JP7001728B2 - Photoelectric element - Google Patents
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Description
本発明は発光素子アレイに関する。 The present invention relates to a light emitting device array.
固体照明素子のうち、発光ダイオードは低消費電力、低発熱、長寿命、耐衝突、小型、快速応答及び安定した波長の単色光の発出可能などの良好な光電特性を有しているため、家電、メーターの表示灯及び光電製品等に幅広く適用されている。光電技術の発展において、固体照明素子は発光効率、寿命及び輝度に注視し、近い将来に照明の適用において主流になると予期される。 Among solid-state lighting elements, light-emitting diodes have good photoelectric characteristics such as low power consumption, low heat generation, long life, collision resistance, small size, fast response, and stable wavelength monochromatic light. , Widely applied to meter indicator lights and photoelectric products. With the development of photoelectric technology, solid-state lighting devices pay attention to luminous efficiency, life and brightness, and are expected to become mainstream in the application of lighting in the near future.
現在、LEDはアレイ型発光素子の形で用いられ、高い駆動電圧の応用によく適用され、LEDの体積及び重量を減少することができる。LED製造者は、高い駆動電圧LEDに対するユーザーの要求に応じるように、アレイ型発光素子に対して異なる電極配置構造を設計し、これにより、コストを下げ、製造率を向上させる。 Currently, LEDs are used in the form of array-type light emitting devices and are often applied to high drive voltage applications, which can reduce the volume and weight of LEDs. LED manufacturers design different electrode arrangement structures for array-type light emitting devices to meet the user's demand for high drive voltage LEDs, thereby lowering costs and increasing manufacturing rates.
本発明は光電素子を提供する。 The present invention provides a photoelectric element.
本発明の光電素子であって、基板と、この基板に位置し、それぞれ第一半導体層、第二半導体層及びその間にある活性領域を有し、相互電気的に接続されている複数の半導体ユニットと、それぞれ第一半導体層に位置する複数の第一電極と、この複数の半導体ユニットに形成されて複数の半導体ユニットを電気的に直列につなぐ連結部と、それぞれ第二半導体層に位置する複数の第二電極と、を含み、一つの第一電極が第一延在部を有し、一つの第二電極が第二延在部を有する。 A plurality of semiconductor units of the present invention, which are located on a substrate and have an active region between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, and are electrically connected to each other. A plurality of first electrodes located in the first semiconductor layer, a connecting portion formed in the plurality of semiconductor units and electrically connecting the plurality of semiconductor units in series, and a plurality of components located in the second semiconductor layer, respectively. One first electrode has a first extension and one second electrode has a second extension.
本発明の光電素子であって、基板と、この基板に位置し、それぞれ第一半導体層、第二半導体層及びその間にある活性領域を有し、相互電気的に接続されている複数の半導体ユニットと、それぞれ第一半導体層に位置する複数の第一電極と、この複数の半導体ユニットに形成されて複数の半導体ユニットを電気的に直列につなぐ連結部と、それぞれ第二半導体層に位置する複数の第二電極と、を含み、一つの第一電極が第一延在部を有し、一つの第二電極が第二延在部を有し、この複数の半導体ユニットの駆動電圧は大体同様である。 A plurality of semiconductor units of the present invention, which are located on a substrate and have an active region between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, and are electrically connected to each other. A plurality of first electrodes located in the first semiconductor layer, a connecting portion formed in the plurality of semiconductor units and electrically connecting the plurality of semiconductor units in series, and a plurality of components located in the second semiconductor layer, respectively. One first electrode has a first extending portion and one second electrode has a second extending portion, and the drive voltages of the plurality of semiconductor units are almost the same. Is.
本発明の光電素子であって、基板と、この基板に位置し、それぞれ第一半導体層、第二半導体層及びその間にある活性領域を有し、相互電気的に接続されている複数の半導体ユニットと、それぞれ第一半導体層に位置する複数の第一電極と、それぞれ第二半導体層に位置する複数の第二電極とを含み、複数の半導体ユニットは第一半導体ユニットと、第二半導体ユニットと、第三半導体ユニットを含み、第一電極の中の少なくとも一つは基板の最外側にある第一半導体ユニットに位置する第一電極パッドを有し、第二電極の中の少なくとも一つは基板の最外側にある第二半導体ユニットに位置する第二電極パッドを有し、第一電極及び第二電極は電極パッドがない第三半導体ユニットに位置する第一延在部及び第二延在部を有する。 A plurality of semiconductor units of the present invention, which are located on a substrate and have an active region between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, and are electrically connected to each other. A plurality of first electrodes located in the first semiconductor layer and a plurality of second electrodes each located in the second semiconductor layer are included, and the plurality of semiconductor units are the first semiconductor unit and the second semiconductor unit. , At least one of the first electrodes has a first electrode pad located on the outermost first semiconductor unit of the substrate, and at least one of the second electrodes is the substrate. The first electrode and the second electrode have the second electrode pad located in the second semiconductor unit located on the outermost side of the semiconductor unit, and the first electrode and the second electrode are the first extending portion and the second extending portion located in the third semiconductor unit having no electrode pad. Has.
本発明の光電素子であって、基板と、この基板に位置し、それぞれ第一半導体層、第二半導体層及びその間にある活性領域を有し、相互電気的に接続されている複数の半導体ユニットと、それぞれ複数の半導体ユニットに位置する複数の第一電極及び複数の第二電極とを含み、各半導体ユニットは第一半導体ユニット、第二半導体ユニット及び第三半導体ユニットを含み、第一電極の中の少なくとも一つは第一半導体ユニットの第二半導体層に位置する第一電極パッドを有し、第二電極の中の少なくとも一つは第二半導体ユニットの第二半導体層に位置する第二電極パッドを有し、第一電極及び第二電極は電極パッドがない第三半導体ユニットに位置する第一延在部及び第二延在部を有する。 A plurality of semiconductor units of the present invention, which are located on a substrate and have an active region between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, and are electrically connected to each other. Each of the semiconductor units includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes located in a plurality of semiconductor units, and each semiconductor unit includes a first semiconductor unit, a second semiconductor unit, and a third semiconductor unit of the first electrode. At least one of them has a first electrode pad located in the second semiconductor layer of the first semiconductor unit, and at least one of the second electrodes has a second electrode located in the second semiconductor layer of the second semiconductor unit. The first electrode and the second electrode have an electrode pad, and have a first extending portion and a second extending portion located in the third semiconductor unit without the electrode pad.
図1は本発明の実施例による光電素子10の上面図である。光電素子10は、例えば発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)又は太陽電池であり、基板11に形成された複数の半導体ユニットを含み、第一電極141、第二電極142及び連結部143が半導体ユニットに形成されている。本実施例において、光電素子10は発光ダイオード(LED)である。図2は図1に示された光電素子10のA-A′線の断面図である。各半導体ユニットは第一半導体層121、第二半導体層123及び第一半導体層121と第二半導体層123の間に形成された活性領域122を含む。第一半導体層121と第二半導体層123は、p型又はn型の不純物を混合したIII-V半導体材料から構成され、電気特性が相互異なる。活性領域122は、単一へテロ構造(SH)、ダブルへテロ構造(DH)又は多重量子井戸構造(MQW)である。スロット170は半導体ユニットをエッチングすることによって半導体ユニットに形成され、一部の第一半導体層121を露出する。半導体ユニット間に複数の隔溝111が形成され、一部の基板11を露出する。光電素子10は複数の第一電極141及び第二電極142を有し、第一電極141は露出された第一半導体層121に形成され、第二電極142は第二半導体層123に形成される。第一電極141は第一延在部1411を有し、第二電極142は第二延在部1421を有する。また、複数の半導体ユニット中の一つの半導体ユニットの第一電極141は第一電極パッド1412を有し、別の一つの半導体ユニットの第二電極142は第二電極パッド1422を有する。
FIG. 1 is a top view of the
光電素子の特定面積、電流及び駆動電圧に対するユーザーの要求を満足するために、半導体ユニット及び電極の配置を特別に設計する必要がある。半導体ユニットの数量は基本的に式
(数1)n=v/vf-1
(数2)n=v/vf
又は、
(数3)n=v/vf+1
(その内、nは半導体ユニットの数量、Vは光電素子の駆動電圧、Vfは半導体ユニットの駆動電圧を示す)によって設計する。本実施例において、光電素子10の寸法は85×85mil2であり、その駆動電圧は72Vである。個々の半導体ユニットの駆動電圧は実に3Vであるが、半導体ユニットの駆動電圧は工程に対する制御及びエピタキシャル層の品質によって変化することがある。通常、光電素子の電気特性の効率上、半導体ユニットの駆動電圧は低いほどよい。各半導体ユニットの面積はほぼ同様である。上記の式によると、光電素子10は24個の半導体ユニットを有し、それぞれ行105、106、107、108及び109に配置される。第一行105には五個の半導体ユニット151、152、153、154及び155を有し、第一方向に沿って直列につながり、第二行106には五個の半導体ユニット161、162、163、164及び165を有し、第二方向に沿って直列につながり、第三行107には四個の半導体ユニット171、172、173及び174を有し、第一方向に沿って直列につながり、第四行108には五個の半導体ユニット181、182、183、184及び185を有し、第二方向に沿って直列につながり、第五行109には五個の半導体ユニット191、192、193、194及び195を有し、第一方向に沿って直列につながる。第一方向及び第二方向は相反する方向であり、異なる行に異なる数量の半導体ユニットを有する配置構造は、配置上ユーザーの要求をさらに容易に満たすことができる。
In order to meet the user's requirements for a specific area, current and drive voltage of the photoelectric element, it is necessary to specially design the arrangement of the semiconductor unit and the electrodes. The number of semiconductor units is basically the formula (Equation 1) n = v / v f -1.
(Number 2) n = v / v f
Or,
(Number 3) n = v / v f +1
(Of these, n is the number of semiconductor units, V is the drive voltage of the photoelectric element, and V f is the drive voltage of the semiconductor unit). In this embodiment, the dimension of the
第三行107において、半導体ユニットの形状は長方形(矩形)で、他の行にある半導体ユニットの形状と異なる。このように設計することによって、電極の配置構造を更に容易にすることができる。図1及び図3を参考するに、第一行105及び第五行109において、基板11のコーナー領域にある半導体ユニット151、155、191及び195を除いて、他の半導体ユニットの電極の配置構造は類似している。第二行106及び第四行108において、基板11の縁に近接する半導体ユニット161、165、181及び185を除いて、他の半導体ユニットの電極配置構造は同様である。第三行107にある半導体ユニットは、その電極配置構造が他の行にある半導体ユニットと比べて大きく相違し、その中の半導体ユニット172及び173の電極配置構造は同様であるが、基板11の縁に近接する半導体ユニット171及び174の電極配置構造は相互異なる。
In the
第一延在部1411は第一曲線延在部1411aを有し、第二延在部1421は第二曲線延在部1421aを有し、行105、106、108及び109にある半導体ユニットの第二延在部1421はさらに直線延在部1421bを有し、第一曲線延在部1411a及び/又は第二曲線延在部1421aは半導体ユニットの何れかの一辺にも平行しない。第一行105、第三行107及び第五行109にある半導体ユニット上の第一延在部1411は、スロット170の中に位置し、半導体ユニットの第一辺から第一辺に相対する第二辺へ延び、第二延在部1421は半導体ユニットの第二辺から第一辺へ延びる。第二行106及び第四行108の半導体ユニット上の第一延在部1411は、半導体ユニットの第二辺から第一辺へ延び、第二延在部1421は半導体ユニットの第一辺から第二辺へ延びる。本実施例において、第二延在部1421は大体半導体ユニットの縁に近接して設けられ、第一延在部1411は半導体ユニットのスロット170の中に配置されて、第一半導体層121と電気接続されている。延在部の数量は半導体ユニットの面積によって調整され、半導体ユニットの面積が大きい場合、数多くの延在部が必要になる。さらに、延在部は第一曲線延在部1411aから延びて形成された二級延在部1411c及び/又は第二曲線延在部1421aから延びて形成された二級延在部1421cを有して、電流分散を増加することができる。
The
第一電極パッド1412及び第二電極パッド1422は、それぞれ基板11の相対するコーナーにある半導体ユニット155及び191に位置し、第一電極パッド1412は半導体ユニット155にある第一延在部1411と接続し、第二電極パッド1422は半導体ユニット191にある第二延在部1421と接続する。電極パッドは、ワイヤボンディング(wire bonding)又はフリップチップ型ボンディング(flip chip type bonding)に用いられる。接続の難度を下げるために、電極パッドはそれぞれ基板11の一番外側にある異なる半導体ユニットに配置されるのが好ましい。
The
各半導体ユニットを電気接続するために、各半導体ユニットの間に連結部143を形成する。連結部143は、例えば第一半導体ユニットの第一延在部1411及びそれに隣接する第二半導体ユニットの第二延在部1421と接続する。本実施例において、連結部143は第一行105、第三行107及び第五行109で半導体ユニットを第一方向へ直列させ、第二行106及び第四行108で半導体ユニットを逆方向としての第二方向へ直列させる。各行の間は、連結部143を介して半導体ユニット151と161、165と174、171と181及び185と195を直列につなぐ。第一行105、第二行106、第四行108及び第五行109において、二つ毎の半導体ユニットの間に二つの連結部143が存在し、第三行107において、二つ毎の半導体ユニットの間に一つの連結部143が存在する。図4は図1に示された光電素子10の等価回路図である。
In order to electrically connect each semiconductor unit, a connecting
光電素子10の第二半導体層123と第二電極142の間に更に透明導電層を含み、透明導電層の材料は、例えば酸化インジウム錫(ITO)、酸化カドミウム錫(CTO)、酸化アンチモンスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム又は亜鉛-スズ酸化物のような金属酸化材料を用いることができる。一方、金属層が光束を透過させる厚さを有する場合、この金属層を透明導電層として用いることもできる。
A transparent conductive layer is further included between the
また、基板11と第一半導体層121の間に更に接合層を含み、半導体ユニットを基板11に接合することができる。接合層は透明絶縁接合層又は透明導電接合層である。透明絶縁接合層である場合、その材料はポリイミド(polyimide)、ベンゾシクロブテン(BCB)又は過フルオロシクロブタン(PFCB)であり、導電接合層である場合、その材料は金属酸化材料又は金属である。金属酸化材料として、酸化インジウム錫(ITO)、酸化カドミウム錫(CTO)、酸化アンチモンスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム又は亜鉛-スズ酸化物を含み、金属材料として、ニッケル、金、チタン、クロム、アルミニウム又は白金を含む。隔溝111は各半導体ユニットの間に形成され、一部の基板11及び/又は透明絶縁接合層を露出する。接合層が導電接合層である場合、隔溝111は導電接合層を通り抜いて基板11を露出し、各半導体ユニットが互いに電気的に絶縁されるようにする。この場合、基板11は、窒化アルミニウム(AlN)、サファイア又はガラスである。
Further, a bonding layer is further included between the
図5は本発明の第二実施例による光電素子20の上面図である。図5、図6を参照するに、光電素子20は基板21に形成され、且つ複数の隔溝211によって仕切った複数の半導体ユニットを含み、第一電極241、第二電極242及び連結部243が半導体ユニットに形成される。半導体ユニットの構造は光電素子10の半導体ユニットと同様であり、第一半導体層121と、第二半導体層123と、第一半導体層121及び第二半導体層123の間に設けられた活性領域122を含む。複数の隔溝211は各半導体ユニットの間に形成される。光電素子20には複数の第一電極241及び第二電極242が設けられ、第一電極241は露出された第一半導体層121に形成され、第二電極242は第二半導体層123に形成される。第一電極241は第一延在部2411を有し、第二電極242は第二延在部2421を有する。更に、複数の半導体ユニットにおいて、一つの半導体ユニットの第一電極241は第一電極パッド2412を含み、別の一つの半導体ユニットの第二電極242は第二電極パッド2422を含む。
FIG. 5 is a top view of the
本実施例において、光電素子20の寸法は85×85mil2であり、駆動電圧は72Vであり、個々の半導体ユニットの面積はほぼ同様であり、上記の式(数1を参照)によって、光電素子20は23個の半導体ユニットを含み、それぞれ行205、206、207、208及び209に配置されている。第一行205には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット251、252、253、254及び255を有し、電極の配置構造は光電素子10の第一行105の半導体ユニットにある電極配置構造と等しい。第二行206には第二方向に沿って直列につながる四個の半導体ユニット261、262、263及び264を有し、電極の配置構造は光電素子10の第三行107の半導体ユニットにある電極配置構造と等しい。第三行207には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット271、272、273、274及び275を有し、電極の配置構造は光電素子10の第一行105の半導体ユニットにある電極配置構造と等しい。第四行208には第二方向に沿って直列につながる四個の半導体ユニット281、282、283及び284を有し、電極の配置構造は光電素子10の第三行107の半導体ユニットにある電極配置構造と等しい。第五行209には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット291、292、293、294及び295を有し、電極の配置構造は光電素子10の第一行105の半導体ユニットにある電極配置構造と等しい。
In this embodiment, the dimensions of the
第二行206及び第四行208において、半導体ユニットの形状は長方形で、他の行にある半導体ユニットの形状と異なる。図5及び図6を参照するに、第一行205、第三行207及び第五行209の半導体ユニットの電極配置構造は、半導体ユニット251、255、271、275、291及び295の電極を除いて、他の半導体ユニットの電極配置構造がほぼ類似し、第二行206及び第四行208の半導体ユニットの電極配置構造は、半導体ユニット261、264、281及び284の電極を除いて、他の半導体ユニットの電極配置構造がほぼ類似する。第一延在部2411は第一曲線延在部2411aを含み、第二延在部2421は第二曲線延在部2421aを含む。行205、207及び209の半導体ユニットにおいて、第二延在部2421は更に直線延在部2421bを含む。第一曲線延在部2411a及び第二曲線延在部2421aは、半導体ユニットのいずれかの一辺にも平行しない。第一行205、第三行207及び第五行209の半導体ユニットの第一延在部2411は第一半導体層121に設けられ、半導体ユニットの第一辺から第一辺に相対する第二辺へ延び、第二延在部2421は半導体ユニットの第二辺から第一辺へ延びる。第二行206及び第四行208の半導体ユニット上の第一延在部2411は、半導体ユニットの第二辺から第一辺へ延び、第二延在部2421は半導体ユニットの第一辺から第二辺へ延びる。本実施例において、第二延在部2421は大体半導体ユニットの縁に近接して設けられ、第一延在部2411は半導体ユニットに配置されて、第一半導体層と電気接続されている。さらに、延在部は第一曲線延在部2411aから延びて形成された二級延在部2411cを有して、電流分散を増加することができる。
In the
第一電極パッド2412及び第二電極パッド2422はそれぞれ半導体ユニット255及び291に形成され、第一電極パッド2412は半導体ユニット255の第一延在部2411と接続し、第二電極パッド2422は半導体ユニット291の第二延在部2421と接続する。電極パッドはボンディング用として、それぞれ基板21のコーナー領域にある異なる半導体ユニットに配置される。
The
本実施例において、連結部243は第一行205、第三行207及び第五行209で半導体ユニットを第一方向へ直列させ、第二行206及び第四行208で半導体ユニットを逆方向としての第二方向へ直列させる。各行の間は、連結部243を介して半導体ユニット251と261、264と275、271と281及び284と295を直列につなぐ。第一行205、第三行207及び第五行209において、二つ毎の半導体ユニットの間に二つの連結部243が存在し、第二行206及び第四行208において、二つ毎の半導体ユニットの間に一つの連結部243が存在する。図7は図5に示された光電素子20の等価回路図である。
In this embodiment, the connecting
図8は本発明の第三実施例による光電素子30の上面図である。図8、図9を参照するに、光電素子30は基板31に形成された複数の半導体ユニットを含み、第一電極341、第二電極342及び連結部343が半導体ユニットに形成される。半導体ユニットは第一半導体層121と、第二半導体層123と、第一半導体層121及び第二半導体層123の間に設けられた活性領域122を含む。また、複数の隔溝311が各半導体ユニットの間に形成される。光電素子30には複数の第一電極341及び第二電極342が設けられ、第一電極341は第一延在部3411を有し、半導体ユニット355以外の半導体ユニットに形成され、第二電極342は第二延在部3421を有する。更に、半導体ユニット355上の第一電極341は第一電極パッド3412を含み、半導体ユニット391上の第二電極342は第二電極パッド3422を含む。本実施例において、光電素子30の寸法は50×50mil2であり、駆動電圧は72Vであり、半導体ユニットの駆動電圧は3Vであり、各半導体ユニットの面積はほぼ同様である。光電素子30は23個の半導体ユニットを含み、それぞれ行305、306、307、308及び309に配置されている。第一行305には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット351、352、353、354及び355を有し、第二行306には第二方向に沿って直列につながる四個の半導体ユニット361、362、363及び364を有し、第三行307には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット371、372、373、374及び375を有し、第四行308には第二方向に沿って直列につながる四個の半導体ユニット381、382、383及び384を有し、第五行309には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット391、392、393、394及び395を有する。
FIG. 8 is a top view of the
第二行306及び第四行308において、半導体ユニットの形状は他の行にある半導体ユニットの形状と異なる。図8及び図9を参照するに、第一行305、第三行307及び第五行309の半導体ユニットの電極配置構造は、半導体ユニット351、355、371、375、391及び395の電極を除いて、他の半導体ユニットの電極配置構造がほぼ類似し、第二行306及び第四行308の半導体ユニットの電極配置構造は、半導体ユニット361、364、381及び384の電極を除いて、他の半導体ユニットの電極配置構造がほぼ類似する。第一延在部3411は、基板31の周囲に近接する半導体ユニット361、375、381、391及び395に設けられた曲線延在部3411aであり、他の半導体ユニットに設けられた直線延在部3411bでもある。第二延在部3421は曲線延在部である。 第一行305、第三行307及び第五行309において、半導体ユニット375、395を除く他の半導体ユニットの第一延在部3411は、半導体ユニットの第一辺から第一辺に相対する第二辺へ延び、第二延在部3421は半導体ユニットの第二辺から第一辺へ延びる。半導体ユニット375及び395の第一延在部3411は半導体ユニットの第三辺から第二辺へ延びる。第二行306及び第四行308において、半導体ユニット361及び381を除くほかの半導体ユニットの第一延在部3411は、半導体ユニットの第二辺から第一辺へ延び、第二延在部3421は半導体ユニットの第一辺から第二辺へ延びる。半導体ユニット361及び381の第一延在部3411は半導体ユニット361及び381の第三辺から第一辺へ延びる。第一延在部3411の曲線延在部及び第二延在部3421は半導体ユニットのいずれかの一辺にも平行しない。本実施例において、第二延在部3421は大体半導体ユニットの縁に近接して設けられ、第一延在部3411は半導体ユニットに配置されて、第一半導体層と電気接続されている。さらに、延在部は曲線延在部3411a及び直線延在部3411bから延びて形成された二級延在部3411cを有して、電流分散を増加することができる。
In the
第一電極パッド3412及び第二電極パッド3422はそれぞれ半導体ユニット355及び391に形成され、第二電極パッド3422は半導体ユニット391の第二延在部3421と接続する。電極パッドはワイヤボンディング(wire bonding)又はフリップチップ型ボンディング(flip chip type bonding)に用いられ、それぞれ基板31のコーナー領域にある異なる半導体ユニットに配置される。
The
本実施例において、連結部343は第一行305、第三行307及び第五行309で半導体ユニットを第一方向へ直列させ、第二行306及び第四行308で半導体ユニットを逆方向としての第二方向へ直列させる。各行の間は、連結部343を介して半導体ユニット351と361、364と375、371と381及び384と395を直列につなぐ。二つ毎の半導体ユニットの間に一つの連結部343が存在する。図10は図8に示された光電素子30の等価回路図である。
In this embodiment, the connecting
図11は本発明の第四実施例による光電素子40の上面図である。図11、図12を参照するに、光電素子40は基板41に形成された複数の半導体ユニットを含み、第一電極441、第二電極442及び連結部443が半導体ユニットに形成される。半導体ユニットは第一半導体層121と、第二半導体層123と、第一半導体層121及び第二半導体層123の間に設けられた活性領域122を含む。また、複数の隔溝411が各半導体ユニットの間に形成される。光電素子40には複数の第一電極441及び第二電極442が設けられ、第一電極441は第一延在部4411を有し、半導体ユニット455以外の半導体ユニットに形成され、半導体ユニット471以外の半導体ユニットに形成された第二電極442は第二延在部4421を有する。更に、半導体ユニット455上の第一電極441は第一電極パッド4412を含み、半導体ユニット471上の第二電極442は第二電極パッド4422を含む。 本実施例において、光電素子40の寸法は45×45mil2であり、駆動電圧は48Vであり、半導体ユニットの駆動電圧は3Vである。上記の式によって、光電素子40は16個の半導体ユニットを含み、それぞれ行405、406及び407に配置されている。第一行405には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット451、452、453、454及び455を有し、第二行406には第二方向に沿って直列につながる六個の半導体ユニット461、462、463、464、465及び466を有し、第三行407には第一方向に沿って直列につながる五個の半導体ユニット471、472、473、474及び475を有する。
FIG. 11 is a top view of the
第二行406にある半導体ユニットの形状は他の行にある半導体ユニットの形状と異なる。図11及び図12を参照するに、第一行405及び第三行407の半導体ユニットの電極配置構造は、半導体ユニット451、455、471及び475上の電極を除いて、他の半導体ユニットの電極配置構造がほぼ類似する。第一延在部4411は直線延在部4411a及び二級延在部4411cを含み、全ての第二延在部4421は曲線の延在部である。第一行405及び第三行407にある半導体ユニットの第一延在部4411は、半導体ユニットの第一辺から第一辺に隣接する第三辺及び第四辺へ延び、第二延在部4421は半導体ユニットの第二辺から第三辺及び第四辺へ延びる。第二行406にある半導体ユニット上の第一延在部4411は、半導体ユニットの第二辺から第三辺及び第四辺へ延び、第二延在部4421は半導体ユニットの第一辺から第三辺及び第四辺へ延びる。曲線延在部4411及び4421は半導体ユニットのいずれかの一辺にも平行しない。
The shape of the semiconductor unit in the
第一電極パッド4412及び第二電極パッド4422はそれぞれ半導体ユニット455及び471に形成され、連結部443は半導体ユニットを直列につなぐ。図13は図11に示された光電素子40の等価回路図である。 図14は本発明の第五実施例による光電素子50の上面図である。図15は光電素子50の3D斜視図である。光電素子50の寸法は40×40mil2であり、駆動電圧は36Vであり、半導体ユニットの駆動電圧は約3Vである。式(数1を参照)によって、本実施例で、光電素子50は11個の半導体ユニットを含み、それぞれ行505、506及び507に配置されている。第一行505には第一方向に沿って直列につながる四個の半導体ユニット551、552、553及び554を有し、第二行506には第二方向に沿って直列につながる三個の半導体ユニット561、562及び563を有し、第三行507には第一方向に沿って直列につながる四個の半導体ユニット571、572、573及び574を有する。第一延在部5411を有する第一電極541は半導体ユニット554以外の半導体ユニットに形成され、第二延在部5421を有する第二電極542は全ての半導体ユニットに形成される。半導体ユニット554上の第一電極541は第一電極パッド5412を含み、半導体ユニット571上の第二電極542は第二電極パッド5422を含む。連結部543は半導体ユニットを直列につなぐ。図16は図14に示された光電素子50の等価回路図である。
The
図17は本発明の第六実施例による光電素子60の上面図である。図18は光電素子60の3D斜視図である。光電素子60の寸法は120×120mil2であり、駆動電圧は24Vであり、半導体ユニットの駆動電圧は約3Vである。式(数2を参照)によって、本実施例で、光電素子60は8個の半導体ユニットを含み、それぞれ行605、606及び607に配置されている。第一行605には第一方向に沿って直列につながる二個の半導体ユニット651及び652を有し、第二行606には第二方向に沿って直列につながる四個の半導体ユニット661、662、663及び664を有し、第三行607には第一方向に沿って直列につながる二個の半導体ユニット671及び672を有する。第一電極641は第一延在部6411を有し、第二電極642は第二延在部6421を有する。さらに、複数の半導体ユニットの中、一つの半導体ユニットにある第一電極641は二つの第一電極パッド6412を有し、別の一つの半導体ユニットにある第二電極642は二つの第二電極パッド6422を有する。連結部643は半導体ユニットを直列につなぐ。図19は図17に示された光電素子60の等価回路図である。
FIG. 17 is a top view of the
図20は本発明の第七実施例による光電素子70の上面図である。図21は光電素子70の3D斜視図である。光電素子70の寸法は120×120mil2であり、駆動電圧は24Vであり、半導体ユニットの駆動電圧は約3Vである。式(数1を参照)によって、本実施例で、光電素子70は7個の半導体ユニットを含み、それぞれ行705、706及び707に配置されている。第一行705には第一方向に沿って直列につながる二個の半導体ユニット751及び752を有し、第二行706には第二方向に沿って直列につながる三個の半導体ユニット761、762及び763を有し、第三行707には第一方向に沿って直列につながる二個の半導体ユニット771及び772を有する。第一電極741は第一延在部7411を有し、第二電極742は第二延在部7421を有する。さらに、複数の半導体ユニットの中、一つの半導体ユニットにある第一電極741は二つの第一電極パッド7412を有し、別の一つの半導体ユニットにある第二電極742は二つの第二電極パッド7422を有する。連結部743は半導体ユニットを直列につなぐ。図22は図20に示された光電素子70の等価回路図である。
FIG. 20 is a top view of the
図23は本発明の第八実施例による光電素子80の上面図である。図24は光電素子80の3D斜視図である。光電素子80の寸法は85×85mil2であり、駆動電圧は144Vであり、半導体ユニットの駆動電圧は約3Vである。式(数2を参照)によって、本実施例で、光電素子80は48個の半導体ユニットを含み、それぞれ行801、802、803、804、805、806及び807に配置されている。行801、803、805及び807には第一方向に沿って直列につながる七個の半導体ユニットを有し、行802及び806には第二方向に沿って直列につながる七個の半導体ユニットを有し、第四行804には第一方向に沿って直列につながる六個の半導体ユニットを有する。複数の半導体ユニットの中、一つの半導体ユニットにある第一電極841は半導体ユニット811の第一半導体層121に位置する第一電極パッド8412を含み、半導体ユニット871にある第二電極842は第二半導体層123に位置する第二電極パッド8422を含む。さらに、第一延在部8411を有する第一電極841は、第一電極パッド8412が位置した半導体ユニット以外の半導体ユニットに位置し、第二延在部8421を有する第二電極842は全ての半導体ユニットに位置する。連結部843は半導体ユニットを直列につなぐ。第一電極パッド8412が位置する半導体ユニット811上の第二電極842は第二半導体層123に位置し、連結部843を介して半導体ユニット812の第一電極841に連結される。第二電極パッド8422が位置する半導体ユニット871上の第一電極841は第一半導体層121に位置し、連結部843を介して半導体ユニット872の第二電極842に連結される。
FIG. 23 is a top view of the
図25は本発明の第九実施例による光電素子90の上面図である。光電素子90は48個の半導体ユニットを含み、それぞれ行801、802、803、804、805、806及び807に配置されている。本実施例の光電素子90は、その形状及び電極配置構造が光電素子80と類似するが、第一電極パッド9412は半導体ユニット811の第二半導体層123に形成され、連結部843を介して半導体ユニット812の第一電極841と直列につながり、第二電極パッド9422は半導体ユニット871の第二半導体層123に形成され、連結部843を介して半導体ユニット872の第二電極842と直列につながる点で光電素子80と相違する。ある外部電源から電流を供給し、第二電極パッド9422から入力して更に第一電極パッド9412から出力する場合、第二電極パッド9422の下の半導体ユニット871の抵抗が連結部843及び半導体ユニット812の第一電極841の直列接続抵抗より大きいため、電流は直接第二電極パッド9422から連結部843を経由して半導体ユニット812の第一電極841に流れ、半導体ユニット871の下の第一半導体層121、活性領域122及び第二半導体層123に流れない。同様な電流は、半導体ユニット812の第一電極841まで流れ、連結部843を経由して第一電極パッド9412に流れた後、半導体ユニット811の下方の第一半導体層121、活性領域122及び第二半導体層123に流れず、直接外部電源に出力される。従って、第一電極パッド9412及び第二電極パッド9422の下方の半導体ユニット811及び871には光が生じない。電極パッド及び下方の半導体ユニットを更に電気的に絶縁するために、電極パッド及び半導体ユニットの間に絶縁層が形成され、大電流によって電極パッドの下方にある半導体層を電流が突き抜けて短路になることを避ける。
FIG. 25 is a top view of the
第一電極パッド9412及び第二電極パッド9422の下方の半導体ユニットが発光しないため、第一電極パッド9412の面積は半導体ユニット811の面積とほぼ同様に形成され、第二電極パッド9422の面積は半導体ユニット871の面積とほぼ同様に形成されて、ワイヤー工程の歩留まりを向上させることができる。一方、光電素子90において、第一電極パッド9412は光電素子80中の第二電極パッド8422と組み合わせることができる。この場合、第一電極パッド9412は半導体ユニット811の第二半導体層123を全体的に覆うように形成され、第二電極パッド8422は半導体ユニット871の一部第二半導体層123に形成される。第一電極パッド9412の下方にある半導体ユニットには電流が流れないため、発光しない。第二電極パッド8422が位置する半導体ユニット871上の第一電極841は、連結部843を介して半導体ユニット872の第二電極842と連結され、電流が流れると、第二電極パッド8422が位置する半導体ユニット871は発光する。同様に、光電素子90において、第二電極パッド9422は光電素子80中の第一電極パッド8412と組み合わせることができる。この場合、第一電極パッド8412は半導体ユニット811の一部第一半導体層121に位置され、第二電極パッド9422は半導体ユニット871の第二半導体層123を全体的に覆うように形成される。第一電極パッドが位置する半導体ユニット811上の第二電極842は、連結部843を介して半導体ユニット812の第一電極841と連結され、電流が流れると、第一電極パッド8422が位置する半導体ユニット811は発光する。しかし、第二電極パッド9422に流れる電流は半導体ユニット871の活性領域122を通らず、直接連結部843を介して半導体ユニット872に流れるため、第二電極パッド9422が位置する半導体ユニット871は発光しない。
Since the semiconductor unit below the
第一半導体層、活性層及び第二半導体層の材料は、Ga、Al、In、As、P、N及びSiから構成された群から選択された一つ又は複数の元素を含み、例えば、GaN、AlGaN、InGaN、AlGaInN、GaP、GaAs、GaAsP、GaNAs又はSiである。基板の材料は、サファイア、GaAs、GaP、SiC、ZnO、GaN、AlN、Cu又はSiを含む。 The material of the first semiconductor layer, the active layer and the second semiconductor layer contains one or more elements selected from the group composed of Ga, Al, In, As, P, N and Si, for example, GaN. , AlGaN, InGaN, AlGaInN, GaP, GaAs, GaAsP, GaN As or Si. Substrate materials include sapphire, GaAs, GaP, SiC, ZnO, GaN, AlN, Cu or Si.
上記に挙げられた各実施例は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明に対して行った各種変更と修飾は、依然として本発明の範囲に属する。 Each of the examples given above is for the purpose of explaining the present invention and does not limit the scope of the present invention. Various modifications and modifications made to the present invention still fall within the scope of the present invention.
10、20、30、40、50、60、70、80、90 光電素子
11、21、31、41、51、61、71、81 基板
141、241、341、441、541、641、741、841 第一電極
142、242、342、442、542、642、742、842 第二電極
143、243、343、443、543、643、743、843 連結部
121 第一半導体層
123 第二半導体層
122 活性領域
170 スロット
111、311 隔溝
1411、2411、3411、4411、5411、6411、7411、8411 第一延在部
1421、2421、3421、4421、5421、6421、7421、8421 第二延在部
1412、2412、3412、4412、5412、6412、7412、8412、9412 第一電極パット
1422、2422、3422、4422、5422、6422、7422、8422、9422 第二電極パット
105~109、205~209、305~309、405~407、505~507、605~607、705~707、801~807 行
151~155、161~165、171~174、181~185、191~195、251~255、261~264、271~275、281~284、291~295、351~355、361~364、371~375、381~384、391~395、451~455、461~466、471~475、551~554、561~563、571~574、651~652、661~664、671~672、751~752、761~762、769、771~772、811~812、871~872 半導体ユニット
1411a、2411a 第一曲線延在部
1421a、2421a 第二曲線延在部
1421b、2421b、3411b、4411a 直線延在部
1411c、1421c、2411c、3411c、4411c 二級延在部
3411a 曲線延在部
10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90 Photoelectric elements 11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81 Substrate 141, 241, 341, 441, 541, 641, 741, 841 First electrode 142, 242, 342, 442, 542, 642, 742, 842 Second electrode 143, 243, 343, 443, 543, 643, 743, 843 Connecting part 121 First semiconductor layer 123 Second semiconductor layer 122 Active Area 170 Slot 111, 311 Diagonal groove 1411, 2411, 3411, 4411, 5411, 6411, 7411, 8411 First extension part 1421, 2421, 3421, 4421, 5421, 6421, 7421, 8421 Second extension part 1412, 2412, 3412, 4412, 5412, 6412, 7412, 8412, 9412 1st electrode pad 1422, 2422, 3422, 4422, 5422, 6422, 7422, 8422, 9422 2nd electrode pad 105-109, 205-209, 305- 309, 405 to 407, 505 to 507, 605 to 607, 705 to 707, 801 to 807 lines 151 to 155, 161 to 165, 171 to 174, 181 to 185, 191 to 195, 251 to 255, 261 to 264, 271 to 275, 281 to 284, 291 to 295, 351 to 355, 361 to 364, 371 to 375, 381 to 384, 391 to 395, 451 to 455, 461 to 466, 471 to 475, 551 to 554, 561 to 563, 571 to 574, 651 to 652, 661 to 664, 671 to 672, 751 to 752, 761 to 762, 769, 771 to 772, 811 to 812, 871 to 872 Semiconductor units 1411a, 2411a First curve extension 1421a, 2421a Second curve extension part 1421b, 2421b, 3411b, 4411a Straight extension part 1411c, 1421c, 2411c, 3411c, 4411c Secondary curve extension part 3411a Curve extension part
Claims (10)
基板;
前記基板に配置される複数の半導体ユニットであって、
前記複数の半導体ユニットが、第一行に位置する第一半導体ユニット及び第二半導体ユニット、並びに、第二行に位置する第三半導体ユニット及び第四半導体ユニットを含み、
前記複数の半導体ユニットの各々が、第一半導体層及び第二半導体層を含み、前記第一半導体層が、前記第一半導体層の周囲を構成する複数の辺を含み、前記複数の辺のうちの隣接する2つが、コーナーを構成する、複数の半導体ユニット;
前記複数の半導体ユニットのうちの隣接する2つの間に位置し、前記基板の表面を露出させる隔溝;
前記複数の半導体ユニットの各々に位置し、前記第一半導体層の第一表面を露出させるスロットであって、
前記スロットが、前記第一半導体ユニットの前記第一半導体層の前記コーナー以外の領域に位置する第一スロット、及び、前記第二半導体ユニットの前記第一半導体層の前記コーナーに位置する第二スロットを含む、スロット;
前記複数の半導体ユニットの各々の前記スロットに位置する第一電極であって、
前記第一電極が、前記第一半導体ユニットの前記第一スロット内に位置する第一の第一延在電極、及び、前記第二半導体ユニットの前記第二スロット内に位置する第二の第一延在電極を含む、第一電極;
前記複数の半導体ユニットの各々の前記第二半導体層に位置する複数の第二延在電極を含む第二電極;
前記第一半導体ユニット及び前記第二半導体ユニット間の前記隔溝に位置し、前記第一スロット内の前記第一の第一延在電極に連結される第一連結部;及び
前記第二半導体ユニット及び前記第三半導体ユニット間の前記隔溝に位置し、前記第二スロット内の前記第二の第一延在電極に連結される第二連結部を含み、
前記第一連結部は、前記第一半導体ユニットの前記第一半導体層から第一方向に沿って前記第二半導体ユニットの前記第二半導体層に延在し、前記第二連結部は、前記第二半導体ユニットの前記第一半導体層から第二方向に沿って前記第三半導体ユニットの前記第二半導体層に延在し、前記第二方向は、前記第一方向に平行でなく、
前記光電素子の上面図において、前記第一の第一延在電極は、前記第一連結部と直接接触し、且つ前記第一方向に沿って延在し、
前記光電素子の前記上面図において、前記第二の第一延在電極は、前記第二連結部と直接接触し、前記第二の第一延在電極は、前記第一方向に平行な第一部分、及び、前記第一方向に平行でない第二部分を含み、前記第二部分は、前記第一部分と前記第二連結部との間に位置し、
前記光電素子の前記上面図において、前記第一連結部及び前記第二連結部は、曲がった部分を含まず、前記第一連結部は、前記第一スロット内に位置する第一表面積を有し、前記第二連結部は、前記第二スロット内に位置する第二表面積を有し、前記第一表面積は、前記第二表面積よりも小さい、光電素子。 It is a photoelectric element
substrate;
A plurality of semiconductor units arranged on the substrate.
The plurality of semiconductor units include a first semiconductor unit and a second semiconductor unit located in the first row, and a third semiconductor unit and a fourth semiconductor unit located in the second row.
Each of the plurality of semiconductor units includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, and the first semiconductor layer includes a plurality of sides constituting the periphery of the first semiconductor layer, and among the plurality of sides. Two adjacent semiconductor units that make up a corner;
A groove that is located between two adjacent semiconductor units and exposes the surface of the substrate;
A slot located in each of the plurality of semiconductor units and exposing the first surface of the first semiconductor layer.
The slot is a first slot located in a region other than the corner of the first semiconductor layer of the first semiconductor unit, and a second slot located in the corner of the first semiconductor layer of the second semiconductor unit. Including, slot;
A first electrode located in the slot of each of the plurality of semiconductor units.
The first electrode is a first extending electrode located in the first slot of the first semiconductor unit, and a second first electrode located in the second slot of the second semiconductor unit. First electrode, including extending electrode;
A second electrode including a plurality of second extending electrodes located in the second semiconductor layer of each of the plurality of semiconductor units;
A first connecting portion located in the gap between the first semiconductor unit and the second semiconductor unit and connected to the first extending electrode in the first slot; and the second semiconductor unit. And a second connecting portion located in the gap between the third semiconductor units and connected to the second extending electrode in the second slot.
The first connecting portion extends from the first semiconductor layer of the first semiconductor unit to the second semiconductor layer of the second semiconductor unit along the first direction, and the second connecting portion extends from the first semiconductor layer to the second semiconductor layer of the second semiconductor unit. (Ii) It extends from the first semiconductor layer of the semiconductor unit to the second semiconductor layer of the third semiconductor unit along the second direction, and the second direction is not parallel to the first direction.
In the top view of the photoelectric element, the first extending electrode is in direct contact with the first connecting portion and extends along the first direction.
In the top view of the photoelectric element, the second extending electrode is in direct contact with the second connecting portion, and the second extending electrode is a first portion parallel to the first direction. , And a second portion that is not parallel to the first direction, the second portion being located between the first portion and the second connecting portion.
In the top view of the photoelectric element, the first connecting portion and the second connecting portion do not include a bent portion, and the first connecting portion has a first surface area located in the first slot. , The second connecting portion has a second surface area located in the second slot, the first surface area being smaller than the second surface area, a photoelectric element.
基板;
前記基板に配置される複数の半導体ユニットであって、
前記複数の半導体ユニットが、第一行に位置する第一半導体ユニット及び第二半導体ユニット、並びに、第二行に第三半導体ユニット及び第四半導体ユニットを含み、
前記複数の半導体ユニットの各々が、第一半導体層及び第二半導体層を含み、前記第一半導体層が、前記第一半導体層の周囲を構成する複数の辺を含み、前記複数の辺のうちの隣接する2つが、コーナーを構成する、複数の半導体ユニット;
前記複数の半導体ユニットのうちの隣接する2つの間に位置し、前記基板の表面を露出させる隔溝;
前記複数の半導体ユニットの各々に位置し、前記第一半導体層の第一表面を露出させるスロットであって、
前記スロットが、前記第一半導体ユニットの前記第一半導体層の前記コーナー以外の領域に位置する第一スロット、及び、前記第二半導体ユニットの前記第一半導体層の前記コーナーに位置する第二スロットを含む、スロット;
前記複数の半導体ユニットの各々の前記第一半導体層に位置する第一電極であって、
前記第一電極が、前記第一半導体ユニットの前記第一スロット内の前記第一半導体層に位置する第一の第一延在電極、及び、前記第二半導体ユニットの前記第二スロット内の前記第一半導体層に位置する第二の第一延在電極を含む、第一電極;
前記複数の半導体ユニットの各々の前記第二半導体層に位置する第二電極であって、
前記第二電極が、前記第一半導体ユニットの前記第二半導体層に位置する第一の第二延在電極、前記第二半導体ユニットの前記第二半導体層に位置する第二の第二延在電極、及び、前記第三半導体ユニットの前記第二半導体層に位置する第三の第二延在電極を含む、第二電極;
前記第一半導体ユニット及び前記第二半導体ユニット間の前記隔溝に位置し、前記第一スロット内の前記第一の第一延在電極に連結される第一連結部;及び
前記第二半導体ユニット及び前記第三半導体ユニット間の前記隔溝に位置し、前記第二スロット内の前記第二の第一延在電極に連結される第二連結部を含み、
前記第一連結部は、前記第一半導体ユニットの前記第一半導体層から第一方向に沿って前記第二半導体ユニットの前記第二半導体層に延在し、前記第二連結部は、前記第二半導体ユニットの前記第一半導体層から第二方向に沿って前記第三半導体ユニットの前記第二半導体層に延在し、前記第二方向は、前記第一方向に平行でなく、
前記光電素子の上面図において、前記第一連結部は、前記第一の第一延在電極の幅よりも大きく且つ前記第二の第二延在電極の幅よりも大きい幅を有し、前記第二連結部は、前記第二の第一延在電極の幅よりも大きく且つ前記第三の第二延在電極の幅よりも大きい幅を有し、
前記光電素子の前記上面図において、前記第二の第一延在電極及び前記第三の第二延在電極がそれぞれ前記第二連結部と直接接触する部分は、前記第二連結部の対角線にのみ位置する、光電素子。 It is a photoelectric element
substrate;
A plurality of semiconductor units arranged on the substrate.
The plurality of semiconductor units include a first semiconductor unit and a second semiconductor unit located in the first row, and a third semiconductor unit and a fourth semiconductor unit in the second row.
Each of the plurality of semiconductor units includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, and the first semiconductor layer includes a plurality of sides constituting the periphery of the first semiconductor layer, and among the plurality of sides. Two adjacent semiconductor units that make up a corner;
A groove that is located between two adjacent semiconductor units and exposes the surface of the substrate;
A slot located in each of the plurality of semiconductor units and exposing the first surface of the first semiconductor layer.
The slot is a first slot located in a region other than the corner of the first semiconductor layer of the first semiconductor unit, and a second slot located in the corner of the first semiconductor layer of the second semiconductor unit. Including, slot;
A first electrode located in the first semiconductor layer of each of the plurality of semiconductor units.
The first electrode is a first extending electrode located in the first semiconductor layer in the first slot of the first semiconductor unit, and the second electrode in the second slot of the second semiconductor unit. A first electrode, including a second first extending electrode located in the first semiconductor layer;
A second electrode located in the second semiconductor layer of each of the plurality of semiconductor units.
The second electrode is a first second extending electrode located in the second semiconductor layer of the first semiconductor unit, and a second second extending electrode located in the second semiconductor layer of the second semiconductor unit. A second electrode comprising an electrode and a third second extending electrode located in the second semiconductor layer of the third semiconductor unit;
A first connecting portion located in the gap between the first semiconductor unit and the second semiconductor unit and connected to the first extending electrode in the first slot; and the second semiconductor unit. And a second connecting portion located in the gap between the third semiconductor units and connected to the second extending electrode in the second slot.
The first connecting portion extends from the first semiconductor layer of the first semiconductor unit to the second semiconductor layer of the second semiconductor unit along the first direction, and the second connecting portion extends from the first semiconductor layer to the second semiconductor layer of the second semiconductor unit. (Ii) It extends from the first semiconductor layer of the semiconductor unit to the second semiconductor layer of the third semiconductor unit along the second direction, and the second direction is not parallel to the first direction.
In the top view of the photoelectric element, the first connecting portion has a width larger than the width of the first first extending electrode and larger than the width of the second extending electrode, and the width thereof is larger than the width of the second extending electrode. The second connecting portion has a width larger than the width of the second extending electrode and larger than the width of the third extending electrode.
In the top view of the photoelectric element, the portions where the second extending electrode and the third extending electrode are in direct contact with the second connecting portion are diagonally aligned with the second connecting portion. A photoelectric element located only.
基板;
前記基板に配置される複数の半導体ユニットであって、
前記複数の半導体ユニットが、第一行に位置する第一半導体ユニット及び第二半導体ユニット、並びに、第二行に位置する第三半導体ユニット及び第四半導体ユニットを含み、
前記複数の半導体ユニットの各々が、第一半導体層及び第二半導体層を含み、前記第一半導体層が、前記第一半導体層の周囲を構成する複数の辺を含み、前記複数の辺のうちの隣接する2つが、コーナーを構成する、複数の半導体ユニット;
前記複数の半導体ユニットのうちの隣接する2つの間に位置し、前記基板の表面を露出させる隔溝;
前記第一半導体ユニットに位置し、前記第一半導体ユニットの前記第一半導体層を露出させる第一スロットであって、
前記第一スロットが、前記第一半導体ユニットの前記コーナー以外の領域に位置する、第一スロット;
前記第二半導体ユニットに位置し、前記第二半導体ユニットの前記第一半導体層を露出させる第二スロットであって、
前記第二スロットが、前記第二半導体ユニットの前記コーナーを含む、第二スロット;
前記第一半導体ユニットの前記第一スロットに位置する第一の第一延在電極、及び、前記第二半導体ユニットの前記第二スロットに位置する第二の第一延在電極を含む第一電極;
前記第一半導体ユニットの前記第二半導体層に位置する第一の複数の第二延在電極、及び、前記第二半導体ユニットの前記第二半導体層に位置する第二の複数の第二延在電極を含む第二電極であって、
前記第一の複数の第二延在電極が、対称パターンで前記第一の第一延在電極の両側に位置し、前記第二の複数の第二延在電極が、非対称パターンで前記第二の第一延在電極の両側に位置する、第二電極;
前記第一半導体ユニット及び前記第二半導体ユニット間の前記隔溝に位置する第一連結部;及び
前記第二半導体ユニット及び前記第三半導体ユニット間の前記隔溝に位置する第二連結部であって、
前記第一連結部が、前記第一スロット内に位置する第一表面積を有し、前記第二連結部が、前記第二スロット内に位置する第二表面積を有し、前記第一表面積が前記第二表面積よりも小さい、第二連結部、を含む、光電素子。 It is a photoelectric element
substrate;
A plurality of semiconductor units arranged on the substrate.
The plurality of semiconductor units include a first semiconductor unit and a second semiconductor unit located in the first row, and a third semiconductor unit and a fourth semiconductor unit located in the second row.
Each of the plurality of semiconductor units includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, and the first semiconductor layer includes a plurality of sides constituting the periphery of the first semiconductor layer, and among the plurality of sides. Two adjacent semiconductor units that make up a corner;
A groove that is located between two adjacent semiconductor units and exposes the surface of the substrate;
A first slot located in the first semiconductor unit and exposing the first semiconductor layer of the first semiconductor unit.
The first slot is located in a region other than the corner of the first semiconductor unit;
A second slot located in the second semiconductor unit and exposing the first semiconductor layer of the second semiconductor unit.
The second slot comprises the corner of the second semiconductor unit;
A first electrode including a first extending electrode located in the first slot of the first semiconductor unit and a second first extending electrode located in the second slot of the second semiconductor unit. ;
A first plurality of second extending electrodes located in the second semiconductor layer of the first semiconductor unit, and a second plurality of second extending electrodes located in the second semiconductor layer of the second semiconductor unit. A second electrode that includes an electrode
The first plurality of second extending electrodes are located on both sides of the first first extending electrode in a symmetric pattern, and the second plurality of second extending electrodes are arranged in an asymmetric pattern. Second electrodes located on both sides of the first extending electrode of
A first connecting portion located in the gap between the first semiconductor unit and the second semiconductor unit; and a second connecting portion located in the gap between the second semiconductor unit and the third semiconductor unit. hand,
The first connecting portion has a first surface area located in the first slot, the second connecting portion has a second surface area located in the second slot, and the first surface area is said. A photoelectric element containing a second connecting portion, which is smaller than the second surface area.
前記第二部分が、前記第一部分の長さよりも大きい長さを有する、光電素子。 The photoelectric element according to claim 1.
A photoelectric device in which the second portion has a length larger than the length of the first portion.
前記第一半導体ユニット及び前記第二半導体ユニットが同じ面積を有し、前記第三半導体ユニット及び前記第四半導体ユニットが同じ面積を有する、光電素子。 The photoelectric element according to claim 1.
A photoelectric element in which the first semiconductor unit and the second semiconductor unit have the same area, and the third semiconductor unit and the fourth semiconductor unit have the same area.
前記第一半導体ユニットに位置する前記複数の第二延在電極が、前記第一半導体ユニットの前記第一の第一延在電極の両側に位置する、光電素子。 The photoelectric element according to claim 1.
A photoelectric element in which the plurality of second extending electrodes located in the first semiconductor unit are located on both sides of the first extending electrode of the first semiconductor unit.
前記光電素子の前記上面図において、前記第一の第一延在電極及び前記第二の第二延在電極がそれぞれ前記第一連結部と直接接触する部分は、前記第一連結部の相対する辺に位置する、光電素子。 The photoelectric element according to claim 2.
In the top view of the photoelectric element, the portions where the first extending electrode and the second extending electrode are in direct contact with the first connecting portion face each other of the first connecting portion. A photoelectric element located on the side.
前記スロットが、前記隔溝の最小幅よりも大きい最小幅を有する、光電素子。 The photoelectric element according to claim 2.
A photoelectric element in which the slot has a minimum width larger than the minimum width of the groove.
前記第一スロット又は前記第二スロットが、前記隔溝の最小幅よりも大きい最小幅を有する、光電素子。 The photoelectric element according to claim 3, wherein the photoelectric element is used.
A photoelectric element in which the first slot or the second slot has a minimum width larger than the minimum width of the partition groove.
前記第一半導体ユニット及び前記第二半導体ユニットが同じ形状を有し、前記第三半導体ユニット及び前記第四半導体ユニットが同じ形状を有する、光電素子。 The photoelectric element according to claim 3, wherein the photoelectric element is used.
A photoelectric element in which the first semiconductor unit and the second semiconductor unit have the same shape, and the third semiconductor unit and the fourth semiconductor unit have the same shape.
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