JP7037801B2 - 電界効果トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態に係る電界効果トランジスタ10を示す。この実施形態に係る電界効果トランジスタ10は、いわゆる高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor:HEMT)である。
基板準備ステップでは、図3Aに示すように、N極性半導体で形成されたN極性半導体基板11を準備する。
半導体層形成ステップでは、まず、N極性半導体基板11の表面に高温のガスを接触させてアニール処理を行うことが好ましい。ガスとしては、例えばH2、N2、NH3等が挙げられる。アニール処理温度は、次のN極性GaN層12の形成時における結晶成長温度と同一乃至その付近であることが好ましく、例えば1000℃以上1500℃以下である。アニール処理圧力は、例えば10kPa以上150kPa以下である。アニール処理時間は、例えば5秒以上600秒以下である。
電極形成ステップでは、フォトリソグラフィ法を用い、図3Cに示すように、エッチングによりN極性GaN層12に凹部12aを形成した後、ゲート電極13、ソース電極14、及びドレイン電極15を成膜して形成する。
図4は、実施形態2に係る電界効果トランジスタ10を示す。なお、実施形態1と同一名称の部分は、実施形態1と同一符号で示す。
11 N極性半導体基板(N極性半導体層)
11a 単一材基板
11b N極性半導体膜(N極性半導体層)
12 N極性GaN層
12a 凹部
13 ゲート電極
14 ソース電極
15 ドレイン電極
16 N極性半導体層
Claims (4)
- N極性半導体層とN極性GaN層とのヘテロ接合構造を含み、前記N極性GaN層に二次元電子ガスの層を有する電界効果トランジスタであって、
前記N極性半導体層を構成するN極性半導体がN極性AlNであり、且つ前記N極性半導体層の表面が、-c面からa軸又はm軸を中心として2°傾斜した面である電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載された電界効果トランジスタにおいて、
前記N極性半導体層がN極性半導体基板で構成されている電界効果トランジスタ。 - 請求項1又は2に記載された電界効果トランジスタにおいて、
前記N極性GaN層における電子移動度が2000cm2/Vsよりも大きい電界効果トランジスタ。 - N極性半導体層上にN極性GaNの結晶をエピタキシャル成長させてN極性GaN層を形成するステップを含む電界効果トランジスタの製造方法であって、
前記N極性半導体層を構成するN極性半導体がN極性AlNであり、且つ前記N極性GaNが結晶成長する前記N極性半導体層の表面が、-c面からa軸又はm軸を中心として2°傾斜した面である電界効果トランジスタの製造方法。
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