JP2016086081A - Electrostatic chuck device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、静電チャック装置およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体を製造する半導体製造装置にて半導体ウエハ等の板状試料を静電気力により吸着固定し、この板状試料に成膜処理、エッチング処理、露光処理等の各種処理を施す際に好適に用いられる静電チャック装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to an electrostatic chuck device and a method of manufacturing the same, and more specifically, a plate-like sample such as a semiconductor wafer is adsorbed and fixed by electrostatic force in a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor such as IC, LSI, VLSI, etc. The present invention relates to an electrostatic chuck device suitably used for performing various processes such as a film forming process, an etching process, and an exposure process on a plate-like sample, and a manufacturing method thereof.
静電チャック装置は、基台となる誘電体の内部に静電吸着用内部電極が設けられたものである。静電チャック装置では、基台の載置面に半導体ウエハ等の板状試料を載置し、板状試料と静電吸着用内部電極との間に静電気力を発生させて、板状試料を吸着固定する。
静電チャック装置は、誘電体の厚みを一定とし、静電吸着用内部電極を板状試料とほぼ同等の大きさとすることにより、板状試料の全面に亘ってほぼ均一に静電気力を発生させることができる。これにより、静電チャック装置は、板状試料の加工表面が平坦になるように、板状試料を精度良く固定することができる。また、静電チャック装置は、静電気力を用いるために周囲の雰囲気の影響を受け難く、真空下にても使用可能であることから、半導体ウエハ等の板状試料に成膜処理、エッチング処理、露光処理等を施す半導体の製造工程にて広く利用されている。
The electrostatic chuck device is one in which an internal electrode for electrostatic attraction is provided inside a dielectric serving as a base. In the electrostatic chuck device, a plate-like sample such as a semiconductor wafer is placed on the mounting surface of the base, and an electrostatic force is generated between the plate-like sample and the internal electrode for electrostatic adsorption so that the plate-like sample is removed. Adsorb and fix.
The electrostatic chuck device generates the electrostatic force almost uniformly over the entire surface of the plate-shaped sample by making the thickness of the dielectric constant and making the internal electrode for electrostatic adsorption approximately the same size as the plate-shaped sample. be able to. Thereby, the electrostatic chuck apparatus can fix the plate sample with high accuracy so that the processed surface of the plate sample becomes flat. In addition, the electrostatic chuck device is not easily affected by the surrounding atmosphere because it uses electrostatic force, and can be used even under vacuum. It is widely used in the manufacturing process of semiconductors that perform exposure processing and the like.
半導体の製造工程においても、近年、生産性の向上、すなわち各種処理工程における処理時間の短縮が強く要求されている。成膜処理、エッチング処理、露光処理等では、一枚の板状試料を処理するのに要する時間、すなわちスループットを短縮することが強く求められている。特に、静電チャック装置に固定した板状試料を離脱させるのに要する時間を短縮することが急務となっている。
従来の静電チャック装置では、板状試料を載置する基台が誘電体の絶縁性セラミックスから構成されているため、板状試料を吸着する際、板状試料および基台の載置面それぞれに極性の異なる電荷が帯電して、静電気力が発現する。そのため、板状試料を離脱させる際に印加電圧を停止しても、板状試料および基台の載置面に帯電した電荷を直ちに放電することができず、吸着力が持続された状態、いわゆる、残留吸着力が発生した状態となり、板状試料を直ちに離脱させることができず、スループットを向上させることができないという問題があった。
In semiconductor manufacturing processes as well, in recent years, there has been a strong demand for improving productivity, that is, reducing processing time in various processing processes. In the film forming process, the etching process, the exposure process, and the like, it is strongly required to reduce the time required for processing a single plate-shaped sample, that is, the throughput. In particular, there is an urgent need to shorten the time required to remove the plate-like sample fixed to the electrostatic chuck device.
In the conventional electrostatic chuck device, since the base on which the plate-like sample is placed is composed of dielectric insulating ceramics, when the plate-like sample is adsorbed, each of the plate-like sample and the mounting surface of the base is provided. Electric charges with different polarities are charged, and electrostatic force is developed. Therefore, even if the applied voltage is stopped when the plate-like sample is detached, the charge charged on the plate-like sample and the mounting surface of the base cannot be immediately discharged, and the adsorption force is maintained, so-called There is a problem that the residual adsorption force is generated, the plate-like sample cannot be immediately detached, and the throughput cannot be improved.
そこで、このような問題を解決するべく、例えば、絶縁性セラミックスからなる誘電体層の上面に機械的加工により凹部を形成し、この凹部に導電性セラミックスからなる導電部材（嵌合部材） を挿入し、この凹部の側面および底面と、導電部材とを、接着、ガラス付け、ロウ付け等の接着・接合剤により接合して、凹部と導電部材とを一体化し、誘電体層の上面と導電部材の上面とで形成される平面を、板状試料を載せる載置面とし、導電部材をアース接続するとともに、誘電体層の下面に静電吸着用内部電極を形成した静電チャック装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
このような静電チャック装置では、板状試料を離脱させる際、板状試料や基台の載置面に帯電した電荷を、導電部材により直ちにアースへ逃がして、吸着力（静電気力）を消失させることにより、短時間で載置面より板状試料を離脱させ、スループットの向上を図っている。
Therefore, in order to solve such a problem, for example, a concave portion is formed on the upper surface of the dielectric layer made of insulating ceramic by mechanical processing, and a conductive member (fitting member) made of conductive ceramic is inserted into the concave portion. Then, the side surface and bottom surface of the concave portion and the conductive member are joined by an adhesive / bonding agent such as adhesion, glassing, brazing, etc., and the concave portion and the conductive member are integrated, and the upper surface of the dielectric layer and the conductive member An electrostatic chuck device has been proposed in which the plane formed by the upper surface of the substrate is the mounting surface on which the plate-like sample is placed, the conductive member is grounded, and the inner electrode for electrostatic adsorption is formed on the lower surface of the dielectric layer. (For example, refer to Patent Document 1).
In such an electrostatic chuck device, when the plate-like sample is detached, the charge charged on the plate-like sample or the mounting surface of the base is immediately released to the ground by the conductive member, and the adsorption force (electrostatic force) is lost. By doing so, the plate-like sample is detached from the placement surface in a short time, thereby improving the throughput.
また、静電チャック装置の基台に、基台を貫通し、かつ基台と嵌合一体化する残留電荷放電用端子を設け、この残留電荷放電用端子の一端部を被吸着物の載置面と同一平面に配し、かつ、この残留電荷放電用端子を接地する静電チャック装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
この静電チャック装置にあっては、残留電荷放電用端子により、板状試料に帯電した電荷を効率よくかつ確実に逃がすことができるので、短時間で載置面より板状試料を離脱させることができ、スループットの向上を図っている。
Further, a residual charge discharging terminal that penetrates the base and is integrated with the base is provided on the base of the electrostatic chuck device, and one end of the residual charge discharging terminal is placed on the object to be adsorbed. There has also been proposed an electrostatic chuck device that is arranged on the same plane as the surface and grounds this residual charge discharging terminal (see, for example, Patent Document 2).
In this electrostatic chuck device, the charge charged on the plate-shaped sample can be efficiently and reliably released by the residual charge discharging terminal, so that the plate-shaped sample can be detached from the mounting surface in a short time. To improve throughput.
しかしながら、特許文献１の静電チャック装置は、誘電体層の上面に、機械的加工により凹部を形成し、この凹部に導電性セラミックスからなる導電部材を挿入し、この凹部の側面および底面と、導電部材とを、接着・接合剤により接合したものであるから、凹部と導電部材との間に隙間が生じている。そのため、この隙間が原因となって、凹部の周縁部が板状試料との接触により磨耗してパーティクルが発生したり、凹部と導電部材とを接合する接着・接合剤が板状試料への汚染源となったりするおそれがあった。
また、特許文献２の静電チャック装置では、残留電荷放電用端子が基台の積載面となる材料と異なる組成であるため、残留電荷放電用端子と基台の境界部でクラックが発生しやすいという問題、製造工程が煩雑になりコストが増加するという問題、残留電荷放電用端子を多数設置することができないため、残留電荷放出の効果に限界があるという問題があった。
However, in the electrostatic chuck device of Patent Document 1, a concave portion is formed by mechanical processing on the upper surface of the dielectric layer, and a conductive member made of conductive ceramics is inserted into the concave portion. Since the conductive member is bonded by an adhesive / bonding agent, a gap is generated between the recess and the conductive member. Therefore, due to this gap, the peripheral edge of the recess is worn by contact with the plate-like sample, generating particles, or the adhesive / bonding agent that joins the recess and the conductive member is a source of contamination to the plate-like sample. There was a risk of becoming.
Further, in the electrostatic chuck device of Patent Document 2, since the residual charge discharging terminal has a composition different from that of the material used as the mounting surface of the base, cracks are likely to occur at the boundary between the residual charge discharging terminal and the base. There is a problem that the manufacturing process becomes complicated and the cost increases, and a large number of terminals for discharging the residual charge cannot be installed, so that the effect of discharging the residual charge is limited.
さらに、いずれの静電チャック装置においても、板状試料に接する基台の載置面には、導電部材や残留電荷放電用端子等の誘電体材料とは熱伝導率の異なる異種材料が用いられているため、半導体の製造プロセスで重要となる半導体ウエハ等の均熱性を阻害するおそれがある。特に、プラズマを用いた成膜装置やエッチング装置では、プラズマによる熱の伝導が不均一になるため、その傾向がより顕著になる。 Furthermore, in any electrostatic chuck apparatus, a dissimilar material having a different thermal conductivity from that of a dielectric material such as a conductive member or a terminal for discharging residual charge is used for the mounting surface of the base in contact with the plate-like sample. Therefore, there is a possibility that the thermal uniformity of a semiconductor wafer or the like which is important in the semiconductor manufacturing process may be hindered. In particular, in a film forming apparatus and an etching apparatus using plasma, heat conduction due to plasma becomes non-uniform, and this tendency becomes more remarkable.
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、板状試料および静電チャック装置に帯電した電荷を直ちに放電し、板状試料を直ちに離脱させることができ、かつスループットを向上させることができる静電チャック装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and is capable of immediately discharging the charges charged in the plate-like sample and the electrostatic chuck device, allowing the plate-like sample to be immediately detached, and improving the throughput. It is an object of the present invention to provide an electrostatic chuck device that can be improved and a method for manufacturing the same.
本発明者等は、上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、基体は、絶縁性材料の中に導電性粒子が分散した複合焼結体を形成材料とし、絶縁性材料は、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．５μｍ以上２．０μｍ以下の第１絶縁性粒子と、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．１μｍ以上０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子と、を含み、導電性粒子は、基体の一主面に分散し、かつ第２絶縁性粒子とともに０．５μｍ以上５．０μｍ以下の大きさで凝集した凝集部を構成している構造とすることで、前記課題が解決出来ることを見出した。 As a result of intensive studies in order to solve the above problems, the inventors of the present invention use a composite sintered body in which conductive particles are dispersed in an insulating material as a forming material. A first insulating particle having an average particle size of 0.5 μm or more and 2.0 μm or less and an insulating ceramic as a forming material and having an average particle size of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm. 2 conductive particles, and the conductive particles are dispersed on one main surface of the substrate and constitute an agglomerated portion aggregated with the second insulating particles in a size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less. It has been found that the above-mentioned problem can be solved by adopting a structure having the same structure.
本発明の静電チャック装置は、基体の一主面に板状試料を静電吸着する静電チャック装置であって、前記基体は、絶縁性材料の中に導電性粒子が分散した複合焼結体を形成材料とし、前記絶縁性材料は、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．５μｍ以上２．０μｍ以下の第１絶縁性粒子と、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．１μｍ以上０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子と、を含み、前記導電性粒子は、前記一主面に分散し、かつ前記第２絶縁性粒子とともに０．５μｍ以上５．０μｍ以下の大きさで凝集した凝集部を構成していることを特徴とする。 The electrostatic chuck device of the present invention is an electrostatic chuck device that electrostatically adsorbs a plate-like sample on one main surface of a substrate, and the substrate is a composite sintered in which conductive particles are dispersed in an insulating material. The insulating material is made of insulating ceramics, and the first insulating particles having an average particle diameter of 0.5 μm or more and 2.0 μm or less and the insulating ceramics are used as the forming material. Second insulating particles having a diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm, and the conductive particles are dispersed on the one main surface and 0.5 μm or more and 5.0 μm together with the second insulating particles. The agglomerated part is composed of the following sizes.
本発明の静電チャック装置の製造方法は、基体の一主面に板状試料を静電吸着する静電チャック装置の製造方法であって、絶縁性セラミックスを形成材料とする絶縁性粒子と、第１導電性粒子と、前記第１導電性粒子よりも平均粒子径が小さい第２導電性粒子と、を用いて製造した顆粒を焼成する工程と、得られるセラミックス焼結体を用いて前記基体を形成する工程と、を有することを特徴とする。 The manufacturing method of the electrostatic chuck device of the present invention is a manufacturing method of an electrostatic chuck device that electrostatically adsorbs a plate-like sample on one main surface of a substrate, comprising insulating particles made of insulating ceramics, A step of firing granules produced using first conductive particles and second conductive particles having an average particle diameter smaller than that of the first conductive particles, and the substrate using the obtained ceramic sintered body And a step of forming.
本発明の静電チャック装置によれば、基体は、絶縁性材料の中に導電性粒子が分散した複合焼結体を形成材料とし、絶縁性材料は、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．５μｍ以上２．０μｍ以下の第１絶縁性粒子と、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．１μｍ以上０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子と、を含み、導電性粒子は、基体の一主面に分散し、かつ第２絶縁性粒子とともに０．５μｍ以上５．０μｍ以下の大きさで凝集した凝集部を構成しているために、被吸着物である板状試料を直ちに離脱させることができ、スループットの向上を達成できる。 According to the electrostatic chuck device of the present invention, the base material is a composite sintered body in which conductive particles are dispersed in an insulating material, and the insulating material is an insulating ceramic material. Including first insulating particles having a diameter of 0.5 μm or more and 2.0 μm or less, and second insulating particles having an average particle diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm, which is made of insulating ceramics. Since the conductive particles constitute an agglomerated part that is dispersed on one main surface of the substrate and aggregates with the second insulating particles in a size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less, The sample can be removed immediately, and an improvement in throughput can be achieved.
本発明の静電チャック装置の製造方法によれば、絶縁性セラミックスを形成材料とする絶縁性粒子と、第１導電性粒子と、第１導電性粒子よりも平均粒子径が小さい第２導電性粒子と、を用いて製造した顆粒を焼成する工程と、得られるセラミックス焼結体を用いて基体を形成する工程と、を有するため、簡便に、かつ高い歩留りで上記特性の静電チャック装置を得ることができる。 According to the method for manufacturing an electrostatic chuck device of the present invention, insulating particles using insulating ceramics as a forming material, first conductive particles, and second conductive material having an average particle diameter smaller than that of the first conductive particles. Particles, and a step of forming a substrate using the obtained ceramic sintered body. Therefore, an electrostatic chuck device having the above characteristics can be obtained simply and with a high yield. Can be obtained.
本発明の静電チャック装置およびその製造方法の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
An embodiment of an electrostatic chuck device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described.
Note that this embodiment is specifically described in order to better understand the gist of the invention, and does not limit the present invention unless otherwise specified.
［静電チャック装置］
図１は、本実施形態の静電チャック装置の一実施形態を示す概略断面図である。図２は、本実施形態の静電チャック装置を構成する静電チャック部材を示す概略平面図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）のα部の拡大図である。図３は、本実施形態の静電チャック装置を構成する静電チャック部材の一主面の組成を示す模式図である。
本実施形態の静電チャック装置１０は、上面（一主面）１１ａをウエハ（板状試料）Ｗを載置する載置面とした静電チャック部材（本発明における基体）１１、および、この静電チャック部材１１の下面（他の一主面）１１ｂ側に設けられた静電吸着用電極１２を備える静電チャック部１３と、静電チャック部１３を支持するとともに、ウエハＷを冷却するベース部（基台）１４とから概略構成されている。
[Electrostatic chuck device]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the electrostatic chuck device of the present embodiment. 2A and 2B are schematic plan views showing the electrostatic chuck member constituting the electrostatic chuck device of the present embodiment, in which FIG. 2A is an overall view, and FIG. 2B is an enlarged view of a part α of FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing the composition of one main surface of the electrostatic chuck member constituting the electrostatic chuck device of the present embodiment.
The electrostatic chuck device 10 of the present embodiment includes an electrostatic chuck member (substrate in the present invention) 11 having an upper surface (one main surface) 11a as a mounting surface on which a wafer (plate-like sample) W is mounted, An electrostatic chuck portion 13 having an electrostatic chucking electrode 12 provided on the lower surface (another main surface) 11b side of the electrostatic chuck member 11 and the electrostatic chuck portion 13 are supported, and the wafer W is cooled. A base portion (base) 14 is schematically configured.
静電吸着用電極１２には、シート状またはフィルム状の（第１の）有機系接着剤層１５を介して、シート状またはフィルム状の絶縁層１６が接着されている。絶縁層１６および静電チャック部１３には、（第２の）有機系接着剤層１７を介して、ベース部（基台）１４が接着されている。ベース部（基台）１４は、加熱装置あるいは冷却装置に相当する。 A sheet-like or film-like insulating layer 16 is bonded to the electrostatic adsorption electrode 12 via a sheet-like or film-like (first) organic adhesive layer 15. A base portion (base) 14 is bonded to the insulating layer 16 and the electrostatic chuck portion 13 via a (second) organic adhesive layer 17. The base part (base) 14 corresponds to a heating device or a cooling device.
静電チャック部材１１は、円板状をなしている。
静電チャック部材１１の厚さは、０．３ｍｍ以上かつ５．０ｍｍ以下が好ましく、０．４ｍｍ以上かつ３．０ｍｍ以下がより好ましい。静電チャック部材１１の厚さが、この範囲内であることが好ましい理由は、静電チャック部材１１の厚さが０．３ｍｍ未満では、静電チャック部材１１の機械的強度を確保することができず、一方、静電チャック部材１１の厚さが５．０ｍｍを超えると、静電吸着用電極１２と静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａとの間の距離が増加し、ウエハＷを吸着する吸着力が低下するとともに、静電チャック部材１１の熱容量が大きくなり、載置されるウエハＷとの熱交換効率が低下し、ウエハＷの面内温度を所望の温度パターンに維持することが難しくなるからである。
The electrostatic chuck member 11 has a disk shape.
The thickness of the electrostatic chuck member 11 is preferably 0.3 mm or more and 5.0 mm or less, and more preferably 0.4 mm or more and 3.0 mm or less. The reason why the thickness of the electrostatic chuck member 11 is preferably within this range is that when the thickness of the electrostatic chuck member 11 is less than 0.3 mm, the mechanical strength of the electrostatic chuck member 11 is ensured. On the other hand, if the thickness of the electrostatic chuck member 11 exceeds 5.0 mm, the distance between the electrostatic chucking electrode 12 and one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 increases. In addition, the adsorption force for adsorbing the wafer W is reduced, the heat capacity of the electrostatic chuck member 11 is increased, the heat exchange efficiency with the wafer W to be placed is lowered, and the in-plane temperature of the wafer W is set to a desired temperature. This is because it becomes difficult to maintain the pattern.
静電チャック装置１０の温度分布に係わる特性を向上させるためには、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの表面粗さＲａは、０．００２μｍよりも大きいことが好ましく、０．００５μｍよりも大きいことがより好ましい。静電チャック部材１１の一主面１１ａの表面粗さＲａが０．００２μｍよりも大きいことが好ましい理由は、表面粗さＲａが０．００２μｍ以下であると、静電チャック部材１１の一主面１１ａにおける熱伝達効果が不充分なものとなるからである。
そこで、静電チャック部材１１の一主面１１ａからのパーティクルの発生を防ぐために、静電チャック部材１１の一主面１１ａは鏡面研磨されていることが好ましく、静電チャック部材１１の一主面１１ａの表面粗さＲａは０．５μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以下であることがより好ましい。
In order to improve the characteristics related to the temperature distribution of the electrostatic chuck device 10, the surface roughness Ra of one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 is preferably larger than 0.002 μm. More preferably, it is larger than 0.005 μm. The reason why the surface roughness Ra of the one principal surface 11a of the electrostatic chuck member 11 is preferably larger than 0.002 μm is that the surface roughness Ra is 0.002 μm or less, the one principal surface of the electrostatic chuck member 11. This is because the heat transfer effect in 11a is insufficient.
Therefore, in order to prevent generation of particles from the main surface 11a of the electrostatic chuck member 11, the main surface 11a of the electrostatic chuck member 11 is preferably mirror-polished, and the main surface of the electrostatic chuck member 11 The surface roughness Ra of 11a is preferably 0.5 μm or less, and more preferably 0.15 μm or less.
また、静電チャック部材１１の一主面１１ａとウエハＷとの間には、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、窒素（Ｎ２）ガス等の熱媒体を循環させる流路を形成してもよい。 Further, a flow path for circulating a heat medium such as helium (He) gas or nitrogen (N 2 ) gas may be formed between the main surface 11a of the electrostatic chuck member 11 and the wafer W.
また、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａには、その一主面１１ａから、静電チャック部材１１の厚さ方向上方に突出する円柱状の突起部１８が多数形成されていてもよい。多数の突起部１８は、ウエハＷを支持するための部位である。突起部１８は、静電チャック部材１１と同じ組成の形成材料からなる。
静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａに突起部１８が形成されている場合、少なくとも突起部１８が、後述する非凝集部１９と凝集部２０を有する。
さらに、ベース部１４および有機系接着剤層１７を厚さ方向に貫通し、静電吸着用電極１２の下面中央部に接続され、静電吸着用電極１２に直流電圧を印加する給電用端子２１が設けられている。
In addition, a large number of cylindrical protrusions 18 projecting upward from the main surface 11a in the thickness direction of the electrostatic chuck member 11 are formed on one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11. It may be. A large number of protrusions 18 are portions for supporting the wafer W. The protrusion 18 is made of a forming material having the same composition as the electrostatic chuck member 11.
When the protrusion 18 is formed on one main surface (mounting surface) 11 a of the electrostatic chuck member 11, at least the protrusion 18 has a non-aggregation portion 19 and an aggregation portion 20 described later.
Furthermore, the power supply terminal 21 that passes through the base portion 14 and the organic adhesive layer 17 in the thickness direction, is connected to the center of the lower surface of the electrostatic adsorption electrode 12, and applies a DC voltage to the electrostatic adsorption electrode 12. Is provided.
静電チャック部材１１の一主面１１ａは、非凝集部１９と、非凝集部１９の間に分散する複数の凝集部２０と、を有する。
静電チャック部材１１は、絶縁性材料（第１絶縁性粒子２２、第２絶縁性粒子２３）の中に導電性粒子２４が分散した複合焼結体を形成材料とする。
絶縁性材料は、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．５μｍ以上かつ２．０μｍ以下であり、焼結体粒子からなる第１絶縁性粒子２２と、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子２３と、を含む。
第１絶縁性粒子２２は、静電チャック部材１１の一主面１１ａに分散し、非凝集部１９を構成している。
導電性粒子２４は、平均粒子径が０．０１μｍ以上かつ０．１μｍ以下である。また、導電性粒子２４のうち、平均粒子径が０．０１μｍ以上かつ０．０３μｍ以下の粒子は、静電チャック部材１１の一主面１１ａに分散し、かつ第２絶縁性粒子２３とともに０．５μｍ以上かつ５．０μｍ以下の大きさで凝集した凝集部２０を構成している。また、導電性粒子２４のうち、平均粒子径が０．０５μｍ以上かつ０．１μｍ以下の粒子は、第２絶縁性粒子２３と凝集することなく、第１絶縁性粒子２２の中に分散していることもある。
One main surface 11 a of the electrostatic chuck member 11 includes a non-aggregating part 19 and a plurality of aggregating parts 20 dispersed between the non-aggregating parts 19.
The electrostatic chuck member 11 is formed of a composite sintered body in which conductive particles 24 are dispersed in an insulating material (first insulating particles 22 and second insulating particles 23).
The insulating material is made of insulating ceramics, the average particle diameter is 0.5 μm or more and 2.0 μm or less, and the first insulating particles 22 made of sintered particles and the insulating ceramics are used as the forming material. And second insulating particles 23 having an average particle diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm.
The first insulating particles 22 are dispersed on one main surface 11 a of the electrostatic chuck member 11 and constitute a non-aggregating portion 19.
The conductive particles 24 have an average particle diameter of 0.01 μm or more and 0.1 μm or less. Further, among the conductive particles 24, particles having an average particle diameter of 0.01 μm or more and 0.03 μm or less are dispersed on one main surface 11 a of the electrostatic chuck member 11 and are 0. 0 with the second insulating particles 23. The agglomerated portion 20 is composed of agglomerated in a size of 5 μm or more and 5.0 μm or less. Further, among the conductive particles 24, particles having an average particle diameter of 0.05 μm or more and 0.1 μm or less are dispersed in the first insulating particles 22 without agglomerating with the second insulating particles 23. Sometimes.
第２絶縁性粒子２３は、疑似的に焼結しており、粒子同士の結合があるため、粒子の脱離が起こらない。導電性粒子２４と第２絶縁性粒子２３から構成される凝集部２０は、粒界がある構造をなし、その粒界が電荷を放電する。
静電チャック部材１１は、平均粒子径が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子２３を含む凝集部２０によって、多くの粒界を有するため、その粒界にて電荷の放電が良好に起こり、静電気力による吸着力を消失させて、被吸着物であるウエハＷの脱離を素早く行い、スループットを向上する。
Since the second insulating particles 23 are pseudo-sintered and there is a bond between the particles, the particles are not detached. The agglomerated portion 20 composed of the conductive particles 24 and the second insulating particles 23 has a structure with grain boundaries, and the grain boundaries discharge electric charges.
The electrostatic chuck member 11 has many grain boundaries due to the agglomeration portion 20 including the second insulating particles 23 having an average particle diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm. Occurs satisfactorily and the adsorption force due to the electrostatic force disappears, and the wafer W as the object to be adsorbed is quickly desorbed to improve the throughput.
粒界がない焼結体粒子からなる第１絶縁性粒子２２の平均粒子径が０．５μｍ以上かつ２．０μｍ以下である理由は、平均粒子径が０．５μｍ未満では、充分な体積抵抗率が得られず、吸着力が発現しないからである。また、平均粒子径が２．０μｍを超えると、非凝集部１９の耐食性や耐摩耗性が他の部分と異なるため、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの平面度を低下させたり、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの表面粗さＲａが大きくなる原因になったりするからである。 The reason why the average particle diameter of the first insulating particles 22 made of sintered particles having no grain boundary is 0.5 μm or more and 2.0 μm or less is that the volume resistivity is sufficient when the average particle diameter is less than 0.5 μm. This is because no adsorption force is exhibited. Further, if the average particle diameter exceeds 2.0 μm, the corrosion resistance and wear resistance of the non-aggregated portion 19 are different from those of other portions, so the flatness of one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 is increased. This is because the surface roughness Ra of the main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 is increased.
第２絶縁性粒子２３の平均粒子径が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ未満である理由は、平均粒子径が０．５μｍ以上の粒子は、凝集しても粒界を多く形成できないため、充分に電荷の放電が起こらないからである。
導電性粒子と第２絶縁性粒子２３から構成される凝集部２０の大きさが０．５μｍ以上かつ５．０μｍ以下である理由は、凝集部２０の大きさが０．５μｍ未満では、充分に電荷の放電が起こらないからである。また、凝集部２０の大きさが５．０μｍを超えると、凝集部２０の耐食性や耐摩耗性が他の部分と異なるため、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの平面度を低下させたり、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの表面粗さＲａが大きくなる原因になったりするからである。
The reason why the average particle size of the second insulating particles 23 is 0.1 μm or more and less than 0.5 μm is that particles having an average particle size of 0.5 μm or more cannot sufficiently form a grain boundary even if they are aggregated. This is because no electric charge discharge occurs.
The reason why the size of the agglomerated portion 20 composed of the conductive particles and the second insulating particles 23 is 0.5 μm or more and 5.0 μm or less is that the size of the agglomerated portion 20 is sufficiently less than 0.5 μm. This is because no electric charge discharge occurs. Further, if the size of the agglomerated portion 20 exceeds 5.0 μm, the corrosion resistance and wear resistance of the agglomerated portion 20 are different from those of other portions, and therefore, the plane of one main surface (mounting surface) 11 a of the electrostatic chuck member 11. This is because the degree of surface roughness Ra of the main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 is increased.
静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの面積（全面積）に対する、凝集部２０の面積が占める割合が５％以上かつ３０％以下であることが好ましく、１０％以上かつ２０％以下であることがより好ましい。
凝集部２０の面積が占める割合が５％未満では、凝集部２０によって、充分に電荷の放電が起こらない。一方、凝集部２０の面積が占める割合が３０％を超えると、凝集部２０の耐食性や耐摩耗性が他の部分と異なるため、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの平面度を低下させたり、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａの表面粗さＲａが大きくなる原因になったりする。
The ratio of the area of the aggregated portion 20 to the area (total area) of one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 is preferably 5% or more and 30% or less, and preferably 10% or more and 20 % Or less is more preferable.
When the proportion of the area of the aggregated portion 20 is less than 5%, the aggregated portion 20 does not sufficiently discharge charges. On the other hand, when the ratio of the area of the aggregated portion 20 exceeds 30%, the corrosion resistance and wear resistance of the aggregated portion 20 are different from those of other portions, so that one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 The flatness may be reduced, or the surface roughness Ra of one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 may be increased.
第１絶縁性粒子２２および第２絶縁性粒子２３、すなわち絶縁性セラミックスとしては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）および酸化セリウム（ＣｅＯ２）の群から選択される１種のみからなる酸化物、または、前記の群から選択される２種以上を混合してなる複合酸化物であることが好ましい。
これらの中でも、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）は、安価で耐熱性に優れ、複合焼結体の機械的特性も良好であることから、静電チャック部材１１に好適に用いられる。
また、アルミニウム（Ａｌ）含有量が少ない絶縁性セラミックスを使用したい場合や耐食性をさらに高めたい場合には、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：３Ｙ２Ｏ３・５Ａｌ２Ｏ３）等を用いることもできる。
As the first insulating particles 22 and the second insulating particles 23, that is, insulating ceramics, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), zirconium oxide (ZrO) 2 ), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ), mullite (3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ), hafnium oxide (HfO 2 ), scandium oxide (Sc 2 O 3 ), neodymium oxide (Nd 2) O 3 ), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), samarium oxide (Sm 2 O 3 ), ytterbium oxide (Yb 2 O 3 ), erbium oxide (Er 2 O 3 ) and cerium oxide (CeO 2 ) Or a composite oxide formed by mixing two or more selected from the above group. It is preferable.
Among these, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is suitably used for the electrostatic chuck member 11 because it is inexpensive and excellent in heat resistance and the mechanical properties of the composite sintered body are also good.
Further, when it is desired to further enhance the case and corrosion resistance to be used aluminum (Al) content is less insulating ceramics, yttrium oxide (Y 2 O 3), yttrium aluminum garnet (YAG: 3Y 2 O 3 · 5Al 2 O 3 ) or the like can also be used.
絶縁性セラミックスとして酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用いる場合、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の原料粉体としては、平均粒子径が０．５μｍ以下の酸化アルミニウム粉体を用いることが好ましい。
平均粒子径が０．５μｍ以下の酸化アルミニウム粉体を用いることが好ましい理由は、平均粒子径が０．５μｍを超える酸化アルミニウム粉体を用いて得られた焼結体（静電チャック部材１１）においては、導電性粒子と、平均粒子径が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子２３が凝集してなる０．５μｍ以上かつ５．０μｍ以下の凝集部２０を充分に形成することが難しくなり、凝集部２０からの電荷の放電が充分に起こらなくなるためである。
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の原料粉体としては、平均粒子径が０．５μｍ以下で高純度のものであれば、特に限定されない。
When aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is used as the insulating ceramic, it is preferable to use aluminum oxide powder having an average particle size of 0.5 μm or less as the raw material powder of aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
The reason why it is preferable to use an aluminum oxide powder having an average particle diameter of 0.5 μm or less is that a sintered body (electrostatic chuck member 11) obtained using an aluminum oxide powder having an average particle diameter exceeding 0.5 μm. , The agglomerated portion 20 having a size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less formed by agglomeration of the conductive particles and the second insulating particles 23 having an average particle diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm is sufficiently formed. This is because it becomes difficult to discharge the electric charges from the agglomerated portion 20 and does not occur sufficiently.
The raw material powder of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is not particularly limited as long as the average particle diameter is 0.5 μm or less and high purity.
導電性粒子としては、焼結工程において、上記の絶縁性セラミックスに固溶体や反応生成物を生成しない材料が好ましく、導電性セラミックス粒子、高融点金属粒子および炭素（Ｃ）粒子の群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、絶縁性セラミックスの電気的特性を劣化させない材料が好ましい。これらの材料が好ましい理由は、絶縁性セラミックスに固溶体や反応生成物を生成すると、電気的特性の温度変化が大きくなり、静電チャック装置１０として必要な静電チャック部材１１の体積抵抗率（＞１０１３Ωｃｍ）や耐電圧（＞５ｋＶ／ｍｍ）が得られなくなるからである。
導電性セラミックス粒子としては、例えば、導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子等が挙げられる。
高融点金属粒子としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）粒子、タングステン（Ｗ）粒子、タンタル（Ｔａ）粒子等が挙げられる。
これらの中でも、導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子は、これを酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粒子と複合化した場合、得られる複合焼結体は、電気的特性の温度依存性が小さく、ハロゲンガスに対する耐蝕性に優れ、耐熱性、耐熱衝撃性に富み、かつ高温下の使用においても熱応力による損傷の危険性が小さいので好ましい。
The conductive particles are preferably materials that do not generate a solid solution or reaction product in the insulating ceramic in the sintering step, and are selected from the group of conductive ceramic particles, refractory metal particles, and carbon (C) particles. At least one type is preferable, and a material that does not deteriorate the electrical characteristics of the insulating ceramic is preferable. The reason why these materials are preferable is that when a solid solution or a reaction product is generated in the insulating ceramic, the temperature change of the electrical characteristics increases, and the volume resistivity (>) of the electrostatic chuck member 11 necessary as the electrostatic chuck device 10 is increased. 10 13 Ωcm) and withstand voltage (> 5 kV / mm) cannot be obtained.
Examples of the conductive ceramic particles include conductive silicon carbide (SiC) particles.
Examples of the refractory metal particles include molybdenum (Mo) particles, tungsten (W) particles, and tantalum (Ta) particles.
Among these, when conductive silicon carbide (SiC) particles are compounded with aluminum oxide (Al 2 O 3 ) particles, the resulting composite sintered body has a small temperature dependency of electrical characteristics, It is preferable since it has excellent corrosion resistance against gas, has excellent heat resistance and thermal shock resistance, and has a low risk of damage due to thermal stress even when used at high temperatures.
導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子の原料粉体としては、導電性に優れることから、β型の結晶構造を有する炭化珪素粉体を用いることが好ましい。なお、この炭化珪素粉体の導電性を制御するために、炭化珪素中の窒素の含有率を適宜制御したものを用いてもよい。
導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子の原料粉体としては、プラズマＣＶＤ法、前駆体法、熱炭素還元法、レーザー熱分解法等の各種の方法により得られた炭化珪素粉体を用いることができる。特に、静電チャック部材１１を半導体プロセスにて用いる場合、半導体プロセスでの悪影響を防ぐために、純度の高い炭化珪素粉体を用いることが好ましい。
As the raw material powder for the conductive silicon carbide (SiC) particles, it is preferable to use a silicon carbide powder having a β-type crystal structure because of excellent conductivity. In addition, in order to control the conductivity of the silicon carbide powder, a material in which the nitrogen content in silicon carbide is appropriately controlled may be used.
As the raw material powder of conductive silicon carbide (SiC) particles, silicon carbide powder obtained by various methods such as plasma CVD method, precursor method, thermal carbon reduction method, and laser pyrolysis method can be used. . In particular, when the electrostatic chuck member 11 is used in a semiconductor process, it is preferable to use high-purity silicon carbide powder in order to prevent adverse effects in the semiconductor process.
静電吸着用電極１２は、電荷を発生させて静電吸着力でウエハＷを固定するための静電チャック用電極として用いられるもので、その用途によって、その形状や、大きさが適宜調整される。
静電吸着用電極１２の厚さは、特に限定されないが、プラズマ発生用電極として用いる場合、５μｍ以上かつ２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上かつ１００μｍ以下であることがより好ましい。静電吸着用電極１２の厚さが前記の範囲内であることが好ましい理由は、静電吸着用電極１２の厚さが５μｍ未満では、充分な導電性を確保することができないからである。一方、静電吸着用電極１２の厚さが２００μｍを超えると、静電チャック部材１１と静電吸着用電極１２との間の熱膨張率差に起因して、静電チャック部材１１と静電吸着用電極１２との接合界面に亀裂が入り易くなるとともに、静電チャック部材１１と静電吸着用電極１２との間の段差を有機系接着剤層１５で覆うことができなくなり、静電チャック部材１１および静電吸着用電極１２の側面方向の絶縁性が低下するからである。
The electrostatic chucking electrode 12 is used as an electrostatic chuck electrode for generating an electric charge and fixing the wafer W by electrostatic chucking force. The shape and size of the electrostatic chucking electrode 12 are appropriately adjusted depending on the application. The
The thickness of the electrostatic adsorption electrode 12 is not particularly limited, but when used as a plasma generating electrode, it is preferably 5 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 100 μm or less. The reason why the thickness of the electrostatic attraction electrode 12 is preferably within the above range is that if the thickness of the electrostatic attraction electrode 12 is less than 5 μm, sufficient conductivity cannot be ensured. On the other hand, when the thickness of the electrostatic chucking electrode 12 exceeds 200 μm, the electrostatic chuck member 11 and the electrostatic chucking member 11 are electrostatically caused by a difference in thermal expansion coefficient between the electrostatic chucking member 11 and the electrostatic chucking electrode 12. The joint interface with the adsorption electrode 12 is easily cracked, and the step between the electrostatic chuck member 11 and the electrostatic adsorption electrode 12 cannot be covered with the organic adhesive layer 15. This is because the insulation in the side surface direction of the member 11 and the electrostatic chucking electrode 12 is lowered.
静電吸着用電極１２の材料は、静電チャック部材１１を構成する材料との熱膨張差や耐熱性等を考慮して選定されるが、例えば、非磁性材料である金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、チタン、タングステン、モリブデン、白金等の高融点金属、グラファイト、カーボン等の炭素材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）等の導電性セラミックス、ＴｉＣ−Ｎｉ系、ＴｉＣ−Ｃｏ系、Ｂ４Ｃ−Ｆｅ系等のサーメット等が好適に用いられる。これらの材料の熱膨張係数は、静電チャック部材１１の熱膨張係数にできる限り近似していることが好ましい。 The material of the electrode 12 for electrostatic attraction is selected in consideration of the difference in thermal expansion from the material constituting the electrostatic chuck member 11 and heat resistance. For example, gold (Au), silver, which is a nonmagnetic material, is selected. (Ag), metals such as copper (Cu), refractory metals such as titanium, tungsten, molybdenum and platinum, carbon materials such as graphite and carbon, silicon carbide (SiC), titanium nitride (TiN), titanium carbide (TiC) Conductive ceramics such as tungsten carbide (WC), cermets such as TiC-Ni, TiC-Co, and B4C-Fe are preferably used. The thermal expansion coefficient of these materials is preferably as close as possible to the thermal expansion coefficient of the electrostatic chuck member 11.
このような静電吸着用電極１２は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法、あるいは、スクリーン印刷法等の塗工法により容易に形成することができる。 Such an electrode 12 for electrostatic adsorption can be easily formed by a film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method, or a coating method such as a screen printing method.
ベース部１４は、厚みのある円板状をなしている。また、ベース部１４は、静電チャック部１３に載置されるウエハＷを、加熱あるいは冷却して温度を調整するためのものである。有機系接着剤層１５、絶縁層１６および有機系接着剤層１７を介して、静電チャック部１３を加熱あるいは冷却することにより、静電チャック部１３に載置されたウエハＷを所望の温度パターンに調整することができる。
ベース部１４は、外部の高周波電源（図示略）に接続されており、ベース部１４の内部には、必要に応じて、加熱用、冷却用もしくは温度調節用の水、または、絶縁性の熱媒もしくは冷媒を循環させる流路が形成されている。
The base portion 14 has a thick disk shape. The base unit 14 is for adjusting the temperature by heating or cooling the wafer W placed on the electrostatic chuck unit 13. By heating or cooling the electrostatic chuck portion 13 via the organic adhesive layer 15, the insulating layer 16, and the organic adhesive layer 17, the wafer W placed on the electrostatic chuck portion 13 is heated to a desired temperature. The pattern can be adjusted.
The base unit 14 is connected to an external high-frequency power source (not shown), and the base unit 14 includes water for heating, cooling, or temperature adjustment, or insulating heat as needed. A flow path for circulating the medium or the refrigerant is formed.
ベース部１４を構成する材料としては、熱伝導性、電気導電性、加工性に優れた金属、金属−セラミックス複合材料のいずれかであれば特に制限はなく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ） 等が好適に用いられる。ベース部１４の側面、すなわち、少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理、または、アルミナ、イットリア等の絶縁性の溶射材料にて被覆されていることが好ましい。
ベース部１４では、少なくともプラズマに曝される面に、アルマイト処理または絶縁膜が成膜されていることにより、耐プラズマ性が向上する上に、異常放電が防止され、耐プラズマ安定性が向上する。また、アルマイト処理または絶縁膜が成膜されていることにより、ベース部１４の表面に傷が付き難くなるので、傷の発生を防止することができる。
The material constituting the base part 14 is not particularly limited as long as it is any one of a metal having excellent thermal conductivity, electrical conductivity, and workability, and a metal-ceramic composite material. For example, aluminum (Al), copper ( Cu), stainless steel (SUS) and the like are preferably used. It is preferable that the side surface of the base portion 14, that is, at least the surface exposed to the plasma, is coated with an alumite treatment or an insulating thermal spray material such as alumina or yttria.
In the base portion 14, an alumite treatment or an insulating film is formed on at least a surface exposed to plasma, so that plasma resistance is improved, abnormal discharge is prevented, and plasma stability is improved. . Moreover, since the surface of the base part 14 becomes difficult to be damaged by forming the alumite treatment or the insulating film, the generation of the damage can be prevented.
有機系接着剤層１５は、アクリル、エポキシ、ポリエチレン等からなるシート状またはフィルム状の接着剤であり、熱圧着式の有機系接着剤シートまたはフィルムであることが好ましい。
その理由は、熱圧着式の有機系接着剤シートまたはフィルムは、静電吸着用電極１２上に重ね合わせて、真空引きした後、熱圧着することにより、静電吸着用電極１２との間に気泡等が生じ難くいため、剥がれ難く、静電チャック部１３の吸着特性や耐電圧特性を良好に保持することができるからである。
The organic adhesive layer 15 is a sheet-like or film-like adhesive made of acrylic, epoxy, polyethylene, or the like, and is preferably a thermocompression bonding type organic adhesive sheet or film.
The reason is that the thermocompression bonding type organic adhesive sheet or film is placed on the electrostatic adsorption electrode 12, evacuated, and then thermocompression bonded to the electrostatic adsorption electrode 12. This is because bubbles and the like are hardly generated, and thus are difficult to peel off, and the adsorption characteristics and voltage resistance characteristics of the electrostatic chuck portion 13 can be satisfactorily maintained.
有機系接着剤層１５の厚さは、特に限定されないが、接着強度および取り扱い易さ等を考慮すると、５μｍ以上かつ１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下であることがより好ましい。
有機系接着剤層１５の厚さが上記の範囲内であれば、有機系接着剤層１５と静電吸着用電極１２の下面との間の接着強度が向上する上に、有機系接着剤層１５の厚さがより均一になる。その結果、静電チャック部１３とベース部１４との間の熱伝達率が均一になり、静電チャック部１３に載置されたウエハＷの加熱特性または冷却特性が均一化され、ウエハＷの面内温度が均一化される。
The thickness of the organic adhesive layer 15 is not particularly limited, but it is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 10 μm or more and 50 μm or less in view of adhesive strength, ease of handling, and the like.
If the thickness of the organic adhesive layer 15 is within the above range, the adhesive strength between the organic adhesive layer 15 and the lower surface of the electrostatic adsorption electrode 12 is improved, and the organic adhesive layer The thickness of 15 becomes more uniform. As a result, the heat transfer coefficient between the electrostatic chuck portion 13 and the base portion 14 becomes uniform, the heating characteristics or cooling characteristics of the wafer W placed on the electrostatic chuck section 13 are uniformized, and the wafer W The in-plane temperature is made uniform.
有機系接着剤層１５の厚さが５μｍ未満では、静電チャック部１３とベース部１４との間の熱伝達性が良好となるものの、有機系接着剤層１５の厚さが薄くなり過ぎることから、有機系接着剤層１５と静電吸着用電極１２の下面との間の接着強度が弱くなり、有機系接着剤層１５と静電吸着用電極１２の下面との間に剥離が生じ易くなる。一方、有機系接着剤層１５の厚さが１００μｍを超えると、有機系接着剤層１５の厚さが厚くなり過ぎることから、静電チャック部１３とベース部１４との間の熱伝達性を充分に確保することができなくなり、加熱効率あるいは冷却効率が低下する。
このように、有機系接着剤層１５をシート状またはフィルム状の接着剤としたことにより、有機系接着剤層１５の厚さが均一化され、静電チャック部１３とベース部１４との間の熱伝達率が均一になる。よって、静電チャック部１３に載置されたウエハＷの加熱特性または冷却特性が均一化され、ウエハＷの面内温度が均一化される。
If the thickness of the organic adhesive layer 15 is less than 5 μm, the heat transfer between the electrostatic chuck portion 13 and the base portion 14 is good, but the thickness of the organic adhesive layer 15 is too thin. Therefore, the adhesive strength between the organic adhesive layer 15 and the lower surface of the electrostatic adsorption electrode 12 is weakened, and peeling is likely to occur between the organic adhesive layer 15 and the lower surface of the electrostatic adsorption electrode 12. Become. On the other hand, if the thickness of the organic adhesive layer 15 exceeds 100 μm, the thickness of the organic adhesive layer 15 becomes too thick, so that heat transfer between the electrostatic chuck portion 13 and the base portion 14 is improved. Sufficiently it cannot be ensured, and heating efficiency or cooling efficiency falls.
Thus, by using the organic adhesive layer 15 as a sheet-like or film-like adhesive, the thickness of the organic adhesive layer 15 is made uniform, and the gap between the electrostatic chuck portion 13 and the base portion 14 is increased. The heat transfer coefficient becomes uniform. Therefore, the heating characteristic or cooling characteristic of the wafer W placed on the electrostatic chuck unit 13 is made uniform, and the in-plane temperature of the wafer W is made uniform.
絶縁層１６は、静電チャック部１３における印加電圧に耐え得る絶縁性樹脂からなるシート状またはフィルム状の絶縁材料からなる。このような絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、芳香族ポリアミド等が挙げられる。
絶縁層１６の外周部は、静電チャック部１３を平面視した場合、静電チャック部材１１の外周部より内側に設けられている。
このように、絶縁層１６の外周部を静電チャック部材１１の外周より内側に設けることにより、絶縁層１６は、酸素系プラズマに対する耐プラズマ性、腐食性ガスに対する耐腐食性が向上し、パーティクル等の発生も抑制される。
The insulating layer 16 is made of a sheet-like or film-like insulating material made of an insulating resin that can withstand the applied voltage in the electrostatic chuck portion 13. Examples of such an insulating material include polyimide, polyamide, and aromatic polyamide.
The outer peripheral portion of the insulating layer 16 is provided inside the outer peripheral portion of the electrostatic chuck member 11 when the electrostatic chuck portion 13 is viewed in plan.
Thus, by providing the outer peripheral portion of the insulating layer 16 inside the outer periphery of the electrostatic chuck member 11, the insulating layer 16 has improved plasma resistance against oxygen-based plasma and corrosion resistance against corrosive gas, and particle Etc. are also suppressed.
絶縁層１６の厚さは、４０μｍ以上かつ２００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上かつ１００μｍ以下であることがより好ましい。
絶縁層１６の厚さが４０μｍ未満では、静電吸着用電極１２に対する絶縁性が低下し、静電吸着力も弱くなり、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａに、ウエハＷを良好に固定することができなくなる。一方、絶縁層１６の厚さが２００μｍを超えると、静電チャック部１３とベース部１４との間の熱伝達性を充分に確保することができなくなり、静電チャック部１３に載置されたウエハＷの加熱効率あるいは冷却効率が低下する。
The thickness of the insulating layer 16 is preferably 40 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 50 μm or more and 100 μm or less.
When the thickness of the insulating layer 16 is less than 40 μm, the insulating property with respect to the electrostatic chucking electrode 12 is lowered and the electrostatic chucking force is weakened, and the wafer W is placed on one main surface (mounting surface) 11 a of the electrostatic chuck member 11. Cannot be fixed well. On the other hand, if the thickness of the insulating layer 16 exceeds 200 μm, sufficient heat transfer between the electrostatic chuck portion 13 and the base portion 14 cannot be ensured, and the insulating layer 16 is placed on the electrostatic chuck portion 13. The heating efficiency or cooling efficiency of the wafer W decreases.
有機系接着剤層１７は、静電チャック部１３および絶縁層１６と、ベース部１４とを接着・固定するとともに、静電吸着用電極１２、有機系接着剤層１５および絶縁層１６を覆うように設けられたことにより、これらの層を酸素系プラズマや腐食性ガスから保護するものである。有機系接着剤層１７は、耐プラズマ性が高く、熱伝導率が高く、ベース部１４からの加熱効率あるいは冷却効率が高い材料が好ましく、例えば、耐熱性、弾性に優れた樹脂であるシリコーン系樹脂組成物が好ましい。 The organic adhesive layer 17 adheres and fixes the electrostatic chuck portion 13 and the insulating layer 16 and the base portion 14, and covers the electrostatic adsorption electrode 12, the organic adhesive layer 15 and the insulating layer 16. By providing these layers, these layers are protected from oxygen-based plasma and corrosive gas. The organic adhesive layer 17 is preferably made of a material having high plasma resistance, high thermal conductivity, and high heating efficiency or cooling efficiency from the base portion 14, for example, a silicone-based resin that is excellent in heat resistance and elasticity. A resin composition is preferred.
シリコーン系樹脂組成物としては、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を有するケイ素化合物であり、例えば、熱硬化温度が７０℃〜１４０℃のシリコーン樹脂を用いることが好ましい。
ここで、熱硬化温度が７０℃未満のシリコーン樹脂は、静電チャック部１３および絶縁層１６と、ベース部１４とを接合する際、接合過程の途中で硬化が始まってしまい、接合作業に支障を来すおそれがある。一方、熱硬化温度が１４０℃を超えるシリコーン樹脂は、静電チャック部１３および絶縁層１６と、ベース部１４との熱膨張差を吸収することができず、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａにおける平坦度が低下するばかりでなく、静電チャック部１３および絶縁層１６と、ベース部１４との間の接合力が低下し、これらの間で剥離が生じるおそれがある。
As a silicone type resin composition, it is a silicon compound which has a siloxane bond (Si-O-Si), for example, it is preferable to use the silicone resin whose thermosetting temperature is 70 to 140 degreeC.
Here, when the silicone resin having a thermosetting temperature of less than 70 ° C. is bonded to the electrostatic chuck portion 13, the insulating layer 16, and the base portion 14, curing starts during the bonding process, which hinders the bonding operation. May come. On the other hand, a silicone resin having a thermosetting temperature exceeding 140 ° C. cannot absorb the difference in thermal expansion between the electrostatic chuck portion 13, the insulating layer 16, and the base portion 14, and one main surface of the electrostatic chuck member 11. (Mounting surface) Not only the flatness of the 11a is lowered, but also the bonding force between the electrostatic chuck portion 13 and the insulating layer 16 and the base portion 14 is lowered, and there is a possibility that peeling occurs between them. .
有機系接着剤層１７の熱伝導率は、０．２５Ｗ／ｍｋ以上であることが好ましく、０．５Ｗ／ｍｋ以上であることがより好ましい。
有機系接着剤層１７の熱伝導率が０．２５Ｗ／ｍｋ以上であることが好ましい理由は、熱伝導率が０．２５Ｗ／ｍｋ未満では、ベース部１４からの加熱効率あるいは冷却効率が低下し、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａに載置されるウエハＷを効率的に加熱あるいは冷却することができなくなるからである。
The thermal conductivity of the organic adhesive layer 17 is preferably 0.25 W / mk or more, and more preferably 0.5 W / mk or more.
The reason why the thermal conductivity of the organic adhesive layer 17 is preferably 0.25 W / mk or more is that when the thermal conductivity is less than 0.25 W / mk, the heating efficiency or cooling efficiency from the base portion 14 is lowered. This is because the wafer W placed on one main surface (mounting surface) 11a of the electrostatic chuck member 11 cannot be efficiently heated or cooled.
有機系接着剤層１７の厚さは、５０μｍ以上かつ５００μｍ以下であることが好ましい。
有機系接着剤層１７の厚さが５０μｍ未満では、有機系接着剤層１７が薄くなり過ぎてしまい、その結果、接着強度を充分に確保することができず、静電チャック部１３および絶縁層１６と、ベース部１４との間で剥離等が生じるおそれがある。一方、有機系接着剤層１７の厚さが５００μｍを超えると、静電チャック部１３および絶縁層１６と、ベース部１４との間の熱伝達性を充分に確保することができなくなり、ベース部１４からの加熱効率あるいは冷却効率が低下するおそれがある。
The thickness of the organic adhesive layer 17 is preferably 50 μm or more and 500 μm or less.
If the thickness of the organic adhesive layer 17 is less than 50 μm, the organic adhesive layer 17 becomes too thin, and as a result, sufficient adhesive strength cannot be ensured, and the electrostatic chuck portion 13 and the insulating layer. There is a possibility that peeling or the like may occur between 16 and the base portion 14. On the other hand, if the thickness of the organic adhesive layer 17 exceeds 500 μm, sufficient heat transfer between the electrostatic chuck portion 13 and the insulating layer 16 and the base portion 14 cannot be ensured. The heating efficiency or cooling efficiency from 14 may be reduced.
また、有機系接着剤層１７の熱伝導率を、上記の有機系接着剤層１５の熱伝導率および絶縁層１６の熱伝導率と同等またはそれ以上とすることにより、有機系接着剤層１７の温度上昇を抑制することができ、有機系接着剤層１７の厚さのバラツキに起因する面内温度のバラツキを低減することができ、ひいては、静電チャック部材１１の一主面（載置面）１１ａに載置されるウエハＷの面内温度を均一化することができる。 In addition, the organic adhesive layer 17 has a thermal conductivity equal to or higher than the thermal conductivity of the organic adhesive layer 15 and the insulating layer 16. Temperature increase, the variation in the in-plane temperature due to the variation in the thickness of the organic adhesive layer 17 can be reduced, and as a result, one main surface of the electrostatic chuck member 11 (mounting) The in-plane temperature of the wafer W placed on the (surface) 11a can be made uniform.
有機系接着剤層１７には、平均粒子径が１μｍ以上かつ１０μｍ以下のフィラー、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子の表面に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる被覆層が形成された表面被覆窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子が含有されていることが好ましい。
表面被覆窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子は、シリコーン樹脂の熱伝導性を改善するために混入されるもので、その混入率を調整することにより、有機系接着剤層１７の熱伝達率を制御することができる。
The organic adhesive layer 17 is a surface-coated aluminum nitride in which a coating layer made of silicon oxide (SiO 2 ) is formed on the surface of a filler having an average particle diameter of 1 μm or more and 10 μm or less, for example, aluminum nitride (AlN) particles. It is preferable that (AlN) particles are contained.
Surface-coated aluminum nitride (AlN) particles are mixed to improve the thermal conductivity of the silicone resin, and the heat transfer rate of the organic adhesive layer 17 is controlled by adjusting the mixing rate. Can do.
また、有機系接着剤層１７内には、静電チャック部１３を加熱するためのヒーターを設けてもよい。ヒーターとしては、有機系接着剤層１７の厚さを薄くするために、薄膜状のものを用いることが好ましい。また、高周波による発熱をなくすため、ヒーターには、非磁性体の金属または導電性セラミックス材料を用いることが好ましい。 Further, a heater for heating the electrostatic chuck portion 13 may be provided in the organic adhesive layer 17. As the heater, a thin film is preferably used in order to reduce the thickness of the organic adhesive layer 17. In order to eliminate heat generation due to high frequency, it is preferable to use a non-magnetic metal or a conductive ceramic material for the heater.
給電用端子２１は、静電吸着用電極１２に直流電圧を印加するために設けられた棒状のものである。給電用端子２１の材料としては、導電性材料であれば特に制限されない。 The power feeding terminal 21 is a rod-shaped member provided for applying a DC voltage to the electrostatic chucking electrode 12. The material of the power supply terminal 21 is not particularly limited as long as it is a conductive material.
本実施形態の静電チャック装置１０によれば、静電チャック部材１１は、絶縁性材料の中に導電性粒子が分散した複合焼結体を形成材料とし、絶縁性材料は、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．５μｍ以上２．０μｍ以下の第１絶縁性粒子２２と、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．１μｍ以上０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子２３と、を含み、導電性粒子は、静電チャック部材１１の一主面１１ａに分散し、かつ第２絶縁性粒子２３とともに０．５μｍ以上５．０μｍ以下の大きさで凝集した凝集部２０を構成しているため、帯電した電荷の放電性に優れるために、被吸着物である板状試料を直ちに離脱させることができ、スループットの向上を達成できる。 According to the electrostatic chuck device 10 of the present embodiment, the electrostatic chuck member 11 is made of a composite sintered body in which conductive particles are dispersed in an insulating material, and the insulating material is made of insulating ceramics. First insulating particles 22 having an average particle diameter of 0.5 μm or more and 2.0 μm or less, and insulating ceramics as a forming material, and second insulating properties having an average particle diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm. Particles 23, the conductive particles are dispersed on one main surface 11 a of the electrostatic chuck member 11, and are aggregated together with the second insulating particles 23 in a size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less. Therefore, since the discharge property of the charged electric charge is excellent, the plate-like sample as the adsorbed material can be immediately separated, and an improvement in throughput can be achieved.
［静電チャック装置の製造方法］
次に、本実施形態の静電チャック装置の製造方法を説明する。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の本実施形態の静電チャック装置を製造する方法であって、絶縁性セラミックスを形成材料とする絶縁性粒子と、第１導電性粒子と、第１導電性粒子よりも平均粒子径が小さい第２導電性粒子と、を用いて製造した顆粒を焼成する工程と、得られるセラミックス焼結体を用いて静電チャック部材（基体）を形成する工程と、を有する。
[Method for Manufacturing Electrostatic Chuck Device]
Next, a method for manufacturing the electrostatic chuck device of this embodiment will be described.
The manufacturing method of the electrostatic chuck apparatus of this embodiment is a method of manufacturing the above-described electrostatic chuck apparatus of the present embodiment, and includes insulating particles using insulating ceramics as a forming material, first conductive particles, And forming the electrostatic chuck member (substrate) using the obtained ceramic sintered body and the step of firing the granules produced using the second conductive particles having an average particle diameter smaller than that of the first conductive particles. And a step of performing.
「顆粒の形成」
導電性粒子の原料粉体としては、平均粒子径が異なる２種の粒子、すなわち、第１導電性粒子と、第１導電性粒子よりも平均粒子径が小さい第２導電性粒子との原料粉体を用いる。
平均粒子径が異なる２種の導電性粒子の原料粉体を用いて、絶縁性粒子の原料粉体の焼結時の粒成長をそれぞれ制御することにより、平均粒子径が０．５μｍ以上かつ２．０μｍ以下の焼結体粒子からなる第１絶縁性粒子と、平均粒子径が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子とを形成する。したがって、平均粒子径の異なる２種の導電性粒子の原料粉体の混合割合を調整することにより、導電性粒子と第２絶縁性粒子が凝集してなる凝集粒子の割合が決定される。
"Formation of granules"
As the raw material powder of the conductive particles, two kinds of particles having different average particle diameters, that is, raw material powders of the first conductive particles and the second conductive particles having an average particle diameter smaller than that of the first conductive particles. Use the body.
By using raw material powders of two kinds of conductive particles having different average particle diameters and controlling grain growth during sintering of the raw material powders of insulating particles, the average particle diameter is 0.5 μm or more and 2 First insulating particles made of sintered particles of 0.0 μm or less and second insulating particles having an average particle diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm are formed. Therefore, by adjusting the mixing ratio of the raw material powders of the two kinds of conductive particles having different average particle diameters, the ratio of the aggregated particles formed by aggregating the conductive particles and the second insulating particles is determined.
平均粒子径が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子により凝集粒子を作製するためには、導電性粒子の原料粉体の粒子径は、０．０１μｍ以上かつ０．０３μｍ以下であることが好ましい。一方、平均粒子径が０．５μｍ以上かつ２．０μｍ以下の粒界がない焼結体粒子からなる第１絶縁性粒子を作製するためには、導電性粒子の原料粉体の粒子径は、０．０５μｍ以上かつ０．１μｍ以下であることが好ましい。これら平均粒子径が異なる２種の導電性粒子の原料粉体を混合して、絶縁性粒子の原料粉体とともにスラリーを調製する。 In order to produce agglomerated particles with the second insulating particles having an average particle diameter of 0.1 μm or more and less than 0.5 μm, the particle diameter of the raw material powder of the conductive particles is 0.01 μm or more and 0.03 μm or less. It is preferable that On the other hand, in order to produce the first insulating particles composed of sintered particles having an average particle diameter of 0.5 μm or more and 2.0 μm or less, the particle diameter of the raw material powder of the conductive particles is: The thickness is preferably 0.05 μm or more and 0.1 μm or less. Two kinds of conductive powders of conductive particles having different average particle diameters are mixed, and a slurry is prepared together with the raw powder of insulating particles.
スラリーに用いられる分散媒としては、水および有機溶媒が挙げられる。
有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール等の一価アルコール類およびその変性体；α−テルピネオール等の単環式モノテルペンに属するアルコール類；ブチルカルビトール等のカルビトール類；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類；ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）、エチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等のケトン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素；ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類が好適に用いられ、これらの有機溶媒のうち１種を単独で用いてもよいし、２種以上を混合して混合溶媒として用いてもよい。
Examples of the dispersion medium used for the slurry include water and an organic solvent.
Examples of the organic solvent include monohydric alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, butanol, and octanol and modified products thereof; alcohols belonging to monocyclic monoterpenes such as α-terpineol; carbs such as butyl carbitol. Tolls; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, butyl carbitol acetate, γ-butyrolactone; diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether (methyl cellosolve), Ethylene glycol monoethyl ether (ethyl cellosolve), ethylene glycol monobutyl ether (butyl cellosolve), diethylene glycol monomethyl ether, diethyl Ethers such as lenglycol monoethyl ether; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetylacetone and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and ethylbenzene; dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, Amides such as N-methylpyrrolidone are preferably used, and one of these organic solvents may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used as a mixed solvent.
スラリーを調製する際、分散剤やバインダーを添加してもよい。
分散剤やバインダーとしては、例えば、ポリカルボン酸アンモニウム塩等のポリカルボン酸塩、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等の有機高分子等が用いられる。
When preparing the slurry, a dispersant or a binder may be added.
As the dispersant and binder, for example, polycarboxylic acid salts such as polycarboxylic acid ammonium salt, organic polymers such as polyethylene glycol, polyvinyl alcohol, and polyvinylpyrrolidone are used.
分散媒に対して、平均粒子径が異なる２種の導電性粒子の原料粉体と、絶縁性粒子の原料粉体とを分散する分散処理としては、スラリーを高圧で衝突させる方法、超音波ホモジナイザー、ビーズミル等の分散機を用いて、分散処理を加える方法等が用いられる。 As a dispersion treatment for dispersing the raw material powder of two kinds of conductive particles having different average particle diameters and the raw material powder of insulating particles with respect to the dispersion medium, a method of causing the slurry to collide at high pressure, an ultrasonic homogenizer A method of applying a dispersion treatment using a dispersing machine such as a bead mill is used.
なお、導電性粒子の原料粉体と、絶縁性粒子の原料粉体とを均一に混合していないと、複合化して得られる誘電体材料中の導電性粒子の分布も不均一となり、誘電損失等の電気的特性の再現性、および、焼結体内での導電性粒子の分布も不均一となる。よって、分散媒や分散剤、分散処理条件を選定して、導電性粒子の原料粉体と、絶縁性粒子の原料粉体とを均一に混合することが好ましい。 If the raw material powder of conductive particles and the raw material powder of insulating particles are not mixed uniformly, the distribution of the conductive particles in the dielectric material obtained by the composite becomes non-uniform, resulting in dielectric loss. The reproducibility of electrical characteristics such as the above and the distribution of conductive particles in the sintered body are also non-uniform. Therefore, it is preferable to uniformly mix the raw material powder of conductive particles and the raw material powder of insulating particles by selecting a dispersion medium, a dispersant, and dispersion treatment conditions.
次いで、このスラリーを噴霧乾燥法により噴霧乾燥して、顆粒を得る。
噴霧乾燥装置としては、スプレードライヤー等が好適に用いられる。
ここでは、スラリーを加熱された気流中に噴霧し乾燥することにより、スラリー中の導電性粒子の原料粉体と、絶縁性粒子の原料粉体とが均一に分散された状態で、分散媒のみが飛散し、絶縁性材料中に導電性粒子が均一に分散した顆粒が得られる。
The slurry is then spray dried by a spray drying method to obtain granules.
As the spray drying device, a spray dryer or the like is preferably used.
Here, the slurry is sprayed into a heated air stream and dried to uniformly disperse the raw material powder of conductive particles and the raw material powder of insulating particles in the slurry, and only the dispersion medium. Are dispersed, and granules in which conductive particles are uniformly dispersed in the insulating material are obtained.
次いで、この顆粒を公知の成形手段により、所定形状に成形して、成形体を得る。
次いで、得られた成形体を、表面粗さＲａが０．２ｍｍ以下の平面度を有するカーボン板で挟んで、所定の焼成雰囲気にて、１ＭＰａ以上かつ１００ＭＰａ以下の加圧下にて焼成し、セラミックス焼結体からなる静電チャック部材を作製する。
Next, this granule is molded into a predetermined shape by a known molding means to obtain a molded body.
Subsequently, the obtained molded body is sandwiched between carbon plates having a flatness with a surface roughness Ra of 0.2 mm or less, and fired in a predetermined firing atmosphere under a pressure of 1 MPa or more and 100 MPa or less. An electrostatic chuck member made of a sintered body is produced.
焼成雰囲気としては、導電性粒子として、導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子、モリブデン（Ｍｏ）粒子、タングステン（Ｗ）粒子、タンタル（Ｔａ）粒子等を用いた場合、これらの酸化を防止する必要があることから、非酸化性雰囲気、例えば、アルゴン（Ａｒ）雰囲気、窒素（Ｎ２）雰囲気等が好ましい。 As the firing atmosphere, when conductive silicon carbide (SiC) particles, molybdenum (Mo) particles, tungsten (W) particles, tantalum (Ta) particles or the like are used as the conductive particles, it is necessary to prevent these oxidations. Therefore, a non-oxidizing atmosphere, for example, an argon (Ar) atmosphere, a nitrogen (N 2 ) atmosphere, or the like is preferable.
カーボン板を、表面粗さＲａが０．２ｍｍ以下の平面度を有するものとした理由は、表面に表面粗さＲａが０．２ｍｍより大きな凹凸があると、加圧が不均一になり、成形体の焼結状態のばらつきが、誘電損失のような電気的性質のばらつきとなって現われるからである。 The reason why the carbon plate has a flatness with a surface roughness Ra of 0.2 mm or less is that if the surface has irregularities with a surface roughness Ra greater than 0.2 mm, the pressure becomes uneven and the molding This is because variations in the sintered state of the body appear as variations in electrical properties such as dielectric loss.
成形体の焼成時の圧力を１ＭＰａ以上かつ１００ＭＰａ以下とした理由は、圧力が１ＭＰａ未満では、得られた焼結体の密度が低くなり、耐食性が低下し、また、緻密な焼結体が得られず導電性も高くなり、半導体製造装置用部材（静電チャック部材）として使用する際に用途が限定されてしまい、汎用性が損なわれるからである。一方、圧力が１００ＭＰａを超えると、得られた焼結体の密度、導電性とも問題はないが、部材の大型化に伴う大型焼結体の焼結装置を設計する際、加圧面積に制限が生じるからである。 The reason for setting the pressure during firing of the molded body to 1 MPa or more and 100 MPa or less is that when the pressure is less than 1 MPa, the density of the obtained sintered body is lowered, the corrosion resistance is lowered, and a dense sintered body is obtained. This is because the conductivity is increased and the use is limited when used as a semiconductor manufacturing apparatus member (electrostatic chuck member), and versatility is impaired. On the other hand, when the pressure exceeds 100 MPa, there is no problem with the density and conductivity of the obtained sintered body, but when designing a sintering apparatus for a large sintered body accompanying the increase in the size of the member, the pressure area is limited. This is because.
また、焼成温度は、絶縁性粒子の通常の焼結温度を適用することができる。例えば、絶縁性粒子に酸化アルミニウムを用いる場合、１５００℃以上かつ１９００℃以下であることが好ましい。
成形体を１５００℃以上かつ１９００℃以下にて焼成することが好ましい理由は、焼成温度が１５００℃未満では、成形体の焼結が不充分となり、緻密なセラミックス焼結体が得られなくなるおそれがあるからである。一方、焼成温度が１９００℃を超えると、成形体の焼結が進みすぎて、異常粒成長等が生じる等のおそれがあり、その結果、緻密なセラミックス焼結体が得られなくなるおそれがあるからである。
Moreover, the normal sintering temperature of insulating particle | grains can be applied for a calcination temperature. For example, when aluminum oxide is used for the insulating particles, the temperature is preferably 1500 ° C. or higher and 1900 ° C. or lower.
The reason why it is preferable to fire the compact at 1500 ° C. or more and 1900 ° C. or less is that if the firing temperature is less than 1500 ° C., the compact may not be sufficiently sintered and a dense ceramic sintered body may not be obtained. Because there is. On the other hand, if the firing temperature exceeds 1900 ° C., sintering of the molded body may proceed excessively and abnormal grain growth or the like may occur, and as a result, a dense ceramic sintered body may not be obtained. It is.
また、焼成時間は、緻密な焼結体が得られるのに充分な時間であればよく、例えば、１時間〜６時間である。 Further, the firing time may be a time sufficient to obtain a dense sintered body, and is, for example, 1 hour to 6 hours.
上記のようにして得られたセラミックス焼結体を、所定の形状（例えば、円板状）に加工して静電チャック部材とし、その静電チャック部材を用いて、静電チャック装置を作製する。 The ceramic sintered body obtained as described above is processed into a predetermined shape (for example, a disk shape) to form an electrostatic chuck member, and an electrostatic chuck device is manufactured using the electrostatic chuck member. .
このようにして作製した静電チャック部材は、絶縁性材料の中に導電性粒子が分散した複合焼結体を形成材料とし、絶縁性材料は、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．５μｍ以上２．０μｍ以下の第１絶縁性粒子と、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．１μｍ以上０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子と、を含み、導電性粒子は、その一主面に分散し、かつ第２絶縁性粒子とともに０．５μｍ以上５．０μｍ以下の大きさで凝集した凝集部を構成しているので、電荷を素早く放電できるために、スループットの向上した静電チャックとして好適に用いることができる。 The electrostatic chuck member thus manufactured uses a composite sintered body in which conductive particles are dispersed in an insulating material as a forming material, and the insulating material uses an insulating ceramic as a forming material and has an average particle diameter. 1st insulating particle of 0.5 micrometer or more and 2.0 micrometers or less, and 2nd insulating particle which uses insulating ceramics as a forming material, and whose average particle diameter is 0.1 micrometer or more and less than 0.5 micrometer, and is electroconductive particle Constitutes an agglomerated part dispersed on one main surface and agglomerated in a size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less together with the second insulating particles. It can be suitably used as an improved electrostatic chuck.
本発明の静電チャック装置の製造方法によれば、絶縁性セラミックスを形成材料とする絶縁性粒子と、第１導電性粒子と、第１導電性粒子よりも平均粒子径が小さい第２導電性粒子と、を用いて製造した顆粒を焼成する工程と、得られるセラミックス焼結体を用いて静電チャック部材を形成する工程と、を有するため、簡便に、かつ高い歩留りで上記特性の静電チャック装置を得ることができる。 According to the method for manufacturing an electrostatic chuck device of the present invention, insulating particles using insulating ceramics as a forming material, first conductive particles, and second conductive material having an average particle diameter smaller than that of the first conductive particles. Particles, and a step of firing a granule produced using the particles, and a step of forming an electrostatic chuck member using the resulting ceramic sintered body. A chuck device can be obtained.
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, this invention is not limited to a following example.
［実施例１］
平均粒子径が０．０３μｍのＳｉＣ粉体と、平均粒子径が０．０５μｍのＳｉＣ粉体とを、質量比で２：８の割合で混合した炭化珪素（ＳｉＣ）粉体が８質量％、平均粒子径が０．１μｍの酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉体が９２質量％となるように秤量して、スラリーを調製した。
このスラリーを、湿式ジェットミル装置を用いて、１５０ＭＰａの圧力で加圧し、スラリー同士を斜向衝突させることで、水中に分散する分散処理を行い、分散液を調整した。
この分散液を、スプレードライヤーを用いて２００℃にて乾燥し、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ複合粉体を得た。
次いで、このＡｌ２Ｏ３−ＳｉＣ複合粉体を、公知の成形手段により、所定形状に成形した。
次いで、その成形体を、表面粗さＲａが０．１ｍｍの平面度を有するカーボン板に挟んで、ホットプレスを用いて、アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、１６５０℃、圧力２５ＭＰａにて２時間焼成を行い、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ複合焼結体を作製した。
次いで、得られたＡｌ２Ｏ３−ＳｉＣ複合焼結体を、直径３００ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの円板状に加工し、実施例１のＡｌ２Ｏ３−ＳｉＣ複合焼結体からなるセラミックス誘電体材料を作製した。
実施例１のセラミックス誘電体材料の表面を、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）で観察した。走査型電子顕微鏡像を図４に示す。図４に示す走査型電子顕微鏡像から、粒子径１μｍ〜２μｍの焼結体粒子と、その間に粒子径０．５μｍ未満の粒子が集まって凝集体を形成している構造となっているのが確認できた。
[Example 1]
8 mass% of silicon carbide (SiC) powder obtained by mixing SiC powder having an average particle diameter of 0.03 μm and SiC powder having an average particle diameter of 0.05 μm at a mass ratio of 2: 8, A slurry was prepared by weighing the aluminum oxide (Al 2 O 3 ) powder having an average particle diameter of 0.1 μm to 92 mass%.
The slurry was pressurized at a pressure of 150 MPa using a wet jet mill apparatus, and the slurry was obliquely collided with each other to perform dispersion treatment for dispersion in water to prepare a dispersion.
This dispersion was dried at 200 ° C. using a spray dryer to obtain Al 2 O 3 —SiC composite powder.
Next, this Al 2 O 3 —SiC composite powder was molded into a predetermined shape by a known molding means.
Next, the molded body is sandwiched between carbon plates having a flatness with a surface roughness Ra of 0.1 mm, and fired at 1650 ° C. under a pressure of 25 MPa for 2 hours in an argon (Ar) atmosphere using a hot press. Then, an Al 2 O 3 —SiC composite sintered body was produced.
Next, the obtained Al 2 O 3 —SiC composite sintered body was processed into a disk shape having a diameter of 300 mm and a thickness of 1.0 mm, and the ceramic comprising the Al 2 O 3 —SiC composite sintered body of Example 1 was obtained. A dielectric material was prepared.
The surface of the ceramic dielectric material of Example 1 was observed with a scanning electron microscope (SEM). A scanning electron microscope image is shown in FIG. From the scanning electron microscope image shown in FIG. 4, a sintered body particle having a particle diameter of 1 μm to 2 μm and a particle having a particle diameter of less than 0.5 μm gathered to form an aggregate. It could be confirmed.
［実施例２］
平均粒子径が０．０３μｍのＳｉＣ粉体と、平均粒子径が０．０５μｍのＳｉＣ粉体とを、質量比で１：９の割合で混合した以外は、実施例１と同様にして、実施例２のＡｌ２Ｏ３−ＳｉＣ複合焼結体からなるセラミックス誘電体材料を作製した。
[Example 2]
Implementation was carried out in the same manner as in Example 1 except that SiC powder having an average particle diameter of 0.03 μm and SiC powder having an average particle diameter of 0.05 μm were mixed at a mass ratio of 1: 9. A ceramic dielectric material comprising the Al 2 O 3 —SiC composite sintered body of Example 2 was produced.
［比較例］
平均粒子径が０．０５μｍの炭化珪素（ＳｉＣ）粉体が８質量％、平均粒子径が０．１μｍの酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉体が９２質量％となるように秤量して、スラリーを調製した以外は、実施例１と同様にして、比較例のＡｌ２Ｏ３−ＳｉＣ複合焼結体からなるセラミックス誘電体材料を作製した。
比較例のセラミックス誘電体材料の表面を、走査型電子顕微鏡で観察した。走査型電子顕微鏡像を図５に示す。図５に示す走査型電子顕微鏡像から、比較例のセラミックス誘電体材料は、粒子径０．５μｍ〜２μｍの焼結体粒子のみからなる構造となっているのが確認できた。
[Comparative example]
Weighing so that the silicon carbide (SiC) powder having an average particle size of 0.05 μm is 8% by mass and the aluminum oxide (Al 2 O 3 ) powder having an average particle size of 0.1 μm is 92% by mass, A ceramic dielectric material made of the Al 2 O 3 —SiC composite sintered body of Comparative Example was produced in the same manner as in Example 1 except that the slurry was prepared.
The surface of the ceramic dielectric material of the comparative example was observed with a scanning electron microscope. A scanning electron microscope image is shown in FIG. From the scanning electron microscope image shown in FIG. 5, it was confirmed that the ceramic dielectric material of the comparative example had a structure composed only of sintered particles having a particle diameter of 0.5 μm to 2 μm.
［静電チャックの評価］
実施例１、２および比較例で得られたセラミックス誘電体材料を用いて、図１に示すような静電チャック装置を作製した。
得られた静電チャック装置の静電チャック部材の一主面（載置面）に、Ｓｉウエハを静電吸着させ、この静電チャックの静電吸着力、静電吸着時間および離脱時間をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。
なお、静電吸着時間とは、静電吸着用電極に、直流２５００Ｖの電圧を印加したときに静電吸着力が９８００Ｐａ（１００ｇｆ／ｃｍ２）になるまでの時間であり、離脱時間とは、静電吸着用電極に、直流２５００Ｖの電圧を１分間印加した後に印加を中止し、その時から静電吸着力が９８０Ｐａ（１０ｇｆ／ｃｍ ２）になるまでの時間である。
[Evaluation of electrostatic chuck]
Using the ceramic dielectric material obtained in Examples 1 and 2 and the comparative example, an electrostatic chuck device as shown in FIG. 1 was produced.
The Si wafer is electrostatically attracted to one main surface (mounting surface) of the electrostatic chuck member of the obtained electrostatic chuck device, and the electrostatic chucking force, electrostatic chucking time and separation time of the electrostatic chuck are respectively determined. It was measured. The results are shown in Table 1.
The electrostatic adsorption time is the time until the electrostatic adsorption force reaches 9800 Pa (100 gf / cm 2 ) when a voltage of DC 2500 V is applied to the electrostatic adsorption electrode. The separation time is This is the time from when the voltage of DC 2500 V is applied to the electrode for electrostatic attraction for 1 minute and then the application is stopped until the electrostatic attraction force reaches 980 Pa (10 gf / cm 2 ).
表１の結果から、静電吸着力および静電吸着時間に関して、実施例１、２および比較例は、ほぼ同じ特性を有していた。
一方、離脱時間に関して、実施例１、２は、比較例と比べて早く、スループットが約１／５〜１／１０に短縮できることが分かった。
From the results shown in Table 1, Examples 1 and 2 and the comparative example had almost the same characteristics with respect to electrostatic adsorption force and electrostatic adsorption time.
On the other hand, with respect to the separation time, Examples 1 and 2 were faster than Comparative Examples, and it was found that the throughput could be reduced to about 1/5 to 1/10.
１０・・・静電チャック装置、１１・・・静電チャック部材、１２・・・静電吸着用電極、１３・・・静電チャック部、１４・・・ベース部（基台）、１５・・・有機系接着剤層、１６・・・絶縁層、１７・・・有機系接着剤層、１８・・・突起部、１９・・・非凝集部、２０・・・凝集部、２１・・・静電吸着用電極、２２・・・第１絶縁性粒子、２３・・・第２絶縁性粒子、２４・・・導電性粒子。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electrostatic chuck apparatus, 11 ... Electrostatic chuck member, 12 ... Electrostatic chucking electrode, 13 ... Electrostatic chuck part, 14 ... Base part (base), 15 ..Organic adhesive layer, 16 ... insulating layer, 17 ... organic adhesive layer, 18 ... projection, 19 ... non-aggregating part, 20 ... aggregating part, 21 .. Electrode for electrostatic attraction, 22 ... first insulating particles, 23 ... second insulating particles, 24 ... conductive particles.
Claims (4)
前記基体は、絶縁性材料の中に導電性粒子が分散した複合焼結体を形成材料とし、
前記絶縁性材料は、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．５μｍ以上２．０μｍ以下の第１絶縁性粒子と、絶縁性セラミックスを形成材料とし、平均粒子径が０．１μｍ以上０．５μｍ未満の第２絶縁性粒子と、を含み、
前記導電性粒子は、前記一主面に分散し、かつ前記第２絶縁性粒子とともに０．５μｍ以上５．０μｍ以下の大きさで凝集した凝集部を構成していることを特徴とする静電チャック装置。 An electrostatic chuck device that electrostatically attracts a plate-like sample to one main surface of a substrate,
The base material is a composite sintered body in which conductive particles are dispersed in an insulating material as a forming material,
The insulating material is made of insulating ceramics, and the first insulating particles having an average particle diameter of 0.5 μm or more and 2.0 μm or less and the insulating ceramics are used as a forming material, and the average particle diameter is 0.1 μm or more. Second insulating particles less than 0.5 μm,
The electroconductive particles are dispersed on the one main surface and constitute an agglomerated portion that aggregates with the second insulating particles in a size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less. Chuck device.
前記導電性粒子はＳｉＣを形成材料とすることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック装置。 The insulating ceramic is Al 2 O 3 ;
The electrostatic chuck apparatus according to claim 1, wherein the conductive particles are made of SiC.
絶縁性セラミックスを形成材料とする絶縁性粒子と、第１導電性粒子と、前記第１導電性粒子よりも平均粒子径が小さい第２導電性粒子と、を用いて製造した顆粒を焼成する工程と、
得られるセラミックス焼結体を用いて前記基体を形成する工程と、を有することを特徴とする静電チャック装置の製造方法。 A method of manufacturing an electrostatic chuck apparatus for electrostatically adsorbing a plate-like sample on one main surface of a substrate,
The process of baking the granule manufactured using the insulating particle | grains which use insulating ceramics as a forming material, 1st electroconductive particle, and 2nd electroconductive particle whose average particle diameter is smaller than said 1st electroconductive particle. When,
And a step of forming the base body using the obtained ceramic sintered body.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019096733A (en) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting table |
| JP2020150169A (en) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device and manufacturing method therefor |
| US20210020489A1 (en) * | 2018-03-23 | 2021-01-21 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device and production method for electrostatic chuck device |
| WO2023191065A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098114A (en) * | 1995-03-17 | 1997-01-10 | Tokyo Electron Ltd | Stage device |
| JP2000313905A (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | Composite material and its various uses |
| JP2001351969A (en) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2002324833A (en) * | 2002-03-15 | 2002-11-08 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2002348175A (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Kyocera Corp | Resistor, its manufacturing method and support system |
| JP2008177339A (en) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2008288428A (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Toto Ltd | Electrostatic chuck |
| US20120141661A1 (en) * | 2010-05-28 | 2012-06-07 | Jaeyong Cho | Substrate supports for semiconductor applications |
| JP2014138061A (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Dielectric material |
-
2014
- 2014-10-27 JP JP2014217955A patent/JP6424563B2/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098114A (en) * | 1995-03-17 | 1997-01-10 | Tokyo Electron Ltd | Stage device |
| JP2000313905A (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | Composite material and its various uses |
| JP2001351969A (en) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2002348175A (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Kyocera Corp | Resistor, its manufacturing method and support system |
| JP2002324833A (en) * | 2002-03-15 | 2002-11-08 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2008177339A (en) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2008288428A (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Toto Ltd | Electrostatic chuck |
| US20120141661A1 (en) * | 2010-05-28 | 2012-06-07 | Jaeyong Cho | Substrate supports for semiconductor applications |
| JP2014138061A (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Dielectric material |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019096733A (en) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting table |
| JP6991043B2 (en) | 2017-11-22 | 2022-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Board mount |
| US20210020489A1 (en) * | 2018-03-23 | 2021-01-21 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device and production method for electrostatic chuck device |
| US11837489B2 (en) * | 2018-03-23 | 2023-12-05 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device and production method for electrostatic chuck device |
| JP2020150169A (en) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device and manufacturing method therefor |
| JP7205320B2 (en) | 2019-03-14 | 2023-01-17 | 住友大阪セメント株式会社 | ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| WO2023191065A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck |
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| Publication number | Publication date |
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