以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって本発明を詳細に説明する。
図1は本発明の実施形態による磁気記憶素子のブロック図である。
図1を参照すれば、磁気記憶素子はメモリセルアレイ10、行デコーダー20、列選択回路30、読出し及び書込み回路40、及び制御ロジック50を含む。
メモリセルアレイ10は複数のワードライン及び複数のビットラインを含み、ワードラインとビットラインとが交差する地点にメモリセルが連結される。メモリセルアレイ10の構成は図2を参照して詳細に説明される。
行デコーダー20はワードラインを通じてメモリセルアレイ10と連結される。行デコーダー20は外部から入力されたアドレスをデコーディングして複数個のワードラインの中で1つを選択する。
列選択回路30はビットラインを通じてメモリセルアレイ10と連結され、外部から入力されたアドレスをデコーディングして複数個のビットラインの中で1つを選択する。列選択回路30で選択されたビットラインは読出し及び書込み回路40に連結される。
読出し及び書込み回路40は制御ロジック50の制御にしたがって選択されたメモリセルにアクセスするためのビットラインバイアスを提供する。読出し及び書込み回路40は入力されるデータをメモリセルに書き込むか、或いは読み出すために選択されたビットラインにビットライン電圧を提供する。
制御ロジック50は外部から提供された命令(command)信号にしたがって、半導体メモリ装置を制御する制御信号を出力する。制御ロジック50で出力された制御信号は読出し及び書込み回路40を制御する。
図2は本発明の実施形態による磁気記憶素子のメモリセルアレイの回路図であり、図3は本発明の実施形態による磁気記憶素子の単位メモリセルを示す回路図である。
図2を参照すれば、メモリセルアレイ10は複数個の第1導電ライン、第2導電ライン、及び単位メモリセルMCを含む。第1導電ラインはワードラインWL0~WL3であり、第2導電ラインはビットラインBL0~BL3である。単位メモリセルMCは2次元的に又は3次元的に配列されることができる。単位メモリセルMCは互いに交差するワードラインWLとビットラインBLとの間に連結される。ワードラインWLの各々は複数個の単位メモリセルMCを連結する。ワードラインWLによって連結された単位メモリセルMCはビットラインBLに各々連結される。ビットラインBLの各々はワードラインWLによって連結された単位メモリセルMCの各々に連結される。したがって、ワードラインWLによって連結された単位メモリセルMCの各々はビットラインBLの各々によって、図1を参照して説明した、読出し及び書込み回路40に連結される。
図3を参照すれば、単位メモリセルMCの各々はメモリ素子ME(memory element)及び選択素子SE(select element)を含む。メモリ素子MEはビットラインBLと選択素子SEとの間に連結され、選択素子SEはメモリ素子MEとワードラインWLとの間に連結される。メモリ素子MEはこれに印加される電気的パルスによって2つの抵抗状態にスイッチングされることができる可変抵抗素子である。
一実施形態によれば、メモリ素子MEはそれを通過する電流によるスピン伝達過程を利用してその電気的抵抗が変化する薄膜構造を有するように形成される。メモリ素子MEは磁気-抵抗(magnetoresistance)特性を示すように構成される薄膜構造を有し、少なくとも1つの強磁性物質及び/又は少なくとも1つの反強磁性物質を含む。
選択素子SEはメモリ素子MEを通る電荷の流れを選択的に制御するように構成される。例えば、選択素子SEはダイオード、PNPバイポーラトランジスタ、NPNバイポーラトランジスタ、NMOS電界効果トランジスタ、及びPMOS電界効果トランジスタの中の1つである。選択素子SEが3端子素子であるバイポーラトランジスタ又はMOS電界効果トランジスタで構成される場合、追加的な配線(図示せず)が選択素子SEに連結される。
具体的に、メモリ素子MEは第1磁性構造体MS1、第2磁性構造体MS2、及びこれらの間のトンネルバリアーTBRを含む。第1磁性構造体MS1、第2磁性構造体MS2、及びトンネルバリアーTBRは磁気トンネル接合MJTとして定義される。第1及び第2磁性構造体MS1、MS2の各々は磁性物質で形成される少なくとも1つの磁性層を含む。メモリ素子MEは、第2磁性構造体MS2と選択素子SEとの間に介在される下部電極BE、及び第1磁性構造体MS1とビットラインBLとの間に介在される上部電極TEを含む。
図4及び図5は本発明の実施形態による磁気トンネル接合を説明するための図面である。
図4及び図5を参照すれば、基板100上に磁気トンネル接合MTJが提供される。磁気トンネル接合MTJは基板100上に順に積層された第1磁性構造体MS1及び第2磁性構造体MS2、及びこれらの間のトンネルバリアーTBRを含む。第2磁性構造体MS2は基板100とトンネルバリアーTBRとの間に提供され、第1磁性構造体MS1はトンネルバリアーTBRを介して第2磁性構造体MS2から離隔される。
第1磁性構造体MS1の磁性層及び第2磁性構造体MS2の磁性層の中の1つの磁化方向は通常的な使用環境の下で、外部磁界(external magnetic field)に関係なく、固定される。以下で、このような固定された磁化特性を有する磁性層は固定層(pinned layer、PNL)として定義される。第1磁性構造体MS1の磁性層及び第2磁性構造体MS2の磁性層の中の他の1つの磁化方向はそれに印加される外部磁界によってスイッチされる。以下で、このような可変的な磁化特性を有する磁性層は自由層(free layer、FRL)として定義される。磁気トンネル接合MTJはトンネルバリアーTBRによって分離された少なくとも1つの自由層FRL及び少なくとも1つの固定層PNLを含む。
磁気トンネル接合MTJの電気的抵抗は自由層FRL及び固定層PNLの磁化方向に依存している。一例として、磁気トンネル接合MTJの電気的抵抗は、自由層FRL及び固定層PNLの磁化方向が平行である場合に比べてこれらが反平行である(antiparallel)場合にはるかに大きくなる。結果的に、磁気トンネル接合MTJの電気的抵抗は自由層FRLの磁化方向を変更することによって調節することができ、これは本発明による磁気メモリ装置におけるデータ格納の原理として利用される。
第1及び第2磁性構造体MS1、MS2の各々は基板100の上面と実質的に垂直である磁化方向を有する少なくとも1つの磁性層を含む。この場合、磁気トンネル接合MTJは、それを構成する自由層FRLと基板100との間の相対的配置、及び/又は自由層FRLと固定層PNLの形成順序にしたがって、以下の2つの種類に区分される。
一例として、図4に図示したように、磁気トンネル接合MTJは第1磁性構造体MS1及び第2磁性構造体MS2が各々固定層PNL及び自由層FRLを含むように構成される第1類型の磁気トンネル接合MTJ1である。他の例として、図5に図示したように、磁気トンネル接合MTJは第1磁性構造体MS1及び第2磁性構造体MS2が各々自由層FRL及び固定層PNLを含むように構成される第2類型の磁気トンネル接合MTJ2である。
図6は本発明の実施形態による磁気記憶素子を示す断面図である。
図6を参照すれば、基板100上に第1誘電膜102が配置され、下部コンタクトプラグ104が第1誘電膜102を貫通する。下部コンタクトプラグ104の下面は、図3を参照して説明した、選択素子SEの一端子に電気的に接続される。
基板100は半導体特性を有する物質、絶縁性物質、絶縁性物質によって覆われた半導体又は導電体の中の1つである。一例として、基板100はシリコンウエハーである。第1誘電膜102は酸化物、窒化物、及び/又は酸化窒化物を含む。下部コンタクトプラグ104は導電物質を含む。一例として、導電物質は、ドーパントでドーピングされた半導体(例えば、ドープされたシリコン、ドープされたゲルマニウム、ドープされたシリコン-ゲルマニウム等)、金属(例えば、チタン、タンタル、タングステン等)及び導電性金属窒化物(例えば、窒化チタン、窒化タンタル等)の中の少なくとも1つである。
第1誘電膜102上に下部電極BE、磁気トンネル接合MTJ、及び上部電極TEが順に積層される。下部電極BEは下部コンタクトプラグ104の上面に電気的に接続される。下部電極BE、磁気トンネル接合MTJ、及び上部電極TEの側壁は互いに整列される。
下部電極BEは導電物質を含む。一例として、下部電極BEは窒化チタン及び/又は窒化タンタル等のような導電性金属窒化物を含む。
磁気トンネル接合MTJは下部電極BE上の第1磁性構造体MS1、下部電極BEと第1磁性構造体MS1との間の第2磁性構造体MS2、及び第1磁性構造体MS1と第2磁性構造体MS2との間のトンネルバリアーTBRを含む。具体的に、第2磁性構造体MS2は下部電極BEとトンネルバリアーTBRとの間に配置され、第1磁性構造体MS1は上部電極TEとトンネルバリアーTBRとの間に配置される。第1磁性構造体MS1及び第2磁性構造体MS2に対しては図7乃至図10を参照して後述する。
トンネルバリアーTBRはマグネシウム(Mg)酸化物,チタン(Ti)酸化物,アルミニウム(Al)酸化物,マグネシウム-亜鉛(MgZn)酸化物,マグネシウム-ホウ素(MgB)酸化物,チタン(Ti)窒化物,及びバナジウム(V)窒化物の中で少なくとも1つを含む。一例として、トンネルバリアーTBRは酸化マグネシウム(MgO)膜である。これと異なり、トンネルバリアーTBRは複数の層を含み、複数の層の各々は、マグネシウム(Mg)酸化物、チタン(Ti)酸化物、アルミニウム(Al)酸化物、マグネシウム-亜鉛(MgZn)酸化物、マグネシウム-ホウ素(MgB)酸化物、チタン(Ti)窒化物、及びバナジウム(V)窒化物の中で少なくとも1つを含む。トンネルバリアーTBRの厚さT1は一例として、約5Å乃至約15Åである。
上部電極TEは導電物質を含む。一例として、上部電極TEはタンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)等の金属、及び窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)等の導電性金属窒化物の中で少なくとも1つを含む。
第2誘電膜108が基板100上で全面に配置されて下部電極BE、磁気トンネル接合MTJ、及び上部電極TEを覆う。上部コンタクトプラグ106が第2誘電膜108を貫通して上部電極TEに接続される。第2誘電膜108は酸化物、窒化物及び/又は酸化窒化物等を含み、上部コンタクトプラグ106は金属(例えば、チタン、タンタル、銅、アルミニウム又はタングステン等)及び導電性金属窒化物(例えば、窒化チタン又は窒化タンタル等)の中で少なくとも1つを含む。第2誘電膜108上に配線109が配置される。配線109は上部コンタクトプラグ106に接続される。配線109は金属(例えば、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、又はタングステン等)及び導電性金属窒化物(例えば、窒化チタン又は窒化タンタル等)の中で少なくとも1つを含む。一実施形態によれば、配線109はビットラインである。
図7は本発明の実施形態による磁気トンネル接合の一部を構成する第1磁性構造体の一例を説明するための断面図である。
図7を参照すれば、第1磁性構造体MS1はトンネルバリアーTBRと上部電極TEとの間に順に積層された第1分極強化層(Polarization Enhancement Layer)110、第1交換結合層120、及び第1垂直磁性層130を含む。本実施形態による第1磁性構造体MS1は、図4を参照して説明した、第1類型の磁気トンネル接合MTJ1の一部を構成する固定層PNLを含む多層の磁性構造体である。
具体的に、第1分極強化層110はトンネルバリアーTBRと上部電極TEとの間に配置され、第1垂直磁性層130は第1分極強化層110と上部電極TEとの間に配置される。第1交換結合層120は第1分極強化層110と第1垂直磁性層130との間に配置される。第1分極強化層110及び第1垂直磁性層130の各々は基板100の上面と実質的に垂直である磁化方向を有する。
第1分極強化層110は磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗(tunneling magnetoresistance、TMR)を高めるために採用される。第1分極強化層110は磁性物質を含む。一例として、第1分極強化層110はコバルト(Co)及び鉄(Fe)を含み、4族元素の中の少なくとも1つをさらに含む。一例として、第1分極強化層110はコバルト(Co)及び鉄(Fe)を含み、炭素(C)をさらに含む。一例として、第1分極強化層110はコバルト鉄炭素(CoFeC)を含む。この場合、第1分極強化層110は(CoxFe100-x)100-zCzを含み、ここで、xは約0%より大きく、約50%より小さいか、或いは同一であり、zは約2%乃至約8%である。第1分極強化層110はホウ素(B)をさらに含む。一例として、第1分極強化層110はコバルト鉄炭素ホウ素(CoFeCB)を含む。この場合、第1分極強化層110は(CoxFe100-x)100-z-aCzBaを含み、ここで、xは約0%より大きく、約50%より小さいか、或いは同一であり、z+aは約2%乃至約8%である。
第1分極強化層110はトンネルバリアーTBRの上面に直接接する。トンネルバリアーTBR及び第1分極強化層110は結晶構造を有しており、一例として、トンネルバリアーTBR及び第1分極強化層110は多結晶構造を有している。一例として、トンネルバリアーTBRはNaCl型結晶構造を有し、第1分極強化層110はNaCl型結晶構造と格子配置が類似なBCT(Body-Centered Tetragonal)結晶構造を有する。第1分極強化層110の(100)結晶面はトンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である。一実施形態によれば、第1分極強化層110及びトンネルバリアーTBRの(100)結晶面は基板100の上面と実質的に平行である。第1分極強化層110の(100)結晶面及びトンネルバリアーTBRの(100)結晶面は互いに接して界面をなす。第1分極強化層110とトンネルバリアーTBRとの界面で結晶面の整合は磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
第1分極強化層110はこれに隣接する磁性層(一例として、第1垂直磁性層130)内の磁性元素(一例として、Pt)が第1分極強化層110とトンネルバリアーTBRとの間の界面に拡散することを防止することができる。具体的に、磁気トンネル接合MTJ上で後続の熱処理工程が遂行されると、熱処理工程によって第1分極強化層110に隣接する磁性層内の磁性元素が第1分極強化層110とトンネルバリアーTBRとの間の界面に拡散する。第1分極強化層110がCoFeCを含む場合、熱処理工程の間に炭素(C)が第1分極強化層110内の結晶粒界(grain boundary)に偏析され、これにしたがって、磁性元素が第1分極強化層110とトンネルバリアーTBRとの間の界面に拡散することを最小化することができる。したがって、磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
第1分極強化層110は正方晶変形された(tetragonal distorted)形態の結晶構造を有する。一例として、第1分極強化層110がCoFeCを含む場合、CoFeに結合された炭素(C)によってCoFe結晶構造(一例として、BCC結晶構造)の正方晶変形(tetragonal distortion)が誘導される。一例として、第1分極強化層110はBCT結晶構造を有する。炭素(C)によって誘導された正方晶変形は第1分極強化層110の垂直磁気異方性を向上させることができる。
一般的に、磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を高めるために、磁気トンネル接合MTJはトンネルバリアーTBR、及びトンネルバリアーTBRの一面に接する分極強化層を含む。分極強化層は一例として、CoFeBを含む。この場合、分極強化層の蒸着の時、分極強化層の少なくとも一部は非晶質構造を有しており、後続の熱処理工程を通じて結晶構造に遷移させる。熱処理工程は約400℃以上の高温で遂行されることが要求される。熱処理工程が高温で遂行される場合、磁気トンネル接合MTJを構成する磁性層内の磁性元素が分極強化層及び/又は分極強化層とトンネルバリアーTBRとの界面に容易に拡散し、これにしたがって、磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗が低くなり得る。
本実施形態によれば、第1分極強化層110はコバルト(Co)及び鉄(Fe)を含み、4族元素の中の少なくとも1つをさらに含む。一例として、第1分極強化層110はコバルト鉄炭素(CoFeC)を含む。第1分極強化層110は蒸着の時、トンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である(100)結晶面を有する結晶構造を有している。したがって、磁気トンネル接合MTJ上で遂行される後続の熱処理工程が300℃以下の低温で遂行される場合でも、第1分極強化層110の(100)結晶面はトンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である状態を容易に維持することができる。第1分極強化層110の(100)結晶面及びトンネルバリアーTBRの(100)結晶面は互いに接して界面をなし、第1分極強化層110とトンネルバリアーTBRとの界面における結晶面の整合は磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
また、第1分極強化層110がCoFeCを含む場合、熱処理工程の間に炭素(C)を第1分極強化層110内の結晶粒界(grain boundary)に偏析させることができる。したがって、熱処理工程の間に磁気トンネル接合MTJを構成する磁性層内の磁性元素が第1分極強化層110とトンネルバリアーTBRとの界面に拡散することが最少化されて、磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
さらに、第1分極強化層110がCoFeCを含む場合、第1分極強化層110は炭素(C)によって誘導された正方晶変形された形態の結晶構造を有し、これにしたがって、第1分極強化層110の垂直磁気異方性を向上させることができる。
したがって、優れた信頼性を有する磁気記憶素子を提供することができる。
第1交換結合層120は非磁性金属物質を含む。非磁性金属物質は、一例として、Hf、Zr、Ti、Ta、及びこれらの合金の中の少なくとも1つである。第1分極強化層110は第1交換結合層120によって第1垂直磁性層130と交換結合され、これにしたがって、第1分極強化層110の磁化方向は第1垂直磁性層130の磁化方向と同一である。本実施形態によれば、第1分極強化層110及び第1垂直磁性層130の各々は一方向に固定された磁化方向を有する。
第1垂直磁性層130は、内在的垂直磁化特性を有する磁性物質(以下、垂直磁性物質)で形成される。ここで、内在的垂直磁化特性は外部的な要因がない場合、磁性層がそれの厚さ方向に平行である磁化方向を有する特性を意味する。一例として、垂直磁化特性を有する磁性層が基板上に形成された場合、磁性層の磁化方向は基板の上面と実質的に垂直である。
内在的垂直磁化特性は、コバルトを含む垂直磁性物質の中の少なくとも1つを含む単層又は多層構造を通じて具現させることができる。一部の実施形態では、第1垂直磁性層130はコバルト白金の合金又は成分Xを含むコバルト白金の合金(ここで、成分Xはホウ素、ルテニウム、クロム、タンタル、又は酸化物の中の少なくとも1つ)を含む単層又は多層構造である。他の実施形態では、第1垂直磁性層130は、交互にそして反復的に積層されたコバルト含有膜及び貴金属膜を含む、多層膜構造として提供することができる。この場合、コバルト含有膜はコバルト、コバルト鉄、コバルトニッケル、及びコバルトクロムの中の1つで形成され、貴金属膜は白金及びパラジウムの中の1つで形成されることができる。その他の実施形態では、第1垂直磁性層130は上述した実施形態による薄膜を各々1つずつ含む多層膜構造として提供される。
上述した物質は、本発明の技術的思想に対する理解をより容易にするために、第1垂直磁性層130の上述した内在的垂直磁化特性を有する物質の例として言及しただけであり、本発明の実施形態をこれに限定するものではない。一例として、第1垂直磁性層130は、a)テルビウム(Tb)の含量比が10%以上であるコバルト鉄テルビウム(CoFeTb)、b)ガドリニウム(Gd)の含量比が10%以上であるコバルト鉄ガドリニウム(CoFeGd)、c)コバルト鉄ジスプロシウム(CoFeDy)、d)L10構造のFePt、e)L10構造のFePd、f)L10構造のCoPd、g)L10又はL11構造のCoPt、h)稠密六方格子(Hexagonal Close Packed Lattice)構造のCoPt、i)上述したa)乃至h)の物質の中の少なくとも1つを含む合金、及びj)磁性層及び非磁性層が交互にそして反復的に積層された構造の中の1つである。磁性層及び非磁性層が交互にそして反復的に積層された構造は(Co/Pt)n、(CoFe/Pt)n、(CoFe/Pd)n、(Co/Pd)n、(Co/Ni)n、(CoNi/Pt)n、(CoCr/Pt)n又は(CoCr/Pd)nの構造である(nは積層数)。一部の実施形態では、第1垂直磁性層130は第1交換結合層120に接するコバルト膜又はコバルト-リッチ膜(cobalt-richlayer)をさらに含むことができる。
図8は本発明の実施形態による磁気トンネル接合の一部を構成する第2磁性構造体の一例を説明するための断面図である。
図8を参照すれば、第2磁性構造体MS2はトンネルバリアーTBRと下部電極BEとの間に順に積層された第2分極強化層(Polarization Enhancement Layer)140、第2交換結合層160、及び第2垂直磁性層170を含む。第2磁性構造体MS2は下部電極BEと第2垂直磁性層170との間のシード層180、及び第2分極強化層140と第2交換結合層160との間の非磁性金属層150をさらに含む。本実施形態による第2磁性構造体MS2は、図4を参照して説明した、第1類型の磁気トンネル接合MTJ1の一部を構成する自由層FRLを含む多層の磁性構造体である。
具体的に、第2分極強化層140はトンネルバリアーTBRと下部電極BEとの間に配置され、第2垂直磁性層170は第2分極強化層140と下部電極BEとの間に配置される。第2交換結合層160は第2分極強化層140と第2垂直磁性層170との間に配置される。シード層180は第2垂直磁性層170と下部電極BEとの間に配置され、非磁性金属層150は第2分極強化層140と第2交換結合層160との間に配置される。第2分極強化層140及び第2垂直磁性層170の各々は基板100の上面と実質的に垂直である磁化方向を有する。
第2分極強化層140は磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を高めるために採用される。第2分極強化層140は磁性物質を含む。一例として、第2分極強化層140はコバルト(Co)及び鉄(Fe)を含み、4族元素の中の少なくとも1つをさらに含む。第2分極強化層140は、図7を参照して説明した、第1分極強化層110と同一の物質を含む。一例として、第2分極強化層140はコバルト鉄炭素(CoFeC)を含む。この場合、第2分極強化層140は(CoxFe100-x)100-zCzを含み、ここで、xは約0%より大きく、約50%より小さいか、或いは同一であり、zは約2%乃至約8%である。第2分極強化層140はホウ素(B)をさらに含む。一例として、第2分極強化層140はコバルト鉄炭素ホウ素(CoFeCB)を含む。この場合、第2分極強化層140は(CoxFe100-x)100-z-aCzBaを含み、ここで、xは約0%より大きく、約50%より小さいか、或いは同一であり、z+aは約2%乃至約8%である。
第2分極強化層140はトンネルバリアーTBRの下面に直接接し、非磁性金属層150の上面に直接接する。トンネルバリアーTBR、第2分極強化層140、及び非磁性金属層150は結晶構造を有しており、一例として、トンネルバリアーTBR、第2分極強化層140、及び非磁性金属層150は多結晶構造を有している。一例として、トンネルバリアーTBR及び非磁性金属層150はNaCl型結晶構造を有し、第2分極強化層140はNaCl型結晶構造と格子配置が類似なBCT(Body-Centered Tetragonal)結晶構造を有する。第2分極強化層140の(100)結晶面は非磁性金属層150の(100)結晶面及びトンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である。一実施形態によれば、第2分極強化層140、トンネルバリアーTBR、及び非磁性金属層150の(100)結晶面は基板100の上面と実質的に平行である。第2分極強化層140の(100)結晶面及びトンネルバリアーTBRの(100)結晶面は互いに接して界面をなし、第2分極強化層140とトンネルバリアーTBRの界面における結晶面の整合は磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
第2分極強化層140はこれに隣接する磁性層(一例として、第2垂直磁性層170)内の磁性元素(一例として、Pt)が第2分極強化層140とトンネルバリアーTBRとの間の界面に拡散することを最小化することができる。一例として、磁気トンネル接合MTJ上に後続の熱処理工程が遂行されると、熱処理工程の間に第2分極強化層140に隣接する磁性層内の磁性元素が第2分極強化層140とトンネルバリアーTBRとの間の界面に拡散され得る。一例として、第2分極強化層140がCoFeCを含む場合、熱処理工程の間に炭素(C)が第2分極強化層140内の結晶粒界(grain boundary)に偏析され、これにしたがって、磁性元素が第2分極強化層140とトンネルバリアーTBRとの間の界面に拡散することを最小化することができる。したがって、磁気トンネル接合MTJのトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
第2分極強化層140は正方晶変形された(tetragonal distorted)形態の結晶構造を有する。一例として、第2分極強化層140がCoFeCを含む場合、CoFeに結合された炭素(C)によってCoFe結晶構造(一例として、BCC結晶構造)の正方晶変形(tetragonal distortion)を誘導することができる。一例として、第2分極強化層140はBCT結晶構造を有する。炭素(C)によって誘導された正方晶変形は第2分極強化層140の垂直磁気異方性を向上させることができる。
非磁性金属層150は第2分極強化層140の結晶成長を容易にするために採用される。一例として、非磁性金属層150の(100)結晶面は基板100の上面と実質的に平行である。非磁性金属層150の上面上に第2分極強化層140を蒸着する場合、第2分極強化層140は非磁性金属層150の(100)結晶面と平行である(100)結晶面を有する結晶構造を有するように蒸着される。トンネルバリアーTBRの(100)結晶面も基板100の上面と実質的に平行である。したがって、磁気トンネル接合MTJ上で遂行される後続の熱処理工程が300℃以下の低温で遂行される場合でも、第2分極強化層140の(100)結晶面はトンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である状態を容易に維持することができる。
非磁性金属層150はマグネシウム(Mg)酸化物、チタン(Ti)酸化物、アルミニウム(Al)酸化物、マグネシウム-亜鉛(MgZn)酸化物、マグネシウム-ホウ素(MgB)酸化物、チタン(Ti)窒化物、及びバナジウム(V)窒化物の中で少なくとも1つを含む。非磁性金属層150はトンネルバリアーTBRと同一の物質を含む。一例として、非磁性金属層150は酸化マグネシウム(MgO)膜である。一実施形態によれば、非磁性金属層150の厚さT2はトンネルバリアーTBRの厚さT1より小さい。
第2交換結合層160は非磁性金属物質を含む。非磁性金属物質は、一例として、Hf、Zr、Ti、Ta、及びこれらの合金の中の少なくとも1つである。第2分極強化層140は第2交換結合層160によって第2垂直磁性層170と交換結合され、これにしたがって、第2分極強化層140は第2垂直磁性層170の磁化方向に平行である垂直磁化を有する。本実施形態によれば、第2分極強化層140及び第2垂直磁性層170の各々は変更可能な磁化方向を有する。一部の実施形態によれば、第2交換結合層160は省略することができる。
第2垂直磁性層170は、内在的垂直磁化特性を有する磁性物質(以下、垂直磁性物質)で形成される。内在的垂直磁化特性はコバルトを含む垂直磁性物質の中の少なくとも1つを含む単層又は多層構造を通じて具現することができる。一部の実施形態では、第2垂直磁性層170はコバルト白金の合金又は成分Xを含むコバルト白金の合金(ここで、成分Xはホウ素、ルテニウム、クロム、タンタル、又は酸化物の中の少なくとも1つ)を含む単層又は多層構造である。他の実施形態では、第2垂直磁性層170は、交互にそして反復的に積層されたコバルト含有膜及び貴金属膜を含む、多層膜構造として提供することができる。この場合、コバルト含有膜はコバルト、コバルト鉄、コバルトニッケル、及びコバルトクロムの中の1つで形成され、貴金属膜は白金及びパラジウムの中の1つで形成される。その他の実施形態では、第2垂直磁性層170は上述した実施形態による薄膜を各々1つずつ含む多層膜構造として提供される。
シード層180は磁気トンネル接合MTJを構成する磁性層の結晶成長に役に立つ物質を含む。一実施形態によれば、シード層180は稠密六方格子(HCP)を構成する金属原子を含む。一例として、シード層180はルテニウム(Ru)、チタン(Ti)、及び/又はタンタル(Ta)を含む。しかし、他の実施形態によれば、シード層180は面心立方格子(FCC)を構成する金属原子を含んでもよい。一例として、シード層180は白金(Pt)、パラジウム(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及びアルミニウム(Al)の中で少なくとも1つを含んでもよい。シード層180は単一の層又は互に異なる結晶構造を有する複数の層を含んでもよい。
図9は本発明の実施形態による磁気トンネル接合の一部を構成する第1磁性構造体の他の例を説明するための断面図である。
図9を参照すれば、第1磁性構造体MS1はトンネルバリアーTBRと上部電極TEとの間に順に積層された第2分極強化層(Polarization Enhancement Layer)140、第2交換結合層160、及び第2垂直磁性層170を含む。第1磁性構造体MS1は上部電極TEと第2垂直磁性層170との間のサブ層190をさらに含む。本実施形態による第1磁性構造体MS1は、図5を参照して説明した、第2類型の磁気トンネル接合MTJ2の一部を構成する自由層FRLを含む多層の磁性構造体である。
具体的に、第2分極強化層140はトンネルバリアーTBRと上部電極TEとの間に配置され、第2垂直磁性層170は第2分極強化層140と上部電極TEとの間に配置される。第2交換結合層160は第2分極強化層140と第2垂直磁性層170との間に配置される。サブ層190は上部電極TEと第2垂直磁性層170との間に配置される。第2分極強化層140及び第2垂直磁性層170の各々は基板100の上面と実質的に垂直である磁化方向を有する。
第2分極強化層140はトンネルバリアーTBRの上面に直接接する。トンネルバリアーTBR及び第2分極強化層140は結晶構造を有しており、一例として、トンネルバリアーTBR及び第2分極強化層140は多結晶構造を有している。一例として、トンネルバリアーTBRはNaCl型結晶構造を有し、第2分極強化層140はBCT結晶構造を有する。第2分極強化層140の(100)結晶面はトンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である。一実施形態によれば、第2分極強化層140及びトンネルバリアーTBRの(100)結晶面は基板100の上面と実質的に平行である。
第2分極強化層140は第2交換結合層160によって第2垂直磁性層170と交換結合され、これにしたがって、第2分極強化層140は第2垂直磁性層170の磁化方向に平行である垂直磁化を有する。本実施形態によれば、第2分極強化層140及び第2垂直磁性層170の各々は変更可能な磁化方向を有する。一部の実施形態によれば、第2交換結合層160は省略することができる。
第2分極強化層140、第2交換結合層160、及び第2垂直磁性層170はその位置的差異を除いては、図8を参照して説明した第2分極強化層140、第2交換結合層160、及び第2垂直磁性層170と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。
本実施形態によれば、サブ層190は第2垂直磁性層170が基板100の上面と垂直である磁化を有することを助ける。サブ層190はマグネシウム(Mg)酸化物、チタン(Ti)酸化物、アルミニウム(Al)酸化物、マグネシウム-亜鉛(MgZn)酸化物、マグネシウム-ホウ素(MgB)酸化物、チタン(Ti)窒化物、及びバナジウム(V)窒化物の中で少なくとも1つを含む。サブ層190はトンネルバリアーTBRと同一の物質を含む。一例として、サブ層190は酸化マグネシウム(MgO)膜であり得る。サブ層190の厚さT3はトンネルバリアーTBRの厚さT1より小さい。
図10は本発明の実施形態による磁気トンネル接合の一部を構成する第2磁性構造体の他の例を説明するための断面図である。
図10を参照すれば、第2磁性構造体MS2はトンネルバリアーTBRと下部電極BEとの間に順に積層された第1分極強化層110、第1交換結合層120、及び第1垂直磁性層130を含む。第2磁性構造体MS2は下部電極BEと第1垂直磁性層130との間のシード層180、及び第1分極強化層110と第1交換結合層120との間の非磁性金属層150をさらに含む。本実施形態による第2磁性構造体MS2は、図5を参照して説明した、第2類型の磁気トンネル接合MTJ2の一部を構成する固定層PNLを含む多層の磁性構造体である。
具体的に、第1分極強化層110はトンネルバリアーTBRと下部電極BEとの間に配置され、第1垂直磁性層130は第1分極強化層110と下部電極BEとの間に配置される。第1交換結合層120は第1分極強化層110と第1垂直磁性層130との間に配置され、非磁性金属層150は第1分極強化層110と第1交換結合層120との間に配置される。シード層180は下部電極BEと第1垂直磁性層130との間に配置される。第1分極強化層110及び第1垂直磁性層130の各々は基板100の上面と実質的に垂直である磁化方向を有する。
第1分極強化層110はトンネルバリアーTBRの下面に直接接し、非磁性金属層150の上面に直接接する。トンネルバリアーTBR、第1分極強化層110、及び非磁性金属層150は結晶構造を有しており、一例として、トンネルバリアーTBR、第1分極強化層110、及び非磁性金属層150は多結晶構造を有している。一例として、トンネルバリアーTBR及び非磁性金属層150はNaCl型結晶構造を有し、第1分極強化層110はBCT結晶構造を有する。第1分極強化層110の(100)結晶面は非磁性金属層150の(100)結晶面及びトンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である。一実施形態によれば、第1分極強化層110、トンネルバリアーTBR、及び非磁性金属層150の(100)結晶面は基板100の上面と実質的に平行である。
非磁性金属層150は第1分極強化層110の結晶成長を容易にするために採用される。一例として、非磁性金属層150の(100)結晶面は基板100の上面と実質的に平行である。非磁性金属層150の上面上に第1分極強化層110が蒸着される場合、第1分極強化層110は非磁性金属層150の(100)結晶面と平行である(100)結晶面を有する結晶構造を有するように蒸着される。トンネルバリアーTBRの(100)結晶面も基板100の上面と実質的に平行である。したがって、磁気トンネル接合MTJ上で遂行される後続の熱処理工程が300℃以下の低温で遂行される場合でも、第1分極強化層110の(100)結晶面はトンネルバリアーTBRの(100)結晶面と平行である状態を容易に維持する。非磁性金属層150の厚さT2はトンネルバリアーTBRの厚さT1より小さい。
第1分極強化層110は第1交換結合層120によって第1垂直磁性層130と交換結合され、これにしたがって、第1分極強化層110の磁化方向は第1垂直磁性層130の磁化方向と同一である。本実施形態によれば、第1分極強化層110及び第1垂直磁性層130の各々は一方向に固定された磁化方向を有する。
第1分極強化層110、第1交換結合層120、及び第1垂直磁性層130はその位置的差異を除いては、図7を参照して説明した第1分極強化層110、第1交換結合層120、及び第1垂直磁性層130と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。さらに、非磁性金属層150及びシード層180もその位置的差異を除いては、図8を参照して説明した非磁性金属層150及びシード層180と実質的に同一である。
本発明の概念によれば、磁気トンネル接合はトンネルバリアーの一面に接する分極強化層を含む。分極強化層はコバルト(Co)及び鉄(Fe)を含み、4族元素の中の少なくとも1つをさらに含む。
分極強化層は蒸着の時、トンネルバリアーの(100)結晶面と平行である(100)結晶面を有する結晶構造である。したがって、磁気トンネル接合上で遂行される後続の熱処理工程が300℃以下の低温で遂行される場合でも、分極強化層の(100)結晶面はトンネルバリアーの(100)結晶面と平行である状態を容易に維持することができる。分極強化層の(100)結晶面及びトンネルバリアーの(100)結晶面は互いに接して界面をなし、分極強化層とトンネルバリアーとの界面で結晶面の整合は磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
また、熱処理工程の間に、分極強化層内の4族元素の中の少なくとも1つが分極強化層内の結晶粒界(grain boundary)に偏析することができる。したがって、熱処理工程の間に磁気トンネル接合を構成する磁性層内の磁性元素が分極強化層とトンネルバリアーとの界面に拡散することが最少化されて、磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗を向上させることができる。
さらに、分極強化層は4族元素の中の少なくとも1つによって誘導された正方晶変形された形態の結晶構造を有することができる。したがって、分極強化層の垂直磁気異方性を向上させることができる。
したがって、優れた信頼性を有する磁気記憶素子を提供することができる。
図11及び図12は本発明の実施形態による半導体装置を含む電子装置を図式的に説明するための図面である。
図11を参照すれば、本発明の実施形態による半導体装置を含む電子装置1300はPDA、ラップトップ(laptop)コンピュータ、携帯用コンピュータ、ウェブタブレット(web tablet)、無線電話機、携帯電話、デジタル音楽再生器(digital music player)、有無線電子機器、又はこれらの中の少なくとも2つを含む複合電子装置の中の1つである。電子装置1300はバス1350を通じて互いに結合した制御器1310、キーパッド、キーボード、画面(display)のような入出力装置1320、メモリ1330、無線インターフェイス1340を含む。制御器1310は、例えば1つ以上のマイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、又はこれと類似のものを含むことができる。メモリ1330は、例えば制御器1310によって実行される命令語を格納するのに使用される。メモリ1330は使用者データを格納するのに使用され、上述した本発明の実施形態による半導体装置を含むことができる。電子装置1300はRF信号を用いて無線通信ネットワークにデータを伝送するか、或いはネットワークからデータを受信するために無線インターフェイス1340を使用する。例えば、無線インターフェイス1340はアンテナ、無線トランシーバー等を含む。電子装置1300は、CDMA、GSM(登録商標)、NADC、E-TDMA、WCDMA(登録商標)、CDMA2000、Wi-Fi、MuniWi-Fi、Bluetooth(登録商標)、DECT、WirelessUSB、Flash-OFDM、IEEE802.20、GPRS、iBurst、WiBro、WiMAX、WiMAX-Advanced、UMTS-TDD、HSPA、EVDO、LTE-Advanced、MMDS等のような通信システムの通信インターフェイスプロトコルを具現するのに利用され得る。
図12を参照すれば、本発明の実施形態による半導体装置は、メモリシステム(memory system)を具現するために使用される。メモリシステム1400は大容量のデータを格納するためのメモリ素子1410及びメモリコントローラ1420を含む。メモリコントローラ1420はホスト1430の読出し/書込み要請に応答してメモリ素子1410から格納されたデータを読み出す又は書き込むようにメモリ素子1410を制御する。メモリコントローラ1420は、ホスト1430、例えばモバイル機器又はコンピュータシステムから提供されるアドレスをメモリ素子1410の物理的なアドレスにマッピングするためのアドレスマッピングテーブル(Address mapping table)を構成する。メモリ素子1410は上述した本発明の実施形態による半導体装置を含む。
上述された実施形態で開示された半導体装置は多様な形態の半導体パッケージ(semiconductor package)で具現されることができる。例えば、本発明の実施形態による半導体装置はPoP(Package on Package)、Ball grid arrays(BGAs)、Chip scale packages(CSPs)、Plastic Leaded Chip Carrier(PLCC)、Plastic Dual In-Line Package(PDIP)、Die in Waffle Pack、Die in Wafer Form、Chip On Board(COB)、Ceramic Dual In-Line Package(CERDIP)、Plastic Metric Quad Flat Pack(MQFP)、Thin Quad Flatpack(TQFP)、Small Outline(SOIC)、Shrink Small Outline Package(SSOP)、Thin Small Outline(TSOP)、Thin Quad Flatpack(TQFP)、System In Package(SIP)、Multi Chip Package(MCP)、Wafer-level Fabricated Package(WFP)、Wafer-Level Processed Stack Package(WSP)等の方式にパッケージングされることができる。
本発明の実施形態による半導体装置が実装されたパッケージは、半導体装置を制御するコントローラ及び/又は論理素子等をさらに含んでもよい。
本発明の実施形態に対する上記説明は本発明を説明するための例示を提供している。したがって、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の技術的思想内で当該技術分野の通常の知識を有する者によって上記の実施形態を組み合わせて実施する等、様々な多くの修正及び変更が可能であることは明らかである。