JP7019529B2

JP7019529B2 - Sample transfer member

Info

Publication number: JP7019529B2
Application number: JP2018142597A
Authority: JP
Inventors: 猛宗石
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2018-07-30
Filing date: 2018-07-30
Publication date: 2022-02-15
Anticipated expiration: 2038-07-30
Also published as: JP2020021772A

Description

本開示は、試料搬送部材に関する。 The present disclosure relates to a sample transport member.

ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒоｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ：中央処理装置）またはＭＰＵ（Ｍｉｃｒо ＰｒоｃｅｓｓоｒＵｎｉｔ：超小型演算処理装置）のフラッシュメモリ等に用いられる半導体ウエハの１種であるシリコンエピタキシャルウエハは、シリコン単結晶基板の表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させたものである。このような気相成長は、例えば、枚葉式の気相成長装置を用いて行なわれる。この枚葉式の気相成長装置は、シリコン単結晶基板を１枚ずつ処理する装置である。そして、枚葉式の気相成長装置は、シリコン単結晶基板を載置するサセプタと、周囲にハロゲンランプ等の加熱手段を配した反応室と、シリコン単結晶基板をサセプタ上に搬入したり、気相成長処理が終わった後のシリコンエピタキシャルウエハ（以下、シリコン単結晶基板およびシリコンエピタキシャルウエハを、総じて試料と記載する場合がある。）を反応室から外部へ搬出したりするための試料搬送部材と、を内部に備えている。 Silicon epitaxial wafer, which is one of the semiconductor wafers used for flash memory of CPU (Central Processing Unit) or MPU (Micrо PrоCesssоr Unit), is made of silicon on the surface of a silicon single crystal substrate. The epitaxial layer is vapor-deposited. Such vapor deposition is performed, for example, by using a single-wafer type vapor deposition apparatus. This single-wafer type vapor deposition apparatus is an apparatus for processing silicon single crystal substrates one by one. The single-wafer vapor phase growth apparatus includes a susceptor on which a silicon single crystal substrate is placed, a reaction chamber in which a heating means such as a halogen lamp is arranged around the susceptor, and a silicon single crystal substrate carried onto the susceptor. A sample transfer member for carrying out a silicon epitaxial wafer (hereinafter, a silicon single crystal substrate and a silicon epitaxial wafer may be generally referred to as a sample) after the vapor phase growth treatment is carried out from the reaction chamber. And is provided inside.

ここで、試料の搬入時や搬出時における接触によって静電気が発生し、試料が静電気を帯びると、浮遊粒子（パーティクル）が引き寄せられ、試料にパーティクルが付着し、汚染される場合がある。 Here, static electricity is generated by contact during loading and unloading of the sample, and when the sample is charged with static electricity, suspended particles (particles) are attracted, and the particles may adhere to the sample and be contaminated.

そこで、試料搬送部材を介して静電気を除去することができるように、例えば、特許文献１には、基板と接触し基板を保持する、絶縁体からなる保持部と、接地されており、導電体からなる接地部と、基板および接地部と接触する、導電体からなる導電部とを備える搬送アームが提案されている。 Therefore, for example, in Patent Document 1, a holding portion made of an insulator that contacts the substrate and holds the substrate is grounded so that static electricity can be removed via the sample transport member, and the conductor is grounded. A transfer arm including a grounding portion made of a grounding portion and a conductive portion made of a conductor that comes into contact with the substrate and the grounding portion has been proposed.

特開２０１３－２１２９２０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-221920

近年、ＣＰＵまたはＭＰＵのフラッシュメモリ等の高性能化に向けて、シリコンエピタキシャルウエハに形成される配線が微細化の傾向にある。このように、配線の微細化に伴い、パーティクルが少しでも付着すると、配線の断線および欠落等の問題が発生するおそれが高まる。そこで、処理前のシリコン単結晶基板および処理後のシリコンエピタキシャルウエハにパーティクルの付着が少ないことが求められる。そのため、試料搬送部材には、試料搬送部材自身がパーティクルを発生させにくいとともに、静電気を除去することができることが求められている。 In recent years, the wiring formed on the silicon epitaxial wafer has tended to be miniaturized in order to improve the performance of the flash memory of the CPU or MPU. As described above, if even a small amount of particles adhere to the wiring as the wiring becomes finer, there is an increased possibility that problems such as disconnection and omission of the wiring will occur. Therefore, it is required that particles are less adhered to the silicon single crystal substrate before the treatment and the silicon epitaxial wafer after the treatment. Therefore, the sample transporting member is required to be able to easily generate particles and remove static electricity from the sample transporting member itself.

本開示は、このような事情を鑑みて案出されたものであり、試料搬送部材自身がパーティクルを発生させにくいとともに、静電気を除去することができる試料搬送部材を提供することを目的とする。 The present disclosure has been devised in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a sample transporting member capable of removing static electricity while the sample transporting member itself is unlikely to generate particles.

本開示の試料搬送部材は、基体と、該基体の内部に位置し、前記基体外の接地部に繋がる導電層と、を備える。また、基体は複数の突起部を有し、前記基体および前記突起部は、セラミックスからなる。また、複数の前記突起部のうち少なくともいずれかにおいて、
前記突起部の少なくとも頂部が導電性を有するＤＬＣ膜に覆われている。そして、ＤＬＣ膜は、前記導電層に電気的に接続されている。 The sample transport member of the present disclosure includes a substrate and a conductive layer located inside the substrate and connected to a grounding portion outside the substrate. Further, the substrate has a plurality of protrusions, and the substrate and the protrusions are made of ceramics. Further, in at least one of the plurality of protrusions,
At least the top of the protrusion is covered with a conductive DLC film. The DLC film is electrically connected to the conductive layer.

本開示の試料搬送部材は、試料搬送部材自身がパーティクルを発生させにくいとともに、静電気を除去することができる。 In the sample transport member of the present disclosure, the sample transport member itself does not easily generate particles and can remove static electricity.

本開示の試料搬送部材の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the sample transport member of this disclosure. 図１におけるii－iiでの断面図である。It is sectional drawing in ii-ii in FIG. 本開示の試料搬送部材の他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of the sample transport member of this disclosure. 図３におけるiv－ivでの断面図である。It is sectional drawing in iv-iv in FIG.

以下に、本開示の試料搬送部材について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, the sample transport member of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings.

本開示の試料搬送部材１０は、図１および図２に示すように、基体１と、基体１の内部に位置し、基体１外の接地部（図示しない）に繋がる導電層２とを備え、基体１は複数の突起部３を有する。 As shown in FIGS. 1 and 2, the sample transport member 10 of the present disclosure includes a substrate 1 and a conductive layer 2 located inside the substrate 1 and connected to a grounding portion (not shown) outside the substrate 1. The substrate 1 has a plurality of protrusions 3.

ここで、図１においては、平面視した際に、基体１がＹ字状である例を示しているが、基体１はＹ字状に限定されるものではなく、長方形、円形、台形等の形状であってもよい。 Here, FIG. 1 shows an example in which the substrate 1 is Y-shaped when viewed in a plan view, but the substrate 1 is not limited to the Y-shape, and is rectangular, circular, trapezoidal, or the like. It may be in shape.

また、突起部３は、試料（図示しない）を支持するものである。ここで、図２においては、突起部３の断面形状が台形状である例を示しているが、突起部３の断面形状は台形状に限定されるものではなく、矩形状、三角状等の形状であってもよい。 Further, the protrusion 3 supports a sample (not shown). Here, FIG. 2 shows an example in which the cross-sectional shape of the protrusion 3 is trapezoidal, but the cross-sectional shape of the protrusion 3 is not limited to the trapezoidal shape, and may be rectangular, triangular, or the like. It may be in shape.

なお、突起部３の個数は、試料を安定して支持できる数であればよいが、図１に示すように３個であれば、最小限の接触面積で試料を安定して保持することができる。突起部３の３個の配置例としては、各突起部３同士を線で結んだ際に正三角形の配置または二等辺三角形の配置が挙げられる。 The number of protrusions 3 may be any number as long as it can stably support the sample, but as shown in FIG. 1, if the number of protrusions 3 is 3, the sample can be stably held with the minimum contact area. can. Examples of the arrangement of the three protrusions 3 include the arrangement of an equilateral triangle or the arrangement of an isosceles triangle when the protrusions 3 are connected by a line.

また、本開示の試料搬送部材１０における基体１および突起部３は、セラミックスからなる。このように、基体１および突起部３がセラミックスからなることで、試料搬送部材１０自身がパーティクルを発生させにくい。 Further, the substrate 1 and the protrusion 3 in the sample transport member 10 of the present disclosure are made of ceramics. As described above, since the substrate 1 and the protrusion 3 are made of ceramics, it is difficult for the sample transport member 10 itself to generate particles.

ここで、基体１および突起部３を構成するセラミックスには、酸化アルミニウム質セラミックス、酸化ジルコニウム質セラミックス、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化珪素質セラミックスまたはムライト質セラミックス等を用いることができる。ここで、酸化アルミニウム質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、酸化アルミニウムを７０質量％以上含有するものである。なお、他のセラミックスについても同様である。 Here, as the ceramics constituting the substrate 1 and the protrusion 3, aluminum oxide ceramics, zirconium oxide ceramics, silicon nitride ceramics, aluminum nitride ceramics, silicon carbide ceramics, murite ceramics and the like can be used. .. Here, the aluminum oxide ceramics contain 70% by mass or more of aluminum oxide in 100% by mass of all the components constituting the ceramics. The same applies to other ceramics.

ここで、基体１および突起部３の材質は、以下の方法により確認することができる。まず、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて測定し、得られた２θ（２θは、回折角度である。）の値より、ＪＣＰＤＳカードと照合する。ここでは、ＸＲＤにより基体１および突起部３に酸化アルミニウムの存在が確認された場合を例に挙げて説明する。次に、ＩＣＰ発光分光分析装置（ＩＣＰ）または蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いて、アルミニウム（Ａｌ）の定量分析を行なう。そして、ＩＣＰまたはＸＲＦで測定したＡｌの含有量から酸化
アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）に換算した含有量が７０質量％以上であれば、基体１および突起部３は酸化アルミニウム質セラミックスで構成されている。 Here, the materials of the substrate 1 and the protrusion 3 can be confirmed by the following method. First, the measurement is performed using an X-ray diffractometer (XRD), and the obtained 2θ (2θ is a diffraction angle) value is collated with the JCPDS card. Here, a case where the presence of aluminum oxide is confirmed in the substrate 1 and the protrusion 3 by XRD will be described as an example. Next, a quantitative analysis of aluminum (Al) is performed using an ICP emission spectroscopic analyzer (ICP) or a fluorescent X-ray analyzer (XRF). If the content converted from the Al content measured by ICP or XRF into aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) is 70% by mass or more, the substrate 1 and the protrusion 3 are made of aluminum oxide ceramics. There is.

また、本開示の試料搬送部材１０は、複数の突起部３のうち少なくともいずれかにおいて、突起部３の少なくとも頂部４が導電性を有するＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）膜５に覆われており、ＤＬＣ膜５は、導電層２に電気的に接続されている。 Further, in the sample transport member 10 of the present disclosure, at least one of the plurality of protrusions 3 has at least the top 4 of the protrusions 3 covered with a conductive DLC (Diamond Like Carbon) film 5. The film 5 is electrically connected to the conductive layer 2.

ここで、突起部３の頂部４とは、突起部３のうち、試料を支持する部分のことである。 Here, the top portion 4 of the protrusion 3 is a portion of the protrusion 3 that supports the sample.

また、導電性を有するＤＬＣ膜５とは、体積抵抗率が１Ω・ｃｍ以上１０^９Ω・ｃｍ以下であるＤＬＣ膜のことである。また、導電性を有するＤＬＣ膜５としては、例えば、ボロン（Ｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等を含有するＤＬＣ膜か、表面が水素終端であるＤＬＣ膜である。 The conductive DLC film 5 is a DLC film having a volume resistivity of ¹ Ω · cm or more and 109 Ω · cm or less. The conductive DLC film 5 is, for example, a DLC film containing boron (B), titanium (Ti), zirconium (Zr), or the like, or a DLC film having a hydrogen-terminated surface.

なお、ＤＬＣ膜５の体積抵抗率は、市販の電気抵抗測定器（例えば、三菱化学アナリテック製のハイレスタ－ＵＸＭＣＰ－ＨＴ８００）を用いて、電気抵抗測定器の２本の針を、ＤＬＣ膜５に接触させることで測定すればよい。 The volumetric resistance of the DLC film 5 is determined by using a commercially available electric resistance measuring instrument (for example, Mitsubishi Chemical Analytech's High Restor UXMCP-HT800) and using two needles of the electric resistance measuring instrument to obtain the DLC film 5. It may be measured by contacting with.

そして、このような構成を満足していることで、ＤＬＣ膜５は硬度が高いことから、試料と接触しても、ＤＬＣ膜５からパーティクルが発生するおそれが低い。また、ＤＬＣ膜５は導電性を有していることから、試料の静電気を、ＤＬＣ膜５から導電層２を通って接地部へ逃がすことができ、静電気を除去することができる。このように、本開示の試料搬送部材１０は、試料搬送部材１０自身がパーティクルを発生させにくいとともに、静電気を除去することができる。 By satisfying such a configuration, since the DLC film 5 has a high hardness, there is a low possibility that particles will be generated from the DLC film 5 even if it comes into contact with the sample. Further, since the DLC film 5 has conductivity, the static electricity of the sample can be released from the DLC film 5 to the grounding portion through the conductive layer 2, and the static electricity can be removed. As described above, in the sample transport member 10 of the present disclosure, the sample transport member 10 itself is difficult to generate particles and can remove static electricity.

また、導電層２は、導電性を有する部材であればどのような材料で構成されていてもよい。例えば、導電層２が金属を含有するものであれば、ＤＬＣ膜５から受け取った静電気を、速やかに接地部へ逃がすことができる。なお、導電層２が含有する金属としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）等であればよい。特に、導電層２が、導電層２を構成する全成分１００質量％のうち、白金を９０質量％以上含有していれば、導電層２の電気抵抗は小さくなり、静電気を短時間で除去することができる。 Further, the conductive layer 2 may be made of any material as long as it is a conductive member. For example, if the conductive layer 2 contains a metal, the static electricity received from the DLC film 5 can be quickly released to the grounding portion. The metal contained in the conductive layer 2 may be, for example, molybdenum (Mo), tungsten (W), platinum (Pt) or the like. In particular, if the conductive layer 2 contains 90% by mass or more of platinum out of 100% by mass of all the components constituting the conductive layer 2, the electric resistance of the conductive layer 2 becomes small and static electricity is removed in a short time. be able to.

さらに、導電層２は、セラミック粒子を含有していてもよい。このような構成を満足するならば、導電層２の剛性が向上し、搬送する際に、試料搬送部材１０を振動しにくくすることができる。なお、上記セラミック粒子と基体１を構成するセラミックスとは同じ材質、例えば、基体１を構成するセラミックスが酸化アルミニウム質セラミックスである場合、セラミック粒子は酸化アルミニウム（アルミナ）であるのがよい。 Further, the conductive layer 2 may contain ceramic particles. If such a configuration is satisfied, the rigidity of the conductive layer 2 is improved, and the sample transport member 10 can be made less likely to vibrate during transport. The ceramic particles and the ceramics constituting the substrate 1 are made of the same material. For example, when the ceramics constituting the substrate 1 are aluminum oxide ceramics, the ceramic particles are preferably aluminum oxide (alumina).

また、ＤＬＣ膜５は、突起部３を全て覆っていてもよい。このような構成を満足するならば、試料の搬入および搬出を繰り返しても、ＤＬＣ膜５が突起部３から剥離しにくいため、長期間にわたって、試料が帯びている静電気を除去することができる。 Further, the DLC film 5 may completely cover the protrusions 3. If such a configuration is satisfied, the DLC film 5 is difficult to peel off from the protrusion 3 even if the sample is repeatedly carried in and out, so that the static electricity carried on the sample can be removed for a long period of time.

また、ＤＬＣ膜５の平均厚みは、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。 Further, the average thickness of the DLC film 5 may be, for example, 0.1 μm or more and 3 μm or less.

また、本開示の試料搬送部材１０における基体１は、図１および図２に示すように、突起部３の隣に凹部６を有し、導電層２の一部は、凹部６内に位置しており、ＤＬＣ膜５は、頂部４から凹部６内の導電層２までの突起部３および基体１の表面上に位置していてもよい。 Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 1 in the sample transport member 10 of the present disclosure has a recess 6 next to the protrusion 3, and a part of the conductive layer 2 is located in the recess 6. The DLC film 5 may be located on the surface of the protrusion 3 and the substrate 1 from the top 4 to the conductive layer 2 in the recess 6.

ここで、図１および図２においては、凹部６の形状が円錐台である例を示しているが、凹部６の形状は円錐台に限定されるものではなく、円柱、直方体等の形状であってもよい。 Here, in FIGS. 1 and 2, an example in which the shape of the recess 6 is a truncated cone is shown, but the shape of the recess 6 is not limited to the truncated cone, but is a shape such as a cylinder or a rectangular parallelepiped. You may.

そして、このような構成を満足するならば、導電層２を突起部３および基体１の表面上に位置させる場合に比べて、導電層２からのパーティクルの発生が抑えられ、本開示の試料搬送部材１０は、試料搬送部材１０自身がパーティクルをより発生させにくいものとなる。 If such a configuration is satisfied, the generation of particles from the conductive layer 2 is suppressed as compared with the case where the conductive layer 2 is located on the surface of the protrusion 3 and the substrate 1, and the sample transport of the present disclosure is performed. The member 10 is less likely to generate particles by the sample transport member 10 itself.

また、本開示の試料搬送部材１０におけるＤＬＣ膜５は、図２に示すように、凹部６内に位置する導電層２を全て覆っていてもよい。このような構成を満足するならば、導電層２が外部に露出していないので、導電層２からパーティクルが発生するおそれがない。 Further, as shown in FIG. 2, the DLC film 5 in the sample transport member 10 of the present disclosure may completely cover the conductive layer 2 located in the recess 6. If such a configuration is satisfied, since the conductive layer 2 is not exposed to the outside, there is no possibility that particles are generated from the conductive layer 2.

また、本開示の試料搬送部材１０は、図２に示すように、凹部６の深さＡに対する凹部６の開口部の短径Ｂの比Ｂ／Ａが１より大きくてもよい。このような構成を満足するならば、凹部６内にＤＬＣ膜５を形成する際に、ＤＬＣ膜５が凹部６内に入り込みやすく、凹部６内からＤＬＣ膜５が突起部３から剥離しにくいため、長期間にわたって、試料が帯びる静電気を除去することができる。 Further, as shown in FIG. 2, the sample transport member 10 of the present disclosure may have a ratio B / A of the minor axis B of the opening of the recess 6 to the depth A of the recess 6 larger than 1. If such a configuration is satisfied, when the DLC film 5 is formed in the recess 6, the DLC film 5 easily enters the recess 6, and the DLC film 5 is difficult to peel off from the protrusion 3 from the recess 6. The static electricity on the sample can be removed over a long period of time.

また、本開示の試料搬送部材１０におけるＤＬＣ膜５は、凹部６から最も遠い突起部３の頂部４から凹部６内の導電層２までの長さが１００ｍｍ以下であってもよい。図３および図４に示す試料搬送部材１０ｂでは、凹部６の隣に、凹部６から近い順に突起部３ａ、突起部３ｂの２個の突起部３を有しており、ＤＬＣ膜５が、突起部３ｂの頂部４ｂから、突起部３ａの頂部４ａを通って、凹部６内の導電層２までの突起部３ａ、３ｂおよび基体１の表面上に位置している例を示している。この場合、凹部６から最も遠い突起部３の頂部４とは、突起部３ｂの頂部４ｂのことである。そして、凹部６から最も遠い突起部３の頂部４から凹部６内の導電層２までの長さとは、図４の太線で示す、ＤＬＣ膜５における、突起部３ｂの頂部４ｂから凹部６内の導電層２までの最短距離のことである。 Further, the DLC film 5 in the sample transport member 10 of the present disclosure may have a length of 100 mm or less from the top 4 of the protrusion 3 farthest from the recess 6 to the conductive layer 2 in the recess 6. In the sample transport member 10b shown in FIGS. 3 and 4, two protrusions 3 of the protrusion 3a and the protrusion 3b are provided next to the recess 6 in the order of proximity to the recess 6, and the DLC film 5 has protrusions. An example is shown which is located on the surface of the protrusions 3a and 3b and the substrate 1 from the top 4b of the portion 3b through the top 4a of the protrusion 3a to the conductive layer 2 in the recess 6. In this case, the top 4 of the protrusion 3 farthest from the recess 6 is the top 4b of the protrusion 3b. The length from the top 4 of the protrusion 3 farthest from the recess 6 to the conductive layer 2 in the recess 6 is the length from the top 4b of the protrusion 3b to the inside of the recess 6 in the DLC film 5 shown by the thick line in FIG. It is the shortest distance to the conductive layer 2.

そして、このような構成を満足するならば、試料から受け取った静電気を、ＤＬＣ膜５を通って、迅速に導電層２へ流すことができ、静電気を短時間で除去することができる。 If such a configuration is satisfied, the static electricity received from the sample can be quickly flowed to the conductive layer 2 through the DLC film 5, and the static electricity can be removed in a short time.

以下、本開示の試料搬送部材１０の製造方法の一例について説明する。 Hereinafter, an example of the manufacturing method of the sample transport member 10 of the present disclosure will be described.

まず、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ムライト等の原料粉末に、焼結助剤、バインダ、溶媒および分散剤等を所定量添加し、混合することでスラリーを作製する。 First, a slurry is prepared by adding a predetermined amount of a sintering aid, a binder, a solvent, a dispersant, etc. to raw material powders such as aluminum oxide, zirconium oxide, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, and mullite, and mixing them. ..

次に、このスラリーを用いてドクターブレード法によりグリーンシートを形成する。または、スラリーを噴霧造粒法（スプレードライ法）により噴霧乾燥して造粒し、ロールコンパクション法によりグリーンシートを形成する。 Next, a green sheet is formed by the doctor blade method using this slurry. Alternatively, the slurry is spray-dried by a spray granulation method (spray-drying method) to granulate, and a green sheet is formed by a roll compaction method.

そして、得られたグリーンシートに対し、所望の形状になるようにレーザおよび金型等の公知の方法を用いて加工を行なう。このとき、グリーンシートに貫通孔を形成することによって、後述する積層工法によって、この貫通孔を凹部６とすることができる。また、レーザの出力や金型の形状を変更することで、凹部６を任意の形状に変更することが可能となる。 Then, the obtained green sheet is processed by a known method such as a laser and a mold so as to have a desired shape. At this time, by forming a through hole in the green sheet, the through hole can be made into a recess 6 by the laminating method described later. Further, by changing the output of the laser and the shape of the mold, the concave portion 6 can be changed to an arbitrary shape.

次に、モリブデン、タングステン、白金等を主成分とした導電性ペーストを準備し、グ
リーンシートの導電層２を形成する箇所に、導電性ペーストの印刷を行なう。このとき、導電性ペーストにセラミック粒子を添加すれば、導電層２がセラミック粒子を含有するものとなる。 Next, a conductive paste containing molybdenum, tungsten, platinum or the like as a main component is prepared, and the conductive paste is printed on a portion of the green sheet where the conductive layer 2 is formed. At this time, if the ceramic particles are added to the conductive paste, the conductive layer 2 contains the ceramic particles.

次に、積層工法によってグリーンシート同士を積層し、成形体を作製する。なお、グリーンシートを積層するときに用いる接合剤には、上述したスラリーを用いてもよい。 Next, the green sheets are laminated with each other by a laminating method to produce a molded product. The above-mentioned slurry may be used as the bonding agent used when laminating the green sheets.

そして、得られた成形体を各原料粉末の焼成条件に合わせて焼成することによって、導電層２を内部に備え、複数の突起部３を有する基体１を得ることができる。なお、原料粉末が酸化物である場合には大気雰囲気で焼成するため、酸化しにくい白金を主成分とした導電性ペーストを用いるのがよい。また、原料粉末が非酸化物である場合には還元雰囲気または真空雰囲気で焼成するため、モリブデンまたはタングステンを主成分とした導電性ペーストを用いるのがよい。 Then, by firing the obtained molded product according to the firing conditions of each raw material powder, it is possible to obtain a substrate 1 having a conductive layer 2 inside and having a plurality of protrusions 3. When the raw material powder is an oxide, it is fired in an atmospheric atmosphere, so it is preferable to use a conductive paste containing platinum, which is difficult to oxidize, as a main component. When the raw material powder is non-oxide, it is fired in a reducing atmosphere or a vacuum atmosphere, so it is preferable to use a conductive paste containing molybdenum or tungsten as a main component.

次に、基体１の表面にマスクパターンを設けた後、プラズマＣＶＤ法を用いて、突起部３の少なくとも頂部４を覆い、導電層２に繋がるＤＬＣ膜５を形成する。ここで、ＤＬＣ膜に導電性を付与する方法としては、プラズマＣＶＤ法でＤＬＣ膜を形成する際に、チタン、ジルコニウム、ボロン等をドープするか、水素量を調整すればよい。 Next, after providing a mask pattern on the surface of the substrate 1, a plasma CVD method is used to cover at least the top 4 of the protrusions 3 to form a DLC film 5 connected to the conductive layer 2. Here, as a method for imparting conductivity to the DLC film, titanium, zirconium, boron or the like may be doped or the amount of hydrogen may be adjusted when the DLC film is formed by the plasma CVD method.

なお、ここで、ＤＬＣ膜５を形成する前に、チタンおよびシリコン等からなる下地をスパッタリング法で形成しておいても構わない。 Here, before forming the DLC film 5, a substrate made of titanium, silicon, or the like may be formed by a sputtering method.

このようにして、本開示の試料搬送部材１０を得ることができる。 In this way, the sample transport member 10 of the present disclosure can be obtained.

１：基体
２：導電層
３、３ａ、３ｂ：突起部
４、４ａ、４ｂ：頂部
５：ＤＬＣ膜
６：凹部
１０、１０ａ、１０ｂ：試料搬送部材 1: Base 2: Conductive layer 3, 3a, 3b: Protrusions 4, 4a, 4b: Top 5: DLC film 6: Recesses 10, 10a, 10b: Sample transfer member

Claims

基体と、
該基体の内部に位置し、前記基体外の接地部に繋がる導電層と、を備え、
前記基体は複数の突起部を有し、
前記基体および前記突起部は、セラミックスからなり、
複数の前記突起部のうち少なくともいずれかにおいて、前記突起部の少なくとも頂部が導電性を有するＤＬＣ膜に覆われており、
該ＤＬＣ膜は、前記導電層に電気的に接続されており、
前記基体は、前記突起部の隣に凹部を有し、
前記導電層の一部は、前記凹部内に位置しており、
前記ＤＬＣ膜は、前記頂部から前記凹部内の前記導電層までの前記突起部および前記基体の表面上に位置している、試料搬送部材。 With the substrate
A conductive layer located inside the substrate and connected to a grounding portion outside the substrate is provided.
The substrate has a plurality of protrusions and has a plurality of protrusions.
The substrate and the protrusions are made of ceramics.
At least one of the plurality of protrusions has at least the top of the protrusion covered with a conductive DLC film.
The DLC film is electrically connected to the conductive layer and is connected to the conductive layer .
The substrate has a recess next to the protrusion.
A part of the conductive layer is located in the recess.
The DLC film is a sample transport member located on the surface of the protrusion and the substrate from the top to the conductive layer in the recess .

前記ＤＬＣ膜は、前記突起部を全て覆っている、請求項１に記載の試料搬送部材。 The sample transport member according to claim 1, wherein the DLC film covers all the protrusions.

前記ＤＬＣ膜は、前記凹部内に位置する前記導電層を全て覆っている請求項１または２に記載の試料搬送部材。 The sample transport member according to claim 1 or 2 , wherein the DLC film covers all of the conductive layer located in the recess.

前記凹部の深さＡに対する前記凹部の開口部の短径Ｂの比Ｂ／Ａが１より大きい請求項１～３のいずれか一つに記載の試料搬送部材。 The sample transport member according to any one of claims 1 to 3, wherein the ratio B / A of the minor axis B of the opening of the recess to the depth A of the recess is larger than 1.

前記ＤＬＣ膜は、前記凹部から最も遠い前記突起部の頂部から前記凹部内の前記導電層までの長さが１００ｍｍ以下である請求項１～４のいずれか一つに記載の試料搬送部材。 The sample transport member according to any one of claims 1 to 4 , wherein the DLC film has a length of 100 mm or less from the top of the protrusion farthest from the recess to the conductive layer in the recess.