JP6950767B2 - Device manufacturing method - Google Patents

Device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6950767B2
JP6950767B2 JP2020024883A JP2020024883A JP6950767B2 JP 6950767 B2 JP6950767 B2 JP 6950767B2 JP 2020024883 A JP2020024883 A JP 2020024883A JP 2020024883 A JP2020024883 A JP 2020024883A JP 6950767 B2 JP6950767 B2 JP 6950767B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
porous
device manufacturing
porous sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020024883A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020145419A (en
Inventor
鈴木　智也
智也 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2020145419A publication Critical patent/JP2020145419A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6950767B2 publication Critical patent/JP6950767B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F17/00—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for
    • B41F17/08—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces
    • B41F17/10—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces on articles of indefinite length, e.g. wires, hoses, tubes, yarns
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F17/00—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for
    • B41F17/08—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces
    • B41F17/14—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces on articles of finite length
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は、デバイス製造方法に関する。
本願は、２０１２年８月６日に出願された日本国特願２０１２−１７３９８３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。 The present invention relates to a device manufacturing method.
The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2012-173983 filed on August 6, 2012, the contents of which are incorporated herein by reference.

ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子、電子ペーパに用いられる電気泳動素子などが知られている。これらの素子を作製する手法の１つとして、例えばロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 As a display element constituting a display device such as a display device, for example, a liquid crystal display element, an organic electroluminescence (organic EL) element, an electrophoresis element used for electronic paper, and the like are known. As one of the methods for manufacturing these elements, for example, a method called a roll-to-roll method (hereinafter, simply referred to as a "roll method") is known (see, for example, Patent Document 1).

ロール方式は、基板供給側のローラーに巻かれた１枚のシート状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側のローラーで巻き取りながら基板を搬送し、基板が送り出されてから巻き取られるまでの間に、表示回路やドライバ回路などのパターンを基板上に順次形成する手法である。近年では例えば大型のディスプレイ装置などの需要が多く、基板上の広範囲にパターンを効率的に形成する技術が求められている。このような技術の一つとして、例えば、予め転写版に形成されたパターン層を基板に転写する転写法（転着法）が知られている。 In the roll method, a single sheet-shaped substrate wound on a roller on the substrate supply side is sent out, and the sent out substrate is conveyed while being wound up by a roller on the substrate collection side, and the substrate is wound after being sent out. This is a method of sequentially forming patterns such as a display circuit and a driver circuit on a substrate until it is formed. In recent years, for example, there is a great demand for large display devices, and there is a demand for a technique for efficiently forming a pattern over a wide range on a substrate. As one of such techniques, for example, a transfer method (transfer method) in which a pattern layer previously formed on a transfer plate is transferred to a substrate is known.

国際公開第２００６／１００８６８号International Publication No. 2006/100868

しかしながら、転写法においては、パターン層を基板に転写する際に、転写版にパターンの一部が残ってしまう可能性がある。 However, in the transfer method, when the pattern layer is transferred to the substrate, a part of the pattern may remain on the transfer plate.

本発明に係る態様は、転写時にパターン層が転写版に残留するのを抑えることができるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a device manufacturing method capable of suppressing the pattern layer from remaining on the transfer plate during transfer.

本発明に係る一態様のデバイス製造方法は、長尺の可撓性を有する第１の基板上に、転写方式を利用して薄膜トランジスタを含む電子デバイスを製造するデバイス製造方法であって、所定の厚みを有し、微小なポーラスを介して表面と裏面との間で気体を通過可能な多孔質材料による可撓性のシート状の第２の基板の前記表面に、前記薄膜トランジスタを構成する電極層、半導体層、絶縁層のうちの少なくとも半導体層を含んで相対的に位置合わせされる２つの層を積層した積層構造体と、該積層構造体を囲む所定領域の周囲を被覆する隔壁層とを形成する第１の工程と、前記積層構造体の前記半導体層の結晶化の為に、前記第１の工程後の前記第２の基板を加熱する第２の工程と、前記積層構造体を囲む前記所定領域内に絶縁性の支持層を所定の厚みで形成する第３の工程と、前記第２の基板の前記表面側と前記第１の基板の表面側とが順次に部分的に密着または近接するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを共に一方向に移動させながら、前記部分的に密着または近接する位置で、前記第２の基板の前記裏面から前記表面に向けて所定圧力の気体を噴出し、前記ポーラスを通る前記気体の圧力によって前記積層構造体を前記支持層と共に前記第２の基板から剥離させて前記第１の基板の表面に転着する第４の工程と、を含む。 One aspect of the device manufacturing method according to the present invention is a device manufacturing method for manufacturing an electronic device including a thin film transistor on a long flexible first substrate by using a transfer method, and is a predetermined device manufacturing method. An electrode layer constituting the thin film transistor on the surface of a flexible sheet-like second substrate made of a porous material having a thickness and allowing gas to pass between the front surface and the back surface via a minute porous material. , A laminated structure in which two layers that are relatively aligned including at least a semiconductor layer among the semiconductor layer and the insulating layer are laminated, and a partition wall layer that covers the periphery of a predetermined region surrounding the laminated structure. A first step of forming, a second step of heating the second substrate after the first step for crystallization of the semiconductor layer of the laminated structure, and surrounding the laminated structure. A third step of forming an insulating support layer with a predetermined thickness in the predetermined region, and the surface side of the second substrate and the surface side of the first substrate are sequentially partially adhered to each other. While moving both the first substrate and the second substrate in one direction so as to be close to each other, the second substrate is directed from the back surface to the front surface at a position where the first substrate and the second substrate are partially adhered or close to each other. A fourth substrate in which a gas having a predetermined pressure is ejected, and the laminated structure is separated from the second substrate together with the support layer by the pressure of the gas passing through the porous surface and transferred to the surface of the first substrate. Including the process.

本発明に係る態様によれば、転写時にパターン層が転写版に残留するのを抑えることができるデバイス製造方法を提供することができる。 According to the aspect of the present invention, it is possible to provide a device manufacturing method capable of suppressing the pattern layer from remaining on the transfer plate during transfer.

本発明に係る第一実施形態の転写装置の全体構成を示す斜視図。The perspective view which shows the whole structure of the transfer apparatus of 1st Embodiment which concerns on this invention. 本実施形態の多孔質シートの構成を示す断面図。The cross-sectional view which shows the structure of the porous sheet of this embodiment. 本実施形態の気体噴出ローラーの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the gas ejection roller of this embodiment. 本実施形態の気体噴出ローラーの内部構成を示す斜視図。The perspective view which shows the internal structure of the gas ejection roller of this embodiment. 本実施形態の転写動作の一例を示す部分断面図。The partial cross-sectional view which shows an example of the transfer operation of this embodiment. 本実施形態の転写動作の一例を示す部分断面図。The partial cross-sectional view which shows an example of the transfer operation of this embodiment. 本実施形態の転写動作の一例を示す部分断面図。The partial cross-sectional view which shows an example of the transfer operation of this embodiment. 本実施形態における気体噴出ローラーの変形例を示す断面図。The cross-sectional view which shows the modification of the gas ejection roller in this embodiment. 本実施形態における気体噴出ローラーの変形例を示す断面図。The cross-sectional view which shows the modification of the gas ejection roller in this embodiment. 本発明に係る第二実施形態のデバイス製造システムの全体構成を示す図。The figure which shows the whole structure of the device manufacturing system of the 2nd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る多孔質シートの他の構成を示す断面図。The cross-sectional view which shows the other structure of the porous sheet which concerns on this invention. 本発明に係る多孔質シートによる多段パターン層の転写を説明する断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the transfer of a multi-stage pattern layer by the porous sheet according to the present invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法によって形成される回路の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formed by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法によって形成される回路の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formed by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法によって形成される回路の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formed by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formation process by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formation process by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formation process by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formation process by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formation process by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。The figure which shows an example of the circuit formation process by the device manufacturing method of 3rd Embodiment which concerns on this invention.

［第一実施形態］
本発明に係る第一実施形態を説明する。
図１は、本実施形態の転写装置１００の構成を示す斜視図である。
図１に示すように、転写装置１００は、可撓性を有し多孔質材料によって無端ベルト状に形成された転写版としての多孔質シートＴｓを用いて、当該多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに形成されるパターン層を、転写対象物としてのフィルム状の基板Ｐに対して転写する装置である。転写装置１００は、多孔質シートＴｓを保持するシート保持部（版保持部）１０と、基板Ｐを保持する基板保持部（対象物保持部）２０と、多孔質シートＴｓの内周面Ｔｂ側から外周面Ｔａ側へ向けて気体を供給する気体供給部（流体供給部）３０を有する。なお、基板Ｐとしては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の樹脂製フィルム、プラスチックシート、極薄の湾曲可能なガラス板、ステンレスを箔状に圧延したフォイルシート、或いは、液体の吸収を抑えるように加工された紙や布等の可撓性を有する基板、所謂フレキシブル基板を用いることができる。
本実施形態においては、特に、材料費が安価である点に着目して、樹脂製フィルムやプラスチックシートを基板Ｐとして用いるものとする。 [First Embodiment]
The first embodiment according to the present invention will be described.
FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of the transfer device 100 of the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the transfer device 100 uses the porous sheet Ts as a transfer plate formed of a flexible and porous material into an endless belt shape, and the outer peripheral surface Ta of the porous sheet Ts. This is a device for transferring the pattern layer formed in the above to a film-like substrate P as a transfer target. The transfer device 100 includes a sheet holding portion (plate holding portion) 10 for holding the porous sheet Ts, a substrate holding portion (object holding portion) 20 for holding the substrate P, and an inner peripheral surface Tb side of the porous sheet Ts. It has a gas supply unit (fluid supply unit) 30 that supplies gas from the outer peripheral surface to the Ta side. The substrate P includes a resin film such as PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate), a plastic sheet, an ultra-thin bendable glass plate, a foil sheet obtained by rolling stainless steel into a foil, or a liquid. A flexible substrate such as paper or cloth processed so as to suppress the absorption of the so-called flexible substrate can be used.
In the present embodiment, a resin film or a plastic sheet is used as the substrate P, paying particular attention to the fact that the material cost is low.

ここで、転写装置１００の各構成の説明に先立ち、本実施形態に用いられる多孔質シートＴｓの構成を説明する。図２は、多孔質シートＴｓの構成を示す断面図である。
図２に示すように、多孔質シートＴｓは、多孔質層１１と、下地金属層１２（被覆部）と、メッキ層１３（被覆部）とを有している。 Here, prior to the description of each configuration of the transfer device 100, the configuration of the porous sheet Ts used in the present embodiment will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of the porous sheet Ts.
As shown in FIG. 2, the porous sheet Ts has a porous layer 11, a base metal layer 12 (coating portion), and a plating layer 13 (coating portion).

多孔質層１１は、例えばポリイミドなどの多孔質材料を用いて、例えば２０μｍ〜５０μｍ程度の膜厚となるように形成されている。多孔質層１１は、内部に気体を通過させることが可能である。多孔質層１１の第二面１１ｂが多孔質シートＴｓの内周面Ｔｂに相当する。
そのような多孔質ポリイミド膜は、例えば、国際公開番号ＷＯ２０１０／０３８８７３号に開示されている。 The porous layer 11 is formed by using a porous material such as polyimide so as to have a film thickness of, for example, about 20 μm to 50 μm. The porous layer 11 allows gas to pass through the inside. The second surface 11b of the porous layer 11 corresponds to the inner peripheral surface Tb of the porous sheet Ts.
Such a porous polyimide film is disclosed, for example, in International Publication No. WO2010 / 038873.

下地金属層１２は、多孔質層１１の第一面１１ａに所定のパターン形状となるように形成されている。下地金属層１２によるパターン形状は、基板Ｐに転写すべきパターン層に対して相補的な形状になっている。下地金属層１２によるパターンは、例えば蒸着法等によって形成され、多孔質層１１の第一面１１ａの一部を塞いでいる。 The base metal layer 12 is formed on the first surface 11a of the porous layer 11 so as to have a predetermined pattern shape. The pattern shape of the base metal layer 12 is complementary to the pattern layer to be transferred to the substrate P. The pattern formed by the base metal layer 12 is formed by, for example, a thin-film deposition method or the like, and covers a part of the first surface 11a of the porous layer 11.

メッキ層１３は、下地金属層１２にメッキ法によって積層されている。メッキ層１３の表面１３ａが多孔質シートＴｓの外周面（表層）Ｔａに相当する。メッキ層１３は、下地金属層１２と同一のパターンを有する。メッキ層１３は、例えば、パターニングされた下地金属層１２を有する多孔質シートＴｓを、メッキ液に所定時間浸漬させて、無電解又は電解メッキすることによって、所望の厚みで形成される。 The plating layer 13 is laminated on the base metal layer 12 by a plating method. The surface 13a of the plating layer 13 corresponds to the outer peripheral surface (surface layer) Ta of the porous sheet Ts. The plating layer 13 has the same pattern as the base metal layer 12. The plating layer 13 is formed to a desired thickness by, for example, immersing the porous sheet Ts having the patterned base metal layer 12 in a plating solution for a predetermined time and performing electroless or electrolytic plating.

このように、多孔質層１１の第一面１１ａは、下地金属層１２及びメッキ層１３によるパターンによって一部が塞がれている。一方、多孔質層１１の第一面１１ａのうち、下地金属層１２及びメッキ層１３が設けられていない領域には、結果的に露出部１４によるパターンが形成される。その露出部１４には、詳しくは後述するが、基板Ｐに転写すべきパターン層となる被転写材料が充填される。 As described above, the first surface 11a of the porous layer 11 is partially closed by the pattern formed by the base metal layer 12 and the plating layer 13. On the other hand, in the region of the first surface 11a of the porous layer 11 where the base metal layer 12 and the plating layer 13 are not provided, a pattern is formed by the exposed portion 14 as a result. The exposed portion 14 is filled with a material to be transferred, which is a pattern layer to be transferred to the substrate P, which will be described in detail later.

従って、多孔質シートＴｓは、下地金属層１２及びメッキ層１３に対して凹んだ露出部１４によって転写を行なうことから、印刷における凹版と同様に機能する。 Therefore, since the porous sheet Ts is transferred to the base metal layer 12 and the plating layer 13 by the recessed exposed portion 14, it functions in the same manner as the intaglio in printing.

多孔質層１１の第二面１１ｂから第一面１１ａに気体を通過させる場合、当該気体は下地金属層１２及びメッキ層１３によって遮断され、第一面１１ａの露出部１４から噴出する。 When a gas is passed from the second surface 11b of the porous layer 11 to the first surface 11a, the gas is blocked by the base metal layer 12 and the plating layer 13 and ejected from the exposed portion 14 of the first surface 11a.

この種の多孔質シート（樹脂膜、フィルム等）としては、耐熱性や寸法安定性などが高いアラミド樹脂ベースの多孔質フィルム、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質成形体を切削して作られる超高分子量ポリエチレン多孔質フィルム、撥液性・耐熱性・耐薬品性等などの特性に優れた四フッ化エチレン樹脂多孔質膜、などが利用可能であるが、多孔質層１１の第一面１１ａは、下地金属層１２の微細パターンの最小寸法に比べて小さな気孔サイズを有し、平坦性が良いものが望ましい。 This type of porous sheet (resin film, film, etc.) is made by cutting an aramid resin-based porous film with high heat resistance and dimensional stability, and a sintered porous molded body of ultra-high molecular weight polyethylene powder. An ultra-high molecular weight polyethylene porous film, a tetrafluoride ethylene resin porous film having excellent properties such as liquid repellency, heat resistance, and chemical resistance, etc. can be used. It is desirable that the surface 11a has a pore size smaller than the minimum size of the fine pattern of the base metal layer 12 and has good flatness.

また、多孔質シートとして、合成樹脂からなる多孔質膜の表面をフッ素ガスで処理してフッ素化した表面フッ素化多孔質膜を利用しても良い。 Further, as the porous sheet, a surface fluorinated porous membrane obtained by treating the surface of the porous membrane made of synthetic resin with fluorine gas and fluorinating may be used.

次に、転写装置１００の各構成の説明に移る。
図１に示すように、シート保持部１０は、多孔質シートＴｓに対して所定のテンションを与えつつ当該多孔質シートＴｓを搬送するローラーＲ１及びローラーＲ２を有する。ローラーＲ１及びローラーＲ２のうち少なくとも一方のローラーは、不図示の駆動部によって回転可能に設けられている。当該ローラーが回転することにより、無端状の多孔質シートＴｓが一方向に回転可能となる。 Next, the description of each configuration of the transfer device 100 will be given.
As shown in FIG. 1, the sheet holding portion 10 has a roller R1 and a roller R2 that convey the porous sheet Ts while applying a predetermined tension to the porous sheet Ts. At least one of the rollers R1 and R2 is rotatably provided by a drive unit (not shown). By rotating the roller, the endless porous sheet Ts can rotate in one direction.

図１に示すように、基板保持部２０は、基板Ｐを搬送する圧胴ドラムＤＲを有する。圧胴ドラムＤＲは、例えば円筒状や円柱状など、外周面ＤＲａが円筒面となる形状に形成され、その外周は適当な厚みのゴム材や樹脂材で被覆されている。基板Ｐは、圧胴ドラムＤＲの外周面ＤＲａに巻かれた状態で搬送される。圧胴ドラムＤＲは、不図示の回転駆動部によって外周面ＤＲａの周方向に回転可能に設けられている。圧胴ドラムＤＲは、外周面ＤＲａに巻かれた基板Ｐが多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに密着（又は近接）する位置に設けられている。 As shown in FIG. 1, the substrate holding portion 20 has an impression drum DR that conveys the substrate P. The impression cylinder drum DR is formed in a shape such that the outer peripheral surface DRa is a cylindrical surface, such as a cylinder or a cylinder, and the outer circumference thereof is covered with a rubber material or a resin material having an appropriate thickness. The substrate P is conveyed while being wound around the outer peripheral surface DRa of the impression drum DR. The impression drum DR is provided so as to be rotatable in the circumferential direction of the outer peripheral surface DRa by a rotation driving unit (not shown). The impression drum DR is provided at a position where the substrate P wound around the outer peripheral surface DRa is in close contact with (or close to) the outer peripheral surface Ta of the porous sheet Ts.

また、多孔質シートＴｓの長尺方向（送り方向）に関して、一定の長さ分が圧胴ドラムＤＲの外周面ＤＲａに巻き付いた基板Ｐと安定的に密着するように、テンションローラーＴＲ１、ＴＲ２が設けられる。 Further, the tension rollers TR1 and TR2 are arranged so that a certain length of the porous sheet Ts is stably adhered to the substrate P wound around the outer peripheral surface DRa of the impression drum DR in the long direction (feeding direction). Provided.

気体供給部３０は、無端ベルト状の多孔質シートＴｓの内側に配置されている。気体供給部３０は、多孔質シートＴｓを基板Ｐに押圧し当該多孔質シートＴｓに対して気体を供給する気体噴出ローラーＡＢＲと、当該気体噴出ローラーＡＢＲに対して気体を供給可能な気体供給部３５とを有する。 The gas supply unit 30 is arranged inside the endless belt-shaped porous sheet Ts. The gas supply unit 30 is a gas ejection roller ABR that presses the porous sheet Ts against the substrate P and supplies gas to the porous sheet Ts, and a gas supply unit that can supply gas to the gas ejection roller ABR. It has 35 and.

図３は、気体供給部３０の構成を示す斜視図である。
図３に示すように、気体噴出ローラーＡＢＲは、円筒状に形成された円筒軸（管状の金属性シャフト）３１と、当該円筒軸３１のうち軸線方向の両端部に１つずつ配置されたベアリング部３２と、多孔質材料を用いて円筒状に形成されると共に、ベアリング部３２によって円筒軸３１の外側に回転自在に支持される円筒状の多孔質管３３と、円筒軸３１の外周面と多孔質管３３の内周面との間に設けられた磁性流体３４とを有する。 FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the gas supply unit 30.
As shown in FIG. 3, the gas ejection roller ABR has a cylindrical shaft (tubular metallic shaft) 31 formed in a cylindrical shape and bearings arranged at both ends of the cylindrical shaft 31 in the axial direction. A cylindrical porous tube 33 formed in a cylindrical shape using a porous material and rotatably supported outside the cylindrical shaft 31 by a bearing portion 32, and an outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31. It has a magnetic fluid 34 provided between the inner peripheral surface of the porous tube 33.

多孔質管３３は、例えば、多孔質セラミックス材を、数ミリ程度の肉厚で所定の内外径の筒状に成形して焼成したものである。多孔質管３３は、その内周面から外周面に向けて、無数の微小なポーラス（気孔）を介して加圧気体が通り抜けることができる。ポーラスの平均寸法や密度は、多孔質シートＴｓの第一面１１ａに形成される露出部１４によるパターン形状の最少寸法（線幅等）に応じて設定される。 The porous tube 33 is, for example, formed by molding a porous ceramic material into a cylinder having a wall thickness of about several millimeters and a predetermined inner and outer diameters and firing the material. The porous tube 33 allows the pressurized gas to pass through from the inner peripheral surface to the outer peripheral surface through innumerable minute porouss (pores). The average dimension and density of the porous are set according to the minimum dimension (line width, etc.) of the pattern shape formed by the exposed portion 14 formed on the first surface 11a of the porous sheet Ts.

図４は、図３中に示した円筒状の多孔質管３３を取り除いた様子を示す斜視図であり、円筒軸３１は、中空部３１ａを有している。当該中空部３１ａは、例えば配管などの気体供給経路３５ａを介して気体供給部３５に接続されている。円筒軸３１は、中空部３１ａと外部とを貫通する開口部３１ｂ（噴出部）を有している。開口部３１ｂは、円筒軸３１の軸線（或いは多孔質管３３の回転中心線）が延びる方向に、多孔質シートＴｓの幅に対応した長さでスロット状に形成され、気体供給経路３５ａを介して気体供給部３５から供給される気体を噴出する噴出口となる。 FIG. 4 is a perspective view showing a state in which the cylindrical porous tube 33 shown in FIG. 3 is removed, and the cylindrical shaft 31 has a hollow portion 31a. The hollow portion 31a is connected to the gas supply portion 35 via a gas supply path 35a such as a pipe. The cylindrical shaft 31 has an opening 31b (spouting portion) that penetrates the hollow portion 31a and the outside. The opening 31b is formed in a slot shape with a length corresponding to the width of the porous sheet Ts in the direction in which the axis of the cylindrical shaft 31 (or the rotation center line of the porous tube 33) extends, and is formed through the gas supply path 35a. It becomes an outlet for ejecting the gas supplied from the gas supply unit 35.

円筒軸３１の開口部３１ｂから加圧した気体が噴出されると、その気体は多孔質管３３の内周面のうち開口部３１ｂと対向した部分から多孔質管３３の外周面に向けて通り抜ける。その際、多孔質管３３の肉厚、ポーラスの径や密度によって程度は異なるものの、多孔質管３３の外周面からはほぼ一様な圧力分布で気体が噴出される。 When the pressurized gas is ejected from the opening 31b of the cylindrical shaft 31, the gas passes through the inner peripheral surface of the porous tube 33 from the portion facing the opening 31b toward the outer peripheral surface of the porous tube 33. .. At that time, although the degree varies depending on the wall thickness of the porous tube 33 and the diameter and density of the porous tube 33, gas is ejected from the outer peripheral surface of the porous tube 33 with a substantially uniform pressure distribution.

その噴出気体の圧力は、多孔質シートＴｓの第二面１１ｂに印加されると共に、多孔質シートＴｓの多孔質層１１を通った加圧気体は、第一面１１ａ側の露出部１４に充填される被転写材料によるパターン層に対して、第一面１１ａから剥離する力を与える。 The pressure of the ejected gas is applied to the second surface 11b of the porous sheet Ts, and the pressurized gas that has passed through the porous layer 11 of the porous sheet Ts fills the exposed portion 14 on the first surface 11a side. A force is applied to the pattern layer made of the material to be transferred to be peeled off from the first surface 11a.

先の図１において、図３、図４に示した円筒軸３１の開口部３１ｂは、圧胴ドラムＤＲの方に向けられている。その為、多孔質シートＴｓの第一面１１ａ側の露出部１４に充填された被転写材料によるパターン層は、第一面１１ａから剥がれて、基板Ｐの表面に強く押し付けられて、転写される。 In FIG. 1, the opening 31b of the cylindrical shaft 31 shown in FIGS. 3 and 4 is directed toward the impression drum DR. Therefore, the pattern layer made of the material to be transferred, which is filled in the exposed portion 14 on the first surface 11a side of the porous sheet Ts, is peeled off from the first surface 11a, strongly pressed against the surface of the substrate P, and transferred. ..

この際、多孔質シートＴｓ側の被転写材料によるパターン層を基板Ｐに押し付ける転写力（圧着力）は、圧胴ドラムＤＲと多孔質管３３による基板Ｐと多孔質シートＴｓとの狭持力、噴出気体が多孔質シートＴｓの第二面１１ｂ側を押圧する背圧、そして、噴出気体による被転写材料の露出部１４からの剥離力、によって決まってくる。 At this time, the transfer force (crimping force) for pressing the pattern layer made of the material to be transferred on the porous sheet Ts side against the substrate P is the holding force between the substrate P and the porous sheet Ts due to the impression cylinder DR and the porous tube 33. It is determined by the back pressure at which the ejected gas presses the second surface 11b side of the porous sheet Ts, and the peeling force of the ejected gas from the exposed portion 14 of the material to be transferred.

以上の構成において、ベアリング部３２は、円筒軸３１の周方向に回転可能となるように多孔質管３３を支持する。多孔質管３３は、周方向の一周に亘って多孔質材料で形成されているため、周方向の一周に亘って、円筒軸３１の開口部３１ｂからの加圧気体が通過可能である。多孔質管３３の外周面３３ａには、多孔質シートＴｓの第二面１１ｂが密着される。多孔質管３３は、ベアリング部３２により、円筒軸３１の周りに回転可能である。このため、例えば多孔質管３３を多孔質シートＴｓの移動に応じて従動的に回転させたり、回転駆動部（モータ等）によって駆動される圧胴ドラムＤＲの回転に応じて従動的に回転させたりすることが可能である。 In the above configuration, the bearing portion 32 supports the porous tube 33 so as to be rotatable in the circumferential direction of the cylindrical shaft 31. Since the porous tube 33 is made of a porous material over one circumference in the circumferential direction, the pressurized gas can pass through the opening 31b of the cylindrical shaft 31 over one circumference in the circumferential direction. The second surface 11b of the porous sheet Ts is in close contact with the outer peripheral surface 33a of the porous tube 33. The porous tube 33 is rotatable around the cylindrical shaft 31 by the bearing portion 32. Therefore, for example, the porous tube 33 is driven to rotate in response to the movement of the porous sheet Ts, or is driven to rotate in response to the rotation of the impression drum DR driven by the rotation drive unit (motor or the like). It is possible to do it.

ところで、図３、図４に示した磁性流体３４は、円筒軸３１の外周面と多孔質管３３の内周面との間に形成される僅かな間隙（例えば１〜数ミリ）に満たされるが、その主な作用は、開口部３１ｂから噴出する加圧気体が、円筒軸３１の外周面と多孔質管３３の内周面との間隙部に回り込むことを防止することにある。よって磁性流体３４は、開口部３１ｂと多孔質管３３の内周面との間の気密性を高めるシールとして機能する。 By the way, the magnetic fluid 34 shown in FIGS. 3 and 4 is filled with a slight gap (for example, 1 to several millimeters) formed between the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31 and the inner peripheral surface of the porous tube 33. However, its main function is to prevent the pressurized gas ejected from the opening 31b from wrapping around the gap between the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31 and the inner peripheral surface of the porous pipe 33. Therefore, the magnetic fluid 34 functions as a seal that enhances the airtightness between the opening 31b and the inner peripheral surface of the porous tube 33.

磁性流体３４は、円筒軸３１の外周面に埋め込まれた発磁体（永久磁石、電磁石等）によって捕捉される。特に、円筒軸３１の外周面で開口部３１ｂの周辺には、開口部３１ｂ内に磁性流体がこぼれ落ちないように、開口部３１ｂを取り囲むように配列された強い発磁体（希土類の永久磁石）が設けられている。 The magnetic fluid 34 is captured by a magnetizing body (permanent magnet, electromagnet, etc.) embedded in the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31. In particular, on the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31, around the opening 31b, strong magnetizing bodies (permanent magnets of rare earths) arranged so as to surround the opening 31b are arranged so as to prevent magnetic fluid from spilling into the opening 31b. It is provided.

上記構成の他、図１に示すように、転写装置１００は、例えば多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに形成されている露出部１４にパターン層を形成するパターン層形成部ＰＨを有する。パターン層形成部ＰＨとしては、パターン層を構成する機能性材料、例えば、ナノ金属粒子を含む導電性インク、カーボンナノワイヤーを含む紫外線硬化樹脂、乾燥時に結晶化して半導体となる有機物や酸化物の溶剤、等の液状やゲル状の機能性材料を多孔質シートＴｓの露出部１４に印刷（充填）する印刷ヘッドなどが用いられている。本実施形態の場合、印刷ヘッドとして好適なのは、露出部１４を狙って機能性材料を滴下できるインクジェット方式のヘッドであるが、スクリーン印刷、グラビア印刷、凸版印刷、オフセット印刷等で使われている版（平版或いは胴版）もヘッドとして用いることができる。 In addition to the above configuration, as shown in FIG. 1, the transfer device 100 has, for example, a pattern layer forming portion PH that forms a pattern layer on the exposed portion 14 formed on the outer peripheral surface Ta of the porous sheet Ts. The pattern layer forming portion PH includes functional materials constituting the pattern layer, for example, conductive ink containing nanometal particles, ultraviolet curable resin containing carbon nanowires, and organic substances and oxides that crystallize into semiconductors when dried. A printing head or the like is used in which a liquid or gel-like functional material such as a solvent is printed (filled) on the exposed portion 14 of the porous sheet Ts. In the case of the present embodiment, an inkjet head capable of dropping a functional material aiming at the exposed portion 14 is suitable as a printing head, but a plate used in screen printing, gravure printing, lithographic printing, offset printing, and the like. (Planographic or body plate) can also be used as a head.

また本実施形態では、図２に示すように、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに形成されている下地金属層１２及びメッキ層１３が隔壁層（凸部）となり、その周囲の露出部１４が凹部となる。そこで、パターン層形成部ＰＨとして、多孔質シートＴｓ上の露出部１４が形成されている領域に機能性材料を一様に、或いは選択的に塗布したのち、下地金属層１２及びメッキ層１３による隔壁層上に残留した機能性材料を除去して、露出部１４内に機能性材料を残すような塗工機構を持つものでも良い。 Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, the base metal layer 12 and the plating layer 13 formed on the outer peripheral surface Ta of the porous sheet Ts serve as a partition wall layer (convex portion), and the exposed portion 14 around the partition wall layer (convex portion) is formed. It becomes a recess. Therefore, as the pattern layer forming portion PH, the functional material is uniformly or selectively applied to the region where the exposed portion 14 is formed on the porous sheet Ts, and then the base metal layer 12 and the plating layer 13 are used. It may have a coating mechanism that removes the functional material remaining on the partition wall layer and leaves the functional material in the exposed portion 14.

尚、パターン層形成部ＰＨは、多孔質シートＴｓの搬送方向に並ぶように複数設けられていても良い。 A plurality of pattern layer forming portions PH may be provided so as to be arranged in the transport direction of the porous sheet Ts.

また、転写装置１００は、多孔質シートＴｓのうちパターン層形成部ＰＨによってパターン層（露出部１４に充填される層）が形成される部分の内周面Ｔｂを支持する支持機構ＰＬＴを有する。支持機構ＰＬＴとしては、例えば平面状に形成された支持面によって内周面Ｔｂを非接触で支持するエア・パッド式ホルダや、多孔質シートＴｓの一部を巻き付ける回転ドラム等を用いることができる。 Further, the transfer device 100 has a support mechanism PLT that supports the inner peripheral surface Tb of the portion of the porous sheet Ts in which the pattern layer (layer filled in the exposed portion 14) is formed by the pattern layer forming portion PH. As the support mechanism PLT, for example, an air pad type holder that non-contactly supports the inner peripheral surface Tb by a support surface formed in a plane shape, a rotary drum around which a part of the porous sheet Ts is wound, or the like can be used. ..

次に、上記構成を有する転写装置１００の動作を説明する。
まず、転写装置１００は、パターン層形成部ＰＨにおいて、図５に示すように、多孔質シートＴｓを支持機構ＰＬＴに支持させた状態で、当該多孔質シートＴｓの露出部１４に対して所定の被転写材料（液状又はゲル状の機能性材料）を充填して、被転写パターン層１５を形成する。 Next, the operation of the transfer device 100 having the above configuration will be described.
First, in the pattern layer forming portion PH, as shown in FIG. 5, the transfer device 100 determines the porous sheet Ts with respect to the exposed portion 14 of the porous sheet Ts in a state of being supported by the support mechanism PLT. The material to be transferred (liquid or gel-like functional material) is filled to form the pattern layer 15 to be transferred.

その際、被転写パターン層１５となる機能性材料が充填される露出部１４の底部（多孔質層１１の第一面１１ａ）は、機能性材料に対して撥液性を持つような分子構造、即ち多孔質層１１のポーラス内に機能性材料が入り込み難く、密着性が乏しい状態であることが望ましい。その為には、露出部１４の底部（多孔質層１１の第一面１１ａ）の表面をフッ素基で修飾するような化学処理、例えば撥液性を有するＳＡＭ（Self Assemble Monolayer）材の溶液を、多孔質層１１のポーラスを埋めないように、ミスト・デポジション法等により塗布したりすれば良い。 At that time, the bottom portion (first surface 11a of the porous layer 11) of the exposed portion 14 filled with the functional material to be the transfer pattern layer 15 has a molecular structure having liquid repellency to the functional material. That is, it is desirable that the functional material does not easily enter the porous layer 11 and the adhesion is poor. For that purpose, a chemical treatment such as modifying the surface of the bottom portion (first surface 11a of the porous layer 11) of the exposed portion 14 with a fluorine group, for example, a solution of a liquid-repellent SAM (Self Assemble Monolayer) material is applied. , The porous layer 11 may be coated by a mist deposition method or the like so as not to fill the porous layer 11.

次に、転写装置１００は、ローラーＲ１及びローラーＲ２を回転させて多孔質シートＴｓを移動させると共に、圧胴ドラムＤＲを回転させて基板Ｐを移動させることにより、多孔質シートＴｓの第一面１１ａ（Ｔａ）に形成された被転写パターン層１５と基板Ｐ上の転写対象領域とを接触（圧着）させる。併せて、気体噴出ローラーＡＢＲを構成する円筒軸３１の開口部３１ｂから多孔質シートＴｓの第二面１１ｂ（Ｔｂ）に向けて、加圧気体を噴出させる。 Next, the transfer device 100 rotates the rollers R1 and R2 to move the porous sheet Ts, and rotates the impression drum DR to move the substrate P, thereby moving the first surface of the porous sheet Ts. The transfer pattern layer 15 formed on 11a (Ta) and the transfer target region on the substrate P are brought into contact (crimping). At the same time, the pressurized gas is ejected from the opening 31b of the cylindrical shaft 31 constituting the gas ejection roller ABR toward the second surface 11b (Tb) of the porous sheet Ts.

この状態で、転写装置１００は、図６に示すように、気体噴出ローラーＡＢＲから多孔質シートＴｓの内周面Ｔｂに所定の圧力で気体を供給する。内周面Ｔｂから多孔質層１１の内部に供給された気体の流れは、下地金属層１２及びメッキ層１３が形成された領域においては遮断されるため、露出部１４に対して圧力が加えられる。この圧力（剥離力）により、露出部１４に形成された被転写パターン層１５が基板Ｐ側へ押圧され、被転写パターン層１５が基板Ｐに接着（転着）される。 In this state, as shown in FIG. 6, the transfer device 100 supplies gas from the gas ejection roller ABR to the inner peripheral surface Tb of the porous sheet Ts at a predetermined pressure. Since the flow of gas supplied from the inner peripheral surface Tb to the inside of the porous layer 11 is blocked in the region where the base metal layer 12 and the plating layer 13 are formed, pressure is applied to the exposed portion 14. .. By this pressure (peeling force), the transfer pattern layer 15 formed on the exposed portion 14 is pressed toward the substrate P side, and the transfer pattern layer 15 is adhered (transferred) to the substrate P.

引き続き、ローラーＲ１及びローラーＲ２を回転させると共に、圧胴ドラムＤＲを回転させることで、図７に示すように、露出部１４に配置されていた被転写パターン層１５が基板Ｐに転写された状態で、多孔質シートＴｓ及び基板Ｐが搬送される。この動作を繰り返すことにより、多孔質シートＴｓ上に形成された被転写パターン層１５が、基板Ｐ上に連続的に転写されることになる。 Subsequently, by rotating the rollers R1 and R2 and rotating the impression drum DR, as shown in FIG. 7, the transferred pattern layer 15 arranged in the exposed portion 14 is transferred to the substrate P. Then, the porous sheet Ts and the substrate P are conveyed. By repeating this operation, the pattern layer 15 to be transferred formed on the porous sheet Ts is continuously transferred onto the substrate P.

以上の実施形態において、基板Ｐの表面は、被転写パターン層１５を構成する機能性材料との密着性を高めるため、予め表面を改質したり、密着性を向上させる薄膜を形成したりしておくことが望ましい。 In the above embodiment, the surface of the substrate P is modified in advance or a thin film for improving the adhesion is formed in order to enhance the adhesion with the functional material constituting the transfer pattern layer 15. It is desirable to keep it.

さらに、被転写パターン層１５を露出部１４から良好に剥離させる為に、加圧気体を噴出する円筒軸３１の開口部３１ｂの周方向の幅を可変にする調整機構を設けたり、開口部３１ｂの開口形状自体を変えても良い。 Further, in order to satisfactorily peel the transferred pattern layer 15 from the exposed portion 14, an adjustment mechanism for varying the width of the opening 31b of the cylindrical shaft 31 for ejecting the pressurized gas in the circumferential direction is provided, or the opening 31b is provided. The opening shape itself may be changed.

図８Ａおよび８Ｂは、上記のような変形例を示すものである。図８Ａは、円筒軸３１の開口部３１ｂの外周部付近に、開口の周方向の幅を可変にするブレード板３１ｗを対向して設けた場合を示す。ブレード板３１ｗは、円筒軸３１の周方向に可動に構成され、加圧気体が噴き付けられる多孔質管３３の内周面上の領域の周方向の幅を調整できる。 8A and 8B show the above-mentioned modified examples. FIG. 8A shows a case where a blade plate 31w for varying the width in the circumferential direction of the opening is provided in the vicinity of the outer peripheral portion of the opening 31b of the cylindrical shaft 31 so as to face each other. The blade plate 31w is movably configured in the circumferential direction of the cylindrical shaft 31, and the width of the region on the inner peripheral surface of the porous tube 33 on which the pressurized gas is sprayed can be adjusted in the circumferential direction.

図８Ｂは、円筒軸３１の外周面に形成される加圧気体の噴出口を、軸線方向に連続したスロット状にする代わりに、軸線方向に離散的に配列した小開口３１ｈにした例を示す。小開口３１ｈの各々は、円筒軸３１の内周面に軸線方向に延設された溝３１ｇと連通している。この図８Ｂのように、噴出口を複数の小開口３１ｈで構成すると、これらの小開口３１ｈを取り囲む磁性流体３４の領域が小さくでき、永久磁石等の発磁体Ｍｇも少なくて済むといった利点もある。 FIG. 8B shows an example in which the jets of the pressurized gas formed on the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31 are formed into small openings 31h discretely arranged in the axial direction instead of being formed in a slot shape continuous in the axial direction. .. Each of the small openings 31h communicates with a groove 31g extending in the axial direction on the inner peripheral surface of the cylindrical shaft 31. When the ejection port is composed of a plurality of small openings 31h as shown in FIG. 8B, there is an advantage that the region of the magnetic fluid 34 surrounding these small openings 31h can be reduced and the amount of magnetizer Mg such as a permanent magnet can be reduced. ..

これら図８Ａおよび８Ｂのように、加圧気体が噴出する開口を小さく絞ることになって、多孔質管３３の内周面に向けて噴出される気体の流速が大きくなり、被転写パターン層１５を露出部１４から剥離させる力も大きくすることができる。 As shown in FIGS. 8A and 8B, the opening from which the pressurized gas is ejected is narrowed down, so that the flow velocity of the gas ejected toward the inner peripheral surface of the porous tube 33 becomes large, and the transfer pattern layer 15 is transferred. The force for peeling the gas from the exposed portion 14 can also be increased.

そのため、多孔質シートＴｓの被転写パターン層１５を基板Ｐ側に転写する際、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａと基板Ｐの表面とを密着させることなく、微小なギャップ（例えば数μｍ〜十数μｍ）を伴って離間させておいても良い。このように多孔質シートＴｓと基板Ｐとを密着させずに近接させた状態で転着が行なえると、転着の直前で多孔質シートＴｓと基板Ｐとをミクロンオーダーで相対的に位置決めすることが容易になり、基板Ｐ上に既に形成されたパターン層に対して、新たなパターン層を位置合せして重ねることも可能となる。 Therefore, when the transfer pattern layer 15 of the porous sheet Ts is transferred to the substrate P side, a minute gap (for example, several μm to ten) is not brought into close contact between the outer peripheral surface Ta of the porous sheet Ts and the surface of the substrate P. It may be separated with a few μm). When the porous sheet Ts and the substrate P are brought close to each other without being brought into close contact with each other in this way, the porous sheet Ts and the substrate P are relatively positioned on the order of microns immediately before the transfer. This facilitates the process, and it is possible to align and superimpose a new pattern layer on the pattern layer already formed on the substrate P.

以上のように、本実施形態の転写装置１００は、所定の厚みの多孔質材料で形成された多孔質層１１と多孔質層１１の第一面１１ａ側に形成された被転写パターン層１５とを有する多孔質シートＴｓを保持するシート保持部１０と、該多孔質シートＴｓの被転写パターン層１５が転着され得る（転着される予定の）基板Ｐを、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに密着または近接させて保持する基板保持部２０と、多孔質層１１の第二面１１ｂから第一面１１ａに向けて所定圧力の気体を供給する気体供給部３０とを備えるので、多孔質シートＴｓを介して供給される気体の圧力により、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに配置された被転写パターン層１５が基板Ｐに押し出されることになる。これにより、転写時にパターン層１５が多孔質シートＴｓに残留するのを抑えることできる。 As described above, the transfer device 100 of the present embodiment includes the porous layer 11 formed of the porous material having a predetermined thickness and the transfer pattern layer 15 formed on the first surface 11a side of the porous layer 11. The sheet holding portion 10 for holding the porous sheet Ts and the substrate P on which the transfer pattern layer 15 of the porous sheet Ts can be transferred (to be transferred) are placed on the outer peripheral surface of the porous sheet Ts. Since the substrate holding portion 20 that holds the substrate in close contact with or close to Ta and the gas supply portion 30 that supplies gas at a predetermined pressure from the second surface 11b to the first surface 11a of the porous layer 11 are provided, the porous layer 11 is porous. The pressure of the gas supplied through the sheet Ts pushes the transferred pattern layer 15 arranged on the outer peripheral surface Ta of the porous sheet Ts onto the substrate P. As a result, it is possible to prevent the pattern layer 15 from remaining on the porous sheet Ts during transfer.

［第二実施形態］
本発明に係る第二実施形態を説明する。
図９は、上記第一実施形態の転写装置１００を適用したデバイス製造システム（基板処理装置）１の全体構成を示す。
図９に示すように、本実施形態の製造ラインには、供給ローラーＦＲ１に巻かれた長尺の基板Ｐに所定の前処理（表面改質等）を施す前処理装置Ｕ１、前処理された基板Ｐにパターン転写を行なう転写装置Ｕ２、パターン転写された基板Ｐに後続の処理を施す後処理装置Ｕ３が設けられている。 [Second Embodiment]
The second embodiment according to the present invention will be described.
FIG. 9 shows the overall configuration of the device manufacturing system (board processing device) 1 to which the transfer device 100 of the first embodiment is applied.
As shown in FIG. 9, in the production line of the present embodiment, a pretreatment device U1 for performing a predetermined pretreatment (surface modification or the like) on a long substrate P wound around the supply roller FR1 is pretreated. A transfer device U2 that performs pattern transfer on the substrate P and a post-processing device U3 that performs subsequent processing on the pattern-transferred substrate P are provided.

転写装置Ｕ２は、上記第一実施形態の転写装置１００が用いられている。転写装置Ｕ２は、上記第一実施形態で説明したシート保持部１０、基板保持部２０、気体供給部３０に加えて、無端ベルト状の多孔質シートＴｓの表面にパターンを形成する為のパターン形成装置４０、多孔質シートＴｓ上のパターンが転写装置Ｕ２で基板Ｐに転写された後の多孔質シートＴｓを洗浄する洗浄装置５０（メンテナンス部）、洗浄後の多孔質シートＴｓを乾燥させる乾燥装置６０（メンテナンス部）、乾燥後の多孔質シートＴｓの表面に所定の下地処理を施す下地処理装置７０（メンテナンス部）を有している。 As the transfer device U2, the transfer device 100 of the first embodiment is used. In addition to the sheet holding unit 10, the substrate holding unit 20, and the gas supply unit 30 described in the first embodiment, the transfer device U2 forms a pattern for forming a pattern on the surface of the endless belt-shaped porous sheet Ts. Device 40, cleaning device 50 (maintenance unit) that cleans the porous sheet Ts after the pattern on the porous sheet Ts is transferred to the substrate P by the transfer device U2, and a drying device that dries the porous sheet Ts after cleaning. It has 60 (maintenance unit) and a surface treatment device 70 (maintenance unit) that applies a predetermined surface treatment to the surface of the dried porous sheet Ts.

パターン形成装置４０内には、下地処理された多孔質シートＴｓ２の表面（露出部１４）に印刷方式やインクジェット方式等によって、ＴＦＴや有機ＥＬ用の各種電極部や配線部などのパターンをインク材料で塗布形成する複数のプリントヘッド部（プリントヘッド部ＰＨ１、プリントヘッド部ＰＨ２及びプリントヘッド部ＰＨ３）と、各プリントヘッド部（ＰＨ１、ＰＨ２、ＰＨ３）に対応して、多孔質シートＴｓ２の裏面を支持する平面状のエアパッド式ホルダ、或いは多孔質シートＴｓ２を部分的に巻き付ける回転ドラム等の支持機構ＰＬＴが設けられている。 In the pattern forming apparatus 40, a pattern such as various electrode portions and wiring portions for TFT and organic EL is applied to the surface (exposed portion 14) of the substrate-treated porous sheet Ts2 by a printing method, an inkjet method, or the like. The back surface of the porous sheet Ts2 is formed corresponding to the plurality of print head portions (print head portion PH1, print head portion PH2 and print head portion PH3) and each print head portion (PH1, PH2, PH3) formed by coating with. A support mechanism PLT such as a flat air pad type holder for supporting or a rotating drum for partially winding the porous sheet Ts2 is provided.

供給ローラーＦＲ１に巻かれた基板Ｐは、ニップされた駆動ローラーＤＲ１によってＸ方向に所定速度で前処理装置Ｕ１に送り込まれる。前処理装置Ｕ１は、基板Ｐの表面、図では下向きの面Ｐａに対して、パターンの転写（定着）が強固となるような下地層を形成する。その下地層は、基板Ｐの表面に電子ビーム等のエネルギー線を照射して改質した表層面にする（活性化した面にする）方法、転写すべきパターンの材料が基板Ｐに強固に貼り着くようなバインダー層を薄く堆積する方法等により形成される。 The substrate P wound around the supply roller FR1 is fed to the pretreatment device U1 at a predetermined speed in the X direction by the nipped drive roller DR1. The pretreatment device U1 forms a base layer on the surface of the substrate P, that is, the downward surface Pa in the figure, so that the pattern transfer (fixation) is strong. The base layer is a method of irradiating the surface of the substrate P with an energy ray such as an electron beam to form a modified surface layer surface (making it an activated surface), and a material having a pattern to be transferred is firmly attached to the substrate P. It is formed by a method of thinly depositing a binder layer that can be attached.

前処理された基板Ｐは、エアターンバーＡＴＢにより非接触で搬送方向を転換し、転写装置Ｕ２内のローラーＲ１、エアターンバーＡＴＢ、圧胴ドラムＤＲ、エアターンバーＡＴＢ、ローラーＲ２、エアターンバーＡＴＢの順に掛け渡されて、次の後処理装置Ｕ３に向かうように搬送される。 The pretreated substrate P is non-contactly changed in the transport direction by the air turn bar ATB, and the roller R1, the air turn bar ATB, the impression cylinder DR, the air turn bar ATB, the roller R2, and the air turn bar ATB in the transfer device U2 are in this order. It is hung and transported toward the next post-processing device U3.

ローラーＲ１及びローラーＲ２は、基板Ｐが搬送方向に所定のテンションを保って圧胴ドラムＤＲに巻付くように回転速度やトルクが制御される。圧胴ドラムＤＲの外周部は金属または硬質ゴム等で構成され、その外周面は真円度の高い円筒状に形成されている。 The rotation speed and torque of the roller R1 and the roller R2 are controlled so that the substrate P keeps a predetermined tension in the transport direction and winds around the impression cylinder drum DR. The outer peripheral portion of the impression drum DR is made of metal, hard rubber, or the like, and the outer peripheral surface thereof is formed in a cylindrical shape with high roundness.

さらに転写装置Ｕ２内には、パターン形成装置４０から送られてくるパターン付の多孔質シートＴｓ１を、圧胴ドラムＤＲの下側に巻き付いた基板Ｐと密着させる為のテンションローラーＴＲ１及びテンションローラーＴＲ２と、気体噴出ローラーＡＢＲとが設けられている。テンションローラーＴＲ１、テンションローラーＴＲ２及び気体噴出ローラーＡＢＲは、何れもアクチュエータＡｃｔによって、Ｚ方向の位置が調整可能となっている。 Further, in the transfer device U2, a tension roller TR1 and a tension roller TR2 for bringing the patterned porous sheet Ts1 sent from the pattern forming device 40 into close contact with the substrate P wound on the lower side of the impression drum DR. And a gas ejection roller ABR are provided. The positions of the tension roller TR1, the tension roller TR2, and the gas ejection roller ABR can all be adjusted in the Z direction by the actuator Act.

気体噴出ローラーＡＢＲは、上記第一実施形態において説明したように、圧胴ドラムＤＲの下側部分で多孔質シートＴｓ１と基板Ｐとが密着（圧接）したときに、多孔質シートＴｓ１の裏面側から圧搾気体を噴出して、多孔質シートＴｓ１の上面に形成された被転写パターン層１５を綺麗に剥離させる機能を備えている。 As described in the first embodiment, the gas ejection roller ABR is on the back surface side of the porous sheet Ts1 when the porous sheet Ts1 and the substrate P are in close contact (pressure contact) at the lower portion of the impression drum DR. It has a function of ejecting a pressed gas from the surface of the porous sheet Ts1 to cleanly peel off the transfer pattern layer 15 formed on the upper surface of the porous sheet Ts1.

転写装置Ｕ２にて被転写パターン層１５が剥離された多孔質シートＴｓは、ローラーＲ１０、ローラーＲ１１を通って折り返され、洗浄装置５０内のウェット洗浄槽に送られ、高圧の洗浄ノズル等から噴射される洗浄液で清掃され、続いて純水によるすすぎ処理を施される。その後、多孔質シートＴｓは、乾燥装置６０内に送られ、多孔質内に取り込まれた水分が充分に除去されるように、温風や赤外線照射により乾燥させられる。 The porous sheet Ts from which the transfer pattern layer 15 has been peeled off by the transfer device U2 is folded back through the rollers R10 and R11, sent to the wet cleaning tank in the cleaning device 50, and injected from a high-pressure cleaning nozzle or the like. It is cleaned with the cleaning solution to be used, and then rinsed with pure water. After that, the porous sheet Ts is sent into the drying device 60 and dried by warm air or infrared irradiation so that the moisture incorporated in the porous material is sufficiently removed.

乾燥処理された多孔質シートＴｓ（下地金属層１２とメッキ層１３付き）は、下地処理装置７０に送られ、再び、パターン形成の為に必要な下地作りが行なわれる。その下地処理では、多孔質シートの露出部１４を目詰まりさせることなく（通気性は保ちつつ）、露出部１４に形成される被転写パターン層１５の材料が剥離し易いような性質、例えば、パターン材料に対してある程度の撥液性を持つような性質が付与される。その一例として、先に例示したＳＡＭ材等を多孔質シートの露出部１４に選択的に塗布しても良い。
下地処理された多孔質シートＴｓ２は、ローラーＲ１２及びローラーＲ１３によって折り返され、再びパターン形成装置４０に送られる。 The dried porous sheet Ts (with the base metal layer 12 and the plating layer 13) is sent to the base treatment apparatus 70, and the base preparation necessary for pattern formation is performed again. In the base treatment, the material of the transfer pattern layer 15 formed on the exposed portion 14 is easily peeled off without clogging the exposed portion 14 of the porous sheet (while maintaining the air permeability), for example. Properties that have a certain degree of liquid repellency to the pattern material are imparted. As an example thereof, the SAM material or the like exemplified above may be selectively applied to the exposed portion 14 of the porous sheet.
The ground-treated porous sheet Ts2 is folded back by the rollers R12 and R13 and sent to the pattern forming apparatus 40 again.

ローラーＲ１２とローラーＲ１３との間には、エアターンバーＡＴＢによるテンション調整機構が設けられ、アクチュエータＡｃｔによってエアターンバーＡＴＢをＸ方向に移動させることで、無端ベルト状の多孔質シートＴｓ全体のテンションが調整される。 A tension adjustment mechanism by an air turn bar ATB is provided between the roller R12 and the roller R13, and the tension of the entire endless belt-shaped porous sheet Ts is adjusted by moving the air turn bar ATB in the X direction by the actuator Act. Will be done.

以上のように、本実施形態のデバイス製造システム１は、帯状に形成された基板Ｐを搬送する基板保持部２０（基板搬送部）と、当該基板保持部２０によって搬送される基板Ｐに対して処理を行う複数の基板処理部（前処理装置Ｕ１、転写装置Ｕ２及び後処理装置Ｕ３）とを備え、転写装置Ｕ２として、本発明に係る第一実施形態に従う転写装置１００が用いられるので、転写時に被転写パターン層１５が多孔質シートＴｓに残留するのを抑えることできる。これにより、処理精度が高く、歩留まりの高いデバイス製造システム１を得ることができる。 As described above, in the device manufacturing system 1 of the present embodiment, with respect to the substrate holding portion 20 (board transporting portion) for transporting the strip-shaped substrate P and the substrate P conveyed by the substrate holding portion 20. Since a transfer device 100 according to the first embodiment of the present invention is used as the transfer device U2, which includes a plurality of substrate processing units (pretreatment device U1, transfer device U2, and post-treatment device U3) for performing processing, transfer is performed. Occasionally, it is possible to prevent the pattern layer 15 to be transferred from remaining on the porous sheet Ts. As a result, it is possible to obtain a device manufacturing system 1 having high processing accuracy and high yield.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記第一実施形態においては、多孔質シートＴｓの構成として、多孔質層１１の第一面１１ａに下地金属層１２が蒸着法によって形成され、その上にメッキ層１３が形成された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図１０に示すように、多孔質層１１の第一面１１ａに蒸着膜１６を形成し、その後蒸着膜１６をエッチングすることで、露出部１４によるパターンを形成する構成としても良い。この場合、蒸着膜１６の表面１６ａが多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに相当する。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications can be made as appropriate without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the first embodiment, as the structure of the porous sheet Ts, the base metal layer 12 is formed on the first surface 11a of the porous layer 11 by a vapor deposition method, and the plating layer 13 is formed on the base metal layer 12. Was explained as an example, but the explanation is not limited to this. For example, as shown in FIG. 10, a vapor-deposited film 16 may be formed on the first surface 11a of the porous layer 11 and then the vapor-deposited film 16 may be etched to form a pattern by the exposed portion 14. In this case, the surface 16a of the thin-film deposition film 16 corresponds to the outer peripheral surface Ta of the porous sheet Ts.

また、上記実施形態においては、多孔質シートＴｓに供給する流体として、気体を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば撥水性を有する機能性材料（インク等）を被転写パターン層１５として多孔質シートＴｓの露出部１４内に充填する場合などには、純水などの液体を流体として用いる構成であっても良い。 Further, in the above embodiment, gas has been described as an example as the fluid to be supplied to the porous sheet Ts, but the present invention is not limited to this. For example, when a functional material having water repellency (ink or the like) is filled in the exposed portion 14 of the porous sheet Ts as the transfer pattern layer 15, even if a liquid such as pure water is used as a fluid. good.

また、上記実施形態においては、多孔質板として、多孔質シートＴｓを用いる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図３に示す気体噴出ローラーＡＢＲの多孔質管３３の表面に直接パターン層（下地金属層１２とメッキ層１３による隔壁層と被転写パターン層１５）を形成し、当該多孔質管３３をパターン層ごと直接基板Ｐに当接させる構成としても良い。この場合、多孔質管３３は所定の曲率で湾曲可能な可撓性の薄板状多孔質板で構成し、当該薄板状多孔質板の他方の面を内側にして、円筒軸３１の外周面に巻かれた状態で設けられる。 Further, in the above embodiment, the configuration in which the porous sheet Ts is used as the porous plate has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, a pattern layer (a partition layer formed by a base metal layer 12 and a plating layer 13 and a transfer pattern layer 15) is directly formed on the surface of the porous tube 33 of the gas ejection roller ABR shown in FIG. 3, and the porous tube 33 is patterned. The layer may be directly contacted with the substrate P. In this case, the porous tube 33 is formed of a flexible thin plate-like porous plate that can be curved with a predetermined curvature, and the other surface of the thin plate-like porous plate is on the inside, and the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31 is formed. It is installed in a rolled state.

また、上記実施形態においては、多孔質シートＴｓの全面に多孔質材料が設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、パターン層が形成される領域にのみ多孔質材料が配置される構成としても良い。 Further, in the above embodiment, the configuration in which the porous material is provided on the entire surface of the porous sheet Ts has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and the porous sheet Ts is porous only in the region where the pattern layer is formed. The structure may be such that the quality material is arranged.

また、上記実施形態においては、気体噴出ローラーＡＢＲから多孔質シートＴｓへ気体を供給する構成を例に挙げて説明したが、これに加えて、気体噴出ローラーＡＢＲが多孔質シートＴｓを吸引可能な吸引部を更に備える構成としても良い。具体的には、図３に示す構成を例に挙げて説明すると、円筒軸３１の中空部３１ａに真空ポンプなどを接続する構成などが挙げられる。 Further, in the above embodiment, the configuration in which the gas is supplied from the gas ejection roller ABR to the porous sheet Ts has been described as an example, but in addition to this, the gas ejection roller ABR can suck the porous sheet Ts. A suction unit may be further provided. Specifically, the configuration shown in FIG. 3 will be described as an example, and examples thereof include a configuration in which a vacuum pump or the like is connected to the hollow portion 31a of the cylindrical shaft 31.

ところで、以上の実施形態では、基板Ｐ上に一段のパターン層１５を転写する場合を例示したが、図１１に示すように、２段以上のパターン層１５Ａを形成することもできる。 By the way, in the above embodiment, the case where the one-stage pattern layer 15 is transferred onto the substrate P is illustrated, but as shown in FIG. 11, two or more stages of the pattern layer 15A can also be formed.

図１１では、多孔質シートＴｓの多孔質層１１の上に、例えばフォトリソグラフィ等の重ね合せ露光技術とフォトエッチング技術を利用して、金属、酸化物、窒化物等の膜による第１のパターン層１６Ｍを形成し、その上に第２のパターン層１６Ｎを積層する。 In FIG. 11, a first pattern of a film of a metal, an oxide, a nitride or the like is formed on the porous layer 11 of the porous sheet Ts by using a superposed exposure technique such as photolithography and a photoetching technique. A layer 16M is formed, and a second pattern layer 16N is laminated on the layer 16M.

このような多孔質シートＴｓの露出部１４に、被転写パターン層１５となる機能性材料を塗布又は蒸着させて、基板Ｐ側に転着させると、多段構造のパターン層１５Ａを形成することができる。 When a functional material to be transferred pattern layer 15 is applied or vapor-deposited on the exposed portion 14 of such a porous sheet Ts and transferred to the substrate P side, a multi-stage pattern layer 15A can be formed. can.

尚、多孔質シートＴｓの多孔質層１１上に密着形成する多段構造のパターン層１６N、１６Mは同じ材料の層を厚く一様に堆積させた後に、その堆積層を多孔質層１１の第一面１１ａまで除去する為の第一のマスキングをかけて第一のエッチングを行い、その後、２段目として除去する為の第二のマスキングをかけて第二のエッチングを行う二段階エッチングによって形成しても良い。 In the multi-stage pattern layers 16N and 16M formed in close contact with the porous layer 11 of the porous sheet Ts, layers of the same material are thickly and uniformly deposited, and then the deposited layer is the first of the porous layer 11. Formed by two-step etching in which the first masking is applied to remove up to the surface 11a and the first etching is performed, and then the second masking is applied to remove the surface 11a and the second etching is performed. You may.

［第三実施形態］
次に、本発明に係る第三実施形態を、図１２Ａ〜１４Ｃを参照して説明する。本実施形態では、一例として、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイの画素回路部を製造対象とし、その形成方法を説明する。ＡＭＯＬＥＤディスプレイの画素回路部は、例えば、図１２Ａのような回路構成となっており、映像信号の輝度に対応した信号が供給される映像信号バスラインＳｙ、水平走査線を選択する走査信号（同期クロック）が供給される走査バスラインＳｈ、画素回路部に正の電源電圧を与える電源バスラインＶｄｄ、負の電源電圧（又はアース電位）を与える電源バスラインＶｓｓを有する。 [Third Embodiment]
Next, a third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 12A to 14C. In the present embodiment, as an example, a pixel circuit portion of an active matrix type organic EL (AMOLED) display will be manufactured, and a method for forming the pixel circuit portion will be described. The pixel circuit section of the AMOLED display has, for example, a circuit configuration as shown in FIG. 12A, and is a video signal bus line Sy to which a signal corresponding to the brightness of the video signal is supplied, and a scanning signal for selecting a horizontal scanning line (synchronous). It has a scanning bus line Sh to which a clock) is supplied, a power bus line Vdd that gives a positive power supply voltage to the pixel circuit unit, and a power supply bus line Vss that gives a negative power supply voltage (or earth potential).

各画素（ＲＧＢのサブピクセル）には、発光層ＯＬＥＤのＯｎ／Ｏｆｆをスイッチングする第１の薄膜トランジスタＴＲ１（以下、ＴＦＴ−ＴＲ１とする）と、発光層ＯＬＥＤに映像信号の輝度に応じた電流を供給する第２の薄膜トランジスタＴＲ２（以下、ＴＦＴ−ＴＲ２とする）の少なくとも２つが設けられる。ＴＦＴ−ＴＲ１のソース電極Ｓは映像信号バスラインＳｙに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ１のゲート電極Ｇは走査バスラインＳｈに接続される。さらに、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧはＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のドレイン電極Ｄは電源バスラインＶｄｄに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のソース電極Ｓは発光層ＯＬＥＤのアノード側に接続される。発光層ＯＬＥＤのカソード側は電源バスラインＶｓｓに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極Ｇ（ＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄ）と電源バスラインＶｓｓの間には、発光層ＯＬＥＤの発光時間を保持する為のコンデンサＣＰが接続される。 For each pixel (RGB sub-pixel), a first thin film transistor TR1 (hereinafter referred to as TFT-TR1) for switching On / Off of the light emitting layer OLED and a current corresponding to the brightness of the video signal are applied to the light emitting layer OLED. At least two of the second thin film transistors TR2 (hereinafter referred to as TFT-TR2) to be supplied are provided. The source electrode S of the TFT-TR1 is connected to the video signal bus line Sy, and the gate electrode G of the TFT-TR1 is connected to the scanning bus line Sh. Further, the gate electrode G of the TFT-TR2 is connected to the drain electrode D of the TFT-TR1, the drain electrode D of the TFT-TR2 is connected to the power supply bus line Vdd, and the source electrode S of the TFT-TR2 is the anode of the light emitting layer OLED. Connected to the side. The cathode side of the light emitting layer OLED is connected to the power bus line Vss, and the light emitting time of the light emitting layer OLED is maintained between the gate electrode G of the TFT-TR2 (drain electrode D of the TFT-TR1) and the power bus line Vss. The capacitor CP for this is connected.

この図１２Ａのような回路構成を、先の各実施形態で説明した基板Ｐ上に形成する場合の平面配置の一例を、図１２Ｂに示す。映像信号バスラインＳｙ、走査バスラインＳｈ、電源バスラインＶｄｄ（Ｖｓｓ）の交差部分には、丸く示した絶縁層Ｉｓｏが挟み込まれる。ＴＦＴ−ＴＲ１、ＴＦＴ−ＴＲ２を構成する半導体層Ｓｃは、本実施形態では最も下側（基板Ｐ側）に形成され、その上にドレイン電極Ｄとソース電極Ｓが形成され、その上にゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏが形成され、さらにその上にゲート電極Ｇが形成される。図１２Ｃは、図１２Ｂにおいて、ＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄとソース電極Ｓとを横切り、ＴＦＴ−ＴＲ２のドレイン電極Ｄを横切る矢視Ｃ−Ｃ’についての断面構造を示したものである。 FIG. 12B shows an example of a planar arrangement when the circuit configuration as shown in FIG. 12A is formed on the substrate P described in each of the above embodiments. A circled insulating layer Iso is sandwiched between the video signal bus line Sy, the scanning bus line Sh, and the power supply bus line Vdd (Vss). In the present embodiment, the semiconductor layer Sc constituting the TFT-TR1 and TFT-TR2 is formed on the lowermost side (the substrate P side), the drain electrode D and the source electrode S are formed on the bottom electrode, and the gate insulation is formed on the drain electrode D and the source electrode S. An insulating layer Iso to be a film is formed, and a gate electrode G is further formed on the insulating layer Iso. FIG. 12C shows the cross-sectional structure of the arrow CC'that crosses the drain electrode D and the source electrode S of the TFT-TR1 and crosses the drain electrode D of the TFT-TR2 in FIG. 12B.

図１２Ｃのように、基板Ｐの表面には、各ＴＦＴの半導体層Ｓｃ、ドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓを一体的に支持する絶縁性の支持層ＭＲが形成され、この支持層ＭＲの上に、ゲート絶縁膜としての絶縁層Ｉｓｏ、ゲート電極Ｇ、或いは一部のバスラインが積層される。本実施形態では、このような支持層ＭＲを介在させることにより、先の第二実施形態等で説明した多孔質シートＴｓを用いた転写法を適用することができる。 As shown in FIG. 12C, an insulating support layer MR that integrally supports the semiconductor layer Sc, the drain electrode D, and the source electrode S of each TFT is formed on the surface of the substrate P, and is formed on the support layer MR. , The insulating layer Iso as a gate insulating film, the gate electrode G, or a part of the bus line is laminated. In the present embodiment, by interposing such a support layer MR, the transfer method using the porous sheet Ts described in the second embodiment and the like can be applied.

図１３Ａは、支持層ＭＲを、先の図５又は図１０のような多孔質シートＴｓ上に形成し、それを基板Ｐに転写（圧着）する様子を示す。支持層ＭＲは、ＴＦＴ−ＴＲ１とＴＦＴ−ＴＲ２の主要部であるソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、半導体層Ｓｃを含む適当な平面寸法（例えば、５０μｍ×２５μｍ）となるように、多孔質シートＴｓの多孔質層１１が露出する露出部１４（図５又は図１０参照）内に形成される。また、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、半導体層Ｓｃを含む支持層ＭＲの厚みは、多孔質層１１の上面（１１ａ）に積層される下地金属層１２とメッキ層１３との合計の厚み程度（数百ｎｍ〜数μｍ）にされる。 FIG. 13A shows how the support layer MR is formed on the porous sheet Ts as shown in FIG. 5 or 10 and transferred (crimped) to the substrate P. The support layer MR has a porous sheet Ts so as to have an appropriate planar size (for example, 50 μm × 25 μm) including the source electrode S, the drain electrode D, and the semiconductor layer Sc, which are the main parts of the TFT-TR1 and the TFT-TR2. Is formed in the exposed portion 14 (see FIG. 5 or 10) where the porous layer 11 of the above is exposed. Further, the thickness of the support layer MR including the source electrode S, the drain electrode D, and the semiconductor layer Sc is about the total thickness of the base metal layer 12 and the plating layer 13 laminated on the upper surface (11a) of the porous layer 11 ( It is made to be several hundred nm to several μm).

図１３Ａのような支持層ＭＲは、図１３Ｂ、図１３Ｃに示すように、まず、第一段階として、多孔質シートＴｓの露出部１４内の多孔質層１１の第一面１１ａ上に、低抵抗材料（金属膜、カーボンナノチューブ等）による各ＴＦＴのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを形成する。図１３Ｂは、露出部１４を含む多孔質シートＴｓの部分的な断面図であり、図１３Ｃは、露出部１４の平面図である。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄが対抗するギャップＧｐの幅はチャネル長とも呼ばれ、ＴＦＴの各種特性を所望の範囲に収める為に、精密に加工される。 As shown in FIGS. 13B and 13C, the support layer MR as shown in FIG. 13A is, as a first step, low on the first surface 11a of the porous layer 11 in the exposed portion 14 of the porous sheet Ts. The source electrode S and drain electrode D of each TFT are formed of a resistance material (metal film, carbon nanotube, etc.). FIG. 13B is a partial cross-sectional view of the porous sheet Ts including the exposed portion 14, and FIG. 13C is a plan view of the exposed portion 14. The width of the gap Gp at which the source electrode S and the drain electrode D oppose each other is also called a channel length, and is precisely machined in order to keep various characteristics of the TFT within a desired range.

露出部１４（メッキ層１３による隔壁で囲まれた窓状の領域）内の多孔質層１１の表面１１ａに、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを精密に位置決めして形成する方法としては、フォトレジストを使ったリソグラフィ法（エネルギー線による露光工程、現像工程、エッチング工程を含む）、フォトレジストの代わりに、紫外線照射によって表面の親液性や撥液性が変化する感光性機能材を使ったフォトアシスト法（現像とエッチングが不要な無電解メッキ等）、或いはインクジェットプリンタを用いて導電性ナノ粒子を含むインクで直接各電極を描画する印刷法等が利用できる。ギャップＧｐの幅をパターニング段階から正確に管理する場合は、リソグラフィ法やフォトアシスト法が適している。しかしながら、例えば、多孔質層１１の表面１１ａ上に、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとをつなげた１つの線状（長方形）パターンとして電極を形成した後、ギャップＧｐに相当する部分をレーザビームのスポットでカット（切断）するような工程が使える場合は、印刷法でも十分な精度でギャップＧｐを形成できる。 As a method of precisely positioning and forming the source electrode S and the drain electrode D on the surface 11a of the porous layer 11 in the exposed portion 14 (the window-shaped region surrounded by the partition wall by the plating layer 13), a photoresist is used. Lithography method using (including exposure process by energy ray, development process, etching process), photo using photosensitive functional material whose surface lipophilicity and liquid repellency change by ultraviolet irradiation instead of photoresist An assist method (electrolytic plating that does not require development and etching, etc.) or a printing method in which each electrode is directly drawn with ink containing conductive nanoparticles using an inkjet printer can be used. When the width of the gap Gp is accurately controlled from the patterning stage, a lithography method or a photoassist method is suitable. However, for example, after forming an electrode as one linear (rectangular) pattern connecting the source electrode S and the drain electrode D on the surface 11a of the porous layer 11, the portion corresponding to the gap Gp is formed by the laser beam. If a process such as cutting at a spot can be used, the gap Gp can be formed with sufficient accuracy even by the printing method.

ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを、図１３Ｂ、１３Ｃのように形成する際、電極Ｓ、Ｄと多孔質層１１の表面１１ａとの密着性が過度に高くなったり、過度に低くなったりしないように、多孔質層１１の材質や表面１１ａのポーラスの平均サイズが選定され、必要に応じて表面１１ａの事前処理（ＵＶ照射による活性化等）が施される。 When the source electrode S and the drain electrode D are formed as shown in FIGS. 13B and 13C, the adhesion between the electrodes S and D and the surface 11a of the porous layer 11 does not become excessively high or too low. As described above, the material of the porous layer 11 and the average size of the porous surface 11a are selected, and the surface 11a is pretreated (activated by UV irradiation, etc.) as necessary.

次に、第二段階として、図１４Ａ、１４Ｂに示すように、各ＴＦＴのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のギャップＧｐを覆うように、溶液状の半導体材料（有機半導体、酸化物半導体、カーボンナノチューブ等）が塗布され、適当な結晶配向処理によって半導体層Ｓｃが形成される。図１４Ａは、露出部１４の平面図であり、図１４Ｂは、露出部１４を含む多孔質シートＴｓの部分的な断面図である。半導体層Ｓｃの形成範囲は、ギャップＧｐを確実に覆う状態であれば良く、精度的にはインクジェットプリンタ等による印刷法の利用が好適である。 Next, as a second step, as shown in FIGS. 14A and 14B, a solution-like semiconductor material (organic semiconductor, oxide semiconductor) is used so as to cover the gap Gp between the source electrode S and the drain electrode D of each TFT. , Carbon nanotubes, etc.) are applied, and the semiconductor layer Sc is formed by an appropriate crystal orientation treatment. 14A is a plan view of the exposed portion 14, and FIG. 14B is a partial cross-sectional view of the porous sheet Ts including the exposed portion 14. The formation range of the semiconductor layer Sc may be a state that reliably covers the gap Gp, and it is preferable to use a printing method using an inkjet printer or the like in terms of accuracy.

一般に、溶液状の半導体材料を滴下又は塗布して半導体層を作る場合、結晶化の為に、ある程度の高温が必要となる。例えば、基板Ｐとして、ＰＥＴ樹脂によるフレキシブルな基板を用いる場合、そのガラス転移温度は、概ね１００°前後であり、それ以上の温度を与えると、極端な変形（収縮）が起こる。本実施形態では、一例として、ポリイミド製の多孔質膜を多孔質層１１として利用することで、２００°〜２５０°程度の高温処理が可能となる。図１４Ａ、１４Ｂに示すように、半導体層Ｓｃをインクジェットの液滴で塗布した段階で、多孔質シートＴｓには、金属層１２、メッキ層（金属）１３、及び、金属系の電極Ｓ、Ｄが形成されているだけなので、半導体層Ｓｃの液滴を２００°〜２５０°程度の高温で結晶化（配向）することができ、ＴＦＴの性能向上が期待できる。また、半導体層Ｓｃとして利用できる材料の選択肢も広がる。尚、多孔質層１１の材料を、ポリイミドに替えてセラミックスとすると、さらに高温処理が可能となる。 Generally, when a semiconductor layer in the form of a solution is dropped or coated to form a semiconductor layer, a certain high temperature is required for crystallization. For example, when a flexible substrate made of PET resin is used as the substrate P, the glass transition temperature thereof is about 100 °, and if a temperature higher than that is applied, extreme deformation (shrinkage) occurs. In the present embodiment, as an example, by using the porous film made of polyimide as the porous layer 11, high temperature treatment of about 200 ° to 250 ° is possible. As shown in FIGS. 14A and 14B, at the stage where the semiconductor layer Sc is applied with the droplets of the inkjet, the porous sheet Ts has a metal layer 12, a plating layer (metal) 13, and metal electrodes S and D. Is formed, the droplets of the semiconductor layer Sc can be crystallized (oriented) at a high temperature of about 200 ° to 250 °, and the performance of the TFT can be expected to be improved. In addition, the choice of materials that can be used as the semiconductor layer Sc is expanded. If the material of the porous layer 11 is ceramics instead of polyimide, higher temperature treatment becomes possible.

次に、第三段階として、図１４Ａ、１４Ｂのようにソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、半導体層Ｓｃが形成された露出部１４（凹部）の全体に、支持層ＭＲとなる絶縁性の溶液材料、例えば紫外線硬化樹脂等を一様な厚さで塗布する。この塗布に際しても、インクジェットプリンタが利用できる。また、露出部１４の周囲のメッキ層１３の表面のみを高撥液状態に設定できる場合は、ミスト・デポジション法、ディップ法によって、絶縁性の溶液材料を露出部１４内に充填するようにしても良い。支持層ＭＲの材料が紫外線硬化樹脂の場合は、その後に、多孔質シートＴｓに紫外線を照射して、適当な硬度まで硬化させる。その他の溶液材料の場合は、赤外線やマイクロウェーブの照射、或いはヒータによる加熱によって、溶液材料中の溶剤成分を除去して適度に硬化させる。 Next, as a third step, as shown in FIGS. 14A and 14B, an insulating solution material serving as a support layer MR is provided over the entire exposed portion 14 (recess) on which the source electrode S, the drain electrode D, and the semiconductor layer Sc are formed. For example, an ultraviolet curable resin or the like is applied to a uniform thickness. An inkjet printer can also be used for this coating. When only the surface of the plating layer 13 around the exposed portion 14 can be set to a highly liquid-repellent state, the exposed portion 14 is filled with an insulating solution material by a mist deposition method or a dip method. You may. When the material of the support layer MR is an ultraviolet curable resin, the porous sheet Ts is then irradiated with ultraviolet rays to be cured to an appropriate hardness. In the case of other solution materials, the solvent component in the solution material is removed by irradiation with infrared rays or microwaves or heating with a heater, and the solution material is appropriately cured.

以上の第一段階〜第三段階によって、多孔質シートＴｓ上に、図１３Ａのような状態で、支持層ＭＲが形成されるので、先の各実施形態で説明したように、多孔質シートＴｓの裏面１１ｂ側に加圧気体を供給して、支持層ＭＲを基板Ｐ上の所定位置に転写（圧着）させれば良い。 By the above first to third steps, the support layer MR is formed on the porous sheet Ts in the state as shown in FIG. 13A. Therefore, as described in each of the above embodiments, the porous sheet Ts Pressurized gas may be supplied to the back surface 11b side of the substrate P to transfer (crimp) the support layer MR to a predetermined position on the substrate P.

基板Ｐ上に支持層ＭＲが転写されると、先の図１２Ｃの断面構造から明らかなように、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄは支持層ＭＲの上面に露出した状態となる。その為、それらのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの上に、インクジェット等の印刷法により、導電性インクによって各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄやゲート電極Ｇを積層形成すると、電気的な導通が確保されることになる。 When the support layer MR is transferred onto the substrate P, the source electrode S and the drain electrode D are exposed on the upper surface of the support layer MR, as is clear from the cross-sectional structure of FIG. 12C. Therefore, when various bus lines Sy, Sh, Vdd and the gate electrode G are laminated with conductive ink by a printing method such as inkjet on the source electrode S and the drain electrode D, electrical continuity is ensured. Will be done.

図１２Ｂ、１２Ｃのような画素回路の場合、基板Ｐ上の支持層ＭＲ上には、半導体層Ｓｃを覆うと共に、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの端部は覆わないような寸法（面積）で、ゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏが形成される。この絶縁層Ｉｓｏは、支持層ＭＲ上に撥液性の感光性機能材を塗布し、絶縁層Ｉｓｏに対応する部分を紫外線で親液性に改質するフォトアシスト法と、親液性に改質された部分に絶縁層Ｉｓｏとなる溶液材料を塗布するインクジェット等の印刷法、ミスト・デポジション法、又はディップ（浸漬）法との組合せによって形成される。 In the case of a pixel circuit as shown in FIGS. 12B and 12C, the size (area) is such that the semiconductor layer Sc is covered on the support layer MR on the substrate P and the ends of the source electrode S and the drain electrode D are not covered. , An insulating layer Iso serving as a gate insulating film is formed. This insulating layer Iso has a photo-assist method in which a liquid-repellent photosensitive functional material is applied on the support layer MR and the portion corresponding to the insulating layer Iso is modified to be liquid-friendly with ultraviolet rays, and is modified to be liquid-friendly. It is formed by a combination of a printing method such as inkjet, a mist deposition method, or a dip (immersion) method in which a solution material to be an insulating layer Iso is applied to a quality portion.

ゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏの形成後、絶縁層Ｉｓｏや支持層ＭＲの上面、或いは基板Ｐの表面に、ゲート電極Ｇや各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ、Ｖｓｓが、インクジェット等の印刷法、フォトアシスト法を利用した無電解メッキ法等で形成される。先の絶縁層Ｉｓｏを形成する段階において、支持層ＭＲの表面に撥液性の感光性機能材料が塗布されていると、図１２Ｃのように、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極Ｇとなる導電性インクを積層すべきＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄの端部表面は、高い撥液性（フッ素分子による）のままである。そこで、ゲート電極Ｇ、各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ、Ｖｓｓのパターン形状に応じた紫外線を、支持層ＭＲや基板Ｐの表面に照射して、その部分の撥液性を親液性に改質しておく。 After forming the insulating layer Iso to be the gate insulating film, the gate electrode G and various bus lines Sy, Sh, Vdd, and Vss are printed on the upper surface of the insulating layer Iso and the support layer MR or the surface of the substrate P by a printing method such as inkjet. , It is formed by an electroless plating method using a photo assist method or the like. When a liquid-repellent photosensitive functional material is applied to the surface of the support layer MR at the stage of forming the insulating layer Iso, as shown in FIG. 12C, a conductive ink that becomes the gate electrode G of the TFT-TR2. The end surface of the drain electrode D of the TFT-TR1 on which the two are to be laminated remains highly liquid repellent (due to fluorine molecules). Therefore, the surface of the support layer MR and the substrate P is irradiated with ultraviolet rays corresponding to the pattern shapes of the gate electrode G, various bus lines Sy, Sh, Vdd, and Vss, and the liquid repellency of the portion is changed to liquidity. Keep it quality.

本実施形態の場合、図１２Ｂに示すように、最も下層に位置するのがバスラインＶｄｄであり、その上に位置するのがバスラインＳｙ、さらにその上に位置するのがバスラインＳｈとなっている。そのため、ゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏの形成後に、導電性インクによって最初に形成される導線部は、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧとバスラインＶｄｄとなる。従って、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧとバスラインＶｄｄに対応した形状で紫外線を照射して、支持層ＭＲと基板Ｐの各表面を親液性に改質する。その紫外線照射によって改質（フッ素分子が除去）された表面部分のみに、メッキ還元能を有するアミン基等が露呈する場合は、紫外線照射後に基板Ｐを無電解メッキ液に浸漬することで、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧとバスラインＶｄｄに対応した配線が形成される。これによって、ＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極ＤはＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極Ｇと電気的に接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のドレイン電極ＤはバスラインＶｄｄと電気的に接続される。 In the case of the present embodiment, as shown in FIG. 12B, the bus line Vdd is located at the lowest layer, the bus line S is located above the bus line Vdd, and the bus line Sh is further located above the bus line Vdd. ing. Therefore, after the insulating layer Iso to be the gate insulating film is formed, the conducting wire portion first formed by the conductive ink becomes the gate electrode G of the TFT-TR2 and the bus line Vdd. Therefore, each surface of the support layer MR and the substrate P is modified to be liquid-liquid by irradiating ultraviolet rays in a shape corresponding to the gate electrode G of the TFT-TR2 and the bus line Vdd. When an amine group or the like having a plating reducing ability is exposed only on the surface portion modified (removed by fluorine molecules) by the ultraviolet irradiation, the substrate P is immersed in an electroless plating solution after the ultraviolet irradiation to obtain a TFT. -A wiring corresponding to the gate electrode G of TR2 and the bus line Vdd is formed. As a result, the drain electrode D of the TFT-TR1 is electrically connected to the gate electrode G of the TFT-TR2, and the drain electrode D of the TFT-TR2 is electrically connected to the bus line Vdd.

次に、バスラインＶｄｄ上で、バスラインＳｙとバスラインＳｈとの交差部分に、絶縁層Ｉｓｏが形成される。これも、インクジェット等の印刷法のみ、またはフォトアシスト法と印刷法の併用による湿式工程で実施可能である。その後、バスラインＳｙが印刷法、或いはフォトアシストにより無電解メッキ法等により形成される。これによって、ＴＦＴ−ＴＲ１のソース電極ＳがバスラインＳｙと電気的に接続される。次に、バスラインＳｙ上のバスラインＳｈとの交差部分に絶縁層Ｉｓｏが形成され、その後、バスラインＳｈとＴＦＴ−ＴＲ１のゲート電極Ｇとが、印刷法、或いはフォトアシストにより無電解メッキ法等により形成される。 Next, on the bus line Vdd, the insulating layer Iso is formed at the intersection of the bus line Sy and the bus line Sh. This can also be carried out only by a printing method such as inkjet, or by a wet process using a combination of a photo assist method and a printing method. After that, the bus line Sy is formed by a printing method, an electroless plating method by photo assist, or the like. As a result, the source electrode S of the TFT-TR1 is electrically connected to the bus line Sy. Next, an insulating layer Iso is formed at the intersection with the bus line Sh on the bus line Sy, and then the bus line Sh and the gate electrode G of the TFT-TR1 are electroless plated by a printing method or photo assist. Etc. are formed.

以上、本実施形態では、ＴＦＴを構成するソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ、及び半導体層Ｓｃの積層構造体を、一体的に多孔質シートＴｓに形成するようにしたので、ＴＦＴの半導体層Ｓｃの結晶化の為の温度条件を緩和して、高温化することが可能となり、湿式プロセスでありながら、ＴＦＴの性能（電子移動度、Ｏｎ／Ｏｆｆ比等）を向上させることができる。 As described above, in the present embodiment, the laminated structure of the source electrode S, the drain electrode D, and the semiconductor layer Sc constituting the TFT is integrally formed on the porous sheet Ts, so that the semiconductor layer Sc of the TFT is formed. It is possible to relax the temperature conditions for crystallization and raise the temperature, and it is possible to improve the performance of the TFT (electron mobility, On / Off ratio, etc.) even though it is a wet process.

尚、図１２Ｃのように、支持層ＭＲの表面に露呈するソース電極Ｓやドレイン電極Ｄは、基板Ｐの表面に対して支持層ＭＲの厚み分の段差を持つ。そのため、基板Ｐの表面と支持層ＭＲの表面との両方に位置する各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ（Ｖｓｓ）は、支持層ＭＲの周辺の段差部をまたぐように形成される。支持層ＭＲの周辺の段差部が垂直に近い状態だと、そこをまたぐ各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ（Ｖｓｓ）が上手く形成されずに断線し易くなる。 As shown in FIG. 12C, the source electrode S and the drain electrode D exposed on the surface of the support layer MR have a step corresponding to the thickness of the support layer MR with respect to the surface of the substrate P. Therefore, various bus lines Sy, Sh, and Vdd (Vss) located on both the surface of the substrate P and the surface of the support layer MR are formed so as to straddle the stepped portion around the support layer MR. When the stepped portion around the support layer MR is close to vertical, various bus lines Sy, Sh, and Vdd (Vss) straddling the step portion are not well formed and are likely to be disconnected.

そこで、図１４Ｂのように、多孔質シートＴｓに形成される露出部１４のメッキ層１３のエッジ（隔壁の側面）を、露出部１４（窓状）の内側からみたときに外側に広がるようなテーパ部ＳＬにしておく。このようにすると、図１４Ｃに示すように、基板Ｐ上に転写された支持層ＭＲの周辺のエッジ部ＳＬ’は、支持層ＭＲの内側に向けて傾斜したものとなり、この傾斜したエッジ部ＳＬ’をまたぐ各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ（Ｖｓｓ）の断線が抑制される。 Therefore, as shown in FIG. 14B, the edge (side surface of the partition wall) of the plating layer 13 of the exposed portion 14 formed on the porous sheet Ts is spread outward when viewed from the inside of the exposed portion 14 (window shape). The tapered portion is set to SL. In this way, as shown in FIG. 14C, the edge portion SL'periphering the support layer MR transferred onto the substrate P becomes inclined toward the inside of the support layer MR, and the inclined edge portion SL'is inclined toward the inside of the support layer MR. The disconnection of various bus lines Sy, Sh, and Vdd (Vss) that straddle'is suppressed.

また、本実施形態では、ＴＦＴをトップゲート型で構成したが、ボトムゲート型のＴＦＴであっても、同様にして多孔質シートＴｓの露出部１４内に、ＴＦＴを構成する電極（ソースとドレインＤ）と半導体層の積層構造、半導体層と絶縁層の積層構造、或いは電極（ゲートＧ）と絶縁層の積層構造を一体に形成し、それを基板Ｐ側に転写することができる。
一般に、ＴＦＴは、ギャップＧｐ（チャネル長）で対向するソースとドレインとなる第１電極層と、半導体層と、ゲート絶縁層と、ギャップＧｐを覆うようなゲートとなる第２電極層との積層構造体で構成される。本実施形態では、これらの層のうち、第１電極層（ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ）と半導体層（Ｓｃ）との２層を、支持層ＭＲと共に積層構造体として、多孔質シートＴｓの露出部１４内に形成したが、第１電極層、半導体層、ゲート絶縁層（Ｉｓｏ）の３層を支持層ＭＲと共に積層構造体にしても良い。その場合は、最初に多孔質シートＴｓの露出部１４内の一部分だけに、ゲート絶縁層（Ｉｓｏ）が形成され、その上と露出部１４内の多孔質層１１の第一面１１ａに渡って、第１電極層（ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ）が形成され、さらにその上に半導体層（Ｓｃ）がゲート絶縁層（Ｉｓｏ）の内側に収まる範囲で形成される。また、ボトムゲート型のＴＦＴの場合は、多孔質シートＴｓの露出部１４内の第一面１１ａ上に、最初に半導体層（Ｓｃ）を形成し、加熱等によって結晶化を行った後、その半導体層を覆うような大きさで、その上にゲート絶縁層（Ｉｓｏ）を形成した２層の積層構造体とすることができる。この場合、ゲート電極Ｇは、基板Ｐ上の所定位置に予め形成しておき、そのゲート電極Ｇの上に、ゲート絶縁層と半導体層の積層構造体が支持層ＭＲと共に転写される。このように、支持層ＭＲを設けることで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する電極層、半導体層、絶縁層のうちの少なくとも２層を積層構造体として予め多孔質シートＴｓ上に作成し、それを基板Ｐへ良好に転写することができる。 Further, in the present embodiment, the TFT is configured by the top gate type, but even in the case of the bottom gate type TFT, the electrodes (source and drain) constituting the TFT are similarly contained in the exposed portion 14 of the porous sheet Ts. A laminated structure of D) and a semiconductor layer, a laminated structure of a semiconductor layer and an insulating layer, or a laminated structure of an electrode (gate G) and an insulating layer can be integrally formed and transferred to the substrate P side.
In general, a TFT is a stack of a first electrode layer serving as a source and a drain facing each other in a gap Gp (channel length), a semiconductor layer, a gate insulating layer, and a second electrode layer serving as a gate covering the gap Gp. It is composed of structures. In the present embodiment, of these layers, two layers of the first electrode layer (source electrode S and drain electrode D) and the semiconductor layer (Sc) are used as a laminated structure together with the support layer MR to form a porous sheet Ts. Although it is formed in the exposed portion 14, three layers of a first electrode layer, a semiconductor layer, and a gate insulating layer (Iso) may be formed into a laminated structure together with a support layer MR. In that case, a gate insulating layer (Iso) is first formed only in a part of the exposed portion 14 of the porous sheet Ts, and over the first surface 11a of the porous layer 11 in the exposed portion 14. , A first electrode layer (source electrode S and drain electrode D) is formed, and a semiconductor layer (Sc) is further formed on the first electrode layer (source electrode S and drain electrode D) within a range within the gate insulating layer (Iso). Further, in the case of a bottom gate type TFT, a semiconductor layer (Sc) is first formed on the first surface 11a in the exposed portion 14 of the porous sheet Ts, crystallized by heating or the like, and then the semiconductor layer (Sc) is formed. It can be a two-layer laminated structure having a size that covers the semiconductor layer and having a gate insulating layer (Iso) formed on the gate insulating layer (Iso). In this case, the gate electrode G is formed in advance at a predetermined position on the substrate P, and the laminated structure of the gate insulating layer and the semiconductor layer is transferred together with the support layer MR on the gate electrode G. By providing the support layer MR in this way, at least two layers of the electrode layer, the semiconductor layer, and the insulating layer constituting the thin film transistor (TFT) are prepared in advance as a laminated structure on the porous sheet Ts, and the layers are formed. It can be transferred to the substrate P satisfactorily.

以上の各実施形態で使われる多孔質シートＴｓは、平均孔径や膜厚、或いは空孔率が異なる２種の多孔質フィルムを積層した構造でも良い。例えば、ＴＦＴや配線層等の構造体が形成される多孔質シートＴｓの表面側には、平均孔径が５μｍ以下で薄い膜厚（例えば２０μｍ）の第１多孔質層を設け、多孔質シートＴｓの裏面側には、平均孔径が１０μｍ以上で比較的に厚い膜厚（例えば１００μｍ）の第２多孔質層を設けた多層構造としても良い。 The porous sheet Ts used in each of the above embodiments may have a structure in which two types of porous films having different average pore diameters, film thicknesses, or porosities are laminated. For example, a first porous layer having an average pore diameter of 5 μm or less and a thin film thickness (for example, 20 μm) is provided on the surface side of the porous sheet Ts on which a structure such as a TFT or a wiring layer is formed, and the porous sheet Ts is provided. A multi-layer structure may be provided in which a second porous layer having an average pore diameter of 10 μm or more and a relatively thick film thickness (for example, 100 μm) is provided on the back surface side of the above.

Ｕ２、１００…転写装置 １…デバイス製造システム Ｔｓ…多孔質シート Ｔａ…外周面 Ｔｂ…内周面 Ｐ…基板 ＤＲ…圧胴ドラム ＡＢＲ…気体噴出ローラー ＰＨ…パターン層形成部 ＰＬＴ…支持機構 １０…シート保持部 １１…多孔質層 １１ａ…第一面 １１ｂ…第二面 １２…下地金属層 １３…メッキ層 １３ａ…表面 １４…露出部 １５…被転写パターン層 １６…蒸着膜 １６ａ…表面 ２０…基板保持部 ３０…気体供給部 ３１…円筒軸 ３１ａ…中空部 ３１ｂ…開口部 ３３…多孔質管 ３５…気体供給部 ４０…パターン形成装置 ５０…洗浄装置 ６０…乾燥装置 U2, 100 ... Transfer device 1 ... Device manufacturing system Ts ... Porous sheet Ta ... Outer surface Tb ... Inner peripheral surface P ... Substrate DR ... Impressor drum ABR ... Gas ejection roller PH ... Pattern layer forming part PLT ... Support mechanism 10 ... Sheet holding part 11 ... Porous layer 11a ... First surface 11b ... Second surface 12 ... Base metal layer 13 ... Plating layer 13a ... Surface 14 ... Exposed part 15 ... Transfer pattern layer 16 ... Deposited film 16a ... Surface 20 ... Substrate Holding part 30 ... Gas supply part 31 ... Cylindrical shaft 31a ... Hollow part 31b ... Opening 33 ... Porous tube 35 ... Gas supply part 40 ... Pattern forming device 50 ... Cleaning device 60 ... Drying device

Claims (9)

長尺の可撓性を有する第１の基板上に、転写方式を利用して薄膜トランジスタを含む電子デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
微小な気孔を介して表面と裏面との間を気体が通過可能な多孔質材料で形成された可撓性のシート状の第２の基板の前記表面に、前記薄膜トランジスタを構成する電極層、半導体層、絶縁層のうちの少なくとも半導体層を含む２層の積層構造体と、該積層構造体を囲む所定領域の周囲を被覆する隔壁層とを形成する第１の工程と、
前記第１の工程後の前記第２の基板を加熱する第２の工程と、
前記所定領域内に絶縁性の支持層を形成する第３の工程と、
前記第２の基板の前記表面側と前記第１の基板の表面側とが順次に部分的に密着または近接するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを一方向に移動させながら、前記部分的に密着または近接する位置で、前記気孔を介して前記第２の基板の前記裏面から前記表面に向けて気体を供給することで前記積層構造体を前記支持層と共に前記第２の基板から剥離させて前記第１の基板の表面に転写する第４の工程と、
を含むデバイス製造方法。 A device manufacturing method for manufacturing an electronic device including a thin film transistor on a long, flexible first substrate by using a transfer method.
An electrode layer and a semiconductor constituting the thin film transistor are formed on the surface of a flexible sheet-like second substrate formed of a porous material through which gas can pass between the front surface and the back surface through minute pores. A first step of forming a two-layer laminated structure including at least a semiconductor layer among layers and insulating layers, and a partition wall layer that covers the periphery of a predetermined region surrounding the laminated structure.
A second step of heating the second substrate after the first step, and
A third step of forming an insulating support layer in the predetermined region, and
The first substrate and the second substrate are moved in one direction so that the surface side of the second substrate and the surface side of the first substrate are sequentially partially adhered to or close to each other. However, by supplying gas from the back surface of the second substrate toward the front surface through the pores at a position where the laminated structure is partially adhered or close to each other, the laminated structure is provided together with the support layer by the second surface. The fourth step of peeling from the substrate and transferring to the surface of the first substrate,
Device manufacturing method including. 請求項１に記載のデバイス製造方法であって、
前記第２の基板の多孔質材料は、
多孔質ポリイミド、アラミド樹脂ベースの多孔質フィルム、超高分子量ポリエチレン多孔質フィルム、四フッ化エチレン樹脂多孔質膜、表面フッ素化多孔質膜のうちのいずれかである、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to claim 1.
The porous material of the second substrate is
A device manufacturing method, which is any one of a porous polyimide, an aramid resin-based porous film, an ultra-high molecular weight polyethylene porous film, a tetrafluorinated ethylene resin porous film, and a surface fluorinated porous film. 請求項１または２に記載のデバイス製造方法であって、
前記積層構造体の寸法は、前記第２の基板の前記気孔の平均孔径よりも大きい、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to claim 1 or 2.
A device manufacturing method in which the dimensions of the laminated structure are larger than the average pore diameter of the pores of the second substrate. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第２の基板は、異なる２種の多孔質層を積層した多層構造であり、
前記第２の基板の前記表面側の第１多孔質層の平均孔径は、前記裏面側の第２多孔質層の平均孔径よりも小さい、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 1 to 3.
The second substrate has a multilayer structure in which two different types of porous layers are laminated.
A device manufacturing method, wherein the average pore size of the first porous layer on the front surface side of the second substrate is smaller than the average pore size of the second porous layer on the back surface side. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程において、
前記隔壁層は、前記第２の基板の前記表面に形成される下地金属層の上に無電解又は電解メッキによりメッキ層を積層することで形成され、前記積層構造体は前記隔壁層の形成後に形成される、
デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 1 to 4.
In the first step,
The partition wall layer is formed by laminating a plating layer by electroless or electrolytic plating on a base metal layer formed on the surface of the second substrate, and the laminated structure is formed after the partition wall layer is formed. It is formed,
Device manufacturing method. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程は、
前記積層構造体を形成する前に、前記積層構造体が形成される前記所定領域内の前記第２の基板の前記表面を撥液性に処理する段階を含む、
デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 1 to 5.
The first step is
A step of treating the surface of the second substrate in the predetermined region where the laminated structure is formed to be liquid-repellent before forming the laminated structure.
Device manufacturing method. 請求項１〜６のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程において、前記積層構造体は、
前記薄膜トランジスタの前記電極層として、ソース電極とドレイン電極とに対応したパターンを前記第２の基板の前記表面上に形成した後、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間のギャップ部を覆うような範囲で前記半導体層によるパターンを積層して構成される、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 1 to 6.
In the first step, the laminated structure is
As the electrode layer of the thin film transistor, a range corresponding to the source electrode and the drain electrode is formed on the surface of the second substrate and then covers the gap portion between the source electrode and the drain electrode. A device manufacturing method configured by laminating patterns made of the semiconductor layers. 請求項１〜７のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程において、
前記薄膜トランジスタを構成する前記半導体層は、印刷方式又はインクジェット方式によるインク材料の塗布によって形成される、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 1 to 7.
In the first step,
A device manufacturing method in which the semiconductor layer constituting the thin film transistor is formed by applying an ink material by a printing method or an inkjet method. 請求項１〜８のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第３の工程において、
前記積層構造体を囲む前記所定領域内に形成される前記支持層を、光又は熱によって硬化可能な絶縁性の樹脂の液体の塗布によって形成する際は、前記所定領域の周囲の前記隔壁層の表面を撥液状態に設定する、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 1 to 8.
In the third step,
When the support layer formed in the predetermined region surrounding the laminated structure is formed by applying a liquid of an insulating resin curable by light or heat, the partition wall layer around the predetermined region is formed. A device manufacturing method that sets the surface to a liquid-repellent state.
JP2020024883A 2012-08-06 2020-02-18 Device manufacturing method Active JP6950767B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012173983 2012-08-06
JP2012173983 2012-08-06
JP2019008350A JP6665953B2 (en) 2012-08-06 2019-01-22 Device manufacturing method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019008350A Division JP6665953B2 (en) 2012-08-06 2019-01-22 Device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020145419A JP2020145419A (en) 2020-09-10
JP6950767B2 true JP6950767B2 (en) 2021-10-13

Family

ID=50068026

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014529472A Active JP6287839B2 (en) 2012-08-06 2013-08-02 Substrate processing equipment
JP2018017123A Active JP6481784B2 (en) 2012-08-06 2018-02-02 Device manufacturing method
JP2019008350A Active JP6665953B2 (en) 2012-08-06 2019-01-22 Device manufacturing method
JP2020024883A Active JP6950767B2 (en) 2012-08-06 2020-02-18 Device manufacturing method

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014529472A Active JP6287839B2 (en) 2012-08-06 2013-08-02 Substrate processing equipment
JP2018017123A Active JP6481784B2 (en) 2012-08-06 2018-02-02 Device manufacturing method
JP2019008350A Active JP6665953B2 (en) 2012-08-06 2019-01-22 Device manufacturing method

Country Status (3)

Country Link
JP (4) JP6287839B2 (en)
CN (2) CN107253394B (en)
WO (1) WO2014024797A1 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106501299B (en) * 2016-10-18 2019-07-26 北京印刷学院 A kind of self assembly printed electronic product continuous sintering experimental provision
CN106393972A (en) * 2016-11-25 2017-02-15 邹杨 Digital inkjet, blanket strip transfer and steam washing-free manufacturing method and device
CN107351554B (en) * 2017-08-14 2018-11-09 湖南嘉业达电子有限公司 The production method of ink printer and seal for printing mark
TWI661947B (en) * 2017-11-17 2019-06-11 財團法人工業技術研究院 Gravure offset printing apparatus
JP2021003806A (en) * 2018-01-29 2021-01-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Printing method on filamentous member, and filamentous saw
JP6564105B2 (en) * 2018-04-23 2019-08-21 株式会社三共 Game machine
CN108749294B (en) * 2018-08-24 2020-04-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 Transfer printing device and transfer printing method
CN110676383A (en) * 2019-09-29 2020-01-10 合肥京东方显示技术有限公司 Curved substrate manufacturing device and manufacturing method using same
CN113211949B (en) * 2020-02-06 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 Pattern transfer apparatus and method

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6045430B2 (en) * 1977-10-01 1985-10-09 キヤノン株式会社 Image forming method
JPS5793169U (en) * 1980-11-28 1982-06-08
JPS5968291A (en) * 1982-10-14 1984-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Screen printing method
JP2866730B2 (en) * 1990-11-14 1999-03-08 日本電信電話株式会社 Method of forming semiconductor circuit
JPH06234202A (en) * 1993-02-08 1994-08-23 Kyushu Hitachi Maxell Ltd Manufacture of mask for screen printing
JP4454056B2 (en) * 1998-08-03 2010-04-21 大日本印刷株式会社 High-definition printing method
JP3556102B2 (en) * 1998-09-17 2004-08-18 松下電器産業株式会社 Printing method and printing apparatus
US6433359B1 (en) * 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
JP2003257654A (en) * 2001-12-25 2003-09-12 Hitachi Ltd Image display device and method of manufacturing the device
US6620657B2 (en) * 2002-01-15 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming a planar polymer transistor using substrate bonding techniques
CN1446039A (en) * 2002-03-14 2003-10-01 华通电脑股份有限公司 Solder paste print deice for remnant stannum easy to be shed-off
JP4230217B2 (en) * 2002-12-27 2009-02-25 シャープ株式会社 Transfer device
JP2004319538A (en) * 2003-04-10 2004-11-11 Seiko Epson Corp Process for manufacturing semiconductor device,integrated circuit, electrooptic device and electronic apparatus
US7401551B2 (en) * 2004-02-25 2008-07-22 Riso Kagaku Corporation Stencil printing machine
JP4700976B2 (en) * 2005-02-10 2011-06-15 キヤノン株式会社 Manufacturing method of field effect organic transistor
JP4951868B2 (en) * 2005-03-18 2012-06-13 凸版印刷株式会社 Thin film transistor manufacturing method
JP2006302814A (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Konica Minolta Holdings Inc Method for forming organic electroluminescent layer, and organic electroluminescent element
WO2008129819A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-30 Nikon Corporation Display element manufacturing method, display element manufacturing apparatus and display element
JP2009073005A (en) * 2007-09-20 2009-04-09 Nec Corp Screen printing method and screen printing machine
JP2009078425A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Toppan Printing Co Ltd Printing plate, method for producing the same, and method for producing printed matter
JP5294141B2 (en) * 2008-03-25 2013-09-18 株式会社ニコン Display element manufacturing equipment
CN101587839B (en) * 2008-05-23 2011-12-21 清华大学 Method for producing thin film transistors
JPWO2010001537A1 (en) * 2008-06-30 2011-12-15 株式会社ニコン Display element manufacturing method and manufacturing apparatus, thin film transistor manufacturing method and manufacturing apparatus, and circuit forming apparatus
CN102047396B (en) * 2008-08-04 2013-01-09 松下电器产业株式会社 Flexible semiconductor device and method for manufacturing same
JP2011201271A (en) * 2010-03-26 2011-10-13 Toppan Printing Co Ltd Screen printing apparatus for pushing coating material on mask surface, and printing method therefor
WO2011128932A1 (en) * 2010-04-13 2011-10-20 パナソニック株式会社 Organic semiconductor device and method for manufacturing organic semiconductor device
JP2012000946A (en) * 2010-06-21 2012-01-05 Toppan Printing Co Ltd Printing surface plate and base material for back surface, and method for forming pattern on film substrate
US9518224B2 (en) * 2010-08-29 2016-12-13 Shinshu University Organic semiconductor particulate material, organic semiconductor thin-film, dispersion liquid for forming organic semiconductor film, method for producing organic semiconductor thin-film, and organic thin-film transistor
JP2012060057A (en) * 2010-09-13 2012-03-22 Komuratekku:Kk Method of manufacturing organic thin film transistor
CN101973157B (en) * 2010-09-28 2012-01-04 深圳市凯力诚实业发展有限公司 High speed printer, method and production line
CN102452239A (en) * 2010-10-22 2012-05-16 韩国科学技术院 Pattern transfer method and apparatus therefor
JP2012119531A (en) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, electric apparatus
CN202186106U (en) * 2011-08-22 2012-04-11 安伦通讯设备(苏州)有限公司 Size sucking device of screen printer

Also Published As

Publication number Publication date
JP6287839B2 (en) 2018-03-07
JP6481784B2 (en) 2019-03-13
CN107253394B (en) 2019-05-03
JP2019096890A (en) 2019-06-20
CN107253394A (en) 2017-10-17
CN104507685B (en) 2017-06-09
JP6665953B2 (en) 2020-03-13
JP2018082214A (en) 2018-05-24
CN104507685A (en) 2015-04-08
JP2020145419A (en) 2020-09-10
JPWO2014024797A1 (en) 2016-07-25
WO2014024797A1 (en) 2014-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6950767B2 (en) Device manufacturing method
CN100475544C (en) Patterning method, method of manufacturing organic field effect transistor, and method of manufacturing flexible printed circuit board
JP4636921B2 (en) Display device manufacturing method, display device, and electronic apparatus
JP6411466B2 (en) Slot die coating method and apparatus
US8253174B2 (en) Electronic circuit structure and method for forming same
US9064778B2 (en) Method of manufacturing thin film transistor
KR20200105981A (en) Device manufacturing method
CN111128707B (en) Method for manufacturing element and transfer substrate
US9227220B1 (en) Method for patterning materials on a substrate
JP5838692B2 (en) Manufacturing method of CMOS semiconductor device
Nomura et al. Advanced screen-offset printing for fabricating thick electrodes on the concave surface of cylindrically curved glass
US8969127B2 (en) Apparatus for and method of fabricating an electronic device by transfer of material onto a substrate
Cui et al. Coating and printing processes
TW201719766A (en) Method of manufacturing electronic device
JP2015005618A (en) Method for manufacturing organic semiconductor film, organic semiconductor film, thin film transistor, active matrix device, electro-optic device and electronic equipment
Cuia et al. aPrintable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nanotech and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China; bSchool of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China
JP6671335B2 (en) Functional film patterning method and electronic device manufacturing method
KR20140079668A (en) Vibration Assisted Contact-type printing machine
TW201517066A (en) Functional film patterning method, electronic device manufacturing method and transparent conductive film
JP2008091123A (en) Letterpress, printing machine, manufacturing method of organic electronic device, and manufacturing method of the letterpress
WO2011015847A1 (en) Printed electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210805

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210824

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6950767

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150