JP7017299B2 - ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 - Google Patents
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シリコン基材と、該シリコン基材上に形成され、単結晶MgO層、単結晶SrTiO3層、α-Al2O3層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層のいずれかからなる中間層と、該中間層上に形成され、イリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層と、該下地層上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを有し、
前記単結晶ダイヤモンド層の厚みが、300μm以下のものであることを特徴とするダイヤモンド電子素子を提供する。
シリコン基材を準備する準備工程と、該シリコン基材上に単結晶MgO層、単結晶SrTiO3層、α-Al2O3層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層の内のいずれかからなる中間層を形成する中間層工程と、前記中間層上にイリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層を形成する下地層工程と、前記下地層上に単結晶ダイヤモンド層を形成する単結晶ダイヤモンド層工程とを含み、
前記単結晶ダイヤモンド層工程において形成する前記単結晶ダイヤモンド層の厚みを、300μm以下とすることを特徴とするダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。
図1に示すように、本発明のダイヤモンド電子素子1は、シリコン基材2と、該シリコン基材2上に形成される中間層3と、該中間層3上に形成される下地層4と、該下地層4上に形成された単結晶ダイヤモンド層5とを有している。
このような範囲の半値幅を有するものであれば、充分なデバイス性能を得ることが可能となる。
このように、本発明のダイヤモンド電子素子において、単結晶ダイヤモンド層5の厚みは300μm以下であるので、単結晶ダイヤモンド層5を形成するための時間が短くなる。さらに、単結晶ダイヤモンド層5の表面の凹凸が抑制されたものとなるので、研磨加工に要する時間も短くなる。そのため、低コストなものとなる。さらに、単結晶ダイヤモンド層5の反りが抑制されるため、クラックの発生や破損が防止され、研磨加工やデバイス作製を容易に行うことができるものとなる。
(準備工程:図2のSP1)
まず、シリコン基材2を準備する。
準備するシリコン基材2としては、特に限定されず、例えば両面研磨した直径5~150mmの単結晶シリコンウェーハとすることができる。シリコンウェーハは、安価に大面積かつ高品質なものの入手が可能である。
次に、シリコン基材2上に単結晶MgO層、単結晶SrTiO3層、α-Al2O3層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層の内のいずれかからなる中間層3を形成する。
次に、中間層3上にイリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層4を形成する。
そして、下地層4上に単結晶ダイヤモンド層5を形成する。
このとき、単結晶ダイヤモンド層5の厚みが、300μmよりも厚いと、長時間成長が必要となったり、表面の凹凸が大きくなり長時間の研磨加工を要したりして、高コスト要因となる。また、反りが大きくなり、研磨加工やデバイス作製が困難となる。場合によってはクラックの発生や、破損の原因となってしまう。
まず、10.0mm直径、厚さが1.0mmで方位(100)の両面研磨された単結晶シリコンウェーハをシリコン基材2として用意した。
実施例1において、シリコン基材2上にスパッター法でPtの薄膜を1μm形成してから、単結晶MgO層(中間層)のヘテロエピタキシャル成長を行った以外は同様にして、厚み50μmの単結晶ダイヤモンド層5を形成したところ、この単結晶ダイヤモンド層5をX線回折測定(入射X線波長1.54Å)したところ、ダイヤモンド(004)帰属の2θ=119.5°における回折強度ピークの半値幅が530arcsec(約0.147°)であった。実施例1と同様にSBDを作製して、I-V特性を測定したところ、HPHTダイヤモンドと同等の特性を示すことができた。
実施例1において、シリコン基材2上の単結晶ダイヤモンド層5の製膜を行う面側に、単結晶MgO層を分子ビームエピタキシー(Molecular Beam Epitaxy:MBE)法で、厚みが50nmになるまでエピタキシャル成長してから、Ir層(下地層4)のヘテロエピタキシャル成長を行った以外は同様にして、厚み50μmの単結晶ダイヤモンド層5を形成したところ、この単結晶ダイヤモンド層5をX線回折測定(入射X線波長1.54Å)したところ、ダイヤモンド(004)帰属の2θ=119.5°における回折強度ピークの半値幅が560arcsec(約0.156°)であった。実施例1と同様にSBDを作製して、I-V特性を測定したところ、HPHTダイヤモンドと同等の特性を示すことができた。
実施例1において、シリコン基材2上の単結晶ダイヤモンド層5の製膜を行う面側に、単結晶MgO層をパルスレーザーデポジション(Pulsed Laser Deposition:PLD)法で、厚みが10μmになるまでエピタキシャル成長してから、Ir層(下地層4)のヘテロエピタキシャル成長を行った以外は同様にして、厚み50μmの単結晶ダイヤモンド層5を形成したところ、この単結晶ダイヤモンド層5をX線回折測定(入射X線波長1.54Å)したところ、ダイヤモンド(004)帰属の2θ=119.5°における回折強度ピークの半値幅が610arcsec(約0.169°)であった。実施例1と同様にSBDを作製して、I-V特性を測定したところ、HPHTダイヤモンドと同等の特性を示すことができた。
実施例1と同様にしてDCプラズマCVDで50μmの単結晶ダイヤモンド層5を形成した後、単結晶ダイヤモンド層5をマイクロ波CVDで35h追加成長させて、単結晶ダイヤモンド層5の合計厚みを298μmとした。その後、実施例1と同様して、マイクロ波CVD法で、高濃度ボロンドープした単結晶ダイヤモンド層5aを1μm厚、更に低ボロンドープした単結晶ダイヤモンド層5bを1μm厚形成した(図3参照)。即ち、実施例5における単結晶ダイヤモンド層5、5a、5bの合計の厚みは、300μmとした。その後、実施例1と同様にして、SBDを作製し、そのI-V特性を測定したところ、HPHTダイヤモンドと同等の特性を示すことができた。
実施例1と同様にしてDCプラズマCVDで10μmの単結晶ダイヤモンド層5を形成した後、単結晶ダイヤモンド層5をマイクロ波CVDで13h追加成長させて、単結晶ダイヤモンド層5の合計厚みを101μmとした。その後、実施例1と同様して、マイクロ波CVD法で、高濃度ボロンドープした単結晶ダイヤモンド層5aを1μm厚、更に低ボロンドープした単結晶ダイヤモンド層5bを1μm厚形成した(図3参照)。即ち、実施例6における単結晶ダイヤモンド層5、5a、5bの合計の厚みは、103μmとした。その後、実施例1と同様にして、SBDを作製し、そのI-V特性を測定したところ、HPHTダイヤモンドと同等の特性を示すことができた。
実施例1と同様にしてDCプラズマCVDで10μmの単結晶ダイヤモンド層5を形成した後、単結晶ダイヤモンド層5をマイクロ波CVDで27h追加成長させて、単結晶ダイヤモンド層5の合計厚みを199μmとした。その後、実施例1と同様して、マイクロ波CVD法で、高濃度ボロンドープした単結晶ダイヤモンド層5aを1μm厚、更に低ボロンドープした単結晶ダイヤモンド層5bを1μm厚形成した(図3参照)。即ち、実施例7における単結晶ダイヤモンド層5、5a、5bの合計の厚みは、201μmとした。その後、実施例1と同様にして、SBDを作製し、そのI-V特性を測定したところ、HPHTダイヤモンドと同等の特性を示すことができた。
実施例1において用いたシリコン基材を用いないで、代わりに、10.0mm直径、厚さが1.0mmで方位(100)の両面研磨した単結晶MgOを基材として用い、これに実施例1と同様にIr層を製膜、バイアス処理、DCプラズマCVDをして50μm厚の単結晶ダイヤモンド層を成長させた。CVD終了後、室温に戻して、チャンバーから取り出すと、単結晶MgO層面から単結晶ダイヤモンド層/Ir層が剥離して散らばっていた。これは、応力が大きいため剥離したと考えられる。
実施例1と同様にしてDCプラズマCVDで50μmの単結晶ダイヤモンド層を形成した後、マイクロ波CVDで43h追加成長させて、単結晶ダイヤモンド層の合計厚みを350μmとした。その後、室温に戻して、チャンバーから取り出すと、単結晶ダイヤモンド層の全面に多数のクラックが入っていた。
5、5a、5b…単結晶ダイヤモンド層、 6…薄膜、 7…オーミック電極、
8…ショットキー電極。
Claims (4)
- ダイヤモンド電子素子であって、
シリコン基材と、該シリコン基材上に形成され、α-Al2O3層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層のいずれかからなる中間層と、該中間層上に形成され、イリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層と、該下地層上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを有し、
前記シリコン基材と前記中間層との間に、金、白金、チタン、クロム、イリジウム、ロジウム、シリコンのいずれかからなる薄膜が1層以上形成されたものであり、
前記単結晶ダイヤモンド層の厚みが、300μm以下のものであり、
前記単結晶ダイヤモンド層は、ボロン不純物を導入したp型単結晶ダイヤモンド、リン不純物を導入したn型単結晶ダイヤモンド、不純物を導入しない高抵抗単結晶ダイヤモンドのいずれかから選択される単結晶ダイヤモンド層が2層以上積層されたものであることを特徴とするダイヤモンド電子素子。 - 前記単結晶ダイヤモンド層の結晶性が、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したダイヤモンド(004)帰属の2θ=119.5°における回折強度ピークのロッキングカーブ半値幅(FWHM)が3°以下のものであることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド電子素子。
- ダイヤモンド電子素子の製造方法であって、
シリコン基材を準備する準備工程と、該シリコン基材上にα-Al2O3層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層の内のいずれかからなる中間層を形成する中間層工程と、前記中間層上にイリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層を形成する下地層工程と、前記下地層上に単結晶ダイヤモンド層を形成する単結晶ダイヤモンド層工程とを含み、
前記準備工程と前記中間層工程との間に、前記シリコン基材上に金、白金、チタン、クロム、イリジウム、ロジウム、シリコンのいずれかからなる薄膜を1層以上形成する工程を有し、
前記単結晶ダイヤモンド層工程において形成する前記単結晶ダイヤモンド層の厚みを、300μm以下とし、
前記単結晶ダイヤモンド層工程において、前記下地層上に形成する単結晶ダイヤモンド層として、ボロン不純物を導入したp型単結晶ダイヤモンド、リン不純物を導入したn型単結晶ダイヤモンド、不純物を導入しない高抵抗単結晶ダイヤモンドのいずれかから選択される単結晶ダイヤモンド層を2層以上積層させることを特徴とするダイヤモンド電子素子の製造方法。 - 前記単結晶ダイヤモンド層工程において、前記下地層上に形成する単結晶ダイヤモンド層の結晶性を、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したダイヤモンド(004)帰属の2θ=119.5°における回折強度ピークのロッキングカーブ半値幅(FWHM)が3°以下とすることを特徴とする請求項3に記載のダイヤモンド電子素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/003424 WO2017017940A1 (ja) | 2015-07-30 | 2016-07-22 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
TW105123609A TW201724193A (zh) | 2015-07-30 | 2016-07-26 | 鑽石電子元件及鑽石電子元件的製造方法 |
JP2021095527A JP7420763B2 (ja) | 2015-07-30 | 2021-06-08 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015150500 | 2015-07-30 | ||
JP2015150500 | 2015-07-30 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021095527A Division JP7420763B2 (ja) | 2015-07-30 | 2021-06-08 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017034220A JP2017034220A (ja) | 2017-02-09 |
JP7017299B2 true JP7017299B2 (ja) | 2022-02-08 |
Family
ID=57989450
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016021008A Active JP7017299B2 (ja) | 2015-07-30 | 2016-02-05 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2021095527A Active JP7420763B2 (ja) | 2015-07-30 | 2021-06-08 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021095527A Active JP7420763B2 (ja) | 2015-07-30 | 2021-06-08 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7017299B2 (ja) |
TW (1) | TW201724193A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3079535B1 (fr) * | 2018-03-28 | 2022-03-18 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau diamant ou iridium et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau diamant ou iridium |
KR102230458B1 (ko) | 2018-11-30 | 2021-03-23 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 다이아몬드 기판 제조 방법 |
JP7253208B2 (ja) * | 2021-07-09 | 2023-04-06 | 株式会社ディスコ | ダイヤモンド成膜方法及びダイヤモンド成膜装置 |
CN113832541B (zh) * | 2021-09-29 | 2024-02-09 | 太原理工大学 | 用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3278474B2 (ja) | 1992-10-28 | 2002-04-30 | 株式会社三共 | 遊技機 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2730271B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1998-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2005005615A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2005219962A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド単結晶基板及びその製造方法 |
JP2009059798A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP4977104B2 (ja) | 2008-09-04 | 2012-07-18 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド半導体素子 |
JP2011079683A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
JP5468528B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法並びに単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
JP5842761B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-01-13 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンドの製造方法及び直流プラズマcvd装置 |
JP2014160719A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ダイヤモンド半導体素子 |
JP6112485B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2017-04-12 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
-
2016
- 2016-02-05 JP JP2016021008A patent/JP7017299B2/ja active Active
- 2016-07-26 TW TW105123609A patent/TW201724193A/zh unknown
-
2021
- 2021-06-08 JP JP2021095527A patent/JP7420763B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3278474B2 (ja) | 1992-10-28 | 2002-04-30 | 株式会社三共 | 遊技機 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021166293A (ja) | 2021-10-14 |
JP7420763B2 (ja) | 2024-01-23 |
TW201724193A (zh) | 2017-07-01 |
JP2017034220A (ja) | 2017-02-09 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20160223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210608 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210608 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210618 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210622 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20210729 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20210917 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20210928 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20211005 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20211130 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220111 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20220111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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