JP2016139503A

JP2016139503A - Laminated heating element

Info

Publication number: JP2016139503A
Application number: JP2015013341A
Authority: JP
Inventors: 晃文土佐; Akibumi Tosa; 乾　靖彦; Yasuhiko Inui; 靖彦乾; 要三輪; Kaname Miwa; 洋輔篠崎; Yosuke Shinozaki
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2015-01-27
Filing date: 2015-01-27
Publication date: 2016-08-04
Anticipated expiration: 2035-01-27
Also published as: JP6636698B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated heating element capable of suppressing the heating in a power supply path.SOLUTION: In a laminated heating element (1) including a ceramic substrate (3), an electrode (4), heaters (5, 7), terminals (11, 13, 15, 17). and a power supply path (19), at least one combination of through-vias α, β, γ and δ satisfying the following conditions (1) and (2) exists in a through-via constituting the power supply path. Condition (1): when viewing the ceramic substrate from the front (3a) side toward the back (3b) side, the through-via δ is at a position overlapping the through-via β or in the vicinity thereof. Condition (2): when viewing the ceramic substrate from the front side toward the back side, position of the through-via γ is between the through-via α and through-via δ, or overlaps the through-via α or in the vicinity thereof.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は積層発熱体に関する。 The present invention relates to a laminated heating element.

従来、例えば半導体製造装置においては、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を固定してドライエッチング等の加工を行ったり、半導体ウェハを吸着固定して反りを矯正したり、半導体ウェハを吸着して搬送するなどの目的で、静電チャックが使用されている。 Conventionally, for example, in a semiconductor manufacturing apparatus, a semiconductor wafer (for example, a silicon wafer) is fixed and processing such as dry etching is performed, a semiconductor wafer is sucked and fixed to correct warpage, or a semiconductor wafer is sucked and transported. An electrostatic chuck is used for the purpose.

静電チャックが半導体製造装置のドライエッチング装置で使用される場合、静電チャックに固定された半導体ウェハの温度が、場所ごとにばらつくとエッチングの加工精度が悪くなる。そのため、半導体ウェハの加工精度を高めるためには、半導体ウェハの温度を均一にする必要がある。そのため、静電チャックの内部にヒーターを備え、そのヒーターによって半導体ウェハを均一に加熱しようとする。 When the electrostatic chuck is used in a dry etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus, if the temperature of the semiconductor wafer fixed to the electrostatic chuck varies from place to place, the etching processing accuracy deteriorates. Therefore, in order to increase the processing accuracy of the semiconductor wafer, it is necessary to make the temperature of the semiconductor wafer uniform. Therefore, a heater is provided inside the electrostatic chuck and the semiconductor wafer is uniformly heated by the heater.

ヒーターを内蔵した静電チャックは、その裏面側の一端に取り付けられた端子からヒーターに給電する給電経路を備え、その給電経路は、複数の導電層と、複数のスルービアとを交互に積層した構造を有する。給電経路のうち、ヒーターに隣接する導電層は、発熱量が大きくなり、この導電層の発熱により、静電チャックの表面における温度が不均一になってしまい、結果として、半導体ウェハの温度が不均一になってしまう。 An electrostatic chuck with a built-in heater has a power feeding path that feeds power to the heater from a terminal attached to one end on the back side. The power feeding path has a structure in which a plurality of conductive layers and a plurality of through vias are alternately stacked. Have In the power supply path, the conductive layer adjacent to the heater generates a large amount of heat, and the heat generated by the conductive layer causes the temperature on the surface of the electrostatic chuck to become non-uniform, resulting in a non-uniform temperature of the semiconductor wafer. It becomes uniform.

そこで、ヒーターに隣接する導電層付近で給電経路を複数層に分け、各層における電流密度を低減することで、発熱を抑制する方法が提案されている（特許文献１参照）。 Thus, a method has been proposed in which heat generation is suppressed by dividing the power feeding path into a plurality of layers near the conductive layer adjacent to the heater and reducing the current density in each layer (see Patent Document 1).

特開２０１４−７５５２５号公報JP 2014-75525 A

特許文献１記載の技術では、給電経路における発熱を十分に抑制できない場合があった。本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、上述した課題を解決できる積層発熱体を提供することを目的とする。 In the technique described in Patent Document 1, there is a case where heat generation in the power feeding path cannot be sufficiently suppressed. This invention is made | formed in view of the above point, and it aims at providing the laminated heat generating body which can solve the subject mentioned above.

本発明の積層発熱体は、
表面及び裏面を有し、前記表面に被処理物を支持するセラミック基板と、前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための電極と、前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を加熱するためのヒーターと、前記セラミック基板における前記裏面側の一端に取り付けられた端子と、前記端子から前記ヒーターに給電する給電経路と、を備えた積層発熱体であって、前記給電経路は、前記セラミック基板内に設けられた複数の導電層及び複数のスルービアを組み合わせて成るものであり、前記複数のスルービアには、以下で定義するスルービアα、スルービアβ、スルービアγ、及びスルービアδが含まれ、以下の条件（１）及び（２）を充足するスルービアα、スルービアβ、スルービアγ、及びスルービアδの組み合わせが少なくとも１つ存在することを特徴とする。 The laminated heating element of the present invention is
A ceramic substrate having a front surface and a back surface and supporting an object to be processed on the surface; an electrode provided on the ceramic substrate for adsorbing the object to be processed; provided on the ceramic substrate; A heating element, a terminal attached to one end on the back side of the ceramic substrate, and a power supply path for supplying power to the heater from the terminal, wherein the power supply path is The plurality of conductive layers provided in the ceramic substrate and a plurality of through vias are combined, and the plurality of through vias include through via α, through via β, through via γ, and through via δ defined below. There are few combinations of through via α, through via β, through via γ, and through via δ that satisfy the following conditions (1) and (2). It is characterized by the existence of at least one.

スルービアα：前記ヒーターと、前記導電層の１つである導電層Ｘとを接続するスルービア。
スルービアβ、及びスルービアγ：前記導電層の１つである導電層Ｙと、前記導電層Ｘとを接続するスルービア。 Through via α: a through via that connects the heater and the conductive layer X that is one of the conductive layers.
Through via β and through via γ: a through via that connects the conductive layer Y, which is one of the conductive layers, to the conductive layer X.

スルービアδ：前記導電層の１つである導電層Ｚ又は前記端子と、前記導電層Ｙとを接続するスルービア。
条件（１）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記スルービアδは、前記スルービアβと重なる位置又はその近傍にある。 Through via δ: A through via that connects the conductive layer Z or the terminal, which is one of the conductive layers, to the conductive layer Y.
Condition (1): When the ceramic substrate is viewed from the front surface side toward the back surface side, the through via δ is at or near the position where the through via β overlaps.

条件（２）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記スルービアγの位置は、前記スルービアαと前記スルービアδとの間の位置、又は前記スルービアαと重なる位置若しくはその近傍にある。 Condition (2): When the ceramic substrate is viewed from the front surface side toward the back surface side, the position of the through via γ is a position between the through via α and the through via δ or a position overlapping the through via α. Or in the vicinity.

本発明の積層発熱体では、少なくとも１つの組み合わせにおけるスルービアβ、δの位置関係が、前記条件（１）を充足する。そのため、導電層Ｙにおけるスルービアδからスルービアβまでの部分の抵抗が低くなる。そのことにより、導電層Ｙにおける発熱を抑制できる。 In the laminated heating element of the present invention, the positional relationship between the through vias β and δ in at least one combination satisfies the condition (1). Therefore, the resistance of the conductive layer Y from the through via δ to the through via β is reduced. Thereby, heat generation in the conductive layer Y can be suppressed.

また、本発明の積層発熱体において、給電経路には、スルービアβを通る経路と、スルービアγを通る経路とが並列に設けられている。そして、少なくとも１つの組み合わせにおけるスルービアα、γ、δの位置関係が、前記条件（２）を充足するので、スルービアβを通る経路だけでなく、スルービアγを通る経路にも電流が十分に流れる。その結果、スルービアβを通る経路を流れる電流を抑制し、その経路の発熱を抑制することができる。 In the laminated heating element of the present invention, a path passing through the through via β and a path passing through the through via γ are provided in parallel in the power feeding path. Since the positional relationship between the through vias α, γ, and δ in at least one combination satisfies the condition (2), not only the path passing through the through via β but also the current passing through the through via γ sufficiently flows. As a result, the current flowing through the path passing through the through via β can be suppressed, and heat generation in the path can be suppressed.

静電チャック１の構成を表す側断面図である。2 is a side sectional view showing a configuration of the electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１の構成を表す上面図である。3 is a top view illustrating a configuration of the electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たときの位置関係を表す説明図である。4 is an explanatory diagram showing a positional relationship when through-vias α, β, γ, and δ are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアαＩ、αＯ、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias αI, αO, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアαＩ、αＯ、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias αI, αO, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たときの位置関係を表す説明図である。4 is an explanatory diagram showing a positional relationship when through-vias α, β, γ, and δ are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3. FIG. スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たときの位置関係を表す説明図である。4 is an explanatory diagram showing a positional relationship when through-vias α, β, γ, and δ are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3. FIG. 静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of through vias α, β, γ, and δ in electrostatic chuck 1. FIG. スルービアα、β、γ、δの別形態を表す断面図である。It is sectional drawing showing another form of through-via (alpha), (beta), (gamma), and (delta).

本発明の実施形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
１.静電チャック１の構成
積層発熱体の一実施形態である静電チャック１の構成を図１〜図４に基づいて説明する。静電チャック１は、円盤状のセラミック基板３と、その内部に設けられた吸着電極４、インナーヒーター５、アウターヒーター７、及び導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を備える。また、静電チャック１は、端子９、１１、１３、１５、１７を備える。 An embodiment of the present invention will be described.
<First Embodiment>
1. Structure of the electrostatic chuck 1 The structure of the electrostatic chuck 1, which is an embodiment of the laminated heating element, will be described with reference to FIGS. The electrostatic chuck 1 includes a disk-shaped ceramic substrate 3, an adsorption electrode 4, an inner heater 5, an outer heater 7, and conductive layers X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, Y4 provided therein. Is provided. The electrostatic chuck 1 includes terminals 9, 11, 13, 15, and 17.

セラミック基板３は、セラミックと有機成分とから成る層（グリーンシート）を積層・焼成して成る円盤状の部材である。セラミック基板３は、表面３ａと裏面３ｂとを有する。表面３ａは被処理物である半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を吸着し、支持する面である。以下では、表面３ａから裏面３ｂに向う方向を厚み方向とする。また、表面３ａ側を上側とし、裏面３ｂ側を下側とする。セラミック基板３を構成するグリーンシートは厚み方向に積層されている。 The ceramic substrate 3 is a disk-shaped member formed by laminating and firing layers (green sheets) made of ceramic and organic components. The ceramic substrate 3 has a front surface 3a and a back surface 3b. The surface 3a is a surface that adsorbs and supports a semiconductor wafer (for example, a silicon wafer) that is an object to be processed. Hereinafter, the direction from the front surface 3a to the back surface 3b is defined as the thickness direction. The front surface 3a side is the upper side, and the back surface 3b side is the lower side. The green sheets constituting the ceramic substrate 3 are laminated in the thickness direction.

吸着電極４は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層である。吸着電極４は、セラミック基板３における表面３ａ寄りの位置に、表面３ａと平行となるように設けられている。吸着電極４は、給電経路１９により、端子９に接続している。吸着電極４は、表面３ａに被処理物を吸着するための電極である。 The adsorption electrode 4 is a metallized layer made of W, Mo, Pt or the like. The adsorption electrode 4 is provided at a position near the surface 3a in the ceramic substrate 3 so as to be parallel to the surface 3a. The adsorption electrode 4 is connected to the terminal 9 by a power feeding path 19. The adsorption electrode 4 is an electrode for adsorbing an object to be processed on the surface 3a.

インナーヒーター５は被処理物を加熱するためのヒーターである。インナーヒーター５は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層であり、吸着電極４よりも下側に位置する、渦巻き型のヒーターである。図２に示すように、上方から（セラミック基板３の厚み方向から）見たとき、インナーヒーター５の中心はセラミック基板３の中心と一致し、インナーヒーター５は、セラミック基板３の中周まで広がっている。インナーヒーター５の内周側の端部５ａは、導電層Ｘ１上に位置し、外周側の端部５ｂは、導電層Ｘ２上に位置する。 The inner heater 5 is a heater for heating an object to be processed. The inner heater 5 is a metallized layer made of W, Mo, Pt, or the like, and is a spiral heater positioned below the adsorption electrode 4. As shown in FIG. 2, when viewed from above (from the thickness direction of the ceramic substrate 3), the center of the inner heater 5 coincides with the center of the ceramic substrate 3, and the inner heater 5 extends to the middle circumference of the ceramic substrate 3. ing. The inner peripheral end 5a of the inner heater 5 is located on the conductive layer X1, and the outer peripheral end 5b is located on the conductive layer X2.

アウターヒーター７は被処理物を加熱するためのヒーターである。アウターヒーター７は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層であり、インナーヒーター５と同一平面上、且つインナーヒーター５よりも外側に位置する渦巻状のヒーターである。図２に示すように、上方から見たとき、アウターヒーター７の中心はセラミック基板３の中心と一致し、アウターヒーター７は、インナーヒーター５の最外周と、セラミック基板３の外周端との間に広がっている。アウターヒーター７の内周側の端部７ａは、導電層Ｘ３上に位置し、外周側の端部７ｂは、導電層Ｘ４上に位置する。 The outer heater 7 is a heater for heating the object to be processed. The outer heater 7 is a metallized layer made of W, Mo, Pt or the like, and is a spiral heater located on the same plane as the inner heater 5 and outside the inner heater 5. As shown in FIG. 2, when viewed from above, the center of the outer heater 7 coincides with the center of the ceramic substrate 3, and the outer heater 7 is located between the outermost periphery of the inner heater 5 and the outer peripheral end of the ceramic substrate 3. Has spread. An inner peripheral end 7a of the outer heater 7 is located on the conductive layer X3, and an outer peripheral end 7b is located on the conductive layer X4.

導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、それぞれ、インナーヒーター５及びアウターヒーター７よりも下側において、それらのヒーターに隣接する、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層である。導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、それぞれ、円を４等分した形状を有し、上方から見たとき、図２のように配置されている。 The conductive layers X1, X2, X3, and X4 are metallization layers made of W, Mo, Pt, and the like that are adjacent to the heaters below the inner heater 5 and the outer heater 7, respectively. The conductive layers X1, X2, X3, and X4 each have a shape obtained by dividing a circle into four equal parts, and are arranged as shown in FIG. 2 when viewed from above.

導電層Ｘ１と端部５ａとは、図１、図３に示すように、スルービアαにより接続されている。スルービアαは、セラミック基板３を構成するセラミックの層に形成した貫通孔に、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等を主成分とするメタライズを充填したものである。後述するスルービアβ、γ、δも同様である。 As shown in FIGS. 1 and 3, the conductive layer X1 and the end 5a are connected by a through via α. The through via α is obtained by filling a through hole formed in a ceramic layer constituting the ceramic substrate 3 with metallization mainly composed of W, Mo, Pt or the like. The same applies to through vias β, γ, and δ described later.

また、導電層Ｘ２と端部５ｂとの間、導電層Ｘ３と端部７ａとの間、導電層Ｘ４と端部７ｂとの間も、同様に、スルービアαにより接続されている。なお、以下では、スルービアαを区別するために、導電層Ｘｉに接続されているスルービアαを、スルービアαｉと呼ぶこともある（ｉ＝１〜４）。 Similarly, the conductive layer X2 and the end portion 5b, the conductive layer X3 and the end portion 7a, and the conductive layer X4 and the end portion 7b are also connected by through vias α. Hereinafter, in order to distinguish the through via α, the through via α connected to the conductive layer Xi may be referred to as a through via αi (i = 1 to 4).

導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、それぞれ、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４よりも下側において、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４に隣接する、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層である。導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、それぞれ、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４と同一の形状を有し、上方から見たとき、図２のように配置されている。ここで、導電層Ｙ１は導電層Ｘ１の下側に位置し、導電層Ｙ２は導電層Ｘ２の下側に位置し、導電層Ｙ３は導電層Ｘ３の下側に位置し、導電層Ｙ４は導電層Ｘ４の下側に位置する。 The conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 are respectively metallized of W, Mo, Pt, etc. adjacent to the conductive layers X1, X2, X3, and X4 below the conductive layers X1, X2, X3, and X4. Is a layer. The conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 have the same shape as the conductive layers X1, X2, X3, and X4, respectively, and are arranged as shown in FIG. 2 when viewed from above. Here, the conductive layer Y1 is located below the conductive layer X1, the conductive layer Y2 is located below the conductive layer X2, the conductive layer Y3 is located below the conductive layer X3, and the conductive layer Y4 is conductive. Located below layer X4.

導電層Ｘ１と導電層Ｙ１とは、図１、及び図３に示すように、スルービアβ、γにより接続されている。
また、導電層Ｘ２と導電層Ｙ２との間、導電層Ｘ３と導電層Ｙ３との間、及び導電層Ｘ４と導電層Ｙ４との間も、同様に、スルービアβ、γにより接続されている。なお、以下では、スルービアβ、γを区別するために、導電層Ｘｉと導電層Ｙｉとの間を接続するスルービアβ、γを、スルービアβｉ、γｉと呼ぶこともある（ｉ＝１〜４）。 As shown in FIGS. 1 and 3, the conductive layer X1 and the conductive layer Y1 are connected by through vias β and γ.
Similarly, the conductive layers X2 and Y2, the conductive layers X3 and Y3, and the conductive layers X4 and Y4 are also connected by through vias β and γ. Hereinafter, in order to distinguish the through vias β and γ, the through vias β and γ connecting the conductive layer Xi and the conductive layer Yi may be referred to as through vias βi and γi (i = 1 to 4). .

端子９は、セラミック基板３における裏面３ｂ側の一端に設けられた、導電性の材料から成る棒状の端子である。端子９は、上述したように、給電経路１９により、吸着電極４に電気的に接続している。給電経路１９は、導電層とスルービアとにより構成される周知の構造の給電経路である。 The terminal 9 is a rod-shaped terminal made of a conductive material provided at one end of the ceramic substrate 3 on the back surface 3b side. As described above, the terminal 9 is electrically connected to the adsorption electrode 4 through the power feeding path 19. The power feeding path 19 is a power feeding path having a known structure constituted by a conductive layer and a through via.

端子１１、１３、１５、１７は、セラミック基板３における裏面３ｂ側の一端に設けられた、導電性の材料から成る棒状の端子であり、上方から見たとき、図２に示す配置となるように、端子９の周囲に設けられている。 The terminals 11, 13, 15, and 17 are rod-shaped terminals made of a conductive material provided at one end on the back surface 3b side of the ceramic substrate 3, and are arranged as shown in FIG. 2 when viewed from above. Are provided around the terminal 9.

端子１１は、図３に示すように、スルービアδにより導電層Ｙ１と接続している。同様に、端子１３、１５、１７も、スルービアδにより、それぞれ、導電層Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と接続している。なお、以下では、スルービアδを区別するために、導電層Ｙｉと接続しているスルービアδを、スルービアδｉと呼ぶこともある（ｉ＝１〜４）
上記の構成を有する静電チャック１においては、インナーヒーター５に関し、端子１１→スルービアδ１→導電層Ｙ１→スルービアβ１、γ１→導電層Ｘ１→スルービアα１→インナーヒーター５→スルービアα２→導電層Ｘ２→スルービアβ２、γ２→導電層Ｙ２→スルービアδ２→端子１３という電流の経路が形成されている。 As shown in FIG. 3, the terminal 11 is connected to the conductive layer Y1 by a through via δ. Similarly, the terminals 13, 15, and 17 are connected to the conductive layers Y2, Y3, and Y4 through through vias δ, respectively. Hereinafter, in order to distinguish through via δ, through via δ connected to conductive layer Yi may be referred to as through via δi (i = 1 to 4).
In the electrostatic chuck 1 having the above configuration, the terminal 11 → through via δ1 → conductive layer Y1 → through via β1, γ1 → conductive layer X1 → through via α1 → inner heater 5 → through via α2 → conductive layer X2 → with respect to the inner heater 5. Current paths of through vias β 2 and γ 2 → conductive layer Y 2 → through via δ 2 → terminal 13 are formed.

また、アウターヒーター７に関し、端子１５→スルービアδ３→導電層Ｙ３→スルービアβ３、γ３→導電層Ｘ３→スルービアα３→アウターヒーター７→スルービアα４→導電層Ｘ４→スルービアβ４、γ４→導電層Ｙ４→スルービアδ４→端子１７という電流の経路が形成されている。 Further, regarding the outer heater 7, the terminal 15 → through via δ3 → conductive layer Y3 → through via β3, γ3 → conductive layer X3 → through via α3 → outer heater 7 → through via α4 → conductive layer X4 → through via β4, γ4 → conductive layer Y4 → through via. A current path of δ4 → terminal 17 is formed.

なお、上記の「端子１１→スルービアδ１→導電層Ｙ１→スルービアβ１、γ１→導電層Ｘ１→スルービアα１→インナーヒーター５」と、「インナーヒーター５→スルービアα２→導電層Ｘ２→スルービアβ２、γ２→導電層Ｙ２→スルービアδ２→端子１３」と、「端子１５→スルービアδ３→導電層Ｙ３→スルービアβ３、γ３→導電層Ｘ３→スルービアα３→アウターヒーター７」と、「アウターヒーター７→スルービアα４→導電層Ｘ４→スルービアβ４、γ４→導電層Ｙ４→スルービアδ４→端子１７」とは、それぞれ、給電経路の一実施形態である。 Note that “terminal 11 → through via δ1 → conductive layer Y1 → through via β1, γ1 → conductive layer X1 → through via α1 → inner heater 5” and “inner heater 5 → through via α2 → conductive layer X2 → through via β2, γ2 → “Conductive layer Y2 → through via δ2 → terminal 13”, “terminal 15 → through via δ3 → conductive layer Y3 → through via β3, γ3 → conductive layer X3 → through via α3 → outer heater 7”, “outer heater 7 → through via α4 → conductive” “Layer X4 → through via β4, γ4 → conductive layer Y4 → through via δ4 → terminal 17” is an embodiment of the power supply path.

各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、図４に示すものとなる。図４は、セラミック基板３の厚み方向に直交する面（例えば、導電層Ｘ１、Ｙ１の面）上に、スルービアα、β、γ、δの位置を投影した図である。 When the through vias α, β, γ, and δ constituting each power supply path are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3, the positional relationship of the through vias α, β, γ, and δ is as shown in FIG. FIG. 4 is a diagram in which the positions of the through vias α, β, γ, and δ are projected on a surface (for example, the surfaces of the conductive layers X1 and Y1) orthogonal to the thickness direction of the ceramic substrate 3.

スルービアδはスルービアβの近傍にある。ここで、スルービアδがスルービアβの近傍にあるとは、上記の直交する面において、スルービアδからスルービアβまでの距離Ｄが、スルービアδの最大径ｒ_ｍａｘの２０倍以内であることを意味する。距離Ｄは、スルービアβの最外周部から、スルービアδの最外周部までの最短距離である。 The through via δ is in the vicinity of the through via β. Here, the fact that the through via δ is in the vicinity of the through via β means that the distance D from the through via δ to the through via β is within 20 times the maximum diameter r _max of the through via δ in the orthogonal plane. . The distance D is the shortest distance from the outermost peripheral portion of the through via β to the outermost peripheral portion of the through via δ.

スルービアδが複数ある場合、少なくとも１つのスルービアδがスルービアβの近傍にあればよく、他のスルービアδは、いずれのスルービアβの近傍になくてもよい。また、スルービアβが複数ある場合、スルービアδは、少なくとも１つのスルービアβの近傍にあればよく、他のスルービアβの近傍になくてもよい。 When there are a plurality of through vias δ, it is sufficient that at least one through via δ is in the vicinity of the through via β, and other through vias δ may not be in the vicinity of any through via β. When there are a plurality of through vias β, the through via δ may be in the vicinity of at least one through via β, and may not be in the vicinity of other through vias β.

また、図４に示すように、スルービアγは、スルービアαとスルービアδとの間の位置である。スルービアγは、スルービアαとスルービアδとを結ぶ直線Ｌ上にあってもよいし、その直線Ｌから外れた位置にあってもよい。 Further, as shown in FIG. 4, the through via γ is a position between the through via α and the through via δ. The through via γ may be on a straight line L connecting the through via α and the through via δ, or may be at a position off the straight line L.

よって、各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、以下の条件（１）、（２）を充足する。 Therefore, when the through vias α, β, γ, and δ constituting each power supply path are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3, the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ is as follows: ).

条件（１）：セラミック基板３を表面３ａ側から裏面３ｂ側に向って見たとき、スルービアδは、スルービアβと重なる位置又はその近傍にある。
条件（２）：セラミック基板３を表面３ａ側から裏面３ｂ側に向って見たとき、スルービアγの位置は、スルービアαとスルービアδとの間の位置、又はスルービアαと重なる位置若しくはその近傍にある。 Condition (1): When the ceramic substrate 3 is viewed from the front surface 3a side toward the back surface 3b side, the through via δ is at or near the position where the through via β overlaps.
Condition (2): When the ceramic substrate 3 is viewed from the front surface 3a side to the back surface 3b side, the position of the through via γ is a position between the through via α and the through via δ, a position overlapping the through via α, or the vicinity thereof. is there.

２．静電チャック１の製造方法
静電チャック１は、以下の(i)〜(viii)の手順により製造することができる。
(i)セラミック、焼結助剤、有機バインダ等を原料とした周知の組成のグリーンシート（セラミックの層）を作成する。 2. Manufacturing Method of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 can be manufactured by the following procedures (i) to (viii).
(i) A green sheet (ceramic layer) having a known composition using ceramics, sintering aids, organic binders and the like as raw materials is prepared.

(ii)グリーンシートを所望のサイズに切断する。
(iii)グリーンシートにおいて、後にスルービアを形成する部分に貫通孔を穿孔する。
(iv)貫通孔に、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等を主成分とするメタライズを充填し、スルービアを形成する。 (ii) The green sheet is cut into a desired size.
(iii) A through hole is drilled in a portion where a through via is to be formed later in the green sheet.
(iv) The through hole is filled with metallization mainly composed of W, Mo, Pt or the like to form a through via.

(v)グリーンシートに、スクリーン印刷の手法を用いてＷ、Ｍｏ、Ｐｔ等を主成分とするメタライズを塗布し、吸着電極４、インナーヒーター５、アウターヒーター７、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４等を形成する。 (v) Applying metallization mainly composed of W, Mo, Pt, etc. to the green sheet using a screen printing method, and then adsorbing electrode 4, inner heater 5, outer heater 7, conductive layers X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, Y4, etc. are formed.

(vi) グリーンシートにおいて、ドリル加工により、端子９、１１、１３、１５、１７を取り付ける孔等を形成する。また、グリーンシートの外径を静電チャック１の形状に応じて整える。 (vi) In the green sheet, holes or the like for attaching the terminals 9, 11, 13, 15, 17 are formed by drilling. Further, the outer diameter of the green sheet is adjusted according to the shape of the electrostatic chuck 1.

(vii)セラミックグリーンシート同士を積層圧着し、セラミック基板３を作製する。
(viii)得られた積層体を脱脂・焼成し、端子９、１１、１３、１５、１７を取り付けて、静電チャック１を完成する。 (vii) The ceramic green sheets are laminated and pressure-bonded to produce the ceramic substrate 3.
(viii) The obtained laminate is degreased and fired, and the terminals 9, 11, 13, 15, and 17 are attached to complete the electrostatic chuck 1.

３．静電チャック１の作用効果
（１Ａ）静電チャック１において、スルービアβ、δの位置関係が、前記条件（１）を充足する。そのため、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４におけるスルービアδからスルービアβまでの部分の抵抗が低くなる。そのことにより、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４における発熱を抑制できる。 3. Effects of the electrostatic chuck 1 (1A) In the electrostatic chuck 1, the positional relationship between the through vias β and δ satisfies the condition (1). Therefore, the resistance of the portions from the through via δ to the through via β in the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 is reduced. As a result, heat generation in the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 can be suppressed.

（１Ｂ）静電チャック１において、給電経路には、スルービアβを通る経路と、スルービアγを通る経路とが並列に設けられている。そして、スルービアα、γ、δの位置関係が、前記条件（２）を充足するので、スルービアβを通る経路だけでなく、スルービアγを通る経路にも電流が十分に流れる。その結果、スルービアβを通る経路を流れる電流を抑制し、その経路の発熱を抑制することができる。 (1B) In the electrostatic chuck 1, a path passing through the through via β and a path passing through the through via γ are provided in parallel in the power feeding path. Since the positional relationship between the through vias α, γ, and δ satisfies the condition (2), not only the path passing through the through via β but also the current flowing sufficiently through the path passing through the through via γ. As a result, the current flowing through the path passing through the through via β can be suppressed, and heat generation in the path can be suppressed.

４．スルービアα、β、γ、δの位置関係の確認方法
静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係は、以下のようにして確認することができる。 4). Method for Confirming Positional Relationship between Through Vias α, β, γ, and δ The positional relationship between through vias α, β, γ, and δ in the electrostatic chuck 1 can be confirmed as follows.

(i)まず、透過Ｘ線を用いて、スルービアα、β、γ、δのおおよその位置を特定する。
(ii)次に、静電チャック１を、表面３ａ側から研磨する。１回あたりの研磨の深さは、スルービアα、β、γ、δの軸方向の長さよりも十分に小さい値とする。 (i) First, the approximate positions of the through vias α, β, γ, and δ are specified using transmitted X-rays.
(ii) Next, the electrostatic chuck 1 is polished from the surface 3a side. The polishing depth per time is set to a value sufficiently smaller than the axial lengths of the through vias α, β, γ, and δ.

(iii)研磨後の表面のうち、前記(i)で特定した位置の周囲を観察し、スルービアα、β、γ、δを探す。
以降、前記(ii)と(iii)とを交互に繰り返し、スルービアα、β、γ、δの詳細な位置関係を特定する。後述する第２〜第１１の実施形態でも、同様に、スルービアα、β、γ、δの位置関係を特定することができる。
＜第２の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 (iii) Among the polished surfaces, the periphery of the position specified in (i) above is observed to search through vias α, β, γ, and δ.
Thereafter, (ii) and (iii) are repeated alternately to specify the detailed positional relationship of the through vias α, β, γ, and δ. Similarly, in the second to eleventh embodiments to be described later, the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ can be specified.
<Second Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of this embodiment is basically the same as that of the first embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図５に示すように、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアδは、スルービアβと重なる位置にある。本実施形態においても、各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。 As shown in FIG. 5, when the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction, the through via δ is in a position overlapping the through via β. Also in the present embodiment, the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ configuring each power supply path satisfies the above conditions (1) and (2).

２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）に加え、さらに以下の効果を奏する。 2. Action Effect of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of this embodiment has the following effects in addition to the effects (1A) and (1B) of the first embodiment.

（２Ａ）静電チャック１において、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアδは、スルービアβと重なる位置にある。そのため、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４におけるスルービアδからスルービアβまでの部分の抵抗が一層低くなる。そのことにより、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４における発熱を一層抑制できる。
＜第３の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 (2A) In the electrostatic chuck 1, when the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction, the through via δ is in a position overlapping the through via β. Therefore, the resistance of the portions from the through via δ to the through via β in the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 is further reduced. Thereby, the heat generation in the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 can be further suppressed.
<Third Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of the present embodiment is basically the same as that of the second embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図６に示すように、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアγは、スルービアαと重なる位置にある。本実施形態においても、各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。 As shown in FIG. 6, when the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction, the through via γ is in a position overlapping the through via α. Also in the present embodiment, the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ configuring each power supply path satisfies the above conditions (1) and (2).

２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第４の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 2. Effects of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of the present embodiment has the same effects as the effects (1A), (1B), and (2A) of the second embodiment.
<Fourth Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of the present embodiment is basically the same as that of the second embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図７に示すように、静電チャック１は複数のスルービアγを有する。複数のスルービアγのうち、いずれを選択しても、その選択したスルービアγと、スルービアα、β、δとの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。 As shown in FIG. 7, the electrostatic chuck 1 has a plurality of through vias γ. Whichever of the plurality of through vias γ is selected, the positional relationship between the selected through via γ and the through vias α, β, and δ satisfies the above conditions (1) and (2).

２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）に加え、さらに以下の効果を奏する。 2. Effects of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of the present embodiment has the following effects in addition to the effects (1A), (1B), and (2A) of the second embodiment.

（４Ａ）静電チャック１は、前記条件（１）、（２）を充足するスルービアγを複数備える。そのため、給電経路に流れる電流を一層分散し、発熱を一層抑制することができる。
＜第５の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 (4A) The electrostatic chuck 1 includes a plurality of through vias γ that satisfy the conditions (1) and (2). Therefore, it is possible to further disperse the current flowing through the power feeding path and further suppress heat generation.
<Fifth Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of the present embodiment is basically the same as that of the second embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

静電チャック１は、２つのインナーヒーター５を並列に備えており、図８に示すように、一方のインナーヒーター５の端部５ａＩ、及び他方のインナーヒーター５の端部５ａＯは、それぞれ、スルービアαにより、導電層Ｘ１に接続している。以下では、端部５ａＩに接続しているスルービアαを、スルービアαＩとし、端部５ａＯに接続しているスルービアαを、スルービアαＯとする。 The electrostatic chuck 1 is provided with two inner heaters 5 in parallel. As shown in FIG. 8, the end 5aI of one inner heater 5 and the end 5aO of the other inner heater 5 are respectively through vias. α is connected to the conductive layer X1. Hereinafter, the through via α connected to the end portion 5aI is referred to as a through via αI, and the through via α connected to the end portion 5aO is referred to as a through via αO.

セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアαＩ、β、γ、δの位置関係は、前記第２の実施形態におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係と同様である。また、スルービアαＯ、β、γ、δの位置関係も、前記第２の実施形態におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係と同様である。 When the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction, the positional relationship between the through vias αI, β, γ, and δ is the same as the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ in the second embodiment. The positional relationship between the through vias αO, β, γ, and δ is the same as the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ in the second embodiment.

よって、スルービアαＩ、β、γ、δの組み合わせ、及びスルービアαＯ、β、γ、δの組み合わせは、それぞれ、前記条件（１）、（２）を充足する。
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第６の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第５の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 Therefore, the combination of through vias αI, β, γ, and δ and the combination of through vias αO, β, γ, and δ satisfy the conditions (1) and (2), respectively.
2. Effects of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of the present embodiment has the same effects as the effects (1A), (1B), and (2A) of the second embodiment.
<Sixth Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of the present embodiment is basically the same as that of the fifth embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図９に示すように、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアγの位置は、スルービアαＩとスルービアδとの間にはない。すなわち、スルービアαＩ、β、γ、δの組み合わせは、前記条件（２）を充足しない。 As shown in FIG. 9, when the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction, the position of the through via γ is not between the through via αI and the through via δ. That is, the combination of through vias αI, β, γ, and δ does not satisfy the condition (2).

一方、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアαＯ、β、γ、δの位置関係は、前記第２の実施形態におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係と同様である。よって、スルービアαＯ、β、γ、δの組み合わせは、前記条件（１）、（２）を充足する。 On the other hand, when the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction, the positional relationship between the through vias αO, β, γ, and δ is the same as the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ in the second embodiment. Therefore, the combination of through vias αO, β, γ, and δ satisfies the above conditions (1) and (2).

２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第７の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 2. Effects of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of the present embodiment has the same effects as the effects (1A), (1B), and (2A) of the second embodiment.
<Seventh Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of the present embodiment is basically the same as that of the second embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図１０に示すように、導電層Ｘ１は、スルービアβと接続する接続部２１と、スルービアγと接続する接続部２３とを含み、周囲より膜厚が大きい領域２５を有する。領域２５は、導電層Ｘ１上で、接続部２１から接続部２３まで連続している。すなわち、領域２５は、スルービアβと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域である。 As shown in FIG. 10, the conductive layer X <b> 1 includes a connection portion 21 connected to the through via β and a connection portion 23 connected to the through via γ, and has a region 25 having a larger film thickness than the surroundings. The region 25 is continuous from the connection portion 21 to the connection portion 23 on the conductive layer X1. That is, the region 25 is a region connected to the through via β and has a larger film thickness than the surroundings.

また、導電層Ｙ１は、スルービアδと接続する接続部２７と、スルービアγと接続する接続部２９とを含み、周囲より膜厚が大きい領域３１を有する。領域３１は、導電層Ｙ１上で、接続部２７から接続部２９まで連続している。すなわち、領域３１は、スルービアδと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域である。 In addition, the conductive layer Y1 includes a connection portion 27 connected to the through via δ and a connection portion 29 connected to the through via γ, and has a region 31 having a larger film thickness than the surroundings. The region 31 is continuous from the connection portion 27 to the connection portion 29 on the conductive layer Y1. That is, the region 31 is a region that is connected to the through via δ and has a larger film thickness than the surroundings.

セラミック基板３を厚み方向から見たときの領域２５、３１の形状は適宜設定でき、例えば、帯形、円形、楕円形、矩形、台形、三角形等とすることができる。導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４も、導電層Ｘ１と同様の構成を有する。 The shapes of the regions 25 and 31 when the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction can be set as appropriate. The conductive layers X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, and Y4 have the same configuration as that of the conductive layer X1.

領域２５は以下のように形成できる。セラミック基板３を形成するとき、導電層Ｘ１の下となるグリーンシートの上面に、導電層Ｘ１の全領域に対応するメタライズを塗布する。また、導電層Ｘ１の上側となるグリーンシートの下面に、導電層Ｘ１の領域２５に対応するメタライズを塗布する。導電層Ｘ１の下側となるグリーンシートと、導電層Ｘ１の上側となるグリーンシートとを重ねあわせることで、領域２５における膜厚が周囲より厚くなった導電層Ｘ１が形成される。また、領域３１も同様に形成することができる。 The region 25 can be formed as follows. When the ceramic substrate 3 is formed, metallization corresponding to the entire region of the conductive layer X1 is applied to the upper surface of the green sheet under the conductive layer X1. Further, metallization corresponding to the region 25 of the conductive layer X1 is applied to the lower surface of the green sheet on the upper side of the conductive layer X1. By superimposing the green sheet on the lower side of the conductive layer X1 and the green sheet on the upper side of the conductive layer X1, the conductive layer X1 in which the film thickness in the region 25 is thicker than the surroundings is formed. Further, the region 31 can be formed in the same manner.

なお、領域２５は、図１０に示すように、導電層Ｘ１の上面が周囲よりも一段***したものであってもよいし、導電層Ｘ１の下面が周囲よりも一段***したものであってもよいし、導電層Ｘ１の上面及び下面の両方において、周囲よりも一段***したものであってもよい。領域３１についても同様である。 As shown in FIG. 10, the region 25 may be one in which the upper surface of the conductive layer X1 is raised by one step from the surroundings, or the lower surface of the conductive layer X1 may be raised by one step from the surroundings. Alternatively, both the upper surface and the lower surface of the conductive layer X1 may be one step higher than the surroundings. The same applies to the region 31.

（７Ａ）導電層Ｘ１は、スルービアβと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域２５を有する。そのため、スルービアβから導電層Ｘ１に導入された電流による発熱を一層抑制することができる。 (7A) The conductive layer X1 is a region that is connected to the through via β and has a region 25 that is thicker than its surroundings. Therefore, heat generation due to the current introduced from the through via β into the conductive layer X1 can be further suppressed.

また、導電層Ｙ１は、スルービアδと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域３１を有する。そのため、スルービアδから導電層Ｙ１に導入された電流による発熱を一層抑制することができる。 The conductive layer Y1 has a region 31 which is a region connected to the through via δ and has a film thickness larger than the surroundings. Therefore, heat generation due to the current introduced from the through via δ into the conductive layer Y1 can be further suppressed.

（７Ｂ）領域２５は、スルービアγとの接続部２３まで連続している。そのため、導電層Ｘ１の発熱を抑制する効果が一層顕著である。また、領域３１は、スルービアγとの接続部２９まで連続している。そのため、導電層Ｙ１の発熱を抑制する効果が一層顕著である。
＜第８の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第７の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 (7B) The region 25 continues to the connection portion 23 with the through via γ. Therefore, the effect of suppressing the heat generation of the conductive layer X1 is more remarkable. The region 31 continues to the connection portion 29 with the through via γ. Therefore, the effect of suppressing the heat generation of the conductive layer Y1 is more remarkable.
<Eighth Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of this embodiment is basically the same as that of the seventh embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図１１に示すように、導電層Ｘ１における領域２５は、スルービアβとの接続部２１を含むが、スルービアγまでは至らない。また、導電層Ｙ１における領域３１は、スルービアδとの接続部２７を含むが、スルービアγまでは至らない。導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４も、導電層Ｘ１と同様の構成を有する。 As shown in FIG. 11, the region 25 in the conductive layer X1 includes the connection portion 21 with the through via β, but does not reach the through via γ. Further, the region 31 in the conductive layer Y1 includes the connecting portion 27 with the through via δ, but does not reach the through via γ. The conductive layers X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, and Y4 have the same configuration as that of the conductive layer X1.

２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第７の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）、（７Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第９の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 2. Effects of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of the present embodiment has the same effects as the effects (1A), (1B), (2A), and (7A) of the seventh embodiment.
<Ninth Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of this embodiment is basically the same as that of the first embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図１２に示すように、端部５ａと導電層Ｘ１とを接続するスルービアαが複数存在する。また、導電層Ｘ１と導電層Ｙ１とを接続するスルービアβ、γもそれぞれ複数存在する。また、導電層Ｙ１と端子１１とを接続するスルービアδも複数存在する。 As shown in FIG. 12, there are a plurality of through vias α connecting the end 5a and the conductive layer X1. There are also a plurality of through vias β and γ connecting the conductive layer X1 and the conductive layer Y1. There are also a plurality of through vias δ connecting the conductive layer Y1 and the terminal 11.

スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、図１３に示すものとなる。
複数のスルービアδのうち、少なくとも１つは、一部又は全部のスルービアβの近傍にある。よって、スルービアβ、δは、前記条件（１）を充足する。また、複数のスルービアα、γ、δから選択された少なくとも一組のスルービアα、γ、δは、前記条件（２）を充足する。 When the through vias α, β, γ, and δ are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3, the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ is as shown in FIG.
At least one of the plurality of through vias δ is in the vicinity of some or all of the through vias β. Therefore, the through vias β and δ satisfy the condition (1). In addition, at least one set of through vias α, γ, and δ selected from a plurality of through vias α, γ, and δ satisfy the condition (2).

２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、に加え、さらに以下の効果を奏する。 2. Effects of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of the present embodiment has the following effects in addition to the effects (1A) and (1B) of the first embodiment.

（９Ａ）静電チャック１はスルービアα、β、γ、δをそれぞれ複数有するので、電流の経路を一層分散し、導電層Ｘ１、Ｙ１での発熱を一層抑制できる。
＜第１０の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 (9A) Since the electrostatic chuck 1 has a plurality of through vias α, β, γ, and δ, the current paths are further dispersed, and the heat generation in the conductive layers X1 and Y1 can be further suppressed.
<Tenth Embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of this embodiment is basically the same as that of the first embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、図１４に示すものとなる。図１４は、セラミック基板３の厚み方向に直交する面（例えば、導電層Ｘ１、Ｙ１の面）上に、スルービアα、β、γ、δの位置を投影した図である。 When the through vias α, β, γ, and δ are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3, the positional relationship between the through vias α, β, γ, and δ is as shown in FIG. FIG. 14 is a diagram in which the positions of the through vias α, β, γ, and δ are projected on a surface orthogonal to the thickness direction of the ceramic substrate 3 (for example, the surfaces of the conductive layers X1 and Y1).

図１４において、スルービアγは、スルービアα及びスルービアδを通る直線Ｌ上にはないが、スルービアγの直線Ｌの方向での位置は、スルービアαとスルービアδとの間の位置である。 In FIG. 14, the through via γ is not on the straight line L passing through the through via α and the through via δ, but the position of the through via γ in the direction of the straight line L is a position between the through via α and the through via δ.

また、スルービアαからスルービアγを経由してスルービアδに至る経路の長さＬ_１（スルービアαとスルービアγとを結ぶ線分の長さＬ１ａと、スルービアγとスルービアδとを結ぶ線分の長さＬ１ｂとの和）は、スルービアαから直接スルービアδに至る直線経路の長さＬ_２の１．３倍以内である。長さＬ_１は、長さＬ_２の１．２倍以内であることが好ましく、１．１倍内であることが一層好ましい。スルービアβ、δの位置関係は前記第１の実施形態と同様である。 The length L _{1 of the} path from the through via α through the through via γ to the through via δ (the length L1a of the line connecting the through via α and the through via γ and the length of the line connecting the through via γ and the through via δ) is the sum of the L1b) is within 1.3 times the length L ₂ of the straight path leading to the through via δ directly through vias alpha. The length _{L 1} is preferably within 1.2 times the length _{L 2,} and still more preferably within 1.1 times. The positional relationship between the through vias β and δ is the same as that in the first embodiment.

よって、スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）と同様の効果を奏する。
＜第１１の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。 Therefore, when the through vias α, β, γ, and δ are viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 3, the positional relationship of the through vias α, β, γ, and δ satisfies the above conditions (1) and (2).
2. Action Effect of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of this embodiment has the same effects as the effects (1A) and (1B) of the first embodiment.
<Eleventh embodiment>
1. Configuration of Electrostatic Chuck 1 The configuration of the electrostatic chuck 1 of this embodiment is basically the same as that of the first embodiment. Below, it demonstrates centering around difference.

図１５に示すように、スルーホールδは、端子１１側において導電層Ｙ１に隣接する導電層Ｚ１と、導電層Ｙ１とを接続する。同様に、導電層Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４においても、スルーホールδは、導電層Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４と接続する。 As shown in FIG. 15, through hole δ connects conductive layer Z1 adjacent to conductive layer Y1 on terminal 11 side, and conductive layer Y1. Similarly, in the conductive layers Y2, Y3, and Y4, the through hole δ is connected to the conductive layers Z2, Z3, and Z4.

２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）と同様の効果を奏する。 2. Action Effect of Electrostatic Chuck 1 The electrostatic chuck 1 of this embodiment has the same effects as the effects (1A) and (1B) of the first embodiment.

尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）前記第１〜第１１の実施形態において、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、インナーヒーター５及びアウターヒーター７に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４と、インナーヒーター５及びアウターヒーター７との間に、他の導電層や、スルービアαを構成する導電パッド（後述）が存在してもよい。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention.
(1) In the first to eleventh embodiments, the conductive layers X1, X2, X3, and X4 may not be conductive layers adjacent to the inner heater 5 and the outer heater 7. For example, another conductive layer or a conductive pad (described later) constituting the through via α may exist between the conductive layers X1, X2, X3, and X4 and the inner heater 5 and the outer heater 7.

また、前記第１〜第１１の実施形態において、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４との間に、他の導電層や、スルービアβ、γを構成する導電パッドが存在してもよい。 In the first to eleventh embodiments, the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 do not have to be adjacent to the conductive layers X1, X2, X3, and X4. For example, other conductive layers and conductive pads constituting through vias β and γ may exist between the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 and the conductive layers X1, X2, X3, and X4.

また、前記第１〜第１０の実施形態において、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、端子１１、１３、１５、１７に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と、端子１１、１３、１５、１７との間に、他の導電層や、スルービアδを構成する導電パッドが存在してもよい。 In the first to tenth embodiments, the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 do not have to be adjacent to the terminals 11, 13, 15, and 17. For example, another conductive layer or a conductive pad constituting the through via δ may exist between the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 and the terminals 11, 13, 15, and 17.

また、前記第１１の実施形態において、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、導電層Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と、導電層Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４との間に、他の導電層や、スルービアδを構成する導電パッドが存在してもよい。 In the eleventh embodiment, the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 do not have to be adjacent to the conductive layers Z1, Z2, Z3, and Z4. For example, another conductive layer or a conductive pad constituting the through via δ may exist between the conductive layers Y1, Y2, Y3, and Y4 and the conductive layers Z1, Z2, Z3, and Z4.

（２）前記第１〜第１１の実施形態において、スルービアαは、図１６に示すように、スルービアα_ｈと、導電パッドα_ｍと、スルービアα_Ｘとを直列に接続したものであってもよい。スルービアα_ｈは、ヒーターと導電パッドα_ｍとを接続するスルービアである。導電パッドα_ｍは導電層の１種であり、導電層Ｘ、Ｙと同様に形成できるものである。スルービアα_Ｘは、導電パッドα_ｍと導電層Ｘとを接続するスルービアである。スルービアα_ｈとスルービアα_Ｘとは、厚み方向に直交する方向における位置がずれている。 (2) In the first to eleventh embodiments, the through via α may be a through via α _h , a conductive pad α _m, and a through via α _X connected in series as shown in FIG. Good. Through via alpha _h is a through via connecting the heater and the conductive pads alpha _m. The conductive pad α _m is a kind of conductive layer and can be formed in the same manner as the conductive layers X and Y. The through via α _X is a through via that connects the conductive pad α _m and the conductive layer X. The positions of the through via α _h and the through via α _X are shifted in the direction orthogonal to the thickness direction.

同様に、スルービアβは、スルービアβ_Ｘと、導電パッドβ_ｍと、スルービアβ_Ｙとを直列に接続したものであってもよい。スルービアβ_Ｘは、導電層Ｘと導電パッドβ_ｍとを接続するスルービアである。導電パッドβ_ｍは、導電層α_ｍと同様のものである。スルービアβ_Ｙは、導電パッドβ_ｍと導電層Ｙとを接続するスルービアである。 Similarly, the through via β may be a through via β _X , a conductive pad β _m, and a through via β _Y connected in series. Through via beta _X is a through via connecting the conductive layer X and the conductive pad beta _m. The conductive pad β _m is the same as the conductive layer α _m . Through via beta _Y is a through via connecting the conductive pads beta _m and the conductive layer Y.

同様に、スルービアγは、スルービアγ_Ｘと、導電パッドγ_ｍと、スルービアγ_Ｙとを直列に接続したものであってもよい。スルービアγ_Ｘは、導電層Ｘと導電パッドγ_ｍとを接続するスルービアである。導電パッドγ_ｍは、導電層α_ｍと同様のものである。スルービアγ_Ｙは、導電パッドγ_ｍと導電層Ｙとを接続するスルービアである。 Similarly, the through via γ may be a through via γ _X , a conductive pad γ _m, and a through via γ _Y connected in series. The through via γ _X is a through via that connects the conductive layer X and the conductive pad γ _m . The conductive pad γ _m is the same as the conductive layer α _m . The through via γ _Y is a through via that connects the conductive pad γ _m and the conductive layer Y.

同様に、スルービアδは、スルービアδ_Ｙと、導電パッドδ_ｍと、スルービアδ_Ｚとを直列に接続したものであってもよい。スルービアδ_Ｙは、導電層Ｙと導電パッドδ_ｍとを接続するスルービアである。導電パッドδ_ｍは、導電層α_ｍと同様のものである。スルービアδ_Ｚは、導電パッドδ_ｍと導電層Ｚ又は端子とを接続するスルービアである。 Similarly, the through via δ may be a through via δ _Y , a conductive pad δ _m, and a through via δ _Z connected in series. Through via [delta] _Y is a through via connecting the conductive layer Y and the conductive pad [delta] _m. The conductive pad δ _m is the same as the conductive layer α _m . Through via [delta] _Z is a through via connecting the conductive layer Z or terminal conductive pads [delta] _m.

スルービアβ、δが前記のものである場合、“スルービアδはスルービアβの近傍にある。”とは、スルービアβ_Ｙとスルービアδ_Ｙとが、上述した近傍の位置関係にあることを意味する。 When the through vias β and δ are as described above, “the through via δ is in the vicinity of the through via β” means that the through via β _Y and the through via δ _Y are in the above-described positional relationship.

（３）前記第１〜第１１の実施形態において、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアγの位置は、スルービアαの近傍であってもよい。ここで、“近傍”の意味は、スルービアβ、δにおける近傍と同様の意味である。すなわち、スルービアγの位置がスルービアαの近傍であるとは、スルービアγからスルービアαまでの距離が、スルービアγの最大径の２０倍以内であることを意味する。ここで、スルービアγからスルービアαまでの距離とは、スルービアγの最外周部から、スルービアαの最外周部までの最短距離である。 (3) In the first to eleventh embodiments, when the ceramic substrate 3 is viewed from the thickness direction, the position of the through via γ may be in the vicinity of the through via α. Here, the meaning of “neighboring” is the same meaning as the neighborhood in the through vias β and δ. That is, the position of the through via γ is in the vicinity of the through via α means that the distance from the through via γ to the through via α is within 20 times the maximum diameter of the through via γ. Here, the distance from the through via γ to the through via α is the shortest distance from the outermost peripheral portion of the through via γ to the outermost peripheral portion of the through via α.

（４）第１〜第１１の実施形態における構成の一部又は全部を適宜組み合わせてもよい。
（５）第１〜第１１の実施形態と基本的に同様の構成を有するセラミックヒーターを製造してもよい。このセラミックヒーターは、第１〜１１の実施形態における静電チャック１から、吸着電極４、端子９、及び給電経路１９を除いたものとすることができる。 (4) Part or all of the configurations in the first to eleventh embodiments may be combined as appropriate.
(5) You may manufacture the ceramic heater which has the structure fundamentally the same as 1st-11th embodiment. This ceramic heater can be obtained by removing the adsorption electrode 4, the terminal 9, and the power feeding path 19 from the electrostatic chuck 1 in the first to eleventh embodiments.

（６）静電チャック１は、インナーヒーター５及びアウターヒーター７を備える代わりに、単一のヒーターを備えていてもよい。また、３以上のヒーターを備えていてもよい。 (6) The electrostatic chuck 1 may include a single heater instead of including the inner heater 5 and the outer heater 7. Three or more heaters may be provided.

１…静電チャック、３…セラミック基板、３ａ…表面、３ｂ…裏面、４…吸着電極、５…インナーヒーター、５ａ、５ａＩ、５ａＯ、５ｂ…端部、７…アウターヒーター、７ａ、７ｂ…端部、９、１１、１３、１５、１７…端子、１９…給電経路、２１、２３、２７、２９…接続部、２５、３１…領域、Ｌ…直線、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４…導電層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electrostatic chuck, 3 ... Ceramic substrate, 3a ... Front surface, 3b ... Back surface, 4 ... Adsorption electrode, 5 ... Inner heater, 5a, 5aI, 5aO, 5b ... End part, 7 ... Outer heater, 7a, 7b ... End , 9, 11, 13, 15, 17 ... terminal, 19 ... power feeding path, 21, 23, 27, 29 ... connecting portion, 25, 31 ... region, L ... straight line, X1, X2, X3, X4, Y1, Y2, Y3, Y4 ... conductive layer

Claims

表面及び裏面を有し、前記表面に被処理物を支持するセラミック基板と、
前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための電極と、
前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を加熱するためのヒーターと、
前記セラミック基板における前記裏面側の一端に取り付けられた端子と、
前記端子から前記ヒーターに給電する給電経路と、を備えた積層発熱体であって、
前記給電経路は、前記セラミック基板内に設けられた複数の導電層及び複数のスルービアを組み合わせて成るものであり、
前記複数のスルービアには、以下で定義するスルービアα、スルービアβ、スルービアγ、及びスルービアδが含まれ、
以下の条件（１）及び（２）を充足するスルービアα、スルービアβ、スルービアγ、及びスルービアδの組み合わせが少なくとも１つ存在することを特徴とする積層発熱体。
スルービアα：前記ヒーターと、前記導電層の１つである導電層Ｘとを接続するスルービア。
スルービアβ、及びスルービアγ：前記導電層の１つである導電層Ｙと、前記導電層Ｘとを接続するスルービア。
スルービアδ：前記導電層の１つである導電層Ｚ又は前記端子と、前記導電層Ｙとを接続するスルービア。
条件（１）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記スルービアδは、前記スルービアβと重なる位置又はその近傍にある。
条件（２）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記スルービアγの位置は、前記スルービアαと前記スルービアδとの間の位置、又は前記スルービアαと重なる位置若しくはその近傍にある。 A ceramic substrate having a front surface and a back surface and supporting an object to be processed on the surface;
An electrode provided on the ceramic substrate for adsorbing the workpiece;
A heater provided on the ceramic substrate for heating the workpiece;
A terminal attached to one end of the back side of the ceramic substrate;
A heating element including a power supply path for supplying power to the heater from the terminal,
The power supply path is a combination of a plurality of conductive layers and a plurality of through vias provided in the ceramic substrate.
The plurality of through vias include through via α, through via β, through via γ, and through via δ defined below,
A laminated heating element comprising at least one combination of through via α, through via β, through via γ, and through via δ satisfying the following conditions (1) and (2):
Through via α: a through via that connects the heater and the conductive layer X that is one of the conductive layers.
Through via β and through via γ: a through via that connects the conductive layer Y, which is one of the conductive layers, to the conductive layer X.
Through via δ: A through via that connects the conductive layer Z or the terminal, which is one of the conductive layers, to the conductive layer Y.
Condition (1): When the ceramic substrate is viewed from the front surface side toward the back surface side, the through via δ is at or near the position where the through via β overlaps.
Condition (2): When the ceramic substrate is viewed from the front surface side toward the back surface side, the position of the through via γ is a position between the through via α and the through via δ or a position overlapping the through via α. Or in the vicinity.

前記スルービアδの近傍とは、前記スルービアδからいずれかの前記スルービアβまでの距離が、前記スルービアδの最大径の２０倍以内の長さとなる範囲であることを特徴とする請求項１に記載の積層発熱体。 2. The vicinity of the through via δ is a range in which the distance from the through via δ to any one of the through vias β is a length within 20 times the maximum diameter of the through via δ. Laminated heating element.

前記表面側から前記裏面側に向う方向に直交する面上に、前記スルービアα、前記スルービアγ、及び前記スルービアδの位置を投影したとき、前記スルービアαから前記スルービアγを経由して前記スルービアδに至る経路の長さＬ_１は、前記スルービアαから直接前記スルービアδに至る経路の長さＬ_２の１．３倍以内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層発熱体。 When the positions of the through via α, the through via γ, and the through via δ are projected on a surface orthogonal to the direction from the front surface side to the back surface side, the through via δ from the through via α via the through via γ. 3. The laminated heating element according to claim 1, wherein a length L ₁ of a path to reach is within 1.3 times a length L ₂ of a path from the through via α directly to the through via δ. .

前記導電層Ｘは、前記スルービアβと接続される領域であって、周囲より膜厚が厚い領域を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層発熱体。 4. The stacked heating element according to claim 1, wherein the conductive layer X has a region connected to the through via β and having a thickness larger than that of the surroundings. 5.

前記導電層Ｙは、前記スルービアδと接続される領域であって、周囲より膜厚が厚い領域を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層発熱体。 5. The multilayer heating element according to claim 1, wherein the conductive layer Y has a region that is connected to the through via δ and has a thickness greater than that of the surroundings. 6.