JP7045334B2 - 多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびその製造方法 - Google Patents

多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびその製造方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、化学機械研磨に使用される多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびその製造方法に関する。
半導体の製造方法における化学機械研磨（ＣＭＰ）法は、ウェハをヘッドに固定し、プラテン上に取り付けた研磨パッドの表面と接触させ、次いで上記プラテンおよびヘッドを相対的に移動させて、それによってウェハ表面上の凹凸を機械的に平坦化しながら、上記ウェハをその上に供給されたスラリで化学的に処理する工程を示す。
研磨パッドは、このようなＣＭＰ法において重要な役割を果たす必須部材である。一般に、研磨パッドは、ポリウレタン系樹脂から構成され、その表面上にスラリの大流量のための溝および微小流量を支持するための孔を有する。研磨パッドにおける孔は、空隙を有する固相発泡剤、揮発性液体を有する液相発泡剤、不活性ガス、繊維などを使用することにより、或いは化学反応によるガスを発生することによって形成してもよい。
不活性ガスまたは揮発性液相発泡剤を使用することによる孔形成技術は、上記ＣＭＰ法に悪影響を与える可能性のある如何なる材料も排出しないという優位性を有する。しかしながら、制御の難しい気相を取り扱うことが避けられないので、上記孔径および上記パッドの密度を正確に制御することは困難である。５０μｍ以下の均一な孔を製造することは特に困難である。更に、研磨パッドのポリウレタンマトリックスの組成を変更せずに、孔径および上記パッドの密度を制御することが非常に困難であるという問題がある。
固相発泡剤として、熱膨張によってサイズを調節されたマイクロカプセルが使用される。既に膨張したマイクロバルーン構造体中の熱膨張したマイクロカプセルは均一な粒子径を有するので、孔径を均一に制御することができる。しかしながら、熱膨張したマイクロカプセルは、１００℃以上の高温の反応条件下でマイクロカプセルの形状が変化するので、孔を制御するのが困難であるという欠点を有する。従って、微小孔を従来の方法のように単一の発泡剤を使用することによって提供する場合に設計されるように、上記孔を上記径および分布を有する形態に形成してもよいが、上記孔を設計する自由度は低くなり、孔分布を制御するには限界がある。
特許文献１には、不活性ガスおよび孔誘発ポリマー（ｐｏｒｅ‐ｉｎｄｕｃｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ）を用いることによる低密度研磨パッドの製造方法が開示されている。しかしながら、上記特許文献には、孔径および孔分布、並びに研磨パッドの研磨速度は開示されていない。
韓国公開特許第２０１６‐００２７０７５号公報
本発明の実施形態の目的は、発泡剤、界面活性剤および反応速度制御剤を適切に使用して製造され、かつその径および分布を制御した孔を有する多孔質ポリウレタン研磨パッド、並びにその製造方法を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明の実施形態により、ポリウレタン樹脂および上記ポリウレタン樹脂中に分布された孔を含み、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が１８～２８μｍまたは５０～６５μｍである、多孔質ポリウレタン研磨パッドを提供する。
本発明の別の実施形態により、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度制御剤、およびシリコーン系界面活性剤を混合して、孔を形成しながら混合物を成形する際に、不活性ガスを吹き込む工程を含み、
該ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１～３重量部の配合量で、該固相発泡剤を使用し、
孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が１８～２８μｍまたは５０～６５μｍである、多孔質ポリウレタン研磨パッドを製造する方法を提供する。
本発明の具体的な実施態様では、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が１８～２８μｍであり、
最大ピークの孔径より２０μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、１０～３０％である。
本発明の別の具体的な実施態様では、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が５０～６５μｍであり、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計より大きく、
最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計と、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計との差が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、５０～９５％である。
上記実施態様によれば、発泡剤、界面活性剤および反応速度制御剤を適切に使用することによって、多孔質ポリウレタン研磨パッドにおける孔径および孔分布を制御することができ、それによって、その研磨性能（即ち、研磨速度）を調整することができる。
、 および それぞれ実施例１および比較例２～３において製造された多孔質ポリウレタン研磨パッドにおける孔径に対する孔の断面積の合計の分布図を示す（Ａ：最大ピーク）。 、 および それぞれ実施例１および比較例２～３において製造された多孔質ポリウレタン研磨パッドの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
以下、実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。
（多孔質ポリウレタン研磨パッド）
本発明の実施態様による多孔質ポリウレタン研磨パッドは、ポリウレタン樹脂および上記ポリウレタン樹脂中に分布された孔を含み、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が１８～２８μｍの範囲内または５０～６５μｍの範囲内である。
原材料
上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、ポリウレタン樹脂から構成され、上記ポリウレタン樹脂はイソシアネート末端基を有するウレタン系プレポリマーから誘導されてもよい。そのような場合、上記ポリウレタン樹脂は上記プレポリマーを構成するモノマー単位を含む。
プレポリマーは、上記製造方法において最終的に製造される成形物を都合よく成形するように、重合度を中間レベルに調節する比較的低い分子量を有するポリマーと一般的に呼ばれる。プレポリマーはそれ自体によって、または別の重合性化合物との反応後に成形されてもよい。例えば、プレポリマーは、イソシアネート化合物をポリオールと反応させることによって作製してもよい。
例えば、ウレタン系プレポリマーの作製に用いられてもよい上記イソシアネート化合物は、トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ナフタレン‐１，５‐ジイソシアネート、ｐ‐フェニレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、４，４’‐ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、およびイソホロンジイソシアネートから成る群から選択される少なくとも１つのイソシアネートであってもよい。
例えば、ウレタン系プレポリマーの作製に用いられてもよい上記ポリオールは、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、およびポリアクリルポリオールから成る群から選択される少なくとも１つのポリオールであってもよい。上記ポリオールは、３００～３，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）を有してもよい。
上記ポリウレタン樹脂は、５００～３，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有してもよい。特に、上記ポリウレタン樹脂は、６００～２，０００ｇ／モルまたは７００～１，５００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）を有してもよい。
孔
孔は、ポリウレタン樹脂中に分散したように存在する。具体的には、気泡は、固相発泡剤として用いられる熱膨張したマイクロカプセルから誘導されても、または不活性ガスから形成されてもよい。
図２ａを参照すると、特定の実施形態による多孔質ポリウレタン研磨パッドにおける孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径は１８～２８μｍの範囲内であり、最大ピークの孔径より２０μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、１０～３０％である。
具体的には、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が平均孔径よりも小さく、平均孔径が２４μｍ～３６μｍであり、最大ピークの孔径より２０μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、１０～３０％であってもよい。具体的には、最大ピークの孔径より２０μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、１４％～２０％であってもよい。
また、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径は、平均孔径より１μｍ～１０μｍまたは１μｍ～５μｍ小さくてもよい。
上記孔は、固相発泡剤によって形成された孔を含んでもよい。
更に、上記孔は、気相発泡剤によって形成された孔を含んでもよい。このような場合、気相発泡剤によって形成される孔は、最大ピークの孔径よりも２０μｍ以上大きい孔径を有する孔を含んでいてもよい。
図１ａを参照すると、別の特定の実施形態による多孔質ポリウレタン研磨パッドにおける孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が５０～６５μｍであり、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計より大きく、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計と、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計との差が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、５０～９５％である。
具体的には、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が平均孔径より大きく、上記平均孔径が３５～５５μｍであり、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、７０～９０％であってもよい。より具体的には、最大ピークの孔径よりも小さい孔の断面積の合計は、全孔の断面積の合計の１００％に基づいて、７５％～８５％であってもよい。
また、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径より２０μｍ以上小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計より大きくてもよい。また、最大ピークの孔径より２０μｍ以上小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、３０～５０％、特に３５～４５％であってもよい。また、最大ピークの孔径より２０μｍ以上小さい孔径を有する孔の断面積の合計と、最大ピークの孔径より５μｍ大きい孔径を有する孔の断面積の合計との差が、１５％～４５％、２０％～４０％、または２５％～３５％であってもよい。
また、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が平均孔径より１０～６０μｍ大きくてもよい。
上記孔は、固相発泡剤によって形成された孔を含んでもよい。そのような場合、固相発泡剤によって形成される孔は、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔を含んでもよい。また、固相発泡剤により形成された孔は、最大ピークの孔径より２０μｍ以上小さい孔径を有する孔を含んでもよい。
更に、上記孔は、気相発泡剤によって形成された孔を含んでもよい。このような場合、気相発泡剤によって形成される孔は、最大ピークの孔径よりも５μｍ以上大きい孔径を有する孔を含んでもよい。
ここで、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図は、Ｘ軸に研磨パッドの断面上に観察される種々の孔の孔径（μｍ）を示し、Ｙ軸に全孔の断面積の合計１００％に基づいて、孔径に対する孔の断面積の合計（％）を示すグラフ図を表す。例えば、研磨パッドの断面上に観察される全孔の断面積の合計が１００％である時に、約２４μｍの孔径を有する孔の断面積の合計が３％である場合、Ｘ軸に２４μｍ、Ｙ軸に３％として表される（図１ａ参照）。
加えて、最大ピークの孔径は、その断面積の合計の最も高い比を有する孔径として定義することができる。例えば、最大ピーク（Ａ）の孔径は、図１ａの孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において５９μｍであり、研磨パッドの断面上に存在している様々な孔の内、その孔径が５９μｍである孔の断面積の合計の比が最も高いことを意味する。
更に、上記平均孔径は、面積加重平均孔径と呼ばれる。例えば、以下の式１で定義することができる。
［式１］
平均孔径（μｍ）＝（Σ孔径（μｍ）×上記孔径（％）を有する孔の断面積の合計の比）／１００％
上記孔の体積は、研磨パッドの研磨性能において重要である。従って、平均孔径、最大ピークの孔径および各孔特性は、研磨パッドの断面における孔の断面積に基づいて調整されなければならない。
多孔質ポリウレタン研磨パッドは、研磨パッドの合計断面積１００％に基づいて、３０％～７０％、または３０％～６０％の面積比で孔を含んでもよい。
添加剤
上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、３級アミン系化合物および有機金属化合物からなる群から選択される少なくとも１つの反応速度調節剤；並びにシリコーン系界面活性剤を更に含んでもよい。
反応速度制御剤は、反応促進剤であっても、または反応抑制剤であってもよい。具体的には、反応速度制御剤は反応促進剤であってもよい。例えば、反応速度調節剤は、トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）、ジメチルエタノールアミン（ＤＭＥＡ）、テトラメチルブタンジアミン（ＴＭＢＤＡ）、２‐メチル‐トリエチレンジアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン（ＤＭＣＨＡ）トリエチルアミン（ＴＥＡ）、トリイソプロパノールアミン（ＴＩＰＡ）、１，４‐ジアザビシクロ（２，２，２）オクタン、ビス（２‐メチルアミノエチル）エーテル、トリメチルアミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”‐ペンタメチルジエチレントリアミン、ジメチルアミノエチルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、ベンジルジメチルアミン、Ｎ‐エチルモルホリン、Ｎ、Ｎ‐ジメチルアミノエチルモルホリン、Ｎ、Ｎ‐ジメチルシクロヘキシルアミン、２‐メチル‐２‐アザノルボルナン、ジブチル錫ジラウレート、第一錫オクトアート、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジアセテート、ジブチル錫マレエート、ジブチル錫ジ‐２‐エチルヘキサノエート、およびジブチル錫ジメルカプチドからなる群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。具体的には、上記反応速度制御剤は、ベンジルジメチルアミン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルシクロヘキシルアミン、およびトリエチルアミンからなる群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。
シリコーン系界面活性剤は、形成される孔が互いに重なり合い、および合体するのを防止するように作用することができる。界面活性剤の種類は、研磨パッドの製造に一般的に用いられているものであれば特に限定されない。
研磨パッドの物理的特性
多孔質ポリウレタン研磨パッドは、１ｍｍ～５ｍｍの厚さを有してもよい。具体的には、多孔質ポリウレタン研磨パッドの厚さは、１ｍｍ～３ｍｍ、１ｍｍ～２．５ｍｍ、１．５ｍｍ～５ｍｍ、１．５ｍｍ～３ｍｍ、１．５ｍｍ～２．５ｍｍ、１．８ｍｍ～５ｍｍ、１．８ｍｍ～３ｍｍ、または１．８ｍｍ～２．５ｍｍであってもよい。研磨パッドの厚さが上記範囲内であれば、研磨パッドとしての基本的な物理的特性を十分に発揮させることができる。
多孔質ポリウレタン研磨パッドは、その表面に機械的研磨のための溝を有していてもよい。上記溝は、機械的研磨に必要な深さ、幅、間隔を有していてもよいが、それらは特に限定されない。
多孔質ポリウレタン研磨パッドの密度および物理的特性は、イソシアネートとポリオールとの反応によって重合されたウレタン系プレポリマーの分子構造によって制御することができる。具体的には、多孔質ポリウレタン研磨パッドは、３０ショアＤ～８０ショアＤの硬度を有してもよい。より具体的には、多孔質ポリウレタン研磨パッドは、４０ショアＤ～７０ショアＤの硬度を有してもよい。
多孔質ポリウレタン研磨パッドは、０．６ｇ／ｃｍ３～０．９ｇ／ｃｍ３の比重を有してもよい。具体的には、多孔質ポリウレタン研磨パッドは、０．７ｇ／ｃｍ３～０．８５ｇ／ｃｍ３の比重を有してもよい。
多孔質ポリウレタン研磨パッドは、１０ｋｇｆ／ｃｍ２～１００ｋｇｆ／ｃｍ２の引張強さを有してもよい。具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、１０ｋｇｆ／ｃｍ２～７０ｋｇｆ／ｃｍ２、１０ｋｇｆ／ｃｍ２～５０ｋｇｆ／ｃｍ２、１０ｋｇｆ／ｃｍ２～４０ｋｇｆ／ｃｍ２、または１５ｋｇｆ／ｃｍ２～４０ｋｇｆ／ｃｍ２の引張強さを有してもよい。
具体的には、多孔質ポリウレタン研磨パッドは、３０％～３００％の伸びを有してもよい。より具体的には、多孔質ポリウレタン研磨パッドは、５０％～２００％または１００％～１８０％の伸びを有してもよい。
多孔質ポリウレタン研磨パッドは、タングステンの研磨速度が１である時に、０．６～０．９９、または０．７～０．９９の範囲の、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有してもよい。具体的には、多孔質ポリウレタン研磨パッドは、タングステンの研磨速度が１である時に、０．７～０．９、または０．７５～０．８の範囲の、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有してもよい。
例えば、多孔質ポリウレタン研磨パッドは、５００Å／分～１，５００Å／分、７００Å／分～１，３００Å／分、７００Å／分～１０００Å／分、６００Å／分～１，０００Å／分、または６００Å／分～８００Å／分の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有してもよい。
（多孔質ポリウレタン研磨パッドの製造方法）
本発明の１つの実施形態による多孔質ポリウレタン研磨パッドの製造方法は、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度制御剤、およびシリコーン系界面活性剤を混合して、孔を形成しながら混合物を成形する際に、不活性ガスを吹き込む工程を含み、上記ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１～３重量部の配合量で、上記固相発泡剤を使用し、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が１８～２８μｍまたは５０～６５μｍである。
特定の実施形態によれば、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径は１８μｍ～２８μｍの範囲にあり、最大ピークの孔径より２０μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計は、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、１０％～３０％である。
別の特定の実施形態によれば、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が５０～６５μｍであり、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計より大きく、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計と、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計との差が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、５０～９５％である。
ウレタン系プレポリマー
ウレタン系プレポリマーは、上記のようにイソシアネート化合物とポリオールとを反応させることにより製造してもよい。イソシアネート化合物およびポリオールの具体的な種類は、研磨パッドに関して先に例示した通りである。
上記ウレタン系プレポリマーは、５００ｇ／モル～３，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有してもよい。具体的には、上記ウレタン系プレポリマーは、６００ｇ／モル～２，０００ｇ／モルまたは８００ｇ／モル～１，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）を有してもよい。
１つの例として、ウレタン系プレポリマーは、イソシアネート化合物としてのトルエンジイソシアネートおよびポリオールとしてのポリテトラメチレンエーテルグリコールから重合させた５００ｇ／モル～３，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）を有するポリマーであってもよい。
硬化剤
硬化剤は、アミン化合物およびアルコール化合物の少なくとも一方であってもよい。具体的には、芳香族アミン、脂肪族アミン、芳香族アルコール、および脂肪族アルコールからなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含んでもよい。
例えば、硬化剤は、４，４’‐メチレンビス（２‐クロロアニリン）（ＭＯＣＡ）、ジエチルトルエンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ｍ‐キシリレンジアミン、イソホロンジアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ポリプロピレンジアミン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、およびビス（４‐アミノ‐３‐クロロフェニル）メタンからなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
固相発泡剤
固相発泡剤は、熱膨張した（即ち、サイズ制御された）マイクロカプセルであり、５μｍ～２００μｍの平均孔径を有するマイクロバルーンの構造であってもよい。熱膨張した（即ち、サイズ制御された）マイクロカプセルは、熱膨張性マイクロカプセルを熱膨張させることによって得てもよい。
熱膨張性マイクロカプセルは、熱可塑性樹脂を含むシェルと、上記シェルの内部にカプセル化された発泡剤とを含む。熱可塑性樹脂は、塩化ビニリデン系共重合体、アクリロニトリル系共重合体、メタクリロニトリル系共重合体、およびアクリル系共重合体からなる群から選択される少なくとも１つを用いることができる。また、上記内部に封入される発泡剤は、炭素原子１～７個を有する炭化水素からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。具体的には、上記内部に封入される発泡剤は、エタン、エチレン、プロパン、プロペン、ｎ‐ブタン、イソブタン、ブテン、イソブテン、ｎ‐ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、ｎ‐ヘキサン、ヘプタン、石油エーテル等の低分子量炭化水素；トリクロロフルオロメタン（ＣＣｌ３Ｆ）、ジクロロジフルオロメタン（ＣＣｌ２Ｆ２）、クロロトリフルオロメタン（ＣＣｌＦ３）、テトラフルオロエチレン（ＣＣｌＦ２‐ＣＣｌＦ２）などのクロロフルオロ炭化水素；並びにテトラメチルシラン、トリメチルエチルシラン、トリメチルイソプロピルシラン、トリメチル‐ｎ‐プロピルシランなどのテトラアルキルシランから成る群から選択されてもよい。
固相発泡剤は、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１重量部～３重量部の量で使用してもよい。具体的には、固相発泡剤は、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１．３重量部～２．７重量部、１．３重量部～２．６重量部、または１．５重量部～３重量部の量で使用してもよい。
反応速度制御剤
反応速度制御剤は、３級アミン系化合物および有機金属化合物からなる群から選択される少なくとも１つの反応促進剤であってもよい。具体的には、上記反応促進剤は、トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）、ジメチルエタノールアミン（ＤＭＥＡ）、テトラメチルブタンジアミン（ＴＭＢＤＡ）、２‐メチル‐トリエチレンジアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン（ＤＭＣＨＡ）トリエチルアミン（ＴＥＡ）、トリイソプロパノールアミン（ＴＩＰＡ）、１，４‐ジアザビシクロ（２，２，２）オクタン、ビス（２‐メチルアミノエチル）エーテル、トリメチルアミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”‐ペンタメチルジエチレントリアミン、ジメチルアミノエチルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、ベンジルジメチルアミン、Ｎ‐エチルモルホリン、Ｎ、Ｎ‐ジメチルアミノエチルモルホリン、Ｎ、Ｎ‐ジメチルシクロヘキシルアミン、２‐メチル‐２‐アザノルボルナン、ジブチル錫ジラウレート、第一錫オクトアート、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジアセテート、ジブチル錫マレエート、ジブチル錫ジ‐２‐エチルヘキサノエート、およびジブチル錫ジメルカプチドから成る群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。具体的には、上記反応速度制御剤は、ベンジルジメチルアミン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルシクロヘキシルアミン、およびトリエチルアミンからなる群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。
反応速度調節剤を、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．０５重量部～２重量部の量で使用してもよい。具体的には、反応速度調整剤を、上記ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．０５重量部～１．８重量部、０．０５重量部～１．７重量部、０．０５重量部～１．６重量部、０．１重量部～１．５重量部、０．１重量部～０．３重量部、０．２重量部～１．８重量部、０．２重量部～１．７重量部、０．２重量部～１．６重量部、０．２重量部～１．５重量部、または０．５重量部～１重量部の量で使用してもよい。反応速度制御剤を上記範囲内の量で使用すると、混合物（即ち、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調節剤、およびシリコーン系界面活性剤）の反応速度（即ち、固化時間））が適切に制御され、所望の大きさの孔を有する研磨パッドを製造することができる。
シリコーン系界面活性剤
シリコーン系界面活性剤は、形成される孔が互いに重なり合い、および合体するのを防止するように作用することができる。
シリコーン系界面活性剤を、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．２重量部～２重量部の量で使用してもよい。具体的には、上記界面活性剤を、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．２重量部～１．９重量部、０．２重量部～１．８重量部、０．２重量部～１．７重量部、０．２重量部～１．６重量部、０．２重量部～１．５重量部、または０．５重量部～１．５重量部の量で使用してもよい。シリコーン系界面活性剤の量が上記範囲内であると、気相発泡剤から誘導される孔を型内で安定して形成および保持することができる。
不活性ガス
不活性ガスは、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調節剤、およびシリコーン系界面活性剤を混合および反応させて、それによって研磨パッド中に孔を形成する際に供給される。不活性ガスの種類は、上記プレポリマーと硬化剤との反応に関与しないガスであれば特に限定されない。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガス（Ａｒ）、およびヘリウム（Ｈｅ）から成る群から選択される少なくとも１つであってもよい。具体的には、不活性ガスは、窒素ガス（Ｎ２）またはアルゴンガス（Ａｒ）であってもよい。
不活性ガスは、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調節剤、およびシリコーン系界面活性剤の合計量に対して、１５％～３０％の量で供給してもよい。具体的には、不活性ガスを、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度制御剤、およびシリコーン系界面活性剤の合計量に対して、２０～３０％の量で供給してもよい。
１つの例として、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調節剤、シリコーン系界面活性剤および不活性ガスを実質的に同時に混合工程に投入してもよい。
別の例としては、ウレタン系プレポリマー、固相発泡剤、およびシリコーン系界面活性剤を予め混合しておき、その後、硬化剤、反応速度調整剤、および不活性ガスを導入してもよい。即ち、反応速度調整剤を、ウレタン系プレポリマーまたは硬化剤と予め混合しない。
反応速度調整剤をウレタン系プレポリマー、硬化剤等と予め混合する場合、反応速度を制御することが困難となる可能性がある。特に、イソシアネート末端基を有する上記プレポリマーの安定性を著しく損なう可能性がある。
混合により、ウレタン系プレポリマーおよび硬化剤の反応を開始させ、固相発泡剤および不活性ガスを原材料中に均一に分散させる。このような場合には、反応速度を制御するために、反応開始時からウレタン系プレポリマーおよび硬化剤の反応において反応速度制御剤を介在させてもよい。具体的には、上記混合は、１，０００ｒｐｍ～１０，０００ｒｐｍまたは４，０００ｒｐｍ～７，０００ｒｐｍの速度で行ってもよい。上記速度範囲内では、原材料中に不活性ガスおよび固相発泡剤を均一に分散させることがより有利である。
ウレタン系プレポリマーおよび硬化剤を、各分子中の反応性基のモル数に対して、１：０．８～１：１．２のモル当量比、または１：０．９～１：１．１のモル当量比で混合してもよい。ここで、「各分子中の反応性基のモル数」とは、例えば、ウレタン系プレポリマー中のイソシアネート基のモル数および硬化剤中の反応性基（例えば、アミン基、アルコール基など）のモル数を意味する。従って、ウレタン系プレポリマーおよび硬化剤を前述のモル当量比を満足する単位時間当たりの量で供給するように供給速度を制御することにより、ウレタン系プレポリマーおよび硬化剤を混合工程中に一定速度で供給してもよい。
反応および孔の形成
ウレタン系プレポリマーおよび硬化剤は、それらの混合により互いと反応して、シート状などに成形される、固体ポリウレタンを形成する。具体的には、ウレタン系プレポリマー中のイソシアネート末端基は、硬化剤中のアミン基、アルコール基などと反応することができる。この場合、ウレタン系プレポリマーと硬化剤との反応に関与することなく、不活性ガスおよび固相発泡剤を原材料中に均一に分散して孔を形成する。
また、反応速度制御剤は、ウレタン系プレポリマーおよび硬化剤の反応を促進または遅延させることにより、孔径を調節する。例えば、反応速度制御剤が反応を遅延させる反応遅延剤である場合、原材料中に微細に分散された不活性ガスが互いと組み合わせられる時間を延長し、平均孔径を大きくすることができる。これに対して、反応速度制御剤が反応を促進させる反応促進剤である場合には、原材料中に微細に分散された不活性ガスが互いと組み合わせられる時間が短縮され、平均孔径を低減することができる。
成形
成形は金型を用いて行われる。具体的には、混合ヘッドなどによって十分に撹拌された原材料（即ち、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調整剤、シリコーン系界面活性剤および不活性ガスを含む混合物）を、金型内に注入して内部を充填してもよい。ウレタン系プレポリマーおよび硬化剤の反応が金型内で完了し、それによって金型の形状に適合する固化したケーキ状の成形体を製造する。
その後、このようにして得られた成形体を、研磨パッド製造用シートに適宜スライスまたは切断してもよい。１つの例として、最終的に製造される研磨パッドの厚さの５～５０倍の高さを有する金型内で成形体を作製し、次いで、これを同じ厚さにスライスして複数の研磨パッド用シートを一度に製造する。このような場合には、十分な固化時間を確保するために、反応速度制御剤として反応遅延剤を使用してもよい。従って、研磨パッド用シートを製造するために、金型の高さは、最終的に製造される研磨パッドの厚さの約５～約５０倍であってもよい。しかしながら、スライスされたシートは、金型内の成形位置に依存して異なる大きさの孔を有していてもよい。即ち、金型の下部位置で成形されたシートは微細な孔を有するのに対して、金型の上部位置で成形されたシートは、下部位置で形成されたシートよりも大きな孔を有する。
従って、シートが均一な大きさの孔を有するためには、１回の成形で１枚のシートを製造することができる成形型を使用することが好ましい。この目的のために、金型の高さは、最終的に製造される多孔質ポリウレタン研磨パッドの厚さと大きく異なることはない。例えば、最終的に製造される多孔質ポリウレタン研磨パッドの厚さの１～３倍の高さを有する金型を用いて成形を行ってもよい。より具体的には、上記金型は、最終的に製造される研磨パッドの厚さの１．１～２．５倍、または１．２～２倍の高さを有してもよい。このような場合、より均一な大きさを有する孔を形成するために、反応速度調節剤として反応促進剤を使用してもよい。
その後、上記金型から得られた成形体の上端部および下端部をそれぞれ切り取ってもよい。例えば、成形体の上端部および下端部のそれぞれを、成形体の合計厚さの１／３以下、１／２２～３／１０、または１／１２～１／４だけ切り取ってもよい。
具体的な例としては、最終的に製造される多孔質ポリウレタン研磨パッドの厚みの１．２～２倍の高さを有する金型を用いて成形を行い、成形時に上記金型から得られた成形体の上端部および下端部のそれぞれを、成形体の合計厚さの１／１２～１／４だけ切り取る更なる工程を次いで行ってもよい。
上記切り取る工程に続いて、上記製造方法は、上記成形体の表面上に溝を加工する工程、下部に接着する工程、検査、包装工程等を更に含んでもよい。これらの工程を、研磨パッドを製造するための従来の方法において実施してもよい。
（別の実施形態の多孔質ポリウレタン研磨パッド）
別の実施形態による多孔質ポリウレタン研磨パッドは、ポリウレタン樹脂および上記ポリウレタン樹脂中に分布された孔を含み、孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が平均孔径より小さく、最大ピークの孔径が１８～２８μｍであり、平均孔径が２４～３６μｍであり、最大ピークの孔径より１５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より１０μｍ以上１５μｍ未満大きい孔径を有する孔の断面積の合計よりも大きい。
上記孔は、ポリウレタン樹脂中に分散しているように存在する。具体的には、上記孔は、固相発泡剤として用いられる熱膨張したマイクロカプセルから誘導されてもよいし、不活性ガスから形成されてもよい。
図３ａを参照すると、多孔質ポリウレタン研磨パッドにおける孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径は平均孔径より小さく、最大ピークの孔径より１５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より１０μｍ以上１５μｍ未満大きい孔径を有する孔の断面積の合計よりも大きい。具体的には、最大ピークの孔径より１５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計および最大ピークの孔径より１０μｍ以上１５μｍ未満大きい孔径を有する孔の断面積の合計の差は、１％～１０％または５％～９％である。
例えば、最大ピークの孔径は１８μｍ～２８μｍであってもよく、平均孔径は２４μｍ～３６μｍであってもよい。具体的には、最大ピークの孔径は、平均孔径より１μｍ～１０μｍ小さくてもよい。より具体的には、最大ピークの孔径は、平均孔径よりも５μｍ～１０μｍまたは５μｍ～８μｍ小さくてもよい。
多孔質ポリウレタン研磨パッドは、上記研磨パッドの合計断面積の１００％に基づいて、３０％～７０％、または３０％～６０％の面積比で孔を含んでもよい。
孔は、固相発泡剤によって形成される第１の孔と、気相発泡剤によって形成される第２の孔とを含んでもよい。具体的には、第２の孔は、最大ピークの孔径よりも１５μｍ以上大きい孔径を有する孔および最大ピークの孔径よりも小さな孔径を有する孔を含んでもよい。
多孔質ポリウレタン研磨パッドの密度および物理的特性は、イソシアネートおよびポリオールの反応によって重合されたウレタン系プレポリマーの分子構造によって制御することができる。具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、３０ショアＤ～８０ショアＤの硬度を有してもよい。より具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、４０ショアＤ～７０ショアＤの硬度を有してもよい。
具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、０．６ｇ／ｃｍ３～０．９ｇ／ｃｍ３の比重を有してもよい。より具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、０．７ｇ／ｃｍ３～０．８５ｇ／ｃｍ３の比重を有してもよい。
具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、１０ｋｇｆ／ｃｍ２～１００ｋｇｆ／ｃｍ２の引張強さを有してもよい。より具体的には、上記孔性ポリウレタン研磨パッドは、１５ｋｇｆ／ｃｍ２～７０ｋｇｆ／ｃｍ２の引張強さを有してもよい。
具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、３０％～３００％の伸びを有してもよい。より具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、５０％～２００％の伸びを有してもよい。
上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、タングステンの研磨速度が１である時に、０．８～０．９９の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有してもよい。具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、タングステンの研磨速度が１である時に、０．８２～０．９８の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有してもよい。より具体的には、上記多孔質ポリウレタン研磨パッドは、８５０Å／分～１５００Å／分、８６０Å／分～１３００Å／分、または９００Å／分～１，３００Å／分の酸化ケイ素の研磨速度を有してもよい。
多孔質ポリウレタン研磨パッドの製造方法は、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度制御剤、およびシリコーン系界面活性剤を混合して、孔を形成しながら混合物を成形する際に、不活性ガスを吹き込む工程を含み、上記ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１～３重量部の配合量で、上記固相発泡剤を使用し、最大ピークの孔径が平均孔径より小さく、最大ピークの孔径が１８～２８μｍであり、平均孔径が２４μｍ～３６μｍであり、最大ピークの孔径より１５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より１０μｍ以上１５μｍ未満大きい孔径を有する孔の断面積の合計よりも大きい。
固相発泡剤は、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１重量部～３重量部の量で使用してもよい。具体的には、上記固相発泡剤は、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１．３重量部～２．７重量部、または１．３重量部～２．６重量部の量で使用してもよい。
反応速度調節剤は、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．２重量部～２重量部の量で使用してもよい。具体的には、上記反応速度調整剤は、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．２重量部～１．８重量部、０．２重量部～１．７重量部、０．２重量部～１．６重量部、または０．２重量部１．５重量部の量で使用してもよい。上記反応速度制御剤を上記範囲内の量で使用すると、混合物（即ち、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調節剤、およびシリコーン系界面活性剤）の反応速度（即ち、固化時間））が適切に制御され、所望の大きさの孔を有する研磨パッドを製造することができる。
シリコーン系界面活性剤は、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．２重量部～２重量部の量で使用してもよい。具体的には、上記界面活性剤を、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．２重量部～１．９重量部、０．２重量部～１．８重量部、０．２重量部～１．７重量部、０．２重量部～１．６重量部、または０．２重量部～１．５重量部の量で使用してもよい。上記シリコーン系界面活性剤の量が上記範囲内であると、気相発泡剤から誘導される孔を型内で安定して形成および保持することができる。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。但し、これらの実施例は本発明を例示するためのものであって、本発明の範囲をこれに限定するものではない。
（実施例１：多孔質ポリウレタン研磨パッドの作製）
１－１：装置の構成
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、不活性ガスおよび反応速度調整剤用の供給ラインを備えた注型機において、未反応ＮＣＯ含有量が９．１重量％であるＰＵＧＬ‐５５０Ｄ（ＳＫＣ）をプレポリマータンクに充填し、ビス（４‐アミノ‐３‐クロロフェニル）メタン（Ｉｓｈｉｈａｒａ）を硬化剤タンクに充填した。不活性ガスとしての窒素（Ｎ２）および反応速度制御剤としての反応促進剤（三級アミン化合物、メーカー：Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ、製品名：Ａ１）を準備した。更に、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、２重量部の固相発泡剤（メーカー：ＡｋｚｏＮｏｂｅｌ、製品名：Ｅｘｐａｎｃｅｌ ４６１ ＤＥＴ ２０ ｄ４０、平均粒径２０μｍ）および１重量部のシリコーン系界面活性剤（メーカー：Ｅｖｏｎｉｋ、製品名：Ｂ８４６２）を予め混合し、次いでプレポリマータンクに充填した。
１－２：研磨パッドの作製
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度制御剤、不活性ガスを、それぞれの供給ラインによって混合ヘッドに一定速度で供給しながら撹拌した。その際、硬化剤中の反応性基に対するウレタン系プレポリマー中のＮＣＯ基のモル当量比を１：１に調整し、全供給量を１０ｋｇ／分の速度に維持した。また、不活性ガスを、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度制御剤、シリコーン系界面活性剤の合計体積に対して、２５％の体積で連続的に供給した。反応速度調節剤を、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．１重量部の量で供給した。
混合した原材料を金型（幅１，０００ｍｍ、長さ１，０００ｍｍ、高さ３ｍｍ）に注入し、固化してシートを得た。その後、多孔質ポリウレタン層の表面をグラインダーで研削し、次いでチップを用いて溝を入れ、そして多孔質ポリウレタンは２ｍｍの平均厚さを有した。
ホットメルトフィルム（メーカー：ＳＫＣ、製品名：ＴＦ‐００）を用いて、多孔質ポリウレタンおよび基材層（平均厚さ１．１ｍｍ）を１２０℃で熱接着させて研磨パッドを作製した。
（比較例２：多孔質ポリウレタン研磨パッドの作製）
工程１‐２の反応速度調整剤の供給量を、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、０．５重量部に変更した以外は、実施例１と同様にして研磨パッドを作製した。
（比較例３：多孔質ポリウレタン研磨パッドの作製）
工程１‐２の反応速度調整剤の供給量を、ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１重量部に変更した以外は、実施例１と同様にして研磨パッドを作製した。
試験方法
実施例１および比較例２～３で作製した研磨パッドの特性を、以下の条件および方法に従って測定した。その結果を表１～４および図１ａ～図３ｂに示す。
（１）硬度
ショアＤ硬度を測定した。上記研磨パッドを２ｃｍ×２ｃｍの大きさ（厚さ２ｍｍ）に切断し、次いで温度２３℃、３０℃、５０℃、および７０℃並びに５０±５％の湿度の条件下で１６時間静置した。その後、硬度計（Ｄ型硬度計）を用いて研磨パッドの硬度を測定した。
（２）比重
上記研磨パッドを４ｃｍ×８．５ｃｍ（厚さ２ｍｍ）の長方形に切断し、次いで温度２３±２℃、湿度５０±５％の条件下で１６時間静置した。比重計を用いて研磨パッドの比重を測定した。
（３）平均孔径および孔径に対する孔の断面積の合計の分布
上記研磨パッドを２ｃｍ×２ｃｍ（厚さ２ｍｍ）の正方形に切断し、１００倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。画像解析ソフトウェアを用いて画像を取得し、全孔径を上記画像から測定し、それから平均孔径、孔径に対する孔の断面積の合計の分布、および孔面積の比を得た。
孔径に対する孔の断面積の合計の分布を、図１ａ、図２ａ、および図３ａに示した。ＳＥＭ画像を図１ｂ、図２ｂ、および図３ｂに示した。
このような場合、ＳＥＭ画像から得られた孔を１μｍ単位に分類することにより、孔径に対する孔の断面積の合計の分布を作成した。例えば、図１ａの孔径に対する孔の断面積の合計の分布図では、孔径が１０～１１μｍより大きい孔径を有する孔を孔径１１μｍを有する孔に分類し、孔径が１１～１２μｍより大きい孔径を有する孔を孔径１２μｍを有する孔に分類し、孔径が１２～１３μｍより大きい孔径を有する孔を孔径１３μｍを有する孔に分類した。１４μｍ、１５μｍ、１６μｍ、１７μｍなどの孔径を有する孔も、同様に分類した。
また、平均孔径を、上記式１で定義した面積加重平均孔径として算出した。
更に、孔面積の比を、研磨パッドの断面積１００％に基づいて、断面内に観察された全孔の面積の比として算出した。
（４）引張強さ
万能試験機（ＵＴＭ）を用いて５００ｍｍ／分の速度で上記研磨パッドを試験しながら、破断直前の極限強さを測定した。
（５）伸び
引張強さと同じ測定方法を用いた。破断直前の最大変形量を測定し、初期長さに対する最大変形量の比を百分率（％）で表した。
（６）弾性率
引張強さと同じ測定方法を用いた。初期弾性領域における歪み‐応力曲線の傾きを計算した。
（７）表面粗さ（Ｒａ）
上記研磨パッドの２．５ｍｍ×１．９ｍｍの領域の表面粗さを、３Ｄスコープを用いて測定し、表面粗さ（Ｒａ）をＩＳＯ２５１７８‐２：２０１２の粗さ規格に従って計算した。
（８）タングステンおよび酸化ケイ素の研磨速度
ＣＭＰ研磨装置に、ＣＶＤ法により形成したタングステン（Ｗ）層を有する３００ｍｍのサイズを有するシリコンウェハをセットした。シリコンウェハのタングステン層を下に向けながら、シリコンウェハをプラテン上に搭載した研磨パッド上にセットした。その後、プラテンを１１５ｒｐｍの速度で３０秒間回転させ、研磨パッド上にタングステンスラリーを１９０ｍＬ／分の速度で供給しながら、タングステン層を２．８ｐｓｉの研磨荷重下で研磨した。研磨終了時に、シリコンウェハをキャリアから取り外し、スピンドライヤに取り付け、純水（ＤＩＷ）で洗浄し、次いで１５秒間風乾した。接触式シート抵抗測定装置（４点プローブ付）を用いて、研磨前後の乾燥シリコンウェハの層厚を測定した。次いで、以下の式２を用いて研磨速度を算出した。
［式２］
研磨速度（Å／分）＝研磨前後の厚さの差（Å）／研磨時間（分）
また、同じ装置に、タングステン層を有するシリコンウェハの代わりに、ＴＥＯＳプラズマＣＶＤ法によって形成された酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）層を有する３００ｍｍのサイズを有するシリコンウェハを使用した。次に、シリコンウェハの酸化ケイ素層を下に向けながら、プラテン上に搭載した研磨パッド上に上記シリコンウェハをセットした。その後、プラテンを１１５ｒｐｍの速度で６０秒間回転させ、研磨パッド上に焼成したシリカスラリーを１９０ｍＬ／分の速度で供給しながら、酸化ケイ素層を１．４ｐｓｉの研磨荷重下で研磨した。研磨終了時に、シリコンウェハをキャリアから取り外し、スピンドライヤに取り付け、純水（ＤＩＷ）で洗浄し、次いで１５秒間風乾した。研磨前後の乾燥したシリコンウェハの膜厚差を、分光反射率計型厚さ測定器（メーカー：Ｋｙｅｎｃｅ、型式：ＳＩ‐Ｆ８０Ｒ）を用いて測定した。次いで、上記式２を用いて研磨速度を算出した。
Figure 0007045334000001
Figure 0007045334000002
Figure 0007045334000003
Figure 0007045334000004
図１ａ並びに表１および表２に示すように、実施例１の研磨パッドの孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径は５９μｍであり、最大ピークの孔径は平均孔径より大きかった。また、孔の断面積の合計を１００％とした時に、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計は８２．８％であり、最大ピークの孔径より５μｍ大きい孔径を有する孔の断面積の合計は８．４％であった。更に、表１に示すように、実施例１の研磨パッドは、タングステンの研磨速度が１である時に、０．７０の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有した。
図２ａ並びに表１および表３に示すように、比較例２の研磨パッドの孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径は２６μｍであり、最大ピークの孔径は平均孔径より大きかった。また、孔の断面積の合計を１００％とした時に、最大ピークの孔径より２０μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計は１７％であった。更に、表１に示すように、比較例２の研磨パッドは、タングステンの研磨速度が１である時に、０．７９５の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有した。
図３ａ並びに表１および表４に示すように、比較例３の研磨パッドの孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径は２３μｍであり、最大ピークの孔径は平均孔径より小さかった。また、孔の断面積の合計を１００％とした時に、最大ピークの孔径より１５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計は１４．８％であり、最大ピークの孔径より１０μｍ～１５μｍ未満大きい孔径を有する孔の断面積の合計は７．３％であった。更に、表１に示すように、比較例３の研磨パッドは、タングステンの研磨速度が１である時に、０．９３の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を有した。

Claims (7)

  1. ポリウレタン樹脂および該ポリウレタン樹脂中に分布された孔を含み、
    該孔が、固相発泡剤によって形成された孔を含み、
    １μｍ単位に分類した孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が５０～６５μｍであり、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計より大きく、
    最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計と、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計との差が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、５０～９５％である
    、多孔質ポリウレタン研磨パッド。
  2. 孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、
    最大ピークの孔径が、平均孔径より大きく、
    該平均孔径が、３５～５５μｍであり、
    最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、７０～９０％である、請求項１記載の多孔質ポリウレタン研磨パッド。
  3. 孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径より２０μｍ以上小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計より大きく、
    最大ピークの孔径より２０μｍ以上小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、３０～５０％である、請求項１記載の多孔質ポリウレタン研磨パッド。
  4. 孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が平均孔径より１０～６０μｍ大きい、請求項１記載の多孔質ポリウレタン研磨パッド。
  5. 前記固相発泡剤によって形成された該孔が、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔を含む、請求項１記載の多孔質ポリウレタン研磨パッド。
  6. タングステンの研磨速度が１である場合、０．６～０．９９の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の研磨速度を有する、請求項１記載の多孔質ポリウレタン研磨パッド。
  7. ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度制御剤、およびシリコーン系界面活性剤を混合して、孔を形成しながら混合物を成形する際に、不活性ガスを吹き込む工程を含み、
    該ウレタン系プレポリマー１００重量部に対して、１～３重量部の配合量で、該固相発泡剤を使用し、
    １μｍ単位に分類した孔径に対する孔の断面積の合計の分布図において、最大ピークの孔径が５０～６５μｍであり、最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計が、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計より大きく、
    最大ピークの孔径より小さい孔径を有する孔の断面積の合計と、最大ピークの孔径より５μｍ以上大きい孔径を有する孔の断面積の合計との差が、全孔の断面積の合計１００％に基づいて、５０～９５％である、多孔質ポリウレタン研磨パッドを製造する方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102058877B1 (ko) * 2018-04-20 2019-12-24 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
KR102174958B1 (ko) * 2019-03-27 2020-11-05 에스케이씨 주식회사 결함 발생을 최소화시키는 연마패드 및 이의 제조방법
TWI741753B (zh) 2019-10-29 2021-10-01 南韓商Ｓｋｃ索密思股份有限公司 研磨墊、製造該研磨墊之方法及使用該研磨墊以製造半導體裝置之方法
KR102293765B1 (ko) * 2019-11-21 2021-08-26 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
CN114589620B (zh) * 2020-12-03 2023-05-23 中国科学院微电子研究所 半导体研磨垫及制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016129223A (ja) 2014-12-19 2016-07-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 高安定性ポリウレタン研磨パッド

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040171339A1 (en) * 2002-10-28 2004-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US20060022368A1 (en) * 2002-11-18 2006-02-02 Kyu-Don Lee Method of fabricating polyurethane foam with micro pores and polishing pad therefrom
US20050171224A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
US8075372B2 (en) 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
KR100949560B1 (ko) * 2005-05-17 2010-03-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
US9951054B2 (en) * 2009-04-23 2018-04-24 Cabot Microelectronics Corporation CMP porous pad with particles in a polymeric matrix
US8702479B2 (en) * 2010-10-15 2014-04-22 Nexplanar Corporation Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters
JP2013086217A (ja) 2011-10-19 2013-05-13 Dic Corp 研磨パッド用ウレタン樹脂組成物、ポリウレタン研磨パッド及びポリウレタン研磨パッドの製造方法
KR101417274B1 (ko) * 2012-05-23 2014-07-09 삼성전자주식회사 연마패드 및 그 제조방법
US20150038066A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
US9452507B2 (en) * 2014-12-19 2016-09-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled-viscosity CMP casting method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016129223A (ja) 2014-12-19 2016-07-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 高安定性ポリウレタン研磨パッド

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