JP6994953B2 - Holding device - Google Patents

Description

本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。 The techniques disclosed herein relate to holding devices that hold objects.

例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略垂直な略平面状の表面（以下、「吸着面」という）を有するセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の吸着面にウェハを吸着して保持する。 For example, an electrostatic chuck is used as a holding device for holding a wafer when manufacturing a semiconductor. The electrostatic chuck is provided inside a ceramic member having a substantially planar surface (hereinafter referred to as “adsorption surface”) substantially perpendicular to a predetermined direction (hereinafter referred to as “first direction”) and inside the ceramic member. It is equipped with a chuck electrode, and the wafer is adsorbed and held on the adsorption surface of the ceramic member by utilizing the electrostatic attraction generated by applying a voltage to the chuck electrode.

静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、例えば、セラミックス部材の内部に複数のヒータ電極が設けられる。各ヒータ電極に電圧が印加されると、各ヒータ電極が発熱することによってセラミックス部材が加熱され、これにより、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が実現される。 If the temperature of the wafer held on the suction surface of the electrostatic chuck does not reach the desired temperature, the accuracy of each process (deposition, etching, etc.) on the wafer may decrease. Therefore, the temperature of the wafer is applied to the electrostatic chuck. Performance to control the distribution is required. Therefore, for example, a plurality of heater electrodes are provided inside the ceramic member. When a voltage is applied to each heater electrode, the ceramic member is heated by the heat generated by each heater electrode, thereby controlling the temperature distribution of the suction surface of the ceramic member (and by extension, the temperature of the wafer held on the suction surface). Distribution control) is realized.

各ヒータ電極は、線状の抵抗発熱体であるヒータライン部と、ヒータライン部の各端部に接続されたヒータパッド部とを有する（例えば、特許文献１参照）。また、各ヒータ電極への給電のため、静電チャックに、導電領域を有するドライバ電極が設けられることがある（例えば、特許文献２参照）。ドライバ電極の導電領域は、給電側ビアを介して給電端子と電気的に接続されると共に、ヒータ側ビアを介して各ヒータ電極のヒータパッド部と電気的に接続される。このような構成では、各ヒータ電極のヒータパッド部は、ヒータ側ビアとドライバ電極の導電領域と給電側ビアと給電端子とを介して電源に接続される。 Each heater electrode has a heater line portion which is a linear resistance heating element and a heater pad portion connected to each end of the heater line portion (see, for example, Patent Document 1). Further, in order to supply power to each heater electrode, the electrostatic chuck may be provided with a driver electrode having a conductive region (see, for example, Patent Document 2). The conductive region of the driver electrode is electrically connected to the feeding terminal via the feeding side via, and is also electrically connected to the heater pad portion of each heater electrode via the heater side via. In such a configuration, the heater pad portion of each heater electrode is connected to the power supply via the heater side via, the conductive region of the driver electrode, the feeding side via, and the feeding terminal.

特開２０１６－１３９５０３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-139503 特開２０１５－０１８７０４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-018704

ヒータ電極において、上記第１の方向視でのヒータパッド部の幅は、ヒータライン部の幅より大きいため、ヒータパッド部での発熱量は、ヒータライン部での発熱量と比較してごく僅かである。そのため、従来の静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面の内、第１の方向視でヒータパッド部に重なる領域や、ヒータパッド部に対してヒータライン部の延伸方向とは反対側の領域に重なる領域は、低温の温度特異点となりやすい。従って、従来の静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御性（ひいては、ウェハの温度分布の制御性）の点で向上の余地がある。 In the heater electrode, the width of the heater pad portion in the first directional view is larger than the width of the heater line portion, so that the amount of heat generated by the heater pad portion is very small as compared with the amount of heat generated by the heater line portion. Is. Therefore, in the conventional electrostatic chuck, in the suction surface of the ceramic member, the region overlaps the heater pad portion in the first direction view, or the region opposite to the extension direction of the heater line portion with respect to the heater pad portion. The overlapping region tends to be a low temperature temperature singularity. Therefore, in the conventional electrostatic chuck, there is room for improvement in terms of controllability of the temperature distribution of the suction surface of the ceramic member (and by extension, controllability of the temperature distribution of the wafer).

なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、セラミックス部材を備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。 It should be noted that such a problem is not limited to the electrostatic chuck that holds the wafer by utilizing electrostatic attraction, but is a common problem in general for holding devices provided with a ceramic member and holding an object on the surface of the ceramic member. ..

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。 This specification discloses a technique capable of solving the above-mentioned problems.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。 The techniques disclosed herein can be realized, for example, in the following forms.

（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有するセラミックス部材と、前記セラミックス部材の内部に配置された複数のヒータ電極であって、それぞれ、前記第１の方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部と、前記ヒータライン部の端部に接続されると共に、前記第１の方向視で前記ヒータライン部より幅の大きいヒータパッド部と、を有する複数のヒータ電極と、前記セラミックス部材の内部に配置され、導電領域を含むドライバ電極と、給電端子と、前記給電端子と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続する給電側ビアと、各前記ヒータ電極の前記ヒータパッド部と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続するヒータ側ビアと、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記第１の方向視で、前記ヒータパッド部の中心点を通り、かつ、前記ヒータパッド部と前記ヒータライン部との接続部分からの前記ヒータライン部の延伸方向に平行な仮想直線を第１の仮想直線とし、前記中心点を通ると共に前記第１の仮想直線とのなす角が４５度である２つの仮想直線をそれぞれ第２および第３の仮想直線としたとき、前記給電端子は、前記第２および第３の仮想直線により区切られた４つの領域の内、前記中心点を挟んで前記接続部分に対向する第１の領域内に位置する。ヒータ電極において、第１の方向視で、ヒータパッド部はヒータライン部より幅が大きいため、ヒータパッド部での発熱量はヒータライン部での発熱量と比較してごく僅かである。そのため、セラミックス部材の第１の表面の内、第１の方向視で、ヒータパッド部に重なる領域や、ヒータパッド部に対してヒータライン部の延伸方向とは反対側の領域に重なる領域（以下、「特定領域」という）は、低温の温度特異点となりやすい。セラミックス部材の第１の表面に低温の温度特異点が発生すると、第１の表面の温度分布の制御性が低下し、ひいては、保持装置に保持された対象物の温度分布の制御性が低下する。しかしながら、本保持装置では、給電端子が、第２の仮想直線および第３の仮想直線により区切られた４つの領域の内、ヒータパッド部の中心点を挟んで、ヒータパッド部とヒータライン部との接続部分に対向する第１の領域内に位置する。第１の領域は、上述した低温の温度特異点となりやすい特定領域の大部分を含むような領域である。そのため、ドライバ電極の導電領域における、第１の方向視でヒータパッド部と第１の領域に位置する給電端子とを結ぶ直線上付近を電流が流れることによる発熱により、上述した特定領域が低温の温度特異点となることを抑制することができる。従って、本保持装置によれば、セラミックス部材の第１の表面に低温の温度特異点が発生することを抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、対象物の温度分布の制御性）を向上させることができる。 (1) The holding device disclosed in the present specification includes a ceramic member having a substantially planar first surface substantially perpendicular to the first direction, and a plurality of heater electrodes arranged inside the ceramic member. They are connected to the heater line portion, which is a linear resistance heating element in the first direction view, and the end portion of the heater line portion, respectively, and from the heater line portion in the first direction view. A plurality of heater electrodes having a wide heater pad portion, a driver electrode arranged inside the ceramics member and including a conductive region, a feeding terminal, and the feeding terminal and the conductive region of the driver electrode are provided. The first via of the ceramic member, comprising a feeding side via that is electrically connected and a heater side via that electrically connects the heater pad portion of each heater electrode and the conductive region of the driver electrode. In a holding device for holding an object on a surface, the heater line passes through the center point of the heater pad portion and is connected to the heater pad portion and the heater line portion in the first directional view. The virtual straight line parallel to the extending direction of the portion is defined as the first virtual straight line, and the two virtual straight lines passing through the center point and forming an angle of 45 degrees with the first virtual straight line are the second and third virtual straight lines, respectively. When it is a virtual straight line, the power feeding terminal is located in the first region facing the connection portion with the center point in between, among the four regions separated by the second and third virtual straight lines. .. In the heater electrode, in the first directional view, the heater pad portion has a width larger than that of the heater line portion, so that the amount of heat generated by the heater pad portion is very small as compared with the amount of heat generated by the heater line portion. Therefore, in the first surface of the ceramic member, a region overlapping the heater pad portion and a region overlapping the heater pad portion on the side opposite to the extending direction of the heater line portion in the first directional view (hereinafter,). , "Specific region") tends to be a low temperature temperature singularity. When a low temperature temperature singularity is generated on the first surface of the ceramic member, the controllability of the temperature distribution on the first surface is lowered, and eventually the controllability of the temperature distribution of the object held by the holding device is lowered. .. However, in this holding device, the power feeding terminal has the heater pad portion and the heater line portion with the center point of the heater pad portion in the four regions separated by the second virtual straight line and the third virtual straight line. It is located in the first region facing the connection portion of. The first region is a region that includes most of the specific region that tends to be the above-mentioned low temperature temperature singularity. Therefore, in the conductive region of the driver electrode, the heat generated by the current flowing in the vicinity of the straight line connecting the heater pad portion and the feeding terminal located in the first region in the first directional view causes the above-mentioned specific region to have a low temperature. It is possible to suppress the temperature singularity. Therefore, according to this holding device, it is possible to suppress the generation of a low temperature temperature singularity on the first surface of the ceramic member, and the controllability of the temperature distribution on the first surface of the ceramic member (and by extension, the target). Controllability of temperature distribution of objects) can be improved.

（２）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記給電端子は、前記第１の仮想直線上に位置する構成としてもよい。上述した特定領域の内、第１の仮想直線上の位置では、特に低温の温度特異点となりやすい。本保持装置では、第１の方向視で、給電端子が第１の仮想直線上に位置している。そのため、本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における、第１の方向視でヒータパッド部と第１の仮想直線上に位置する給電端子とを結ぶ直線上付近を電流が流れることによる発熱により、特定領域が低温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、対象物の温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 (2) In the holding device, the feeding terminal may be configured to be located on the first virtual straight line in the first directional view. Of the above-mentioned specific regions, the position on the first virtual straight line tends to be a temperature singularity at a particularly low temperature. In this holding device, the feeding terminal is located on the first virtual straight line in the first directional view. Therefore, according to this holding device, heat is generated by the current flowing in the conductive region of the driver electrode in the vicinity of the straight line connecting the heater pad portion and the feeding terminal located on the first virtual straight line in the first directional view. As a result, it is possible to effectively suppress the specific region from becoming a low-temperature temperature singularity, and the controllability of the temperature distribution on the first surface of the ceramic member (and thus the controllability of the temperature distribution of the object) is effective. Can be improved.

（３）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記第１の領域を前記第１の仮想直線によって第１および第２の小領域に分割したとき、前記給電端子は、前記第１および第２の小領域の内、前記第１の仮想直線に対して、前記接続部分から延伸した前記ヒータライン部が前記第１の仮想直線から離間する方向とは反対側の方向に位置する前記小領域内に位置する構成としてもよい。上述した特定領域の内、ヒータパッド部とヒータライン部との接続部分から延伸したヒータライン部が第１の仮想直線から離間する方向とは反対側の方向に位置する小領域では、特に低温の温度特異点となりやすい。本保持装置では、第１の方向視で、給電端子がそのような特に低温の温度特異点となりやすい小領域内に位置しているため、ドライバ電極の導電領域における、第１の方向視でヒータパッド部と該小領域内に位置する給電端子とを結ぶ直線上付近を電流が流れることによる発熱により、特定領域が低温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、対象物の温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 (3) In the holding device, when the first region is divided into first and second small regions by the first virtual straight line in the first directional view, the power feeding terminal is the first. And, in the second small area, the heater line portion extended from the connection portion is located in a direction opposite to the direction away from the first virtual straight line with respect to the first virtual straight line. It may be configured to be located in a small area. Among the above-mentioned specific regions, especially in a small region where the heater line portion extended from the connection portion between the heater pad portion and the heater line portion is located in the direction opposite to the direction away from the first virtual straight line, the temperature is particularly low. It tends to be a temperature singularity. In this holding device, since the feeding terminal is located in such a small region that tends to be a temperature singularity at a particularly low temperature in the first directional view, the heater in the conductive region of the driver electrode is the heater in the first directional view. It is possible to effectively suppress that a specific region becomes a low temperature singular point due to heat generated by the current flowing near the straight line connecting the pad portion and the feeding terminal located in the small region, and the ceramic member. It is possible to effectively improve the controllability of the temperature distribution of the first surface (and thus the controllability of the temperature distribution of the object).

（４）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記第１の仮想直線における前記給電端子と前記ヒータパッド部との間の部分は、前記ヒータライン部と重なっており、前記ヒータライン部における前記第１の仮想直線と重なっている部分は、前記ヒータライン部における前記第１の仮想直線と重なっていない少なくとも一部分と比較して、幅が大きい構成としてもよい。ヒータライン部における第１の仮想直線と重なっている部分（以下、「重複部」という）の位置は、重複部からの発熱に加えて、ドライバ電極の導電領域における、第１の方向視でヒータパッド部と給電端子とを結ぶ直線上付近を電流が流れることによる発熱があるため、高温の温度特異点となりやすい。本保持装置では、ヒータライン部における重複部は、ヒータライン部における第１の仮想直線と重なっていない少なくとも一部分と比較して、幅が大きい。そのため、ヒータライン部における重複部の発熱量は、ヒータライン部における他の部分の発熱量より小さくなる。従って、本保持装置によれば、セラミックス部材の第１の表面に高温の温度特異点が発生することを抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、対象物の温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 (4) In the holding device, in the first directional view, the portion between the power feeding terminal and the heater pad portion in the first virtual straight line overlaps with the heater line portion, and the heater line The portion of the portion that overlaps with the first virtual straight line may have a larger width than at least a portion of the heater line portion that does not overlap with the first virtual straight line. The position of the portion of the heater line portion that overlaps with the first virtual straight line (hereinafter referred to as "overlapping portion") is, in addition to the heat generated from the overlapping portion, the heater in the conductive region of the driver electrode in the first directional view. Since heat is generated by the current flowing near the straight line connecting the pad and the power supply terminal, it tends to be a high temperature singular point. In this holding device, the overlapping portion in the heater line portion is wider than at least a portion that does not overlap with the first virtual straight line in the heater line portion. Therefore, the calorific value of the overlapping portion in the heater line portion is smaller than the calorific value of the other portion in the heater line portion. Therefore, according to this holding device, it is possible to suppress the generation of high-temperature temperature singularities on the first surface of the ceramic member, and the controllability of the temperature distribution on the first surface of the ceramic member (and by extension, the target). The controllability of the temperature distribution of an object) can be effectively improved.

（５）上記保持装置において、前記導電領域は、前記ヒータ側ビアを介して、複数の前記ヒータ電極の前記ヒータパッド部と接続されており、前記第１の方向視で、一の前記ヒータパッド部の中心点と他の前記ヒータパッド部の中心点とを結ぶ仮想線分は、前記導電領域以外の領域を通る構成としてもよい。本保持装置では、一のヒータパッド部の中心点と他のヒータパッド部の中心点とを結ぶ仮想線分が導電領域以外の領域を通るように構成されているため、ドライバ電極の導電領域における、第１の方向視で各ヒータパッド部と給電端子との間を流れる電流の経路を、各ヒータパッド部と給電端子とを結ぶ直線に近い経路にすることができる。従って、本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における、第１の方向視で各ヒータパッド部と給電端子との間を流れる電流による発熱により、上述した特定領域が低温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、対象物の温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 (5) In the holding device, the conductive region is connected to the heater pad portions of the plurality of heater electrodes via the heater side via, and the heater pad is one in the first directional view. The virtual line segment connecting the center point of the portion and the center point of the other heater pad portion may be configured to pass through a region other than the conductive region. In this holding device, since the virtual line segment connecting the center point of one heater pad portion and the center point of the other heater pad portion passes through a region other than the conductive region, the driver electrode has a conductive region. The path of the current flowing between each heater pad portion and the feeding terminal in the first directional view can be a path close to a straight line connecting each heater pad portion and the feeding terminal. Therefore, according to this holding device, in the conductive region of the driver electrode, the above-mentioned specific region becomes a low temperature temperature singularity due to heat generated by the current flowing between each heater pad portion and the feeding terminal in the first direction view. This can be effectively suppressed, and the controllability of the temperature distribution on the first surface of the ceramic member (and thus the controllability of the temperature distribution of the object) can be effectively improved.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。 The technique disclosed in the present specification can be realized in various forms, for example, a holding device, an electrostatic chuck, a heater device such as a CVD heater, a vacuum chuck, and a method for manufacturing them. It is possible to realize with.

第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic appearance structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. 第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic the XZ cross-sectional structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. 第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic the XY plane (top surface) structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. １つのセグメントＳＥに配置された１つのヒータ電極５００のＸＹ断面構成を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the XY cross-sectional structure of one heater electrode 500 arranged in one segment SE. 本実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the positional relationship between the feeding terminal and a heater pad part in the electrostatic chuck 100 of this embodiment. 本実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the positional relationship between the feeding terminal and a heater pad part in the electrostatic chuck 100 of this embodiment. 第２実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the positional relationship between the feeding terminal and a heater pad part in the electrostatic chuck 100 of 2nd Embodiment. 第３実施形態の静電チャック１００におけるドライバ電極６０の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the driver electrode 60 in the electrostatic chuck 100 of 3rd Embodiment.

Ａ．第１実施形態：
Ａ－１．静電チャック１００の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。 A. First Embodiment:
A-1. Configuration of electrostatic chuck 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, and FIG. 2 is an explanatory view schematically showing an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment. FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing the XY plane (upper surface) configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment. Each figure shows XYZ axes that are orthogonal to each other to identify the direction. In the present specification, for convenience, the Z-axis positive direction is referred to as an upward direction, and the Z-axis negative direction is referred to as a downward direction, but the electrostatic chuck 100 is actually installed in a direction different from such an orientation. May be done.

静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。 The electrostatic chuck 100 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used for fixing the wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, for example. The electrostatic chuck 100 includes a ceramic member 10 and a base member 20 arranged side by side in a predetermined arrangement direction (in the present embodiment, the vertical direction (Z-axis direction)). The ceramic member 10 and the base member 20 are arranged so that the lower surface S2 (see FIG. 2) of the ceramic member 10 and the upper surface S3 of the base member 20 face each other in the arrangement direction.

セラミックス部材１０は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する略円形平面状の上面（以下、「吸着面」という）Ｓ１を有する板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１０の直径は例えば５０ｍｍ～５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ～３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１０の厚さは例えば１ｍｍ～１０ｍｍ程度である。セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を「面方向」といい、図３に示すように、面方向の内、吸着面Ｓ１の中心点Ｐｘを中心とする円周方向を「円周方向ＣＤ」といい、面方向の内、円周方向ＣＤに直交する方向を「径方向ＲＤ」という。 The ceramic member 10 is a plate-shaped member having a substantially circular planar upper surface (hereinafter referred to as “adsorption surface”) S1 substantially orthogonal to the above-mentioned arrangement direction (Z-axis direction), and is a ceramic (for example, alumina or aluminum nitride). Etc.). The diameter of the ceramic member 10 is, for example, about 50 mm to 500 mm (usually about 200 mm to 350 mm), and the thickness of the ceramic member 10 is, for example, about 1 mm to 10 mm. The suction surface S1 of the ceramic member 10 corresponds to the first surface in the claims, and the Z-axis direction corresponds to the first direction in the claims. Further, in the present specification, the direction orthogonal to the Z-axis direction is referred to as "plane direction", and as shown in FIG. 3, the circumferential direction centered on the center point Px of the suction surface S1 is "plane direction". It is called "circumferential direction CD", and the direction orthogonal to the circumferential direction CD in the plane direction is called "diametrical direction RD".

図２に示すように、セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０に電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に吸着固定される。 As shown in FIG. 2, a chuck electrode 40 made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum, etc.) is arranged inside the ceramic member 10. The shape of the chuck electrode 40 in the Z-axis direction is, for example, substantially circular. When a voltage is applied to the chuck electrode 40 from a power source (not shown), an electrostatic attraction is generated, and the wafer W is attracted and fixed to the suction surface S1 of the ceramic member 10 by this electrostatic attraction.

セラミックス部材１０の内部には、また、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）のためのヒータ電極層５０と、ヒータ電極層５０への給電のための構成とが配置されている。これらの構成については、後に詳述する。なお、このような構成のセラミックス部材１０は、例えば、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートにビア孔の形成やメタライズペーストの充填および印刷等の加工を行い、これらのセラミックスグリーンシートを熱圧着し、切断等の加工を行った上で焼成することにより作製することができる。 Inside the ceramic member 10, there is also a heater electrode layer 50 for controlling the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 (that is, controlling the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S1), and a heater. A configuration for supplying power to the electrode layer 50 is arranged. These configurations will be described in detail later. For the ceramic member 10 having such a configuration, for example, a plurality of ceramic green sheets are produced, and via holes are formed in a predetermined ceramic green sheet, metallized paste is filled, and printing is performed on these ceramic green sheets. The sheet can be produced by thermocompression bonding, processing such as cutting, and then firing.

ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０と同径の、または、セラミックス部材１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ～５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ～３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ～４０ｍｍ程度である。 The base member 20 is, for example, a circular flat plate-shaped member having the same diameter as the ceramic member 10 or having a diameter larger than that of the ceramic member 10, and is formed of, for example, a metal (aluminum, an aluminum alloy, or the like). The diameter of the base member 20 is, for example, about 220 mm to 550 mm (usually 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base member 20 is, for example, about 20 mm to 40 mm.

ベース部材２０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着層３０によって、セラミックス部材１０に接合されている。接着層３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着層３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ～１ｍｍ程度である。 The base member 20 is joined to the ceramic member 10 by an adhesive layer 30 arranged between the lower surface S2 of the ceramic member 10 and the upper surface S3 of the base member 20. The adhesive layer 30 is made of an adhesive material such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin. The thickness of the adhesive layer 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接着層３０を介したベース部材２０とセラミックス部材１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス部材１０が冷却され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。 A refrigerant flow path 21 is formed inside the base member 20. When a refrigerant (for example, a fluorine-based inert liquid, water, etc.) is flowed through the refrigerant flow path 21, the base member 20 is cooled, and heat transfer (heat transfer between the base member 20 and the ceramic member 10 via the adhesive layer 30). The ceramic member 10 is cooled by heat transfer), and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic member 10 is cooled. As a result, control of the temperature distribution of the wafer W is realized.

Ａ－２．ヒータ電極層５０等の構成：
次に、ヒータ電極層５０の構成およびヒータ電極層５０への給電のための構成について詳述する。 A-2. Configuration of heater electrode layer 50, etc .:
Next, the configuration of the heater electrode layer 50 and the configuration for supplying power to the heater electrode layer 50 will be described in detail.

上述したように、静電チャック１００は、ヒータ電極層５０を備える（図２参照）。ヒータ電極層５０は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。なお、本実施形態では、ヒータ電極層５０は、チャック電極４０より下側に配置されている。 As described above, the electrostatic chuck 100 includes a heater electrode layer 50 (see FIG. 2). The heater electrode layer 50 is made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum, etc.). In this embodiment, the heater electrode layer 50 is arranged below the chuck electrode 40.

ヒータ電極層５０は、複数のヒータ電極５００（図４参照）を含んでいる。ここで、図３に示すように、本実施形態では、セラミックス部材１０に複数の仮想的な領域であるセグメントＳＥが設定されている。より詳細には、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０が、吸着面Ｓ１の中心点Ｐｘを中心とする同心円状の複数の第１の境界線ＢＬ１によって複数の仮想的な環状領域（ただし、中心点Ｐｘを含む領域のみは円状領域）に分割され、さらに各環状領域が、径方向ＲＤに延びる複数の第２の境界線ＢＬ２によって円周方向ＣＤに並ぶ複数の仮想的な領域であるセグメントＳＥに分割されている。複数のヒータ電極５００のそれぞれは、セラミックス部材１０に設定された複数のセグメントＳＥの１つに配置されている。すなわち、本実施形態の静電チャック１００では、複数のセグメントＳＥのそれぞれに、１つのヒータ電極５００が配置されている。 The heater electrode layer 50 includes a plurality of heater electrodes 500 (see FIG. 4). Here, as shown in FIG. 3, in the present embodiment, a plurality of virtual regions SE are set in the ceramic member 10. More specifically, in the Z-axis direction, the ceramic member 10 has a plurality of virtual annular regions (provided to be centered) by a plurality of concentric first boundary lines BL1 centered on the center point Px of the suction surface S1. Only the region containing the point Px is divided into circular regions), and each annular region is a segment which is a plurality of virtual regions arranged along the circumferential CD by a plurality of second boundary lines BL2 extending in the radial RD. It is divided into SE. Each of the plurality of heater electrodes 500 is arranged in one of the plurality of segments SE set in the ceramic member 10. That is, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, one heater electrode 500 is arranged in each of the plurality of segments SE.

図４は、１つのセグメントＳＥに配置された１つのヒータ電極５００のＸＹ断面構成を模式的に示す説明図である。図４に示すように、ヒータ電極５００は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５１０と、ヒータライン部５１０の両端部に接続されるヒータパッド部（第１のヒータパッド部５２１および第２のヒータパッド部５２２）とを有する。以下では、第１のヒータパッド部５２１および第２のヒータパッド部５２２を、まとめてヒータパッド部５２１，５２２ともいう。Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５２１，５２２の幅は、ヒータライン部５１０の幅より大きい。他のセグメントＳＥに配置されたヒータ電極５００の構成も同様である。 FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing an XY cross-sectional configuration of one heater electrode 500 arranged in one segment SE. As shown in FIG. 4, the heater electrode 500 has a heater line portion 510 which is a linear resistance heating element when viewed in the Z-axis direction, and a heater pad portion (first heater) connected to both ends of the heater line portion 510. It has a pad portion 521 and a second heater pad portion 522). Hereinafter, the first heater pad portion 521 and the second heater pad portion 522 are collectively referred to as heater pad portions 521 and 522. In the Z-axis direction, the width of the heater pad portions 521 and 522 is larger than the width of the heater line portion 510. The same applies to the configuration of the heater electrodes 500 arranged in the other segment SE.

また、図２に示すように、静電チャック１００は、ヒータ電極層５０を構成する各ヒータ電極５００への給電のための構成を備えている。具体的には、静電チャック１００は、ドライバ電極６０を備える。ドライバ電極６０は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。ドライバ電極６０は、面方向に平行な所定の領域を有するパターンである複数の導電領域６１，６２を有する。なお、本実施形態では、ドライバ電極６０は、ヒータ電極層５０より下側に配置されている。なお、ドライバ電極６０は、下記の（１）および（２）の少なくとも一方を満たすという点で、ヒータ電極５００と相違する。
（１）ドライバ電極６０の断面積は、ヒータ電極５００の断面積の１０倍以上である。
（２）面方向において、ドライバ電極６０は１つのセグメントＳＥより大きな面積を有する。 Further, as shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 100 has a configuration for supplying power to each heater electrode 500 constituting the heater electrode layer 50. Specifically, the electrostatic chuck 100 includes a driver electrode 60. The driver electrode 60 is made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum, etc.). The driver electrode 60 has a plurality of conductive regions 61 and 62 which are patterns having predetermined regions parallel to the plane direction. In this embodiment, the driver electrode 60 is arranged below the heater electrode layer 50. The driver electrode 60 differs from the heater electrode 500 in that it satisfies at least one of the following (1) and (2).
(1) The cross-sectional area of the driver electrode 60 is 10 times or more the cross-sectional area of the heater electrode 500.
(2) In the plane direction, the driver electrode 60 has a larger area than one segment SE.

ヒータ電極層５０を構成する複数のヒータ電極５００の全部または一部は、ドライバ電極６０における一対の導電領域６１，６２に対して、並列に接続されている。具体的には、図２および図４に示すように、各ヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１は、導電性材料により形成された第１のヒータ側ビア７２１を介して、ドライバ電極６０における一対の導電領域６１，６２の一方である第１の導電領域６１に導通しており、各ヒータ電極５００の第２のヒータパッド部５２２は、導電性材料により形成された第２のヒータ側ビア７２２を介して、ドライバ電極６０における一対の導電領域６１，６２の他方である第２の導電領域６２に導通している。以下では、第１のヒータ側ビア７２１および第２のヒータ側ビア７２２を、まとめてヒータ側ビア７２１，７２２ともいう。 All or part of the plurality of heater electrodes 500 constituting the heater electrode layer 50 are connected in parallel to the pair of conductive regions 61 and 62 in the driver electrode 60. Specifically, as shown in FIGS. 2 and 4, the first heater pad portion 521 of each heater electrode 500 is a driver electrode 60 via a first heater side via 721 formed of a conductive material. The second heater pad portion 522 of each heater electrode 500 is connected to the first conductive region 61, which is one of the pair of conductive regions 61 and 62 in the above. It conducts through the via 722 to the second conductive region 62 which is the other of the pair of conductive regions 61 and 62 in the driver electrode 60. Hereinafter, the first heater side via 721 and the second heater side via 722 are also collectively referred to as a heater side via 721 and 722.

また、図２に示すように、静電チャック１００には、ベース部材２０の下面Ｓ４からセラミックス部材１０の内部に至る一対の端子用孔１１０，１２０が形成されている。各端子用孔１１０，１２０は、ベース部材２０を上下方向に貫通する貫通孔２２と、接着層３０を上下方向に貫通する貫通孔３２と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２側に形成された凹部１２とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。 Further, as shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 100 is formed with a pair of terminal holes 110, 120 extending from the lower surface S4 of the base member 20 to the inside of the ceramic member 10. The terminal holes 110 and 120 have a through hole 22 that penetrates the base member 20 in the vertical direction, a through hole 32 that penetrates the adhesive layer 30 in the vertical direction, and a recess 12 formed on the lower surface S2 side of the ceramic member 10. Is an integral hole formed by communicating with each other.

一対の端子用孔１１０，１２０の一方である第１の端子用孔１１０には、柱状の第１の給電端子７４１が収容されている。また、第１の端子用孔１１０を構成するセラミックス部材１０の凹部１２の底面には、第１の電極パッド７３１が設けられている。第１の給電端子７４１は、例えばろう付け等により第１の電極パッド７３１に接合されている。また、第１の電極パッド７３１は、第１の給電側ビア７１１を介して、ドライバ電極６０における第１の導電領域６１に導通している。なお、第１の給電端子７４１、第１の電極パッド７３１、第１の給電側ビア７１１は、すべて、導電性材料により形成されている。同様に、一対の端子用孔１１０，１２０の他方である第２の端子用孔１２０には、柱状の第２の給電端子７４２が収容されている。また、第２の端子用孔１２０を構成するセラミックス部材１０の凹部１２の底面には、第２の電極パッド７３２が設けられている。第２の給電端子７４２は、例えばろう付け等により第２の電極パッド７３２に接合されている。また、第２の電極パッド７３２は、第２の給電側ビア７１２を介して、ドライバ電極６０における第２の導電領域６２に導通している。 A columnar first feeding terminal 741 is housed in the first terminal hole 110, which is one of the pair of terminal holes 110, 120. Further, a first electrode pad 731 is provided on the bottom surface of the recess 12 of the ceramic member 10 constituting the first terminal hole 110. The first power feeding terminal 741 is joined to the first electrode pad 731 by, for example, brazing or the like. Further, the first electrode pad 731 is conductive to the first conductive region 61 in the driver electrode 60 via the first feeding side via 711. The first feeding terminal 741, the first electrode pad 731, and the first feeding side via 711 are all made of a conductive material. Similarly, a columnar second feeding terminal 742 is housed in the second terminal hole 120, which is the other of the pair of terminal holes 110, 120. Further, a second electrode pad 732 is provided on the bottom surface of the recess 12 of the ceramic member 10 constituting the second terminal hole 120. The second feeding terminal 742 is joined to the second electrode pad 732 by, for example, brazing or the like. Further, the second electrode pad 732 is conductive to the second conductive region 62 in the driver electrode 60 via the second feeding side via 712.

なお、以下では、第１の給電端子７４１および第２の給電端子７４２を、まとめて給電端子７４１，７４２ともいい、第１の電極パッド７３１および第２の電極パッド７３２を、まとめて電極パッド７３１，７３２ともいい、第１の給電側ビア７１１および第２の給電側ビア７１２を、まとめて給電側ビア７１１，７１２ともいう。給電端子７４１，７４２、電極パッド７３１，７３２、および、給電側ビア７１１，７１２は、すべて、導電性材料により形成されている。 In the following, the first power supply terminal 741 and the second power supply terminal 742 are collectively referred to as power supply terminals 741 and 742, and the first electrode pad 731 and the second electrode pad 732 are collectively referred to as the electrode pad 731. , 732, and the first feeding side via 711 and the second feeding side via 712 are collectively referred to as feeding side vias 711 and 712. The feeding terminals 741,742, the electrode pads 731,732, and the feeding side vias 711,712 are all made of a conductive material.

一対の給電端子７４１，７４２は、電源（図示せず）に接続されている。電源からの電圧は、一対の給電端子７４１，７４２、一対の電極パッド７３１，７３２、および、一対の給電側ビア７１１，７１２を介してドライバ電極６０の一対の導電領域６１，６２に供給され、さらに、各ヒータ電極５００について設けられた一対のヒータ側ビア７２１，７２２を介してヒータ電極５００に印加される。これにより、各ヒータ電極５００が発熱し、ヒータ電極５００が配置されたセグメントＳＥが加熱される。セラミックス部材１０の各セグメントＳＥに配置されたヒータ電極５００への印加電圧を個別に制御することにより、各セグメントＳＥの温度を個別に制御することができる。これにより、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）が実現される。 The pair of power feeding terminals 741 and 742 are connected to a power source (not shown). The voltage from the power supply is supplied to the pair of conductive regions 61 and 62 of the driver electrode 60 via the pair of feeding terminals 741,742, the pair of electrode pads 731,732, and the pair of feeding side vias 711 and 712. Further, it is applied to the heater electrode 500 via a pair of heater side vias 721 and 722 provided for each heater electrode 500. As a result, each heater electrode 500 generates heat, and the segment SE in which the heater electrode 500 is arranged is heated. By individually controlling the voltage applied to the heater electrodes 500 arranged in each segment SE of the ceramic member 10, the temperature of each segment SE can be individually controlled. As a result, control of the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 (that is, control of the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S1) is realized.

Ａ－３．給電端子とヒータパッド部との位置関係：
図５および図６は、本実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。図５には、１つのヒータ電極５００における第１のヒータパッド部５２１周辺の一部分のＸＹ断面構成が示されていると共に、ドライバ電極６０の第１の導電領域６１を介して該第１のヒータパッド部５２１と電気的に接続される第１の給電端子７４１の位置が破線で示されている。また、図６には、図５に示された部分のＸＺ断面構成が示されている。 A-3. Positional relationship between the power supply terminal and the heater pad:
5 and 6 are explanatory views showing the positional relationship between the power feeding terminal and the heater pad portion in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment. FIG. 5 shows an XY cross-sectional configuration of a part of the periphery of the first heater pad portion 521 in one heater electrode 500, and the first heater via the first conductive region 61 of the driver electrode 60. The position of the first power feeding terminal 741 electrically connected to the pad portion 521 is indicated by a broken line. Further, FIG. 6 shows the XZ cross-sectional structure of the portion shown in FIG.

図５に示すように、以下の説明では、Ｚ軸方向視で、第１のヒータパッド部５２１の中心点Ｐ０を通り、かつ、第１のヒータパッド部５２１とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰからのヒータライン部５１０の延伸方向（本実施形態では、おおよそＸ軸正方向）に平行な仮想直線を、第１の仮想直線ＶＬ１という。また、第１のヒータパッド部５２１の中心点Ｐ０を通ると共に、第１の仮想直線ＶＬ１とのなす角が４５度である２つの仮想直線を、それぞれ第２の仮想直線ＶＬ２および第３の仮想直線ＶＬ３という。 As shown in FIG. 5, in the following description, the connection portion between the first heater pad portion 521 and the heater line portion 510 is passed through the center point P0 of the first heater pad portion 521 in the Z-axis direction view. The virtual straight line parallel to the extending direction of the heater line portion 510 from the CP (in the present embodiment, approximately the positive direction of the X-axis) is referred to as a first virtual straight line VL1. Further, two virtual straight lines that pass through the center point P0 of the first heater pad portion 521 and have an angle of 45 degrees with the first virtual straight line VL1 are formed by the second virtual straight line VL2 and the third virtual straight line, respectively. It is called a straight line VL3.

なお、第１のヒータパッド部５２１の中心点Ｐ０が一見して明らかではない場合には、第１のヒータパッド部５２１の外周線に近似する仮想円ＶＣを特定し、仮想円ＶＣの中心点を第１のヒータパッド部５２１の中心点Ｐ０として特定する。また、第１のヒータパッド部５２１とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰからのヒータライン部５１０の延伸方向が一見して明らかではない場合には、上記仮想円ＶＣと第１のヒータパッド部５２１の外周線との２つの交点Ｐ１，Ｐ２を特定し、２つの交点Ｐ１，Ｐ２を結ぶ仮想線分の中点Ｐ３を特定し、第１のヒータパッド部５２１の中心点Ｐ０から中点Ｐ３に向かう方向をヒータライン部５１０の延伸方向として特定する。 If the center point P0 of the first heater pad portion 521 is not clear at first glance, a virtual circle VC that approximates the outer peripheral line of the first heater pad portion 521 is specified, and the center point of the virtual circle VC is specified. Is specified as the center point P0 of the first heater pad portion 521. If the extending direction of the heater line portion 510 from the connection portion CP between the first heater pad portion 521 and the heater line portion 510 is not clear at first glance, the virtual circle VC and the first heater pad portion Two intersections P1 and P2 with the outer peripheral line of 521 are specified, a midpoint P3 of a virtual line segment connecting the two intersections P1 and P2 is specified, and a midpoint P0 to a midpoint P3 of the first heater pad portion 521 is specified. The direction toward the heater line portion 510 is specified as the extension direction of the heater line portion 510.

本実施形態では、Ｚ軸方向視で、第１の給電端子７４１は、第２の仮想直線ＶＬ２および第３の仮想直線ＶＬ３により区切られた４つの領域の内、第１のヒータパッド部５２１の中心点Ｐ０を挟んで、第１のヒータパッド部５２１とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰに対向する第１の領域Ｒ１内に位置している。なお、第１の給電端子７４１が、ある領域内に位置するとは、第１の給電端子７４１の中心点Ｐ１０が、その領域内に位置することを意味する。 In the present embodiment, in the Z-axis direction view, the first power feeding terminal 741 is the first heater pad portion 521 of the four regions separated by the second virtual straight line VL2 and the third virtual straight line VL3. It is located in the first region R1 facing the connection portion CP between the first heater pad portion 521 and the heater line portion 510 with the center point P0 in between. The fact that the first power supply terminal 741 is located in a certain area means that the center point P10 of the first power supply terminal 741 is located in the area.

また、本実施形態では、Ｚ軸方向視で、第１の給電端子７４１は、第１の仮想直線ＶＬ１上に位置している。なお、第１の給電端子７４１が、ある仮想直線上に位置するとは、第１の給電端子７４１の少なくとも一部分が、その仮想直線に重なることを意味する。 Further, in the present embodiment, the first power feeding terminal 741 is located on the first virtual straight line VL1 in the Z-axis direction view. The fact that the first power supply terminal 741 is located on a certain virtual straight line means that at least a part of the first power supply terminal 741 overlaps the virtual straight line.

また、本実施形態では、Ｚ軸方向視で、上述した第１の領域Ｒ１を、第１の仮想直線ＶＬ１によって第１の小領域Ｒ１１および第２の小領域Ｒ１２に分割したとき、第１の給電端子７４１は、第１の小領域Ｒ１１および第２の小領域Ｒ１２の内、第１の仮想直線ＶＬ１に対して、第１のヒータパッド部５２１とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰから延伸したヒータライン部５１０が第１の仮想直線ＶＬ１から離間する方向（本実施形態ではＹ軸正方向）とは反対側の方向（同Ｙ軸負方向）に位置する小領域（すなわち、図５の例では第２の小領域Ｒ１２）内に位置している。 Further, in the present embodiment, when the above-mentioned first region R1 is divided into a first small region R11 and a second small region R12 by the first virtual straight line VL1 in the Z-axis direction view, the first region R1 The power feeding terminal 741 extends from the connection portion CP between the first heater pad portion 521 and the heater line portion 510 with respect to the first virtual straight line VL1 in the first small area R11 and the second small area R12. A small region (that is, FIG. 5) located in a direction opposite to the direction (in the present embodiment, the positive direction of the Y axis) in which the heater line portion 510 is separated from the first virtual straight line VL1 (the negative direction of the Y axis). In the example, it is located in the second small area R12).

なお、ここでは１つのヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１について、給電端子との位置関係を説明したが、本実施形態では、各ヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１および第２のヒータパッド部５２２と給電端子との位置関係が、同様の位置関係となっている。 Although the positional relationship between the first heater pad portion 521 of one heater electrode 500 and the feeding terminal has been described here, in the present embodiment, the first heater pad portions 521 and the second heater pad portion 521 of each heater electrode 500 have been described. The positional relationship between the heater pad portion 522 and the power feeding terminal is the same.

Ａ－４．本実施形態の効果：
以上説明したように、第１実施形態の静電チャック１００は、Ｚ軸方向に略垂直な略平面状の吸着面Ｓ１を有するセラミックス部材１０を備え、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１上に対象物（例えばウェハＷ）を保持する保持装置である。静電チャック１００は、セラミックス部材１０の内部に配置された複数のヒータ電極５００を備える。各ヒータ電極５００は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５１０と、ヒータライン部５１０の端部に接続されると共に、Ｚ軸方向視でヒータライン部５１０より幅の大きいヒータパッド部５２１，５２２とを有する。また、静電チャック１００は、セラミックス部材１０の内部に配置され、導電領域６１，６２を含むドライバ電極６０と、給電端子７４１，７４２と、給電端子７４１，７４２とドライバ電極６０の導電領域６１，６２とを電気的に接続する給電側ビア７１１，７１２と、各ヒータ電極５００のヒータパッド部５２１，５２２とドライバ電極６０の導電領域６１，６２とを電気的に接続するヒータ側ビア７２１，７２２とを備える。また、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５２１，５２２の中心点Ｐ０を通り、かつ、ヒータパッド部５２１，５２２とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰからのヒータライン部５１０の延伸方向に平行な仮想直線を第１の仮想直線ＶＬ１とし、上記中心点Ｐ０を通ると共に第１の仮想直線ＶＬ１とのなす角が４５度である２つの仮想直線をそれぞれ第２の仮想直線ＶＬ２および第３の仮想直線ＶＬ３としたとき、給電端子７４１，７４２は、第２の仮想直線ＶＬ２および第３の仮想直線ＶＬ３により区切られた４つの領域の内、上記中心点Ｐ０を挟んで上記接続部分ＣＰに対向する第１の領域Ｒ１内に位置する。本実施形態の静電チャック１００は、このような構成を有しているため、以下に説明するように、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。 A-4. Effect of this embodiment:
As described above, the electrostatic chuck 100 of the first embodiment includes a ceramic member 10 having a substantially planar suction surface S1 substantially perpendicular to the Z-axis direction, and an object is placed on the suction surface S1 of the ceramic member 10. A holding device for holding (for example, a wafer W). The electrostatic chuck 100 includes a plurality of heater electrodes 500 arranged inside the ceramic member 10. Each heater electrode 500 is connected to a heater line portion 510 which is a linear resistance heating element in the Z-axis direction and an end portion of the heater line portion 510, and is wider than the heater line portion 510 in the Z-axis direction. It has a large heater pad portion 521,522. Further, the electrostatic chuck 100 is arranged inside the ceramic member 10, and includes a driver electrode 60 including conductive regions 61 and 62, a feeding terminal 741,742, and a conductive region 61 of the feeding terminals 741 and 742 and the driver electrode 60. Heat supply side vias 711 and 712 that electrically connect 62, and heater side vias 721 and 722 that electrically connect the heater pad portions 521 and 522 of each heater electrode 500 and the conductive regions 61 and 62 of the driver electrode 60. And. Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, in the Z-axis direction view, it passes through the center point P0 of the heater pad portions 521 and 522, and from the connection portion CP between the heater pad portions 521 and 522 and the heater line portion 510. The virtual straight line parallel to the stretching direction of the heater line portion 510 is defined as the first virtual straight line VL1, and the two virtual straight lines passing through the center point P0 and having an angle of 45 degrees with the first virtual straight line VL1 are respectively. When the second virtual straight line VL2 and the third virtual straight line VL3 are used, the power supply terminals 741 and 742 are the center points of the four regions separated by the second virtual straight line VL2 and the third virtual straight line VL3. It is located in the first region R1 facing the connection portion CP with P0 in between. Since the electrostatic chuck 100 of the present embodiment has such a configuration, the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 (and by extension, the temperature distribution of the wafer W) is as described below. Controllability) can be improved.

各ヒータ電極５００において、Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５２１，５２２は、ヒータライン部５１０より幅が大きいため、ヒータパッド部５２１，５２２での発熱量は、ヒータライン部５１０での発熱量と比較してごく僅かである。そのため、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の内、Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５２１，５２２に重なる領域や、ヒータパッド部５２１，５２２に対してヒータライン部５１０の延伸方向とは反対側の領域に重なる領域（以下、「特定領域Ｒｘ」という）は、低温の温度特異点となりやすい。セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に低温の温度特異点が発生すると、吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が低下し、ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性が低下する。 In each heater electrode 500, the heater pad portions 521 and 522 have a larger width than the heater line portion 510 in the Z-axis direction. Therefore, the calorific value of the heater pad portions 521 and 522 is the calorific value of the heater line portion 510. Very little compared to. Therefore, in the suction surface S1 of the ceramic member 10, the region overlapping the heater pad portions 521 and 522 and the side opposite to the extending direction of the heater line portion 510 with respect to the heater pad portions 521 and 522 in the Z-axis direction. The region overlapping the regions (hereinafter referred to as “specific region Rx”) tends to be a low temperature temperature singularity. When a low-temperature temperature singularity is generated on the suction surface S1 of the ceramic member 10, the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 is lowered, and eventually the controllability of the temperature distribution of the wafer W is lowered.

しかしながら、上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、給電端子７４１，７４２が、第２の仮想直線ＶＬ２および第３の仮想直線ＶＬ３により区切られた４つの領域の内、ヒータパッド部５２１，５２２の中心点Ｐ０を挟んで、ヒータパッド部５２１，５２２とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰに対向する第１の領域Ｒ１内に位置する（図５参照）。第１の領域Ｒ１は、上述した低温の温度特異点となりやすい特定領域Ｒｘの大部分を含むような領域である。そのため、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、Ｚ軸方向視でヒータパッド部５２１，５２２と、第１の領域Ｒ１に位置する給電端子７４１，７４２とを結ぶ直線上付近を電流Ｉ１（図５および図６参照）が流れることによる発熱により、上述した特定領域Ｒｘが低温の温度特異点となることを抑制することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に低温の温度特異点が発生することを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。なお、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が高いとは、吸着面Ｓ１全体の温度分布が均一に近いことと、セグメントＳＥ毎に吸着面Ｓ１の温度分布が均一に近いこととの少なくとも一方の意味を含む。 However, as described above, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the feeding terminals 741 and 742 are the heater pad portion of the four regions separated by the second virtual straight line VL2 and the third virtual straight line VL3. It is located in the first region R1 facing the connection portion CP between the heater pad portion 521 and 522 and the heater line portion 510 with the center point P0 of 521 and 522 interposed therebetween (see FIG. 5). The first region R1 is a region that includes most of the specific region Rx that tends to be the above-mentioned low temperature temperature singularity. Therefore, in the conductive regions 61 and 62 of the driver electrode 60, the current I1 (FIG. 6) is located in the vicinity of the straight line connecting the heater pad portions 521 and 522 and the feeding terminals 741 and 742 located in the first region R1 in the Z-axis direction. 5 and FIG. 6) can prevent the above-mentioned specific region Rx from becoming a low-temperature temperature singular point due to the heat generated by the flow. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to suppress the generation of a low temperature temperature singularity on the suction surface S1 of the ceramic member 10, and control the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10. The property (and by extension, the controllability of the temperature distribution of the wafer W) can be improved. The high controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 means that the temperature distribution of the entire suction surface S1 is close to uniform and that the temperature distribution of the suction surface S1 is close to uniform for each segment SE. Includes at least one of the meanings of.

また、上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、給電端子７４１，７４２は、第１の仮想直線ＶＬ１上に位置している。上述した特定領域Ｒｘの内、第１の仮想直線ＶＬ１上の位置では、特に低温の温度特異点となりやすい。本実施形態の静電チャック１００によれば、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、Ｚ軸方向視でヒータパッド部５２１，５２２と、第１の仮想直線ＶＬ１上に位置する給電端子７４１，７４２とを結ぶ直線上付近を電流Ｉ１が流れることによる発熱により、特定領域Ｒｘが低温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 Further, as described above, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the feeding terminals 741 and 742 are located on the first virtual straight line VL1 in the Z-axis direction view. At the position on the first virtual straight line VL1 in the above-mentioned specific region Rx, it tends to be a temperature singularity at a particularly low temperature. According to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, in the conductive regions 61 and 62 of the driver electrode 60, the heater pad portions 521 and 522 and the feeding terminals 741 located on the first virtual straight line VL1 in the Z-axis direction are viewed. It is possible to effectively suppress the specific region Rx from becoming a low temperature singular point due to heat generated by the current I1 flowing in the vicinity of the straight line connecting the 742, and the temperature distribution of the adsorption surface S1 of the ceramic member 10 can be effectively suppressed. Controllability (and thus controllability of the temperature distribution of the wafer W) can be effectively improved.

また、上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、上述した第１の領域Ｒ１を第１の仮想直線ＶＬ１によって第１の小領域Ｒ１１および第２の小領域Ｒ１２に分割したとき、給電端子７４１，７４２は、第１の小領域Ｒ１１および第２の小領域Ｒ１２の内、第１の仮想直線ＶＬ１に対して、ヒータパッド部５２１，５２２とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰから延伸したヒータライン部５１０が第１の仮想直線ＶＬ１から離間する方向とは反対側の方向に位置する小領域（第２の小領域Ｒ１２）内に位置している。上述した特定領域Ｒｘの内、接続部分ＣＰから延伸したヒータライン部５１０が第１の仮想直線ＶＬ１から離間する方向とは反対側の方向に位置する小領域（第２の小領域Ｒ１２）では、特に低温の温度特異点となりやすい。本実施形態の静電チャック１００によれば、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、Ｚ軸方向視でヒータパッド部５２１，５２２と、第２の小領域Ｒ１２内に位置する給電端子７４１，７４２とを結ぶ直線上付近を電流Ｉ１が流れることによる発熱により、特定領域Ｒｘが低温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 Further, as described above, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, in the Z-axis direction view, the above-mentioned first region R1 is converted into a first small region R11 and a second small region by the first virtual straight line VL1. When divided into R12, the power supply terminals 741 and 742 have a heater pad portion 521 and 522 and a heater line portion 510 with respect to the first virtual straight line VL1 in the first small area R11 and the second small area R12. The heater line portion 510 extending from the connection portion CP with the above is located in a small region (second small region R12) located in a direction opposite to the direction away from the first virtual straight line VL1. In the above-mentioned specific region Rx, in the small region (second small region R12) where the heater line portion 510 extended from the connection portion CP is located in the direction opposite to the direction away from the first virtual straight line VL1. In particular, it tends to be a low temperature singularity. According to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, in the conductive regions 61 and 62 of the driver electrode 60, the heater pad portions 521 and 522 in the Z-axis direction and the feeding terminals 741 located in the second small region R12. It is possible to effectively suppress that the specific region Rx becomes a low temperature singular point due to heat generated by the current I1 flowing in the vicinity of the straight line connecting the 742, and the temperature distribution of the adsorption surface S1 of the ceramic member 10 can be effectively suppressed. Controllability (and thus controllability of the temperature distribution of the wafer W) can be effectively improved.

Ｂ．第２実施形態：
図７は、第２実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。以下では、第２実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。 B. Second embodiment:
FIG. 7 is an explanatory diagram showing the positional relationship between the power feeding terminal and the heater pad portion in the electrostatic chuck 100 of the second embodiment. In the following, among the configurations of the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, the same configurations as the configurations of the electrostatic chuck 100 of the first embodiment described above will be appropriately omitted by adding the same reference numerals. ..

図７に示すように、第２実施形態の静電チャック１００は、第１実施形態の静電チャック１００と比較して、ヒータ電極５００のヒータライン部５１０の構成が異なっている。具体的には、第２実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、第１の仮想直線ＶＬ１における第１の給電端子７４１と第１のヒータパッド部５２１との間の部分が、ヒータライン部５１０と重なっており、ヒータライン部５１０における第１の仮想直線ＶＬ１と重なっている部分（以下、「重複部５１０ａ」という）は、ヒータライン部５１０における第１の仮想直線ＶＬ１と重なっていない少なくとも一部分と比較して、幅が大きい。なお、重複部５１０ａは、第１のヒータパッド部５２１と共通のヒータ電極５００を構成するヒータライン部５１０の一部分である必要はなく、異なるヒータ電極５００を構成するヒータライン部５１０であってもよい。 As shown in FIG. 7, the electrostatic chuck 100 of the second embodiment has a different configuration of the heater line portion 510 of the heater electrode 500 as compared with the electrostatic chuck 100 of the first embodiment. Specifically, in the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, the portion between the first power feeding terminal 741 and the first heater pad portion 521 in the first virtual straight line VL1 is formed in the Z-axis direction. The portion that overlaps with the heater line portion 510 and overlaps with the first virtual straight line VL1 in the heater line portion 510 (hereinafter referred to as “overlapping portion 510a”) overlaps with the first virtual straight line VL1 in the heater line portion 510. Wider than at least part of it. The overlapping portion 510a does not have to be a part of the heater line portion 510 that constitutes the common heater electrode 500 with the first heater pad portion 521, and even if it is a heater line portion 510 that constitutes a different heater electrode 500. good.

なお、ここでは１つのヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１側について、ヒータライン部５１０の構成を説明したが、本実施形態では、各ヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１側および第２のヒータパッド部５２２側の両方について、ヒータライン部５１０が同様の構成となっている。 Although the configuration of the heater line portion 510 has been described here with respect to the first heater pad portion 521 side of one heater electrode 500, in the present embodiment, the first heater pad portion 521 side of each heater electrode 500 and the first heater pad portion 521 side and The heater line portion 510 has the same configuration on both sides of the second heater pad portion 522.

ヒータライン部５１０の重複部５１０ａの位置は、重複部５１０ａからの発熱に加えて、ドライバ電極６０の第１の導電領域６１における、Ｚ軸方向視で第１のヒータパッド部５２１と第１の給電端子７４１とを結ぶ直線上付近を電流Ｉ１が流れることによる発熱があるため、高温の温度特異点となりやすい。第２実施形態の静電チャック１００では、ヒータライン部５１０における第１の仮想直線ＶＬ１と重なっている重複部５１０ａは、ヒータライン部５１０における第１の仮想直線ＶＬ１と重なっていない少なくとも一部分と比較して径が大きい。そのため、ヒータライン部５１０における重複部５１０ａの発熱量は、ヒータライン部５１０における他の部分の発熱量より小さくなる。従って、第２実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に高温の温度特異点が発生することを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 In addition to the heat generated from the overlapping portion 510a, the position of the overlapping portion 510a of the heater line portion 510 is such that the first heater pad portion 521 and the first heater pad portion 521 in the first conductive region 61 of the driver electrode 60 are viewed in the Z-axis direction. Since heat is generated by the current I1 flowing in the vicinity of the straight line connecting the power supply terminal 741, it tends to be a high temperature singular point. In the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, the overlapping portion 510a overlapping with the first virtual straight line VL1 in the heater line portion 510 is compared with at least a part not overlapping with the first virtual straight line VL1 in the heater line portion 510. And the diameter is large. Therefore, the calorific value of the overlapping portion 510a in the heater line portion 510 is smaller than the calorific value of the other portions in the heater line portion 510. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, it is possible to suppress the generation of a high temperature temperature singularity on the suction surface S1 of the ceramic member 10, and the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 can be suppressed. Controllability (and thus controllability of the temperature distribution of the wafer W) can be effectively improved.

Ｃ．第３実施形態：
図８は、第３実施形態の静電チャック１００におけるドライバ電極６０の構成を示す説明図である。以下では、第３実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。 C. Third embodiment:
FIG. 8 is an explanatory diagram showing the configuration of the driver electrode 60 in the electrostatic chuck 100 of the third embodiment. In the following, among the configurations of the electrostatic chuck 100 of the third embodiment, the same configurations as the configurations of the electrostatic chuck 100 of the first embodiment described above will be appropriately omitted by adding the same reference numerals. ..

図８に示すように、第３実施形態の静電チャック１００は、第１実施形態の静電チャック１００と比較して、ドライバ電極６０の構成が異なっている。具体的には、第３実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の第１の導電領域６１は、第１のヒータ側ビア７２１（図２参照）を介して、複数のヒータ電極５００（ヒータ電極５００Ａ，５００Ｂ，５００Ｃ）の第１のヒータパッド部５２１（第１のヒータパッド部５２１Ａ，５２１Ｂ，５２１Ｃ）と接続されている。 As shown in FIG. 8, the electrostatic chuck 100 of the third embodiment has a different configuration of the driver electrode 60 as compared with the electrostatic chuck 100 of the first embodiment. Specifically, in the electrostatic chuck 100 of the third embodiment, the first conductive region 61 of the driver electrode 60 has a plurality of heater electrodes 500 (see FIG. 2) via the first heater side via 721 (see FIG. 2). It is connected to the first heater pad portion 521 (first heater pad portion 521A, 521B, 521C) of the heater electrodes 500A, 500B, 500C).

また、第３実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１の形状が、Ｚ軸方向視で、一のヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１に重なる領域と他のヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１に重なる領域との間に、切り欠きのある形状となっている。すなわち、Ｚ軸方向視で、一のヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１の中心点と他のヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１の中心点とを結ぶ仮想線分ＶＬＳ１，ＶＬＳ２は、第１の導電領域６１以外の領域を通る。 Further, in the electrostatic chuck 100 of the third embodiment, the shape of the conductive region 61 of the driver electrode 60 overlaps with the first heater pad portion 521 of one heater electrode 500 and other heaters in the Z-axis direction. The shape has a notch between the electrode 500 and the region overlapping the first heater pad portion 521. That is, the virtual line segments VLS1 and VLS2 connecting the center point of the first heater pad portion 521 of one heater electrode 500 and the center point of the first heater pad portion 521 of the other heater electrode 500 in the Z-axis direction. Passes through a region other than the first conductive region 61.

なお、ここではドライバ電極６０の１つの導電領域６１の構成を説明したが、本実施形態では、ドライバ電極６０の各導電領域が同様の構成となっている。 Although the configuration of one conductive region 61 of the driver electrode 60 has been described here, in the present embodiment, each conductive region of the driver electrode 60 has the same configuration.

このように、第３実施形態の静電チャック１００では、一のヒータ電極５００のヒータパッド部５２１，５２２の中心点と他のヒータ電極５００のヒータパッド部５２１，５２２の中心点とを結ぶ仮想線分ＶＬＳ１，ＶＬＳ２が導電領域６１，６２以外の領域を通るように構成されているため、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、Ｚ軸方向視で各ヒータパッド部５２１，５２２と給電端子７４１，７４２との間を流れる電流Ｉ１の経路を、各ヒータパッド部５２１，５２２と給電端子７４１，７４２とを結ぶ直線に近い経路にすることができる。従って、第３実施形態の静電チャック１００によれば、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、Ｚ軸方向視で各ヒータパッド部５２１，５２２と給電端子７４１，７４２との間を流れる電流Ｉ１による発熱により、特定領域Ｒｘが低温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。 As described above, in the electrostatic chuck 100 of the third embodiment, the virtual center point of the heater pad portions 521 and 522 of one heater electrode 500 and the center point of the heater pad portions 521 and 522 of the other heater electrode 500 are connected. Since the line segments VLS1 and VLS2 are configured to pass through regions other than the conductive regions 61 and 62, the heater pad portions 521 and 522 and the feeding terminals in the conductive regions 61 and 62 of the driver electrode 60 in the Z-axis direction are viewed. The path of the current I1 flowing between the 741 and 742 can be a path close to a straight line connecting the heater pad portions 521 and 522 and the feeding terminals 741 and 742. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the third embodiment, the current flowing between the heater pad portions 521,522 and the feeding terminals 741,742 in the conductive regions 61 and 62 of the driver electrode 60 in the Z-axis direction. It is possible to effectively suppress the specific region Rx from becoming a low temperature singular point due to the heat generated by I1, and the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 (and thus the control of the temperature distribution of the wafer W). Sex) can be effectively improved.

Ｄ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。 D. Modification example:
The technique disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be transformed into various forms without departing from the gist thereof, and for example, the following modifications are also possible.

上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態の静電チャック１００は、
（１）Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５２１，５２２の中心点Ｐ０を通り、かつ、ヒータパッド部５２１，５２２とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰからのヒータライン部５１０の延伸方向に平行な仮想直線を第１の仮想直線ＶＬ１とし、上記中心点Ｐ０を通ると共に第１の仮想直線ＶＬ１とのなす角が４５度である２つの仮想直線をそれぞれ第２の仮想直線ＶＬ２および第３の仮想直線ＶＬ３としたとき、給電端子７４１，７４２は、第２の仮想直線ＶＬ２および第３の仮想直線ＶＬ３により区切られた４つの領域の内、上記中心点Ｐ０を挟んで上記接続部分ＣＰに対向する第１の領域Ｒ１内に位置するという条件と、
（２）Ｚ軸方向視で、給電端子７４１，７４２は、第１の仮想直線ＶＬ１上に位置しているという条件と、
（３）Ｚ軸方向視で、第１の領域Ｒ１を第１の仮想直線ＶＬ１によって第１の小領域Ｒ１１および第２の小領域Ｒ１２に分割したとき、給電端子７４１，７４２は、第１の小領域Ｒ１１および第２の小領域Ｒ１２の内、第１の仮想直線ＶＬ１に対して、ヒータパッド部５２１，５２２とヒータライン部５１０との接続部分ＣＰから延伸したヒータライン部５１０が第１の仮想直線ＶＬ１から離間する方向とは反対側の方向に位置する小領域（第２の小領域Ｒ１２）内に位置するという条件と、
のすべてを満たしているが、上記３つの条件の内、少なくとも条件（１）を満たしていれば、条件（２）と条件（３）との少なくとも一方を満たさなくてもよい。このような構成であっても、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に低温の温度特異点が発生することを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。 The configuration of the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example and can be variously modified. For example, the electrostatic chuck 100 of the above embodiment is
(1) In the Z-axis direction, the heater line portion 510 passes through the center point P0 of the heater pad portions 521 and 522, and the heater line portion 510 is extended from the connection portion CP between the heater pad portion 521 and 522 and the heater line portion 510. The parallel virtual straight line is defined as the first virtual straight line VL1, and the two virtual straight lines passing through the center point P0 and having an angle of 45 degrees with the first virtual straight line VL1 are the second virtual straight line VL2 and the third virtual straight line, respectively. When the virtual straight line VL3 of the above is used, the power supply terminals 741 and 742 are connected to the connection portion CP with the center point P0 in the four regions separated by the second virtual straight line VL2 and the third virtual straight line VL3. The condition that it is located in the opposite first region R1 and
(2) The condition that the feeding terminals 741 and 742 are located on the first virtual straight line VL1 in the Z-axis direction is satisfied.
(3) When the first region R1 is divided into the first small region R11 and the second small region R12 by the first virtual straight line VL1 in the Z-axis direction view, the power supply terminals 741 and 742 are the first. Of the small region R11 and the second small region R12, the heater line portion 510 extended from the connection portion CP between the heater pad portions 521 and 522 and the heater line portion 510 is the first with respect to the first virtual straight line VL1. The condition that it is located in a small area (second small area R12) located in the direction opposite to the direction away from the virtual straight line VL1 and
However, if at least condition (1) is satisfied among the above three conditions, at least one of condition (2) and condition (3) may not be satisfied. Even with such a configuration, it is possible to suppress the generation of low-temperature temperature singularities on the suction surface S1 of the ceramic member 10, and the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 (and by extension, the wafer). The controllability of the temperature distribution of W) can be improved.

上記実施形態の静電チャック１００では、各ヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１および第２のヒータパッド部５２２と給電端子との位置関係について、上記条件（１）～（３）が満たされているが、少なくとも１つのヒータ電極５００の少なくとも一方のヒータパッド部と給電端子との位置関係について、上記条件（１）～（３）（または、少なくとも条件（１））が満たされていればよい。このような構成では、上記条件が満たされた箇所について、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に低温の温度特異点が発生することを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。 In the electrostatic chuck 100 of the above embodiment, the above conditions (1) to (3) are satisfied with respect to the positional relationship between the first heater pad portion 521 and the second heater pad portion 522 of each heater electrode 500 and the feeding terminal. However, the above conditions (1) to (3) (or at least condition (1)) are satisfied with respect to the positional relationship between at least one heater pad portion of at least one heater electrode 500 and the feeding terminal. Just do it. With such a configuration, it is possible to suppress the generation of a low-temperature temperature singularity on the suction surface S1 of the ceramic member 10 at a location where the above conditions are satisfied, and the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic member 10 can be suppressed. Controllability (and thus controllability of the temperature distribution of the wafer W) can be improved.

同様に、上記第２実施形態の静電チャック１００では、各ヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１側および第２のヒータパッド部５２２側の両方について、ヒータライン部５１０が上述した特定の構成となっているが、少なくとも１つのヒータ電極５００の少なくとも一方のヒータパッド部側について、ヒータライン部５１０が上述した特定の構成となっていればよい。また、上記第３実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の各導電領域が上述した特定の構成となっているが、少なくとも１つの導電領域が上述した特定の構成となっていればよい。 Similarly, in the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, the heater line portion 510 is the specific one described above for both the first heater pad portion 521 side and the second heater pad portion 522 side of each heater electrode 500. Although it has a configuration, the heater line portion 510 may have the above-mentioned specific configuration for at least one heater pad portion side of at least one heater electrode 500. Further, in the electrostatic chuck 100 of the third embodiment, each conductive region of the driver electrode 60 has the above-mentioned specific configuration, but at least one conductive region may have the above-mentioned specific configuration. ..

また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成（例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成）であってもよい。 Further, in the above embodiment, each via may be composed of a single via or a group of a plurality of vias. Further, in the above embodiment, each via may have a single-layer configuration consisting of only a via portion, or may have a multi-layer configuration (for example, a configuration in which a via portion, a pad portion, and a via portion are laminated). May be good.

また、上記実施形態におけるセグメントＳＥの設定態様は、任意に変更可能である。例えば、上記実施形態では、各セグメントＳＥが吸着面Ｓ１の円周方向ＣＤに並ぶように複数のセグメントＳＥが設定されているが、各セグメントＳＥが格子状に並ぶように複数のセグメントＳＥが設定されてもよい。また、例えば、上記実施形態では、静電チャック１００の全体が複数のセグメントＳＥに仮想的に分割されているが、静電チャック１００の一部分が複数のセグメントＳＥに仮想的に分割されていてもよい。また、静電チャック１００において、必ずしもセグメントＳＥが設定されている必要はない。 Further, the setting mode of the segment SE in the above embodiment can be arbitrarily changed. For example, in the above embodiment, a plurality of segment SEs are set so that the segment SEs are arranged in the circumferential direction CD of the suction surface S1, but a plurality of segment SEs are set so that the segment SEs are arranged in a grid pattern. May be done. Further, for example, in the above embodiment, the entire electrostatic chuck 100 is virtually divided into a plurality of segment SEs, but even if a part of the electrostatic chuck 100 is virtually divided into a plurality of segment SEs. good. Further, in the electrostatic chuck 100, the segment SE does not necessarily have to be set.

また、上記実施形態では、セラミックス部材１０の内部に１つのチャック電極４０が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス部材１０の内部に一対のチャック電極４０が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態の静電チャック１００における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。 Further, in the above embodiment, a unipolar method in which one chuck electrode 40 is provided inside the ceramic member 10 is adopted, but a bipolar method in which a pair of chuck electrodes 40 are provided inside the ceramic member 10 is adopted. It may be adopted. Further, the material forming each member in the electrostatic chuck 100 of the above embodiment is merely an example, and each member may be formed of another material.

また、本発明は、セラミックス部材１０とベース部材２０とを備え、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、セラミックス部材を備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置や真空チャック等）にも適用可能である。 Further, the present invention is not limited to the electrostatic chuck 100 which includes the ceramic member 10 and the base member 20 and holds the wafer W by utilizing electrostatic attraction, but also includes the ceramic member and an object on the surface of the ceramic member. It can also be applied to other holding devices (for example, a heater device such as a CVD heater, a vacuum chuck, etc.).

１０：セラミックス部材 １２：凹部 ２０：ベース部材 ２１：冷媒流路 ２２：貫通孔 ３０：接着層 ３２：貫通孔 ４０：チャック電極 ５０：ヒータ電極層 ６０：ドライバ電極 ６１：第１の導電領域 ６２：第２の導電領域 １００：静電チャック １１０：第１の端子用孔 １２０：第２の端子用孔 ５００：ヒータ電極 ５１０：ヒータライン部 ５１０ａ：重複部 ５２１：第１のヒータパッド部 ５２２：第２のヒータパッド部 ７１１：第１の給電側ビア ７１２：第２の給電側ビア ７２１：第１のヒータ側ビア ７２２：第２のヒータ側ビア ７３１：第１の電極パッド ７３２：第２の電極パッド ７４１：第１の給電端子 ７４２：第２の給電端子 10: Ceramics member 12: Recessed portion 20: Base member 21: Refrigerant flow path 22: Through hole 30: Adhesive layer 32: Through hole 40: Chuck electrode 50: Heater electrode layer 60: Driver electrode 61: First conductive region 62: Second conductive region 100: Electrostatic chuck 110: First terminal hole 120: Second terminal hole 500: Heater electrode 510: Heater line part 510a: Overlapping part 521: First heater pad part 522: First 2 heater pad part 711: 1st feeding side via 712: 2nd feeding side via 721: 1st heater side via 722: 2nd heater side via 731: 1st electrode pad 732: 2nd electrode Pad 741: First power supply terminal 742: Second power supply terminal

Claims (5)

第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有するセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の内部に配置された複数のヒータ電極であって、それぞれ、前記第１の方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部と、前記ヒータライン部の端部に接続されると共に、前記第１の方向視で前記ヒータライン部より幅の大きいヒータパッド部と、を有する複数のヒータ電極と、
前記セラミックス部材の内部に配置され、導電領域を含むドライバ電極と、
給電端子と、
前記給電端子と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続する給電側ビアと、
各前記ヒータ電極の前記ヒータパッド部と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続するヒータ側ビアと、
を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記第１の方向視で、前記ヒータパッド部の中心点を通り、かつ、前記ヒータパッド部と前記ヒータライン部との接続部分からの前記ヒータライン部の延伸方向に平行な仮想直線を第１の仮想直線とし、前記中心点を通ると共に前記第１の仮想直線とのなす角が４５度である２つの仮想直線をそれぞれ第２および第３の仮想直線としたとき、前記給電端子は、前記第２および第３の仮想直線により区切られた４つの領域の内、前記中心点を挟んで前記接続部分に対向する第１の領域内に位置することを特徴とする、保持装置。 A ceramic member having a substantially planar first surface substantially perpendicular to the first direction,
A plurality of heater electrodes arranged inside the ceramic member, each connected to a heater line portion which is a linear resistance heating element in the first directional view and an end portion of the heater line portion. In addition, a plurality of heater electrodes having a heater pad portion having a width larger than that of the heater line portion in the first directional view, and a plurality of heater electrodes.
A driver electrode arranged inside the ceramic member and including a conductive region,
Power supply terminal and
A feeding side via that electrically connects the feeding terminal and the conductive region of the driver electrode,
A heater-side via that electrically connects the heater pad portion of each heater electrode and the conductive region of the driver electrode, and
In a holding device for holding an object on the first surface of the ceramic member.
In the first directional view, a virtual straight line that passes through the center point of the heater pad portion and is parallel to the extending direction of the heater line portion from the connection portion between the heater pad portion and the heater line portion is first. When the two virtual straight lines passing through the center point and forming an angle of 45 degrees with the first virtual straight line are used as the second and third virtual straight lines, respectively, the power feeding terminal is the above. A holding device, characterized in that it is located in a first region facing the connection portion with the center point sandwiched between the four regions separated by the second and third virtual straight lines. 請求項１に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記給電端子は、前記第１の仮想直線上に位置することを特徴とする、保持装置。 In the holding device according to claim 1,
The holding device, characterized in that, in the first directional view, the feeding terminal is located on the first virtual straight line. 請求項１または請求項２に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記第１の領域を前記第１の仮想直線によって第１および第２の小領域に分割したとき、前記給電端子は、前記第１および第２の小領域の内、前記第１の仮想直線に対して、前記接続部分から延伸した前記ヒータライン部が前記第１の仮想直線から離間する方向とは反対側の方向に位置する前記小領域内に位置することを特徴とする、保持装置。 In the holding device according to claim 1 or 2.
When the first region is divided into first and second small regions by the first virtual straight line in the first directional view, the feeding terminal is included in the first and second small regions. The heater line portion extending from the connection portion is located in the small region located in the direction opposite to the direction away from the first virtual straight line with respect to the first virtual straight line. A characteristic holding device. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記第１の仮想直線における前記給電端子と前記ヒータパッド部との間の部分は、前記ヒータライン部と重なっており、前記ヒータライン部における前記第１の仮想直線と重なっている部分は、前記ヒータライン部における前記第１の仮想直線と重なっていない少なくとも一部分と比較して、幅が大きいことを特徴とする、保持装置。 In the holding device according to any one of claims 1 to 3.
In the first directional view, the portion between the power feeding terminal and the heater pad portion in the first virtual straight line overlaps with the heater line portion, and the first virtual straight line in the heater line portion. The holding device is characterized in that the portion overlapping with the heater line portion is wider than at least a portion of the heater line portion that does not overlap with the first virtual straight line. 請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記導電領域は、前記ヒータ側ビアを介して、複数の前記ヒータ電極の前記ヒータパッド部と接続されており、前記第１の方向視で、一の前記ヒータパッド部の中心点と他の前記ヒータパッド部の中心点とを結ぶ仮想線分は、前記導電領域以外の領域を通ることを特徴とする、保持装置。 In the holding device according to any one of claims 1 to 4.
The conductive region is connected to the heater pad portions of the plurality of heater electrodes via the heater side vias, and in the first directional view, the center point of one heater pad portion and the other heater pad portions. A holding device characterized in that a virtual line segment connecting a center point of a heater pad portion passes through a region other than the conductive region.

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