼロであり得、また、約１μｍ以上であり得るとともに、約５μｍ以下であり得る。例えば、埋立パターン３５２と第１電極１９１とが、約２～４μｍ、例えば約３μｍ重複し得る。
第１電極１９１の上には有機発光層３７０が位置する。有機発光層３７０は、発光層、正孔注入層（ｈｏｌｅ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ－ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうち少なくとも一つを含み得る。
有機発光層３７０は、第１画素領域ＰＸ１の第１発光領域ＥＡ１内に位置する。有機発光層３７０は、第１画素領域ＰＸ１の第１非発光領域ＮＡ１内にも位置し得る。
有機発光層３７０は、赤色を発光する赤色有機発光層、緑色を発光する緑色有機発光層および青色を発光する青色有機発光層のうちいずれか一つから形成されうる。例えば、第１画素領域ＰＸ１の第１発光領域ＥＡ１内には青色有機発光層が位置し得、第２画素領域ＰＸ２の第２発光領域ＥＡ２内には緑色有機発光層が位置し得、第３画素領域ＰＸ３の第３発光領域ＥＡ３内には赤色有機発光層が位置し得る。赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層は、それぞれ互いに異なる画素に位置し、これらの組み合わせによってカラー画像が実現され得る。
また、有機発光層３７０は、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層が、すべて、各画素に位置して積層された形態からなるのでありうる。このとき、画素種ごとに、それぞれ赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを形成することでカラー画像を実現し得る。他の例として、白色を発光する白色有機発光層を各画素に形成し、各画素別にそれぞれ赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを形成してカラー画像を実現することもできる。白色有機発光層と色フィルタを利用してカラー画像を実現する場合、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層を、それぞれの個別の画素に、つまり、赤色画素、緑色画素および青色画素に蒸着する必要がなく、そのための蒸着マスクをそれぞれ使用しなくても良い。
他の例で説明した白色有機発光層は、一つの有機発光層で形成され得ることは勿論であり、複数の有機発光層を積層して白色を発光できるようにした構成まで含む。例えば、(i)少なくとも一つの黄色有機発光層と、少なくとも一つの青色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成、(ii)少なくとも一つのシアン有機発光層と少なくとも一つの赤色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成、及び、(iii)少なくとも一つのマゼンタ有機発光層と少なくとも一つの緑色有機発光層を組み合わせて白色発光を可能にした構成等も含み得る。
有機発光層３７０、画素定義膜３５０および埋立パターン３５２の上には、第２電極２７０が位置する。第２電極２７０は、第１画素領域ＰＸ１および透過領域ＴＡの上に位置し、第１画素領域ＰＸ１と透過領域ＴＡとの間の領域にも位置し得る。
第２電極２７０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電物質や、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）等の反射性金属から作られる。第２電極２７０は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のカソード電極になる。第１電極１９１、有機発光層３７０および第２電極２７０は、組み合わさって一つの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）をなす。
前述した薄膜トランジスタ、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、保護膜１８０、第１電極１９１、及び、有機発光層３７０は、第１画素領域ＰＸ１内に位置しており、透過領域ＴＡには位置しない。基板１１０の透過領域ＴＡの上にはバッファー層１２０が位置し、バッファー層１２０のすぐ上には第２電極２７０が位置する。したがって、第２電極２７０は、透過領域ＴＡ内でバッファー層１２０と接触する。このように、基板１１０の透過領域ＴＡには、バッファー層１２０及び第２電極２７０のみを形成し、これら以外に他の層を形成しないことによって、透過領域ＴＡの透過率を向上させることができる。だし、本発明はこれに限定されず、透過領域ＴＡに、バッファー層１２０及び第２電極２７０だけでなく、一部の他の層がさらに位置することもできる。
基板１１０と第１電極１９１との間には保護膜１８０が位置しており、第１電極１９１の上には有機発光層３７０が位置している。保護膜１８０は有機物質からなっており、保護膜１８０を形成する工程でベーキングが行われる。ベーキングの進行の過程で有機物質が硬化するとともに気体が発生し得る。例えば、ポリイミド樹脂などを含む保護膜１８０を、１５０℃以上の温度でベーキングして形成する場合、部分的な熱分解により、少量の水蒸気、酸素、アルデヒドなどが生成しうる。このような気体が全て排出される前に保護膜１８０の上に第１電極１９１を形成することがあり得、この場合、第１電極１９１によって保護膜１８０が被覆されて封鎖されることから、気体が、直ちには排出されない。保護膜１８０中に残った気体は、第１電極１９１の縁を超えて移動することで、はじめて排出され得、このような気体によって第１電極１９１の上に位置する有機発光層３７０が影響を受け得る。有機発光層３７０は、湿気などに弱い特性を有するので、発光特性が低下し得、発光領域の寸法及び面積が縮少する現象が発生し得る。
本実施形態においては、第１画素領域ＰＸ１が第１発光領域ＥＡ１と第１非発光領域ＮＡ１を含み、第１非発光領域ＮＡ１には第１電極１９１が位置しないというのでありうる。本実施形態はこれに限定されず、有機発光層３７０が第１発光領域ＥＡ１および第１非発光領域ＮＡ１の全体にわたって位置することもできる。前述した通り、第１非発光領域ＮＡ１に第１電極１９１及び有機発光層３７０が位置するとしても、第１電極１９１はパターニングされて縁部のみが位置しており、埋立パターン３５２によって光が遮断されているので、第１非発光領域ＮＡ１からの発光は見られない。
このような形態において、第１画素領域ＰＸ１のすべての縁のあらゆる地点から第１非発光領域（ＮＡ）までの距離を約５０μｍ以下にすることにより、第１発光領域ＥＡ１に位置する第１電極１９１が保護膜１８０の上面を連続して被覆・封鎖して気体放出を阻害することを、防止し得る。本実施形態においては、第１画素領域ＰＸ１内に、第１電極１９１がほとんど位置しない第１非発光領域ＮＡ１を設けることによって、保護膜１８０中に残っている気体が、第１非発光領域ＮＡ１を介して十分に排出できるようにする。したがって、有機発光層３７０の発光特性が低下することを防止し得る。
図４に示すように、第２画素領域ＰＸ２において、第２発光領域ＥＡ２は第２非発光領域ＮＡ２を囲んでいる。ここで、第２画素領域ＰＸ２の左側縁と上側縁が接する頂点ｂ１から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、距離は最短距離を意味し、以下でも同様である。第２画素領域ＰＸ２の上側縁の中間部に位置する地点ｂ２から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第２画素領域ＰＸ２の上側縁と右側縁が接する頂点ｂ３から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第２画素領域ＰＸ２の右側縁の中間部に位置する地点ｂ４から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第２画素領域ＰＸ２の右側縁と下側縁が接する頂点ｂ５から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第２画素領域ＰＸ２の下側縁の中間部に位置する地点ｂ６から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第２画素領域ＰＸ２の下側縁と左側縁が接する頂点ｂ７から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第２画素領域ＰＸ２の左側縁の中間部に位置する地点ｂ８から第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。つまり、第２画素領域ＰＸ２のすべての縁のあらゆる地点から、第２非発光領域ＮＡ２までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
図面に図示していないが、第２画素領域ＰＸ２は、第１画素領域ＰＸ１と同様に、第１電極および有機発光層が第２発光領域ＥＡ２に位置する。第１電極は、第２非発光領域ＮＡ２にはほとんど位置せず、第２非発光領域ＮＡ２の縁部に位置し得る。有機発光層は、第２非発光領域ＮＡ２内にまで位置することもできる。ここで、第２画素領域ＰＸ２のすべての縁から第２非発光領域ＮＡ２までの距離を約５０μｍ以下にすることにより、第２発光領域ＥＡ２に位置する第１電極が、保護膜を広い面積にわたって連続して被覆・封鎖して気体放出を阻害することを、防止し得る。本実施形態においては、第２画素領域ＰＸ２内に、第１電極がほとんど位置しない第２非発光領域ＮＡ２を設けることによって、保護膜中に残っている気体が、第２非発光領域ＮＡ２を介して十分に排出できるようにする。したがって、有機発光層の発光特性が低下することを防止し得る。
図５に示すように、第３画素領域ＰＸ３において、第３発光領域ＥＡ３は第３非発光領域ＮＡ３を囲んでいる。ここで、第３画素領域ＰＸ３の上側縁に位置する地点ｃ１から第３非発光領域ＮＡ３までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、距離は最短距離を意味し、以下でも同様である。第３画素領域ＰＸ３の上側縁と左側縁が接する頂点ｃ２から第３非発光領域ＮＡ３までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第３画素領域ＰＸ３の左側縁の中間部に位置する地点ｃ３から第３非発光領域ＮＡ３までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第３画素領域ＰＸ３の左側縁と下側縁が接する頂点ｃ４から第３非発光領域ＮＡ３までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。第３画素領域ＰＸ３の下側縁に位置する地点ｃ５から第３非発光領域ＮＡ３までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。つまり、第３画素領域ＰＸ３のすべての縁のあらゆる地点から、第３非発光領域ＮＡ３までの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
図面に図示していないが、第３画素領域ＰＸ３は第１画素領域ＰＸ１と同様に、第１電極および有機発光層が第３発光領域ＥＡ３に位置する。第１電極は、第３非発光領域ＮＡ３にはほとんど位置せず、第３非発光領域ＮＡ３の縁に位置し得る。有機発光層は第３非発光領域ＮＡ３に位置することもできる。ここで、第３画素領域ＰＸ３のすべての縁のあらゆる地点から、第３非発光領域ＮＡ３までの距離を約５０μｍ以下にすることにより、第３発光領域ＥＡ３に位置する第１電極が保護膜を広い面積にわたって連続して被覆・封鎖して気体放出を阻害することを、防止し得る。本実施形態においては、第３画素領域ＰＸ３内に第１電極がほとんど位置しない第３非発光領域ＮＡ３を設けることによって、保護膜に残っている気体が第３非発光領域ＮＡ３を介して十分に排出できるようにする。したがって、有機発光層の発光特性が低下することを防止し得る。
次に、図６乃至図９を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図６乃至図９に示す一実施形態による表示装置は、図１乃至図５に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、第１乃至第３画素領域内で発光領域および非発光領域の形状が前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図６は一実施形態による表示装置の配置図であり、図７は一実施形態による表示装置の第１画素領域の配置図であり、図８は一実施形態による表示装置の第２画素領域の配置図であり、図９は一実施形態による表示装置の第３画素領域の配置図である。
図６に示すように、一実施形態による表示装置は、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとを含む。画素領域ＰＡａは、第１画素領域ＰＸ１ａ、第２画素領域ＰＸ２ａおよび第３画素領域ＰＸ３ａを含み得る。第１画素領域ＰＸ１ａ、第２画素領域ＰＸ２ａおよび第３画素領域ＰＸ３ａは、互いに異なる色を表示し得、互いに異なる大きさを有し得る。
図７に示すように、第１画素領域ＰＸ１ａは、第１発光領域ＥＡ１ａと、第１非発光領域ＮＡ１ａとを含み、第１非発光領域ＮＡ１ａは、第１発光領域ＥＡ１ａによって左側（透過領域の側）、奥側（図の紙面の上方）及び手前側（図の紙面の下方）の三方から囲まれている。第１画素領域ＰＸ１の縁に位置する複数の地点（ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５）のいずれからも、第１非発光領域ＮＡ１ａまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、距離は最短距離を意味し、以下でも同様である。第１画素領域ＰＸ１ａのすべての縁のあらゆる地点から、第１非発光領域ＮＡ１ａまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
図８に示すように、第２画素領域ＰＸ２ａは、第２発光領域ＥＡ２ａおよび第２非発光領域ＮＡ２ａを含み、第２非発光領域ＮＡ２ａは第２発光領域ＥＡ２ａによって四方から囲まれている。第２画素領域ＰＸ２ａの縁に位置する複数の地点（ｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４、ｅ５、ｅ６、ｅ７、ｅ８）のいずれからも、第２非発光領域ＮＡ２ａまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、第２画素領域ＰＸ２ａのすべての縁のあらゆる地点から、第２非発光領域ＮＡ２ａまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
図９に示すように、第３画素領域ＰＸ３ａは第３発光領域ＥＡ３ａおよび第３非発光領域ＮＡ３ａを含み、第３非発光領域ＮＡ３ａは第３発光領域ＥＡ３ａによって、左側（透過領域の側）、右側及び奥側（図の紙面の上方）の三方から囲まれている。第３画素領域ＰＸ３ａの縁に位置する複数の地点（ｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４、ｆ５）のいずれからも、第３非発光領域ＮＡ３ａまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、第３画素領域ＰＸ３ａのすべての縁のあらゆる地点から、第３非発光領域ＮＡ３ａまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
次に、図１０乃至図１３を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図１０乃至図１３に示す一実施形態による表示装置は、図１乃至図５に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、一つの画素領域内に複数の非発光領域が位置するという点で、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図１０は一実施形態による表示装置の配置図であり、図１１は一実施形態による表示装置の第１画素領域の配置図であり、図１２は一実施形態による表示装置の第２画素領域の配置図であり、図１３は一実施形態による表示装置の第３画素領域の配置図である。
図１０に示すように、一実施形態による表示装置は、画素領域ＰＡｂと透過領域ＴＡとを含む。画素領域ＰＡｂは、第１画素領域ＰＸ１ｂ、第２画素領域ＰＸ２ｂおよび第３画素領域ＰＸ３ｂを含み得る。第１画素領域ＰＸ１ｂ、第２画素領域ＰＸ２ｂおよび第３画素領域ＰＸ３ｂは、互いに異なる色を表示し得、互いに異なる大きさを有し得る。
図１１に示すように、第１画素領域ＰＸ１ｂは、第１発光領域ＥＡ１ｂおよび複数の第１非発光領域ＮＡ１ｂを含み、複数の第１非発光領域ＮＡ１ｂは、いずれも、第１発光領域ＥＡ１ｂによって四方から囲まれている。複数の第１非発光領域ＮＡ１ｂは、いずれも円形からなるものである場合を示しているが、本発明はこれに限定されず、第１非発光領域ＮＡ１ｂは多様な形状に変更され得る。
第１画素領域ＰＸ１ｂの縁に位置する複数の地点（ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４、ｇ５、ｇ６、ｇ７、ｇ８、ｇ９、ｇ１０、ｇ１１、ｇ１２）のいずれからも、第１非発光領域ＮＡ１ｂまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、距離は、各地点（ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４、ｇ５、ｇ６、ｇ７、ｇ８、ｇ９、ｇ１０、ｇ１１、ｇ１２）から、それぞれ最も近い第１非発光領域ＮＡ１ｂまでの最短距離を意味し、以下でも同様である。第１画素領域ＰＸ１ｂのすべての縁のあらゆる地点から、第１非発光領域ＮＡ１ｂまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
また、互いに隣り合う複数の第１非発光領域ＮＡ１ｂの間の距離は、いずれも、約５０μｍ以下であり得る。例えば、複数の第１非発光領域ＮＡ１ｂはマトリックス形態に配置され得、最初の行、最初の列に位置した第１非発光領域ＮＡ１ｂと、最初の行、第２列に位置した第１非発光領域ＮＡ１ｂとの間の距離は、約５０μｍ以下であり得る。また、最初の行、最初の列に位置する第１非発光領域ＮＡ１ｂと、第２行、最初の列に位置する第１非発光領域ＮＡ１ｂとの間の距離は、約５０μｍ以下であり得る。また、最初の行、最初の列に位置する第１非発光領域ＮＡ１ｂと、第２行、第２列に位置する第１非発光領域ＮＡ１ｂとの間の距離は、約５０μｍ以下であり得る。画素領域中における、非発光領域同士の距離をこのように設定することについては、第２画素領域ＰＸ２ｂ中および第３画素領域ＰＸ３ｂ中などでも同様である。
図１２に示すように、第２画素領域ＰＸ２ｂは、第２発光領域ＥＡ２ｂおよび複数の第２非発光領域ＮＡ２ｂを含み、複数の第２非発光領域ＮＡ２ｂは、いずれも、第２発光領域ＥＡ２ｂによって四方から囲まれている。複数の第２画素領域ＰＸ２ｂの縁に位置する複数の地点（ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４、ｈ５、ｈ６、ｈ７、ｈ８、ｈ９、ｈ１０）のいずれからも、第２非発光領域ＮＡ２ｂまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。ここで、第２画素領域ＰＸ２ｂのすべての縁のあらゆる地点から、第２非発光領域ＮＡ２ｂまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。また、互いに隣り合う複数の第２非発光領域ＮＡ２ｂの間の距離は、約５０μｍ以下であり得る。
図１３に示すように、第３画素領域ＰＸ３ｂは、第３発光領域ＥＡ３ｂおよび複数の第３非発光領域ＮＡ３ｂを含み、複数の第３非発光領域ＮＡ３ｂは、第３発光領域ＥＡ３ｂによって囲まれている。複数の第３画素領域ＰＸ３ｂの縁に位置する複数の地点（ｉ１、ｉ２、ｉ３、ｉ４、ｉ５）から第３非発光領域ＮＡ３ｂまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。この時、第３画素領域ＰＸ３ｂのすべての縁のあらゆる地点から第３非発光領域ＮＡ３ｂまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。また、互いに隣接した複数の第３非発光領域ＮＡ３ｂの間の距離は、約５０μｍ以下であり得る。
次に、図１４を参照して一実施形態による表示装置について説明する。図１４に示す一実施形態による表示装置は、図１乃至図５に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、第１乃至第３画素領域内で発光領域および非発光領域の形状が、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図１４は一実施形態による表示装置の配置図である。
図１４に示すように、一実施形態による表示装置は画素領域ＰＡｃと透過領域ＴＡとを含む。画素領域ＰＡｃは、第１画素領域ＰＸ１ｃ、第２画素領域ＰＸ２ｃおよび第３画素領域ＰＸ３ｃを含み得る。第１画素領域ＰＸ１ｃ、第２画素領域ＰＸ２ｃおよび第３画素領域ＰＸ３ｃは互いに異なる色を表示し得、互いに異なる大きさを有し得る。
第１画素領域ＰＸ１ｃは、第１発光領域ＥＡ１ｃおよび第１非発光領域ＮＡ１ｃを含み、第１非発光領域ＮＡ１ｃは、第１発光領域ＥＡ１ｃによって全周を囲まれている。第１非発光領域ＮＡ１ｃは平面上で十字形からなっている。第１画素領域ＰＸ１ｃのすべての縁のあらゆる地点から、第１非発光領域ＮＡ１ｃまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
第２画素領域ＰＸ２ｃは、第２発光領域ＥＡ２ｃおよび第２非発光領域ＮＡ２ｃを含み、第２非発光領域ＮＡ２ｃは、第２発光領域ＥＡ２ｃによって三方から囲まれている。第２非発光領域ＮＡ２ｃは、平面上で細長い四角形からなる場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、第２非発光領域ＮＡ２ｃは平面上で十字形からなる。第２画素領域ＰＸ２ｃのすべての縁のあらゆる地点から、第２非発光領域ＮＡ２ｃまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
第３画素領域ＰＸ３ｃは第３発光領域ＥＡ３ｃおよび第３非発光領域ＮＡ３ｃを含み、第３非発光領域ＮＡ３ｃは第３発光領域ＥＡ３ｃによって三方から囲まれている。第３非発光領域ＮＡ３ｃは平面上で細長い四角形からなる場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、第３非発光領域ＮＡ３ｃは平面上で十字形からなる。第３画素領域ＰＸ３ｃのすべての縁のあらゆる地点から、第３非発光領域ＮＡ３ｃまでの距離は、約５０μｍ以下であり得る。
次に、図１５を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図１５に示す一実施形態による表示装置は、図１４に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、第１画素領域内で発光領域および非発光領域の形状が、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図１５は一実施形態による表示装置の配置図である。
図１５に示すように、第１画素領域ＰＸ１ｄは、第１発光領域ＥＡ１ｄおよび第１非発光領域ＮＡ１ｄを含み、第１非発光領域ＮＡ１ｄは、平面上で十字形からなっている。
前述した実施形態において、第１発光領域ＥＡ１ｄは、平面上で下側縁部（手前側の縁部）の中央部に連結されていたが、本実施形態において、第１発光領域ＥＡ１ｄは、平面上で下側縁部の中央部で断絶されている。つまり、第１画素領域ＰＸ１ｄの下側縁部の中央部で、第１発光領域ＥＡ１ｄは、第１非発光領域ＮＡ１ｄによって分離されている。第１画素領域ＰＸ１ｄの左側縁部、上側縁部（奥側縁部）、右側縁部では、第１発光領域ＥＡ１ｄが連結されている。
そのため、第１画素領域ＰＸ１ｄにおいて、第１電極は、第１画素領域ＰＸ１ｄの左側縁部、上側縁部、右側縁部では連結されており、下側縁部の中央部で分離される形態からなる。
次に、図１６を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図１６に示す一実施形態による表示装置は、図１５に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、第１画素領域内で発光領域および非発光領域の形状が、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図１６は一実施形態による表示装置の配置図である。
図１６に示すように、第１画素領域ＰＸ１ｅは、第１発光領域ＥＡ１ｅおよび第１非発光領域ＮＡ１ｅを含み、第１非発光領域ＮＡ１ｅは平面上で十字形からなっている。
前述した実施形態にて第１画素領域ＰＸ１ｅの左側縁部、上側縁部、右側縁部で第１発光領域ＥＡ１ｅは連結されていたのであるが、本実施形態では第１画素領域ＰＸ１ｅの左側縁部、上側縁部、右側縁部で、第１発光領域ＥＡ１ｅは断絶されている。つまり、第１画素領域ＰＸ１ｅの左側縁部の中央部、上側縁部の中央部、右側縁部の中央部、下側縁部の中央部で、第１発光領域ＥＡ１ｅは、第１非発光領域ＮＡ１ｅによって分離されている。
そのため、第１画素領域ＰＸ１ｅで第１電極は、第１画素領域ＰＸ１ｅの左側縁部、上側縁部、右側縁部、下側縁部の中央部で分離される形態で構成される。ここで、第１電極が四つの部分に分かれ、それぞれ互いに異なるコンタクトホールを介してドレイン電極と連結され得る。
同様に第２画素領域ＰＸ２ｅの上側縁部及び下側縁で、第２発光領域ＥＡ２ｅは断絶されている。つまり、第２画素領域ＰＸ２ｅの上側縁部の中央部、及び下側縁部の中央部で、第２発光領域ＥＡ２ｅは、第２非発光領域ＮＡ２ｅによって分離されている。
また、第３画素領域ＰＸ３ｅの上側縁部及び下側縁部で、第３発光領域ＥＡ３ｅは断絶されている。つまり、第３画素領域ＰＸ３ｅの上側縁部の中央部、及び、下側縁部の中央部で、第３発光領域ＥＡ３ｅは、第３非発光領域ＮＡ３ｅによって分離されている。
次に、図１７を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図１７に示す一実施形態による表示装置は、図１乃至図５に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、薄膜トランジスタが画素領域内に位置するという点で前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図１７は一実施形態による表示装置の断面図である。
図１７に示すように、一実施形態による表示装置は、基板１１０、基板１１０の上に位置する第１電極１９１、基板１１０と第１電極１９１との間に位置する保護膜１８０、第１電極１９１の上に位置する第２電極２７０、及び、第１電極１９１と第２電極２７０との間に位置する有機発光層３７０を含む。
基板１１０は第１画素領域ＰＸ１と透過領域ＴＡとを含む。第１画素領域ＰＸ１は、第１発光領域ＥＡ１と第１非発光領域ＮＡ１とを含む。
前述した実施形態で薄膜トランジスタの一部は、第１画素領域ＰＸ１内に位置し、ほとんどは第１画素領域ＰＸ１の外に位置する。本実施形態においては、薄膜トランジスタの全体が第１画素領域ＰＸ１内に位置している。つまり、半導体１３５、ゲート電極１２５、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が、全て第１画素領域ＰＸ１内に位置する。特に、薄膜トランジスタの一部は、第１画素領域ＰＸ１の第１非発光領域ＮＡ１と重複し得る。第１画素領域ＰＸ１の第１非発光領域ＮＡ１には、埋立パターン３５２が形成され得、埋立パターン３５２は薄膜トランジスタと重り合い得る。
薄膜トランジスタの上には保護膜１８０が位置する。薄膜トランジスタの上に位置する保護膜１８０の部分は他の部分に比べて相対的に薄い厚さを有する。保護膜１８０の厚さが薄ければ、ベーキング工程で気体が排出する時間が短くなる。本実施形態においては、薄膜トランジスタが第１画素領域ＰＸ１内に位置することにより、第１電極１９１によって被覆される保護膜１８０の部分の厚さが相対的に薄くなる。したがって、保護膜１８０中に残っている気体の量は減り、有機発光層３７０に及ぼす影響も減る。
前記では第１画素領域ＰＸ１について説明したが、本実施形態は第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３にも同様に適用することができる。つまり、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３内にも薄膜トランジスタが位置し得る。
次に、図１８を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図１８に示す一実施形態による表示装置は、図１７に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、基板から保護膜の上部面までの高さが一定でないという点で、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図１８は一実施形態による表示装置の断面図である。
図１８に示すように、一実施形態による表示装置は、基板１１０、基板１１０の上に位置する第１電極１９１、基板１１０と第１電極１９１との間に位置する保護膜１８０、第１電極１９１の上に位置する第２電極２７０、及び、第１電極１９１と第２電極２７０との間に位置する有機発光層３７０を含む。
基板１１０は、第１画素領域ＰＸ１と透過領域ＴＡとを含む。第１画素領域ＰＸ１は、第１発光領域ＥＡ１と第１非発光領域ＮＡ１とを含む。
前述した実施形態で保護膜１８０の上部面は平坦であり、基板１１０から保護膜１８０の上部面までの距離は一定である。本実施形態においては、保護膜１８０の上面が平坦でない。
保護膜１８０は、第１高さｄ１を有する第１部分１８０ａと、第２高さｄ２を有する第２部分１８０ｂとを含む。ここで、第１高さｄ１および第２高さｄ２は、それぞれ、基板１１０から保護膜１８０の上面までの距離を意味する。第２高さｄ２は第１高さｄ１より高い。第１部分１８０ａは、第１画素領域ＰＸ１の中心部に位置し、第２部分１８０ｂは、第１画素領域ＰＸ１の縁部に位置する。
保護膜１８０の上には第１電極１９１が位置し、第１電極１９１は、保護膜１８０の第１部分１８０ａと第２部分１８０ｂとの間で段差を有する。
第１画素領域ＰＸ１の中心部に位置する保護膜１８０の厚さを相対的に薄く形成することにより、保護膜１８０のベーキング工程で気体が排出する時間を減らし得る。したがって、有機発光層３７０が気体により受ける影響が少なくなるようにして、発光特性を向上させることができる。
また、第１画素領域ＰＸ１の縁部に位置する保護膜１８０の厚さを相対的に厚く形成し、第１電極１９１に段差を形成することによって、保護膜１８０で発生した気体が、有機発光層３７０にまで至る距離がについて、遠くなるようにし得る。つまり、第１画素領域ＰＸ１の縁部に位置する第１電極１９１が、バリアの役割を果たすようにして、有機発光層３７０に気体が到達することを防止し得る。したがって、有機発光層３７０が気体により受ける影響が少なくなるようにして、発光特性を向上させることができる。
次に、図１９を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図１９に示す一実施形態による表示装置は、図１乃至図５に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、保護膜に溝が形成されるという点で、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図１９は一実施形態による表示装置の断面図である。
図１９に示すように、一実施形態による表示装置は、基板１１０、基板１１０の上に位置する第１電極１９１、基板１１０と第１電極１９１との間に位置する保護膜１８０、第１電極１９１の上に位置する第２電極２７０、及び、第１電極１９１と第２電極２７０との間に位置する有機発光層３７０を含む。
基板１１０は第１画素領域ＰＸ１と透過領域ＴＡとを含む。第１画素領域ＰＸ１は第１発光領域ＥＡ１と第１非発光領域ＮＡ１とを含む。
本実施形態で、保護膜１８０には溝１８４が形成されている。溝１８４が形成されている部分を介して、保護膜１８０のベーキング工程で発生した気体が、さらによく排出され得る。
溝１８４は、第１画素領域ＰＸ１の第１非発光領域ＮＡ１内に位置し得る。埋立パターン３５２は第１非発光領域ＮＡ１内に位置し、埋立パターン３５２は溝１８４内に位置し得る。
溝１８４の幅Ｗｇは、第１非発光領域ＮＡ１の幅より小さいことが好ましい。第１電極１９１は、第１非発光領域ＮＡ１にはほとんど形成されず、第１発光領域ＥＡ１に形成される。特に、溝１８４の幅Ｗｇは、第１非発光領域ＮＡ１において、第１電極１９１が存在しない部分の幅Ｗｎより小さいことが好ましい。溝１８４の幅Ｗｇが、第１非発光領域ＮＡ１において、第１電極１９１が存在しない領域の幅Ｗｎより広い場合、第１電極１９１が溝１８４内に形成されてもよい。保護膜１８０の下には薄膜トランジスタをはじめとする多様な電極層が形成されており、第１電極１９１が溝１８４内にも形成される場合、このような電極層と短絡される恐れがある。本実施形態においては、溝１８４の幅Ｗｇを、第１非発光領域ＮＡ１において第１電極１９１が存在しない領域の幅Ｗｎより小さく形成し、このような短絡を防止し得る。
次に、図２０を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図２０に示す一実施形態による表示装置は、図１９に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、溝が画素領域の縁の近傍にさらに形成されているという点で、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図２０は一実施形態による表示装置の断面図である。
図２０に示すように、保護膜１８０には、さらなる溝１８６が形成されている。この溝１８６は、第１画素領域ＰＸ１の縁と隣接するように位置している。溝１８６は画素定義膜３５０の下に位置し得る。溝１８６内には、この内部を埋める埋立パターン３５４が形成されており、この埋立パターン３５４は、画素定義膜３５０と一体に形成しうる。すなわち、この埋立パターン３５４と画素定義膜３５０とは、同じ工程で形成され得、また、同じ物質で形成しうる。
また、前述した実施形態と同様に、溝１８４が第１画素領域ＰＸ１の第１非発光領域ＮＡ１内にさらに位置し得、溝１８４内に埋立パターン３５２が位置し得る。
次に、図２１を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図２１に示す一実施形態による表示装置は、図１乃至図５に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、透過領域の形状が前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図２１は一実施形態による表示装置の配置図である。
図２１に示すように、一実施形態による表示装置は、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとを含む。画素領域ＰＡは、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３を含み得る。第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３は、互いに異なる色を表示し得、互いに異なる大きさを有し得る。例えば、第１画素領域ＰＸ１は青色を表示し得、第２画素領域ＰＸ２は緑色を表示し得、第３画素領域ＰＸ３は赤色を表示し得る。
前述した実施形態において、透過領域ＴＡは平面上で長方形からなるのであるが、本実施形態での透過領域ＴＡは、平面上で略長方形からなるものの、変形されている。本実施形態においては、透過領域ＴＡと画素領域ＰＡとの間の距離を狭めて、透過領域ＴＡの面積を広げている。透過領域ＴＡの一側縁には凹部ＧＶが形成されている。凹部ＧＶは、第２画素領域ＰＸ２と隣接した領域にて、透過領域ＴＡの右側縁に形成され得る。図示の例では、透過領域ＴＡの右側縁が、第２画素領域ＰＸ２により、左側へと部分的に押し込まれて平行移動した形の、平面図における浅い凹部をなしている。
第２画素領域ＰＸ２は、第２非発光領域ＮＡ２の形成により減った発光面積を補償するために第２画素領域ＰＸ２の面積を拡張させ得る。ここで、第１画素領域ＰＸ１と隣接した上側縁や第３画素領域ＰＸ３と隣接した下側縁を変更することは容易でないので、左側縁を移動させて第２画素領域ＰＸ２の面積を拡張させ得る。したがって、第２画素領域ＰＸ２の幅が第１画素領域ＰＸ１の幅より広くてもよく、第３画素領域ＰＸ３の幅より広くてもよい。また、透過領域ＴＡは、第２画素領域ＰＸ２の左側縁と隣接する部分に形成された凹部ＧＶを含み、透過領域ＴＡは、第２画素領域ＰＸ２と隣接する部分の幅が、第１画素領域ＰＸ１、第３画素領域ＰＸ３と隣接する部分の幅より狭くてもよい。
第１画素領域ＰＸ１は、第１非発光領域ＮＡ１の形成により減った発光面積を補償するために第１画素領域ＰＸ１の面積を拡張させ得る。この時、第２画素領域ＰＸ２と隣接した下側縁や透過領域ＴＡと隣接した左側縁を変更することは容易でないので、上側縁をさらに上側に移動させて第１画素領域ＰＸ１の面積を拡張させ得る。同様に、第３画素領域ＰＸ３は、第３非発光領域ＮＡ３の形成により減った発光面積を補償するために第３画素領域ＰＸ３の面積を拡張させ得る。この時、第２画素領域ＰＸ２と隣接した上側縁や透過領域ＴＡと隣接した左側縁を変更することは容易でないので、下側縁をさらに下方に移動させて第３画素領域ＰＸ３の面積を拡張させ得る。画素領域ＰＸの縁には多様な配線が位置しており、第１画素領域ＰＸ１および第３画素領域ＰＸ３は、このような配線と重複しても発光の可否に影響を与えないので、前記のように面積の拡張が可能である。透過領域ＴＡの場合、配線と重畳する場合、透過率に影響を与えるので、面積の拡張が容易でない。したがって、透過領域ＴＡの上側縁から下側縁までの長さｈｔ１は、画素領域ＰＸの上側縁から下側縁までの長さｈｔ２より短くてもよい。
図２１で第１非発光領域ＮＡ１、第２非発光領域ＮＡ２および第３非発光領域ＮＡ３の形状は、図１の第１非発光領域ＮＡ１、第２非発光領域ＮＡ２および第３非発光領域ＮＡ３の形状と類似する場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されない。第１非発光領域ＮＡ１、第２非発光領域ＮＡ２および第３非発光領域ＮＡ３の形状は、図１０、図１４、図１５、図１６のうちいずれか一つの第１非発光領域ＮＡ１、第２非発光領域ＮＡ２および第３非発光領域ＮＡ３の形状と類似してもよい。
また、透過領域ＴＡ、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２、第３画素領域ＰＸ３の形状は、多様に変形が可能である。
次に、図２２を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図２２に示す一実施形態による表示装置は、図２１に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、透過領域の形状が前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図２２は一実施形態による表示装置の配置図である。
図２２に示すように、一実施形態による表示装置は画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとを含む。
前述した実施形態と同様に、透過領域ＴＡは、平面上で略長方形からなり、第２画素領域ＰＸ２と隣接する部分の幅が第１画素領域ＰＸ１、第３画素領域ＰＸ３と隣接する部分の幅より狭くてもよい。
前述した実施形態では、透過領域ＴＡの一側縁にのみ凹部（図２１のＧＶ）が形成されており、本実施形態では透過領域ＴＡの両側縁に第１凹部ＧＶ１および第２凹部ＧＶ２が形成されている。第１凹部ＧＶ１は、第２画素領域ＰＸ２と隣接した透過領域ＴＡの右側縁に形成されており、第２凹部ＧＶ２は、反対側に位置する透過領域ＴＡの左側縁に形成されている。第１凹部ＧＶ１と第２凹部ＧＶ２は、透過領域ＴＡの中心線（図の紙面における縦方向の２等分線）に対して、対称を成し得る。
前述した実施形態では、第２画素領域ＰＸ２の左側縁を平行移動させて第２画素領域ＰＸ２の面積を拡張させたが、本実施形態では、第２画素領域ＰＸ２の左側縁および右側縁を平行移動させて第２画素領域ＰＸ２の面積を拡張させている。
図面に図示していないが、一実施形態による表示装置は、複数の透過領域および複数の画素領域を含み得る。図２２に図示されている透過領域ＴＡの左側には、他の画素領域が位置し得る。特には、図２２に示すのと同一の正方形状の表示単位が、マトリクス状に配列されるものでありうる。そのため、図示の一の表示単位に、左側から隣接する他の一の表示単位に含まれる第２画素領域が、図示の一の表示単位の透過領域ＴＡに、左側から隣接しうる。第２凹部ＧＶ２は、このように透過領域ＴＡの左側縁における、左側の第２画素領域と隣接する部分に形成され得る。
次に、図２３を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図２３に示す一実施形態による表示装置は、図２１に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、透過領域および第１画素領域の形状が、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図２３は一実施形態による表示装置の配置図である。
前述した実施形態と同様に、透過領域ＴＡは平面上で略長方形からなり、第２画素領域ＰＸ２と隣接する部分の幅が第３画素領域ＰＸ３と隣接する部分の幅より狭くてもよい。
本実施形態においては、第１画素領域ＰＸ１と隣接する部分の一部の幅が、第３画素領域ＰＸ３と隣接する部分の幅より狭くてもよい。
本実施形態においては、第１画素領域ＰＸ１の左側縁における下側（手前側）の一部を平行移動させて第１画素領域ＰＸ１の面積を拡張させている。したがって、第１画素領域ＰＸ１の手前側の一部、および、第２画素領域ＰＸ２での拡張に対応して、これらと隣接した透光領域ＴＡの部分の幅が、他の部分の幅より狭くてもよい。
次に、図２４を参照して一実施形態による表示装置について説明する。
図２４に示す一実施形態による表示装置は、図２３に示す一実施形態による表示装置と重複する部分が多いため、これに対する説明は省略する。本実施形態においては、透過領域の形状が、前述した実施形態と相異し、以下で詳細に説明する。
図２４は一実施形態による表示装置の配置図である。
前述した実施形態と同様に、透過領域ＴＡは平面上で略長方形からなり、第１画素領域ＰＸ１の一部および第２画素領域ＰＸ２と隣接する部分の幅が第３画素領域ＰＸ３と隣接する部分の幅より狭くてもよい。
前述した実施形態では透過領域ＴＡの一側縁にのみ溝（図２３のＧＶ）が形成されたが、本実施形態では、透過領域ＴＡの左右の側縁に、それぞれ第１凹部ＧＶ１および第２凹部ＧＶ２が形成されている。第１凹部ＧＶ１は第１画素領域ＰＸ１および第２画素領域ＰＸ２と隣接した、透過領域ＴＡの右側縁に形成されており、第２凹部ＧＶ２は、第１画素領域ＰＸ１および第２画素領域ＰＸ２と隣接した、透過領域ＴＡの左側縁に形成されている。第１凹部ＧＶ１と第２凹部ＧＶ２は、透過領域ＴＡの中心線（左右の側縁に平行の２等分線）に対して、対称を成し得る。
本実施形態においては、第１画素領域ＰＸ１の左側縁および右側縁の一部を平行移動させて第１画素領域ＰＸ１の面積を拡張させる。
以上で本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態もまた、本発明の権利範囲に属する。
１１０：基板
１８０：保護膜
１８４、１８６：溝
１９１：第１電極
２７０：第２電極
３５０：画素定義膜
３５２、３５４：埋立パターン
３７０：有機発光層
１８０：保護膜
１８４、１８６：溝
１９１：第１電極
２７０：第２電極
３５０：画素定義膜
３５２、３５４：埋立パターン
３７０：有機発光層
Claims (14)
- 表示単位がマトリクス状に配列され、各表示単位中に第１画素領域を含む基板と、
前記基板上に位置し、画素領域ごとに設けられる第１電極と、
前記基板と前記第１電極との間に位置する保護膜と、
前記第１電極上に位置する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機発光層とを含み、
前記各表示単位中にあって、前記第１画素領域は、一つのみの発光領域、および、前記発光領域によって囲まれている非発光領域を含み、
前記第１画素領域中にて、前記発光領域は、前記非発光領域によって分割されずに連続している表示装置。 - 前記第１画素領域の縁から、前記第１画素領域の非発光領域までの距離が５０μｍ以下であり、
前記非発光領域は、前記発光領域により、四方から囲まれているか、または、一方の側を除く三方から囲まれている請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１電極および前記有機発光層は、前記第１画素領域の発光領域内に位置するとともに前記非発光領域にて省かれている請求項２に記載の表示装置。
- 前記基板は、前記各表示単位中に、第２画素領域および第３画素領域をさらに含み、
前記第２画素領域および前記第３画素領域は、いずれも、一つのみの発光領域、および、前記発光領域によって囲まれている非発光領域を含み、
前記第２画素領域の縁から前記第２画素領域の非発光領域までの距離が５０μｍ以下であり、
前記第３画素領域の縁から前記第３画素領域の非発光領域までの距離が５０μｍ以下であり、
前記第１電極および前記有機発光層は、前記第２画素領域の発光領域内、および、前記第３画素領域の発光領域内に位置し、
前記第２画素領域中、及び前記第３画素領域中にて、前記発光領域は、前記非発光領域によって分割されずに連続しており、
前記非発光領域は、前記発光領域により、四方から囲まれているか、または、一方の側を除く三方から囲まれている請求項３に記載の表示装置。 - 前記各表示単位中に、透過領域が含まれ、
前記各表示単位中、前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域は、マトリクスの列方向に沿って配置されており、前記透過領域は、前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域と行方向に隣接する請求項４に記載の表示装置。 - 前記第１画素領域の非発光領域内に位置する埋立パターンをさらに含み、
前記第１画素領域の縁を囲む画素定義膜をさらに含み、
前記埋立パターンは、前記画素定義膜と同じ物質からなり、同じ層に位置する請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１電極は、透明な導電物質からなる層と反射性金属からなる層とを含む積層膜からなる請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１画素領域の面積に対する前記第１画素領域の非発光領域の面積の比率は、５％以上であり、２０％以下である請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１画素領域の非発光領域は、平面上で、直線状、ドット状、四角形、円形、および十字形のうちの少なくともいずれか一つからなる請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１画素領域は、複数の非発光領域を含み、
互いに隣接した前記複数の非発光領域の間の距離は、５０μｍ以下である請求項１に記載の表示装置。 - 第１画素領域を含む基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記基板と前記第１電極との間に位置する保護膜と、
前記第１電極上に位置する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機発光層とを含み、
前記第１画素領域は、発光領域、および、前記発光領域によって囲まれており、
前記保護膜は、第１高さを有する第１部分と、前記第１高さより高い第２高さを有する第２の部分とを含み、
前記保護膜の第２部分は、前記第１画素領域の縁部に位置し、
前記第１電極は、前記保護膜の前記第１部分と前記第２部分との間で段差を有する表示装置。 - 第１画素領域を含む基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記基板と前記第１電極との間に位置する保護膜と、
前記第１電極上に位置する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機発光層とを含み、
前記第１画素領域は、発光領域、および、前記発光領域によって囲まれており、
前記保護膜に形成されている溝、
前記第１画素領域の非発光領域内に位置する埋立パターン、及び、
前記第１画素領域の縁を囲む画素定義膜をさらに含み、
前記溝は、前記第１画素領域の非発光領域内に位置し、
前記溝の幅は、前記非発光領域の幅より小さく、
前記埋立パターンは、前記溝内に位置し、
前記埋立パターンは、前記画素定義膜と同じ物質からなり、同じ層に位置する表示装置。 - 第１画素領域を含む基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記基板と前記第１電極との間に位置する保護膜と、
前記第１電極上に位置する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機発光層とを含み、
前記第１画素領域は、発光領域、および、前記発光領域によって囲まれており、
前記保護膜に形成されている溝、
前記溝内に位置する埋立パターン、及び、
前記第１画素領域の縁を囲み、前記埋立パターンと一体に形成された画素定義膜をさらに含み、
前記溝は、前記第１画素領域の縁と隣接するように位置し、
前記埋立パターンは、前記画素定義膜と同じ物質からなる表示装置。 - 前記第１電極と連結されている薄膜トランジスタをさらに含み、
前記薄膜トランジスタは、前記第１画素領域内に位置し、
前記薄膜トランジスタは、前記第１画素領域の非発光領域と、少なくとも一部重複する請求項１及び１１～１３のいずれかに記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20160094799 | 2016-07-26 | ||
| KR10-2016-0094799 | 2016-07-26 | ||
| KR1020170031945A KR102393888B1 (ko) | 2016-07-26 | 2017-03-14 | 표시 장치 |
| KR10-2017-0031945 | 2017-03-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018018822A JP2018018822A (ja) | 2018-02-01 |
| JP7046515B2 true JP7046515B2 (ja) | 2022-04-04 |
Family
ID=59387932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017143433A Active JP7046515B2 (ja) | 2016-07-26 | 2017-07-25 | 表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10505145B2 (ja) |
| EP (1) | EP3276667B1 (ja) |
| JP (1) | JP7046515B2 (ja) |
| KR (1) | KR102539076B1 (ja) |
| CN (1) | CN107658328B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108281571B (zh) | 2018-03-30 | 2024-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电极排气结构、电极、显示面板和显示装置 |
| CN108520891B (zh) * | 2018-04-20 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的喷墨打印方法、阵列基板、显示装置 |
| KR102465374B1 (ko) | 2018-09-12 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102087103B1 (ko) | 2018-12-17 | 2020-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
| KR20210009487A (ko) * | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210054390A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치표시장치 |
| CN112786659A (zh) * | 2019-11-06 | 2021-05-11 | 乐金显示有限公司 | 显示面板和包括所述显示面板的显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187730A (ja) | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
| JP2011034849A (ja) | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ装置 |
| JP2012113934A (ja) | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2015079758A (ja) | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機発光表示装置 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3943901B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 自己発光表示装置 |
| JP4265230B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2009-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学表示装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| KR100552972B1 (ko) * | 2003-10-09 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100573149B1 (ko) | 2004-05-29 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP2006107996A (ja) | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光表示パネル |
| KR100658758B1 (ko) | 2005-11-28 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4623138B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| JP5019638B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2012-09-05 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR101084195B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5364678B2 (ja) | 2010-11-05 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| KR101739384B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2017-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101874048B1 (ko) * | 2011-01-14 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
| KR20120124224A (ko) | 2011-05-03 | 2012-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101811027B1 (ko) | 2011-07-07 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101880722B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101647160B1 (ko) * | 2011-12-01 | 2016-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 픽셀간의 누설전류를 방지하여 발광 품질을 향상시킨 유기발광소자 |
| KR101338250B1 (ko) * | 2012-06-07 | 2013-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광투과율 제어가 가능한 표시장치 |
| KR20140031003A (ko) * | 2012-09-04 | 2014-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| EP2731138B1 (fr) | 2012-11-09 | 2020-06-17 | EM Microelectronic-Marin SA | Procédé de fabrication d'un affichage OLED, affichage OLED résultant et pièce d'horlogerie comprenant un tel affichage |
| KR102071330B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US9240162B2 (en) * | 2012-12-31 | 2016-01-19 | Lg Display Co., Ltd. | Transparent display apparatus and method for controlling the same |
| KR102055683B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2019-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6115274B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-04-19 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| KR102031648B1 (ko) | 2013-04-18 | 2019-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| TWI674671B (zh) * | 2013-05-28 | 2019-10-11 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置及電子機器 |
| KR102241441B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2021-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR102188887B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102210210B1 (ko) | 2014-01-06 | 2021-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102205401B1 (ko) | 2014-01-14 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| KR102203772B1 (ko) * | 2014-08-27 | 2021-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 |
| US10026797B2 (en) * | 2014-11-10 | 2018-07-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display having multi-mode cavity structure |
| KR20160065318A (ko) | 2014-11-28 | 2016-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102348682B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2022-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102490891B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2017
- 2017-06-14 US US15/622,121 patent/US10505145B2/en active Active
- 2017-07-14 CN CN201710575563.7A patent/CN107658328B/zh active Active
- 2017-07-21 EP EP17182483.2A patent/EP3276667B1/en active Active
- 2017-07-25 JP JP2017143433A patent/JP7046515B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-03 US US16/701,795 patent/US10854845B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-28 KR KR1020220052937A patent/KR102539076B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187730A (ja) | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
| JP2011034849A (ja) | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ装置 |
| JP2012113934A (ja) | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2015079758A (ja) | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機発光表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102539076B1 (ko) | 2023-06-02 |
| US10505145B2 (en) | 2019-12-10 |
| EP3276667B1 (en) | 2020-09-09 |
| US20200106049A1 (en) | 2020-04-02 |
| JP2018018822A (ja) | 2018-02-01 |
| US10854845B2 (en) | 2020-12-01 |
| KR20220061080A (ko) | 2022-05-12 |
| CN107658328B (zh) | 2023-08-04 |
| EP3276667A1 (en) | 2018-01-31 |
| US20180034000A1 (en) | 2018-02-01 |
| CN107658328A (zh) | 2018-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7046515B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR102367247B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR102280423B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
| US9704926B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| TWI559525B (zh) | 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 | |
| KR102022394B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US20230165058A1 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
| KR102614532B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US9941338B2 (en) | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| KR102504436B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US10672844B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| JP2016134236A (ja) | 表示装置 | |
| KR101890469B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20230150920A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 | |
| US10811464B2 (en) | Organic el display device | |
| EP3316312B1 (en) | Display device having emitting areas | |
| KR20160076688A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
| KR102184939B1 (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102455567B1 (ko) | 전계발광 표시장치 | |
| KR102393888B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US9653707B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| JP2011090874A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200605 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211206 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220222 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220323 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7046515 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |