JP7019203B2 - イメージセンサモジュール及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 133
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WBHQEUPUMONIKF-UHFFFAOYSA-N PCB180 Chemical compound C1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1C1=CC(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1Cl WBHQEUPUMONIKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N copper silver Chemical compound [Cu].[Ag].[Ag] YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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Description
図1に示されるように、キャリアウェハ102を提供する。前記キャリアウェハの材料は、シリコン(silicon)、ガラス、酸化ケイ素、アルミナ、またはこれらの組み合わせを含むことができる。キャリアウェハ102の厚さは、約350μm~約1000μmの範囲である。ある実施例において、キャリアウェハ102の直径は、約200mm、300mm等であることができる。
Claims (10)
- イメージセンサモジュールの製造方法であって、
キャリアウェハに複数の第1チップを接着することと、
少なくともパターン化ボンディング層または透明ボンディング層を含む永久ボンディング層を各第1チップに形成することと、
第2チップと各第1チップとを前記永久ボンディング層を介してボンディングし、前記キャリアウェハに複数のパッケージ構造を形成することとを含み、
前記第1チップは、透明フィルタとイメージセンサのうちの一方からなり、
前記第2チップは、前記透明フィルタと前記イメージセンサのうちの他方からなり、
各パッケージ構造における前記イメージセンサは、前記透明フィルタに対向する感光領域を備え、
前記第2チップをボンディングした後、前記キャリアウェハを除去することを含む、
イメージセンサモジュールの製造方法。 - 前記イメージセンサは、正面を備え、
前記正面は、
前記感光領域及び複数の接続パッドを含み、
前記接続パッドは、前記イメージセンサと前記透明フィルタとがボンディングされたボンディング領域またはボンディング領域外に位置する、
請求項1に記載のイメージセンサモジュールの製造方法。 - 前記永久ボンディング層が前記透明ボンディング層である場合、前記パッケージ構造における前記第1チップと前記第2チップとの距離は、前記透明ボンディング層の厚さ以下であり、
前記透明ボンディング層は、前記キャリアウェハの全表面に位置する複数の前記第1チップを覆う、
請求項1に記載のイメージセンサモジュールの製造方法。 - 前記永久ボンディング層が前記パターン化ボンディング層である場合、各パッケージ構造における前記パターン化ボンディング層、前記イメージセンサ及び前記透明フィルタによって、キャビティを形成し、前記イメージセンサの前記感光領域は、前記キャビティ内に露出される、
請求項1に記載のイメージセンサモジュールの製造方法。 - フォトリソグラフィ工程によって、パターン化ドライフィルムを含む前記パターン化ボンディング層を形成することと、
又は、スクリーン印刷工程によって前記パターン化ボンディング層を形成することとを含み、
前記パターン化ボンディング層は、構造接着剤、UV両面ボンディング層、透明接着剤、またはこれらの組み合わせを含む、
請求項1に記載のイメージセンサモジュールの製造方法。 - 前記キャリアウェハに複数の前記第1チップを接着することは、
前記キャリアウェハに仮ボンディング層を設置することと、
複数の前記第1チップを前記仮ボンディング層に接着することとを含む、
請求項1に記載のイメージセンサモジュールの製造方法。 - 複数の前記第1チップを前記キャリアウェハに接着させることは、静電ボンディング工程を含み、
各第1チップに前記永久ボンディング層を形成することは、スクリーン印刷工程を含む、
請求項1に記載のイメージセンサモジュールの製造方法。 - 前記永久ボンディング層がUV両面ボンディング層を含む場合、前記永久ボンディング層を各第1チップに形成する工程及び前記第2チップと各透明フィルタとをボンディングさせる工程は、
各第1チップにUV硬化プリカーサをコーティングすることと、
スクリーン印刷工程によって、前記UV硬化プリカーサをパターン化させることと、
各第1チップにおける前記UV硬化プリカーサに前記第2チップを配置させることと、
前記第1チップと前記第2チップとの間に位置する前記UV硬化プリカーサを硬化させることにより、前記UV両面ボンディング層を前記永久ボンディング層として形成することとを含む、
請求項1に記載のイメージセンサモジュールの製造方法。 - イメージセンサモジュールであって、
第1チップと、
前記第1チップ上に位置する永久ボンディング層であって、少なくともパターン化ボンディング層または透明ボンディング層を含む永久ボンディング層と、
前記永久ボンディング層を介して前記第1チップにボンディングすることにより、パッケージ構造を形成する第2チップとを含み、
前記第1チップは、透明フィルタとイメージセンサのうちの一方からなり、前記第2チップは、前記透明フィルタと前記イメージセンサのうちの他方からなり、前記パッケージ構造における前記イメージセンサは、前記透明フィルタに対向する感光領域を備え、
前記パッケージ構造における前記透明フィルタと前記イメージセンサとの距離は、前記永久ボンディング層の厚さであり、
前記イメージセンサは、正面を備え、
前記正面は、
前記感光領域及び複数の接続パッドを含み、
前記接続パッドは、前記イメージセンサと前記透明フィルタがボンディングされたボンディング領域に位置する、
イメージセンサモジュール。 - 前記永久ボンディング層が前記パターン化ボンディング層である場合、前記永久ボンディング層は、ドライフィルム、構造接着剤、UV両面ボンディング層、透明接着剤、またはこれらの組み合わせを含み、
前記永久ボンディング層が前記透明ボンディング層である場合、前記透明ボンディング層は、複数の前記第1チップの全部を覆う透明接着剤を含む、
請求項9に記載のイメージセンサモジュール。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2018/106869 WO2020056706A1 (en) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | Image sensor module and method for forming the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021501983A JP2021501983A (ja) | 2021-01-21 |
JP7019203B2 true JP7019203B2 (ja) | 2022-02-15 |
Family
ID=69883573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019568296A Active JP7019203B2 (ja) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | イメージセンサモジュール及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200098807A1 (ja) |
JP (1) | JP7019203B2 (ja) |
KR (1) | KR102401776B1 (ja) |
CN (1) | CN111295873B (ja) |
WO (1) | WO2020056706A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111627948B (zh) * | 2020-06-05 | 2023-04-28 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种具有片上滤光片的ccd结构 |
CN111935939B (zh) * | 2020-09-03 | 2021-01-22 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 密封结构、密封方法、传感器和电子设备 |
KR20230053241A (ko) * | 2021-10-14 | 2023-04-21 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 이를 포함하는 카메라 모듈 |
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- 2018-09-21 KR KR1020197036864A patent/KR102401776B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-21 WO PCT/CN2018/106869 patent/WO2020056706A1/en active Application Filing
- 2018-09-21 JP JP2019568296A patent/JP7019203B2/ja active Active
- 2018-09-21 CN CN201880002609.9A patent/CN111295873B/zh active Active
- 2018-10-12 US US16/159,140 patent/US20200098807A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111295873A (zh) | 2020-06-16 |
WO2020056706A1 (en) | 2020-03-26 |
KR102401776B1 (ko) | 2022-05-25 |
JP2021501983A (ja) | 2021-01-21 |
CN111295873B (zh) | 2022-04-12 |
KR20200035237A (ko) | 2020-04-02 |
US20200098807A1 (en) | 2020-03-26 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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