JP7005198B2 - 表示装置、表示モジュールおよび電子機器 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、画素回路が有するトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続された走査線から信号を与えることで、表示を制御する機能を有する表示装置について、図1乃至図5を用いて説明する。
本実施の形態では、第1の表示素子を有する第1の画素回路と、第2の表示素子を有する第2の画素回路を有する表示装置について、図6乃至図10を用いて説明する。第2の表示素子を有する第2の画素回路に、図1で示した回路を用いている。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置700の構成について、図11乃至図15を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示装置700は、信号線S_R(i)、S_G(i)、S_B(i)、S_L(i)、走査線G1(j)、走査線G2(j)、走査線G3(j)、および画素回路710C(i,j)を有する。
本発明の一態様の表示装置700は、基板670、基板770、構造体KB1、封止材705または接合層605、を有する。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板670等に用いることができる。具体的には厚さ0.7mmの無アルカリガラスを用いることができる。
例えば、透光性を有する材料を基板770に用いることができる。具体的には、基板670に用いることができる材料から選択された材料を基板770に用いることができる。具体的には厚さ0.7mmまたは厚さ0.1mm程度まで研磨した無アルカリガラスを用いることができる。
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体KB1等に用いることができる。これにより、構造体KB1等を挟む構成の間に所定の間隔を設けることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705等に用いることができる。
例えば、封止材705に用いることができる材料を接合層605に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜621等に用いることができる。
例えば、絶縁膜621に用いることができる材料を絶縁膜628等に用いることができる。具体的には、厚さ1μmのポリイミドを含む膜を絶縁膜628に用いることができる。
例えば、絶縁膜621に用いることができる材料を第2の絶縁膜601Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を第2の絶縁膜601Cに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
導電性を有する材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を有する材料を、信号線S_R(i)、S_G(i)、S_B(i)、S_L(i)、走査線G1(j)、G2(j)、G3(j)、配線CSCOM、配線ANO、端子619C、または第2の導電膜611C等に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を第1の導電膜または第2の導電膜に用いることができる。
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタSW1、トランジスタSW2、トランジスタSW3、トランジスタM等に用いることができる。図14にボトムゲート型またはトップゲート型のトランジスタの例を示す。図14(A)はボトムゲート型のトランジスタである。図14(B)はボトムゲート型のトランジスタで、かつバックゲートを有している。図14(C)はトップゲート型のトランジスタである。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を有する表示素子を、表示素子750(i,j)等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS素子、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、または電子粉流体(登録商標)方式等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示装置の消費電力を抑制することができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子750に用いることができる。
例えば、配線等に用いる材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。具体的には、反射膜を第1の電極751(i,j)に用いることができる。
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
非開口部の総面積に対する開口部751Hの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子750(i,j)を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部751Hの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子650(i,j)を用いた表示が暗くなってしまう。
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を有する材料を、第2の電極752に用いることができる。
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜AF1または配向膜AF2に用いることができる。具体的には、所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
光の透過を妨げる材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、遮光膜BMを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜771に用いることができる。
例えば、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止膜または集光フィルム等を機能膜770Pに用いることができる。または、2色性色素を含む偏光板を機能膜770Pに用いることができる。
例えば、発光素子を表示素子650(i,j)に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、LED(Light Emitting Diode)、またはQLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)などを、表示素子650(i,j)に用いることができる。
本明細書等において、金属酸化物(metal oxide)とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む)、酸化物半導体(Oxide Semiconductorまたは単にOSともいう)などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、およびスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶことができる。また、OS FETと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC-OSの構成について説明する。
次いで上記実施の形態に示す表示パネルを用いた表示モジュールの応用例について、図16を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器および表示装置について、図面を用いて説明する。
AF2 配向膜
C1 容量素子
C2 容量素子
Cs 容量素子
CF1 着色膜
G1 走査線
G2 走査線
G3 走査線
KB1 構造体
M トランジスタ
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
MD トランジスタ
SP1 スタートパルス
SP2 スタートパルス
SW1 トランジスタ
SW1_1 トランジスタ
SW1_2 トランジスタ
SW2 トランジスタ
SW2_1 トランジスタ
SW2_2 トランジスタ
SW3 トランジスタ
SW3_1 トランジスタ
TRT トランジスタ
10 表示装置
110 ゲートドライバ
111 シフトレジスタ回路
112 シフトレジスタ回路
120 表示部
130 発光素子
130C 画素回路
170 選択信号出力回路
180 選択回路
181 判定回路
182 判定回路
185A 論理回路
185B 論理回路
186A バッファ回路
186B バッファ回路
201 ゲートドライバ
201A ゲートドライバ
210 ゲートドライバ
210A ゲートドライバ
211 シフトレジスタ回路
212 シフトレジスタ回路
220 表示部
221 液晶表示領域
222 発光表示領域
601C 絶縁膜
604 導電膜
605 接合層
606 絶縁膜
608 半導体膜
611C 導電膜
612A 導電膜
612B 導電膜
616 絶縁膜
618 絶縁膜
619C 端子
620 機能層
621 絶縁膜
622 接続部
624 導電膜
628 絶縁膜
650 表示素子
650C サブ画素回路
650CR サブ画素回路
650R 表示素子
651 電極
652 電極
653 層
670 基板
691A 開口部
691C 開口部
700 表示装置
705 封止材
710C 画素回路
750 表示素子
750C 画素回路
751 電極
751H 開口部
752 電極
753 層
770 基板
770P 機能膜
771 絶縁膜
800 表示モジュール
801 上部カバー
802 下部カバー
803 FPC
804 タッチパネル
805 FPC
806 表示パネル
809 フレーム
810 プリント基板
811 バッテリ
850 IC
851 駆動回路
852 検出回路
854 容量素子
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 フロントガラス
9710 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
9801 筐体
9802 筐体
9803 表示部
9804 表示部
9805 マイクロフォン
9806 スピーカ
9807 操作キー
9808 スタイラス
9821 筐体
9822 表示部
9823 キーボード
9824 ポインティングデバイス
Claims (5)
- 信号線と、第1の走査線と、第2の走査線と、画素回路と、を有する表示装置であって、
前記画素回路は、発光素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記発光素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、アノード端子に電気的に接続され、
前記発光素子の他方の電極は、カソード端子に電気的に接続され、
前記第1の走査線は、第1の電圧および前記第1の電圧より小さい第2の電圧を出力する機能を有し、
前記第2の走査線は、第3の電圧および前記第3の電圧より小さい第4の電圧を出力する機能を有し、
前記第3の電圧は前記第1の電圧より小さく、
前記第4の電圧は前記第2の電圧より小さく、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、前記第1の電圧によりオン状態になり、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、前記第2の電圧によりオフ状態になり、
前記第2のトランジスタは、前記第2の電圧によりオフ状態になった後、前記第2の走査線が出力する電圧が前記第3の電圧から前記第4の電圧に変わることよりオン状態になり、
前記第4の電圧により前記第2のトランジスタがオン状態になった後、前記第3のトランジスタはオフ状態になる、表示装置。 - 請求項1において、
前記第1乃至前記第3のトランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、表示装置。 - 請求項1または2において、
前記発光素子は、有機化合物層を有する、表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一に記載の表示装置と、
タッチセンサと、を有する、表示モジュール。 - 請求項1乃至3のいずれか一に記載の表示装置、または請求項4に記載の表示モジュールと、
操作キーまたはバッテリと、を有する、電子機器。
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