JP7041092B2 - ビアリールホスフィンの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として有用なビアリールホスフィンの製造方法に関するものである。
マサチューセッツ工科大学Ｂｕｃｈｗａｌｄ教授らのグループは電子豊富でかさ高い一連のホスフィン類を提案した（例えば、特許文献１～５等）。これらは、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子と呼ばれ、種々のＣ－Ｃ，Ｃ－Ｎ，Ｃ－Ｏ結合生成を左右する機能が注目されている。
Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として、ｔ－ＢｕＢｒｅｔｔＰｈｏｓ、ＲｏｃｋＰｈｏｓｓ、ＢｒｅｔｔＰｈｏｓ等のビアリールホスフィンが知られている。
これらのビアリールホスフィンの製造方法としては、例えば下記の特許文献５、非特許文献１及び非特許文献２に、反応スキーム１に従ってグリニャール試薬と反応させる工程を含む方法が提案されている。
しかしながら、特許文献５、非特許文献１及び非特許文献２では、グリニャール試薬を用いるため、これを別途調整する工程が必要であり、反応及び副生物の処理等が煩雑になり工業的に有利でない。加えて副生成物を除き純度を高めるために、一旦中間体（反応スキーム１の６の化合物）を単離する必要があった。
Advanced Synthesis & Catalysis, 2012，354，2031－2037
Journal of the American Chemical Society，2008,130,13552－S.I.
したがって、本発明の目的は、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として有用なビアリールホスフィンをより簡便で工業的に有利な方法で製造することができる方法を提供することにある。
本発明者らは、上記課題に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、少なくとも下記一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をリチオ化したリチオ化物と、下記一般式（２）で表されるベンゼン誘導体とを反応させる工程を含む一連の工程を行うことにより、目的とする下記一般式（５）で表されるビアリールホスフィンを純度よく得ることができることを見出し、本発明を完成するに到った。
したがって、本発明が提供する第１の発明は、
下記一般式（１）
（式中、Ｒ１～Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ１～Ｒ３は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ１はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、
下記一般式（２）
（式中、Ｒ４～Ｒ５は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ４～Ｒ５は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ２はハロゲン原子を示す。）で表されるベンゼン誘導体とを反応させて下記一般式（３）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。）で表されるビフェニル誘導体を得る第Ａ工程、
次いで、該ビフェニル誘導体と、下記一般式（４）：
（Ｒ６）（Ｒ７）ＰＸ３ （４）
（式中、Ｒ６～Ｒ７はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基又はヘテロアラルキル基を示し、Ｒ６～Ｒ７は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｘ３はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させる第Ｂ工程
とを、有する下記一般式（５）
（式中、Ｒ１～Ｒ７は前記と同義。）で表されるビアリールホスフィンの製造方法である。
下記一般式（１）
下記一般式（２）
次いで、該ビフェニル誘導体と、下記一般式（４）：
（Ｒ６）（Ｒ７）ＰＸ３ （４）
（式中、Ｒ６～Ｒ７はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基又はヘテロアラルキル基を示し、Ｒ６～Ｒ７は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｘ３はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させる第Ｂ工程
とを、有する下記一般式（５）
また、本発明が提供する第２の発明は、下記一般式（１）
（式中、Ｒ１～Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ１～Ｒ３は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ１はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、
下記一般式（２）
（式中、Ｒ４～Ｒ５は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ４～Ｒ５は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ２はハロゲン原子を示す。）で表されるベンゼン誘導体とを反応させて下記一般式（３）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。）で表されるビフェニル誘導体を得る第Ａ工程、
次いで、該ビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させて、下記一般式（６）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。Ａは臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体を得る第Ｃ工程、
次いで、該ハロゲン化ビフェニル誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、下記一般式（４）：
（Ｒ６）（Ｒ７）ＰＸ３ （４）
（式中、Ｒ６～Ｒ７はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基又はヘテロアラルキル基を示し、Ｒ６～Ｒ７は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｘ３はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させる第Ｄ工程
とを、有する下記一般式（５）
（式中、Ｒ１～Ｒ７は前記と同義。）で表されるビアリールホスフィンの製造方法である。
下記一般式（２）
次いで、該ビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させて、下記一般式（６）
次いで、該ハロゲン化ビフェニル誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、下記一般式（４）：
（Ｒ６）（Ｒ７）ＰＸ３ （４）
（式中、Ｒ６～Ｒ７はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基又はヘテロアラルキル基を示し、Ｒ６～Ｒ７は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｘ３はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させる第Ｄ工程
とを、有する下記一般式（５）
また、本発明が提供する第３の発明は、下記一般式（１）
（式中、Ｒ１～Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ１～Ｒ３は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ１はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、
下記一般式（２）
（式中、Ｒ４～Ｒ５は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ４～Ｒ５は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ２はハロゲン原子を示す。）で表されるベンゼン誘導体とを反応させて下記一般式（３）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。）で表されるビフェニル誘導体を得る第Ａ工程、
次いで、該ビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させる第Ｄ工程とを、有する下記一般式（６）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。Ａは臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法である。
下記一般式（２）
次いで、該ビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させる第Ｄ工程とを、有する下記一般式（６）
本発明によれば、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として有用なビアリールホスフィンを工業的に有利な方法で、純度よく得ることができる。
以下、本発明をその好ましい実施形態に基づいて説明する。
本発明の第Ａ工程は、一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、一般式（２）で表されるベンゼン誘導体とを反応させて一般式（３）で表されるビフェニル誘導体を得る工程である。
本発明の第Ａ工程は、一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、一般式（２）で表されるベンゼン誘導体とを反応させて一般式（３）で表されるビフェニル誘導体を得る工程である。
一般式（１）の式中のＲ１～Ｒ３としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基、アミノ基が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素原子数が好ましくは１～１２、更に好ましくは１～８の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｎ－ブチル基、２－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、２－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、２，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、２－ヘキシル基、３－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、５－メチルペンチル基等が挙げられる。
前記シクロアルキル基としては、例えば炭素数３～１６のシクロアルキル基が挙げられる。具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、２－メチルシクロペンチル基、３－メチルシクロペンチル基、シクロヘプチル基、２－メチルシクロヘキシル基、３－メチルシクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基が挙げられる。シクロアルキル基には多環アルキル基も含まれる。その例としては、メンチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
前記アリール基としては、例えば炭素数６～１６のフェニル基が挙げられる。具体的にはフェニル基、４－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、２－メチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
前記ヘテロアリール基としては、例えば５員又は６員の単環の芳香族複素環基や多環の芳香族複素環基が好ましく挙げられる。例えばヘテロアリール基として、１～３個の例えば窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる芳香族複素環基が挙げられる。具体的にはピリジル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、フルフリル基、ピラニル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基等が挙げられる。
前記アラルキル基としては、例えば炭素数７～１２のアラルキル基が挙げられる。具体的にはベンジル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルプロピル基、２－フェニルプロピル基、３－フェニルプロピル基、１－フェニルブチル基、２－フェニルブチル基、３－フェニルブチル基、４－フェニルブチル基、１－フェニルペンチル基、２－フェニルペンチル基、３－フェニルペンチル基、４－フェニルペンチル基、５－フェニルペンチル基、１－フェニルヘキシル基、２－フェニルヘキシル基、３－フェニルヘキシル基、４－フェニルヘキシル基、５－フェニルヘキシル基、６－フェニルヘキシル基等が挙げられる。
前記ヘテロアラルキル基は、ヘテロアリール基にアルキル基が結合した構造を有するものである。前記ヘテロアラルキル基としては、例えば、炭素数６～１６のヘテロアラルキル基が挙げられる。具体的には２－ピリジルメチル基、４－ピリジルメチル基、イミダゾリルメチル基、チアゾリルエチル基等が挙げられる。
前記アルコシキ基は、上述したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基及びヘテロアラルキル基が酸素を介して結合する基である。例えば、メトキシ基、エトキシ基、フェニルオキシ基、ベンジルオキシ基、ｐ－メトキシベンジルオキシ基等が挙げられる。
前記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコシキ基が挙げられる。なお、置換基のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコシキ基は、前記したR１～R３の種類と同様なものが例示される。これらの中、置換基は、直鎖状又は分岐状の炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。
一般式（１）中のＲ１～Ｒ３は、それぞれが同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｒ１～Ｒ３は同一の基であることが好ましい。特に、本製造方法では、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として有用なビアリールホスフィンを製造する観点から、Ｒ１～Ｒ３はｉｓｏ－プロピル基であることが好ましい。一般式（１）中のＸ１の種類としては、例えばフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子が挙げられる。
一般式（２）の式中のＲ４～Ｒ５としては、アルキル基、アルコシキ基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アミノ基が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素原子数が好ましくは１～１２、更に好ましくは１～８の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｎ－ブチル基、２－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、２－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、２，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、２－ヘキシル基、３－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、５－メチルペンチル基等が挙げられる。
前記シクロアルキル基としては、例えば炭素数３～１６のシクロアルキル基が挙げられる。具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、２－メチルシクロペンチル基、３－メチルシクロペンチル基、シクロヘプチル基、２－メチルシクロヘキシル基、３－メチルシクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基が挙げられる。シクロアルキル基には多環アルキル基も含まれる。その例としては、メンチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
前記アリール基としては、例えば炭素数６～１６のフェニル基が挙げられる。具体的にはフェニル基、４－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、２－メチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
前記ヘテロアリール基としては、例えば５員又は６員の単環の芳香族複素環基や多環の芳香族複素環基が好ましく挙げられる。例えばヘテロアリール基として、１～３個の例えば窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる芳香族複素環基が挙げられる。具体的にはピリジル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、フルフリル基、ピラニル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基等が挙げられる。
前記アラルキル基としては、例えば炭素数７～１２のアラルキル基が挙げられる。具体的にはベンジル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルプロピル基、２－フェニルプロピル基、３－フェニルプロピル基、１－フェニルブチル基、２－フェニルブチル基、３－フェニルブチル基、４－フェニルブチル基、１－フェニルペンチル基、２－フェニルペンチル基、３－フェニルペンチル基、４－フェニルペンチル基、５－フェニルペンチル基、１－フェニルヘキシル基、２－フェニルヘキシル基、３－フェニルヘキシル基、４－フェニルヘキシル基、５－フェニルヘキシル基、６－フェニルヘキシル基等が挙げられる。
前記ヘテロアラルキル基としては、例えば、炭素数６～１６のヘテロアラルキル基が挙げられ、具体的には２－ピリジルメチル基、４－ピリジルメチル基、イミダゾリルメチル基、チアゾリルエチル基等が挙げられる。
前記アルコシキ基は、上述したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基及びヘテロアラルキル基が酸素を介して結合する基である、例えば、メトキシ基、エトキシ基、フェニルオキシ基、ベンジルオキシ基、ｐ－メトキシベンジルオキシ基等が挙げられる。
前記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコシキ基が挙げられる。なお、置換基のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコシキ基は、前記したR４～R５の種類と同様なものが例示される。これらの中、置換基は、直鎖状又は分岐状の炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。これらのうち、置換基は、直鎖状又は分岐状の炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。
一般式（２）の式中のＲ４～Ｒ５は、同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。特に、本製造方法では、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として有用なビアリールホスフィンを製造する観点から、Ｒ４～Ｒ５はメチル基又はメトキシ基が好ましい。同様の観点から、Ｒ４～Ｒ５は同一の基であることが好ましい。一般式（２）の式中のＸ２の種類としては、例えばフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子が挙げられる。
第Ａ工程の反応操作では、一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物を含む溶液（以下、「ａ液」と言うことがある。）を調製する。またａ液とは別に、一般式（２）で表されるベンゼン誘導体を含む溶液（以下、「ｂ液」と言うことがある。）を調製する。次いで、ａ液にｂ液を添加するか、又はｂ液にａ液を添加することにより反応を行うことが好ましい。
ａ液は一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体を含む液に、リチオ化剤を添加し得られるハロゲン化ベンゼン誘導体のリチオ化物を含む溶液である。ａ液中の一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の濃度は、１質量％～３０質量％、特に５質量％～２０質量％とすることが、反応性を高める観点や、副生成物を制御する観点から好ましい。
ａ液に係るリチオ化剤としては、例えば、有機リチウム化合物が用いられる。有機リチウム化合物の例としては、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ－プロピルリチウム、ｓｅｃ－プロピルリチウム、ｎ－ブチルリチウム、ｓｅｃ－ブチルリチウム、ｔｅｒｔ－ブチルリチウム等が挙げられる。これらのうち、ｎ－ブチルリチウムが適度な塩基性と十分な反応性の観点から好ましい。
リチオ化剤の添加量は、一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体に対するリチオ化剤のモル比で、２．０～７．０、特に２．１～６．５とすることが、経済性と反応性の観点から好ましい。
ａ液で用いることができる溶媒としては、一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体及び生成するリチオ化物を溶解することができ、且つ反応に不活性な溶媒であれば、特に制限はない。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、１，２－ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。これらのうち、特にテトラヒドロフランがリチオ化物の溶解性の観点から好ましい。
前記リチオ化剤の添加温度は、副生成物を制御する観点から、－８０～２０℃とすることが好ましく、－８０～－１０℃とすることがより好ましい。一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体を含む液に、リチオ化剤を添加することにより、一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体のリチオ化が速やかに行われる。リチオ化の反応を完結させることを目的として、必要に応じてリチオ化剤の添加終了後に引き続き熟成反応を行ってもよい。
ｂ液は一般式（２）で表されるベンゼン誘導体を溶媒に溶解した溶液である。ｂ液中の一般式（２）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の濃度は５質量～９０質量％、特に１０～５０質量％とすることが反応性や副生成物の制御の観点から好ましい。
ｂ液で用いることができる溶媒としては、前記一般式（２）で表されるベンゼン誘導体を溶解することができ且つ反応に不活性な溶媒であれば、特に制限はない。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、１，２－ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。これらのうち、特にテトラヒドロフランが極性及び溶解性の観点から好ましい。
ａ液とｂ液との混合は、ｂ液中の一般式（２）で表されるベンゼン誘導体に対する、ａ液中の一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の仕込みモル比が、１．０～５．０となるように行うことが、副生成物を制御しつつ収率を向上できる観点から好ましい。
特に本製造方法を、後述する「（１）の製造方法」により行う場合は、ｂ液中の一般式（２）で表されるベンゼン誘導体に対する、ａ液中の一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の仕込みモル比が１．０～５．０、特に１．０～３．０、とりわけ１．２～２．５となるように両者を添加することが収率向上と経済性の観点から好ましい。
また本製造方法を、後述する「（２）の製造方法」により行う場合も同様であり、ｂ液中の一般式（２）で表されるベンゼン誘導体に対する、ａ液中の一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の仕込みモル比が１．０～５．０、好ましくは１．０～３．０、特に１．２～２．５となるように添加することが収率向上と経済性の観点から好ましい。
ａ液及び／又はｂ液の添加速度は特に制限されるものではない。安定した品質の目的物を得る観点から一定速度で添加することが好ましい。ａ液及び／又はｂ液の添加は連続的であってもよく、断続的であってもよい。ａ液とｂ液とを混合している間の混合液の内温は、以下に述べるａ液又はｂ液の好ましい添加温度の範囲内に維持することが好ましい。
ａ液及びｂ液の添加温度は、純度が高い目的物を高収率で得る観点から、それぞれ独立に－８０～２０℃、特に－８０～－１０℃とすることが好ましい。
ａ液とｂ液との混合後、必要により、反応を完結させるため熟成反応を引き続き行うことができる。熟成反応の温度は、反応促進の観点と副生成物を制御する観点から－８０℃～２０℃、特に－８０℃～－１０℃とすることが好ましい。熟成反応の終了はガスクロマトグラフィー分析により、（２）で表されるベンゼン誘導体の存在の有無で確認することができる。反応時間は、反応条件等にもよるが、通常１時間以上、好ましくは３～１２時間で、満足すべき目的物を得ることができる。
本製造方法においては、第Ａ工程後に、下記の（１）第Ｂ工程（以下、「（１）の製造方法」ということがある。）、あるいは（２）第Ｃ～Ｄ工程（以下、「（２）の製造方法」ということがある。）を行うことにより、本製造方法で目的とする一般式（５）で表されるビアリールホスフィンを製造することができる。
＜（１）の製造方法＞
第Ｂ工程は、下記反応スキーム２に従って、第Ａ工程で得られたビフェニル誘導体と、一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させて目的とする一般式（５）で表されるビアリールホスフィンを製造する工程である。
（式中、Ｒ１～Ｒ７及びＸ３は前記と同義。）
第Ｂ工程は、下記反応スキーム２に従って、第Ａ工程で得られたビフェニル誘導体と、一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させて目的とする一般式（５）で表されるビアリールホスフィンを製造する工程である。
本製造方法において、第Ｂ工程は第Ａ工程からの連続反応でもよく、また、第Ａ工程終了後に一般式（３）で表されるビフェニル誘導体を反応液から回収した後、必要により精製を行い、次いで第Ｂ工程を行ってもよい。
一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンの式中のＲ６及びＲ７は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基又はヘテロアラルキル基を示す。
前記アルキル基としては、炭素原子数が好ましくは１～１２、更に好ましくは１～８の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｎ－ブチル基、２－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、２－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、２，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、２－ヘキシル基、３－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、５－メチルペンチル基等が挙げられる。
前記シクロアルキル基としては、例えば炭素数３～１６のシクロアルキル基が挙げられる。具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、２－メチルシクロペンチル基、３－メチルシクロペンチル基、シクロヘプチル基、２－メチルシクロヘキシル基、３－メチルシクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基が挙げられる。シクロアルキル基には多環アルキル基も含まれる。その例としては、メンチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
前記アリール基としては、例えば炭素数６～１６のフェニル基が挙げられる。具体的にはフェニル基、４－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、２－メチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
前記ヘテロアリール基としては、例えば５員又は６員の単環の芳香族複素環基や多環の芳香族複素環基が好ましく挙げられる。例えばヘテロアリール基として、１～３個の例えば窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる芳香族複素環基が挙げられる。具体的にはピリジル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、フルフリル基、ピラニル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基等が挙げられる。
前記アラルキル基としては、例えば炭素数７～１２のアラルキル基が挙げられる。具体的にはベンジル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルプロピル基、２－フェニルプロピル基、３－フェニルプロピル基、１－フェニルブチル基、２－フェニルブチル基、３－フェニルブチル基、４－フェニルブチル基、１－フェニルペンチル基、２－フェニルペンチル基、３－フェニルペンチル基、４－フェニルペンチル基、５－フェニルペンチル基、１－フェニルヘキシル基、２－フェニルヘキシル基、３－フェニルヘキシル基、４－フェニルヘキシル基、５－フェニルヘキシル基、６－フェニルヘキシル基等が挙げられる。
前記ヘテロアラルキル基としては、例えば、炭素数６～１６のヘテロアラルキル基が挙げられ、具体的には２－ピリジルメチル基、４－ピリジルメチル基、イミダゾリルメチル基、チアゾリルエチル基等が挙げられる。
前記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基及びヘテロアラルキル基は、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコシキ基が挙げられる。なお、置換基のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコシキ基は、前記したR６及びR４の種類と同様なものが例示される。これらのうち、置換基は、直鎖状又は分岐状の炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。なお、置換基のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコシキ基は、前記したR６及びR７の種類と同様なものが例示される。これらのうち、置換基は、直鎖状又は分岐状の炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。
一般式（４）の式中のＲ６～Ｒ７は、同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｒ６～Ｒ７は同一の基であることが好ましい。特に、本製造方法では、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として有用なビアリールホスフィンを製造する観点から、Ｒ６～Ｒ７はアダマンチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基又はシクロヘキシル基であることが好ましい。一般式（１）の式中のＸ３の種類は、例えばフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子が挙げられる。
第Ｂ工程においては、第Ａ工程で得られたビフェニル誘導体と、一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンとを溶媒中で反応させることが好ましい。第Ｂ工程で用いることができる溶媒としては、一般式（３）で表されるビフェニル誘導体を溶解することができ、且つ一般式（４）のハロゲン化ホスフィン及び一般式（５）で表されるビアリールホスフィンに対して不活性な溶媒であれば、特に制限はない。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、１，２－ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。これらのうち、特にテトラヒドロフランが極性及び溶解性の観点から好ましい。
一般式（４）のハロゲン化ホスフィンの添加量は、一般式（３）で表されるビフェニル誘導体に対する、一般式（４）のハロゲン化ホスフィンのモル比で表して１．０～３．０、好ましくは１．０～１．５とすることが経済性と反応性の観点から好ましい。
第Ｂ工程での反応温度は、反応促進と副生成物の制御する観点から－５０～８０℃、特に－３０～５０℃とすることが好ましい。
第Ｂ工程の反応の終了は、ガスクロマトグラフィー分析により、（３）で表されるビフェニル誘導体の存在の有無で確認することができる。反応時間は反応条件等にもよるが、通常１時間以上、好ましくは１～１０時間で満足すべき目的物を得ることができる。
第Ｂ工程の反応終了後、生成した一般式（５）で表されるビアリールホスフィンは、必要に応じて再結晶、カラムクロマトグラフィー、抽出といった精製作業に付してもよい。
＜（２）の製造方法＞
第Ｃ工程は、下記反応スキーム３に従って、第Ａ工程で得られたビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させて、一般式（６）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体を得る工程である。
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。Ａは臭素原子又はヨウ素原子を示す）
第Ｃ工程は、下記反応スキーム３に従って、第Ａ工程で得られたビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させて、一般式（６）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体を得る工程である。
本製造方法において、第Ｃ工程は第Ａ工程からの連続反応で行うことが好ましい。
第Ｃ工程に係るヨウ素化剤としては、例えば、ヨウ素、Ｎ－ヨードスクシンイミド、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられ、この中、ヨウ素が安価な汎用原料の観点から好ましく用いられる。また臭素化剤としては、例えば、臭素、Ｎ－ブロモスクシンイミド、三臭化リン、臭化カリウム等が挙げられ、この中、臭素が安価な汎用原料の観点から好ましく用いられる。
臭素化剤及びヨウ素化剤の添加量は、一般式（３）で表されるビフェニル誘導体に対する臭素化剤及びヨウ素化剤のモル比で表して、１．０～５．０、特に１．０～２．０とすることが経済性と反応性の観点から好ましい。
第Ｃ工程では、第Ａ工程で得られたビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを溶媒中で反応させることが好ましい。第Ｃ工程で用いることができる溶媒としては、一般式（３）で表されるビフェニル誘導を溶解することができ、且つ一般式（３）で表されるビフェニル誘導体及び一般式（６）で表されるビフェニル誘導体に対して不活性な溶媒であれば、特に制限はない。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、１，２－ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。これらのうち、特にテトラヒドロフランが反応性の観点から好ましい。
第Ｃ工程での反応温度は、反応性と副反応を制御する観点から、－８０～５０℃とすることが好ましく、－２０～２０℃とすることがより好ましい。
第Ｃ工程での反応の終了はガスクロマトグラフィー分析により、（３）で表されるビフェニル誘導体の存在の有無で確認することができる。反応時間は反応条件等にもよるが、通常１時間以上、好ましくは１～１０時間で満足すべき目的物を得ることができる。
第Ｄ工程は、下記反応スキーム４に従って、第Ｃ工程で得られた臭化ビフェニル誘導体又はヨウ化ビフェニル誘導体をリチオ化剤によってリチオ化した後、一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンと反応させて、目的とする一般式（５）で表されるビアリールホスフィンを製造する工程である。
（式中、Ｒ１～Ｒ７、Ｘ３及びＡは前記と同義。）
本製造方法において、第Ｄ工程は第Ｃ工程からの連続反応でもよく、また、第Ｃ工程終了後に一般式（６）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体を反応液から回収した後、必要により精製を行い、次いで第Ｄ工程を行ってもよい。
一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンの式中のＲ６及びＲ７としては、前述した第Ｂ工程と同じものを用いることができる。
一般式（６）で表されるビフェニル誘導体のリチオ化剤としては、例えば、有機リチウム化合物が用いられる。有機リチウム化合物の例としては、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ－プロピルリチウム、ｓｅｃ－プロピルリチウム、ｎ－ブチルリチウム、ｓｅｃ－ブチルリチウム、ｔｅｒｔ－ブチルリチウム等が挙げられる。これらのうち、ｎ－ブチルリチウムが適度な塩基性と十分な反応性の観点から好ましい。
リチオ化剤の添加量は、一般式（６）で表されるビフェニル誘導体に対するリチオ化剤のモル比で表して、１．０～２．０、特に１．１～１．５とすることが、経済性と反応性の観点から好ましい。
一般式（６）で表されるビフェニル誘導体のリチオ化物と、一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンとの反応は溶媒中で行うことが好ましい。用いることができる溶媒としては、一般式（６）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体及びそのリチオ化物を溶解することができ、且つ一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィン及び一般式（５）で表されるビアリールホスフィンに対して不活性な溶媒であれば、特に制限はない。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、１，２－ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。これらのうち、特にテトラヒドロフランが極性及び溶解性の観点から好ましい。
一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンの添加量は、一般式（６）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体に対する一般式（４）で表されるハロゲン化ホスフィンのモル比で表して、１．０～３．０、特に１．０～１．５とすることが経済性と反応性の観点から好ましい。
第Ｄ工程での反応温度は、反応促進と副生成物を制御する観点から－５０～８０℃、特に－３０～５０℃とすることが好ましい。
第Ｄ工程での反応の終了はガスクロマトグラフィー分析により、（３）で表されるビフェニル誘導体の存在の有無で確認することができる。反応時間は反応条件等にもよるが、通常１時間以上、好ましくは１～１０時間で満足すべき目的物を得ることができる。
第Ｄ工程の反応終了後、生成した一般式（５）で表されるビアリールホスフィンは、必要に応じて再結晶、カラムクロマトグラフィー、抽出といった精製作業に付してもよい。
本製造方法で得られる一般式（５）で表されるビアリールホスフィンは、特にＢｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子として有用である。また、本製造方法で得られる中間体の一般式（６）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体は、ビアリールホスフィンの中間原料として有用である。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
｛実施例１｝
＜第Ａ工程＞
十分に乾燥した１Ｌの四つ口フラスコを窒素置換した後、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）（５６．１ｇ、１９８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４５０ｍｌ）を仕込み、窒素雰囲気下で－７８℃へ冷却した後、１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１４０．９ｇ、３３０ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。次いで－７８℃で１時間熟成し、これをａ液とした。
十分に乾燥した１Ｌの四つ口フラスコを窒素置換した後、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）（５６．１ｇ、１９８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４５０ｍｌ）を仕込み、窒素雰囲気下で－７８℃へ冷却した後、１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１４０．９ｇ、３３０ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。次いで－７８℃で１時間熟成し、これをａ液とした。
別の３００ｍＬの四つ口フラスコを窒素置換した後、１－クロロ－２，５－ジメトキシベンゼン（ａ２）（２２．７ｇ、１３２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１２０ｍｌ）に溶解させてｂ液とした。ｂ液を１時間かけて内温が－８０℃付近（反応温度Ａ）を維持するようにａ液へ連続的に添加した。－１０℃へ徐々に昇温して８時間熟成したところ、黄色透明液となった。
＜第Ｂ工程＞
クロロジシクロヘキシルホスフィン（Ｃｙ２ＰＣｌ、３０．７ｇ、１３２ｍｍｏｌ）を３０分かけて内温が－１０℃付近を維持するように、第Ａ工程で得られた液に連続的に添加した。次いで－１０℃で５時間熟成した。
クロロジシクロヘキシルホスフィン（Ｃｙ２ＰＣｌ、３０．７ｇ、１３２ｍｍｏｌ）を３０分かけて内温が－１０℃付近を維持するように、第Ａ工程で得られた液に連続的に添加した。次いで－１０℃で５時間熟成した。
５０ｇの水を添加して反応を停止させると、液は橙色透明に変化した。真空ポンプを用いて５００ｍｌまで溶媒留去し、０．９質量％の重曹４００ｍｌと水４５０ｍｌで順番に反応液を洗浄して水層を廃棄した。次いで真空ポンプを用いて溶媒留去すると橙色固体が析出した。酢酸エチル１００ｍｌを加えて６０℃まで昇温して析出物を溶解させた。更に、メタノール３００ｍｌを、内温５５℃付近を保ちながら連続的に添加した。液を徐々に冷却すると５０℃付近で結晶の析出が開始した。更に５℃まで液を冷却し続けた。次いで析出物をグラスフィルターでろ過し、冷メタノールでリンスした後に減圧乾燥して２－ジシクロヘキシルホスフィノ－３，６－ジメトキシ－２’，４’，６’－トリイソプロピル－１，１’－ビフェニル（BrettPhos）を得た（３０．７ｇ、収率４２．４％）。３１Ｐ ＮＭＲで測定したところ、９９％以上の純度であり、ガスクロマトグラフィーの測定でも９９％以上の純度であった。
（BrettPhosの同定データ）
融点１９３－１９４℃
１Ｈ ＮＭＲ（５００．１５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ０．９５（ｄ，Ｊ＝６．８ Ｈｚ，６Ｈ），１．２２（ｄ，Ｊ＝６．８ Ｈｚ，６Ｈ），１．３３（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ），１．４３－０．９４（ｍ，１０Ｈ），１．７３－１．６３（ｍ，６Ｈ），１．８５－１．８１（ｍ，２Ｈ），２．２５－２．１７（ｍ，２Ｈ），２．４４（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），２．９５（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），３．５６（ｓ，３Ｈ），３．８３（ｓ，３Ｈ），６．８０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），６．８６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），６．８９（ｓ，２Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５．７６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２３．５，２３．９，２５．０，２６．５０，２６．５１，２７．４，２７．６，２７．８，２７．９，３０．４，３０．８，３０．９，３２．７，３２．９，３３．７，３６．５，３６．６，５４．５，５５．０，１０８．５，１１０．６，１２０．０，１２６．５，１２６．８，１３２．５，１３２．６，１３８．８，１３９．１，１４５．８，１４５．９，１４６．８，１５２．１，１５２．３，１５６．２，１５６．３；
３１Ｐ ＮＭＲ（２０２．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ１．６
融点１９３－１９４℃
１Ｈ ＮＭＲ（５００．１５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ０．９５（ｄ，Ｊ＝６．８ Ｈｚ，６Ｈ），１．２２（ｄ，Ｊ＝６．８ Ｈｚ，６Ｈ），１．３３（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ），１．４３－０．９４（ｍ，１０Ｈ），１．７３－１．６３（ｍ，６Ｈ），１．８５－１．８１（ｍ，２Ｈ），２．２５－２．１７（ｍ，２Ｈ），２．４４（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），２．９５（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），３．５６（ｓ，３Ｈ），３．８３（ｓ，３Ｈ），６．８０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），６．８６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），６．８９（ｓ，２Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５．７６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２３．５，２３．９，２５．０，２６．５０，２６．５１，２７．４，２７．６，２７．８，２７．９，３０．４，３０．８，３０．９，３２．７，３２．９，３３．７，３６．５，３６．６，５４．５，５５．０，１０８．５，１１０．６，１２０．０，１２６．５，１２６．８，１３２．５，１３２．６，１３８．８，１３９．１，１４５．８，１４５．９，１４６．８，１５２．１，１５２．３，１５６．２，１５６．３；
３１Ｐ ＮＭＲ（２０２．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ１．６
｛実施例２｝
ａ液において、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）を９３．５ｇ（３３０ｍｍｏｌ）に変更し、ａ液において１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液を１９７．３ｇ（４６２ｍｍｏｌ）に変更した以外は実施例１と同様にしてBrettPhosを合成した。（３８．７ｇ、収率５４．７％）。
ａ液において、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）を９３．５ｇ（３３０ｍｍｏｌ）に変更し、ａ液において１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液を１９７．３ｇ（４６２ｍｍｏｌ）に変更した以外は実施例１と同様にしてBrettPhosを合成した。（３８．７ｇ、収率５４．７％）。
｛実施例３｝
第Ａ工程において、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）のリチオ化物と１－クロロ－２，５－ジメトキシベンゼン（ａ２）との反応温度Ａを－３０℃とした以外は、実施例１と同様にしてBrettPhosを合成した。（２６．６ｇ、収率３７．６％）。
第Ａ工程において、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）のリチオ化物と１－クロロ－２，５－ジメトキシベンゼン（ａ２）との反応温度Ａを－３０℃とした以外は、実施例１と同様にしてBrettPhosを合成した。（２６．６ｇ、収率３７．６％）。
｛実施例４｝
実施例１で用いたｂ液において１－クロロ－２，５－ジメトキシベンゼン（ａ２）を１－フルオロ－２，５－ジメトキシベンゼン（ａ２）（２０．６ｇ、０．１３２ｍｍｏｌ）に変更した以外は、実施例１と同様にしてBrettPhosを合成した。（３５．１ｇ、収率４９．６％）。
｛実施例５｝
＜第Ａ工程＞
十分に乾燥した１Ｌの四つ口フラスコを窒素置換した後、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）（９３．５ｇ、３３０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４５０ｍｌ）を仕込み、窒素雰囲気下で－７８℃へ冷却した後、１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１９７．３ｇ、４６２ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。次いで－７８℃で１時間熟成し、これをａ液とした。
十分に乾燥した１Ｌの四つ口フラスコを窒素置換した後、２，４，６－トリイソプロピルブロモベンゼン（ａ１）（９３．５ｇ、３３０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４５０ｍｌ）を仕込み、窒素雰囲気下で－７８℃へ冷却した後、１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１９７．３ｇ、４６２ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。次いで－７８℃で１時間熟成し、これをａ液とした。
別の３００ｍＬの四つ口フラスコを窒素置換した後、１－クロロ－２，５－ジメトキシベンゼン（ａ２）（２２．７ｇ、１３２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１２０ｍｌ）に溶解させてｂ液とした。ｂ液を１時間かけて内温が－８０℃付近（反応温度Ａ）を維持するようにａ液へ連続的に添加した。－１０℃へ徐々に昇温して８時間熟成したところ、黄色透明液となった。
＜第Ｃ工程＞
あらかじめｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル（２００ｍｌ）にヨウ素（６７．０ｇ、２６４ｍｍｏｌ）を溶解させておき、そのヨウ素のｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル溶液を、第Ａ工程で得られた液に－１０℃でゆっくり滴下した。その後そのまま６時間撹拌した。１０質量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液２５０ｍｌで２回有機層を洗浄した後、純水２５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去した後、酢酸－メタノール混合溶媒（１：１）で再結晶した。得られた結晶を、冷メタノールでリンスした後に減圧乾燥して２－ヨード－３，６－ジメトキシ－２’，４’，６’－トリイソプロピル－１，１’－ビフェニル（ヨウ素中間体）を得た（４２．３ｇ、９０．５ｍｍｏｌ、６８．６％）。ガスクロマトグラフィーの測定で９９％以上の純度であった。
あらかじめｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル（２００ｍｌ）にヨウ素（６７．０ｇ、２６４ｍｍｏｌ）を溶解させておき、そのヨウ素のｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル溶液を、第Ａ工程で得られた液に－１０℃でゆっくり滴下した。その後そのまま６時間撹拌した。１０質量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液２５０ｍｌで２回有機層を洗浄した後、純水２５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去した後、酢酸－メタノール混合溶媒（１：１）で再結晶した。得られた結晶を、冷メタノールでリンスした後に減圧乾燥して２－ヨード－３，６－ジメトキシ－２’，４’，６’－トリイソプロピル－１，１’－ビフェニル（ヨウ素中間体）を得た（４２．３ｇ、９０．５ｍｍｏｌ、６８．６％）。ガスクロマトグラフィーの測定で９９％以上の純度であった。
（Biaryl－Iの同定データ）
融点１９９－２００℃
１Ｈ ＮＭＲ（５００．１５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ０．９９（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．１７（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．３１（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），２．３６（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），２．９５（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝６．９ Ｈｚ，１Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），３．８９（ｓ，３Ｈ），６．８０（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，１Ｈ），６．８９（ｄ，Ｊ＝８．９ Ｈｚ，１Ｈ），７．０４（ｓ，２Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５．７６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２３．６，２４．０，２４．５，３０．８，３４．１，５５．５，５６．８，９６．４，１０９．２，１１０．０，１２０．７，１３５．９，１３６．２，１４５．７，１４８．２，１５２．３，１５２．５．
融点１９９－２００℃
１Ｈ ＮＭＲ（５００．１５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ０．９９（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．１７（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．３１（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），２．３６（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），２．９５（ｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝６．９ Ｈｚ，１Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），３．８９（ｓ，３Ｈ），６．８０（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，１Ｈ），６．８９（ｄ，Ｊ＝８．９ Ｈｚ，１Ｈ），７．０４（ｓ，２Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５．７６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２３．６，２４．０，２４．５，３０．８，３４．１，５５．５，５６．８，９６．４，１０９．２，１１０．０，１２０．７，１３５．９，１３６．２，１４５．７，１４８．２，１５２．３，１５２．５．
｛実施例６｝
＜第Ｄ工程＞
十分に乾燥した１Ｌの四つ口フラスコを窒素置換した後、実施例５の第Ｃ工程において得られた２－ヨード－３，６－ジメトキシ－２’，４’，６’－トリイソプロピル－１，１’－ビフェニル（ヨウ素中間体）（１９．３ｇ、４１．３ｍｍｏｌ）と、シクロペンチルメチルエーテル（２００ｍＬ）とを仕込み、窒素雰囲気下で－３０℃へ冷却した。次いで、１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１８．０ｇ、４２．１ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。次いで－３０℃で１時間熟成した後、クロロジシクロヘキシルホスフィン（Ｃｙ２ＰＣｌ、９．６ｇ、４１．３ｍｍｏｌ）を３０分かけて内温が－１０℃付近を維持するように連続的に添加した。次いで－１０℃で１０時間熟成した。
十分に乾燥した１Ｌの四つ口フラスコを窒素置換した後、実施例５の第Ｃ工程において得られた２－ヨード－３，６－ジメトキシ－２’，４’，６’－トリイソプロピル－１，１’－ビフェニル（ヨウ素中間体）（１９．３ｇ、４１．３ｍｍｏｌ）と、シクロペンチルメチルエーテル（２００ｍＬ）とを仕込み、窒素雰囲気下で－３０℃へ冷却した。次いで、１５質量％のｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１８．０ｇ、４２．１ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。次いで－３０℃で１時間熟成した後、クロロジシクロヘキシルホスフィン（Ｃｙ２ＰＣｌ、９．６ｇ、４１．３ｍｍｏｌ）を３０分かけて内温が－１０℃付近を維持するように連続的に添加した。次いで－１０℃で１０時間熟成した。
２０ｇの水を添加して反応を停止させた後、５質量％の重曹１００ｍｌと水１５０ｍｌで順番に反応液を洗浄して水層を廃棄した。次いで真空ポンプを用いて溶媒留去すると橙色固体が析出した。析出物に酢酸エチル５５ｍｌを加えて６０℃まで昇温して溶解させ、メタノール１６５ｍｌを、内温５５℃付近を保ちながら連続的に添加した。徐々に液を冷却すると５０℃付近で結晶の析出が開始した。更に５℃まで液を冷却し続けた。次いで析出物をグラスフィルターでろ過し、冷メタノールでリンスした後に減圧乾燥して２－ジシクロヘキシルホスフィノ－３，６－ジメトキシ－２’，４’，６’－トリイソプロピル－１，１’－ビフェニル（BrettPhos）を得た（１６．９ｇ、収率７６．３％）。３１Ｐ ＮＭＲで測定したところ、９９％以上の純度であり、ガスクロマトグラフィーの測定でも９９％以上の純度であった。
Claims (9)
- 下記一般式（１）
（式中、Ｒ１～Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ１～Ｒ３は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ１はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体を含む液にリチオ化剤を、前記一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体に対するリチオ化剤のモル比が２．０～７．０となるように添加してリチオ化し、得られるリチオ化物を含むａ液と、
下記一般式（２）
（式中、Ｒ４～Ｒ５は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ４～Ｒ５は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ２はハロゲン原子を示す。）で表されるベンゼン誘導体を含むｂ液を調製し、前記一般式（２）で表されるベンゼン誘導体に対する、前記一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の仕込みモル比が１．２～３．０となるようにａ液とｂ液とを混合して反応を行って下記一般式（３）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。）で表されるビフェニル誘導体を得る第Ａ工程、
次いで、該ビフェニル誘導体と、下記一般式（４）：
（Ｒ６）（Ｒ７）ＰＸ３ （４）
（式中、Ｒ６～Ｒ７はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基又はヘテロアラルキル基を示し、Ｒ６～Ｒ７は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。Ｘ３はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させる第Ｂ工程
とを、有する下記一般式（５）
（式中、Ｒ１～Ｒ７は前記と同義。）で表されるビアリールホスフィンの製造方法。 - 下記一般式（１）
（式中、Ｒ１～Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ１～Ｒ３は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ１はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体を含む液にリチオ化剤を、前記一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体に対するリチオ化剤のモル比が２．０～７．０となるように添加してリチオ化し、得られるリチオ化物を含むａ液と、
下記一般式（２）
（式中、Ｒ４～Ｒ５は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ４～Ｒ５は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ２はハロゲン原子を示す。）で表されるベンゼン誘導体を含むｂ液を調製し、前記一般式（２）で表されるベンゼン誘導体に対する、前記一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の仕込みモル比が１．２～３．０となるようにａ液とｂ液とを混合して反応を行って下記一般式（３）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。）で表されるビフェニル誘導体を得る第Ａ工程、
次いで、該ビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させて、下記一般式（６）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。Ａは臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体を得る第Ｃ工程、
次いで、該ハロゲン化ビフェニル誘導体をリチオ化し、得られるリチオ化物と、下記一般式（４）：
（Ｒ６）（Ｒ７）ＰＸ３ （４）
（式中、Ｒ６～Ｒ７はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基又はヘテロアラルキル基を示し、Ｒ６～Ｒ７は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｘ３はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ホスフィンとを反応させる第Ｄ工程
とを、有する下記一般式（５）
（式中、Ｒ１～Ｒ７は前記と同義。）で表されるビアリールホスフィンの製造方法。 - 第Ｂ工程は、第Ａ工程からの連続反応で行う請求項１に記載のビアリールホスフィンの製造方法。
- 式中のＲ１～Ｒ３が同一の基であり、且つＲ４～Ｒ５が同一の基である請求項１乃至３の何れか一項に記載のビアリールホスフィンの製造方法。
- 式中のＲ１～Ｒ３がｉｓｏ－プロピル基である請求項４に記載のビアリールホスフィンの製造方法。
- 式中のＲ４～Ｒ５がメトキシ基又はメチル基である請求項４又は５に記載のビアリールホスフィンの製造方法。
- 式中のＲ６～Ｒ７が同一の基である請求項４記載のビアリールホスフィンの製造方法。
- 式中のＲ６～Ｒ７が、アダマンチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基又はシクロヘキシル基である請求項７に記載のビアリールホスフィンの製造方法。
- 下記一般式（１）
（式中、Ｒ１～Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ１～Ｒ３は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ１はハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体を含む液にリチオ化剤を、前記一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体に対するリチオ化剤のモル比が２．０～７．０となるように添加してリチオ化し、得られるリチオ化物を含むａ液と、
下記一般式（２）
（式中、Ｒ４～Ｒ５は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基又はアミノ基を示し、該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基、アルコキシ基及びアミノ基は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基で置換されていてもよい。Ｒ４～Ｒ５は同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。Ｘ２はハロゲン原子を示す。）で表されるベンゼン誘導体を含むｂ液を調製し、前記一般式（２）で表されるベンゼン誘導体に対する、前記一般式（１）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体の仕込みモル比が１．２～３．０となるようにａ液とｂ液とを混合して反応を行って下記一般式（３）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。）で表されるビフェニル誘導体を得る第Ａ工程、
次いで、該ビフェニル誘導体と、臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させる第Ｃ工程とを、
有する下記一般式（６）
（式中、Ｒ１～Ｒ５は前記と同義。Ａは臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表されるハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
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