JP6512554B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Description

この発明は、処理対象の基板に対して処理液を用いた処理を施すための方法および装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a method and apparatus for performing processing using a processing liquid on a substrate to be processed. Substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal displays, substrates for plasma displays, substrates for FED (Field Emission Display), substrates for photomasks, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks , Ceramic substrates, substrates for solar cells, and the like.

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して、薬液やリンス液などの処理液を用いた処理が行われる。処理液を用いた処理を基板に対して一枚ずつ施す枚葉型の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。処理液ノズルには、処理液配管が接続されている。   In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, processing using a treatment liquid such as a chemical solution or a rinse liquid is performed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel. A single wafer type substrate processing apparatus which applies processing using a processing solution to a substrate one by one, a spin chuck for holding and rotating the substrate substantially horizontally, and a processing for the substrate held by the spin chuck And a processing liquid nozzle for supplying the liquid. A treatment liquid pipe is connected to the treatment liquid nozzle.

下記特許文献１では、処理液ノズルからの処理液の液だれを防止すべく、処理液配管の内部にミキシングバルブを介して窒素を導入する構成が開示されている。処理液配管の内部に導入された窒素により、処理液ノズルの内部および処理液配管の内部に存在する処理液を押出し、処理液ノズルから排出する。処理液配管の内部への窒素の導入は、処理液ノズルの内部および処理液配管の内部から処理液が完全に排出されるまで続行される。   Patent Document 1 below discloses a configuration in which nitrogen is introduced into the inside of a processing liquid pipe via a mixing valve in order to prevent the processing liquid from dripping from the processing liquid nozzle. The nitrogen introduced into the inside of the processing liquid pipe extrudes the processing liquid present inside the processing liquid nozzle and the inside of the processing liquid pipe, and is discharged from the processing liquid nozzle. The introduction of nitrogen into the inside of the processing liquid piping is continued until the processing liquid is completely discharged from the inside of the processing liquid nozzle and the inside of the processing liquid piping.

特開２００５−３０２７４６号公報JP 2005-302746 A

しかしながら、窒素導入による押出し処理には、気体（窒素ガス）が基板（半導体ウエハ）に吹き付けられることによる基板へのダメージ発生という問題がある。
つまり、処理液配管および処理液ノズルに残存している処理液が無くなると、処理液ノズルの吐出口からは気体のみ吐出され、その気体が基板へと直接に吹き付けられる。気体が基板に吹き付けられると、基板の処理品質低下につながるおそれがある。 However, in the extrusion process by introducing nitrogen, there is a problem that damage to the substrate due to the gas (nitrogen gas) being blown to the substrate (semiconductor wafer) is generated.
That is, when the processing liquid remaining in the processing liquid piping and the processing liquid nozzle is exhausted, only the gas is discharged from the discharge port of the processing liquid nozzle, and the gas is directly sprayed to the substrate. When the gas is blown to the substrate, the processing quality of the substrate may be degraded.

より具体的には、基板に気体が吹き付けられることにより、基板中心部付近が乾いたり、薬液の液滴が飛散する結果、薬液処理の均一性が悪化したり、基板上にパーティクルが発生したりするおそれがある。
そこで、この発明の目的は、基板に気体が吹き付けられることを回避しながら、処理液ノズルおよび処理液配管の内部に残存する処理液を、気体導入により効率よく排除できる基板処理方法ならびに基板処理装置を提供することである。 More specifically, the gas is sprayed to the substrate to dry the vicinity of the central portion of the substrate or scatter droplets of the chemical solution, resulting in deterioration of uniformity of chemical treatment or generation of particles on the substrate. There is a risk of
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of efficiently removing the processing liquid remaining inside the processing liquid nozzle and the processing liquid piping while avoiding that the gas is blown to the substrate. To provide.

上記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、処理対象の基板に対して、処理液を用いた処理を施すための基板処理方法であって、上記基板を、基板保持回転機構によって水平な姿勢に保持する基板保持工程と、吐出口を先端に有する処理液ノズルが一端に設けられた処理液配管の他端の流体導入部から上記処理液配管内に処理液を導入することにより、上記吐出口から処理液を上記基板に向けて吐出する処理液吐出工程と、上記処理液吐出工程の停止後に上記流体導入部から上記処理液配管内へ気体を導入することにより、上記処理液配管内および上記処理液ノズル内の処理液を外方に向けて押し出す気体押出工程と、前記気体の導入開始後、上記処理液配管および／または上記処理液ノズル内に処理液が残存している状態で上記処理液配管内への気体の導入を停止する気体導入停止工程とを含む、基板処理方法を提供する。   The invention according to claim 1 for achieving the above object is a substrate processing method for performing processing using a processing liquid on a substrate to be processed, the substrate holding and rotating mechanism Introducing the processing liquid into the processing liquid pipe from a fluid introducing portion at the other end of the processing liquid pipe provided at one end with a substrate holding step of holding the substrate in a horizontal posture and a processing liquid nozzle having a discharge port at the tip. The processing liquid discharge step of discharging the processing liquid toward the substrate from the discharge port, and the introduction of gas from the fluid introduction portion into the processing liquid pipe after stopping the processing liquid discharge step, the processing A gas extrusion step of extruding the treatment liquid in the liquid piping and the treatment liquid nozzle outward, and after the introduction of the gas is started, the treatment liquid remains in the treatment liquid piping and / or the treatment liquid nozzle. Above with And a gas introduction stopping step of stopping the introduction of gas into physical fluid in the pipe, to provide a substrate processing method.

この方法によれば、処理液ノズルの吐出口から基板への処理液の吐出が停止された後、流体導入部から処理液配管内へ気体を導入することにより、処理液配管内および処理液ノズル内の処理液が外方に向けて押し出される（気体押出工程）。この場合において、処理液配管および／または上記処理液ノズル内に処理液が残存している状態で、換言すると、処理液配管および処理液ノズル内から処理液が完全に押し出されてしまう前に、処理液配管内への気体の導入が停止される。したがって、気体押出工程において、処理液配管に導入された気体が基板に直接吹き付けられることを防止できる。   According to this method, after the discharge of the processing liquid from the discharge port of the processing liquid nozzle to the substrate is stopped, the gas is introduced into the processing liquid pipe from the fluid introducing portion, whereby the inside of the processing liquid pipe and the processing liquid nozzle The processing solution inside is extruded outward (gas extrusion process). In this case, in a state where the treatment liquid remains in the treatment liquid piping and / or the treatment liquid nozzle, in other words, before the treatment liquid is completely pushed out from the treatment liquid piping and the treatment liquid nozzle. The introduction of the gas into the processing liquid piping is stopped. Therefore, it is possible to prevent the gas introduced into the processing liquid piping from being directly sprayed to the substrate in the gas extrusion process.

また、気体押出し工程の終了後は、少なくとも処理液ノズルの先端部に処理液が残存している。この処理液がいわば処理液ノズルの蓋の役割を果たすため、処理液ノズルの吐出口を通じて気体が漏れることを防止できる。
請求項２に記載の発明は、上記気体導入停止工程は、上記処理液ノズルの先端部に処理液が残存している状態で、上記処理液配管内への気体の導入を停止する、請求項１に記載の基板処理方法である。 In addition, after the end of the gas extrusion process, the treatment liquid remains at least at the tip of the treatment liquid nozzle. Since the treatment liquid plays a role as a lid of the treatment liquid nozzle, it is possible to prevent the gas from leaking through the discharge port of the treatment liquid nozzle.
In the invention according to claim 2, in the gas introduction stopping step, the introduction of the gas into the processing solution pipe is stopped in a state where the processing solution remains at the tip of the processing solution nozzle. It is a substrate processing method given in 1.

この方法によれば、処理液ノズルの先端部に処理液が残存している状態で、上記処理液配管内への気体の導入を停止する。処理液配管および処理液ノズルのうち、処理液ノズルの先端部を除く部分に残存している処理液を除去するので、気体押出し工程の終了後は、処理液配管および処理液ノズルの大部分で処理液が存在しない。これにより、処理液ノズルの吐出口からの処理液の液だれを効果的に抑制できる。   According to this method, the introduction of the gas into the processing liquid piping is stopped while the processing liquid remains at the tip of the processing liquid nozzle. Since the processing liquid remaining in the portion excluding the tip of the processing liquid nozzle among the processing liquid piping and processing liquid nozzle is removed, most of the processing liquid piping and processing liquid nozzle after the gas extrusion process is completed. There is no treatment solution. Thereby, the dripping of the process liquid from the discharge port of a process liquid nozzle can be suppressed effectively.

請求項３に記載の発明は、上記気体押出工程と並行して、上記基板から排除された処理液を回収流路から回収する処理液回収工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板に気体が吹き付けられることによる悪影響を回避しつつ、気体押出工程により処理液ノズルの吐出口から基板上に排出された処理液を回収流路から回収できる。半導体製造工程等で用いられる薬液には高価なものがあり、こうした薬液を処理液として用いることがある。この場合、処理液配管及び処理液ノズルに残存する薬液を回収できるので、運用コストの低減を図ることができる。 The invention according to claim 3 further includes, in parallel with the gas extrusion step, the treatment liquid recovery step of recovering the treatment liquid removed from the substrate from the recovery flow path. It is a processing method.
According to this method, it is possible to recover the processing liquid discharged onto the substrate from the discharge port of the processing liquid nozzle in the gas extrusion step from the recovery flow path while avoiding the adverse effect due to the gas being blown onto the substrate. Some chemical solutions used in semiconductor manufacturing processes and the like are expensive, and such chemical solutions may be used as processing solutions. In this case, since the chemical solution remaining in the treatment liquid pipe and the treatment liquid nozzle can be recovered, the operation cost can be reduced.

請求項４に記載の発明は、前記処理液は薬液を含み、前記基板処理方法は、上記気体導入停止工程の後に、上記流体導入部から上記処理液配管内にリンス液を導入することにより、上記吐出口から当該リンス液を上記基板に向けて吐出させるリンス液吐出工程をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この発明によれば、処理液ノズルからの薬液の吐出のために処理液配管内に薬液が導入され、その吐出後に気体押出し工程が実行される。また、気体押出し工程に引き続いて、処理液配管内にリンス液が導入され、処理液ノズルの吐出口からリンス液が吐出される。この場合、薬液を用いた処理の後リンス液を用いた処理が始まるまでの間に、気体押出工程が行われているのであるが、それにも拘らず、基板に気体が吹き付けられることが無い。したがって、基板に気体が吹き付けられることによる様々な悪影響を回避することができる。 In the invention according to claim 4, the treatment liquid contains a chemical solution, and the substrate treatment method is carried out by introducing a rinse liquid from the fluid introduction portion into the treatment liquid pipe after the gas introduction stopping step, The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, further comprising a rinse liquid discharge step of discharging the rinse liquid toward the substrate from the discharge port.
According to this aspect of the invention, the chemical solution is introduced into the processing solution pipe for discharging the chemical solution from the processing solution nozzle, and the gas extrusion process is performed after the discharge. Further, following the gas extrusion process, the rinse liquid is introduced into the processing liquid piping, and the rinse liquid is discharged from the discharge port of the processing liquid nozzle. In this case, although the gas extrusion process is performed after the process using the chemical solution until the process using the rinse solution starts, the gas is not sprayed to the substrate regardless of that. Therefore, various adverse effects due to the gas being blown to the substrate can be avoided.

また、この場合には、リンス液吐出工程の開始時に、処理液ノズルおよび／または処理液配管に残存している薬液および気体が、リンス液とともに基板に吹き付けられることとなるが、残存している処理液は比較的少量であり、また、薬液は後続するリンス液により希釈されるため、残存薬液の供給による基板への悪影響は殆どない。また、処理液配管および処理液ノズルに残存している気体の圧力は高圧ではなく、そのため、この気体が基板に吹き付けられることにより、基板の乾燥・汚染などの悪影響は実質上無視できる。   Further, in this case, the chemical liquid and the gas remaining in the treatment liquid nozzle and / or the treatment liquid piping are sprayed onto the substrate together with the rinse liquid at the start of the rinse liquid discharge process, but they remain. Since the processing solution is relatively small and the chemical solution is diluted by the subsequent rinse solution, there is almost no adverse effect on the substrate due to the supply of the remaining chemical solution. Further, the pressure of the gas remaining in the processing liquid piping and the processing liquid nozzle is not a high pressure, so that the adverse effects such as drying and contamination of the substrate can be substantially ignored by spraying the gas onto the substrate.

上記の目的を達成するための請求項５に記載の発明は、基板を水平な姿勢に保持しながら回転するための基板保持回転機構と、上記基板保持回転機構に保持された上記基板に向けて、処理液を吐出する吐出口を先端に有する処理液ノズルと、上記処理液ノズルが一端に設けられ、処理液を導入する流体導入部が他端に設けられた処理液配管と、上記流体導入部に接続され、上記処理液配管に処理液を供給する処理液供給配管と、上記処理液配管を開閉する処理液バルブと、上記流体導入部に接続され、上記処理液配管に気体を供給する気体配管と、上記処理液配管を開閉する気体バルブと、上記処理液バルブを開いて上記流体導入部から上記処理液配管内に処理液を導入することにより、上記吐出口から処理液を上記基板に向けて吐出する処理液吐出工程と、上記処理液バルブを閉じて上記処理液吐出工程を停止した後に、上記気体バルブを開いて上記流体導入部から上記処理液配管内へ気体を導入することにより、上記処理液配管内および上記処理液ノズル内の処理液を外方に向けて押し出す気体押出工程と、前記気体の導入開始後、上記処理液配管および／または上記処理液ノズル内に処理液が残存している状態で上記気体バルブを開くことにより、上記処理液配管内への気体の導入を停止する気体導入停止工程とを実行する制御ユニットとを備える、基板処理装置を提供する。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 5 is directed to a substrate holding and rotating mechanism for rotating while holding the substrate in a horizontal posture, and the substrate held by the substrate holding and rotating mechanism. A treatment liquid nozzle having a discharge port for discharging a treatment liquid at its tip, a treatment liquid pipe provided with the treatment liquid nozzle at one end and a fluid introduction part for introducing the treatment liquid at the other end, and the fluid introduction Connected to the processing unit and connected to the processing liquid supply pipe for supplying the processing liquid to the processing liquid pipe, the processing liquid valve for opening and closing the processing liquid pipe, and the fluid introduction unit for supplying the gas to the processing liquid pipe The processing liquid is supplied from the discharge port to the substrate by introducing the processing liquid into the processing liquid pipe from the fluid introducing portion by opening the gas pipe, the gas valve for opening and closing the processing liquid pipe, and the processing liquid valve. To discharge toward After the processing liquid discharge step is stopped by closing the processing liquid valve and the processing liquid discharge step, the gas valve is opened to introduce the gas from the fluid introduction portion into the processing liquid pipe, thereby the processing liquid piping. A gas extruding step of extruding the processing liquid in the processing liquid nozzle and inside the processing liquid nozzle, and a state in which the processing liquid remains in the processing liquid pipe and / or the processing liquid nozzle after the introduction of the gas is started And a control unit that performs a gas introduction stopping step of stopping the introduction of the gas into the processing liquid pipe by opening the gas valve.

この構成によれば、処理液ノズルの吐出口から基板への処理液の吐出が停止された後、流体導入部から処理液配管内へ気体を導入することにより、処理液配管内および処理液ノズル内の処理液が外方に向けて押し出される（気体押出工程）。この場合において、処理液配管および／または上記処理液ノズル内に処理液が残存している状態で、換言すると、処理液配管および処理液ノズル内から処理液が完全に押し出されてしまう前に、処理液配管内への気体の導入が停止される。したがって、気体押出工程において、処理液配管に導入された気体が基板に直接吹き付けられることを防止できる。   According to this configuration, after the discharge of the processing liquid from the discharge port of the processing liquid nozzle to the substrate is stopped, a gas is introduced into the processing liquid pipe from the fluid introduction part, whereby the processing liquid nozzle and the processing liquid nozzle The processing solution inside is extruded outward (gas extrusion process). In this case, in a state where the treatment liquid remains in the treatment liquid piping and / or the treatment liquid nozzle, in other words, before the treatment liquid is completely pushed out from the treatment liquid piping and the treatment liquid nozzle. The introduction of the gas into the processing liquid piping is stopped. Therefore, it is possible to prevent the gas introduced into the processing liquid piping from being directly sprayed to the substrate in the gas extrusion process.

また、気体押出し工程の終了後は、少なくとも処理液ノズルの先端部に処理液が残存している。この処理液がいわば処理液ノズルの蓋の役割を果たすため、処理液ノズルの吐出口を通じて気体が漏れることを防止できる。
請求項６に記載の発明は、上記制御ユニットは、上記処理液ノズルの先端部に処理液が残存している状態で、上記処理液配管内への気体の導入を停止する、請求項５に記載の基板処理装置である。 In addition, after the end of the gas extrusion process, the treatment liquid remains at least at the tip of the treatment liquid nozzle. Since the treatment liquid plays a role as a lid of the treatment liquid nozzle, it is possible to prevent the gas from leaking through the discharge port of the treatment liquid nozzle.
In the invention according to claim 6, the control unit stops the introduction of the gas into the processing liquid pipe in a state where the processing liquid remains at the tip of the processing liquid nozzle. It is a substrate processing apparatus as described.

この構成によれば、処理液ノズルの先端部に処理液が残存している状態で、上記処理液配管内への気体の導入を停止する。処理液配管および処理液ノズルのうち、処理液ノズルの先端部を除く部分に残存している処理液を除去するので、気体押出し工程の終了後は、処理液配管および処理液ノズルの大部分で処理液が存在しない。これにより、処理液ノズルの吐出口からの処理液の液だれを効果的に抑制できる。   According to this configuration, the introduction of the gas into the processing liquid pipe is stopped while the processing liquid remains at the tip of the processing liquid nozzle. Since the processing liquid remaining in the portion excluding the tip of the processing liquid nozzle among the processing liquid piping and processing liquid nozzle is removed, most of the processing liquid piping and processing liquid nozzle after the gas extrusion process is completed. There is no treatment solution. Thereby, the dripping of the process liquid from the discharge port of a process liquid nozzle can be suppressed effectively.

請求項７に記載の発明は、気体を収容可能でかつ上記気体配管に介装された加圧ガスタンクをさらに含む、請求項５または６に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、気体を収容可能でかつ上記気体配管上に配設された加圧気体タンクを備えているため、この加圧タンクを用いることにより、処理液配管への気体の導入量を高精度に制御できる。 The invention according to claim 7 is the substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, further comprising a pressurized gas tank capable of containing a gas and interposed in the gas pipe.
According to this configuration, since the pressurized gas tank capable of containing the gas and disposed on the gas pipe is provided, the introduction amount of the gas to the processing liquid pipe can be increased by using this pressurized tank. It can control with high precision.

請求項８に記載のように、上記流体導入部に接続され、上記処理液配管にリンス液を供給するリンス液配管をさらに含んでいてもよい。
請求項９に記載の発明は、上記基板に向けて押し出された処理液を回収流路に導く処理液回収機構をさらに含む、請求項５〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この方法によれば、基板に気体が吹き付けられることによる悪影響を回避しつつ、気体押出工程により、処理液ノズルから基板上に排出された処理液を、回収流路から回収することができる。半導体製造工程等で用いられる薬液には高価なものがあり、こうした薬液を処理液として用いる場合、処理液配管及び処理液ノズルに残存する薬液を回収できる。このため、装置の運用コストを低減させることが可能となる。 As described in claim 8, a rinse liquid pipe may be further included, the rinse liquid pipe being connected to the fluid introduction part and supplying a rinse liquid to the treatment liquid pipe.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 5 to 8, wherein the invention according to claim 9 further includes a processing liquid recovery mechanism for guiding the processing liquid extruded toward the substrate to a recovery flow channel. is there.
According to this method, the processing liquid discharged onto the substrate from the processing liquid nozzle can be recovered from the recovery flow path by the gas extrusion process while avoiding the adverse effect of the gas being blown onto the substrate. Some chemical solutions used in the semiconductor manufacturing process and the like are expensive, and when such a chemical solution is used as a process solution, the chemical solution remaining in the process liquid piping and process solution nozzles can be recovered. Therefore, the operation cost of the device can be reduced.

請求項１０に記載のように、上記気体配管の開度を調整する開度調整バルブをさらに含んでいてもよい。この場合、上記制御ユニットは、レシピを記憶しており、上記制御ユニットは、上記レシピに基づいて、上記気体バルブの開閉を行いかつ上記開度調整バルブの開度を調整してもよい。   According to a tenth aspect of the present invention, the fuel cell system may further include an opening adjustment valve that adjusts the opening of the gas pipe. In this case, the control unit may store a recipe, and the control unit may open and close the gas valve and adjust the opening degree of the opening adjustment valve based on the recipe.

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な図である。FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の要部の図解的な図である。FIG. 2 is a schematic view of a main part of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図３は、図１および図２に示す基板処理装置によるウエハの処理を説明するためのフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart for explaining processing of a wafer by the substrate processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2. 図４Ａは、気体押出し工程の終了後における、下処理液ノズルの縦断面図である。図４Ｂは、図４Ａの切断面線IVB-IVBから見た図である。FIG. 4A is a longitudinal sectional view of the lower processing solution nozzle after the end of the gas extrusion process. FIG. 4B is a view from section line IVB-IVB of FIG. 4A. 図５Ａは、気体押出し工程の終了後における、上処理液ノズルの縦断面図である。図５Ｂは、図５Ａの切断面線VB-VBから見た図である。FIG. 5A is a longitudinal sectional view of the upper processing liquid nozzle after the end of the gas extrusion step. FIG. 5B is a view from the cutting plane line VB-VB of FIG. 5A. 図６は、他の形態に係る基板処理装置の要部の図解的な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the main part of a substrate processing apparatus according to another embodiment. 図７は、さらに他の形態に係る基板処理装置の要部の図解的な断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the main part of a substrate processing apparatus according to still another embodiment. 図８は、変形例に係る基板処理装置の要部を示す図である。FIG. 8 is a view showing the main part of a substrate processing apparatus according to a modification.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の図解的な図である。図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の図解的な図である。図１では、スプラッシュガード４が上昇位置にある場合を示し、図２では、スプラッシュガード４が下降位置にある場合を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows the splash guard 4 in the raised position, and FIG. 2 shows the splash guard 4 in the lowered position.

基板処理装置１は、半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）などの円板状の基板Ｗを、処理液（薬液およびリンス液）によって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置１は、内部空間を有する箱形のチャンバ２と、チャンバ２の内部に設けられ、一枚のウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持して、ウエハＷの中心を通る鉛直な回転軸線まわりにウエハＷを回転させるスピンチャック３と、平面視においてスピンチャック３を取り囲むように配置された環状のスプラッシュガード４とを含む。 The substrate processing apparatus 1 is a sheet-fed apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) one by one with a processing liquid (chemical solution and rinse liquid). is there.
The substrate processing apparatus 1 is provided inside a box-shaped chamber 2 having an internal space and inside the chamber 2 and holds a single wafer W in a substantially horizontal posture, and a vertical rotation axis passing through the center of the wafer W It includes a spin chuck 3 around which the wafer W is rotated, and an annular splash guard 4 arranged to surround the spin chuck 3 in plan view.

スピンチャック３は、円板状でほぼ水平に配置されたスピンベース５と、スピンベース５の下面中心部に、スピンベース５にほぼ垂直に取り付けられ、ほぼ鉛直方向に沿う中心軸を有する回転軸６とを備えている。スピンベース５の上面周縁部には、複数のチャックピン７が、ウエハＷの外周形状に対応する円周上で間隔を空けて配置されている。チャックピン７は、ウエハＷの周縁部を支持しつつ、ウエハＷの端面（周面）に当接し、他のチャックピン７と協働してウエハＷを挟持できるようになっている。ウエハＷは、その中心軸線と回転軸６の中心軸とが一致するように、スピンチャック３に保持される。   The spin chuck 3 is a disk-shaped spin base 5 disposed substantially horizontally, and a rotation axis having a central axis extending substantially vertically to the spin base 5 at a central portion of the lower surface of the spin base 5. It is equipped with six. A plurality of chuck pins 7 are arranged at intervals on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the wafer W at the upper surface peripheral portion of the spin base 5. The chuck pins 7 contact the end surface (peripheral surface) of the wafer W while supporting the peripheral portion of the wafer W, and can hold the wafer W in cooperation with other chuck pins 7. The wafer W is held by the spin chuck 3 such that the central axis thereof coincides with the central axis of the rotation axis 6.

回転軸６には、回転軸６をその中心軸のまわりに回転させるための下回転駆動機構８が結合されており、下回転駆動機構８によりスピンチャック３に保持されたウエハＷを、ほぼ水平な面内で回転させることができるようになっている。下回転駆動機構８は、スピンベース５の下方に配置されており、フード９により処理液（薬液およびリンス液）から保護されている。回転軸６は管状であり、回転軸６の内部には、処理液を流すための下処理液配管１０が挿通されている。回転軸６の内壁面と下処理液配管１０との間には、窒素ガス供給路１１をなす間隙が形成されている。窒素ガス供給路１１の上端は、スピンベース５と下処理液配管１０との間に、窒素ガス吐出口１１ａとして開口している。   A lower rotation drive mechanism 8 is coupled to the rotation shaft 6 for rotating the rotation shaft 6 around its central axis, and the wafer W held by the spin chuck 3 by the lower rotation drive mechanism 8 is substantially horizontal. It is possible to rotate in the plane. The lower rotation drive mechanism 8 is disposed below the spin base 5 and is protected by the hood 9 from the treatment liquid (chemical solution and rinse liquid). The rotary shaft 6 is tubular, and the lower processing liquid pipe 10 for flowing the processing liquid is inserted into the rotary shaft 6. Between the inner wall surface of the rotary shaft 6 and the lower treatment liquid pipe 10, a gap forming a nitrogen gas supply passage 11 is formed. The upper end of the nitrogen gas supply passage 11 is opened between the spin base 5 and the lower treatment liquid pipe 10 as a nitrogen gas discharge port 11 a.

窒素ガス供給路１１の下方から、窒素ガス配管１２を介して窒素ガス供給源１３からの窒素ガス（不活性ガスの一例）を導入できるようになっている。窒素ガス配管１２には、バルブ１２Ｖが介装されている。バルブ１２Ｖを開くことにより、窒素ガス吐出口１１ａから窒素ガスを吐出できる。
下処理液配管１０の一端は、スピンベース５の上面からわずかに突出しており、この突出部は処理液を吐出する下処理液ノズル１４を構成している。下処理液ノズル１４の先端周縁部には、フランジ１５が設けられている。フランジ１５は窒素ガス吐出口１１ａの上方を覆っており、これにより、下処理液ノズル１４から吐出された処理液が、窒素ガス吐出口１１ａに入らないようになっている。 Nitrogen gas (an example of an inert gas) from a nitrogen gas supply source 13 can be introduced from below the nitrogen gas supply passage 11 through a nitrogen gas pipe 12. A valve 12 V is interposed in the nitrogen gas pipe 12. By opening the valve 12V, nitrogen gas can be discharged from the nitrogen gas discharge port 11a.
One end of the lower treatment liquid pipe 10 slightly protrudes from the upper surface of the spin base 5, and this projection constitutes a lower treatment liquid nozzle 14 for discharging the treatment liquid. A flange 15 is provided at the front end peripheral portion of the lower treatment liquid nozzle 14. The flange 15 covers the upper side of the nitrogen gas discharge port 11a, so that the processing liquid discharged from the lower treatment liquid nozzle 14 does not enter the nitrogen gas discharge port 11a.

下処理液配管１０の他端は、処理液や窒素ガスを導入するための流体導入部１０ａをなしている。流体導入部１０ａには、ミキシングバルブＭＶ１が接続されている。ミキシングバルブＭＶ１には、薬液配管１６、リンス液配管１７および窒素ガス配管１８が接続されている。下処理液配管１０の内部と、薬液配管１６の内部、リンス液配管１７の内部および窒素ガス配管１８の内部とは、ミキシングバルブＭＶ１の内部を介して、それぞれ連通している。薬液配管１６には、薬液が収容された薬液供給源１９が接続されており、リンス液配管１７には、リンス液（たとえば、脱イオン水などの純水）が収容されたリンス液供給源２０が接続されている。窒素ガス配管１８には、窒素ガス供給源１３が接続されている。   The other end of the pretreatment liquid pipe 10 forms a fluid inlet 10a for introducing a processing liquid and nitrogen gas. A mixing valve MV1 is connected to the fluid inlet 10a. A chemical liquid pipe 16, a rinse liquid pipe 17 and a nitrogen gas pipe 18 are connected to the mixing valve MV1. The inside of the pretreatment liquid pipe 10, the inside of the chemical liquid pipe 16, the inside of the rinse liquid pipe 17, and the inside of the nitrogen gas pipe 18 are in communication with each other through the inside of the mixing valve MV1. A chemical solution supply source 19 containing a chemical solution is connected to the chemical solution pipe 16, and a rinse solution supply source 20 containing a rinse solution (for example, pure water such as deionized water) stored in the rinse solution pipe 17. Is connected. A nitrogen gas supply source 13 is connected to the nitrogen gas pipe 18.

薬液供給源１９から薬液配管１６に供給される薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。   The chemical solution supplied from the chemical solution supply source 19 to the chemical solution pipe 16 is, for example, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, ammonia water, hydrogen peroxide solution, organic acid (for example, citric acid, oxalic acid etc.), organic alkali For example, it is a liquid containing at least one of TMAH: tetramethyl ammonium hydroxide and the like, an organic solvent (eg, IPA: isopropyl alcohol and the like), a surfactant, and a corrosion inhibitor.

薬液配管１６には、ミキシングバルブＭＶ１との接続部近傍においてバルブ１６Ｖ１が介装されている。バルブ１６Ｖ１を開くことにより、薬液配管１６を流れる薬液を、ミキシングバルブＭＶ１を介して下処理液配管１０内に導入できる。リンス液配管１７には、ミキシングバルブＭＶ１との接続部近傍においてバルブ１７Ｖ１が介装されている。バルブ１７Ｖ１を開くことにより、リンス液配管１７を流れるリンス液を、ミキシングバルブＭＶ１を介して下処理液配管１０内に導入できる。窒素ガス配管１８には、ミキシングバルブＭＶ１との接続部近傍においてバルブ１８Ｖ１が介装されている。バルブ１８Ｖ１を開くことにより、窒素ガス配管１８を流れるリンス液を、ミキシングバルブＭＶ１を介して下処理液配管１０内に導入できる。処理液配管１０内に窒素ガスを導入できる。バルブ１６Ｖ１，１７Ｖ１，１８Ｖ１により、処理液配管１０内に導入される流体を、薬液、リンス液および窒素ガスの間で切り換えることができる。   The chemical liquid pipe 16 is provided with a valve 16V1 in the vicinity of the connection with the mixing valve MV1. By opening the valve 16V1, the chemical solution flowing through the chemical solution pipe 16 can be introduced into the lower processing solution pipe 10 via the mixing valve MV1. The rinse liquid pipe 17 is provided with a valve 17V1 in the vicinity of the connection with the mixing valve MV1. By opening the valve 17V1, the rinse liquid flowing in the rinse liquid pipe 17 can be introduced into the lower processing liquid pipe 10 through the mixing valve MV1. The nitrogen gas pipe 18 is provided with a valve 18V1 in the vicinity of the connection with the mixing valve MV1. By opening the valve 18V1, the rinse liquid flowing through the nitrogen gas pipe 18 can be introduced into the lower processing liquid pipe 10 through the mixing valve MV1. Nitrogen gas can be introduced into the processing liquid piping 10. The fluid introduced into the processing liquid pipe 10 can be switched between the chemical solution, the rinse liquid and the nitrogen gas by the valves 16V1, 17V1 and 18V1.

バルブ１７Ｖ１，１８Ｖ１を閉じつつバルブ１６Ｖ１を開くことにより、下処理液配管１０内に薬液のみが供給され、下処理液ノズル１４から薬液が吐出される。バルブ１６Ｖ１，１８Ｖ１を閉じつつバルブ１７Ｖ１を開くことにより、下処理液配管１０内にリンス液のみが供給され、下処理液ノズル１４からリンス液が吐出される。バルブ１６Ｖ１，１７Ｖ１を閉じつつバルブ１８Ｖ１を開くことにより、下処理液配管１０内に窒素ガスのみが供給される。下処理液配管１０の内部および下処理液ノズル１４の内部（以降において、「下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内」という。）に処理液が存在する状態で、下処理液配管１０内に窒素ガスを供給することにより、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内の処理液を窒素ガスによって押し出し、下処理液ノズル１４から排出させることができる。   By opening the valve 16V1 while closing the valves 17V1 and 18V1, only the chemical solution is supplied into the lower treatment liquid pipe 10, and the chemical solution is discharged from the lower treatment liquid nozzle 14. By opening the valve 17V1 while closing the valves 16V1 and 18V1, only the rinse liquid is supplied into the lower treatment liquid pipe 10, and the rinse liquid is discharged from the lower treatment liquid nozzle 14. By opening the valve 18V1 while closing the valves 16V1 and 17V1, only nitrogen gas is supplied into the lower treatment liquid pipe 10. Under the condition that the treatment liquid is present in the inside of the pretreatment liquid piping 10 and the inside of the pretreatment liquid nozzle 14 (hereinafter referred to as “in the pretreatment liquid piping 10 and the pretreatment liquid nozzle 14”), the pretreatment liquid piping 10 By supplying nitrogen gas to the inside, the treatment liquid in the treatment liquid pipe 10 and the pretreatment liquid nozzle 14 can be pushed out by the nitrogen gas and discharged from the pretreatment liquid nozzle 14.

バルブ１８Ｖ１は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。弁体を開位置と閉位置との間で移動させることにより、バルブ１８Ｖ１の開閉が切り換えられる。また、弁体の開位置の位置を変更することにより、バルブ１８Ｖ１の開度（開位置にある弁体と弁座との間隙）を変更できる。バルブ１８Ｖ１の開度が調整されることにより、下処理液配管１０に供給される窒素ガスの流量を調整できるようになっている。   The valve 18V1 includes a valve body internally provided with a valve seat, a valve body for opening and closing the valve seat, and an actuator for moving the valve body between the open position and the closed position. By moving the valve between the open position and the closed position, the opening and closing of the valve 18V1 is switched. Further, by changing the position of the open position of the valve body, the degree of opening of the valve 18V1 (the gap between the valve body in the open position and the valve seat) can be changed. By adjusting the opening degree of the valve 18V1, the flow rate of the nitrogen gas supplied to the lower treatment liquid pipe 10 can be adjusted.

スピンチャック３の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径か、あるいはウエハＷよりも大径を有する円板状の遮断板２１が、ほぼ水平に配置されている。遮断板２１の上面中心部には、遮断板２１にほぼ垂直に、ほぼ鉛直方向に沿う中心軸を有する回転軸２２が取り付けられている。回転軸２２の中心軸と回転軸６の中心軸とは、ほぼ同一直線上にある。
回転軸２２には、下回転駆動機構２３が結合されている。下回転駆動機構２３により、遮断板２１を、ほぼ水平な面内で、スピンチャック３と同じ方向にほぼ同じ回転数で回転させることができる。 Above the spin chuck 3, a disc-shaped blocking plate 21 having substantially the same diameter as the wafer W or larger than the wafer W is disposed substantially horizontally. A rotating shaft 22 having a central axis substantially along the vertical direction is attached to a central portion of the upper surface of the shielding plate 21 substantially perpendicularly to the shielding plate 21. The central axis of the rotary shaft 22 and the central axis of the rotary shaft 6 are on substantially the same straight line.
The lower rotation drive mechanism 23 is coupled to the rotation shaft 22. The lower rotation drive mechanism 23 can rotate the blocking plate 21 at substantially the same rotation speed in the same direction as the spin chuck 3 in a substantially horizontal plane.

回転軸２２は管状であり、回転軸２２の内部には、処理液を流すための処理液配管２４が挿通されている。回転軸２２の内壁面と処理液配管２４との間には、窒素ガス供給路２６をなす間隙が形成されている。窒素ガス供給路２６の下端は、遮断板２１と処理液配管２４との間に、窒素ガス吐出口２６ａとして開口している。
窒素ガス供給路２６の上方から、窒素ガス配管２７を介して窒素ガス供給源１３からの窒素ガス（不活性ガスの一例）を導入できるようになっている。窒素ガス配管２７には、バルブ２７Ｖが介装されている。バルブ２７Ｖを開くことにより、窒素ガス吐出口２６ａから窒素ガスを吐出できる。 The rotation shaft 22 is tubular, and a treatment liquid pipe 24 for flowing the treatment liquid is inserted into the rotation shaft 22. A gap forming a nitrogen gas supply passage 26 is formed between the inner wall surface of the rotary shaft 22 and the treatment liquid pipe 24. The lower end of the nitrogen gas supply passage 26 is opened as a nitrogen gas discharge port 26 a between the blocking plate 21 and the treatment liquid pipe 24.
Nitrogen gas (an example of an inert gas) from the nitrogen gas supply source 13 can be introduced from above the nitrogen gas supply passage 26 through the nitrogen gas pipe 27. The nitrogen gas pipe 27 is provided with a valve 27V. By opening the valve 27V, nitrogen gas can be discharged from the nitrogen gas discharge port 26a.

処理液配管２４の一端は、遮断板２１の下面とほぼ面一に配置されて処理液を吐出する上処理液ノズル２５を構成している。
処理液配管２４の他端は、処理液や窒素ガスを導入するための流体導入部２４ａをなしている。流体導入部２４ａには、ミキシングバルブＭＶ２が接続されている。ミキシングバルブＭＶ２には、薬液配管１６、リンス液配管１７および窒素ガス配管１８が接続されている。処理液配管２４の内部と、薬液配管１６の内部、リンス液配管１７の内部および窒素ガス配管１８の内部とは、ミキシングバルブＭＶ２の内部を介して、それぞれ連通している。 One end of the processing liquid pipe 24 is disposed substantially flush with the lower surface of the blocking plate 21 to constitute an upper processing liquid nozzle 25 for discharging the processing liquid.
The other end of the processing liquid pipe 24 forms a fluid introducing portion 24 a for introducing the processing liquid and nitrogen gas. A mixing valve MV2 is connected to the fluid inlet 24a. A chemical liquid pipe 16, a rinse liquid pipe 17 and a nitrogen gas pipe 18 are connected to the mixing valve MV2. The inside of the processing liquid pipe 24, the inside of the chemical liquid pipe 16, the inside of the rinse liquid pipe 17, and the inside of the nitrogen gas pipe 18 communicate with each other through the inside of the mixing valve MV2.

薬液配管１６には、ミキシングバルブＭＶ２との接続部近傍においてバルブ１６Ｖ２が介装されている。バルブ１６Ｖ２を開くことにより、薬液配管１６を流れる薬液を、ミキシングバルブＭＶ２を介して上処理液配管２４内に導入できる。リンス液配管１７には、ミキシングバルブＭＶ１との接続部近傍においてバルブ１７Ｖ２が介装されている。バルブ１７Ｖ２を開くことにより、リンス液配管１７を流れるリンス液を、ミキシングバルブＭＶ２を介して上処理液配管２４内に導入できる。窒素ガス配管１８には、ミキシングバルブＭＶ２との接続部近傍においてバルブ１８Ｖ２が介装されている。バルブ１８Ｖ２を開くことにより、処理液配管２４内に窒素ガスを導入できる。バルブ１６Ｖ２，１７Ｖ２，１８Ｖ２により、処理液配管２４内に導入される流体を、薬液、リンス液および窒素ガスの間で切り換えることができる。   The chemical solution pipe 16 is provided with a valve 16V2 in the vicinity of the connection with the mixing valve MV2. By opening the valve 16V2, the chemical solution flowing through the chemical solution pipe 16 can be introduced into the upper process liquid pipe 24 via the mixing valve MV2. A valve 17V2 is interposed in the rinse liquid pipe 17 in the vicinity of the connection with the mixing valve MV1. By opening the valve 17V2, the rinse liquid flowing in the rinse liquid piping 17 can be introduced into the upper processing liquid piping 24 via the mixing valve MV2. The nitrogen gas pipe 18 is provided with a valve 18V2 in the vicinity of the connection with the mixing valve MV2. Nitrogen gas can be introduced into the processing liquid pipe 24 by opening the valve 18V2. By the valves 16V2, 17V2 and 18V2, the fluid introduced into the processing liquid pipe 24 can be switched between the chemical solution, the rinse solution and the nitrogen gas.

バルブ１７Ｖ２，１８Ｖ２を閉じつつバルブ１６Ｖ２を開くことにより、上処理液配管２４内に薬液のみが供給され上処理液ノズル２５から薬液が吐出される。バルブ１６Ｖ２，１８Ｖ２を閉じつつバルブ１７Ｖ２を開くことにより、上処理液配管２４内にリンス液のみが供給され、上処理液ノズル２５からリンス液が吐出される。バルブ１６Ｖ２，１７Ｖ２を閉じつつバルブ１８Ｖ２を開くことにより、上処理液配管２４内に窒素ガスのみが供給される。上処理液配管２４の内部および上処理液ノズル２５の内部（以降において、「上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内」という。）に処理液が存在する状態で、上処理液配管２４内に窒素ガスを供給することにより、処理液配管２４および上処理液ノズル２５内の処理液を、窒素ガスによって押し出して、上処理液ノズル２５から排出させることができる。   By opening the valve 16V2 while closing the valves 17V2 and 18V2, only the chemical solution is supplied into the upper treatment liquid pipe 24 and the chemical solution is discharged from the upper treatment liquid nozzle 25. By opening the valve 17V2 while closing the valves 16V2 and 18V2, only the rinse liquid is supplied into the upper treatment liquid pipe 24, and the rinse liquid is discharged from the upper treatment liquid nozzle 25. By opening the valve 18V2 while closing the valves 16V2 and 17V2, only nitrogen gas is supplied into the upper processing liquid pipe 24. The upper processing liquid pipe 24 in a state in which the processing liquid exists inside the upper processing liquid pipe 24 and inside the upper processing liquid nozzle 25 (hereinafter referred to as “in the upper processing liquid pipe 24 and the upper processing liquid nozzle 25”). By supplying nitrogen gas inside, the processing liquid in the processing liquid piping 24 and the upper processing liquid nozzle 25 can be pushed out by the nitrogen gas and discharged from the upper processing liquid nozzle 25.

バルブ１８Ｖ２は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。弁体を開位置と閉位置との間で移動させることにより、バルブ１８Ｖ２の開閉が切り換えられる。また、弁体の開位置の位置を変更することにより、バルブ１８Ｖ２の開度（開位置にある弁体と弁座との間隙）を変更できる。バルブ１８Ｖ２の開度が調整されることにより、上処理液配管２４に供給される窒素ガスの流量を調整できるようになっている。   The valve 18V2 includes a valve body in which a valve seat is provided, a valve body for opening and closing the valve seat, and an actuator for moving the valve body between the open position and the closed position. By moving the valve body between the open position and the closed position, the opening and closing of the valve 18V2 is switched. In addition, by changing the position of the open position of the valve body, it is possible to change the degree of opening of the valve 18V2 (the gap between the valve body in the open position and the valve seat). By adjusting the opening degree of the valve 18V2, the flow rate of the nitrogen gas supplied to the upper treatment liquid pipe 24 can be adjusted.

回転軸２２および処理液配管２４には、上昇降機構３３が結合されている。上昇降機構３３により、回転軸２２および処理液配管２４を同時に昇降することができる。
スプラッシュガード４の下部には、スプラッシュガード４の中心軸側斜め下方に開いた切り欠き状の第１案内部４ａと、第１案内部４ａの内方に鉛直方向に刻設された円環状の溝４ｃとが、スプラッシュガード４の全周に渡って形成されている。また、スプラッシュガード４の内面（中心軸側）上部には、水平方向に関し内方（スピンチャック３の回転軸線側）に向いてＶ字状に開いた溝状の第２案内部４ｂが形成されている。 An upper elevating mechanism 33 is coupled to the rotary shaft 22 and the processing liquid pipe 24. The rotating shaft 22 and the processing liquid pipe 24 can be simultaneously lifted and lowered by the upper and lower lifting mechanism 33.
At the lower part of the splash guard 4, a notch-shaped first guide portion 4 a opened obliquely downward on the central axis side of the splash guard 4 and an annular ring vertically inscribed in the first guide portion 4 a A groove 4 c is formed over the entire circumference of the splash guard 4. Further, on the inner surface (central axis side) upper portion of the splash guard 4, a groove-shaped second guide portion 4b opened in a V shape is formed toward the inner side (rotational axis side of the spin chuck 3) in the horizontal direction. ing.

スプラッシュガード４の下方には、３つの円筒部材２８ａ，２８ｂ，２８ｃが、底板３６の上に同軸状に立設されている。円筒部材２８ａの径は円筒部材２８ｂ，２８ｃの径より大きく、円筒部材２８ｂの径は円筒部材２８ｃの径より大きい。円筒部材２８ａは、スプラッシュガード４を内部に収容し得る大きさを有している。
円筒部材２８ａおよび円筒部材２８ｂを側壁として、第１回収槽（回収流路）３０が形成されており、円筒部材２８ｂおよび円筒部材２８ｃを側壁として第２回収槽２９が形成されている。第１および第２回収槽３０，２９の底部には、その内部の液体を排液するための第１および第２排液配管３２，３１が、それぞれ接続されている。 Below the splash guard 4, three cylindrical members 28 a, 28 b and 28 c are coaxially erected on the bottom plate 36. The diameter of the cylindrical member 28a is larger than the diameters of the cylindrical members 28b and 28c, and the diameter of the cylindrical member 28b is larger than the diameter of the cylindrical member 28c. The cylindrical member 28 a has a size that can accommodate the splash guard 4 therein.
A first recovery tank (recovery flow path) 30 is formed with the cylindrical member 28a and the cylindrical member 28b as side walls, and a second recovery tank 29 is formed with the cylindrical member 28b and the cylindrical member 28c as side walls. First and second drainage pipes 32 and 31 for draining the liquid inside are connected to the bottoms of the first and second recovery tanks 30 and 29, respectively.

スプラッシュガード４には下昇降機構３４が結合されており、任意の高さ位置でスプラッシュガード４を保持できる。これにより、スプラッシュガード４を上昇位置（図１に示す位置）と下降位置（図２に示す位置）との間で昇降させることができる。
図１に示すように、スプラッシュガード４が上昇位置にあるときには、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方には、第１案内部４ａが位置するようになっている。この状態で、スピンチャック３に保持され下回転駆動機構８により回転されているウエハＷに、下処理液ノズル１４および／または上処理液ノズル２５から供給された処理液（薬液やリンス液）は、回転するウエハＷの遠心力を受けて側方へと飛散し、第１案内部４ａに受け止められる。第１案内部４ａに着液した処理液は、第１流路Ｐ１に導かれ、自重により下方へと流れ落ち、第１流路Ｐ１を通って第１回収槽３０に導かれる。これにより、ウエハＷから排除された処理液が第１回収槽３０に回収される。 A lower lift mechanism 34 is coupled to the splash guard 4 and can hold the splash guard 4 at any height position. Thereby, the splash guard 4 can be raised and lowered between the raised position (the position shown in FIG. 1) and the lowered position (the position shown in FIG. 2).
As shown in FIG. 1, when the splash guard 4 is in the raised position, the first guiding portion 4 a is positioned on the side of the wafer W held by the spin chuck 3. In this state, the processing liquid (chemical solution or rinse liquid) supplied from the lower processing liquid nozzle 14 and / or the upper processing liquid nozzle 25 to the wafer W held by the spin chuck 3 and rotated by the lower rotation driving mechanism 8 The centrifugal force of the rotating wafer W scatters to the side, and is received by the first guide portion 4a. The treatment liquid deposited on the first guiding portion 4a is guided to the first flow path P1, flows downward by its own weight, and is guided to the first recovery tank 30 through the first flow path P1. Thus, the processing liquid removed from the wafer W is collected in the first collection tank 30.

一方、図２に示すように、スプラッシュガード４が下降位置にあるときには、スプラッシュガード４が円筒部材２８ａの内部にほぼ収容され、円筒部材２８ｂの上部にスプラッシュガード４の円環状の溝４ｃが嵌るようになっている。このとき、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方には、第２案内部４ｂが位置する。
この状態で、スピンチャック３に保持され下回転駆動機構８により回転されているウエハＷに、下処理液ノズル１４および／または上処理液ノズル２５から供給された処理液は、回転するウエハＷの遠心力を受けて側方へと飛散し、第２案内部４ｂに受け止められる。第２案内部４ｂに着液した処理液は、第２流路Ｐ２に導かれ、自重により、下方へと流れ落ち、第２流路Ｐ２を通って第２回収槽２９に導かれる。これにより、ウエハＷから排除された処理液が第２回収槽２９に回収される。 On the other hand, as shown in FIG. 2, when the splash guard 4 is in the lowered position, the splash guard 4 is substantially accommodated inside the cylindrical member 28a, and the annular groove 4c of the splash guard 4 fits over the cylindrical member 28b. It is supposed to be. At this time, the second guiding portion 4 b is positioned on the side of the wafer W held by the spin chuck 3.
In this state, the processing liquid supplied from the lower processing liquid nozzle 14 and / or the upper processing liquid nozzle 25 to the wafer W held by the spin chuck 3 and rotated by the lower rotation driving mechanism 8 is a rotating wafer W. It receives centrifugal force and scatters to the side, and is received by the second guide 4b. The treatment liquid deposited on the second guiding portion 4b is guided to the second flow path P2, flows downward by its own weight, and is guided to the second recovery tank 29 through the second flow path P2. Thus, the processing liquid removed from the wafer W is collected in the second collection tank 29.

このように、スプラッシュガード４の昇降により、ウエハＷの周縁から飛散する処理液の導出先を、第１流路Ｐ１と第２流路Ｐ２との間で切り換えることができ、これにより、これらの処理液を第１および第２排液配管３２，３１から分別して排出できる。基板処理装置１において実行される処理では、第２回収槽２９に回収される処理液は、第１排液配管（回収流路）３２を通った後廃棄され、第１回収槽３０に回収される処理液は、第２排液配管３１を通った後再利用される。   As described above, the destination of the processing liquid scattered from the peripheral edge of the wafer W can be switched between the first flow path P1 and the second flow path P2 by moving up and down the splash guard 4, and these The treatment liquid can be separated and discharged from the first and second drainage pipes 32, 31. In the processing performed in the substrate processing apparatus 1, the processing liquid collected in the second collection tank 29 is discarded after passing through the first drainage pipe (collection flow channel) 32 and collected in the first collection tank 30. The treatment liquid is recycled after passing through the second drainage pipe 31.

以下、スプラッシュガード４の上昇位置（図１に示す位置）、すなわち、スピンチャック３に保持されたウエハＷから排除された処理液が第１回収槽３０に導かれるようなスプラッシュガード４の位置を「回収位置」といい、スプラッシュガード４の下降位置（図１に示す位置）、すなわち、スピンチャック３に保持されたウエハＷから排除された処理液が第２回収槽２９に導かれるようなスプラッシュガード４の位置を「廃棄位置」という。   Hereinafter, the rising position of the splash guard 4 (the position shown in FIG. 1), that is, the position of the splash guard 4 where the processing liquid removed from the wafer W held by the spin chuck 3 is guided to the first recovery tank 30 The "recovery position", which is the drop position of the splash guard 4 (the position shown in FIG. 1), that is, the splash in which the processing liquid removed from the wafer W held by the spin chuck 3 is guided to the second recovery tank 29. The position of the guard 4 is called "discarding position".

基板処理装置１は、制御ユニット３５を含む。制御ユニット３５はコンピュータを含む。制御ユニット３５は、図示しない記憶装置を備える。制御ユニット３５には、基板処理を行うためのレシピ（プログラム）が格納されている。制御ユニット３５は、制御ユニット３５に記憶されているレシピの内容に基づいて、回転駆動機構８，２３および昇降機構３３，３４の動作を制御する。また、制御ユニット３５は、制御ユニット３５に記憶されているレシピの内容に基づいて、バルブ１２Ｖ，１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，１８Ｖ２，２７Ｖを開閉する。さらに、制御ユニット３５は、制御ユニット３５に記憶されているレシピの内容に基づいて、１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度を調整する。   The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 35. Control unit 35 includes a computer. The control unit 35 includes a storage device (not shown). The control unit 35 stores a recipe (program) for performing substrate processing. The control unit 35 controls the operations of the rotary drive mechanisms 8 and 23 and the elevation mechanisms 33 and 34 based on the contents of the recipe stored in the control unit 35. Also, the control unit 35 opens and closes the valves 12V, 16V1, 16V2, 17V1, 17V2, 18V1, 18V2, 27V based on the contents of the recipe stored in the control unit 35. Further, the control unit 35 adjusts the opening degree of 18V1 and 18V2 based on the contents of the recipe stored in the control unit 35.

バルブ１８Ｖ１の開閉タイミングおよび開度は、本発明においては、後述するように、下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内の処理液を、窒素ガスによって押し出すにあたり、上処理液配管２４および下処理液ノズル１４内の処理液が完全に排除されないように制御される。
バルブ１８Ｖ２の開閉タイミングおよび開度は、本発明においては、後述するように、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内の処理液を、窒素ガスによって押し出すにあたり、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内の処理液が完全に排除されないように制御される。 In the present invention, the opening and closing timing and opening degree of the valve 18V1 are, in the present invention, the upper processing liquid pipe 24 and the lower part when the processing liquid in the lower processing liquid pipe 10 and the lower liquid nozzle 14 is pushed out by nitrogen gas. Control is performed so that the processing liquid in the processing liquid nozzle 14 is not completely removed.
In the present invention, the opening and closing timing and opening degree of the valve 18V2 are, in the present invention, the upper processing liquid pipe 24 and the upper when the processing liquid in the upper processing liquid pipe 24 and the upper processing liquid nozzle 25 is extruded by nitrogen gas. Control is performed so that the processing liquid in the processing liquid nozzle 25 is not completely eliminated.

図３は、この基板処理装置１によるウエハＷの処理方法を説明するためのフローチャートである。図１〜図３を参照しながら基板処理について説明する。
制御ユニット３５は、バルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，１８Ｖ２が閉じ、かつバルブ１２Ｖ，２７Ｖを開く。これにより、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からは処理液は吐出されないが、窒素ガス吐出口１１ａ，２６ａからは窒素ガスが吐出される。窒素ガスは、たとえば、５０リットル／ｍｉｎないし１００リットル／ｍｉｎ程度の流量で吐出される。この状態で、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内には、リンス液などの液体は存在していない。また、スプラッシュガード４は、廃棄位置（図２参照）よりさらに下方へ下降された位置に配置されている。 FIG. 3 is a flowchart for explaining the processing method of the wafer W by the substrate processing apparatus 1. Substrate processing will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
The control unit 35 closes the valves 16V1, 16V2, 17V1, 17V2, 18V1 and 18V2 and opens the valves 12V and 27V. Thus, the processing liquid is not discharged from the lower processing liquid nozzle 14 and the upper processing liquid nozzle 25, but nitrogen gas is discharged from the nitrogen gas discharge ports 11a and 26a. Nitrogen gas is discharged, for example, at a flow rate of about 50 liters / min to 100 liters / min. In this state, no liquid such as a rinse liquid exists in the processing liquid pipes 10 and 24, the lower processing liquid nozzle 14 and the upper processing liquid nozzle 25. Further, the splash guard 4 is disposed at a position lowered further downward than the discarding position (see FIG. 2).

この状態で、図示しないロボットハンドにより、チャンバ２内に未処理のウエハＷが搬入されて（ステップＳ１）、スピンチャック３により、ウエハＷがほぼ水平な姿勢に保持される。
その後、制御ユニット３５は、下昇降機構３４を制御して、スプラッシュガード４を回収位置（図１参照）に向けて上昇させる。（ステップＳ２）また、制御ユニット３５は、下回転駆動機構８を制御して、スピンチャック３に保持されたウエハＷを所定の回転軸線周りに回転させる。 In this state, an unprocessed wafer W is carried into the chamber 2 by a robot hand (not shown) (step S1), and the spin chuck 3 holds the wafer W in a substantially horizontal posture.
Thereafter, the control unit 35 controls the lower lifting mechanism 34 to raise the splash guard 4 toward the recovery position (see FIG. 1). (Step S2) Further, the control unit 35 controls the lower rotation drive mechanism 8 to rotate the wafer W held by the spin chuck 3 around a predetermined rotation axis.

次に、制御ユニット３５は、バルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２を開く。これにより、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内に薬液が導入される（ステップＳ３）。これにより、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から、ウエハＷに向けて薬液が吐出される（薬液吐出工程（処理液吐出工程））。下処理液ノズル１４から吐出された薬液は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの下面の中心部付近に供給され、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの下面を周縁部に向けて広がる。上処理液ノズル２５から吐出された薬液は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上面の中心部付近に供給され、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面を周縁部に向けて広がる。これにより、ウエハＷの下面の全面、およびウエハＷの上面の全面が、薬液により均一に処理される。   Next, the control unit 35 opens the valves 16V1 and 16V2. As a result, the chemical solution is introduced into the processing liquid pipes 10, 24 from the fluid introduction parts 10a, 24a (step S3). As a result, the chemical solution is discharged toward the wafer W from the lower process liquid nozzle 14 and the upper process liquid nozzle 25 (chemical liquid discharge process (process liquid discharge process)). The chemical solution discharged from the lower processing solution nozzle 14 is supplied near the central portion of the lower surface of the wafer W held by the spin chuck 3 and receives the centrifugal force due to the rotation of the wafer W. It spreads towards. The chemical solution discharged from the upper processing liquid nozzle 25 is supplied near the central portion of the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 3 and receives the centrifugal force due to the rotation of the wafer W. It spreads towards. Thus, the entire surface of the lower surface of the wafer W and the entire surface of the upper surface of the wafer W are uniformly processed by the chemical solution.

ウエハＷの周縁部に至った薬液は、回転するウエハＷの遠心力を受けて側方へと飛散し、第１案内部４ａに受け止められる。第１案内部４ａに着液した薬液は、下方へと流れ落ちて第１回収槽３０に回収される。薬液が導入される前の処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内には、リンス液などの液体が存在していない。そのため、第１回収槽３０に回収される薬液には、リンス液などの他の液体は混入しない。   The chemical solution that has reached the peripheral portion of the wafer W scatters sideward due to the centrifugal force of the rotating wafer W, and is received by the first guide portion 4a. The liquid chemical that has deposited on the first guide portion 4 a flows downward and is collected in the first collection tank 30. In the processing liquid pipes 10 and 24, the pretreatment liquid nozzle 14 and the upper processing liquid nozzle 25 before the introduction of the chemical liquid, no liquid such as a rinse liquid exists. Therefore, the liquid chemical collected in the first collection tank 30 is not mixed with another liquid such as a rinse liquid.

処理液配管１０，２４への薬液の導入から、予め定める時間が経過すると、制御ユニット３５はバルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２を閉じる。これにより、処理液配管１０，２４への薬液の導入が停止される（ステップＳ４）。この状態で、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内の全域に薬液が残存している。
処理液配管１０，２４への薬液の導入停止後、制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２を開く。これにより、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内に窒素ガスが導入開始される（ステップＳ５）。これにより、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）が開始される。 The control unit 35 closes the valves 16V1 and 16V2 when a predetermined time has elapsed since the introduction of the chemical solution to the processing liquid pipes 10 and 24. Thereby, the introduction of the chemical solution to the processing liquid pipes 10 and 24 is stopped (step S4). In this state, the chemical solution remains in the entire area in the treatment liquid pipes 10 and 24, the lower treatment liquid nozzle 14 and the upper treatment liquid nozzle 25.
After stopping the introduction of the chemical solution to the treatment liquid pipes 10 and 24, the control unit 35 opens the valves 18V1 and 18V2. Thereby, introduction of nitrogen gas from the fluid introduction parts 10a, 24a into the processing liquid pipes 10, 24 is started (step S5). Thereby, the gas extrusion process (S5, S6) is started.

下処理液配管１０への窒素ガスの導入により、下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に残存している薬液が押し出され、下処理液ノズル１４の吐出口１４ａから上方に向けて薬液が排出される。下処理液ノズル１４から排出された薬液は、回転中のウエハＷの下面を流れる。
上処理液配管２４への窒素ガスの導入により、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内に残存している薬液が押し出され、上処理液ノズル２５の吐出口２５ａから下方に向けて薬液が排出される。上処理液ノズル２５から排出された薬液は、回転中のウエハＷの上面またはスピンベース５の上面を流れる。 The introduction of nitrogen gas into the pre-treatment liquid pipe 10 pushes out the chemical liquid remaining in the pre-treatment liquid pipe 10 and the pre-treatment liquid nozzle 14, and the chemical liquid is directed upward from the discharge port 14 a of the pre-treatment liquid nozzle 14 Are discharged. The chemical solution discharged from the lower processing solution nozzle 14 flows on the lower surface of the rotating wafer W.
By introducing nitrogen gas into the upper processing liquid pipe 24, the chemical liquid remaining in the upper processing liquid pipe 24 and the upper processing liquid nozzle 25 is pushed out, and the chemical liquid is directed downward from the discharge port 25a of the upper processing liquid nozzle 25. Are discharged. The chemical solution discharged from the upper processing liquid nozzle 25 flows on the upper surface of the rotating wafer W or the upper surface of the spin base 5.

そして、ウエハＷの周縁部に至った薬液は、遠心力を受けて側方へと飛散し、第１案内部４ａに受け止められた後、第１回収槽３０に回収される。窒素ガスにより押し出される薬液には、リンス液などの他の液体は混入していない。したがって、当該薬液が第１回収槽３０に回収されても、第１回収槽３０にリンス液などの他の液体が混入することはない。   Then, the chemical solution that has reached the peripheral portion of the wafer W is scattered to the side under centrifugal force and is received by the first guide portion 4 a, and is then recovered in the first recovery tank 30. The other chemicals such as the rinse solution are not mixed in the chemical solution pushed out by the nitrogen gas. Therefore, even if the chemical solution is recovered in the first recovery tank 30, no other liquid such as a rinse liquid is mixed in the first recovery tank 30.

このように、ステップＳ３で第１回収槽３０に回収された薬液は、再利用に適しており、第１排液配管３２を介して薬液キャビネットへと送られた後、再度、薬液供給源１９に供給される。薬液には高価なものがある。こうした薬液を回収して使用することにより、運用コストの低減を図ることができる。
バルブ１８Ｖ１が開かれてから予め定める時間が経過すると、制御ユニット３５はバルブ１８Ｖ１を閉じる。これにより、処理液配管１０内への窒素ガスの導入が停止される（ステップＳ６、気体導入停止工程）。この予め定める時間は、処理液配管１０および下処理液ノズル１４から薬液が完全に排出されない状態で窒素ガス導入が停止するという条件が満たされるように、予め設定された時間である。当該予め定める時間の値は、制御ユニット３５の記憶装置に格納されている。制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ１の閉成前に、当該予め定める時間の値を読み込んでおく。 As described above, the chemical solution collected in the first recovery tank 30 in step S3 is suitable for reuse, and after being sent to the chemical solution cabinet via the first drainage pipe 32, the chemical solution supply source 19 is again provided. Supplied to Some medicines are expensive. Operating costs can be reduced by recovering and using such a chemical solution.
When a predetermined time has elapsed since the valve 18V1 was opened, the control unit 35 closes the valve 18V1. Thereby, the introduction of nitrogen gas into the processing liquid pipe 10 is stopped (Step S6, gas introduction stopping step). The predetermined time is a time set in advance such that the condition that the nitrogen gas introduction is stopped in a state where the chemical solution is not completely discharged from the treatment liquid pipe 10 and the lower treatment liquid nozzle 14 is satisfied. The predetermined time value is stored in the storage device of the control unit 35. The control unit 35 reads the value of the predetermined time before closing the valve 18V1.

このとき、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に残存する薬液の分量は少ないことが望ましい。例えば、図４Ａに示すように、下処理液ノズル１４の吐出口１４ａ近傍（先端部）にのみ薬液が残存することが望ましい。また、この場合、図４Ｂに示すように、薬液は第１の液溜まりＤＬ１を形成している。第１の液溜まりＤＬ１は、下処理液ノズル１４のノズル配管（吐出口１４ａ）の断面全域をカバーしている。   At this time, it is desirable that the amount of the chemical solution remaining in the treatment liquid pipe 10 and the lower treatment liquid nozzle 14 be small. For example, as shown in FIG. 4A, it is desirable that the chemical solution remain only in the vicinity of the discharge port 14a (the tip portion) of the lower treatment liquid nozzle 14. Further, in this case, as shown in FIG. 4B, the chemical solution forms the first liquid pool DL1. The first liquid pool DL1 covers the entire cross section of the nozzle pipe (discharge port 14a) of the lower processing liquid nozzle 14.

また、１８Ｖ２が開かれてから予め定める時間が経過すると、制御ユニット３５はバルブ１８Ｖ２を閉じる。これにより、処理液配管２４内への窒素ガスの導入が停止される（ステップＳ６、気体導入停止工程）。この予め定める時間は、処理液配管２４および上処理液ノズル２５から薬液が完全に排出されない状態で窒素ガス導入が停止するという条件が満たされるように、予め設定された時間である。当該予め定める時間の値は、制御ユニット３５の記憶装置に格納されている。制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ２の閉成前に、当該予め定める時間の値を読み込んでおく。   Also, when a predetermined time has elapsed since the 18V2 was opened, the control unit 35 closes the valve 18V2. Thus, the introduction of nitrogen gas into the processing liquid pipe 24 is stopped (step S6, gas introduction stopping step). The predetermined time is a time set in advance such that the condition that the nitrogen gas introduction is stopped in a state where the chemical solution is not completely discharged from the treatment liquid pipe 24 and the upper treatment liquid nozzle 25 is satisfied. The predetermined time value is stored in the storage device of the control unit 35. The control unit 35 reads the value of the predetermined time before closing the valve 18V2.

このとき、処理液配管２４および下処理液ノズル１４内に残存する薬液の分量は少ないことが望ましい。例えば、図５Ａに示すように、上処理液ノズル２５の吐出口２５ａ近傍（先端部）にのみ薬液が残存することが望ましい。また、この場合、図５Ｂに示すように、薬液は第２の液溜まりＤＬ２を形成している。第２の液溜まりＤＬ２は、上処理液ノズル２５のノズル配管（吐出口２５ａ）の断面全域をカバーしている。   At this time, it is desirable that the amount of the chemical solution remaining in the treatment liquid pipe 24 and the pretreatment liquid nozzle 14 be small. For example, as shown in FIG. 5A, it is desirable that the chemical solution remains only in the vicinity (the tip portion) of the discharge port 25a of the upper treatment liquid nozzle 25. Further, in this case, as shown in FIG. 5B, the chemical solution forms the second liquid pool DL2. The second liquid pool DL2 covers the entire cross section of the nozzle pipe (discharge port 25a) of the upper processing liquid nozzle 25.

ステップＳ６において、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の閉成タイミングが、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
処理液配管１０，２４内への窒素ガスの導入停止により、気体押出し工程が終了する。
例えば特許文献１では、処理液配管１０，２４および下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から窒素ガスの導入により薬液等を排出する工程においては、薬液押し出しのスループットを考慮し、窒素ガスの線流速が１〜２ｍ／ｓｅｃ程度になるようにされている。 In step S6, the closing timings of the valves 18V1 and 18V2 may be the same as or different from each other.
By stopping the introduction of nitrogen gas into the processing liquid pipes 10, 24, the gas extrusion process is completed.
For example, in Patent Document 1, in the process of discharging a chemical solution or the like by introducing nitrogen gas from the treatment liquid pipes 10 and 24 and the pretreatment liquid nozzle 14 and the upper treatment liquid nozzle 25, the throughput of the chemical liquid extrusion is taken into consideration. The linear flow velocity is about 1 to 2 m / sec.

しかし、本発明の実施形態においては、上述のように、下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内から薬液が完全に排出されない状態で窒素ガス導入が停止するように精密に窒素ガス導入を制御する必要がある。また、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５から薬液が完全に排出されない状態で窒素ガス導入が停止するように、精密に窒素ガス導入を制御する必要がある。したがって、薬液押し出しのスループットをある程度犠牲にしても窒素ガスの線流速が低くなるように、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）におけるバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度を設定することが望ましい。   However, in the embodiment of the present invention, as described above, the nitrogen gas introduction is precisely performed so that the nitrogen gas introduction is stopped in a state where the chemical solution is not completely discharged from the lower treatment liquid pipe 10 and the lower treatment liquid nozzle 14. Need to control. In addition, it is necessary to precisely control the nitrogen gas introduction so that the nitrogen gas introduction is stopped in a state where the chemical solution is not completely discharged from the upper treatment liquid pipe 24 and the upper treatment liquid nozzle 25. Therefore, it is desirable to set the opening degrees of the valves 18V1 and 18V2 in the gas extrusion process (S5, S6) so that the linear flow velocity of nitrogen gas is low even if the throughput of the chemical solution extrusion is sacrificed to some extent.

一方で、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度があまりにも小さく、窒素ガスの線流速が低すぎると、線流速の大きな変動や、薬液押し出しのスループットの低下といった問題が生じうる。そこで、上述の条件のバランスを実験的に把握し、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）におけるバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の適切な開度を制御ユニット３５の記憶装置に格納しておく。制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の閉成前に、これらの開度をそれぞれ読み込んでおく。   On the other hand, if the opening degree of the valves 18V1 and 18V2 is too small and the linear flow velocity of nitrogen gas is too low, problems such as a large fluctuation in linear flow velocity and a decrease in throughput of chemical solution extrusion may occur. Therefore, the balance of the above conditions is experimentally grasped, and the appropriate opening degree of the valves 18V1 and 18V2 in the gas extrusion process (S5, S6) is stored in the storage device of the control unit 35. The control unit 35 reads these degrees of opening before closing the valves 18V1 and 18V2, respectively.

近年において、開閉応答精度などを含めたバルブの性能は向上している。そのため、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）におけるバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度を低く設定し、窒素ガスの導入開始から導入停止までの時間を適切に設定することにより、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５の吐出口１４ａ，２５ａ近傍（先端部）のみに薬液が残存するように気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）を実行することが可能である。この場合、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からウエハＷへと窒素ガスが吹き付けられることを回避できるとともに、処理液配管１０，２４および下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５に残存した薬液の大半を排出できる。   In recent years, the performance of the valve including the response accuracy has been improved. Therefore, by setting the opening degree of the valves 18V1 and 18V2 low in the gas extrusion process (S5, S6) low and appropriately setting the time from the introduction start to the introduction stop of nitrogen gas, the lower treatment liquid nozzle 14 and the upper treatment It is possible to execute the gas extrusion process (S5, S6) so that the chemical solution remains only in the vicinity of the discharge ports 14a, 25a (tip portion) of the liquid nozzle 25. In this case, it is possible to prevent nitrogen gas from being blown to the wafer W from the lower processing solution nozzle 14 and the upper processing solution nozzle 25 and remaining in the processing solution pipes 10 and 24 and the lower processing solution nozzle 14 and the upper processing solution nozzle 25. It is possible to discharge most of the chemical solutions.

また、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５の吐出口１４ａ，２５ａ近傍に残存する薬液の液溜まりＤＬ１，ＤＬ２は、それぞれ、ノズル配管（吐出口１４ａ，２５ａ）の断面全域をカバーしている。したがって、液溜まりＤＬ１，ＤＬ２は、下処理液ノズル１４内の窒素ガス、および上処理液ノズル２５の内部の窒素ガスの各々が、配管外へと漏れ出ないようにするためのいわば蓋または液体シールの役割をも果たすこととなる。したがって、後のステップＳ８においてリンス液が処理液配管１０、２４に導入されるまでの間、窒素ガスが配管外へと漏れ出ることが防止される。すなわち、窒素ガスがウエハＷへと漏れ出ることが防止される。   Further, liquid pools DL1 and DL2 of the chemical solution remaining in the vicinity of the discharge ports 14a and 25a of the lower process liquid nozzle 14 and the upper process liquid nozzle 25 cover the entire cross section of the nozzle piping (discharge ports 14a and 25a), respectively. There is. Therefore, the liquid pools DL1 and DL2 are so-called lids or liquids for preventing the nitrogen gas in the lower processing solution nozzle 14 and the nitrogen gas in the upper processing solution nozzle 25 from leaking out of the piping. It will also play the role of a seal. Therefore, the nitrogen gas is prevented from leaking out of the piping until the rinse liquid is introduced into the processing liquid piping 10, 24 in the subsequent step S8. That is, the nitrogen gas is prevented from leaking to the wafer W.

次に、制御ユニット３５は、下昇降機構３４を制御して、スプラッシュガード４を回収位置（図１参照）から廃棄位置（図２参照）に向けて下降させる（ステップＳ７）。
なお、スプラッシュガード４が下降している間、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５の吐出口１４ａ，２５ａ近傍には薬液が残存しており、この薬液がいわば窒素ガスの蓋の役割を果たす。そのため、下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に存在する窒素ガスが下処理液ノズル１４外に漏れ出ることを防止できる。また、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内に存在する窒素ガスが上処理液ノズル２５外に漏れ出ることも防止できる。 Next, the control unit 35 controls the lower lifting mechanism 34 to lower the splash guard 4 from the recovery position (see FIG. 1) toward the discarding position (see FIG. 2) (step S7).
While the splash guard 4 is moving down, a chemical solution remains in the vicinity of the discharge ports 14a and 25a of the lower treatment liquid nozzle 14 and the upper treatment liquid nozzle 25, and this chemical solution acts as a nitrogen gas lid. Play. Therefore, it is possible to prevent the nitrogen gas present in the lower treatment liquid pipe 10 and the lower treatment liquid nozzle 14 from leaking out of the lower treatment liquid nozzle 14. In addition, it is possible to prevent the nitrogen gas present in the upper treatment liquid pipe 24 and the upper treatment liquid nozzle 25 from leaking out of the upper treatment liquid nozzle 25.

次に、制御ユニット３５は、バルブ１７Ｖ１，１７Ｖ２を開く。これにより、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内にリンス液が導入される（ステップＳ８）。このとき、下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に残留している薬液および窒素ガスは、下処理液配管１０に導入されたリンス液に押し出される形で、下処理液ノズル１４から外方に吐出される。具体的には、薬液および窒素ガスはウエハＷの下面に向けて吐出される。これら薬液および窒素ガスに引き続いて、下処理液ノズル１４からリンス液が吐出され、ウエハＷの下面に供給される。   Next, the control unit 35 opens the valves 17V1 and 17V2. As a result, the rinse liquid is introduced from the fluid introduction parts 10a, 24a into the processing liquid pipes 10, 24 (step S8). At this time, the chemical solution and the nitrogen gas remaining in the lower processing solution pipe 10 and the lower processing solution nozzle 14 are pushed out by the rinse liquid introduced into the lower processing solution pipe 10, and are removed from the lower processing solution nozzle 14. It is discharged to the direction. Specifically, the chemical solution and the nitrogen gas are discharged toward the lower surface of the wafer W. Following the chemical solution and the nitrogen gas, the rinse solution is discharged from the lower process solution nozzle 14 and supplied to the lower surface of the wafer W.

このとき、薬液および窒素ガスが、リンス液とともにウエハＷに供給される。しかしながら、下処理液ノズル１４内に残留している薬液は比較的少量であり、また、薬液は後続するリンス液により希釈されるため、残存薬液の供給によるウエハＷへの悪影響はほとんどない。また、下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に残存している窒素ガスの圧力は高圧ではなく、そのため、この窒素ガスがウエハＷに吹き付けられることによる、ウエハＷの乾燥・汚染などの悪影響は、実質上無視することができる。   At this time, the chemical solution and the nitrogen gas are supplied to the wafer W together with the rinse solution. However, since the chemical solution remaining in the lower processing solution nozzle 14 is relatively small and the chemical solution is diluted by the subsequent rinse solution, there is almost no adverse effect on the wafer W due to the supply of the remaining chemical solution. Further, the pressure of the nitrogen gas remaining in the lower processing solution pipe 10 and the lower processing solution nozzle 14 is not a high pressure, and therefore, the nitrogen gas is sprayed to the wafer W, such as drying or contamination of the wafer W. Adverse effects can be substantially ignored.

また、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内に残留している薬液および窒素ガスは、上処理液配管２４に導入されたリンス液に押し出される形で、上処理液ノズル２５から外方に吐出される。具体的には、薬液および窒素ガスはウエハＷの上面に向けて吐出される。これら薬液および窒素ガスに引き続いて、上処理液ノズル２５からリンス液が吐出され、ウエハＷの上面に供給される。   Further, the chemical solution and nitrogen gas remaining in the upper treatment liquid pipe 24 and the upper treatment liquid nozzle 25 are pushed out by the rinse liquid introduced into the upper treatment liquid pipe 24, and the outward from the upper treatment liquid nozzle 25. Is discharged. Specifically, the chemical solution and the nitrogen gas are discharged toward the upper surface of the wafer W. Subsequently to the chemical solution and the nitrogen gas, the rinse liquid is discharged from the upper processing liquid nozzle 25 and supplied to the upper surface of the wafer W.

このとき、薬液および窒素ガスが、リンス液とともにウエハＷに吹き付けられる。しかしながら、上処理液ノズル２５内に残留している薬液は比較的少量であり、また、薬液は後続するリンス液により希釈されるため、残存薬液の供給によるウエハＷへの悪影響はほとんどない。また、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内に残存している窒素ガスの圧力は高圧ではなく、そのため、この窒素ガスがウエハＷに吹き付けられることによる、ウエハＷの乾燥・汚染などの悪影響は、実質上無視することができる。   At this time, the chemical solution and the nitrogen gas are sprayed onto the wafer W together with the rinse solution. However, since the chemical solution remaining in the upper processing solution nozzle 25 is a relatively small amount, and the chemical solution is diluted by the subsequent rinse solution, there is almost no adverse effect on the wafer W due to the supply of the remaining chemical solution. Further, the pressure of the nitrogen gas remaining in the upper processing liquid pipe 24 and the upper processing liquid nozzle 25 is not a high pressure, and therefore, the nitrogen gas is blown to the wafer W, such as drying, contamination, etc. of the wafer W. Adverse effects can be substantially ignored.

下処理液ノズル１４から吐出されたリンス液は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの下面の中心部付近に供給され、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの下面を周縁部に向けて広がる。これにより、ウエハＷの下面に付着している薬液がリンス液により洗い流される（リンス液吐出工程（処理液吐出工程））。
また、上処理液ノズル２５から吐出されたリンス液は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上面の中心部付近に供給され、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面を周縁部に向けて広がる。これにより、ウエハＷの上面に付着している薬液がリンス液により洗い流される（リンス液吐出工程（処理液吐出工程））。 The rinse liquid discharged from the lower processing liquid nozzle 14 is supplied to the vicinity of the central portion of the lower surface of the wafer W held by the spin chuck 3 and receives the centrifugal force due to the rotation of the wafer W. Spread towards. Thereby, the chemical solution adhering to the lower surface of the wafer W is washed away by the rinse liquid (rinse liquid discharge step (processing liquid discharge step)).
The rinse liquid discharged from the upper processing liquid nozzle 25 is supplied near the central portion of the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 3 and receives the centrifugal force due to the rotation of the wafer W to It spreads towards the periphery. Thereby, the chemical solution adhering to the upper surface of the wafer W is washed away by the rinse liquid (rinse liquid discharge step (processing liquid discharge step)).

ウエハＷの周縁部に至ったリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて側方へと飛散し、第２案内部４ｂに受け止められる。第２案内部４ｂに着液したリンス液は、下方へと流れ落ちて第２回収槽２９に回収される。第２回収槽２９に回収されるリンス液は、薬液や汚染物を含むので、第１排液配管３１を排液された後、廃棄される。
処理液配管１０，２４へのリンス液の導入から、予め定める時間が経過すると、制御ユニット３５はバルブ１７Ｖ１，１７Ｖ２を閉じる。これにより、処理液配管１０，２４へのリンス液の導入が停止される（ステップＳ９）。この状態で、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内の全域にはリンスが残存している。 The rinse liquid that has reached the peripheral portion of the wafer W receives the centrifugal force due to the rotation of the wafer W, scatters to the side, and is received by the second guide portion 4 b. The rinse liquid deposited on the second guide portion 4 b flows downward and is recovered in the second recovery tank 29. The rinse liquid recovered in the second recovery tank 29 contains a chemical solution and contaminants, and thus is drained after being drained from the first drain pipe 31 and discarded.
The control unit 35 closes the valves 17V1 and 17V2 when a predetermined time has elapsed since the introduction of the rinse liquid to the processing liquid pipes 10 and 24. Thus, the introduction of the rinse liquid to the processing liquid pipes 10 and 24 is stopped (step S9). In this state, the rinse remains in the entire area in the treatment liquid pipes 10 and 24, the lower treatment liquid nozzle 14 and the upper treatment liquid nozzle 25.

処理液配管１０，２４への薬液の導入停止後、制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２を開く。これにより、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内に窒素ガスが導入開始される（ステップＳ１０）。これにより、気体押出工程（Ｓ１０，Ｓ１１）が開始される。
下処理液配管１０への窒素ガスの導入により、下処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に残存しているリンス液が押し出され、下処理液ノズル１４の吐出口１４ａから上方に向けてリンス液が排出される。下処理液ノズル１４から排出されたリンスは、回転中のウエハＷの下面を流れる。 After stopping the introduction of the chemical solution to the treatment liquid pipes 10 and 24, the control unit 35 opens the valves 18V1 and 18V2. Thereby, introduction of nitrogen gas from the fluid introduction parts 10a, 24a into the processing liquid pipes 10, 24 is started (step S10). Thereby, the gas extrusion process (S10, S11) is started.
By the introduction of nitrogen gas into the pre-treatment liquid pipe 10, the rinse liquid remaining in the pre-treatment liquid pipe 10 and the pre-treatment liquid nozzle 14 is pushed out and directed upward from the discharge port 14a of the pre-treatment liquid nozzle 14. The rinse solution is drained. The rinse discharged from the lower processing solution nozzle 14 flows on the lower surface of the rotating wafer W.

上処理液配管２４への窒素ガスの導入により、上処理液配管２４および上処理液ノズル２５内に残存している薬液が押し出され、上処理液ノズル２５の吐出口２５ａから下方に向けてリンス液が排出される。上処理液ノズル２５から排出された薬液は、回転中のウエハＷの上面またはスピンベース５の上面を流れる。
そして、ウエハＷの周縁部に至った薬液は、遠心力を受けて側方へと飛散し、第２案内部４ｂに受け止められた後、第２回収槽２９に回収される。 The introduction of nitrogen gas into the upper processing liquid pipe 24 pushes the chemical solution remaining in the upper processing liquid pipe 24 and the upper processing liquid nozzle 25 and rinses downward from the discharge port 25 a of the upper processing liquid nozzle 25. The fluid is drained. The chemical solution discharged from the upper processing liquid nozzle 25 flows on the upper surface of the rotating wafer W or the upper surface of the spin base 5.
Then, the chemical solution that has reached the peripheral portion of the wafer W is scattered to the side under centrifugal force and is received by the second guide portion 4 b, and is then recovered in the second recovery tank 29.

バルブ１８Ｖ２が開かれてから予め定める時間が経過すると、制御ユニット３５はバルブ１８Ｖ２を閉じる。これにより、処理液配管１０内への窒素ガスの導入が停止される（ステップＳ１１）。この予め定める時間は、処理液配管１０および下処理液ノズル１４からリンス液が完全に排出されない状態で窒素ガス導入が停止するという条件が満たされるように、予め設定された時間である。当該予め定める時間の値は、制御ユニット３５の記憶装置に格納されている。制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ２の閉成前に、当該予め定める時間の値を読み込んでおく。   When a predetermined time has elapsed since the valve 18V2 was opened, the control unit 35 closes the valve 18V2. Thus, the introduction of nitrogen gas into the processing liquid pipe 10 is stopped (step S11). The predetermined time is a time set in advance such that the condition that the nitrogen gas introduction is stopped in a state where the rinse liquid is not completely discharged from the treatment liquid pipe 10 and the lower treatment liquid nozzle 14 is satisfied. The predetermined time value is stored in the storage device of the control unit 35. The control unit 35 reads the value of the predetermined time before closing the valve 18V2.

このとき、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に残存するリンス液の分量は少ないことが望ましい。例えば、ステップＳ１０の場合と同様、下処理液ノズル１４の吐出口１４ａ（図４Ａ参照）近傍（先端部）にのみ薬液が残存することが望ましい。また、この場合、ステップＳ１０の場合と同様、リンス液は、液溜まりを形成している。この液溜まりは、下処理液ノズル１４のノズル配管（吐出口１４ａ）の断面全域をカバーしている。   At this time, it is desirable that the volume of the rinse liquid remaining in the treatment liquid pipe 10 and the pretreatment liquid nozzle 14 be small. For example, as in the case of step S10, it is desirable that the chemical solution remain only in the vicinity (tip portion) of the discharge port 14a (see FIG. 4A) of the lower treatment liquid nozzle 14. Further, in this case, as in the case of step S10, the rinse liquid forms a liquid pool. The liquid pool covers the entire cross section of the nozzle pipe (discharge port 14 a) of the lower treatment liquid nozzle 14.

また、１８Ｖ２が開かれてから予め定める時間が経過すると、制御ユニット３５はバルブ１８Ｖ２を閉じる。これにより、処理液配管２４内への窒素ガスの導入が停止される（ステップＳ１１）。この予め定める時間は、処理液配管２４および上処理液ノズル２５から薬液が完全に排出されない状態で窒素ガス導入が停止するという条件が満たされるように、予め設定された時間である。当該予め定める時間の値は、制御ユニット３５の記憶装置に格納されている。制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ２の閉成前に、当該予め定める時間の値を読み込んでおく。   Also, when a predetermined time has elapsed since the 18V2 was opened, the control unit 35 closes the valve 18V2. Thus, the introduction of nitrogen gas into the processing liquid pipe 24 is stopped (step S11). The predetermined time is a time set in advance such that the condition that the nitrogen gas introduction is stopped in a state where the chemical solution is not completely discharged from the treatment liquid pipe 24 and the upper treatment liquid nozzle 25 is satisfied. The predetermined time value is stored in the storage device of the control unit 35. The control unit 35 reads the value of the predetermined time before closing the valve 18V2.

このとき、処理液配管２４および上処理液ノズル２５内に残存するリンス液の分量は少ないことが望ましい。例えば、ステップＳ６の場合と同様、上処理液ノズル２５の吐出口２５ａ（図５Ａ参照）近傍（先端部）にのみ薬液が残存することが望ましい。また、この場合、ステップＳ６の場合と同様、リンス液は、液溜まりを形成している。この液溜まりは、処理液ノズル２５のノズル配管（吐出口２５ａ）の断面全域をカバーしている。   At this time, it is desirable that the volume of the rinse liquid remaining in the treatment liquid pipe 24 and the upper treatment liquid nozzle 25 be small. For example, as in the case of step S6, it is desirable that the chemical solution remains only in the vicinity (tip portion) of the discharge port 25a (see FIG. 5A) of the upper treatment liquid nozzle 25. Further, in this case, as in the case of step S6, the rinse liquid forms a liquid pool. The liquid pool covers the entire cross section of the nozzle pipe (discharge port 25 a) of the processing liquid nozzle 25.

ステップＳ１１において、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の閉成タイミングが、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
気体押出工程（Ｓ１０，Ｓ１１）では、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）の場合と同様、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度は、窒素ガスの線流速は、線流速の大きな変動や薬液押し出しのスループットの低下といった問題が生じない程度に低いことが望ましい。そこで、上述の条件のバランスを実験的に把握し、気体押出工程（Ｓ１０，Ｓ１１）におけるバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の適切な開度を制御ユニット３５の記憶装置に格納しておく。制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の閉成前に、これらの開度をそれぞれ読み込んでおく。 In step S11, the closing timings of the valves 18V1 and 18V2 may be the same as or different from each other.
In the gas extrusion process (S10, S11), as in the case of the gas extrusion process (S5, S6), the opening of the valves 18V1 and 18V2, the linear flow velocity of nitrogen gas, the large fluctuation of the linear flow velocity and the throughput of the chemical solution extrusion It is desirable to be low enough not to cause problems such as degradation. Therefore, the balance of the above conditions is experimentally grasped, and the appropriate opening degree of the valves 18V1 and 18V2 in the gas extrusion process (S10, S11) is stored in the storage device of the control unit 35. The control unit 35 reads these degrees of opening before closing the valves 18V1 and 18V2, respectively.

近年において、開閉応答精度などを含めたバルブの性能は向上している。そのため、気体押出工程（Ｓ１０，Ｓ１１）におけるバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度を低く設定し、窒素ガスの導入開始から導入停止までの時間を適切に設定することにより、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５の吐出口１４ａ，２５ａ近傍（先端部）のみにリンス液が残存するように気体押出工程（Ｓ１０，Ｓ１１）を実行することが可能である。この場合、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からウエハＷへと窒素ガスが吹き付けられることを回避できるとともに、処理液配管１０，２４および下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５に残存した薬液の大半を排出できる。   In recent years, the performance of the valve including the response accuracy has been improved. Therefore, by setting the opening degree of the valves 18V1 and 18V2 low in the gas extrusion process (S10, S11) low and appropriately setting the time from the introduction start to the introduction stop of the nitrogen gas, the lower treatment liquid nozzle 14 and the upper treatment It is possible to execute the gas extrusion process (S10, S11) so that the rinse liquid remains only in the vicinity of the discharge ports 14a, 25a (tip portion) of the liquid nozzle 25. In this case, it is possible to prevent nitrogen gas from being blown to the wafer W from the lower processing solution nozzle 14 and the upper processing solution nozzle 25 and remaining in the processing solution pipes 10 and 24 and the lower processing solution nozzle 14 and the upper processing solution nozzle 25. It is possible to discharge most of the chemical solutions.

上述のように、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）の場合と気体押出工程（Ｓ１０，Ｓ１１）の場合とでは、同様の方法により制御ユニット３５がバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開閉およびその開度の調整を行う。しかしながら、薬液とリンス液は粘度等の物性の違いが違う。したがって、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６）の場合と、気体押出工程（Ｓ１０，Ｓ１１）の場合とでは、最適な開度および窒素ガスの導入開始から導入停止までの時間として、それぞれ最適なものが設定される。   As described above, in the case of the gas extrusion process (S5, S6) and the case of the gas extrusion process (S10, S11), the control unit 35 controls the opening and closing of the valves 18V1 and 18V2 by the same method. Do. However, the difference between the chemical solution and the rinse solution is different in physical properties such as viscosity. Therefore, in the case of the gas extrusion process (S5, S6) and in the case of the gas extrusion process (S10, S11), the optimum opening and the time from the start of the introduction of nitrogen gas to the stop of the introduction are respectively optimum. It is set.

また、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５の吐出口１４ａ，２５ａ近傍に残存するリンス液の液溜まりは、それぞれ、ノズル配管（吐出口１４ａ，２５ａ）の断面全域をカバーしている。したがって、リンス液の液溜まりは、下処理液ノズル１４内の窒素ガス、および上処理液ノズル２５の内部の窒素ガスの各々が、配管外へと漏れ出ないようにするためのいわば蓋または液体シールの役割をも果たすこととなる。したがって、後のステップＳ８においてリンス液が処理液配管１０、２４に導入されるまでの間、窒素ガスが配管外へと漏れ出ることが防止される。すなわち、窒素ガスがウエハＷへと漏れ出ることが防止される。   Further, liquid pools of rinse liquid remaining in the vicinity of the discharge ports 14a and 25a of the lower treatment liquid nozzle 14 and the upper treatment liquid nozzle 25 respectively cover the entire cross section of the nozzle piping (discharge ports 14a and 25a). Therefore, the liquid pool of the rinse liquid is a so-called lid or liquid for preventing the nitrogen gas in the lower treatment liquid nozzle 14 and the nitrogen gas in the upper treatment liquid nozzle 25 from leaking out of the piping. It will also play the role of a seal. Therefore, the nitrogen gas is prevented from leaking out of the piping until the rinse liquid is introduced into the processing liquid piping 10, 24 in the subsequent step S8. That is, the nitrogen gas is prevented from leaking to the wafer W.

また、一枚のウエハＷに対し一連の処理プロセス（Ｓ１〜Ｓ１２）が終了し、次に処理されるウエハＷについての一連の処理プロセス（Ｓ１〜Ｓ１２）を開始するまで、下処理液ノズル１４の吐出口１４ａおよび上処理液ノズル２５の吐出口２５ａから汚染物質が進入することを防ぐことができる。
なお、ステップＳ９からステップＳ１２に至るリンス液工程に引き続いてチャンバ２内の雰囲気を窒素ガス雰囲気とすることを要する場合もある。この場合には、ステップＳ１１において、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から薬液が完全に除去されるまで窒素ガスを導入し、さらに引き続いてチャンバ２内の雰囲気が充分に窒素ガス雰囲気となるまで窒素ガスの導入を続けるようにしてもよい。 In addition, until the series of processing processes (S1 to S12) end for one wafer W and the series of processing processes (S1 to S12) for the wafer W to be processed next are started, the lower processing liquid nozzle 14 Contaminants can be prevented from entering from the discharge port 14a of the above and the discharge port 25a of the upper treatment liquid nozzle 25.
In some cases, it may be necessary to set the atmosphere in the chamber 2 to a nitrogen gas atmosphere following the rinse liquid process from step S9 to step S12. In this case, in step S11, nitrogen gas is introduced until the chemical solution is completely removed from the lower treatment liquid nozzle 14 and the upper treatment liquid nozzle 25, and the atmosphere in the chamber 2 is sufficiently changed to the nitrogen gas atmosphere. The introduction of nitrogen gas may be continued until it is reached.

リンス処理の終了後、制御ユニット３５は、下回転駆動機構８を制御して、スピンチャック３の回転速度を上昇させる。また、制御ユニット３５は、下回転駆動機構２３を制御して、遮断板２１を、スピンチャック３と同じ方向にほぼ同じ回転速度で回転させる。これにより、ウエハＷが振り切り乾燥される。その後、制御ユニット３５は、回転駆動機構８，２３を制御して、スピンチャック３および遮断板２１の回転を停止させる。   After the end of the rinse process, the control unit 35 controls the lower rotation drive mechanism 8 to increase the rotational speed of the spin chuck 3. The control unit 35 also controls the lower rotation drive mechanism 23 to rotate the blocking plate 21 in the same direction as the spin chuck 3 at substantially the same rotation speed. Thus, the wafer W is shaken off and dried. Thereafter, the control unit 35 controls the rotation drive mechanisms 8 and 23 to stop the rotation of the spin chuck 3 and the blocking plate 21.

そして、制御ユニット３５は、上昇降機構３３を制御して、遮断板２１および上処理液ノズル２５を上昇させる。その後、図示しないロボットハンドにより、ウエハＷがチャンバ２から搬出されて（ステップＳ１２）、一枚のウエハＷの薬液処理およびリンス処理が終了する。次のウエハＷについても、上述したＳ１〜Ｓ１２が同様に実行される。
図６は、他の形態に係る基板処理装置１００Ａの要部の図解的な断面図である。基板処理装置において、処理液ノズル１２５に接続された処理液配管１２４は、処理液吸引管１３２へと分岐している。ウエハＷの処理時においては、処理液ノズル１２５がウエハＷの上方に配置された状態で、処理液吸引管１３２に介装されたバルブ１３３Ａが閉じられ、処理液配管１２５に介装されたバルブ１２３Ａ、１２３Ｂが全て開かれる。これにより、処理液配管１２４における処理液ノズル１２５の他方端から、処理液ノズル１２５に向けて処理液配管１２４内を処理液が流通し、処理液ノズル１２５の端部からウエハＷへと供給される。 Then, the control unit 35 controls the upper elevating mechanism 33 to raise the blocking plate 21 and the upper treatment liquid nozzle 25. Thereafter, the wafer W is unloaded from the chamber 2 by a robot hand (not shown) (step S12), and the chemical solution processing and the rinse processing of one wafer W are completed. The above-described S1 to S12 are similarly executed for the next wafer W.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the main part of a substrate processing apparatus 100A according to another embodiment. In the substrate processing apparatus, the processing liquid pipe 124 connected to the processing liquid nozzle 125 is branched into the processing liquid suction pipe 132. At the time of processing the wafer W, with the processing liquid nozzle 125 disposed above the wafer W, the valve 133 A interposed in the processing liquid suction pipe 132 is closed, and the valve interposed in the processing liquid pipe 125. All 123A and 123B are opened. Thus, the processing liquid flows in the processing liquid pipe 124 from the other end of the processing liquid nozzle 125 in the processing liquid pipe 124 toward the processing liquid nozzle 125, and is supplied to the wafer W from the end of the processing liquid nozzle 125. Ru.

処理後、処理液ノズル１２５および処理液配管１２４の内部には、処理液が残存している。これら残存する処理液、とりわけ処理液ノズル１２５の内部に残存する処理液は、処理液ノズル１２５の端部から重力または処理液配管１２４内部の処理液残圧の作用により、処理液ノズル１２５の下方に垂れる、いわゆる液だれ現象を引き起こす可能性がある。こうした液だれ現象は、処理液ノズル１２５の下方にウエハＷがある場合にはウエハＷ汚染の原因となる。処理液ノズル１２５の下方にウエハＷが無い場合も、こうした液だれは装置汚染の原因となるため、発生を回避することが望ましい。   After the processing, the processing liquid remains in the processing liquid nozzle 125 and the processing liquid piping 124. The remaining processing liquid, in particular, the processing liquid remaining inside the processing liquid nozzle 125 is located below the processing liquid nozzle 125 by the action of gravity or the processing liquid residual pressure in the processing liquid piping 124 from the end of the processing liquid nozzle 125. It can cause so-called dripping phenomenon. Such a liquid dripping phenomenon causes the contamination of the wafer W when the wafer W exists below the processing liquid nozzle 125. Even when there is no wafer W below the processing liquid nozzle 125, such liquid dripping causes contamination of the apparatus, so it is desirable to avoid occurrence.

液だれを回避する方策の一つとして、いわゆるサックバック処理がある（サックバック処理は、特開特許５０３０７６７号公報にも記載）。図６に示すように、処理液配管１２５に介設されたバルブ１２３Ａを閉じた状態で、処理液吸引管１３２上のバルブ１３３Ａおよびバルブ１３３Ｂを開く。この状態で、吸引ポンプなどの吸引ユニット１３４を稼働させることにより、処理液ノズル１２５内および処理液配管１２４内に残存している処理液が、処理液吸引管１３２を通じて吸引され、吸引ユニット１３４に接続された図示しない廃液設備へと廃液される（サックバック処理）。   As one of the measures to avoid the liquid drip, there is a so-called suck back treatment (suck back treatment is also described in Japanese Patent Laid-Open No. 5030767). As shown in FIG. 6, the valve 133A and the valve 133B on the processing liquid suction pipe 132 are opened while the valve 123A provided in the processing liquid pipe 125 is closed. In this state, by operating the suction unit 134 such as a suction pump, the treatment liquid remaining in the treatment liquid nozzle 125 and in the treatment liquid pipe 124 is suctioned through the treatment liquid suction pipe 132, and the suction unit 134 It is drained to the connected waste liquid facility (not shown) (suck back process).

また、吸引ユニット１３４に、図示しない処理液回収機構を設けることで、吸引した処理液を再利用する構成がとられる場合もある。
こうしたサックバック処理により、上述の液だれ発生を回避することができる。また、吸引した処理液を再利用することができる。しかしながら、サックバック処理は、処理に比較的時間がかかるという問題点がある。また、吸引ポンプなどの吸引ユニット１３４による吸引力を安定して稼働することが難しい場合がある。 In addition, by providing a treatment liquid recovery mechanism (not shown) in the suction unit 134, there may be a configuration in which the suctioned treatment liquid is reused.
Such suckback treatment can avoid the occurrence of the above-mentioned dripping. In addition, the suctioned processing solution can be reused. However, the suck back process has a problem that the process takes a relatively long time. In addition, it may be difficult to stably operate the suction force by the suction unit 134 such as a suction pump.

図７は、さらに他の形態に係る基板処理装置１００Ｂの要部の図解的な断面図である。
図７を参照し、処理液ノズル１２５内および処理液配管１２４内から、残存している処理液を排除する別の方法（窒素導入による押出し処理）を説明する。
この別方法では、処理液配管１２４に多連弁１０１が接続されている。多連弁１０１には、窒素配管１１１および処理液配管１１２が接続されている。処理液配管１２４の内部と、窒素配管１１１の内部および処理液配管１１２の内部が、多連弁１０１の内部を介して、それぞれ連通している。処理液ノズル１２５内および処理液配管１２４内に処理液が残存している場合、多連弁１０１の切り替えにより処理液配管１２４と窒素配管１１１とが連通することで、窒素配管１１１を通じて処理液配管１２４内へと窒素ガスが導入される。このことにより、処理液ノズル１２５および処理液配管１２４内に残存する処理液が、処理液ノズル１２５の端部から排出される。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the main part of a substrate processing apparatus 100B according to still another embodiment.
With reference to FIG. 7, another method (extrusion processing by nitrogen introduction) for removing the remaining processing liquid from the processing liquid nozzle 125 and the processing liquid piping 124 will be described.
In this alternative method, the multiple valve 101 is connected to the treatment liquid pipe 124. A nitrogen pipe 111 and a treatment liquid pipe 112 are connected to the multiple valve 101. The inside of the processing liquid pipe 124 is in communication with the inside of the nitrogen pipe 111 and the inside of the processing liquid pipe 112 through the inside of the multiple valve 101. When the treatment liquid remains in the treatment liquid nozzle 125 and in the treatment liquid piping 124, the treatment liquid piping 124 and the nitrogen piping 111 communicate with each other by switching the multiple valve 101, so that the treatment liquid piping through the nitrogen piping 111 Nitrogen gas is introduced into the chamber 124. As a result, the processing liquid remaining in the processing liquid nozzle 125 and the processing liquid piping 124 is discharged from the end of the processing liquid nozzle 125.

多連弁１０１により窒素配管１１１が閉じている間、窒素配管１１１内に充填された窒素ガスは通常大気圧を超えた圧力を有するため、多連弁の操作により窒素配管１１１と処理液配管１２４とが連通されることにより、上記窒素導入が行われる。窒素ガスが導入されて既定の予め定める時間が経過すると、多連弁１０１の操作により窒素配管１１１内と処理液配管１２４内との連通が遮断される。これにより、窒素ガス導入が停止し、処理液ノズル１２５の供給口からの窒素ガスの排出も停止する。なお、予め定める時間は、処理液ノズル１２５および処理液配管１２４から残存する処理液が完全に排除されるのに充分な時間が設定される。   While the nitrogen pipe 111 is closed by the multiple valve 101, the nitrogen gas filled in the nitrogen pipe 111 usually has a pressure exceeding atmospheric pressure, so the nitrogen pipe 111 and the treatment liquid pipe 124 are operated by the operation of the multiple valve. The above-mentioned nitrogen introduction is performed by being communicated with each other. When the nitrogen gas is introduced and a predetermined time elapses, communication between the inside of the nitrogen pipe 111 and the inside of the processing liquid pipe 124 is interrupted by the operation of the multiple valve 101. Thereby, the nitrogen gas introduction is stopped, and the discharge of nitrogen gas from the supply port of the processing liquid nozzle 125 is also stopped. The predetermined time is set to a time sufficient to completely remove the treatment liquid remaining from the treatment liquid nozzle 125 and the treatment liquid pipe 124.

しかしながら、処理液配管１２４および処理液ノズル１２５内から、処理液が完全に排除されると、処理液ノズル１２５の吐出口からは窒素ガスのみ吐出され、吐出口から吐出された窒素ガスがウエハＷの主面に直接吹き付けられる。高圧の窒素ガスがウエハＷの主面に直接吹き付けられるために、ウエハＷの主面にダメージを与えるおそれがある。その結果、ウエハＷの処理品質低下につながるおそれがある。   However, when the processing liquid is completely removed from the processing liquid pipe 124 and the processing liquid nozzle 125, only nitrogen gas is discharged from the discharge port of the processing liquid nozzle 125, and the nitrogen gas discharged from the discharge port is the wafer W Directly on the main surface of the Since the high pressure nitrogen gas is directly blown to the main surface of the wafer W, the main surface of the wafer W may be damaged. As a result, the processing quality of the wafer W may be reduced.

以上により、この実施形態によれば、処理液ノズル１４，２５の吐出口１４ａ，２５ａからウエハＷへの処理液（薬液およびリンス液）の吐出が停止された後、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内へ窒素ガスを導入することにより、処理液配管１０，２４内および処理液ノズル１４，２５内の処理液が外方に向けて押し出される（気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６；Ｓ１０，Ｓ１１））。この場合において、処理液ノズル１４，２５の先端部に処理液が残存している状態で、換言すると、処理液配管１０，２４内および処理液ノズル１４，２５内から処理液が完全に押し出されてしまう前に、処理液配管１０，２４内への窒素ガスの導入が停止される。したがって、気体押出工程において、処理液配管１０，２４に導入された窒素ガスがウエハＷに直接吹き付けられることを防止できる。   As described above, according to this embodiment, after the discharge of the processing liquid (chemical solution and rinse liquid) from the discharge ports 14a and 25a of the processing liquid nozzles 14 and 25 to the wafer W is stopped, the fluid introduction parts 10a and 24a are used. By introducing nitrogen gas into the processing liquid pipes 10, 24, the processing liquid in the processing liquid pipes 10, 24 and the processing liquid nozzles 14, 25 is pushed outward (gas extrusion step (S5, S6). S10, S11)). In this case, with the treatment liquid remaining at the tip of the treatment liquid nozzles 14 and 25, in other words, the treatment liquid is completely pushed out from the treatment liquid piping 10 and 24 and the treatment liquid nozzles 14 and 25. Before the deposition, the introduction of nitrogen gas into the processing solution pipes 10 and 24 is stopped. Therefore, it is possible to prevent the nitrogen gas introduced to the processing liquid pipes 10 and 24 from being directly sprayed to the wafer W in the gas extrusion process.

また、処理液ノズル１４，２５の吐出口１４ａ，２５ａ近傍（先端部）に残存する処理液が、いわば処理液ノズル１４，２５の蓋の役割を果たすため、処理液ノズル１４，２５の吐出口１４ａ，２５ａを通じて窒素ガスが漏れることを防止できる。
また、この方法によれば、処理液ノズル１４，２５の先端部に処理液が残存している状態で、上記処理液配管１０，２４内への窒素ガスの導入を停止する。処理液配管１０，２４は、処理液ノズル１４，２５のノズル配管よりも、その配管長が著しく長いため、処理液配管１０，２４の容積は、処理液ノズル１４，２５のノズル配管の容積よりも大きい。処理液配管１０，２４および処理液ノズル１４，２５のうち、処理液ノズル１４，２５の先端部を除く部分に残存している処理液を除去するので、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６；Ｓ１０，Ｓ１１）の終了後は、処理液配管１０，２４および処理液ノズル１４，２５の大部分で処理液が存在しない。これにより、処理液ノズル１４，２５の吐出口１４ａ，２５ａからの処理液の液だれを効果的に抑制できる。 In addition, since the treatment liquid remaining in the vicinity (tip portion) of the ejection openings 14a and 25a of the treatment liquid nozzles 14 and 25 plays a role as a lid of the treatment liquid nozzles 14 and 25, the ejection openings of the treatment liquid nozzles 14 and 25 It is possible to prevent the nitrogen gas from leaking through 14a and 25a.
Further, according to this method, the introduction of the nitrogen gas into the processing liquid pipes 10 and 24 is stopped while the processing liquid remains at the tip of the processing liquid nozzles 14 and 25. Since the lengths of the processing liquid pipes 10 and 24 are significantly longer than the nozzle pipes of the processing liquid nozzles 14 and 25, the volume of the processing liquid pipes 10 and 24 is greater than the volume of the nozzle pipes of the processing liquid nozzles 14 and 25. Too big. Since the treatment liquid remaining in the portion of the treatment liquid pipes 10 and 24 and the treatment liquid nozzles 14 and 25 excluding the tip portion of the treatment liquid nozzles 14 and 25 is removed, the gas extrusion step (S5, S6; S10, S10, After the end of S11), most of the processing liquid pipes 10, 24 and the processing liquid nozzles 14, 25 have no processing liquid. As a result, liquid dripping of the processing liquid from the discharge ports 14 a and 25 a of the processing liquid nozzles 14 and 25 can be effectively suppressed.

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、上述の実施形態では、上処理液ノズル２５および下処理液ノズル１４は、ウエハＷの中心線上に配置するように固定されているが、これら処理液ノズル１４，２５として、ウエハＷの上面または下面上に沿って位置が移動するスキャン式が採用されてもよい。こうしたノズルであっても、上記説明した実施形態に開示された発明の構成および方法をとることが可能である。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
For example, in the above embodiment, the upper processing liquid nozzle 25 and the lower processing liquid nozzle 14 are fixed so as to be disposed on the center line of the wafer W, but as the processing liquid nozzles 14 and 25, the upper surface of the wafer W Alternatively, a scanning method in which the position moves along the lower surface may be employed. Even such a nozzle can take the configuration and method of the invention disclosed in the above-described embodiment.

上述の実施形態では、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度を変更することにより、処理液配管１０，２４に供給される窒素ガスの流量を調整するとして説明したが、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２は、開閉を切り換えのみ可能で開度変更不能な構成であってもよい。この場合、窒素ガス配管１８の開度を調整して処理液配管１０，２４に供給される窒素ガスの流量を調整するための開度調整バルブを、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２とは別に設けるようにしてもよい。   In the above embodiment, the flow rate of the nitrogen gas supplied to the processing liquid pipes 10 and 24 is adjusted by changing the opening degree of the valves 18V1 and 18V2, but the valves 18V1 and 18V2 switch the opening and closing The configuration may be such that only the opening degree can not be changed. In this case, an opening degree adjusting valve for adjusting the opening degree of the nitrogen gas pipe 18 to adjust the flow rate of nitrogen gas supplied to the processing liquid pipes 10 and 24 is provided separately from the valves 18V1 and 18V2. It is also good.

また、上述の実施形態では、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度と、処理液の吐出開始から吐出停止までの時間とを制御することにより、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６；Ｓ１０，Ｓ１１）における窒素ガスの導入量を調整したが、処理液の吐出開始から吐出停止までの時間のみを制御することにより、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６；Ｓ１０，Ｓ１１）における窒素ガスの導入量を調整してもよい。   In the above embodiment, the nitrogen gas in the gas extrusion step (S5, S6; S10, S11) is controlled by controlling the opening degree of the valves 18V1 and 18V2 and the time from the discharge start to the discharge stop of the treatment liquid. The introduction amount of nitrogen gas may be adjusted, but the introduction amount of nitrogen gas in the gas extrusion step (S5, S6; S10, S11) may be adjusted by controlling only the time from the discharge start of the treatment liquid to the discharge stop. .

また、所定量の窒素ガスを導入する手法として、供給元のガス供給源とは独立した加圧ガスタンク２０１を配管系上（たとえば窒素ガス配管）に介設する構成も採用できる。この場合、図８に示すように、窒素ガス等の供給源よりも容量の小さい、いわば窒素ガスの導入工程で必要な程度の分量の窒素ガスを貯める程度の容量を有する加圧ガスタンク２０１を用いる。   Further, as a method for introducing a predetermined amount of nitrogen gas, a configuration may be employed in which a pressurized gas tank 201 independent of the gas supply source of the supply source is interposed on a piping system (for example, nitrogen gas piping). In this case, as shown in FIG. 8, a pressurized gas tank 201 having a capacity smaller than that of a supply source such as nitrogen gas, that is, a capacity sufficient to store nitrogen gas of an amount necessary for the so-called nitrogen gas introduction step. .

一般的に、窒素ガス供給源１３から窒素ガス配管１８に導入される窒素の流量制御は、精密な制御が困難であり、特にその流量が小さい場合には導入圧力や導入分量を精密に制御することが困難である。そこで、窒素ガス配管１８に、窒素ガス供給源１３とは独立した、窒素ガス等を一時的に貯めておく一種のバッファタンクとしての加圧ガスタンク２０１を介装する。加圧ガスタンク２０１は、その両端がそれぞれタンクバルブ２０２を介して窒素ガス配管１８に接続するように窒素ガス配管１８に介装される。   In general, it is difficult to precisely control the flow rate of nitrogen introduced from the nitrogen gas supply source 13 into the nitrogen gas pipe 18, and in particular when the flow rate is small, the introduction pressure and the introduction amount are precisely controlled. It is difficult. Therefore, a pressurized gas tank 201, which is a kind of buffer tank for temporarily storing nitrogen gas and the like, which is independent of the nitrogen gas supply source 13, is interposed in the nitrogen gas pipe 18. The pressurized gas tank 201 is interposed in the nitrogen gas pipe 18 so that both ends thereof are respectively connected to the nitrogen gas pipe 18 via the tank valve 202.

制御ユニット３５は、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開閉により、処理液配管１０，２４への窒素ガスの導入／導入停止を切り換える。しかし、処理液配管１０，２４への窒素ガスの導入量を、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開閉のタイミングだけで高精度に制御することは困難である。また、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開閉の正確なタイミング制御も、バルブ機構の構造特性上限界がある。そのため、バルブバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開閉によって、処理液配管１０，２４への窒素ガスの導入量を精密に制御することが困難な場合がある。   The control unit 35 switches the introduction / introduction stop of the nitrogen gas to the processing liquid pipes 10, 24 by opening and closing the valves 18V1 and 18V2. However, it is difficult to control the amount of nitrogen gas introduced into the processing liquid pipes 10 and 24 with high accuracy only at the timing of opening and closing the valves 18V1 and 18V2. Further, accurate timing control of the opening and closing of the valves 18V1 and 18V2 is also limited in structural characteristics of the valve mechanism. Therefore, it may be difficult to precisely control the introduction amount of nitrogen gas to the processing liquid pipes 10 and 24 by opening and closing the valve valves 18V1 and 18V2.

これに対し、本変形例では、加圧ガスタンク２０１の内圧を制御し、タンクバルブ２０２の開閉により窒素ガスの導入工程において加圧ガスタンク２０１の内部の窒素ガスを開放することで、窒素ガス供給源１３から直接に窒素ガスを開放するよりも、処理液配管１０，２４への窒素ガスの導入量を高精度に制御できる。
また、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６；Ｓ１０，Ｓ１１）において、窒素ガスの導入開始後、処理液ノズル１４，２５の先端部に処理液が残存している状態で、処理液配管１０，２４内への窒素ガスの導入を停止するとして説明したが、窒素ガスの導入停止タイミングは、これに限られず、処理液配管１０，２４の少なくとも一部に処理液が残存している状態（処理液配管１０，２４内および処理液ノズル１４，２５から処理液が完全に排除されていない状態）であればよい。 On the other hand, in this modification, the internal pressure of the pressurized gas tank 201 is controlled, and the nitrogen gas inside the pressurized gas tank 201 is released in the introduction step of nitrogen gas by opening and closing the tank valve 202, thereby a nitrogen gas supply source. The amount of nitrogen gas introduced into the processing liquid pipes 10 and 24 can be controlled with high accuracy, as compared with the case where the nitrogen gas is directly released from 13.
Further, in the gas extrusion step (S5, S6; S10, S11), after the introduction of nitrogen gas is started, the inside of the processing liquid pipes 10, 24 is in a state where the processing liquid remains at the tip of the processing liquid nozzles 14, 25. Although it has been described that the introduction of nitrogen gas to the air is stopped, the introduction stop timing of the nitrogen gas is not limited thereto, and the state where the treatment liquid remains in at least a part of the treatment liquid pipes 10 and 24 (treatment liquid pipe 10 and 24 and in a state where the processing liquid is not completely removed from the processing liquid nozzles 14 and 25).

また、上述の実施形態では、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５を設けた場合を例に挙げて説明したが、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５の一方のみが設けられていてもよい。上処理液ノズル２５のみが設けられる場合、スピンチャック３としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することによりウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック３に保持されたウエハＷを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。   Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the case where the lower process liquid nozzle 14 and the upper process liquid nozzle 25 were provided was mentioned as the example and demonstrated, only one of the lower process liquid nozzle 14 and the upper process liquid nozzle 25 is provided. May be When only the upper processing liquid nozzle 25 is provided, the spin chuck 3 is not limited to the sandwich type, and for example, the wafer W is held in a horizontal posture by vacuum suction of the back surface of the wafer W, and further A vacuum suction type (vacuum chuck) may be employed which rotates the wafer W held by the spin chuck 3 by rotating around a vertical rotation axis.

また、上述の実施形態では、処理液配管１０，２４内および処理液ノズル１４，２５内から処理液を排出するための気体として窒素ガスを用いたが、この気体として清浄空気等の他の不活性ガスを用いてもよい。
また、処理液配管１０，２４の途中部に吸引配管（図６の処理液吸引管１３２と同等）を分岐接続してもよい。この場合、吸引配管に、吸引配管を介装するための吸引バルブ（図６の吸引バルブ１３３Ａと同等）を介装し、また吸引配管の、分岐側と反対側の端部に、吸引ユニット（図６の吸引ユニット１３３と同等）を介装してもよい。上述の実施形態では、気体押出工程（Ｓ５，Ｓ６；Ｓ１０，Ｓ１１）の終了後、処理液配管１０，２４の先端部に処理液（薬液およびリンス液）が残存した状態となる。この場合において、制御ユニット３５は、残存した処理液を吸引ユニット側に微小移動させるべく、吸引バルブを短時間開く工程をさらに行うように、吸引バルブや吸引ユニットを制御するようにしても良い。このことにより、処理液配管１０，２４の先端部に処理液を残存させる、本発明の利点を保持しながら、残存する処理液が処理液ノズル１４，２５の先端から液だれする可能性を低減できる。 Moreover, in the above-mentioned embodiment, although nitrogen gas was used as a gas for discharging | emitting a process liquid from the inside of the process liquid piping 10,24 and the process liquid nozzle 14,25, other gases, such as clean air, were used as this gas. An active gas may be used.
Further, a suction pipe (equivalent to the processing liquid suction pipe 132 in FIG. 6) may be branched and connected in the middle of the processing liquid pipes 10 and 24. In this case, a suction valve (equivalent to the suction valve 133A in FIG. 6) for inserting the suction piping is interposed in the suction piping, and a suction unit (at the end opposite to the branch side of the suction piping) (Same as the suction unit 133 of FIG. 6) may be interposed. In the above-described embodiment, after completion of the gas extrusion process (S5, S6; S10, S11), the processing liquid (chemical solution and rinse liquid) remains at the tip of the processing liquid pipes 10, 24. In this case, the control unit 35 may control the suction valve or the suction unit so as to further perform a process of opening the suction valve for a short time so as to minutely move the remaining treatment liquid to the suction unit side. This allows the treatment liquid to be left at the tip of the treatment liquid piping 10, 24. While maintaining the advantages of the present invention, the possibility of the remaining treatment liquid being dripped from the tip of the treatment liquid nozzles 14, 25 is reduced. it can.

また、上述の実施形態では、処理対象となる基板として半導体ウエハＷを取り上げたが、半導体ウエハに限らず、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。   In the above embodiment, the semiconductor wafer W is taken as a substrate to be processed. However, the present invention is not limited to the semiconductor wafer. For example, a glass substrate for liquid crystal display device, a substrate for plasma display, a substrate for FED, a substrate for optical disk, Other types of substrates such as a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, a ceramic substrate, a solar cell substrate and the like may be treated.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ ：基板処理装置
２ ：チャンバ
３ ：スピンチャック
４ ：スプラッシュガード
１０ ：下処理液配管
１０ａ ：流体導入部
１４ ：下処理液ノズル
１４ａ ：吐出口
１６ ：薬液配管
１６Ｖ１ ：バルブ
１６Ｖ２ ：バルブ
１７ ：リンス液配管
１７Ｖ１ ：バルブ
１７Ｖ２ ：バルブ
１８ ：窒素ガス配管
１８Ｖ１ ：バルブ
１８Ｖ２ ：バルブ
２４ ：上処理液配管
２４ａ ：流体導入部
２５ ：上処理液ノズル
２５ａ ：吐出口
１００Ａ ：基板処理装置
１００Ｂ ：基板処理装置
２０１ ：加圧ガスタンク
２０２ ：タンクバルブ
ＤＬ１ ：第１の液溜まり
ＤＬ２ ：第２の液溜まり
Ｗ ：ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Substrate processing apparatus 2: Chamber 3: Spin chuck 4: Splash guard 10: Pretreatment liquid piping 10a: Fluid introduction part 14: Pretreatment liquid nozzle 14a: Discharge port 16: Chemical solution piping 16V1: Valve 16V2: Valve 17: Rinse Liquid piping 17V1: valve 17V2: valve 18: nitrogen gas piping 18V1: valve 18V2: valve 24: upper processing liquid piping 24a: fluid introducing portion 25: upper processing liquid nozzle 25a: discharge port 100A: substrate processing apparatus 100B: substrate processing apparatus 201: pressurized gas tank 202: tank valve DL1: first liquid pool DL2: second liquid pool W: wafer

Claims (10)

処理対象の基板に対して、処理液を用いた処理を施すための基板処理方法であって、
上記基板を、基板保持回転機構によって水平な姿勢に保持する基板保持工程と、
吐出口を先端に有する処理液ノズルが一端に設けられた処理液配管の他端の流体導入部から上記処理液配管内に処理液を導入することにより、上記吐出口から処理液を上記基板に向けて吐出する処理液吐出工程と、
上記処理液吐出工程の停止後に上記流体導入部から上記処理液配管内へ気体を導入することにより、上記処理液配管内および上記処理液ノズル内の処理液を外方に向けて押し出す気体押出工程と、
前記気体の導入開始後、上記処理液配管および／または上記処理液ノズル内に処理液が残存している状態で上記処理液配管内への気体の導入を停止する気体導入停止工程とを含む、基板処理方法。 A substrate processing method for performing processing using a processing solution on a substrate to be processed, the substrate processing method comprising:
A substrate holding step of holding the substrate in a horizontal posture by a substrate holding and rotating mechanism;
The processing liquid is introduced from the discharge port to the substrate by introducing the processing liquid into the processing liquid pipe from the fluid introducing portion at the other end of the processing liquid pipe provided at one end with the processing liquid nozzle having the discharge port at the tip. A process liquid discharge process for discharging toward the
A gas extrusion process for extruding the treatment liquid in the treatment liquid pipe and the treatment liquid nozzle outward by introducing a gas from the fluid introduction part into the treatment liquid pipe after stopping the treatment liquid discharge step When,
After the start of the introduction of the gas, a gas introduction stopping step of stopping the introduction of the gas into the processing liquid pipe in a state where the processing liquid remains in the processing liquid pipe and / or the processing liquid nozzle Substrate processing method. 上記気体導入停止工程は、上記処理液ノズルの先端部に処理液が残存している状態で、上記処理液配管内への気体の導入を停止する、請求項１に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein in the gas introduction stopping step, the introduction of the gas into the processing liquid piping is stopped in a state where the processing liquid remains at the tip of the processing liquid nozzle. 上記気体押出工程と並行して、上記基板から排除された処理液を回収流路から回収する処理液回収工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, further comprising a processing liquid recovery step of recovering the processing liquid removed from the substrate from a recovery flow path in parallel with the gas extrusion step. 上記処理液は薬液を含み、
上記基板処理方法は、
上記気体導入停止工程の後に、上記流体導入部から上記処理液配管内にリンス液を導入することにより、上記吐出口から当該リンス液を上記基板に向けて吐出させるリンス液吐出工程をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The treatment liquid contains a chemical solution,
The above substrate processing method is
The method further includes a rinse liquid discharge process of discharging the rinse liquid toward the substrate from the discharge port by introducing a rinse liquid from the fluid introduction part into the processing liquid pipe after the gas introduction stopping step. The substrate processing method as described in any one of Claims 1-3. 基板を水平な姿勢に保持しながら回転するための基板保持回転機構と、
上記基板保持回転機構に保持された上記基板に向けて、処理液を吐出する吐出口を先端に有する処理液ノズルと、
上記処理液ノズルが一端に設けられ、処理液を導入する流体導入部が他端に設けられた処理液配管と、
上記流体導入部に接続され、上記処理液配管に処理液を供給する処理液供給配管と、
上記処理液配管を開閉する処理液バルブと、
上記流体導入部に接続され、上記処理液配管に気体を供給する気体配管と、
上記処理液配管を開閉する気体バルブと、
上記処理液バルブを開いて上記流体導入部から上記処理液配管内に処理液を導入することにより、上記吐出口から処理液を上記基板に向けて吐出する処理液吐出工程と、上記処理液バルブを閉じて上記処理液吐出工程を停止した後に、上記気体バルブを開いて上記流体導入部から上記処理液配管内へ気体を導入することにより、上記処理液配管内および上記処理液ノズル内の処理液を外方に向けて押し出す気体押出工程と、上記気体の導入開始後、上記処理液配管および／または上記処理液ノズル内に処理液が残存している状態で上記気体バルブを開くことにより、上記処理液配管内への気体の導入を停止する気体導入停止工程とを実行する制御ユニットとを備える、基板処理装置。 A substrate holding and rotating mechanism for rotating while holding the substrate in a horizontal posture;
A processing liquid nozzle having a discharge port for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding and rotating mechanism at its tip;
A treatment liquid pipe provided with the treatment liquid nozzle at one end and a fluid introduction part for introducing the treatment liquid at the other end;
A treatment liquid supply pipe connected to the fluid introduction unit and supplying the treatment liquid to the treatment liquid pipe;
A treatment liquid valve for opening and closing the treatment liquid piping;
A gas pipe which is connected to the fluid inlet and supplies a gas to the processing liquid pipe;
A gas valve that opens and closes the processing liquid piping;
The processing liquid discharge process of discharging the processing liquid toward the substrate from the discharge port by opening the processing liquid valve and introducing the processing liquid into the processing liquid pipe from the fluid introduction part, and the processing liquid valve Is closed to stop the processing liquid discharge process, and then the gas valve is opened to introduce a gas from the fluid introduction portion into the processing liquid pipe, thereby processing the inside of the processing liquid pipe and the processing liquid nozzle. A gas extruding step of extruding the liquid outward, and after the introduction of the gas is started, the gas valve is opened in a state where the processing liquid remains in the processing liquid pipe and / or the processing liquid nozzle, A substrate processing apparatus, comprising: a control unit performing a gas introduction stopping step of stopping the introduction of a gas into the processing liquid piping. 上記制御ユニットは、上記処理液ノズルの先端部に処理液が残存している状態で、上記処理液配管内への気体の導入を停止する、請求項５に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the control unit stops the introduction of the gas into the processing liquid pipe in a state where the processing liquid remains at the tip of the processing liquid nozzle. 気体を収容可能でかつ上記気体配管に介装された加圧ガスタンクをさらに含む、請求項５または６に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a pressurized gas tank capable of containing a gas and interposed in the gas pipe. 上記流体導入部に接続され、上記処理液配管にリンス液を供給するリンス液配管をさらに含む、請求項５〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to any one of claims 5 to 7, further comprising a rinse liquid pipe connected to the fluid introduction unit and supplying a rinse liquid to the processing liquid pipe. 上記基板に向けて押し出された処理液を回収流路に導く処理液回収機構をさらに含む、請求項５〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to any one of claims 5 to 8, further comprising a processing liquid recovery mechanism which guides the processing liquid extruded toward the substrate to a recovery flow channel. 上記気体配管の開度を調整する開度調整バルブをさらに含み、
上記制御ユニットは、レシピを記憶しており、
上記制御ユニットは、上記レシピに基づいて、上記気体バルブの開閉を行いかつ上記開度調整バルブの開度を調整する、請求項５〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。 It further includes an opening adjustment valve for adjusting the opening of the gas pipe,
The control unit stores the recipe,
The substrate processing apparatus according to any one of claims 5 to 9, wherein the control unit opens and closes the gas valve and adjusts the opening degree of the opening adjustment valve based on the recipe.
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