JP2011090874A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011090874A JP2011090874A JP2009243246A JP2009243246A JP2011090874A JP 2011090874 A JP2011090874 A JP 2011090874A JP 2009243246 A JP2009243246 A JP 2009243246A JP 2009243246 A JP2009243246 A JP 2009243246A JP 2011090874 A JP2011090874 A JP 2011090874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- light emitting
- emitting layers
- pixel electrodes
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 34
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 177
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、高精度なマスクを使用しなくても製造することが可能な、解像度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の発光層40は、少なくとも、第1グループの発光層42と、第2グループの発光層44と、を含む。第1グループの発光層42と第2グループの発光層44は、光の色が異なる。複数の画素電極26は、少なくとも、第1グループの画素電極48と、第2グループの画素電極50と、を含む。第1グループの画素電極48のそれぞれと共通電極36の間に、第1グループの発光層42のそれぞれが配置される。第2グループの画素電極50のそれぞれと共通電極36の間に、第2グループの発光層44のそれぞれが配置される。第2グループの画素電極50のそれぞれは、第1グループの発光層42のそれぞれの一部の上に載るように配置されている。
【選択図】図2
【解決手段】複数の発光層40は、少なくとも、第1グループの発光層42と、第2グループの発光層44と、を含む。第1グループの発光層42と第2グループの発光層44は、光の色が異なる。複数の画素電極26は、少なくとも、第1グループの画素電極48と、第2グループの画素電極50と、を含む。第1グループの画素電極48のそれぞれと共通電極36の間に、第1グループの発光層42のそれぞれが配置される。第2グループの画素電極50のそれぞれと共通電極36の間に、第2グループの発光層44のそれぞれが配置される。第2グループの画素電極50のそれぞれは、第1グループの発光層42のそれぞれの一部の上に載るように配置されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、マスク蒸着法によって発光層を形成することが知られている(特許文献1)。マスク蒸着法では、1色ごとに蒸着を行い、3色の発光層を形成するのに3回の蒸着を行う。マスクの開口部と開口部の間のリブは、2色分の発光層に相当する幅を有する。
近年、高解像度の画像を表示するために発光層を微小に形成することが要求されている。微小な発光層を形成するために、マスクの開口部の幅を狭くしてリブの幅も狭くすると、このようなマスクは強度が低いという問題がある。あるいは、マスクの開口部の幅を狭くする一方で、マスクの強度を確保するためにリブの幅を広くすると、発光層の形成されない(発光しない)無駄なスペースが広くなり、発光領域の占める割合が縮小して輝度が低下するという問題がある。このように、高精細なマスクを使用することは難しくなってきている。
本発明は、高精細なマスクを使用しなくても製造することが可能な、解像度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。
(1)本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極と対向する共通電極と、1つの前記画素電極と前記共通電極の間に1つの発光層が配置された、電子と正孔の結合によりそれぞれ光を発する複数の発光層と、を有し、前記複数の発光層は、少なくとも、第1グループの前記発光層と、第2グループの前記発光層と、を含み、前記第1グループの前記発光層と前記第2グループの前記発光層は、前記光の色が異なり、前記複数の画素電極は、少なくとも、第1グループの前記画素電極と、第2グループの前記画素電極と、を含み、前記第1グループの前記画素電極のそれぞれと前記共通電極の間に、前記第1グループの前記発光層のそれぞれが配置され、前記第2グループの前記画素電極のそれぞれと前記共通電極の間に、前記第2グループの前記発光層のそれぞれが配置され、前記第2グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの一部の上に載るように配置されていることを特徴とする。本発明によれば、第2グループの画素電極のそれぞれが、第1グループの発光層のそれぞれの一部の上に載るように配置されているので、高精細なマスクを使用しなくても、解像度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することが可能である。
(2)(1)に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の発光層は、第3グループの前記発光層をさらに含み、前記第3グループの前記発光層は、前記第1グループの前記発光層及び前記第2グループの前記発光層とは前記光の色が異なり、前記複数の画素電極は、第3グループの前記画素電極をさらに含み、前記第3グループの前記画素電極のそれぞれと前記共通電極の間に、前記第3グループの前記発光層のそれぞれが配置され、前記第3グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの一部及び前記第2グループの前記発光層のそれぞれの一部の上に載るように配置されていることを特徴としてもよい。
(3)(2)に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第1グループの前記発光層の前記光の色は、青であり、前記第2グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの第1端部に載るように形成され、前記第2グループの前記発光層の前記光の色は、緑であり、前記第3グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの前記第1端部及び前記第2グループの前記発光層のそれぞれの第2端部に載るように形成され、前記第3グループの前記発光層の前記光の色は、赤であることを特徴としてもよい。
(4)(1)に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第1グループの前記発光層は、前記第2グループの前記発光層の前記色とは異なる複数の前記色を発する複数色の前記発光層からなり、前記第2グループの前記画素電極のそれぞれは、前記複数色の前記発光層のそれぞれの一部の上に載るように配置されていることを特徴としてもよい。
(5)(4)に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数色の前記発光層は、複数行複数列のマトリクス状であって、行方向に前記色が異なるように交互に並び、列方向に前記色が同じになるように配列され、前記第2グループの前記発光層は、千鳥状に配列され、前記第2グループの前記発光層のそれぞれは、前記複数色の前記発光層のうち2行2列に並ぶ4つの前記発光層に4方向から囲まれる位置に配列されていることを特徴としてもよい。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素配列を説明する図である。画素配列は、赤色の画素R、緑色の画素G及び青色の画素Bからなるモザイク配列である。画素R,G,Bは、隣同士の間に隙間がなく接触しているので、100%の開口率を達成することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素配列を説明する図である。画素配列は、赤色の画素R、緑色の画素G及び青色の画素Bからなるモザイク配列である。画素R,G,Bは、隣同士の間に隙間がなく接触しているので、100%の開口率を達成することができる。
図2は、本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板10を有する。ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であれば、基板10はガラスなどの光透過性を有する材料からなるが、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であれば、基板10の光透過性の有無は問わない。図2に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置はトップエミッション型であるが、基板10はガラスからなる。
基板10には、複数の薄膜トランジスタ12が形成されている。薄膜トランジスタ12は、シリコン層14(例えばポリシリコン層)と、シリコン層14に電気的に接続されたソース/ドレイン電極16と、ゲート電極18と、を有する。ゲート電極18をシリコン層14及びソース/ドレイン電極16から電気的に絶縁するように、例えばSiO2からなる層間絶縁膜20が形成されている。薄膜トランジスタ12を湿気から保護するために、SiNからなるパッシベーション膜22が形成されている。層間絶縁膜20をドライエッチングでパターニングするときは、図2に示すように、その上にパッシベーション膜22を形成する。変形例として、層間絶縁膜20をウェットエッチングでパターニングする場合には、その下にパッシベーション膜22を形成してもよい。パッシベーション膜22上には平坦化層24が形成されている。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素電極26を有する。画素電極26は、平坦化層24の貫通穴28を介してソース/ドレイン電極16の駆動TFT出力側と電気的に接続されている。図3は、画素電極26の、ソース/ドレイン電極16の駆動TFT出力との電気的接続部を示す図である。
画素電極26は、アルミニウム又は銀からなる下層30(反射メタル層)と、Indium
Tin Oxide又はIndium Zinc Oxideなどの光透過性導電材料から構成される上層32と、を含む。アルミニウム又は銀は光を反射するので、下層30が光を反射することで、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置が構成される。なお、画素電極26の上層32(Indium Tin Oxide又はIndium Zinc Oxide)は、正孔注入層の機能を果たしている。画素電極26の上(共通電極側)には、正孔輸送層34が形成されている。
Tin Oxide又はIndium Zinc Oxideなどの光透過性導電材料から構成される上層32と、を含む。アルミニウム又は銀は光を反射するので、下層30が光を反射することで、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置が構成される。なお、画素電極26の上層32(Indium Tin Oxide又はIndium Zinc Oxide)は、正孔注入層の機能を果たしている。画素電極26の上(共通電極側)には、正孔輸送層34が形成されている。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素電極26と対向する共通電極36を有する。共通電極36の下(画素電極26側)には、電子輸送層38が形成されている。共通電極36及び電子輸送層38の間には、図示しない電子注入層が形成されている。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の発光層40を有する。発光層40は、蛍光あるいは燐光を発する有機材料であり、電子およびホールを輸送する能力のある材料と組み合わせて用いる。1つの画素電極26と共通電極36の間に1つの発光層40が配置されており、画素電極26と共通電極36の間に電圧が加えられたときに、発光層40で電子と正孔が結合して光が放出される。
複数の発光層40は、第1グループの発光層42と、第2グループの発光層44と、第3グループの発光層46と、を含む。隣同士の発光層40の間にはバンクが存在しない。第1グループの発光層42、第2グループの発光層44及び第3グループの発光層46は、それぞれ光の色が異なる。具体的には、第1グループの発光層42の光の色は、図1に示す画素Bに対応する青である。第2グループの発光層44の光の色は、図1に示す画素Gに対応する緑である。第3グループの発光層46の光の色は、図1に示す画素Rに対応する赤である。発光の色に応じた材料の性質から、第1グループの発光層42よりも第2グループの発光層44が厚く形成され、第2グループの発光層44よりも第3グループの発光層46が厚く形成されている。
複数の発光層40は、マスクを使用した蒸着によって、発光の色ごとに形成する。詳しくは、第1グループの発光層42を形成した後に、第2グループの発光層44を形成し、その後、第3グループの発光層46を形成する。
複数の画素電極26は、第1グループの画素電極48と、第2グループの画素電極50と、第3グループの画素電極52と、を含む。画素電極26もマスクを使用した蒸着によって形成する。
第1グループの画素電極48のそれぞれと共通電極36の間に、第1グループの発光層42のそれぞれが配置されている。第2グループの画素電極50のそれぞれと共通電極36の間に、第2グループの発光層44のそれぞれが配置されている。第3グループの画素電極52のそれぞれと共通電極36の間に、第3グループの発光層46のそれぞれが配置されている。
第2グループの画素電極50のそれぞれは、第1グループの発光層42のそれぞれの一部(第1端部54)の上に載るように配置されている。第3グループの画素電極52のそれぞれは、第1グループの発光層42のそれぞれの一部(第1端部54)及び第2グループの発光層44のそれぞれの一部(第2端部56)の上に載るように配置されている。
図2に示すように、第2グループの画素電極50の端部と共通電極36の間には電子輸送層38が介在して両者の電気的な絶縁を図っている。また、第3グループの画素電極52の端部と共通電極36の間にも電子輸送層38が介在して両者の電気的な絶縁を図っている。これにより、画素電極26と共通電極36の短絡を防止し、非発光画素の発生を防止している。したがって、電子輸送層38は確実に第2グループの画素電極50の端部及び第3グループの画素電極52の端部を覆う必要がある。かかる被覆性の向上は、電子輸送層38を形成するための蒸着を高圧下で行うことで可能となる。例えば、通常真空蒸着の圧力は10−4Pa以上10−3Pa未満であるが、蒸着を10−3Pa以上10−1Pa以下で行うことで被覆性は飛躍的に向上する。ただし、この圧力域ではガスの流れに乗って排出される材料が増すため収率が低下するが、電子輸送層38材料はアルミノキノリノール錯体など比較的安価な材料であるので大きな問題とならない。
図2に示すように、第1グループの画素電極48の端部と第2グループの画素電極50の間には正孔輸送層34が介在して両者の電気的な絶縁を図っている。第1グループの画素電極48の端部と第3グループの画素電極52の間にも正孔輸送層34が介在して両者の電気的な絶縁を図っている。第2グループの画素電極50の端部と第3グループの画素電極52の間にも正孔輸送層34が介在して両者の電気的な絶縁を図っている。これらにより、第1グループの画素電極48と第2グループの画素電極50との短絡、第1グループの画素電極48と第3グループの画素電極52との短絡、第2グループの画素電極50と第3グループの画素電極52との短絡を防止している。
したがって、正孔輸送層34は確実に第1グループの画素電極48の端部及び第2グループの画素電極50の端部を覆う必要がある。そのため、例えば、マスクを10μmから20μm程度基板10から離した状態で、画素電極26は低圧(10−4Paから10−3)で、正孔輸送層34はそれより高い圧力(10−3Paから10−1Pa)下の蒸着によって形成する。これにより、正孔輸送層34はマスク開口より30μm程度大きくパターンニングされるので画素電極26を覆うことができる。
本実施の形態によれば、第2グループの画素電極50のそれぞれ及び第3グループの画素電極52のそれぞれが、第1グループの発光層42のそれぞれの一部の上に載るように配置されている。したがって、第1グループの発光層42は、画素B(図1参照)よりも大きく形成することができる。
また、第3グループの画素電極52のそれぞれが、第2グループの発光層44のそれぞれの一部の上に載るように配置されている。したがって、第2グループの発光層44は、画素G(図1参照)よりも大きく形成することができる。
本実施の形態によれば、高精度なマスクを使用しなくても、解像度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することが可能である。
[第2の実施形態]
図4は、本発明の第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素配列を説明する図である。赤色の画素R及び緑色の画素Gが、複数行複数列のマトリクス状に配列されている。行方向(横方向)には、赤色の画素R及び緑色の画素Gは交互に並んでいる。各列(縦方向)には、赤色の画素Rのみ又は緑色の画素Gのみが並んでいる。青色の画素Bは、千鳥状に配列されている。それぞれの画素Bは、列方向に隣り合う2つの赤色の画素Rとその隣で列方向に隣り合う2つの緑色の画素Gからなる4つの画素に、4方向から囲まれるように配列されている。なお、人間の目は青の解像度が低いため、青色の画素Bの数を、画素Rの数及び画素Gの数のいずれよりも少なくしてある。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素配列を説明する図である。赤色の画素R及び緑色の画素Gが、複数行複数列のマトリクス状に配列されている。行方向(横方向)には、赤色の画素R及び緑色の画素Gは交互に並んでいる。各列(縦方向)には、赤色の画素Rのみ又は緑色の画素Gのみが並んでいる。青色の画素Bは、千鳥状に配列されている。それぞれの画素Bは、列方向に隣り合う2つの赤色の画素Rとその隣で列方向に隣り合う2つの緑色の画素Gからなる4つの画素に、4方向から囲まれるように配列されている。なお、人間の目は青の解像度が低いため、青色の画素Bの数を、画素Rの数及び画素Gの数のいずれよりも少なくしてある。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、第1の実施形態で説明した基板10を有する。基板10には、第1の実施形態で説明した複数の薄膜トランジスタ12が形成されている。なお、第1の実施形態(図2)では、パッシベーション膜22の上にソース/ドレイン電極16の一部が載っているが、本実施形態では、ソース/ドレイン電極216の全体がパッシベーション膜222の下にある。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素電極226を有する。複数の画素電極226は、第1グループの画素電極248と第2グループの画素電極250を含む。第1グループの画素電極248は、パッシベーション膜222及び平坦化層224の貫通穴228を介してソース/ドレイン電極216の駆動TFT出力側と電気的に接続されている。第1グループの画素電極248と同様に、パッシベーション膜222及び平坦化層224の貫通穴228を介して、ソース/ドレイン電極216の駆動TFT出力側と電気的に接続されるように導電層258が形成されている。第1グループの画素電極248及び導電層258はそれぞれ平坦化層224上に配置される部分を有する。第2グループの画素電極250は、導電層258を介してソース/ドレイン電極216の駆動TFT出力側と電気的に接続されている。
第1グループの画素電極248及び導電層258の上に、それぞれの一部を避けて、バンク260が形成されている。図6は、第1グループの画素電極248及び導電層258のバンク260から露出した部分を示す図である。バンク260は、無機材料から形成してもよいし、有機材料から形成してもよいし、無機材料層及びその上に設けられた有機材料層から構成してもよい。バンク260の上に第2グループの画素電極250が載っている(図5参照)。
画素電極226の材料及び積層構造については第1の実施形態で説明した通りである。また、正孔注入層及び正孔輸送層234についても、第1の実施形態で説明した内容が本実施形態でも該当する。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素電極226と対向する共通電極236を有する。共通電極236の下(画素電極226側)には、電子輸送層238が形成されている。共通電極236及び電子輸送層238の間には、図示しない電子注入層が形成されている。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の発光層240を有する。発光層240は、例えば高分子有機材料からなる。1つの画素電極226と共通電極236の間に1つの発光層240が配置されており、画素電極226と共通電極236の間に電圧が加えられたときに、発光層240で電子と正孔が結合して光が放出される。
複数の発光層240は、第1グループの発光層242及び第2グループの発光層244を含む。第1グループの発光層242及び第2グループの発光層244は、それぞれ光の色が異なる。具体的には、第1グループの発光層242の光の色は、複数色であって、例えば図4に示す画素R,Gに対応する赤及び緑である。第2グループの発光層244の光の色は、図4に示す画素Bに対応する青である。
複数の発光層240は、マスクを使用した蒸着によって、発光の色ごとに形成する。詳しくは、第1グループの発光層242を形成した後に、第2グループの発光層244を形成する。第1グループの発光層242の形成プロセスでは、発光層240を色ごとに形成する。
第1グループの発光層242は、複数の色(例えば赤及び緑)の光を発する複数色の発光層240(画素Rに対応する第1発光層261及び画素Gに対応する第2発光層262)からなる。複数色の発光層240(第1発光層261及び第2発光層262)は、図4に示す画素配列に対応して、複数行複数列のマトリクス状であって、行方向に色が異なるように交互に並び、列方向に色が同じになるように配列されている。
第2グループの発光層244は、図4に示す画素Bに対応して千鳥状に配列されている。第2グループの発光層244のそれぞれは、画素Rに対応する第1発光層261及び画素Gに対応する第2発光層262のうち2行2列(図4参照)に並ぶ4つの発光層240に4方向から囲まれる位置に配列されている。
第1グループの画素電極248のそれぞれと共通電極236の間に、第1グループの発光層242のそれぞれが配置されている。第2グループの画素電極250はマスクを使用した蒸着によって形成する。第2グループの画素電極250のそれぞれと共通電極236の間に、第2グループの発光層244のそれぞれが配置されている。
第2グループの画素電極250のそれぞれは、第1グループの発光層242(複数色の発光層240(第1発光層261及び第2発光層262))のそれぞれの一部の上に載るように配置されている。
図5に示すように、第2グループの画素電極250の端部と共通電極236の間には電子輸送層238が介在して両者の電気的な絶縁を図っている。これにより、第2グループの画素電極250と共通電極236の短絡を防止し、非発光画素の発生を防止している。したがって、電子輸送層238は確実に第2グループの画素電極250の端部を覆う必要がある。かかる被覆性の向上は、電子輸送層238を形成するための蒸着を高圧下で行うことで可能となる。例えば、通常真空蒸着の圧力は10−4Pa以上10−3Pa未満であるが、蒸着を10−3Pa以上10−1Pa以下で行うことで被覆性は飛躍的に向上する。ただし、この圧力域ではガスの流れに乗って排出される材料が増すため収率が低下するが、電子輸送層238の材料はアルミノキノリノール錯体など比較的安価な材料であるので大きな問題とならない。
本実施の形態によれば、第2グループの画素電極250のそれぞれが、第1グループの発光層242のそれぞれの一部の上に載るように配置されている。したがって、第1グループの発光層242は、画素R,G(図1参照)よりも大きく形成することができる。
本実施の形態によれば、高精度なマスクを使用しなくても、解像度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することが可能である。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 基板、12 薄膜トランジスタ、14 シリコン層、16 ソース/ドレイン電極、18 ゲート電極、20 層間絶縁膜、22 パッシベーション膜、24 平坦化層、26 画素電極、28 貫通穴、30 下層、32 上層、34 正孔輸送層、36 共通電極、38 電子輸送層、40 発光層、42 第1グループの発光層、44 第2グループの発光層、46 第3グループの発光層、48 第1グループの画素電極、50 第2グループの画素電極、52 第3グループの画素電極、54 第1端部、56 第2端部、216 ソース/ドレイン電極、222 パッシベーション膜、224 平坦化層、226 画素電極、228 貫通穴、234 正孔輸送層、236 共通電極、238 電子輸送層、240 発光層、242 第1グループの発光層、244 第2グループの発光層、248 第1グループの画素電極、250 第2グループの画素電極、258 導電層、260 バンク、261 第1発光層、262 第2発光層。
Claims (5)
- 複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向する共通電極と、
前記画素電極の1つと前記共通電極の間に1つの発光層が配置されるように複数の発光層を有し、
前記複数の発光層は、少なくとも、第1グループの前記発光層と、第2グループの前記発光層と、を含み、
前記第1グループの前記発光層と前記第2グループの前記発光層は、前記光の色が異なり、
前記複数の画素電極は、少なくとも、第1グループの前記画素電極と、第2グループの前記画素電極と、を含み、
前記第1グループの前記画素電極のそれぞれと前記共通電極の間に、前記第1グループの前記発光層のそれぞれが配置され、
前記第2グループの前記画素電極のそれぞれと前記共通電極の間に、前記第2グループの前記発光層のそれぞれが配置され、
前記第2グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの一部の上に載るように配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項1に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の発光層は、第3グループの前記発光層をさらに含み、
前記第3グループの前記発光層は、前記第1グループの前記発光層及び前記第2グループの前記発光層とは前記光の色が異なり、
前記複数の画素電極は、第3グループの前記画素電極をさらに含み、
前記第3グループの前記画素電極のそれぞれと前記共通電極の間に、前記第3グループの前記発光層のそれぞれが配置され、
前記第3グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの一部及び前記第2グループの前記発光層のそれぞれの一部の上に載るように配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項2に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第1グループの前記発光層の前記光の色は、青であり、
前記第2グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの第1端部に載るように形成され、
前記第2グループの前記発光層の前記光の色は、緑であり、
前記第3グループの前記画素電極のそれぞれは、前記第1グループの前記発光層のそれぞれの前記第1端部及び前記第2グループの前記発光層のそれぞれの第2端部に載るように形成され、
前記第3グループの前記発光層の前記光の色は、赤であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項1に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第1グループの前記発光層は、前記第2グループの前記発光層の前記色とは異なる複数の前記色を発する複数色の前記発光層からなり、
前記第2グループの前記画素電極のそれぞれは、前記複数色の前記発光層のそれぞれの一部の上に載るように配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項4に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数色の前記発光層は、複数行複数列のマトリクス状であって、行方向に前記色が異なるように交互に並び、列方向に前記色が同じになるように配列され、
前記第2グループの前記発光層は、千鳥状に配列され、
前記第2グループの前記発光層のそれぞれは、前記複数色の前記発光層のうち2行2列に並ぶ4つの前記発光層に4方向から囲まれる位置に配列されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009243246A JP2011090874A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009243246A JP2011090874A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011090874A true JP2011090874A (ja) | 2011-05-06 |
Family
ID=44108952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009243246A Pending JP2011090874A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011090874A (ja) |
-
2009
- 2009-10-22 JP JP2009243246A patent/JP2011090874A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102516054B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법 | |
JP6606432B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
TWI575731B (zh) | Display device and manufacturing method thereof | |
US9287531B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
JP6560847B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 | |
KR102090703B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
US7132801B2 (en) | Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
KR20150067624A (ko) | 유기발광표시장치 | |
KR101890469B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR20150084573A (ko) | 유기발광표시장치 | |
JP2005327674A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法 | |
JP6358946B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
US8717260B2 (en) | EL display panel, EL display device provided with EL display panel, organic EL display device, and method for manufacturing EL display panel | |
JP4786893B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
KR20220061080A (ko) | 표시 장치 | |
KR20140127688A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP2019003720A (ja) | 有機el表示パネル | |
JP2010085866A (ja) | アクティブマトリックス型表示装置 | |
JP2011096378A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP5486920B2 (ja) | 有機el装置及びその製造方法 | |
JP2021061175A (ja) | 自発光表示パネル | |
JP5478954B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP5063294B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
WO2011138816A1 (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
JP2009092908A (ja) | 表示装置及びその製造方法 |