JP6964254B2 - 光検出装置 - Google Patents
光検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6964254B2 JP6964254B2 JP2017233160A JP2017233160A JP6964254B2 JP 6964254 B2 JP6964254 B2 JP 6964254B2 JP 2017233160 A JP2017233160 A JP 2017233160A JP 2017233160 A JP2017233160 A JP 2017233160A JP 6964254 B2 JP6964254 B2 JP 6964254B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photodetector
- cells
- incident
- photodetection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 99
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 76
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 32
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 32
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 32
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 5
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 54
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 10
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 8
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 5
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 210000001175 cerebrospinal fluid Anatomy 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 2
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004497 NIR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003727 cerebral blood flow Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 210000004884 grey matter Anatomy 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02041—Interferometers characterised by particular imaging or detection techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02083—Interferometers characterised by particular signal processing and presentation
- G01B9/02087—Combining two or more images of the same region
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0411—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0414—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using plane or convex mirrors, parallel phase plates, or plane beam-splitters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0422—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using light concentrators, collectors or condensers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0437—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using masks, aperture plates, spatial light modulators, spatial filters, e.g. reflective filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2290/00—Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
- G01B2290/30—Grating as beam-splitter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J2009/028—Types
- G01J2009/0284—Michelson
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
前記遮光膜に対向する光結合層であって、前記複数の透光領域に所定の波長の入射光が入射したときに、前記入射光の一部を前記第1の方向に伝搬させ、前記入射光の他の一部を透過させるグレーティングを含む光結合層と、
撮像面を有し、前記撮像面上に配置された複数の第1の光検出セルおよび複数の第2の光検出セルを含む光検出器と、
前記光結合層および前記光検出器の間に配置された光学系と、
を備える。
本開示の実施の形態を説明する前に、光の干渉性または位相を測定する従来の方法について、詳細に検討した結果を説明する。
図1Aは、本検討例に係る光検出システム100の模式図である。光検出システム100は、光源2と、レンズ光学系7と、光検出装置13と、制御回路1と、演算回路14と、を備える。
sinθ=N−λ0/Λ (式1)
複数の透光領域および複数の遮光領域が少なくとも第1の方向に交互に配置されている遮光膜と、
前記遮光膜に対向する光結合層であって、前記複数の透光領域に所定の波長の入射光が入射したときに、前記入射光の一部を前記第1の方向に伝搬させ、前記入射光の他の一部を透過させるグレーティングを含む光結合層と、
撮像面を有し、前記撮像面上に配置された複数の第1の光検出セルおよび複数の第2の光検出セルを含む光検出器と、
前記光結合層および前記光検出器の間に配置された光学系と、
を備える。
本実施の形態は、光検出装置13における光結合層12と光検出器10との間にレンズ光学系17が介在する点で、図1Aおよび図2Aに示す検討例に係る光検出システム100と異なる。その他の構成は光検出システム100と同じであるため、共通する要素には同じ番号を振り、詳しい説明は省略する。以下では、レンズ光学系17を単一のレンズとして説明する。しかし、レンズ光学系17は複数枚のレンズで構成されてもよい。
本開示の項目1に係る光検出装置は、
複数の透光領域および複数の遮光領域が少なくとも第1の方向に交互に配置されている遮光膜と、
前記遮光膜に対向する光結合層であって、前記複数の透光領域に所定の波長の入射光が入射したときに、前記入射光の一部を前記第1の方向に伝搬させ、前記入射光の他の一部を透過させるグレーティングを含む光結合層と、
撮像面を有し、前記撮像面上に配置された複数の第1の光検出セルおよび複数の第2の光検出セルを含む光検出器と、
前記光結合層および前記光検出器の間に配置された光学系と、
を備え、
前記複数の第1の光検出セルは、前記光結合層において前記複数の透光領域の各々に対向する部分を透過した光の像が、前記光学系によって拡大または縮小されて、前記複数の第1の光検出セルのうち対応する第1の光検出セル上に形成される位置に配置され、
前記複数の第2の光検出セルは、前記光結合層において前記複数の遮光領域の各々に対向する部分を透過した光の像が、前記光学系によって拡大または縮小されて、前記複数の第2の光検出セルのうち対応する第2の光検出セル上に形成される位置に配置されている。
項目1に記載の光検出装置において、
前記光結合層は、
第1低屈折率層、
前記第1低屈折率層上に配置され、前記グレーティングを含む第1高屈折率層、および
前記第1高屈折率層上に配置された第2低屈折率層をさらに含み、
前記第1高屈折率層は前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層よりも高い屈折率を有していてもよい。
項目1または2に記載の光検出装置において、
前記光検出器は、
各々が前記複数の第1の光検出セルのうちの対応する第1の光検出セル上に配置された複数の第1マイクロレンズと、
各々が前記複数の第2光検出セルのうちの対応する第2光検出セル上に配置された複数の第2マイクロレンズと、をさらに含んでいてもよい。
項目1から3のいずれかに記載の光検出装置は、
前記複数の第1の光検出セルから得られる複数の第1の信号と、前記複数の第2の光検出セルから得られる複数の第2の信号とに基づいて、前記複数の第1の光検出セルおよび前記複数の第2の光検出セルの各々の位置に入射した光のコヒーレンスを示す信号を出力する演算回路をさらに備えていてもよい。
項目4に記載の光検出装置において、
前記複数の第1の光検出セルの各々から得られる信号をP0とし、
前記複数の第2の光検出セルの各々から得られる信号をP1とし、
前記複数の第2の光検出セルのうち、前記複数の第1の光検出セルの各々に対して前記第1の方向および前記第1の方向の反対方向において隣接する2つの第2の光検出セルから得られる2つの信号の平均値をP1’とし、
前記複数の第1の光検出セルのうち、前記複数の第2の光検出セルの各々に対して前記第1の方向および前記第1の方向の反対方向において隣接する2つの第1の光検出セルから得られる2つの信号の平均値をP0’とするとき、
前記演算回路は、
P1’/(P0+P1’)またはP1’/P0の演算によって得られる信号を、前記複数の第1の光検出セルの各々の位置に入射した光のコヒーレンスを示す信号として生成し、
P1/(P0’+P1)またはP1/P0’の演算によって得られる信号を、前記複数の第2の光検出セルの各々の位置に入射した光のコヒーレンスを示す信号として生成してもよい。
本開示の項目6に係るプログラムは、
項目1から5のいずれかに記載の光検出装置
における前記光検出器から出力される複数の信号を処理するプログラムであって、プロセッサに、
前記複数の第1の光検出セルから得られる複数の第1の信号と、前記複数の第2の光検出セルから得られる複数の第2の信号とに基づいて、前記複数の第1の光検出セルおよび前記複数の第2の光検出セルの各々の位置に入射した光のコヒーレンスを示す信号を出力させる。 本開示において、回路、ユニット、装置、部材又は部の全部又は一部、又はブロック図の機能ブロックの全部又は一部は、半導体装置、半導体集積回路(IC)、又はLSI(large scale integration)を含む一つ又は複数の電子回路によって実行されてもよい。LSI又はICは、一つのチップに集積されてもよいし、複数のチップを組み合わせて構成されてもよい。例えば、記憶素子以外の機能ブロックは、一つのチップに集積されてもよい。ここでは、LSIまたはICと呼んでいるが、集積の度合いによって呼び方が変わり、システムLSI、VLSI(very large scale integration)、若しくはULSI(ultra large scale integration)と呼ばれるものであってもよい。 LSIの製造後にプログラムされる、Field Programmable Gate Array(FPGA)、又はLSI内部の接合関係の再構成又はLSI内部の回路区画のセットアップができるreconfigurable logic deviceも同じ目的で使うことができる。
1 制御回路
2 光源
3 光
4 被写体
5、5a、5A 散乱光
7、17 レンズ光学系
8a 実質的な物体
8b 像
9 遮光膜
9a 透光領域
9A 遮光領域
10 光検出層
11a,11A マイクロレンズ
12 光結合層
13 光検出装置
14 演算回路
Claims (5)
- 複数の透光領域および複数の遮光領域が少なくとも第1の方向に交互に配置されている遮光膜と、
前記遮光膜に対向する光結合層であって、前記複数の透光領域に所定の波長の入射光が入射したときに、前記入射光の一部を前記第1の方向に伝搬させ、前記入射光の他の一部を透過させるグレーティングを含む光結合層と、
撮像面を有し、前記撮像面上に配置された複数の第1の光検出セルおよび複数の第2の光検出セルを含む光検出器と、
前記光結合層および前記光検出器の間に配置された光学系と、
を備え、
前記複数の第1の光検出セルは、前記光結合層において前記複数の透光領域の各々に対向する部分を透過した光の像が、前記光学系によって拡大または縮小されて、前記複数の第1の光検出セルのうち対応する第1の光検出セル上に形成される位置に配置され、
前記複数の第2の光検出セルは、前記光結合層において前記複数の遮光領域の各々に対向する部分を透過した光の像が、前記光学系によって拡大または縮小されて、前記複数の第2の光検出セルのうち対応する第2の光検出セル上に形成される位置に配置されている、光検出装置。 - 前記光結合層は、
第1低屈折率層、
前記第1低屈折率層上に配置され、前記グレーティングを含む第1高屈折率層、および
前記第1高屈折率層上に配置された第2低屈折率層をさらに含み、
前記第1高屈折率層は前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層よりも高い屈折率を有する、
請求項1に記載の光検出装置。 - 前記光検出器は、
各々が前記複数の第1の光検出セルのうちの対応する第1の光検出セル上に配置された複数の第1マイクロレンズと、
各々が前記複数の第2光検出セルのうちの対応する第2光検出セル上に配置された複数の第2マイクロレンズと、をさらに含む、
請求項1または2に記載の光検出装置。 - 前記複数の第1の光検出セルから得られる複数の第1の信号と、前記複数の第2の光検出セルから得られる複数の第2の信号とに基づいて、前記複数の第1の光検出セルおよび前記複数の第2の光検出セルの各々の位置に入射した光のコヒーレンスを示す信号を出力する演算回路をさらに備える、
請求項1から3のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記複数の第1の光検出セルの各々から得られる信号をP0とし、
前記複数の第2の光検出セルの各々から得られる信号をP1とし、
前記複数の第2の光検出セルのうち、前記複数の第1の光検出セルの各々に対して前記第1の方向および前記第1の方向の反対方向において隣接する2つの第2の光検出セルから得られる2つの信号の平均値をP1’とし、
前記複数の第1の光検出セルのうち、前記複数の第2の光検出セルの各々に対して前記第1の方向および前記第1の方向の反対方向において隣接する2つの第1の光検出セルから得られる2つの信号の平均値をP0’とするとき、
前記演算回路は、
P1’/(P0+P1’)またはP1’/P0の演算によって得られる信号を、前記複数の第1の光検出セルの各々の位置に入射した光のコヒーレンスを示す信号として生成し、
P1/(P0’+P1)またはP1/P0’の演算によって得られる信号を、前記複数の第2の光検出セルの各々の位置に入射した光のコヒーレンスを示す信号として生成する、
請求項4に記載の光検出装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016238794 | 2016-12-08 | ||
JP2016238794 | 2016-12-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018096985A JP2018096985A (ja) | 2018-06-21 |
JP6964254B2 true JP6964254B2 (ja) | 2021-11-10 |
Family
ID=62489064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017233160A Active JP6964254B2 (ja) | 2016-12-08 | 2017-12-05 | 光検出装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10605586B2 (ja) |
JP (1) | JP6964254B2 (ja) |
CN (1) | CN108168715B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108174059B (zh) * | 2016-12-08 | 2021-04-13 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
WO2019244587A1 (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、および撮像システム |
CN114023188B (zh) * | 2021-10-27 | 2023-10-20 | 广州国显科技有限公司 | 柔性显示模组和柔性显示装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5113286A (en) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | At&T Bell Laboratories | Diffraction grating apparatus and method of forming a surface relief pattern in diffraction grating apparatus |
EP0617273B1 (de) * | 1993-03-26 | 2002-10-16 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Optisches Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Substanzen an Sensoroberflächen |
JPH1123372A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Res Dev Corp Of Japan | 光波コヒーレンス映像方法及びその装置 |
SG74157A1 (en) * | 1998-07-27 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for evaluating aberrations of optical element for use with optical device |
JP2004200358A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Nikon Corp | 固体撮像素子の色分解装置 |
CN1784588B (zh) * | 2003-03-06 | 2011-07-13 | 齐戈股份有限公司 | 使用扫描干涉测量形成复杂表面结构的轮廓以及对其表征 |
WO2004079295A2 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Zygo Corporation | Profiling complex surface structures using scanning interferometry |
JP2007533977A (ja) * | 2004-03-11 | 2007-11-22 | アイコス・ビジョン・システムズ・ナムローゼ・フェンノートシャップ | 波面操作および改良3d測定方法および装置 |
JP2007225453A (ja) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Advantest Corp | コヒーレンス測定装置、及び試験装置 |
US7718948B2 (en) * | 2006-12-04 | 2010-05-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Monitoring light pulses |
JP5572916B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2014-08-20 | 株式会社リコー | 光学システム及び赤外線撮像システム |
JP5440110B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-03-12 | 株式会社リコー | 分光特性取得装置、分光特性取得方法、画像評価装置、及び画像形成装置 |
JP5663148B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2015-02-04 | アズビル株式会社 | 計数装置、物理量センサ、計数方法および物理量計測方法 |
JP5777277B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2015-09-09 | 株式会社東芝 | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ |
US8792027B2 (en) * | 2010-01-06 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Solid-state image pickup device, imaging device, and dispersing element |
US9232159B2 (en) * | 2012-09-20 | 2016-01-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with crosstalk calibration pixels |
JP2014138142A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Panasonic Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP5970660B2 (ja) | 2013-06-13 | 2016-08-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光取り込みシートおよび光取り込みロッド、ならびにそれらを用いた受光装置、発光装置および光ファイバー用増幅器 |
CN103471725B (zh) * | 2013-09-27 | 2015-10-28 | 东南大学 | 基于调制光源及正负衍射级分开探测结构的波前检测装置 |
DE102014222203B3 (de) * | 2014-10-30 | 2016-03-10 | Infineon Technologies Ag | Überprüfung von Randschäden |
JP2016090291A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、分光システム、および分光方法 |
CN105611117B (zh) * | 2014-11-19 | 2018-12-07 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置以及分光*** |
JP6385288B2 (ja) * | 2015-01-29 | 2018-09-05 | 国立大学法人 香川大学 | 分光特性測定装置 |
CN106248224B (zh) * | 2015-06-09 | 2020-04-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 光检测装置以及光检测*** |
US10284825B2 (en) * | 2015-09-08 | 2019-05-07 | Rambus Inc. | Systems with integrated refractive and diffractive optics |
JP6706814B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-06-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置および光検出システム |
CN108174059B (zh) * | 2016-12-08 | 2021-04-13 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN108169175B (zh) * | 2016-12-08 | 2022-07-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 光检测*** |
-
2017
- 2017-09-26 CN CN201710879769.9A patent/CN108168715B/zh active Active
- 2017-11-28 US US15/825,041 patent/US10605586B2/en active Active
- 2017-12-05 JP JP2017233160A patent/JP6964254B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10605586B2 (en) | 2020-03-31 |
CN108168715B (zh) | 2021-02-19 |
JP2018096985A (ja) | 2018-06-21 |
CN108168715A (zh) | 2018-06-15 |
US20180164159A1 (en) | 2018-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6473942B2 (ja) | 光検出装置、および光検出システム | |
JP7012235B2 (ja) | 光検出システム | |
JP6706814B2 (ja) | 光検出装置および光検出システム | |
JP6646830B2 (ja) | 光検出装置および光検出システム | |
JP6964254B2 (ja) | 光検出装置 | |
JP6975913B2 (ja) | 撮像装置 | |
US9976904B2 (en) | Photodetection apparatus including optical filter and optical detector | |
WO2020036014A1 (ja) | 光検出装置、および光検出システム | |
JP2018093085A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2021152450A (ja) | 撮像装置、および撮像システム | |
JP2018096717A (ja) | 撮像装置 | |
JP2019045247A (ja) | 計測装置 | |
JP2019045289A (ja) | 計測装置 | |
JP2019090771A (ja) | 光検出装置、光検出システム、および光検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210928 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211001 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6964254 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |