JP6961109B2 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents
表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6961109B2 JP6961109B2 JP2020566375A JP2020566375A JP6961109B2 JP 6961109 B2 JP6961109 B2 JP 6961109B2 JP 2020566375 A JP2020566375 A JP 2020566375A JP 2020566375 A JP2020566375 A JP 2020566375A JP 6961109 B2 JP6961109 B2 JP 6961109B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- pixel
- layer
- electrode
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 214
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 200
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 claims description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 claims description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 claims 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims 1
- WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)-n-[4-[4-(4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 425
- 239000010408 film Substances 0.000 description 111
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 47
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBPIDKODQVLBGV-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole;pyridine Chemical class C1=CNC=N1.C1=CC=NC=C1 SBPIDKODQVLBGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/167—Electron transporting layers between the light-emitting layer and the anode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
1.本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明
2.第1の実施形態
3.第2の実施形態
4.第3の実施形態
5.第4の実施形態
6.第5の実施形態
7.各実施形態に適用される共振器構造の例
8.電子機器の説明、その他
本開示に係る表示装置、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置、及び、本開示に係る表示装置の製造方法によって得られる表示装置(以下、これらを単に「本開示の表示装置」と呼ぶ場合がある。)にあっては、上述したように、
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、2次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する2つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
構成とすることができる。この場合において、発光分離層は、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている構成とすることができる。
各発光層は、第1の発光層、第2の発光層、第3の発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として配置されており、
発光分離層は、第1の発光層と第2の発光層との間に配置された第1の発光分離層と、第2の発光層と第3の発光層との間に配置された第2の発光分離層とから成る、
構成とすることができる。この場合において、第1の発光分離層および第2の発光分離層の少なくとも一方は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている構成とすることができる。第1の発光分離層および第2の発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも1つを用いて形成されている構成とすることができる。
各発光層は、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されている、
構成とすることができる。
画素毎に対応するように第1電極を形成する工程、及び、
第1電極を含む全面に、種類の異なる複数の発光層のそれぞれを、連続した共通の層として積層すると共に、隣接する2つの発光層の間に配置される発光分離層を画素の表示色に応じて構成が異なるように形成する工程、
を有する。
隣接する第1電極の間に隔壁部を形成する工程を更に含んでおり、
第1電極を囲む隔壁部の高さと第1電極の幅とが成す比が、画素の発光色に応じて異なるように設定された状態で、発光層を所定の成膜幅でライン蒸着し、発光分離層を発光層の成膜幅よりも広い成膜幅でライン蒸着する、
構成とすることができる。
第1の実施形態は、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
発光分離層ILR<発光分離層ILB<発光分離層ILG
といった関係である。発光分離層ILの膜厚は0ないし20ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましく、この膜厚範囲内にて上記大小関係を保つように設定することが望ましい。
発光分離層ILR>発光分離層ILB>発光分離層ILG
といった関係となる。
画素10毎に対応するように第1電極31を形成する工程、及び、
第1電極31を含む全面に、種類の異なる複数の発光層のそれぞれを、連続した共通の層として積層すると共に、隣接する2つの発光層の間に配置される発光分離層ILを画素10の表示色に応じて構成が異なるように形成する工程、
を有する製造方法によって製造することができる。
HR/WR>HB/WB>HG/WG
といった関係にある。
HR/WR>HB/WB>HG/WG
といった関係にある。図12に示す基板を用いて図11に示すライン蒸着を行なうことによっても、発光分離層ILは、膜厚が発光部50R<発光部50B<発光部50Gといった関係となるように形成される。
第2の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
発光分離層ILR<発光分離層ILB<発光分離層ILG
といった大小関係になるように、例えば、0ないし80重量パーセントの範囲内で設定されている。
発光分離層ILR<発光分離層ILB<発光分離層ILG
というように相違する。
第3の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
発光分離層ILR<発光分離層ILB<発光分離層ILG
といった大小関係になるように設定されている。尚、各膜厚は0ないし20ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましい。
第4の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
発光分離層ILR<発光分離層ILB<発光分離層ILG
といった大小関係になるように形成されている。尚、各膜厚は0ないし20ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましい。
第5の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
発光分離層ILがホール輸送性材料から成る場合、これらの膜厚の関係は、
発光分離層ILR<発光分離層ILW<発光分離層ILB<発光分離層ILG
といった関係である。発光分離層ILの膜厚は0ないし20ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましく、この膜厚範囲内にて上記大小関係を保つように設定することが望ましい。
上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。
図20Aは、共振器構造の第1例を説明するための模式的な断面図である。
図20Bは、共振器構造の第2例を説明するための模式的な断面図である。
図21Aは、共振器構造の第3例を説明するための模式的な断面図である。
図21Bは、共振器構造の第4例を説明するための模式的な断面図である。
図22Aは、共振器構造の第5例を説明するための模式的な断面図である。
図22Bは、共振器構造の第6例を説明するための模式的な断面図である。
図23は、共振器構造の第7例を説明するための模式的な断面図である。
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部(表示装置)として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(頭部装着型ディスプレイ)等の表示部として用いることができる。
図24は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図24Aにその正面図を示し、図24Bにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部(カメラボディ)411の正面右側に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)412を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部413を有している。
図25は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部511の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部512を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部511として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部511として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
図26は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ611は、本体部612、アーム613および鏡筒614で構成される。
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、2次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する2つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
表示装置。
[A2]
発光分離層は、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている、
上記[A1]に記載の表示装置。
[A3]
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも1つを用いて形成されている、
上記[A2]に記載の表示装置。
[A4]
発光分離層は、画素の表示色に応じて構成が異なる材料を用いて形成されている、
上記[A1]に記載の表示装置。
[A5]
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が共蒸着されて形成されている、
上記[A1]に記載の表示装置。
[A6]
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の濃度関係が相違するように形成されている、
上記[A5]に記載の表示装置。
[A7]
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも2つが共蒸着されて形成されている、
上記[A5]または[A6]に記載の表示装置。
[A8]
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が積層されて形成されている、
上記[A1]に記載の表示装置。
[A9]
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の積層比率が相違するように形成されている、
上記[A8]に記載の表示装置。
[A10]
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも2つが積層されて形成されている、
上記[A8]または[A9]に記載の表示装置。
[A11]
有機層は、それぞれ種類の異なる、第1の発光層、第2の発光層、及び、第3の発光層を含んでおり、
各発光層は、第1の発光層、第2の発光層、第3の発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として配置されており、
発光分離層は、第1の発光層と第2の発光層との間に配置された第1の発光分離層と、第2の発光層と第3の発光層との間に配置された第2の発光分離層とから成る、
上記[A1]に記載の表示装置。
[A12]
第1の発光分離層および第2の発光分離層の少なくとも一方は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
上記[A11]に記載の表示装置。
[A13]
第1の発光分離層および第2の発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも1つを用いて形成されている、
上記[A11]または[A12]に記載の表示装置。
[A14]
有機層は、赤色発光層、青色発光層、及び、緑色発光層を含んでおり、
各発光層は、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されている、
上記[A1]ないし[A13]のいずれかに記載の表示装置。
[A15]
各画素の上面には表示すべき色に応じたカラーフィルタが配置されている、
上記[A1]ないし[A14]のいずれかに記載の表示装置。
[A16]
画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
上記[A1]ないし[A15]のいずれかに記載の表示装置。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
画素毎に対応するように第1電極を形成する工程、及び、
第1電極を含む全面に、種類の異なる複数の発光層のそれぞれを、連続した共通の層として積層すると共に、隣接する2つの発光層の間に配置される発光分離層を画素の表示色に応じて構成が異なるように形成する工程、
を有する、
表示装置の製造方法。
[B2]
隣接する第1電極の間に隔壁部を形成する工程を更に含んでおり、
第1電極を囲む隔壁部の高さと第1電極の幅とが成す比が、画素の発光色に応じて異なるように設定された状態で、発光層を所定の成膜幅でライン蒸着し、発光分離層を発光層の成膜幅よりも広い成膜幅でライン蒸着する、
上記[B1]に記載の表示装置の製造方法。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、2次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する2つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
表示装置を有する電子機器。
[C2]
発光分離層は、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている、
上記[C1]に記載の電子機器。
[C3]
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも1つを用いて形成されている、
上記[C2]に記載の電子機器。
[C4]
発光分離層は、画素の表示色に応じて構成が異なる材料を用いて形成されている、
上記[C1]に記載の電子機器。
[C5]
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が共蒸着されて形成されている、
上記[C1]に記載の電子機器。
[C6]
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の濃度関係が相違するように形成されている、
上記[C5]に記載の電子機器。
[C7]
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも2つが共蒸着されて形成されている、
上記[C5]または[C6]に記載の電子機器。
[C8]
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が積層されて形成されている、
上記[C1]に記載の電子機器。
[C9]
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の積層比率が相違するように形成されている、
上記[C8]に記載の電子機器。
[C10]
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも2つが積層されて形成されている、
上記[C8]または[C9]に記載の電子機器。
[C11]
有機層は、それぞれ種類の異なる、第1の発光層、第2の発光層、及び、第3の発光層を含んでおり、
各発光層は、第1の発光層、第2の発光層、第3の発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として配置されており、
発光分離層は、第1の発光層と第2の発光層との間に配置された第1の発光分離層と、第2の発光層と第3の発光層との間に配置された第2の発光分離層とから成る、
上記[C1]に記載の電子機器。
[C12]
第1の発光分離層および第2の発光分離層の少なくとも一方は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
上記[C11]に記載の電子機器。
[C13]
第1の発光分離層および第2の発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも1つを用いて形成されている、
上記[C11]または[C12]に記載の電子機器。
[C14]
有機層は、赤色発光層、青色発光層、及び、緑色発光層を含んでおり、
各発光層は、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されている、
上記[C1]ないし[C13]のいずれかに記載の電子機器。
[C15]
各画素の上面には表示すべき色に応じたカラーフィルタが配置されている、
上記[C1]ないし[C14]のいずれかに記載の電子機器。
[C16]
画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
上記[C1]ないし[C15]のいずれかに記載の電子機器。
Claims (16)
- 2次元マトリクス状に配列された、第1画素と第2画素と第3画素とを含む複数の画素と、
前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
を備え、
前記画素それぞれは、
基板上の第1電極と、
前記第1電極上の第1の発光層と、
前記第1の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第1発光分離層と、
前記第1発光分離層上の第2の発光層と、
前記第2の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第2発光分離層と、
前記第2発光分離層上の第3の発光層と、
前記第3の発光層上の第2電極と、
前記基板上であって前記基板と前記第1電極との間に位置する反射板と、
前記反射板と前記第1電極との間に位置する光学調整層と、
を備え、
前記第1の発光層の下面から前記第3の発光層の上面までの距離は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで等しく、
前記第1画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第2画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第3画素を区画する前記隔壁部の開口幅とは、互いに異なり、
前記画素それぞれにおける前記光学調整層の膜厚は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで異なる、
表示装置。 - 前記画素それぞれにおける前記第1発光分離層及び前記第2発光分離層のうちの少なくとも一方は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで構成が異なる、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1発光分離層の膜厚は、20nm(ナノメートル)以下である、
請求項1又は2に記載の表示装置。 - 前記第2発光分離層の膜厚は、20nm以下である、
請求項1〜3の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記画素それぞれにおける前記反射板の上面の高さ方向の位置は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで揃っている、
請求項1〜4の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記画素それぞれにおける前記光学調整層の上面の高さ方向の位置は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで揃っている、
請求項1〜4の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記画素それぞれにおける前記反射板の上面の高さ方向の位置は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とにおける前記第2電極の上面の高さ方向の位置が揃うようにずれている、
請求項1〜4、6の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記光学調整層は、酸化膜である、
請求項1〜7の何れか1項に記載の表示装置。 - 2次元マトリクス状に配列された、第1画素と第2画素と第3画素とを含む複数の画素と、
前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
を備え、
前記画素それぞれは、
基板上の第1電極と、
前記第1電極上の第1の発光層と、
前記第1の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第1発光分離層と、
前記第1発光分離層上の第2の発光層と、
前記第2の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第2発光分離層と、
前記第2発光分離層上の第3の発光層と、
前記第3の発光層上の第2電極と、
前記基板上であって前記基板と前記第1電極との間に位置する反射板と、
を備え、
前記第1の発光層の下面から前記第3の発光層の上面までの距離は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで等しく、
前記第1画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第2画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第3画素を区画する前記隔壁部の開口幅とは、互いに異なり、
前記画素それぞれにおける前記第1電極の膜厚は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで異なる、
表示装置。 - 2次元マトリクス状に配列された、第1画素と第2画素と第3画素とを含む複数の画素と、
前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
を備え、
前記画素それぞれは、
基板上の第1電極と、
前記第1電極上の第1の発光層と、
前記第1の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第1発光分離層と、
前記第1発光分離層上の第2の発光層と、
前記第2の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第2発光分離層と、
前記第2発光分離層上の第3の発光層と、
前記第3の発光層上の第2電極と、
を備え、
前記第1の発光層の下面から前記第3の発光層の上面までの距離は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで等しく、
前記第1画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第2画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第3画素を区画する前記隔壁部の開口幅とは、互いに異なり、
前記画素それぞれにおける前記第1電極は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで異なる光学定数を有する材料を含む、
表示装置。 - 2次元マトリクス状に配列された、第1画素と第2画素と第3画素とを含む複数の画素と、
前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
を備え、
前記画素それぞれは、
基板上の第1電極と、
前記第1電極上の第1の発光層と、
前記第1の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第1発光分離層と、
前記第1発光分離層上の第2の発光層と、
前記第2の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第2発光分離層と、
前記第2発光分離層上の第3の発光層と、
前記第3の発光層上の第2電極と、
を備え、
前記第1の発光層の下面から前記第3の発光層の上面までの距離は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで等しく、
前記第1画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第2画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第3画素を区画する前記隔壁部の開口幅とは、互いに異なり、
前記複数の画素のうちの少なくとも1つは、
前記基板上であって前記基板と前記第1電極との間に位置する反射板と、
前記反射板と前記第1電極との間に位置する光学調整層と、
をさらに備え、
前記複数の画素のうちの少なくとも他の2つそれぞれにおける前記第1電極は、互いに異なる光学定数を有する材料を含む、
表示装置。 - 前記ホール輸送性材料は、銅フタロシアニン、ヘキサアザトリフェニレン(HAT)、及び、α−NPD〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl〕-4,4'-diamineのうちの少なくとも1つを含み、
前記電子輸送性材料は、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)、8−ヒドロキシキノリンの金属錯体、8−ヒドロキシキノリンの誘導体の金属錯体、8−ヒドロキシキノリンの含窒素複素環誘導体、及び、8−ヒドロキシキノリンの誘導体の含窒素複素環誘導体のうちの少なくとも1つを含む、
請求項1〜11の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記画素それぞれは、前記第2電極上に位置し、特定の波長成分の光を透過させるカラーフィルタをさらに備える、
請求項1〜12の何れか1項に記載の表示装置。 - 2次元マトリクス状に配列された、第1画素と第2画素と第3画素とを含む複数の画素を備える表示装置の製造方法であって、
基板上に反射板を形成する工程と、
前記反射板上に光学調整層を形成する工程と、
前記光学調整層上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に前記画素それぞれを区画する隔壁部を形成する工程と、
少なくとも前記隔壁部の開口内に露出する前記第1電極上に第1の発光層を形成する工程と、
前記第1の発光層上に電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第1発光分離層を形成する工程と、
前記第1発光分離層上に第2の発光層を形成する工程と、
前記第2の発光層上に電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第2発光分離層を形成する工程と、
前記第2発光分離層上に第3の発光層を形成する工程と、
前記第3の発光層上に第2電極を形成する工程と、
を備え、
前記第1の発光層の下面から前記第3の発光層の上面までの距離は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで等しく、
前記第1画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第2画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第3画素を区画する前記隔壁部の開口幅とは、互いに異なり、
前記画素それぞれにおける前記光学調整層の膜厚は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで異なる、
表示装置の製造方法。 - 前記第1発光分離層及び前記第2発光分離層のうちの少なくとも1つは、マスク蒸着法又は転写法を用いて形成される、
請求項14に記載の表示装置の製造方法。 - 2次元マトリクス状に配列された、第1画素と第2画素と第3画素とを含む複数の画素と、
前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
を備え、
前記画素それぞれは、
基板上の第1電極と、
前記第1電極上の第1の発光層と、
前記第1の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第1発光分離層と、
前記第1発光分離層上の第2の発光層と、
前記第2の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第2発光分離層と、
前記第2発光分離層上の第3の発光層と、
前記第3の発光層上の第2電極と、
前記基板上であって前記基板と前記第1電極との間に位置する反射板と、
前記反射板と前記第1電極との間に位置する光学調整層と、
を備え、
前記第1の発光層の下面から前記第3の発光層の上面までの距離は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで等しく、
前記第1画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第2画素を区画する前記隔壁部の開口幅と、前記第3画素を区画する前記隔壁部の開口幅とは、互いに異なり、
前記画素それぞれにおける前記光学調整層の膜厚は、前記第1画素と前記第2画素と前記第3画素とで異なる、
表示装置を有する電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021167284A JP6997908B1 (ja) | 2019-01-15 | 2021-10-12 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2021205010A JP2022027974A (ja) | 2019-01-15 | 2021-12-17 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2024074644A JP2024092028A (ja) | 2019-01-15 | 2024-05-02 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019004125 | 2019-01-15 | ||
JP2019004125 | 2019-01-15 | ||
PCT/JP2019/051453 WO2020149151A1 (ja) | 2019-01-15 | 2019-12-27 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021167284A Division JP6997908B1 (ja) | 2019-01-15 | 2021-10-12 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020149151A1 JPWO2020149151A1 (ja) | 2021-11-04 |
JP6961109B2 true JP6961109B2 (ja) | 2021-11-05 |
Family
ID=71614386
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020566375A Active JP6961109B2 (ja) | 2019-01-15 | 2019-12-27 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2021167284A Active JP6997908B1 (ja) | 2019-01-15 | 2021-10-12 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2021205010A Pending JP2022027974A (ja) | 2019-01-15 | 2021-12-17 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2024074644A Pending JP2024092028A (ja) | 2019-01-15 | 2024-05-02 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021167284A Active JP6997908B1 (ja) | 2019-01-15 | 2021-10-12 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2021205010A Pending JP2022027974A (ja) | 2019-01-15 | 2021-12-17 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2024074644A Pending JP2024092028A (ja) | 2019-01-15 | 2024-05-02 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220037608A1 (ja) |
JP (4) | JP6961109B2 (ja) |
KR (1) | KR20210114938A (ja) |
CN (1) | CN113287369A (ja) |
DE (1) | DE112019006653T5 (ja) |
TW (1) | TW202031801A (ja) |
WO (1) | WO2020149151A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20240180002A1 (en) * | 2021-03-31 | 2024-05-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device, electronic device, and method of manufacturing display device |
WO2023209490A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器 |
KR20240077579A (ko) * | 2022-11-23 | 2024-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005222928A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
JP4742639B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
JP4402069B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 多色有機elディスプレイ |
JP4967423B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2009048828A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 有機elカラー表示装置および電子機器 |
JP2009049223A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP4967952B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
JP4893573B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2012-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
JP4915356B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2012-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
US7955719B2 (en) * | 2008-01-30 | 2011-06-07 | Global Oled Technology Llc | Tandem OLED device with intermediate connector |
JP5141618B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
JP5728930B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2015-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
JP2012252829A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
BE1020676A3 (fr) * | 2012-05-08 | 2014-03-04 | Agc Glass Europe | Dispositif photonique organique. |
JP6060530B2 (ja) | 2012-06-12 | 2017-01-18 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子及び表示装置 |
US8940568B2 (en) * | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
US9577221B2 (en) * | 2012-09-26 | 2017-02-21 | Universal Display Corporation | Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime |
JP2014212070A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
JP6192431B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-09-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置の駆動方法、及び有機el表示装置 |
KR102081117B1 (ko) * | 2013-08-29 | 2020-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
JP2015197994A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置、及び電子機器 |
JP6432149B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2018-12-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
WO2015178028A1 (ja) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
US10096782B2 (en) * | 2014-08-01 | 2018-10-09 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
JP5918340B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-18 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | カラー表示装置及びその製造方法 |
US20170309852A1 (en) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Element, Display Device, Electronic Device, and Lighting Device |
-
2019
- 2019-12-27 DE DE112019006653.6T patent/DE112019006653T5/de active Pending
- 2019-12-27 WO PCT/JP2019/051453 patent/WO2020149151A1/ja active Application Filing
- 2019-12-27 CN CN201980088300.0A patent/CN113287369A/zh active Pending
- 2019-12-27 US US17/298,430 patent/US20220037608A1/en active Pending
- 2019-12-27 KR KR1020217019673A patent/KR20210114938A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-27 JP JP2020566375A patent/JP6961109B2/ja active Active
- 2019-12-30 TW TW108148286A patent/TW202031801A/zh unknown
-
2021
- 2021-10-12 JP JP2021167284A patent/JP6997908B1/ja active Active
- 2021-12-17 JP JP2021205010A patent/JP2022027974A/ja active Pending
-
2024
- 2024-05-02 JP JP2024074644A patent/JP2024092028A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024092028A (ja) | 2024-07-05 |
JP2022027974A (ja) | 2022-02-14 |
JP2022025084A (ja) | 2022-02-09 |
KR20210114938A (ko) | 2021-09-24 |
JPWO2020149151A1 (ja) | 2021-11-04 |
JP6997908B1 (ja) | 2022-01-24 |
WO2020149151A1 (ja) | 2020-07-23 |
CN113287369A (zh) | 2021-08-20 |
TW202031801A (zh) | 2020-09-01 |
DE112019006653T5 (de) | 2021-12-09 |
US20220037608A1 (en) | 2022-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6997908B1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 | |
KR101895616B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2016195070A (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 | |
JP7184882B2 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 | |
US20190386248A1 (en) | Display device and electronic apparatus | |
US11327327B2 (en) | Image display device and virtual image display device | |
WO2016170856A1 (ja) | 表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器 | |
WO2020105433A1 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器 | |
KR102569723B1 (ko) | 마이크로 캐비티 구조를 적용한 백색 유기전계발광 표시장치 | |
US20020122900A1 (en) | Organic electroluminescent device and display unit | |
WO2020166511A1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 | |
WO2020158710A1 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器 | |
JP7289831B2 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 | |
CN111628094B (zh) | 有机发光显示装置及有机发光堆叠结构 | |
KR102604263B1 (ko) | 표시장치 | |
US11038140B2 (en) | Display device, electronic device, and method of producing display device | |
WO2021225096A1 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器 | |
WO2022009731A1 (ja) | 駆動回路アレイ基板、表示装置および電子機器 | |
KR20090054643A (ko) | 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210719 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210719 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210916 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210928 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6961109 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |