JP6986933B2 - Board processing method and board processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. The substrate to be processed includes, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical magnetic disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and an organic EL (electroluminescence). ) A substrate for FPD (Flat Panel Display) such as a display device is included.

特許文献１には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管と、処理液配管に介装された処理液バルブとを含む。処理液バルブが開かれると、処理液配管内の処理液が処理液ノズルに供給され、処理液ノズルが閉じられると、処理液ノズルへの処理液の供給が停止される。 Patent Document 1 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one. This substrate processing device supplies a processing liquid to a spin chuck that holds and rotates the substrate horizontally, a processing liquid nozzle that discharges the processing liquid toward the upper surface of the substrate held by the spin chuck, and a processing liquid nozzle. It includes a processing liquid pipe to be used and a processing liquid valve interposed in the processing liquid pipe. When the treatment liquid valve is opened, the treatment liquid in the treatment liquid pipe is supplied to the treatment liquid nozzle, and when the treatment liquid nozzle is closed, the supply of the treatment liquid to the treatment liquid nozzle is stopped.

特開２０１２−０２６４７６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-026476

処理液バルブが開かれるとき、弁体が弁座から離れる。このとき、弁体が弁座に擦れるので、パーティクルが処理液バルブの内部に発生する。このパーティクルは、処理液と共に処理液ノズルに供給され、処理液ノズルから吐出される。そのため、処理液バルブ内に発生したパーティクルが基板に付着する場合がある。
処理液バルブが閉じられるときも同様に、パーティクルが処理液バルブの内部に発生する。処理液バルブが完全に閉じる前に発生したパーティクルは、処理液と共に処理液ノズルに供給される場合がある。また、パーティクルが、処理液バルブ内に残留し、処理液バルブが再び開かれたときに処理液と共に処理液ノズルに供給される場合がある。 When the treatment fluid valve is opened, the valve body separates from the valve seat. At this time, since the valve body rubs against the valve seat, particles are generated inside the processing liquid valve. These particles are supplied to the processing liquid nozzle together with the processing liquid and are discharged from the processing liquid nozzle. Therefore, particles generated in the processing liquid valve may adhere to the substrate.
Similarly, when the treatment liquid valve is closed, particles are generated inside the treatment liquid valve. Particles generated before the treatment liquid valve is completely closed may be supplied to the treatment liquid nozzle together with the treatment liquid. In addition, particles may remain in the treatment liquid valve and be supplied to the treatment liquid nozzle together with the treatment liquid when the treatment liquid valve is reopened.

そこで、本発明の目的の一つは、処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止を切り替えるバルブ内で発生したパーティクルが基板に供給されることを抑制または防止できる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。 Therefore, one of the objects of the present invention is a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing or preventing particles generated in a valve for switching between supply and stop of the treatment liquid to the treatment liquid nozzle from being supplied to the substrate. Is to provide.

前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びる先端流路と、を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を含む、基板処理方法である。 The invention according to claim 1 for achieving the above object is a substrate holding means for holding a substrate horizontally, a discharge port for discharging a treatment liquid for processing the substrate, and a treatment liquid toward the discharge port. A discharge valve that opens and closes between an open state for passing and a closed state for damming the processing liquid flowing toward the discharge port, and an upstream end connected to the discharge valve and a downstream end connected to the discharge port. A substrate processing method executed by a substrate processing apparatus including a tip flow path extending from the discharge valve to the discharge port, wherein the treatment liquid passes through the discharge valve by opening the discharge valve. Of the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step by closing the discharge valve and the treatment liquid inflow step in which the treatment liquid that has passed through the discharge valve flows into the tip flow path. A treatment liquid holding step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the tip flow path, and opening the discharge valve allows the treatment liquid to pass through the discharge valve. The treatment liquid that has passed through the discharge valve is held in the tip flow path in the treatment liquid holding step by flushing the treatment liquid held in the tip flow path downstream in the treatment liquid holding step. In the supply execution step of discharging only the treatment liquid to the discharge port toward the substrate horizontally held by the substrate holding means, and by closing the discharge valve, the discharge valve is disengaged in the supply execution step. It is a substrate processing method including a supply stop step of holding all of the passed treatment liquid in the tip flow path.

吐出バルブに供給される処理液は、基板処理装置に備えられたタンクから供給されるものであってもよいし、基板処理装置が据え付けられる製造工場（たとえば、半導体製造工程）から供給されるものであってもよい。
この方法によれば、処理液を基板に供給する前に吐出バルブが開かれる。これにより、吐出バルブ内で発生したパーティクルで汚染された処理液が、吐出バルブから先端流路に流入する。これに続いて、含有パーティクルが少ない清浄な処理液が、吐出バルブから先端流路に流入する。つまり、汚染された処理液が吐出バルブを最初に通過し、これに続いて、清浄な処理液が吐出バルブを通過する。 The processing liquid supplied to the discharge valve may be supplied from a tank provided in the substrate processing apparatus, or may be supplied from a manufacturing plant (for example, a semiconductor manufacturing process) in which the substrate processing apparatus is installed. May be.
According to this method, the discharge valve is opened before the treatment liquid is supplied to the substrate. As a result, the processing liquid contaminated with the particles generated in the discharge valve flows from the discharge valve into the tip flow path. Following this, a clean treatment liquid containing a small amount of particles flows from the discharge valve into the tip flow path. That is, the contaminated treatment liquid first passes through the discharge valve, followed by the clean treatment liquid through the discharge valve.

汚染された処理液は、清浄な処理液によって下流に押し流される。先端流路内を流れる処理液が先端流路の下流端に達すると、先端流路内の処理液が吐出口から吐出される。これにより、吐出バルブを開いたときに先端流路に流入した汚染された処理液が、先端流路から排出される。汚染された処理液が吐出口から吐出された後は、吐出バルブが閉じられる。これにより、清浄な処理液が先端流路内に保持され、先端流路内で静止する。 The contaminated treatment liquid is swept downstream by a clean treatment liquid. When the processing liquid flowing in the tip flow path reaches the downstream end of the tip flow path, the treatment liquid in the tip flow path is discharged from the discharge port. As a result, the contaminated treatment liquid that has flowed into the tip flow path when the discharge valve is opened is discharged from the tip flow path. After the contaminated treatment liquid is discharged from the discharge port, the discharge valve is closed. As a result, the clean treatment liquid is held in the tip flow path and stands still in the tip flow path.

その後、吐出バルブが再び開かれる。先端流路内に保持されている清浄な処理液は、新たに流入した処理液によって下流に押し流され、吐出口から基板に向けて吐出される。これにより、清浄な処理液が基板に供給される。その後、吐出バルブが閉じられ、吐出口からの処理液の吐出が停止される。それと同時に、新たに流入した処理液の全てが先端流路内に保持される。 After that, the discharge valve is opened again. The clean treatment liquid held in the tip flow path is swept downstream by the newly inflowing treatment liquid, and is discharged from the discharge port toward the substrate. As a result, a clean treatment liquid is supplied to the substrate. After that, the discharge valve is closed and the discharge of the processing liquid from the discharge port is stopped. At the same time, all of the newly inflowing treatment liquid is held in the tip flow path.

このように、綺麗な処理液が先端流路内に保持された状態で吐出バルブを開き、この処理液を基板に向けて吐出する。その後、吐出バルブを通過した全ての処理液を先端流路内に保持する。吐出バルブを通過した処理液には、汚染された処理液も含まれている。したがって、汚染された処理液が吐出口から吐出されることを回避しながら、清浄な処理液だけを吐出口から吐出させることができる。これにより、基板に供給される処理液に含まれるパーティクルが減少するので、乾燥後の基板の清浄度を高めることができる。 In this way, the discharge valve is opened with the clean processing liquid held in the tip flow path, and this processing liquid is discharged toward the substrate. After that, all the processing liquids that have passed through the discharge valve are held in the tip flow path. The treatment liquid that has passed through the discharge valve also contains a contaminated treatment liquid. Therefore, it is possible to discharge only the clean treatment liquid from the discharge port while avoiding the contaminated treatment liquid being discharged from the discharge port. As a result, the number of particles contained in the treatment liquid supplied to the substrate is reduced, so that the cleanliness of the substrate after drying can be improved.

請求項２に記載の発明は、前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに含む、請求項１に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、吐出口から吐出された処理液が付着している基板を乾燥させる。吐出口から吐出された処理液は、含有パーティクルが少ない清浄な処理液である。したがって、基板に保持されているパーティクルが少ない状態で基板を乾燥させることができる。これにより、乾燥後の基板に残留するパーティクルを減らすことができ、乾燥後の基板の清浄度を高めることができる。 The invention according to claim 2 is the substrate processing method according to claim 1, further comprising a drying step of drying the substrate to which the treatment liquid discharged from the discharge port is attached in the supply execution step. be.
According to this method, the substrate to which the processing liquid discharged from the discharge port is attached is dried. The treatment liquid discharged from the discharge port is a clean treatment liquid containing a small amount of particles. Therefore, the substrate can be dried with a small amount of particles held on the substrate. As a result, the number of particles remaining on the dried substrate can be reduced, and the cleanliness of the dried substrate can be improved.

請求項３に記載の発明は、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法である。 According to the third aspect of the present invention, among the processing liquids held in the tip flow path in the supply stop step, the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the supply execution step is supplied from the tip flow path. The substrate processing method according to claim 1 or 2, further comprising a discharge step of discharging and holding the treatment liquid other than the treatment liquid first passing through the discharge valve in the tip flow path in the supply execution step. Is.

前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液は、前記吐出バルブを介して前記先端流路に新たに流入した前記処理液であってもよいし、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の一部であってもよい。
この方法によれば、基板に向けて処理液を吐出するときに吐出バルブを最初に通過し、処理液の吐出を停止したときに先端流路内に保持された処理液が、先端流路から排出される。つまり、汚染された処理液が先端流路から排出される。したがって、先端流路内に保持されている処理液を次の基板に供給するときに、汚染された処理液が基板に向けて吐出されることを防止できる。これにより、複数枚の基板を処理するときに、各基板の清浄度を高めることができる。 The treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the supply execution step may be the treatment liquid that has newly flowed into the tip flow path via the discharge valve, or may be the supply. It may be a part of the treatment liquid held in the tip flow path in the stop step.
According to this method, the treatment liquid first passes through the discharge valve when the treatment liquid is discharged toward the substrate, and the treatment liquid held in the tip flow path when the discharge of the treatment liquid is stopped is released from the tip flow path. It is discharged. That is, the contaminated treatment liquid is discharged from the tip flow path. Therefore, when the treatment liquid held in the tip flow path is supplied to the next substrate, it is possible to prevent the contaminated treatment liquid from being discharged toward the substrate. As a result, when processing a plurality of substrates, the cleanliness of each substrate can be improved.

請求項４に記載の発明は、前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに含む、請求項３に記載の基板処理方法である。 The invention according to claim 4 is a stay time determination step for determining whether or not the stay time representing the time during which the same treatment liquid is held in the tip flow path exceeds a predetermined time after the discharge step. When it is determined in the stay time determination step that the stay time exceeds the predetermined time, the treatment is performed by opening the discharge valve while the treatment liquid is held in the tip flow path. The treatment liquid that has passed through the discharge valve and is other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that have passed through the discharge valve, and is held in the tip flow path. The substrate processing method according to claim 3, further comprising a processing liquid replacement step of replacing all of the liquid.

先端流路内に保持されている処理液（古い処理液）は、吐出口を通じて先端流路の外に排出されてもよいし、後述する分岐流路に排出されてもよい。もしくは、古い処理液の一部が吐出口を通じて先端流路の外に排出され、古い処理液の残りが分岐流路に排出されてもよい。
この方法によれば、同じ処理液が先端流路内に長時間保持された場合、吐出バルブが開かれ、新たな処理液が先端流路内に供給される。これにより、古い処理液が新しい処理液によって下流に押され、先端流路から排出される。その後、吐出バルブを最初に通過した処理液以外の処理液、つまり、綺麗な処理液が先端流路内に保持される。 The treatment liquid (old treatment liquid) held in the tip flow path may be discharged to the outside of the tip flow path through the discharge port, or may be discharged to a branch flow path described later. Alternatively, a part of the old treatment liquid may be discharged to the outside of the tip flow path through the discharge port, and the rest of the old treatment liquid may be discharged to the branch flow path.
According to this method, when the same processing liquid is held in the tip flow path for a long time, the discharge valve is opened and a new treatment liquid is supplied into the tip flow path. As a result, the old treatment liquid is pushed downstream by the new treatment liquid and discharged from the tip flow path. After that, a treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve, that is, a clean treatment liquid is held in the tip flow path.

処理液の性質は、時間の経過に伴って変化する場合がある。先端流路内に滞在している時間が短ければ無視できる程度の変化しか発生しないが、先端流路内に滞在している時間が長いと、処理の結果に影響を及ぼし得る性質の変化が発生するかもしれない。したがって、古い処理液を新しい綺麗な処理液で置換することにより、複数枚の基板における品質のばらつきを抑えることができる。 The properties of the treatment liquid may change over time. If the time spent in the tip flow path is short, only negligible changes occur, but if the time spent in the tip flow path is long, changes in properties that can affect the processing results occur. May do. Therefore, by replacing the old treatment liquid with a new clean treatment liquid, it is possible to suppress the variation in quality in a plurality of substrates.

請求項５に記載の発明は、前記排出工程は、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項３または４に記載の基板処理方法である。 According to the fifth aspect of the present invention, in the discharge step, the discharge valve is opened to allow the treatment liquid to pass through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is used in the supply stop step. A discharge execution step of discharging all of the treatment liquid held in the tip flow path to the discharge port in the supply stop step by pushing the treatment liquid held in the tip flow path downstream. By closing the discharge valve, the discharge stop for holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the discharge execution step in the tip flow path. The substrate processing method according to claim 3 or 4, which comprises a step.

この方法によれば、先端流路内に保持されている処理液を排出するために、基板への処理液の供給が停止された後に、吐出バルブが開かれ、新たな処理液が先端流路に供給される。基板への処理液の供給を停止したときに先端流路内に保持された全ての処理液は、新たな処理液によって下流に押し流され、吐出口から吐出される。これにより、基板への処理液の供給を停止したときに先端流路内に保持された汚染された処理液を先端流路から排出することができる。 According to this method, in order to discharge the treatment liquid held in the tip flow path, the discharge valve is opened after the supply of the treatment liquid to the substrate is stopped, and a new treatment liquid is discharged to the tip flow path. Is supplied to. When the supply of the treatment liquid to the substrate is stopped, all the treatment liquid held in the tip flow path is swept downstream by the new treatment liquid and discharged from the discharge port. As a result, the contaminated treatment liquid held in the tip flow path can be discharged from the tip flow path when the supply of the treatment liquid to the substrate is stopped.

さらに、吐出バルブを開いたときに先端流路に流入した汚染された処理液も、吐出口から吐出される。その後、吐出バルブが閉じられ、綺麗な処理液が先端流路内に保持される。したがって、次の基板に綺麗な処理液を供給することができる。さらに、先端流路の各部に処理液が保持されるので、先端流路の一部だけに処理液を保持する場合と比較して、次の基板に供給できる処理液の量を増やすことができる。 Further, the contaminated treatment liquid that has flowed into the tip flow path when the discharge valve is opened is also discharged from the discharge port. After that, the discharge valve is closed and a clean treatment liquid is held in the tip flow path. Therefore, a clean treatment liquid can be supplied to the next substrate. Further, since the treatment liquid is held in each part of the tip flow path, the amount of the treatment liquid that can be supplied to the next substrate can be increased as compared with the case where the treatment liquid is held only in a part of the tip flow path. ..

請求項６に記載の発明は、前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、先端流路内に保持されている処理液を排出するために、吐出バルブが開かれ、新たな処理液が先端流路に供給される。加えて、吐出バルブが開いた状態で吐出バルブの開度が変更される。それに伴って、吐出バルブを通過する処理液の流量が変化し、吐出バルブに付着しているパーティクルに加わる液圧が変化する。これにより、吐出バルブからパーティクルを効果的に剥がすことができ、吐出バルブを通過する処理液の清浄度を高めることができる。 The invention according to claim 6 is a flow rate in which the discharge execution step changes the flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve by changing the opening degree of the discharge valve in a state where the discharge valve is open. The substrate processing method according to claim 5, which includes a modification step.
According to this method, the discharge valve is opened to discharge the treatment liquid held in the tip flow path, and new treatment liquid is supplied to the tip flow path. In addition, the opening degree of the discharge valve is changed while the discharge valve is open. Along with this, the flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve changes, and the hydraulic pressure applied to the particles adhering to the discharge valve changes. As a result, the particles can be effectively peeled off from the discharge valve, and the cleanliness of the processing liquid passing through the discharge valve can be improved.

請求項７に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備える、請求項３または４に記載の基板処理方法である。 According to the invention of claim 7, the substrate processing apparatus has a branch flow path connected to the tip flow path at a branch position downstream of the discharge valve and upstream of the discharge port, and a branch flow path in the tip flow path. Between an open state in which a suction force for sucking the treatment liquid into the branch flow path via the branch position is applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is blocked. The substrate processing method according to claim 3 or 4, further comprising a suction valve that opens and closes with.

前記排出工程は、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む。 In the discharge step, the suction valve is opened with the discharge valve closed, so that the treatment liquid is left in the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path, while the tip flow path is left. Of the treatment liquid that has passed through the discharge valve in the supply execution step by sucking the treatment liquid held in the portion from the branch position to the discharge port into the branch flow path via the branch position. A suction execution step of discharging the treatment liquid that first passed through the discharge valve from the tip flow path, and closing the suction valve with the discharge valve closed causes the discharge valve and the discharge valve in the tip flow path. It includes a suction stop step of stopping the suction of the treatment liquid from the tip flow path to the branch flow path while leaving the treatment liquid in a portion between the branch position.

この方法によれば、先端流路内に保持されている処理液を排出するために、基板への処理液の供給が停止された後に、吐出バルブが閉じた状態で吸引バルブが開かれる。これにより、吸引力が分岐流路を介して先端流路に伝達され、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液が吸引される。その一方で、吐出バルブが閉じられているので、先端流路の上流部分に保持されている処理液はその場（上流部分）に残る。 According to this method, in order to discharge the treatment liquid held in the tip flow path, the suction valve is opened with the discharge valve closed after the supply of the treatment liquid to the substrate is stopped. As a result, the suction force is transmitted to the tip flow path via the branch flow path, and the treatment liquid is sucked from the downstream portion of the tip flow path to the branch flow path. On the other hand, since the discharge valve is closed, the treatment liquid held in the upstream portion of the tip flow path remains in place (upstream portion).

基板に向けて処理液を吐出するときに先端流路に流入した汚染された処理液は、先端流路の下流部分に保持されている。したがって、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液を吸引することにより、綺麗な処理液を先端流路を残しながら、汚染された処理液を先端流路から排出できる。これにより、次の基板に綺麗な処理液を供給できる。さらに、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液を逆流させると、吐出口の上流の位置から吐出口までの範囲が空になるので、処理液が意図せず吐出口から落下する現象（いわゆる、ボタ落ち）を防止できる。 The contaminated treatment liquid that has flowed into the tip flow path when the treatment liquid is discharged toward the substrate is held in the downstream portion of the tip flow path. Therefore, by sucking the treatment liquid from the downstream portion of the tip flow path to the branch flow path, the contaminated treatment liquid can be discharged from the tip flow path while leaving the tip flow path clean. As a result, a clean treatment liquid can be supplied to the next substrate. Furthermore, when the processing liquid is backflowed from the downstream part of the tip flow path to the branch flow path, the range from the upstream position of the discharge port to the discharge port becomes empty, so that the treatment liquid unintentionally drops from the discharge port. (So-called drop-off) can be prevented.

請求項８に記載の発明は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びており、前記吐出口から前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて吐出される前記処理液の量よりも大きい容積を有する先端流路と、前記吐出バルブを制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を実行する、基板処理装置である。この構成によれば、乾燥後の基板の清浄度を高めることができる。 The invention according to claim 8 includes a substrate holding means for holding the substrate horizontally, a discharge port for discharging the treatment liquid for processing the substrate, an open state for passing the treatment liquid toward the discharge port, and the above-mentioned invention. A discharge valve that opens and closes between a closed state that dams up the processing liquid flowing toward the discharge port, an upstream end connected to the discharge valve, and a downstream end connected to the discharge port, from the discharge valve. Controls the tip flow path extending to the discharge port and having a volume larger than the amount of the treatment liquid discharged from the discharge port toward the substrate held by the substrate holding means, and the discharge valve. The control device is provided with a control device for allowing the treatment liquid to pass through the discharge valve by opening the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is allowed to flow into the tip flow path. By closing the liquid inflow step and the discharge valve, the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step is flowed to the tip. The treatment liquid holding step of holding in the path and the treatment liquid that allows the treatment liquid to pass through the discharge valve by opening the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve, the tip flow in the treatment liquid holding step. By flushing the treatment liquid held in the path downstream, only the treatment liquid held in the tip flow path in the treatment liquid holding step is horizontally held by the substrate holding means on the substrate. A supply execution step of discharging to the discharge port toward the discharge port, and a supply stop step of holding all of the treatment liquid passing through the discharge valve in the tip flow path in the supply execution step by closing the discharge valve. , that perform a substrate processing apparatus. According to this configuration, it is possible to increase the cleanliness of the substrate after drying.

請求項９に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記基板保持手段に保持されている前記基板を乾燥させる乾燥手段をさらに備え、前記制御装置は、前記乾燥手段を制御することにより、前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 According to a ninth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a drying means for drying the substrate held by the substrate holding means, and the control device controls the drying means. The substrate processing apparatus according to claim 8 , further performing a drying step of drying the substrate to which the processing liquid discharged from the discharge port is attached in the supply execution step. According to this configuration, it is possible to obtain the same effect as that described with respect to the above-mentioned substrate processing method.

請求項１０に記載の発明は、前記制御装置は、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 According to the tenth aspect of the present invention, the control device uses the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step to first pass the treatment liquid through the discharge valve in the supply execution step. The eighth aspect of the present invention further executes a discharge step of discharging from the tip flow path and holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the tip flow path in the supply execution step. It is a substrate processing device of. According to this configuration, it is possible to obtain the same effect as that described with respect to the above-mentioned substrate processing method.

請求項１１に記載の発明は、前記制御装置は、前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに実行する、請求項１０に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 According to the eleventh aspect of the present invention, the control device determines whether or not the residence time representing the time during which the same treatment liquid is held in the tip flow path exceeds a predetermined time after the discharge step. When it is determined in the staying time determination step and the staying time determination step that the staying time exceeds the predetermined time, the discharge valve is opened while the processing liquid is held in the tip flow path. As a result, the treatment liquid is passed through the discharge valve, and among the treatment liquids that have passed through the discharge valve, the treatment liquids other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve are held in the tip flow path. The substrate processing apparatus according to claim 10 , further performing a processing liquid replacement step of replacing all of the processing liquids. According to this configuration, it is possible to obtain the same effect as that described with respect to the above-mentioned substrate processing method.

請求項１２に記載の発明は、前記排出工程は、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 According to a twelfth aspect of the present invention, in the discharge step, the discharge valve is opened to allow the treatment liquid to pass through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is used in the supply stop step. A discharge execution step of discharging all of the treatment liquid held in the tip flow path to the discharge port in the supply stop step by pushing the treatment liquid held in the tip flow path downstream. By closing the discharge valve, the discharge stop for holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the discharge execution step in the tip flow path. The substrate processing apparatus according to claim 10 or 11 , comprising the steps. According to this configuration, it is possible to obtain the same effect as that described with respect to the above-mentioned substrate processing method.

請求項１３に記載の発明は、前記吐出バルブは、前記処理液が流れる内部流路と前記内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、前記弁座に対して移動可能な弁体と、前記弁体を任意の位置で静止させる電動アクチュエータとを含み、前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項１２に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 According to the thirteenth aspect of the present invention, the discharge valve is movable with respect to a valve body provided with an internal flow path through which the treatment liquid flows and an annular valve seat surrounding the internal flow path, and the valve seat. The discharge valve includes a valve body and an electric actuator that makes the valve body stand still at an arbitrary position. In the discharge execution step, the discharge valve is changed by changing the opening degree of the discharge valve while the discharge valve is open. The substrate processing apparatus according to claim 12 , further comprising a flow rate changing step of changing the flow rate of the processing liquid passing through. According to this configuration, it is possible to obtain the same effect as that described with respect to the above-mentioned substrate processing method.

請求項１４に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備える、請求項１０または１１に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 14 , wherein the substrate processing apparatus has a branch flow path connected to the tip flow path at a branch position downstream of the discharge valve and upstream of the discharge port, and a branch flow path in the tip flow path. Between an open state in which a suction force for sucking the treatment liquid into the branch flow path via the branch position is applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is blocked. The substrate processing apparatus according to claim 10 or 11 , further comprising a suction valve that opens and closes with.

前記制御装置は、前記吸引バルブをさらに制御する。前記排出工程は、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 The control device further controls the suction valve. In the discharge step, the suction valve is opened with the discharge valve closed, so that the treatment liquid is left in the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path, while the tip flow path is left. Of the treatment liquid that has passed through the discharge valve in the supply execution step by sucking the treatment liquid held in the portion from the branch position to the discharge port into the branch flow path via the branch position. A suction execution step of discharging the treatment liquid that first passed through the discharge valve from the tip flow path, and closing the suction valve with the discharge valve closed causes the discharge valve and the discharge valve in the tip flow path. It includes a suction stop step of stopping the suction of the treatment liquid from the tip flow path to the branch flow path while leaving the treatment liquid in a portion between the branch position. According to this configuration, it is possible to obtain the same effect as that described with respect to the above-mentioned substrate processing method.

請求項１５に記載の発明は、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分の容積は、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口まで部分の容積よりも大きい、請求項１４に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、先端流路における吐出バルブと分岐位置との間の部分、つまり、先端流路の上流部分の容積が、先端流路における分岐位置から吐出口まで部分の容積、つまり、先端流路の下流部分の容積よりも大きい。したがって、より多くの処理液を先端流路の上流部分に保持できる。前述のように、基板に処理液が供給された後は、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液が吸引される。そして、先端流路の上流部分に残った処理液が次の基板に供給される。先端流路の上流部分の容積が先端流路の下流部分の容積よりも大きいので、次の基板に供給できる処理液の量を増やすことができる。 According to a fifteenth aspect of the present invention, the volume of the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path is larger than the volume of the portion from the branch position to the discharge port in the tip flow path. The substrate processing apparatus according to claim 14.
According to this configuration, the volume of the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path, that is, the volume of the upstream portion of the tip flow path is the volume of the portion from the branch position to the discharge port in the tip flow path, that is, the tip. It is larger than the volume of the downstream part of the flow path. Therefore, more treatment liquid can be retained in the upstream portion of the tip flow path. As described above, after the treatment liquid is supplied to the substrate, the treatment liquid is sucked into the branch flow path from the downstream portion of the tip flow path. Then, the treatment liquid remaining in the upstream portion of the tip flow path is supplied to the next substrate. Since the volume of the upstream portion of the tip flow path is larger than the volume of the downstream portion of the tip flow path, the amount of the treatment liquid that can be supplied to the next substrate can be increased.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the inside of the processing unit provided in the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention horizontally. スピンチャックおよび処理カップを上から見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the spin chuck and the processing cup from the top. 溶剤バルブの鉛直断面を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the vertical cross section of a solvent valve. 溶剤ノズルに至るＩＰＡの流路と吸引装置に至るＩＰＡの流路とについて説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the flow path of IPA leading to a solvent nozzle, and the flow path of IPA leading to a suction device. 基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。It is a process drawing for demonstrating an example of substrate processing performed by a substrate processing apparatus. 図５に示す基板の処理の一例において、基板にＩＰＡを供給する前から、基板にＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第１処理例）について説明するためのフロチャートである。In the example of the processing of the substrate shown in FIG. 5, it is a flow chart for explaining an example (first processing example) of the flow from before supplying IPA to a substrate to after supplying IPA to a substrate. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed. 図５に示す基板の処理の一例において、基板にＩＰＡを供給する前から、基板にＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第２処理例）について説明するためのフロチャートである。In the example of the processing of the substrate shown in FIG. 5, it is a flow chart for explaining an example (second processing example) of the flow from before supplying IPA to a substrate to after supplying IPA to a substrate. 図８に示す第２処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the state in the flow path when the 2nd processing example shown in FIG. 8 is performed. 図８に示す第２処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the state in the flow path when the 2nd processing example shown in FIG. 8 is performed.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を水平に見た模式図である。図２は、スピンチャック８および処理カップ２１を上から見た模式図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを収容する箱型のキャリアが置かれるロードポート（図示せず）と、ロードポート上のキャリアから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する処理ユニット２と、ロードポートと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of the inside of the processing unit 2 provided in the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention as viewed horizontally. FIG. 2 is a schematic view of the spin chuck 8 and the processing cup 21 as viewed from above.
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer processing apparatus that processes disk-shaped substrates W such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing apparatus 1 processes a load port (not shown) in which a box-shaped carrier accommodating the substrate W is placed and a substrate W conveyed from the carrier on the load port with a processing fluid such as a processing liquid or a processing gas. A transport robot (not shown) that transports the substrate W between the load port and the processing unit 2 and a control device 3 that controls the substrate processing device 1 are included.

処理ユニット２は、内部空間を有する箱型のチャンバー４と、チャンバー４内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック８と、基板Ｗおよびスピンチャック８から外方に排出された処理液を受け止める筒状の処理カップ２１とを含む。
チャンバー４は、基板Ｗが通過する搬入搬出口５ｂが設けられた箱型の隔壁５と、搬入搬出口５ｂを開閉するシャッター６とを含む。フィルターによってろ過された空気であるクリーンエアーは、隔壁５の上部に設けられた送風口５ａからチャンバー４内に常時供給される。チャンバー４内の気体は、処理カップ２１の底部に接続された排気ダクト７を通じてチャンバー４から排出される。これにより、クリーンエアーのダウンフローがチャンバー４内に常時形成される。 The processing unit 2 includes a box-shaped chamber 4 having an internal space, a spin chuck 8 that rotates the substrate W horizontally around the vertical rotation axis A1 passing through the center of the substrate W while holding the substrate W horizontally, and a substrate. Includes W and a tubular processing cup 21 that receives the processing liquid discharged outward from the spin chuck 8.
The chamber 4 includes a box-shaped partition wall 5 provided with a carry-in / carry-out port 5b through which the substrate W passes, and a shutter 6 for opening / closing the carry-in / carry-out port 5b. Clean air, which is the air filtered by the filter, is constantly supplied into the chamber 4 from the air outlet 5a provided in the upper part of the partition wall 5. The gas in the chamber 4 is discharged from the chamber 4 through the exhaust duct 7 connected to the bottom of the processing cup 21. As a result, a downflow of clean air is constantly formed in the chamber 4.

スピンチャック８は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１０と、スピンベース１０の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン９と、スピンベース１０の中央部から下方に延びるスピン軸１１と、スピン軸１１を回転させることによりスピンベース１０および複数のチャックピン９を回転させるスピンモータ１２とを含む。スピンチャック８は、複数のチャックピン９を基板Ｗの外周面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１０の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。 The spin chuck 8 is formed from a disk-shaped spin base 10 held in a horizontal posture, a plurality of chuck pins 9 holding the substrate W in a horizontal posture above the spin base 10, and a central portion of the spin base 10. It includes a spin shaft 11 extending downward and a spin motor 12 that rotates a spin base 10 and a plurality of chuck pins 9 by rotating the spin shaft 11. The spin chuck 8 is not limited to a holding type chuck in which a plurality of chuck pins 9 are brought into contact with the outer peripheral surface of the substrate W, but the back surface (lower surface) of the substrate W, which is a non-device forming surface, is attracted to the upper surface of the spin base 10. It may be a vacuum type chuck that holds the substrate W horizontally.

処理カップ２１は、基板Ｗから外方に排出された液体を受け止める複数のガード２３と、複数のガード２３によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ２６と、複数のガード２３と複数のカップ２６とを取り囲む円筒状の外壁部材２２とを含む。図１は、４つのガード２３と３つのカップ２６とが設けられている例を示している。
ガード２３は、スピンチャック８を取り囲む円筒状の筒状部２５と、筒状部２５の上端部から回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円環状の天井部２４とを含む。複数の天井部２４は、上下に重なっており、複数の筒状部２５は、同心円状に配置されている。複数のカップ２６は、それぞれ、複数の筒状部２５の下方に配置されている。カップ２６は、上向きに開いた環状の受液溝を形成している。 The processing cup 21 includes a plurality of guards 23 that receive the liquid discharged outward from the substrate W, a plurality of cups 26 that receive the liquid guided downward by the plurality of guards 23, a plurality of guards 23, and a plurality of cups. 26 includes a cylindrical outer wall member 22 that surrounds the 26. FIG. 1 shows an example in which four guards 23 and three cups 26 are provided.
The guard 23 includes a cylindrical tubular portion 25 surrounding the spin chuck 8 and an annular ceiling portion 24 extending diagonally upward from the upper end portion of the tubular portion 25 toward the rotation axis A1. The plurality of ceiling portions 24 are vertically overlapped with each other, and the plurality of tubular portions 25 are arranged concentrically. Each of the plurality of cups 26 is arranged below the plurality of tubular portions 25. The cup 26 forms an annular liquid receiving groove that opens upward.

処理ユニット２は、複数のガード２３を個別に昇降させるガード昇降ユニット２７を含む。ガード昇降ユニット２７は、上位置と下位置との間でガード２３を鉛直に昇降させる。上位置は、ガード２３の上端２３ａがスピンチャック８に保持されている基板Ｗが配置される保持位置よりも上方に配置される位置である。下位置は、ガード２３の上端２３ａが保持位置よりも下方に配置される位置である。天井部２４の円環状の上端は、ガード２３の上端２３ａに相当する。図２に示すように、ガード２３の上端２３ａは、平面視で基板Ｗおよびスピンベース１０を取り囲んでいる。 The processing unit 2 includes a guard elevating unit 27 that individually elevates and elevates a plurality of guards 23. The guard elevating unit 27 vertically elevates the guard 23 between the upper position and the lower position. The upper position is a position where the upper end 23a of the guard 23 is arranged above the holding position where the substrate W held by the spin chuck 8 is arranged. The lower position is a position where the upper end 23a of the guard 23 is arranged below the holding position. The upper end of the annular shape of the ceiling portion 24 corresponds to the upper end 23a of the guard 23. As shown in FIG. 2, the upper end 23a of the guard 23 surrounds the substrate W and the spin base 10 in a plan view.

スピンチャック８が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、少なくとも一つのガード２３の上端２３ａが、基板Ｗよりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、いずれかのガード２３に受け止められ、このガード２３に対応するカップ２６に案内される。 When the processing liquid is supplied to the substrate W while the spin chuck 8 is rotating the substrate W, the processing liquid supplied to the substrate W is shaken off around the substrate W. When the treatment liquid is supplied to the substrate W, the upper end 23a of at least one guard 23 is arranged above the substrate W. Therefore, the treatment liquid such as the chemical liquid or the rinse liquid discharged around the substrate W is received by one of the guards 23 and guided to the cup 26 corresponding to the guard 23.

図１に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けて薬液を下方に吐出する薬液ノズル３１を含む。薬液ノズル３１は、薬液ノズル３１に薬液を案内する薬液配管３２に接続されている。薬液配管３２に介装された薬液バルブ３３が開かれると、薬液が、薬液ノズル３１の吐出口から下方に連続的に吐出される。薬液ノズル３１から吐出される薬液は、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよいし、これ以外の液体であってもよい。 As shown in FIG. 1, the processing unit 2 includes a chemical liquid nozzle 31 that discharges the chemical liquid downward toward the upper surface of the substrate W. The chemical solution nozzle 31 is connected to a chemical solution pipe 32 that guides the chemical solution to the chemical solution nozzle 31. When the chemical solution valve 33 interposed in the chemical solution pipe 32 is opened, the chemical solution is continuously discharged downward from the discharge port of the chemical solution nozzle 31. The chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 31 is sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, phosphoric acid, acetic acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide solution, organic acid (for example, citric acid, oxalic acid, etc.), organic alkali (for example, TMAH:). It may be a liquid containing at least one of a tetramethylammonium hydroxyoxide, etc.), a surfactant, and an antioxidant, or it may be a liquid other than the above.

図示はしないが、薬液バルブ３３は、薬液が流れる内部流路と内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、弁座に対して移動可能な弁体と、弁体が弁座に接触する閉位置と弁体が弁座から離れた開位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置３は、アクチュエータを制御することにより、薬液バルブ３３を開閉させる。アクチュエータが電動アクチュエータである場合、制御装置３は、電動アクチュエータを制御することにより、閉位置から開位置（全開位置）までの任意の位置に弁体を位置させる。 Although not shown, the chemical solution valve 33 includes a valve body provided with an internal flow path through which the chemical solution flows and an annular valve seat surrounding the internal flow path, a valve body movable with respect to the valve seat, and a valve body. Includes an actuator that moves the valve body between a closed position in contact with the valve seat and an open position where the valve body is away from the valve seat. The same applies to other valves. The actuator may be a pneumatic actuator or an electric actuator, or may be an actuator other than these. The control device 3 opens and closes the chemical solution valve 33 by controlling the actuator. When the actuator is an electric actuator, the control device 3 controls the electric actuator to position the valve body at an arbitrary position from the closed position to the open position (fully open position).

図２に示すように、処理ユニット２は、薬液ノズル３１を保持するノズルアーム３４と、ノズルアーム３４を移動させることにより、鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に薬液ノズル３１を移動させるノズル移動ユニット３５とを含む。ノズル移動ユニット３５は、薬液ノズル３１から吐出された処理液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル３１が平面視で処理カップ２１のまわりに位置する待機位置（図２に示す位置）と、の間で薬液ノズル３１を水平に移動させる。ノズル移動ユニット３５は、たとえば、処理カップ２１のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりに薬液ノズル３１を水平に移動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って薬液ノズル３１を移動させる旋回ユニットである。 As shown in FIG. 2, the processing unit 2 is a nozzle moving unit that moves a nozzle arm 34 holding a chemical solution nozzle 31 and a nozzle arm 34 to move the chemical solution nozzle 31 in at least one of a vertical direction and a horizontal direction by moving the nozzle arm 34. Including 35. The nozzle moving unit 35 has a processing position where the processing liquid discharged from the chemical solution nozzle 31 lands on the upper surface of the substrate W and a standby position where the chemical solution nozzle 31 is located around the processing cup 21 in a plan view (shown in FIG. 2). Position) and, the chemical solution nozzle 31 is moved horizontally. The nozzle moving unit 35, for example, by horizontally moving the chemical solution nozzle 31 around the nozzle rotation axis A2 extending vertically around the processing cup 21, the chemical solution is formed along an arcuate path passing through the substrate W in a plan view. It is a swivel unit that moves the nozzle 31.

図１に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル３６を含む。リンス液ノズル３６は、チャンバー４の底部に対して固定されている。リンス液ノズル３６から吐出されたリンス液は、基板Ｗの上面中央部に着液する。リンス液ノズル３６は、リンス液ノズル３６にリンス液を案内するリンス液配管３７に接続されている。リンス液配管３７に介装されたリンス液バルブ３８が開かれると、リンス液が、リンス液ノズル３６の吐出口から下方に連続的に吐出される。リンス液ノズル３６から吐出されるリンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized Ｗater）である。リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。 As shown in FIG. 1, the processing unit 2 includes a rinsing liquid nozzle 36 that discharges the rinsing liquid downward toward the upper surface of the substrate W. The rinse liquid nozzle 36 is fixed to the bottom of the chamber 4. The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 36 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W. The rinsing liquid nozzle 36 is connected to a rinsing liquid pipe 37 that guides the rinsing liquid to the rinsing liquid nozzle 36. When the rinse liquid valve 38 interposed in the rinse liquid pipe 37 is opened, the rinse liquid is continuously discharged downward from the discharge port of the rinse liquid nozzle 36. The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 36 is, for example, pure water (deionized water: Deionized Water). The rinsing solution may be any of carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).

処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けて溶剤を下方に吐出する溶剤ノズル４１を含む。溶剤ノズル４１は、溶剤ノズル４１に溶剤を案内する溶剤配管４２に接続されている。溶剤配管４２に介装された溶剤バルブ４３が開かれると、溶剤が、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから下方に連続的に吐出される。溶剤ノズル４１から吐出される溶剤は、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。特に断りがない限り、溶剤およびＩＰＡは、液体を意味している。ＩＰＡは、水よりも沸点が低く、水よりも表面張力が低い。溶剤ノズル４１から吐出される溶剤は、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）などのフッ素系有機溶剤であってもよい。 The processing unit 2 includes a solvent nozzle 41 that discharges the solvent downward toward the upper surface of the substrate W. The solvent nozzle 41 is connected to a solvent pipe 42 that guides the solvent to the solvent nozzle 41. When the solvent valve 43 interposed in the solvent pipe 42 is opened, the solvent is continuously discharged downward from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. The solvent discharged from the solvent nozzle 41 is, for example, IPA (isopropyl alcohol). Unless otherwise noted, solvent and IPA mean liquid. IPA has a lower boiling point than water and a lower surface tension than water. The solvent discharged from the solvent nozzle 41 may be a fluorine-based organic solvent such as HFE (hydrofluoroether).

基板処理装置１は、溶剤バルブ４３よりも下流の位置で溶剤配管４２に接続された吸引配管４４と、吸引配管４４に介装された吸引バルブ４５と、溶剤バルブ４３を通過した溶剤を吸引配管４４を介して吸引する吸引力を発生する吸引装置４６とを含む。吸引配管４４の上流端は、溶剤配管４２に接続されており、吸引配管４４の下流端は、吸引装置４６に接続されている。吸引バルブ４５は、吸引装置４６の上流に配置されている。 The substrate processing device 1 has a suction pipe 44 connected to the solvent pipe 42 at a position downstream of the solvent valve 43, a suction valve 45 interposed in the suction pipe 44, and a suction pipe for sucking the solvent that has passed through the solvent valve 43. It includes a suction device 46 that generates a suction force that sucks through 44. The upstream end of the suction pipe 44 is connected to the solvent pipe 42, and the downstream end of the suction pipe 44 is connected to the suction device 46. The suction valve 45 is arranged upstream of the suction device 46.

吸引装置４６は、たとえば、吸引力を発生するエジェクターと、エジェクターへの気体の供給および供給停止を切り替える気体バルブとを含む。吸引装置４６は、吸引ポンプであってもよい。吸引装置４６は、必要なときにだけ駆動されてもよいし、常時駆動されていてもよい。吸引バルブ４５が開いており、吸引装置４６が駆動されているときは、吸引装置４６の吸引力が、吸引配管４４を介して溶剤配管４２の内部に伝達される。 The suction device 46 includes, for example, an ejector that generates a suction force and a gas valve that switches between supplying and stopping the supply of gas to the ejector. The suction device 46 may be a suction pump. The suction device 46 may be driven only when necessary, or may be driven at all times. When the suction valve 45 is open and the suction device 46 is driven, the suction force of the suction device 46 is transmitted to the inside of the solvent pipe 42 via the suction pipe 44.

図２に示すように、処理ユニット２は、溶剤ノズル４１を保持するノズルアーム４７と、ノズルアーム４７を移動させることにより、鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に溶剤ノズル４１を移動させるノズル移動ユニット４８とを含む。ノズル移動ユニット４８は、溶剤ノズル４１から吐出された溶剤が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、溶剤ノズル４１が平面視で処理カップ２１のまわりに位置する待機位置（図２に示す位置）と、の間で溶剤ノズル４１を水平に移動させる。ノズル移動ユニット４８は、たとえば、処理カップ２１のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ３まわりに溶剤ノズル４１を水平に移動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って溶剤ノズル４１を移動させる旋回ユニットである。 As shown in FIG. 2, the processing unit 2 is a nozzle moving unit that moves the solvent nozzle 41 in at least one of the vertical direction and the horizontal direction by moving the nozzle arm 47 holding the solvent nozzle 41 and the nozzle arm 47. Includes 48 and. The nozzle moving unit 48 has a processing position where the solvent discharged from the solvent nozzle 41 lands on the upper surface of the substrate W and a standby position where the solvent nozzle 41 is located around the processing cup 21 in a plan view (position shown in FIG. 2). ) And the solvent nozzle 41 is moved horizontally. The nozzle moving unit 48, for example, by horizontally moving the solvent nozzle 41 around the nozzle rotation axis A3 extending vertically around the processing cup 21, the solvent is formed along an arcuate path passing through the substrate W in a plan view. It is a swivel unit that moves the nozzle 41.

処理ユニット２は、待機位置に位置する溶剤ノズル４１から吐出された溶剤を受け止める筒状の待機ポット４９を含む。待機ポット４９は、溶剤ノズル４１の待機位置の下方に配置されている。待機ポット４９は、平面視で処理カップ２１のまわりに配置されている。待機ポット４９は、上下方向に延びる筒状の周壁を含む。待機ポット４９の周壁の上端は、上向きに開いた開口を形成している。待機位置に位置する溶剤ノズル４１から吐出された溶剤は、待機ポット４９に受け止められ、回収装置または排液装置に案内される。 The processing unit 2 includes a tubular standby pot 49 that receives the solvent discharged from the solvent nozzle 41 located at the standby position. The standby pot 49 is arranged below the standby position of the solvent nozzle 41. The waiting pot 49 is arranged around the processing cup 21 in a plan view. The standby pot 49 includes a cylindrical peripheral wall extending in the vertical direction. The upper end of the peripheral wall of the waiting pot 49 forms an opening that opens upward. The solvent discharged from the solvent nozzle 41 located at the standby position is received by the standby pot 49 and guided to the recovery device or the drainage device.

次に、溶剤バルブ４３の構造について具体的に説明する。
図３は、溶剤バルブ４３の鉛直断面を示す模式的な断面図である。
溶剤バルブ４３は、たとえば、ダイヤフラムバルブである。溶剤バルブ４３は、ニードルバルブなどのダイヤフラムバルブ以外のバルブであってもよい。溶剤バルブ４３は、液体が流れる内部流路５２と内部流路５２を取り囲む環状の弁座５３とが設けられたバルブボディ５１と、弁座５３に対して移動可能な弁体５４とを含む。弁体５４は、ゴムや樹脂などの弾性材料で形成されたダイヤフラムである。弁座５３は、樹脂製である。溶剤配管４２は、溶剤を内部流路５２に案内する上流配管４２ｕと、内部流路５２から排出された溶剤を案内する下流配管４２ｄとを含む。 Next, the structure of the solvent valve 43 will be specifically described.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a vertical cross section of the solvent valve 43.
The solvent valve 43 is, for example, a diaphragm valve. The solvent valve 43 may be a valve other than the diaphragm valve such as a needle valve. The solvent valve 43 includes a valve body 51 provided with an internal flow path 52 through which a liquid flows and an annular valve seat 53 surrounding the internal flow path 52, and a valve body 54 movable with respect to the valve seat 53. The valve body 54 is a diaphragm made of an elastic material such as rubber or resin. The valve seat 53 is made of resin. The solvent pipe 42 includes an upstream pipe 42u that guides the solvent to the internal flow path 52, and a downstream pipe 42d that guides the solvent discharged from the internal flow path 52.

溶剤バルブ４３は、弁体５４が弁座５３から離れた開位置と弁体５４と弁座５３との接触により内部流路５２が塞がれる閉位置との間で弁体５４を動作させるバルブアクチュエータ５５を含む。バルブアクチュエータ５５は、たとえば、電動アクチュエータである。したがって、溶剤バルブ４３は、電動バルブである。バルブアクチュエータ５５は、弁体５４と一体的に移動するロッド５８と、ロッド５８を軸方向に移動させる動力を発生する電動モータ５６と、電動モータ５６の回転をロッド５８の直線運動に変換する運動変換機構５７とを含む。 The solvent valve 43 is a valve that operates the valve body 54 between an open position where the valve body 54 is separated from the valve seat 53 and a closed position where the internal flow path 52 is blocked by the contact between the valve body 54 and the valve seat 53. Includes actuator 55. The valve actuator 55 is, for example, an electric actuator. Therefore, the solvent valve 43 is an electric valve. The valve actuator 55 includes a rod 58 that moves integrally with the valve body 54, an electric motor 56 that generates power to move the rod 58 in the axial direction, and a motion that converts the rotation of the electric motor 56 into a linear motion of the rod 58. Includes a conversion mechanism 57.

バルブアクチュエータ５５のロッド５８は、弁体５４が弁座５３から離れる開位置（図３に示す位置）と、弁体５４が弁座５３に押し付けられる閉位置と、の間でロッド５８の軸方向に移動可能である。バルブアクチュエータ５５の電動モータ５６が回転すると、電動モータ５６の回転角度に応じた移動量でロッド５８がロッド５８の軸方向に移動する。制御装置３は、電動モータ５６の回転角度を制御することにより、開位置から閉位置までの任意の位置に弁体５４を位置させる。 The rod 58 of the valve actuator 55 is in the axial direction of the rod 58 between the open position where the valve body 54 is separated from the valve seat 53 (the position shown in FIG. 3) and the closed position where the valve body 54 is pressed against the valve seat 53. It is possible to move to. When the electric motor 56 of the valve actuator 55 rotates, the rod 58 moves in the axial direction of the rod 58 by the amount of movement according to the rotation angle of the electric motor 56. The control device 3 controls the rotation angle of the electric motor 56 to position the valve body 54 at an arbitrary position from the open position to the closed position.

弁体５４が弁座５３から離れている状態でロッド５８が閉位置側に移動すると、弁体５４の一部が弁座５３に近づく。ロッド５８が閉位置に達すると、弁体５４が弁座５３に接触し、内部流路５２が閉じられる。これにより、溶剤が弁体５４でせき止められる。その一方で、弁体５４が弁座５３に押し付けられている状態で、ロッド５８が開位置側に移動すると、弁体５４が弁座５３から離れ、内部流路５２が開かれる。これにより、溶剤が弁座５３を通過し、内部流路５２から排出される。 When the rod 58 moves to the closed position side while the valve body 54 is separated from the valve seat 53, a part of the valve body 54 approaches the valve seat 53. When the rod 58 reaches the closed position, the valve body 54 comes into contact with the valve seat 53, and the internal flow path 52 is closed. As a result, the solvent is dammed by the valve body 54. On the other hand, when the rod 58 moves to the open position side while the valve body 54 is pressed against the valve seat 53, the valve body 54 separates from the valve seat 53 and the internal flow path 52 is opened. As a result, the solvent passes through the valve seat 53 and is discharged from the internal flow path 52.

次に、ＩＰＡの流路について説明する。
図４は、溶剤ノズル４１に至るＩＰＡの流路と吸引装置４６に至るＩＰＡの流路とについて説明するための模式図である。
基板処理装置１は、溶剤バルブ４３から上流に延びる供給流路６１と、溶剤バルブ４３から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐに延びる先端流路６２とを備えている。基板処理装置１は、さらに、先端流路６２から吸引バルブ４５に延びる分岐流路６３と、吸引バルブ４５から吸引装置４６に延びる吸引流路６４とを備えている。 Next, the flow path of the IPA will be described.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the flow path of the IPA leading to the solvent nozzle 41 and the flow path of the IPA leading to the suction device 46.
The substrate processing device 1 includes a supply flow path 61 extending upstream from the solvent valve 43, and a tip flow path 62 extending from the solvent valve 43 to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. The substrate processing device 1 further includes a branch flow path 63 extending from the tip flow path 62 to the suction valve 45, and a suction flow path 64 extending from the suction valve 45 to the suction device 46.

先端流路６２は、溶剤バルブ４３から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐに延びる流路である。つまり、溶剤ノズル４１内の流路も先端流路６２に含まれる。先端流路６２は、溶剤配管４２と溶剤ノズル４１とによって形成されている。先端流路６２の上流端６２ｕは、溶剤バルブ４３に接続されており、先端流路６２の下流端６２ｄは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐに接続されている。 The tip flow path 62 is a flow path extending from the solvent valve 43 to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. That is, the flow path in the solvent nozzle 41 is also included in the tip flow path 62. The tip flow path 62 is formed by a solvent pipe 42 and a solvent nozzle 41. The upstream end 62u of the tip flow path 62 is connected to the solvent valve 43, and the downstream end 62d of the tip flow path 62 is connected to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41.

分岐流路６３は、吸引配管４４の一部によって形成されている。分岐流路６３は、溶剤バルブ４３の下流でかつ溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの上流の分岐位置Ｐ１で先端流路６２に接続されている。分岐流路６３の上流端６３ｕは、先端流路６２に接続されており、分岐流路６３の下流端６３ｄは、吸引バルブ４５に接続されている。分岐流路６３の下流端６３ｄは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐと等しい高さに配置されていてもよいし、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐよりも高いまたは低い位置に配置されていてもよい。 The branch flow path 63 is formed by a part of the suction pipe 44. The branch flow path 63 is connected to the tip flow path 62 at the branch position P1 downstream of the solvent valve 43 and upstream of the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. The upstream end 63u of the branch flow path 63 is connected to the tip flow path 62, and the downstream end 63d of the branch flow path 63 is connected to the suction valve 45. The downstream end 63d of the branch flow path 63 may be arranged at the same height as the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, or may be arranged at a position higher or lower than the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. ..

図４では、先端流路６２の上流部６２ａにハッチングを施しており、先端流路６２の下流部６２ｂにクロスハッチングを施している。先端流路６２の上流部６２ａは、先端流路６２における溶剤バルブ４３と分岐位置Ｐ１との間の部分であり、先端流路６２の下流部６２ｂは、先端流路６２における分岐位置Ｐ１から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐまでの部分（分岐位置Ｐ１を含む）である。上流部６２ａの容積は、下流部６２ｂの容積と等しくてもよいし、下流部６２ｂの容積よりも大きいまたは小さくてもよい。 In FIG. 4, the upstream portion 62a of the tip flow path 62 is hatched, and the downstream portion 62b of the tip flow path 62 is cross-hatched. The upstream portion 62a of the tip flow path 62 is a portion between the solvent valve 43 and the branch position P1 in the tip flow path 62, and the downstream portion 62b of the tip flow path 62 is a solvent from the branch position P1 in the tip flow path 62. It is a portion of the nozzle 41 up to the discharge port 41p (including the branch position P1). The volume of the upstream portion 62a may be equal to the volume of the downstream portion 62b, or may be larger or smaller than the volume of the downstream portion 62b.

次に、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明する。
図５は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。
以下では、図１および図２を参照する。図５については適宜参照する。以下の動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の動作を実行するようにプログラムされている。制御装置３は、プログラムを実行するコンピュータである。図１に示すように、制御装置３は、プログラム等の情報を記憶するメモリー３ｍと、メモリー３ｍに記憶された情報にしたがって基板処理装置１を制御するプロセッサー３ｐと、時間を測るタイマー３ｔとを含む。 Next, an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1 will be described.
FIG. 5 is a process diagram for explaining an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1.
In the following, reference will be made to FIGS. 1 and 2. Refer to FIG. 5 as appropriate. The following operations are executed by the control device 3 controlling the board processing device 1. In other words, the control device 3 is programmed to perform the following operations. The control device 3 is a computer that executes a program. As shown in FIG. 1, the control device 3 includes a memory 3m for storing information such as a program, a processor 3p for controlling the board processing device 1 according to the information stored in the memory 3m, and a timer 3t for measuring time. include.

基板処理装置１によって基板Ｗが処理されるときは、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程が行われる（図５のステップＳ１）。
具体的には、薬液ノズル３１および溶剤ノズル４１を含む全てのスキャンノズルを待機位置に位置させ、全てのガード２３を下位置に位置させる。この状態で、搬送ロボットが、基板Ｗをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー４内に進入させる。その後、搬送ロボットは、基板Ｗの表面が上に向けられた状態でハンド上の基板Ｗをスピンチャック８の上に置く。搬送ロボットは、基板Ｗをスピンチャック８の上に置いた後、ハンドをチャンバー４の内部から退避させる。 When the substrate W is processed by the substrate processing apparatus 1, a carry-in step of carrying the substrate W into the chamber 4 is performed (step S1 in FIG. 5).
Specifically, all the scan nozzles including the chemical solution nozzle 31 and the solvent nozzle 41 are positioned in the standby position, and all the guards 23 are positioned in the lower position. In this state, the transfer robot moves the hand into the chamber 4 while supporting the substrate W with the hand. After that, the transfer robot places the substrate W on the hand on the spin chuck 8 with the surface of the substrate W facing up. After placing the substrate W on the spin chuck 8, the transfer robot retracts the hand from the inside of the chamber 4.

次に、薬液を基板Ｗに供給する薬液供給工程（図５のステップＳ２）が行われる。
具体的には、ガード昇降ユニット２７は、複数のガード２３の少なくとも一つを上昇させて、いずれかのガード２３の内面を基板Ｗの外周面に水平に対向させる。ノズル移動ユニット３５は、ノズルアーム３４を移動させることにより、薬液ノズル３１の吐出口を基板Ｗの上方に位置させる。スピンモータ１２は、基板Ｗがチャックピン９によって把持されている状態で基板Ｗの回転を開始する。この状態で、薬液バルブ３３が開かれ、薬液ノズル３１が薬液の吐出を開始する。 Next, a chemical solution supply step (step S2 in FIG. 5) of supplying the chemical solution to the substrate W is performed.
Specifically, the guard elevating unit 27 raises at least one of the plurality of guards 23 so that the inner surface of any of the guards 23 horizontally faces the outer peripheral surface of the substrate W. The nozzle moving unit 35 moves the nozzle arm 34 to position the discharge port of the chemical solution nozzle 31 above the substrate W. The spin motor 12 starts the rotation of the substrate W in a state where the substrate W is gripped by the chuck pin 9. In this state, the chemical solution valve 33 is opened, and the chemical solution nozzle 31 starts discharging the chemical solution.

薬液ノズル３１から吐出された薬液は、基板Ｗの上面中央部に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う薬液の液膜が基板Ｗ上に形成される。薬液バルブ３３が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ３３が閉じられ、薬液ノズル３１からの薬液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット３５が薬液ノズル３１を基板Ｗの上方から退避させる。 The chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 31 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, a liquid film of the chemical solution covering the entire upper surface of the substrate W is formed on the substrate W. When a predetermined time elapses after the chemical solution valve 33 is opened, the chemical solution valve 33 is closed and the discharge of the chemical solution from the chemical solution nozzle 31 is stopped. After that, the nozzle moving unit 35 retracts the chemical solution nozzle 31 from above the substrate W.

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給するリンス液供給工程（図５のステップＳ３）が行われる。
具体的には、リンス液バルブ３８が開かれ、リンス液ノズル３６が純水の吐出を開始する。ガード昇降ユニット２７は、純水の吐出が開始される前または後に、複数のガード２３の少なくとも一つを上下に移動させることにより、基板Ｗの外周面に対向するガード２３を切り替えてもよい。リンス液ノズル３６から吐出された純水は、基板Ｗの上面中央部に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上の薬液が純水に置換され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。その後、リンス液バルブ３８が閉じられ、リンス液ノズル３６からの純水の吐出が停止される。 Next, a rinse liquid supply step (step S3 in FIG. 5) of supplying pure water, which is an example of the rinse liquid, to the substrate W is performed.
Specifically, the rinsing liquid valve 38 is opened, and the rinsing liquid nozzle 36 starts discharging pure water. The guard elevating unit 27 may switch the guard 23 facing the outer peripheral surface of the substrate W by moving at least one of the plurality of guards 23 up and down before or after the discharge of pure water is started. The pure water discharged from the rinse liquid nozzle 36 has landed on the central portion of the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, the chemical solution on the substrate W is replaced with pure water, and a liquid film of pure water covering the entire upper surface of the substrate W is formed. After that, the rinse liquid valve 38 is closed, and the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 36 is stopped.

次に、水よりも表面張力が低い溶剤の一例であるＩＰＡを基板Ｗに供給するＩＰＡ供給工程（図５のステップＳ４）が行われる。
具体的には、ノズル移動ユニット４８は、ノズルアーム４７を移動させることにより、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐを基板Ｗの上方に位置させる。その後、溶剤バルブ４３が開かれ、溶剤ノズル４１がＩＰＡの吐出を開始する。ガード昇降ユニット２７は、ＩＰＡの吐出が開始される前または後に、複数のガード２３の少なくとも一つを上下に移動させることにより、基板Ｗの外周面に対向するガード２３を切り替えてもよい。 Next, an IPA supply step (step S4 in FIG. 5) of supplying IPA, which is an example of a solvent having a lower surface tension than water, to the substrate W is performed.
Specifically, the nozzle moving unit 48 moves the nozzle arm 47 to position the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 above the substrate W. After that, the solvent valve 43 is opened, and the solvent nozzle 41 starts discharging IPA. The guard elevating unit 27 may switch the guard 23 facing the outer peripheral surface of the substrate W by moving at least one of the plurality of guards 23 up and down before or after the discharge of the IPA is started.

溶剤ノズル４１から吐出されたＩＰＡは、基板Ｗの上面中央部に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上の純水がＩＰＡに置換され、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜が形成される。溶剤バルブ４３が開かれてから所定時間が経過すると、溶剤バルブ４３が閉じられ、溶剤ノズル４１からのＩＰＡの吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット４８が溶剤ノズル４１を基板Ｗの上方から退避させる。 The IPA discharged from the solvent nozzle 41 has landed on the central portion of the upper surface of the substrate W, and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, the pure water on the substrate W is replaced with IPA, and a liquid film of IPA covering the entire upper surface of the substrate W is formed. When a predetermined time has elapsed after the solvent valve 43 is opened, the solvent valve 43 is closed and the discharge of IPA from the solvent nozzle 41 is stopped. After that, the nozzle moving unit 48 retracts the solvent nozzle 41 from above the substrate W.

次に、基板Ｗの高速回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる（図５のステップＳ５）。
具体的には、溶剤ノズル４１からのＩＰＡの吐出が停止された後、スピンモータ１２が基板Ｗを回転方向に加速させ、これまでの基板Ｗの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。基板Ｗに付着しているＩＰＡは、基板Ｗの高速回転により基板Ｗのまわりに飛散する。これにより、ＩＰＡが基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１２が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される。 Next, a drying step of drying the substrate W by high-speed rotation of the substrate W is performed (step S5 in FIG. 5).
Specifically, after the discharge of IPA from the solvent nozzle 41 is stopped, the spin motor 12 accelerates the substrate W in the rotational direction, and the high rotational speed (for example, several thousand) higher than the rotational speed of the substrate W so far. The substrate W is rotated at rpm). The IPA adhering to the substrate W is scattered around the substrate W due to the high-speed rotation of the substrate W. As a result, the IPA is removed from the substrate W and the substrate W dries. When a predetermined time has elapsed from the start of high-speed rotation of the substrate W, the spin motor 12 stops rotating. As a result, the rotation of the substrate W is stopped.

次に、基板Ｗをチャンバー４から搬出する搬出工程が行われる（図５のステップＳ６）。
具体的には、ガード昇降ユニット２７が、全てのガード２３を下位置まで下降させる。搬送ロボットは、複数のチャックピン９が基板Ｗの把持を解除した後、スピンチャック８上の基板Ｗをハンドで支持する。その後、搬送ロボットは、基板Ｗをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー４の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。 Next, a unloading step of unloading the substrate W from the chamber 4 is performed (step S6 in FIG. 5).
Specifically, the guard elevating unit 27 lowers all the guards 23 to the lower position. The transfer robot supports the substrate W on the spin chuck 8 by hand after the plurality of chuck pins 9 release the grip of the substrate W. After that, the transfer robot retracts the hand from the inside of the chamber 4 while supporting the substrate W with the hand. As a result, the processed substrate W is carried out from the chamber 4.

第１処理例
次に、基板ＷにＩＰＡを供給する前から、基板ＷにＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第１処理例）について説明する。
図６は、第１処理例について説明するためのフロチャートである。図７Ａ〜図７Ｉは、図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。 First Processing Example Next, an example (first processing example) of the flow from before supplying the IPA to the substrate W to after supplying the IPA to the substrate W will be described.
FIG. 6 is a flow chart for explaining the first processing example. 7A to 7I are schematic cross-sectional views showing a state in the flow path when the first processing example shown in FIG. 6 is performed.

図７Ａ〜図７Ｉでは、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。図７Ａにおいて液体の模様が描かれた領域は、綺麗なＩＰＡが存在する領域を示しており、図７Ａにおいてクロスハッチングされた領域は、汚染されたＩＰＡが存在する領域を示している。これは他の図でも同様である。
以下では、図１および図２を参照する。図６および図７Ａ〜図７Ｉについては適宜参照する。以下の動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。 In FIGS. 7A-7I, the open valve is shown in black and the closed valve is shown in white. In FIG. 7A, the area where the liquid pattern is drawn indicates the area where the clean IPA is present, and in FIG. 7A, the cross-hatched area shows the area where the contaminated IPA is present. This is the same in other figures.
In the following, reference will be made to FIGS. 1 and 2. 6 and 7A to 7I will be referred to as appropriate. The following operations are executed by the control device 3 controlling the board processing device 1.

溶剤バルブ４３が開かれるときは、弁体５４が弁座５３に擦れ（図３参照）、溶剤バルブ４３内にパーティクルが発生する。溶剤バルブ４３が閉じられるときも、弁体５４が弁座５３に擦れ、溶剤バルブ４３内にパーティクルが発生する。溶剤バルブ４３が閉じられるときに発生したパーティクルは、溶剤バルブ４３の内部に留まる。このパーティクルは、溶剤バルブ４３が開かれたときに、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡと共に溶剤バルブ４３から排出される。溶剤バルブ４３が開かれるときに発生したパーティクルも、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡと共に溶剤バルブ４３から排出される。 When the solvent valve 43 is opened, the valve body 54 rubs against the valve seat 53 (see FIG. 3), and particles are generated in the solvent valve 43. Even when the solvent valve 43 is closed, the valve body 54 rubs against the valve seat 53, and particles are generated in the solvent valve 43. The particles generated when the solvent valve 43 is closed stay inside the solvent valve 43. When the solvent valve 43 is opened, the particles are discharged from the solvent valve 43 together with the IPA passing through the solvent valve 43. Particles generated when the solvent valve 43 is opened are also discharged from the solvent valve 43 together with the IPA passing through the solvent valve 43.

図７Ａに示すように、溶剤バルブ４３が開かれた直後は、溶剤バルブ４３内のパーティクルがＩＰＡと共に溶剤バルブ４３から排出される。そのため、汚染されたＩＰＡ、つまり、単位体積あたりの含有パーティクル数が多いＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流れる。それ以降は、清浄なＩＰＡ、つまり、単位体積あたりの含有パーティクル数が少ないＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流れる。したがって、溶剤バルブ４３が開かれると、汚染されたＩＰＡが、先端流路６２内に流入し、これに続いて、清浄なＩＰＡが、先端流路６２内に流入する。汚染されたＩＰＡは、後続のＩＰＡ（清浄なＩＰＡ）によって下流に押し流される。 As shown in FIG. 7A, immediately after the solvent valve 43 is opened, the particles in the solvent valve 43 are discharged from the solvent valve 43 together with the IPA. Therefore, contaminated IPA, that is, IPA containing a large number of particles per unit volume, flows from the solvent valve 43 to the tip flow path 62. After that, clean IPA, that is, IPA containing a small number of particles per unit volume, flows from the solvent valve 43 to the tip flow path 62. Therefore, when the solvent valve 43 is opened, contaminated IPA flows into the tip flow path 62, followed by clean IPA into the tip flow path 62. The contaminated IPA is swept downstream by a subsequent IPA (clean IPA).

基板ＷにＩＰＡを供給するときは、綺麗なＩＰＡを先端流路６２内に保持する初回準備工程（図６のステップＳ１１）が行われる。
具体的には、図７Ａに示すように、溶剤ノズル４１が待機位置に位置しており、吸引バルブ４５が閉じられた状態で、溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、供給流路６１内のＩＰＡが溶剤バルブ４３を通過し、先端流路６２に流入する。溶剤バルブ４３が開いている間は、溶剤バルブ４３を介して供給流路６１から先端流路６２にＩＰＡが流れ続ける。 When supplying the IPA to the substrate W, an initial preparation step (step S11 in FIG. 6) for holding a clean IPA in the tip flow path 62 is performed.
Specifically, as shown in FIG. 7A, the solvent nozzle 41 is located at the standby position, and the solvent valve 43 is opened with the suction valve 45 closed. As a result, the IPA in the supply flow path 61 passes through the solvent valve 43 and flows into the tip flow path 62. While the solvent valve 43 is open, IPA continues to flow from the supply flow path 61 to the tip flow path 62 via the solvent valve 43.

図７Ａに示すように、溶剤バルブ４３が開かれると、単位体積あたりの含有パーティクル数が多い汚染されたＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。これに続いて、単位体積あたりの含有パーティクル数が少ない清浄なＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。汚染されたＩＰＡは、清浄なＩＰＡによって下流に押し流される。そのため、先端流路６２においてＩＰＡで満たされた領域が、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの方に広がる。このとき、吸引バルブ４５が閉じられているので、先端流路６２内のＩＰＡは、分岐流路６３に流入しない、もしくは、極僅かな量のＩＰＡしか分岐流路６３に流入しない。 As shown in FIG. 7A, when the solvent valve 43 is opened, contaminated IPA having a large number of particles contained per unit volume flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62. Following this, clean IPA containing a small number of particles per unit volume flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62. The contaminated IPA is swept downstream by a clean IPA. Therefore, the region filled with IPA in the tip flow path 62 extends toward the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. At this time, since the suction valve 45 is closed, the IPA in the tip flow path 62 does not flow into the branch flow path 63, or only a very small amount of IPA flows into the branch flow path 63.

図７Ｂに示すように、先端流路６２内を流れるＩＰＡが先端流路６２の下流端６２ｄに達すると、先端流路６２内のＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出され、待機ポット４９に受け止められる。これにより、溶剤バルブ４３を開いたときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡが、先端流路６２から排出される。
図７Ｃに示すように、汚染されたＩＰＡの全てが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されると、溶剤バルブ４３が閉じられる。これにより、清浄なＩＰＡだけが先端流路６２内に保持され、先端流路６２内で静止する。汚染されたＩＰＡの全てが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されたか否かは、溶剤バルブ４３を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、溶剤バルブ４３を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。 As shown in FIG. 7B, when the IPA flowing in the tip flow path 62 reaches the downstream end 62d of the tip flow path 62, the IPA in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, and the standby pot 49 Is accepted by. As a result, the contaminated IPA that has flowed into the tip flow path 62 when the solvent valve 43 is opened is discharged from the tip flow path 62.
As shown in FIG. 7C, when all of the contaminated IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, the solvent valve 43 is closed. As a result, only the clean IPA is held in the tip flow path 62 and rests in the tip flow path 62. Whether or not all of the contaminated IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 may be determined by the control device 3 based on the time when the solvent valve 43 is open, or has passed through the solvent valve 43. The control device 3 may make a determination based on the detection value of the flow meter that detects the flow rate of the IPA.

清浄なＩＰＡが先端流路６２内に保持された後は、このＩＰＡを基板Ｗに供給するＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）が行われる。図６に示すＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）は、図５に示すＩＰＡ供給工程（図５のステップＳ４）に対応するものである。
具体的には、前の工程（ここでは、初回準備工程）で先端流路６２に流入した清浄なＩＰＡが先端流路６２内に保持さている状態で、ノズル移動ユニット４８が溶剤ノズル４１を処理位置に移動させる。図７Ｄに示すように、その後、溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、汚染されたＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入し、これに続いて、清浄なＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。予め先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡは、新たに流入したＩＰＡによって下流に押し流される。これにより、予め先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡの一部が、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから基板Ｗに向けて吐出される。 After the clean IPA is held in the tip flow path 62, an IPA supply step (step S12 in FIG. 6) of supplying this IPA to the substrate W is performed. The IPA supply process shown in FIG. 6 (step S12 in FIG. 6) corresponds to the IPA supply process shown in FIG. 5 (step S4 in FIG. 5).
Specifically, the nozzle moving unit 48 processes the solvent nozzle 41 while the clean IPA flowing into the tip flow path 62 in the previous step (here, the initial preparation step) is held in the tip flow path 62. Move to position. As shown in FIG. 7D, the solvent valve 43 is then opened. As a result, the contaminated IPA flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62, and subsequently, the clean IPA flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62. The clean IPA previously held in the tip flow path 62 is swept downstream by the newly inflowing IPA. As a result, a part of the clean IPA previously held in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 toward the substrate W.

ＩＰＡ供給工程において溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されるＩＰＡの量、つまり、１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量は、予め先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡの量よりも少ない。したがって、図７Ｅに示すように、溶剤バルブ４３は、先端流路６２内に保持された清浄なＩＰＡの一部が溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出され、その残りが先端流路６２に残留している状態で閉じられる。このような状態であるか否かは、溶剤バルブ４３を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、溶剤バルブ４３を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。 In the IPA supply process, the amount of IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, that is, the amount of IPA supplied to one substrate W is the amount of clean IPA previously held in the tip flow path 62. Less than the amount. Therefore, as shown in FIG. 7E, in the solvent valve 43, a part of the clean IPA held in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, and the rest remains in the tip flow path 62. It is closed while it is closed. Whether or not it is in such a state may be determined by the control device 3 based on the time when the solvent valve 43 is open, or the detection value of the flow meter that detects the flow rate of the IPA that has passed through the solvent valve 43. The control device 3 may determine based on the above.

図７Ｅに示すように、溶剤バルブ４３が閉じられると、前の工程で先端流路６２に流入してＩＰＡ供給工程で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されなかったＩＰＡが先端流路６２内に保持される。加えて、ＩＰＡ供給工程で先端流路６２に流入した全てのＩＰＡが先端流路６２内に保持される。ＩＰＡ供給工程で先端流路６２に流入したＩＰＡには、汚染されたＩＰＡが含まれている。したがって、清浄なＩＰＡだけが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出され、汚染されたＩＰＡは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されずに先端流路６２内に保持される。溶剤バルブ４３が閉じられた後は、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されている状態で、ノズル移動ユニット４８が溶剤ノズル４１を待機位置に移動させる。 As shown in FIG. 7E, when the solvent valve 43 is closed, the IPA that flows into the tip flow path 62 in the previous step and is not discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 in the IPA supply step is inside the tip flow path 62. Is held in. In addition, all the IPA that has flowed into the tip flow path 62 in the IPA supply process is held in the tip flow path 62. The IPA that has flowed into the tip flow path 62 in the IPA supply process contains contaminated IPA. Therefore, only clean IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, and the contaminated IPA is held in the tip flow path 62 without being discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. After the solvent valve 43 is closed, the nozzle moving unit 48 moves the solvent nozzle 41 to the standby position while the IPA is held in each part of the tip flow path 62.

ＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐからのＩＰＡの吐出が停止された後に、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給する場合（図６のステップＳ１３でＹｅｓ）は、汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出し、綺麗なＩＰＡを先端流路６２内に保持する排出工程（図６のステップＳ１４）が行われる。 After the discharge of IPA from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is stopped in the IPA supply step (step S12 in FIG. 6), the IPA is continuously supplied to the next substrate W by the same processing unit 2 (step in FIG. 6). Yes) in S13 performs a discharge step (step S14 in FIG. 6) of discharging the contaminated IPA from the tip flow path 62 and holding a clean IPA in the tip flow path 62.

具体的には、溶剤バルブ４３が閉じられた後、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されている状態で、溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、図７Ｆに示すように、汚染されたＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入し、これに続いて、清浄なＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。予め先端流路６２内に保持されているＩＰＡ、すなわち、前の工程（ここでは、初回準備工程）で先端流路６２に流入してＩＰＡ供給工程で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されずに先端流路６２に残ったＩＰＡと、ＩＰＡ供給工程で先端流路６２に流入した全てのＩＰＡとが、新たに流入したＩＰＡによって溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの方に押し流される。 Specifically, after the solvent valve 43 is closed, the solvent valve 43 is opened with the IPA held in each part of the tip flow path 62. As a result, as shown in FIG. 7F, contaminated IPA flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62, and subsequently, clean IPA flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62. IPA held in the tip flow path 62 in advance, that is, it flows into the tip flow path 62 in the previous step (here, the initial preparation step) and is not discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 in the IPA supply step. The IPA remaining in the tip flow path 62 and all the IPA flowing into the tip flow path 62 in the IPA supply process are swept toward the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 by the newly flowed IPA.

予め先端流路６２内に保持されている全てのＩＰＡは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから待機ポット４９に向けて吐出される。さらに、排出工程で先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡも、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから待機ポット４９に向けて吐出される。したがって、先端流路６２は清浄なＩＰＡだけで満たされる。その後、この状態で溶剤バルブ４３が閉じられる。これにより、図７Ｇに示すように、清浄なＩＰＡだけが先端流路６２内に保持され、先端流路６２内で静止する。 All the IPAs previously held in the tip flow path 62 are discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 toward the standby pot 49. Further, the contaminated IPA that has flowed into the tip flow path 62 in the discharge step is also discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 toward the standby pot 49. Therefore, the tip flow path 62 is filled only with clean IPA. After that, the solvent valve 43 is closed in this state. As a result, as shown in FIG. 7G, only the clean IPA is held in the tip flow path 62 and rests in the tip flow path 62.

汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出した後に、次の基板ＷにＩＰＡを供給するとき、つまり、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程を行うときは、排出工程が終了してから次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が開始されるまでの時間（滞在時間）が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程が行われる（図６のステップＳ１５）。
滞在時間が所定時間を超えていない場合（図６のステップＳ１５でＮｏ）は、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図６のステップＳ１２に戻る）。その後、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給する場合（図６のステップＳ１３でＹｅｓ）は、再び、排出工程（図６のステップＳ１４）およびＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）が実行される。つまり、初回準備工程を行った後は、ＩＰＡ供給工程から排出工程までの１つのサイクルを基板Ｗの枚数分だけ繰り返す。これにより、清浄なＩＰＡが複数枚の基板Ｗに供給され、これらの基板Ｗが処理される。 When supplying the IPA to the next substrate W after discharging the contaminated IPA from the tip flow path 62, that is, when performing the IPA supply process for the next substrate W, the next substrate is performed after the discharging process is completed. A stay time determination step for determining whether or not the time (stay time) until the IPA supply process for W is started exceeds a predetermined time is performed (step S15 in FIG. 6).
When the staying time does not exceed the predetermined time (No in step S15 of FIG. 6), the IPA supply step for the next substrate W is executed (returning to step S12 of FIG. 6). After that, when IPA is continuously supplied to the next substrate W by the same processing unit 2 (Yes in step S13 of FIG. 6), the discharge step (step S14 of FIG. 6) and the IPA supply step (step S12 of FIG. 6) are again performed. ) Is executed. That is, after performing the initial preparation step, one cycle from the IPA supply step to the discharge step is repeated for the number of substrates W. As a result, clean IPA is supplied to a plurality of substrates W, and these substrates W are processed.

その一方で、滞在時間が所定時間を超えている場合、つまり、排出工程が終了してから次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が開始されるまでの時間が長い場合（図６のステップＳ１５でＹｅｓ）は、初回準備工程と同様の処理液置換工程が行われる（図６のステップＳ１６）。これにより、先端流路６２内に保持されている全てのＩＰＡが、清浄な新しいＩＰＡで置換される。その後、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図６のステップＳ１２に戻る）。これにより、安定した品質のＩＰＡを次の基板Ｗに供給することができる。 On the other hand, when the staying time exceeds a predetermined time, that is, when the time from the end of the discharging process to the start of the IPA supply process for the next substrate W is long (Yes in step S15 of FIG. 6). ) Is a treatment liquid replacement step similar to the initial preparation step (step S16 in FIG. 6). As a result, all the IPA held in the tip flow path 62 is replaced with a clean new IPA. After that, the IPA supply step for the next substrate W is executed (returning to step S12 in FIG. 6). As a result, IPA of stable quality can be supplied to the next substrate W.

また、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給しない場合、つまり、同じ処理ユニット２での基板Ｗの処理を終了する場合（図６のステップＳ１３でＮｏ）は、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを分岐流路６３に吸引することにより、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐおよびその近傍を空にするサックバック工程（図６のステップＳ１７）が行われる。 Further, when the IPA is not continuously supplied to the next substrate W by the same processing unit 2, that is, when the processing of the substrate W by the same processing unit 2 is completed (No in step S13 of FIG. 6), the tip flow path 62 By sucking the IPA held inside into the branch flow path 63, a suckback step (step S17 in FIG. 6) is performed in which the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 and its vicinity are emptied.

具体的には、図７Ｈに示すように、溶剤バルブ４３が閉じられた状態で吸引バルブ４５が開かれる。吸引バルブ４５が開かれると、吸引装置４６の吸引力が分岐流路６３および分岐位置Ｐ１を通じて先端流路６２に伝達される。これにより、空気が溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐを通じて下流部６２ｂに吸引されながら、ＩＰＡが分岐位置Ｐ１を通じて下流部６２ｂから分岐流路６３に吸引される。その一方で、溶剤バルブ４３が閉じられているので、上流部６２ａに保持されている全てまたは殆ど全てのＩＰＡは、分岐流路６３に吸引されずその場（上流部６２ａ）に残る。 Specifically, as shown in FIG. 7H, the suction valve 45 is opened with the solvent valve 43 closed. When the suction valve 45 is opened, the suction force of the suction device 46 is transmitted to the tip flow path 62 through the branch flow path 63 and the branch position P1. As a result, the IPA is sucked from the downstream portion 62b to the branch flow path 63 through the branch position P1 while the air is sucked into the downstream portion 62b through the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. On the other hand, since the solvent valve 43 is closed, all or almost all IPAs held in the upstream portion 62a are not sucked into the branch flow path 63 and remain in place (upstream portion 62a).

図７Ｉに示すように、下流部６２ｂ内のＩＰＡが分岐流路６３に吸引され、下流部６２ｂが空になると、吸引バルブ４５が閉じられる。下流部６２ｂが空になったか否かは、吸引バルブ４５を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、吸引バルブ４５を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。吸引バルブ４５が閉じられた後は、次の基板Ｗに対する初回準備工程を開始するまでこの状態が維持される。 As shown in FIG. 7I, when the IPA in the downstream portion 62b is sucked into the branch flow path 63 and the downstream portion 62b becomes empty, the suction valve 45 is closed. Whether or not the downstream portion 62b is emptied may be determined by the control device 3 based on the time when the suction valve 45 is open, or the detection of the flow meter that detects the flow rate of the IPA that has passed through the suction valve 45. The control device 3 may determine based on the value. After the suction valve 45 is closed, this state is maintained until the initial preparation step for the next substrate W is started.

第２処理例
次に、基板ＷにＩＰＡを供給する前から、基板ＷにＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第２処理例）について説明する。
図８は、第２処理例について説明するためのフロチャートである。図９Ａ〜図９Ｂは、図８に示す第２処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。図９Ａ〜図９Ｂでは、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。 Second Processing Example Next, an example (second processing example) of the flow from before supplying the IPA to the substrate W to after supplying the IPA to the substrate W will be described.
FIG. 8 is a flow chart for explaining a second processing example. 9A to 9B are schematic cross-sectional views showing a state in the flow path when the second processing example shown in FIG. 8 is performed. In FIGS. 9A-9B, open valves are shown in black and closed valves are shown in white.

以下では、図１および図２を参照する。図８および図９Ａ〜図９Ｂについては適宜参照する。以下の動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。
第２処理例における初回準備工程（図８のステップＳ２１）からＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）までの流れは、第１処理例と同様であるので、以下では、初回準備工程およびＩＰＡ供給工程が行われた後の流れについて説明する。 In the following, reference will be made to FIGS. 1 and 2. 8 and 9A-9B will be referred to as appropriate. The following operations are executed by the control device 3 controlling the board processing device 1.
Since the flow from the initial preparation step (step S21 in FIG. 8) to the IPA supply step (step S22 in FIG. 8) in the second processing example is the same as in the first processing example, the initial preparation step and the IPA supply are described below. The flow after the process is performed will be described.

ＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐからのＩＰＡの吐出が停止された後に、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給する場合（図８のステップＳ２３でＹｅｓ）は、汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出し、綺麗なＩＰＡを先端流路６２内に保持する排出工程（図８のステップＳ２４）が行われる。 After the discharge of IPA from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is stopped in the IPA supply step (step S22 in FIG. 8), the IPA is continuously supplied to the next substrate W by the same processing unit 2 (step in FIG. 8). Yes) in S23 performs a discharge step (step S24 in FIG. 8) of discharging the contaminated IPA from the tip flow path 62 and holding a clean IPA in the tip flow path 62.

具体的には、溶剤バルブ４３が閉じられており、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されている状態で、吸引バルブ４５が開かれる。吸引バルブ４５は、溶剤ノズル４１が待機位置または処理位置に位置しているときに開かれてもよいし、待機位置と処理位置との間に位置しているときに開かれてもよい。吸引バルブ４５が開かれると、吸引装置４６の吸引力が分岐流路６３および分岐位置Ｐ１を通じて先端流路６２に伝達される。これにより、図９Ａに示すように、空気が溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐを通じて下流部６２ｂに吸引されながら、ＩＰＡが分岐位置Ｐ１を通じて下流部６２ｂから分岐流路６３に吸引される。その一方で、溶剤バルブ４３が閉じられているので、上流部６２ａに保持されている全てまたは殆ど全てのＩＰＡは、分岐流路６３に吸引されずその場（上流部６２ａ）に残る。 Specifically, the suction valve 45 is opened with the solvent valve 43 closed and the IPA held in each part of the tip flow path 62. The suction valve 45 may be opened when the solvent nozzle 41 is located at the standby position or the processing position, or may be opened when the solvent nozzle 41 is located between the standby position and the processing position. When the suction valve 45 is opened, the suction force of the suction device 46 is transmitted to the tip flow path 62 through the branch flow path 63 and the branch position P1. As a result, as shown in FIG. 9A, the IPA is sucked from the downstream portion 62b to the branch flow path 63 through the branch position P1 while the air is sucked into the downstream portion 62b through the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. On the other hand, since the solvent valve 43 is closed, all or almost all IPAs held in the upstream portion 62a are not sucked into the branch flow path 63 and remain in place (upstream portion 62a).

ＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）で先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡは、先端流路６２の上流部６２ａではなく、先端流路６２の下流部６２ｂに保持される（図７Ｅ参照）。言い換えると、ＩＰＡ供給工程で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されるＩＰＡの量と、先端流路６２および分岐流路６３が接続された分岐位置Ｐ１とは、汚染されたＩＰＡが先端流路６２の下流部６２ｂに保持されるように設定されている。したがって、図９Ａに示すように、吸引バルブ４５が開かれると、下流部６２ｂに保持されている汚染されたＩＰＡが分岐流路６３に排出される。その一方で、清浄なＩＰＡだけが、上流部６２ａに保持される。 The contaminated IPA that has flowed into the tip flow path 62 in the IPA supply step (step S22 in FIG. 8) is held not in the upstream portion 62a of the tip flow path 62 but in the downstream portion 62b of the tip flow path 62 (FIG. 7E). reference). In other words, the amount of IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 in the IPA supply process and the branch position P1 to which the tip flow path 62 and the branch flow path 63 are connected are such that the contaminated IPA is the tip flow path. It is set to be held in the downstream portion 62b of 62. Therefore, as shown in FIG. 9A, when the suction valve 45 is opened, the contaminated IPA held in the downstream portion 62b is discharged to the branch flow path 63. On the other hand, only clean IPA is retained in the upstream portion 62a.

図９Ｂに示すように、吸引バルブ４５は、下流部６２ｂに保持されている汚染されたＩＰＡの全てが分岐流路６３に排出された後に閉じられる。汚染されたＩＰＡの全てが分岐流路６３に排出されるのであれば、吸引バルブ４５は、下流部６２ｂの全体が空になる前に閉じられてもよい。汚染されたＩＰＡの全てが分岐流路６３に排出されたか否かは、吸引バルブ４５を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、吸引バルブ４５を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。 As shown in FIG. 9B, the suction valve 45 is closed after all of the contaminated IPA held in the downstream portion 62b has been discharged into the branch flow path 63. If all of the contaminated IPA is discharged into the branch flow path 63, the suction valve 45 may be closed before the entire downstream portion 62b is emptied. Whether or not all of the contaminated IPA is discharged to the branch flow path 63 may be determined by the control device 3 based on the time when the suction valve 45 is open, or the flow rate of the IPA passing through the suction valve 45 may be determined. The control device 3 may determine based on the detection value of the flow meter that detects the above.

汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出した後に、次の基板ＷにＩＰＡを供給するとき、つまり、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程を行うときは、排出工程（図８のステップＳ２４）が終了してから次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）が開始されるまでの時間（滞在時間）が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程が行われる（図８のステップＳ２５）。 When the IPA is supplied to the next substrate W after the contaminated IPA is discharged from the tip flow path 62, that is, when the IPA supply step to the next substrate W is performed, the discharge step (step S24 in FIG. 8) is performed. A stay time determination step is performed to determine whether or not the time (stay time) from the end to the start of the IPA supply process (step S22 in FIG. 8) for the next substrate W exceeds a predetermined time (FIG. 8). Step S25 of 8.

滞在時間が所定時間を超えていない場合（図８のステップＳ２５でＮｏ）は、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図８のステップＳ２２に戻る）。滞在時間が所定時間を超えている場合（図８のステップＳ２５でＹｅｓ）は、第１処理例と同様の処理液置換工程が行われる（図８のステップＳ２６）。その後、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図８のステップＳ２２に戻る）。 When the staying time does not exceed the predetermined time (No in step S25 of FIG. 8), the IPA supply step for the next substrate W is executed (returning to step S22 of FIG. 8). When the staying time exceeds a predetermined time (Yes in step S25 of FIG. 8), the same treatment liquid replacement step as in the first treatment example is performed (step S26 of FIG. 8). After that, the IPA supply step for the next substrate W is executed (returning to step S22 in FIG. 8).

また、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給しない場合、つまり、同じ処理ユニット２での基板Ｗの処理を終了する場合（図８のステップＳ２３でＮｏ）は、第１処理例と同様のサックバック工程が行われる（図８のステップＳ２７）。その後、次の基板Ｗに対する初回準備工程（図８のステップＳ２１）を開始するまでこの状態が維持される。 Further, when the IPA is not continuously supplied to the next substrate W by the same processing unit 2, that is, when the processing of the substrate W by the same processing unit 2 is completed (No in step S23 of FIG. 8), the first processing example. The same suckback step is performed (step S27 in FIG. 8). After that, this state is maintained until the initial preparation step for the next substrate W (step S21 in FIG. 8) is started.

以上のように本実施形態では、ＩＰＡを基板Ｗに供給する前に溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、溶剤バルブ４３内で発生したパーティクルで汚染されたＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。これに続いて、含有パーティクルが少ない清浄なＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。つまり、汚染されたＩＰＡが溶剤バルブ４３を最初に通過し、これに続いて、清浄なＩＰＡが溶剤バルブ４３を通過する。 As described above, in the present embodiment, the solvent valve 43 is opened before the IPA is supplied to the substrate W. As a result, the IPA contaminated with the particles generated in the solvent valve 43 flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62. Following this, clean IPA containing less particles flows from the solvent valve 43 into the tip flow path 62. That is, the contaminated IPA first passes through the solvent valve 43, followed by the clean IPA through the solvent valve 43.

汚染されたＩＰＡは、清浄なＩＰＡによって下流に押し流される。先端流路６２内を流れるＩＰＡが先端流路６２の下流端６２ｄに達すると、先端流路６２内のＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出される。これにより、溶剤バルブ４３を開いたときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡが、先端流路６２から排出される。汚染されたＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出された後は、溶剤バルブ４３が閉じられる。これにより、清浄なＩＰＡが先端流路６２内に保持され、先端流路６２内で静止する。 The contaminated IPA is swept downstream by a clean IPA. When the IPA flowing in the tip flow path 62 reaches the downstream end 62d of the tip flow path 62, the IPA in the tip flow path 62 is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. As a result, the contaminated IPA that has flowed into the tip flow path 62 when the solvent valve 43 is opened is discharged from the tip flow path 62. After the contaminated IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41, the solvent valve 43 is closed. As a result, the clean IPA is held in the tip flow path 62 and rests in the tip flow path 62.

その後、溶剤バルブ４３が再び開かれる。先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡは、新たに流入したＩＰＡによって下流に押し流され、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから基板Ｗに向けて吐出される。これにより、清浄なＩＰＡが基板Ｗに供給される。その後、溶剤バルブ４３が閉じられ、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐからのＩＰＡの吐出が停止される。それと同時に、新たに流入したＩＰＡの全てが先端流路６２内に保持される。 After that, the solvent valve 43 is opened again. The clean IPA held in the tip flow path 62 is swept downstream by the newly inflowing IPA, and is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 toward the substrate W. As a result, a clean IPA is supplied to the substrate W. After that, the solvent valve 43 is closed, and the discharge of IPA from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is stopped. At the same time, all of the newly flowed IPA is held in the tip flow path 62.

このように、綺麗なＩＰＡが先端流路６２内に保持された状態で溶剤バルブ４３を開き、このＩＰＡを基板Ｗに向けて吐出する。その後、溶剤バルブ４３を通過した全てのＩＰＡを先端流路６２内に保持する。溶剤バルブ４３を通過したＩＰＡには、汚染されたＩＰＡも含まれている。したがって、汚染されたＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されることを回避しながら、清浄なＩＰＡだけを溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出させることができる。これにより、基板Ｗに供給されるＩＰＡに含まれるパーティクルが減少するので、乾燥後の基板Ｗの清浄度を高めることができる。 In this way, the solvent valve 43 is opened with the clean IPA held in the tip flow path 62, and the IPA is discharged toward the substrate W. After that, all the IPAs that have passed through the solvent valve 43 are held in the tip flow path 62. The IPA that has passed through the solvent valve 43 also contains a contaminated IPA. Therefore, only clean IPA can be discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 while avoiding that the contaminated IPA is discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. As a result, the number of particles contained in the IPA supplied to the substrate W is reduced, so that the cleanliness of the substrate W after drying can be improved.

本実施形態では、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されたＩＰＡが付着している基板Ｗを乾燥させる。溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されたＩＰＡは、含有パーティクルが少ない清浄なＩＰＡである。したがって、基板Ｗに保持されているパーティクルが少ない状態で基板Ｗを乾燥させることができる。これにより、乾燥後の基板Ｗに残留するパーティクルを減らすことができ、乾燥後の基板Ｗの清浄度を高めることができる。 In the present embodiment, the substrate W to which the IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is attached is dried. The IPA discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 is a clean IPA containing a small amount of particles. Therefore, the substrate W can be dried with a small amount of particles held on the substrate W. As a result, the number of particles remaining on the dried substrate W can be reduced, and the cleanliness of the dried substrate W can be improved.

本実施形態では、基板Ｗに向けてＩＰＡを吐出するときに溶剤バルブ４３を最初に通過し、ＩＰＡの吐出を停止したときに先端流路６２内に保持されたＩＰＡが、先端流路６２から排出される。つまり、汚染されたＩＰＡが先端流路６２から排出される。したがって、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを次の基板Ｗに供給するときに、汚染されたＩＰＡが基板Ｗに向けて吐出されることを防止できる。これにより、複数枚の基板Ｗを処理するときに、各基板Ｗの清浄度を高めることができる。 In the present embodiment, the IPA that first passes through the solvent valve 43 when discharging the IPA toward the substrate W and is held in the tip flow path 62 when the discharge of the IPA is stopped is transmitted from the tip flow path 62. It is discharged. That is, the contaminated IPA is discharged from the tip flow path 62. Therefore, when the IPA held in the tip flow path 62 is supplied to the next substrate W, it is possible to prevent the contaminated IPA from being discharged toward the substrate W. Thereby, when processing a plurality of substrates W, the cleanliness of each substrate W can be improved.

本実施形態では、同じＩＰＡが先端流路６２内に長時間保持された場合、溶剤バルブ４３が開かれ、新たなＩＰＡが先端流路６２内に供給される。これにより、古いＩＰＡが新しいＩＰＡによって下流に押され、先端流路６２から排出される。その後、溶剤バルブ４３を最初に通過したＩＰＡ以外のＩＰＡ、つまり、綺麗なＩＰＡが先端流路６２内に保持される。 In the present embodiment, when the same IPA is held in the tip flow path 62 for a long time, the solvent valve 43 is opened and a new IPA is supplied into the tip flow path 62. As a result, the old IPA is pushed downstream by the new IPA and discharged from the tip flow path 62. After that, an IPA other than the IPA that first passed through the solvent valve 43, that is, a clean IPA is held in the tip flow path 62.

ＩＰＡの性質は、時間の経過に伴って変化する場合がある。先端流路６２内に滞在している時間が短ければ無視できる程度の変化しか発生しないが、先端流路６２内に滞在している時間が長いと、処理の結果に影響を及ぼし得る性質の変化が発生するかもしれない。したがって、古いＩＰＡを新しい綺麗なＩＰＡで置換することにより、複数枚の基板Ｗにおける品質のばらつきを抑えることができる。 The nature of IPA may change over time. If the time spent in the tip flow path 62 is short, only negligible changes occur, but if the time stayed in the tip flow path 62 is long, changes in properties that can affect the processing result. May occur. Therefore, by replacing the old IPA with a new clean IPA, it is possible to suppress the variation in quality in the plurality of substrates W.

本実施形態の第１処理例では、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを排出するために、基板ＷへのＩＰＡの供給が停止された後に、溶剤バルブ４３が開かれ、新たなＩＰＡが先端流路６２に供給される。基板ＷへのＩＰＡの供給を停止したときに先端流路６２内に保持された全てのＩＰＡは、新たなＩＰＡによって下流に押し流され、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出される。これにより、基板ＷへのＩＰＡの供給を停止したときに先端流路６２内に保持された汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出することができる。 In the first processing example of the present embodiment, in order to discharge the IPA held in the tip flow path 62, the solvent valve 43 is opened after the supply of the IPA to the substrate W is stopped, and a new IPA is used. Is supplied to the tip flow path 62. All the IPA held in the tip flow path 62 when the supply of the IPA to the substrate W is stopped is swept downstream by the new IPA and discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. As a result, the contaminated IPA held in the tip flow path 62 when the supply of the IPA to the substrate W is stopped can be discharged from the tip flow path 62.

さらに、溶剤バルブ４３を開いたときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡも、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出される。その後、溶剤バルブ４３が閉じられ、綺麗なＩＰＡが先端流路６２内に保持される。したがって、次の基板Ｗに綺麗なＩＰＡを供給することができる。さらに、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されるので、先端流路６２の一部だけにＩＰＡを保持する場合と比較して、次の基板Ｗに供給できるＩＰＡの量を増やすことができる。 Further, the contaminated IPA that has flowed into the tip flow path 62 when the solvent valve 43 is opened is also discharged from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. After that, the solvent valve 43 is closed and a clean IPA is maintained in the tip flow path 62. Therefore, a clean IPA can be supplied to the next substrate W. Further, since the IPA is held in each part of the tip flow path 62, the amount of IPA that can be supplied to the next substrate W can be increased as compared with the case where the IPA is held only in a part of the tip flow path 62. ..

本実施形態の第２処理例では、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを排出するために、基板ＷへのＩＰＡの供給が停止された後に、溶剤バルブ４３が閉じた状態で吸引バルブ４５が開かれる。これにより、吸引力が分岐流路６３を介して先端流路６２に伝達され、先端流路６２の下流部６２ｂから分岐流路６３にＩＰＡが吸引される。その一方で、溶剤バルブ４３が閉じられているので、先端流路６２の上流部６２ａに保持されているＩＰＡはその場（上流部６２ａ）に残る。 In the second processing example of the present embodiment, in order to discharge the IPA held in the tip flow path 62, the suction valve is in a state where the solvent valve 43 is closed after the supply of the IPA to the substrate W is stopped. 45 is opened. As a result, the suction force is transmitted to the tip flow path 62 via the branch flow path 63, and the IPA is sucked from the downstream portion 62b of the tip flow path 62 to the branch flow path 63. On the other hand, since the solvent valve 43 is closed, the IPA held in the upstream portion 62a of the tip flow path 62 remains in place (upstream portion 62a).

基板Ｗに向けてＩＰＡを吐出するときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡは、先端流路６２の下流部６２ｂに保持されている。したがって、先端流路６２の下流部６２ｂから分岐流路６３にＩＰＡを吸引することにより、綺麗なＩＰＡを先端流路６２を残しながら、汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出できる。これにより、次の基板Ｗに綺麗なＩＰＡを供給できる。さらに、先端流路６２の下流部６２ｂから分岐流路６３にＩＰＡを逆流させると、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの上流の位置から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐまでの範囲が空になるので、ＩＰＡが意図せず溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから落下する現象（いわゆる、ボタ落ち）を防止できる。 The contaminated IPA that has flowed into the tip flow path 62 when the IPA is discharged toward the substrate W is held in the downstream portion 62b of the tip flow path 62. Therefore, by sucking the IPA from the downstream portion 62b of the tip flow path 62 to the branch flow path 63, the contaminated IPA can be discharged from the tip flow path 62 while leaving the tip flow path 62 as a clean IPA. As a result, a clean IPA can be supplied to the next substrate W. Further, when the IPA is made to flow back from the downstream portion 62b of the tip flow path 62 to the branch flow path 63, the range from the position upstream of the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 to the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 becomes empty. It is possible to prevent the IPA from unintentionally dropping from the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 (so-called drop-off).

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、制御装置３は、薬液やリンス液などのＩＰＡ以外の処理液を基板Ｗに供給するときに、第１処理例または第２処理例を行ってもよい。つまり、第１処理例および第２処理例が行われる処理液は、基板Ｗを乾燥させるときに基板Ｗに付着している処理液以外の処理液であってもよい。 Other Embodiments The present invention is not limited to the contents of the above-described embodiments, and various modifications can be made.
For example, the control device 3 may perform a first treatment example or a second treatment example when supplying a treatment liquid other than IPA such as a chemical liquid or a rinsing liquid to the substrate W. That is, the treatment liquid in which the first treatment example and the second treatment example are performed may be a treatment liquid other than the treatment liquid adhering to the substrate W when the substrate W is dried.

ＩＰＡの経時変化が基板Ｗの品質に与える影響が無視できる程度であれば、制御装置３は、第１処理例および第２処理例において、処理液置換工程（図６のステップＳ１６および図８のステップＳ２６）を省略してもよい。
制御装置３は、第１処理例の排出工程（図６のステップＳ１４）を行った後に、第１処理例のＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）と第２処理例の排出工程（図８のステップＳ２４）とを行ってもよい。これとは反対に、制御装置３は、第２処理例の排出工程（図８のステップＳ２４）を行った後に、第２処理例のＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）と第１処理例の排出工程（図６のステップＳ１４）とを行ってもよい。 If the influence of the change over time of IPA on the quality of the substrate W is negligible, the control device 3 may use the treatment liquid replacement step (steps S16 and 8 in FIG. 6) in the first treatment example and the second treatment example. Step S26) may be omitted.
After performing the discharge step of the first treatment example (step S14 in FIG. 6), the control device 3 performs the IPA supply step of the first treatment example (step S12 of FIG. 6) and the discharge step of the second treatment example (FIG. 8). Step S24) may be performed. On the contrary, the control device 3 performs the discharge step (step S24 in FIG. 8) of the second treatment example, and then the IPA supply step (step S22 in FIG. 8) of the second treatment example and the first treatment example. (Step S14 in FIG. 6) may be performed.

第１処理例の初回準備工程（図６のステップＳ１１）および第２処理例の初回準備工程（図８のステップＳ２１）において、ＩＰＡは、先端流路６２だけではなく、先端流路６２および分岐流路６３の両方に保持されてもよい。この場合、溶剤バルブ４３および吸引バルブ４５の両方を開けばよい。
溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから分岐流路６３の下流端６３ｄまでがＩＰＡで満たされており、分岐流路６３の下流端６３ｄが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐよりも下方に配置されている場合、吸引バルブ４５を開くと、先端流路６２の下流部６２ｂ内のＩＰＡが、サイフォンの原理により分岐流路６３の方に吸引される。したがって、先端流路６２および分岐流路６３の両方にＩＰＡを保持させる場合は、吸引装置４６を用いずに下流部６２ｂ内のＩＰＡを分岐流路６３の方に吸引してもよい。 In the initial preparation step of the first processing example (step S11 in FIG. 6) and the initial preparation step of the second processing example (step S21 in FIG. 8), the IPA is not only the tip flow path 62 but also the tip flow path 62 and the branch. It may be held in both of the flow paths 63. In this case, both the solvent valve 43 and the suction valve 45 may be opened.
When the discharge port 41p of the solvent nozzle 41 to the downstream end 63d of the branch flow path 63 are filled with IPA, and the downstream end 63d of the branch flow path 63 is arranged below the discharge port 41p of the solvent nozzle 41. When the suction valve 45 is opened, the IPA in the downstream portion 62b of the tip flow path 62 is sucked toward the branch flow path 63 by the siphon principle. Therefore, when the IPA is held in both the tip flow path 62 and the branch flow path 63, the IPA in the downstream portion 62b may be sucked toward the branch flow path 63 without using the suction device 46.

制御装置３は、第１処理例の排出工程（図６のステップＳ１４）において、溶剤バルブ４３が開いた状態で溶剤バルブ４３の開度の増加および減少を複数回行うことにより、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡの流量を変化させる流量変更工程を行ってもよい。この場合、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡの流量が変化し、溶剤バルブ４３に付着しているパーティクルに加わる液圧が変化する。これにより、溶剤バルブ４３からパーティクルを効果的に剥がすことができ、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡの清浄度を高めることができる。 In the discharge step (step S14 in FIG. 6) of the first treatment example, the control device 3 increases and decreases the opening degree of the solvent valve 43 a plurality of times with the solvent valve 43 open, thereby causing the solvent valve 43 to be opened. A flow rate changing step may be performed to change the flow rate of the passing IPA. In this case, the flow rate of the IPA passing through the solvent valve 43 changes, and the hydraulic pressure applied to the particles adhering to the solvent valve 43 changes. As a result, the particles can be effectively peeled off from the solvent valve 43, and the cleanliness of the IPA passing through the solvent valve 43 can be improved.

ＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２および図８のステップＳ２２）を行う前に、先端流路６２内に保持される清浄なＩＰＡの量は、１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量を超え、２枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量以下の量であってもよいし、２枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量を超える量であってもよい。後者の場合、ＩＰＡ供給工程を行う度に排出工程（図６のステップＳ１４および図８のステップＳ２４）を行わなくてもよい。 Before performing the IPA supply step (step S12 in FIG. 6 and step S22 in FIG. 8), the amount of clean IPA held in the tip flow path 62 is the amount of IPA supplied to one substrate W. The amount may exceed the amount of IPA supplied to the two substrates W, or may exceed the amount of IPA supplied to the two substrates W. In the latter case, it is not necessary to perform the discharge step (step S14 in FIG. 6 and step S24 in FIG. 8) every time the IPA supply step is performed.

１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量は、１枚の基板Ｗに供給される薬液の量よりも少なくてもよい。基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合、１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量は、０を超える１０ｍｌ未満の量（たとえば、８ｍｌ）であってもよい。もちろん、これ以上のＩＰＡが基板Ｗに供給されてもよい。
溶剤ノズル４１は、水平に移動可能なスキャンノズルに限らず、チャンバー４の隔壁５に対して固定された固定ノズルであってもよいし、基板Ｗの上方に配置されていてもよい。 The amount of IPA supplied to one substrate W may be less than the amount of chemical solution supplied to one substrate W. When the diameter of the substrate W is 300 mm, the amount of IPA supplied to one substrate W may be more than 0 and less than 10 ml (for example, 8 ml). Of course, more IPA may be supplied to the substrate W.
The solvent nozzle 41 is not limited to the scan nozzle that can move horizontally, and may be a fixed nozzle fixed to the partition wall 5 of the chamber 4 or may be arranged above the substrate W.

基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 The substrate processing device 1 is not limited to an apparatus for processing a disk-shaped substrate W, and may be an apparatus for processing a polygonal substrate W.
Two or more of all the above configurations may be combined. Two or more of all the steps described above may be combined.
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

１ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット
３ ：制御装置
８ ：スピンチャック（基板保持手段）
１２ ：スピンモータ（乾燥手段）
４１ ：溶剤ノズル
４１ｐ ：吐出口
４２ ：溶剤配管
４３ ：溶剤バルブ（吐出バルブ）
４４ ：吸引配管
４５ ：吸引バルブ
４６ ：吸引装置
４９ ：待機ポット
５１ ：バルブボディ
５２ ：内部流路
５３ ：弁座
５４ ：弁体
５５ ：バルブアクチュエータ（電動アクチュエータ）
６１ ：供給流路
６２ ：先端流路
６２ａ ：上流部
６２ｂ ：下流部
６２ｕ ：上流端
６２ｄ ：下流端
６３ ：分岐流路
６４ ：吸引流路
Ｐ１ ：分岐位置
Ｗ ：基板 1: Board processing device 2: Processing unit 3: Control device 8: Spin chuck (board holding means)
12: Spin motor (drying means)
41: Solvent nozzle 41p: Discharge port 42: Solvent pipe 43: Solvent valve (discharge valve)
44: Suction pipe 45: Suction valve 46: Suction device 49: Standby pot 51: Valve body 52: Internal flow path 53: Valve seat 54: Valve body 55: Valve actuator (electric actuator)
61: Supply flow path 62: Tip flow path 62a: Upstream part 62b: Downstream part 62u: Upstream end 62d: Downstream end 63: Branch flow path 64: Suction flow path P1: Branch position W: Substrate

Claims (15)

基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びる先端流路と、を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を含む、基板処理方法。 A substrate holding means for holding the substrate horizontally, a discharge port for discharging the treatment liquid for processing the substrate, an open state for passing the treatment liquid toward the discharge port, and a treatment liquid flowing toward the discharge port. A discharge valve that opens and closes between a dammed closed state, an upstream end connected to the discharge valve and a downstream end connected to the discharge port, and a tip flow path extending from the discharge valve to the discharge port. A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus comprising,
A processing liquid inflow step of allowing the treatment liquid to pass through the discharge valve by opening the discharge valve and allowing the treatment liquid that has passed through the discharge valve to flow into the tip flow path.
By closing the discharge valve, the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step is held in the tip flow path. Treatment liquid retention process and
By opening the discharge valve, the treatment liquid is passed through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is downstream of the treatment liquid held in the tip flow path in the treatment liquid holding step. In the treatment liquid holding step, only the treatment liquid held in the tip flow path is discharged to the discharge port toward the substrate horizontally held by the substrate holding means. When,
A substrate processing method comprising a supply stop step of holding all of the treatment liquid that has passed through the discharge valve in the tip flow path in the supply execution step by closing the discharge valve. 前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに含む、請求項１に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 1, further comprising a drying step of drying the substrate to which the processing liquid discharged from the discharge port is attached in the supply execution step. 前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。 Of the processing liquids held in the tip flow path in the supply stop step, the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the supply execution step is discharged from the tip flow path, and the treatment liquid is discharged from the tip flow path. The substrate processing method according to claim 1 or 2, further comprising a discharge step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the tip flow path. 前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、
前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに含む、請求項３に記載の基板処理方法。 After the discharge step, a stay time determination step of determining whether or not the stay time representing the time during which the same treatment liquid is held in the tip flow path exceeds a predetermined time, and a stay time determination step.
When it is determined in the staying time determination step that the staying time exceeds the predetermined time, the treatment liquid is introduced by opening the discharge valve while the treatment liquid is held in the tip flow path. Of the treatment liquids that have passed through the discharge valve and have passed through the discharge valve, the treatment liquids other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve of the treatment liquid held in the tip flow path. The substrate processing method according to claim 3, further comprising a processing liquid replacement step of replacing everything. 前記排出工程は、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項３または４に記載の基板処理方法。 The discharge step is
By opening the discharge valve, the treatment liquid is passed through the discharge valve, and the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step by the treatment liquid that has passed through the discharge valve is downstream. A discharge execution step of discharging all of the processing liquid held in the tip flow path to the discharge port by flushing the liquid.
By closing the discharge valve, among the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the discharge execution step, the treatment liquids other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve are held in the tip flow path. The substrate processing method according to claim 3 or 4, which comprises a stop step. 前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法。 5. The discharge execution step includes a flow rate changing step of changing the flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve by changing the opening degree of the discharge valve in a state where the discharge valve is open. The substrate processing method described. 前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備えており、
前記排出工程は、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む、請求項３または４に記載の基板処理方法。 The substrate processing apparatus transfers a branch flow path connected to the tip flow path at a branch position downstream of the discharge valve and upstream of the discharge port and a treatment liquid in the tip flow path via the branch position. Further, a suction valve that opens and closes between an open state in which a suction force sucking into the branch flow path is applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is cut off. I have
The discharge step is
By opening the suction valve with the discharge valve closed, the treatment liquid is left in the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path from the branch position in the tip flow path. The treatment liquid held in the portion up to the discharge port is sucked into the branch flow path through the branch position, and the discharge valve is the first of the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the supply execution step. A suction execution step of discharging the treatment liquid that has passed through the tip flow path from the tip flow path, and a suction execution step.
By closing the suction valve with the discharge valve closed, the treatment liquid is left in the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path, and the branch flow path is connected to the tip flow path. The substrate processing method according to claim 3 or 4, comprising a suction stop step of stopping the suction of the treatment liquid to the device. 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、
前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、
前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びており、前記吐出口から前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて吐出される前記処理液の量よりも大きい容積を有する先端流路と、
前記吐出バルブを制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を実行する、基板処理装置。 A board holding means that holds the board horizontally,
A discharge port for discharging the treatment liquid for processing the substrate, and a discharge port for discharging the treatment liquid.
A discharge valve that opens and closes between an open state in which the treatment liquid passes through the discharge port and a closed state in which the treatment liquid flowing toward the discharge port is dammed.
The substrate including an upstream end connected to the discharge valve and a downstream end connected to the discharge port, extending from the discharge valve to the discharge port, and being held by the substrate holding means from the discharge port. A tip flow path having a volume larger than the amount of the treatment liquid discharged toward
A control device for controlling the discharge valve is provided .
The control device is
A processing liquid inflow step of allowing the treatment liquid to pass through the discharge valve by opening the discharge valve and allowing the treatment liquid that has passed through the discharge valve to flow into the tip flow path.
By closing the discharge valve, the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve among the treatment liquids that passed through the discharge valve in the treatment liquid inflow step is held in the tip flow path. Treatment liquid retention process and
By opening the discharge valve, the treatment liquid is passed through the discharge valve, and the treatment liquid that has passed through the discharge valve is downstream of the treatment liquid held in the tip flow path in the treatment liquid holding step. In the treatment liquid holding step, only the treatment liquid held in the tip flow path is discharged to the discharge port toward the substrate horizontally held by the substrate holding means. When,
Wherein by the discharge valve is closed, that perform a supply stop step of holding the tip passage all the treatment liquid that has passed through the discharge valve in the supply execution step, the substrate processing apparatus. 前記基板処理装置は、前記基板保持手段に保持されている前記基板を乾燥させる乾燥手段をさらに備え、
前記制御装置は、前記乾燥手段を制御することにより、前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a drying means for drying the substrate held by the substrate holding means.
The eighth aspect of the present invention, wherein the control device further executes a drying step of drying the substrate to which the processing liquid discharged from the discharge port is attached in the supply execution step by controlling the drying means. The substrate processing apparatus described. 前記制御装置は、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置。 The control device discharges the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the supply execution step from the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step, and discharges the treatment liquid from the tip flow path. The substrate processing apparatus according to claim 8 , further performing a discharge step of holding the treatment liquid other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve in the tip flow path in the supply execution step. 前記制御装置は、
前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、
前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに実行する、請求項１０に記載の基板処理装置。 The control device is
After the discharge step, a stay time determination step of determining whether or not the stay time representing the time during which the same treatment liquid is held in the tip flow path exceeds a predetermined time, and a stay time determination step.
When it is determined in the staying time determination step that the staying time exceeds the predetermined time, the treatment liquid is introduced by opening the discharge valve while the treatment liquid is held in the tip flow path. Of the treatment liquids that have passed through the discharge valve and have passed through the discharge valve, the treatment liquids other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve of the treatment liquid held in the tip flow path. The substrate processing apparatus according to claim 10 , further performing a processing liquid replacement step of replacing everything. 前記排出工程は、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。 The discharge step is
By opening the discharge valve, the treatment liquid is passed through the discharge valve, and the treatment liquid held in the tip flow path in the supply stop step by the treatment liquid that has passed through the discharge valve is downstream. A discharge execution step of discharging all of the processing liquid held in the tip flow path to the discharge port by flushing the liquid.
By closing the discharge valve, among the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the discharge execution step, the treatment liquids other than the treatment liquid that first passed through the discharge valve are held in the tip flow path. The substrate processing apparatus according to claim 10 or 11 , comprising a stop step. 前記吐出バルブは、前記処理液が流れる内部流路と前記内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、前記弁座に対して移動可能な弁体と、前記弁体を任意の位置で静止させる電動アクチュエータとを含み、
前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項１２に記載の基板処理装置。 The discharge valve includes a valve body provided with an internal flow path through which the treatment liquid flows and an annular valve seat surrounding the internal flow path, a valve body movable with respect to the valve seat, and the valve body. Including electric actuators that stand still at any position,
The ejection execution step, by changing the opening degree of the discharge valve in a state in which the discharge valve is opened, including a flow rate control step of changing the flow rate of the processing liquid passing through the discharge valve, to claim 12 The substrate processing apparatus described. 前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備えており、
前記制御装置は、前記吸引バルブをさらに制御し、
前記排出工程は、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus transfers a branch flow path connected to the tip flow path at a branch position downstream of the discharge valve and upstream of the discharge port and a treatment liquid in the tip flow path via the branch position. Further, a suction valve that opens and closes between an open state in which a suction force sucking into the branch flow path is applied to the tip flow path and a closed state in which transmission of the suction force to the tip flow path is cut off. I have
The control device further controls the suction valve.
The discharge step is
By opening the suction valve with the discharge valve closed, the treatment liquid is left in the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path from the branch position in the tip flow path. The treatment liquid held in the portion up to the discharge port is sucked into the branch flow path through the branch position, and the discharge valve is the first of the treatment liquids that have passed through the discharge valve in the supply execution step. A suction execution step of discharging the treatment liquid that has passed through the tip flow path from the tip flow path, and a suction execution step.
By closing the suction valve with the discharge valve closed, the treatment liquid is left in the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path, and the branch flow path is connected to the tip flow path. The substrate processing apparatus according to claim 10 , further comprising a suction stopping step of stopping the suction of the processing liquid to the device. 前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分の容積は、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口まで部分の容積よりも大きい、請求項１４に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 14 , wherein the volume of the portion between the discharge valve and the branch position in the tip flow path is larger than the volume of the portion from the branch position to the discharge port in the tip flow path. ..
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