JP6948494B2 - 紫外線発光素子及び発光素子パッケージ - Google Patents
紫外線発光素子及び発光素子パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6948494B2 JP6948494B2 JP2018523450A JP2018523450A JP6948494B2 JP 6948494 B2 JP6948494 B2 JP 6948494B2 JP 2018523450 A JP2018523450 A JP 2018523450A JP 2018523450 A JP2018523450 A JP 2018523450A JP 6948494 B2 JP6948494 B2 JP 6948494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- conductive
- algan
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 423
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 283
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 125
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 124
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 92
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 38
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 24
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 696
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 32
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 19
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 6
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000408495 Iton Species 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- -1 for example Chemical class 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
実施例は、紫外線発光素子、紫外線発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明装置に関する。
発光素子（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）は、電気エネルギーが光エネルギーに変換される特性のｐ−ｎ接合ダイオードを周期律表上で３族−５族元素または２族−６族元素が化合されて生成され得、化合物半導体の組成比を調節することによって多様な色相の具現が可能である。
窒化物半導体は、高い熱的安定性と幅広いバンドギャップエネルギーによって光素子及び高出力電子素子開発分野で大きい関心を集めている。特に、窒化物半導体を用いた紫外線（ＵＶ）発光素子、青色（Ｂｌｕｅ）発光素子、緑色（Ｇｒｅｅｎ）発光素子、赤色（Ｒｅｄ）発光素子などは常用化されて広く使用されている。
前記紫外線発光素子（ＵＶ ＬＥＤ）は、２００ｎｍ〜４００ｎｍ波長帯の光を発光する発光素子である。前記紫外線発光素子は用途によって短波長及び長波長で構成される。前記短波長は殺菌または浄化などに使用され、長波長は露光機または硬化器などに使用され得る。
一方、紫外線発光素子は、光抽出効率を向上させるためにＰＥＣ（Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏ ｃｈｅｍｉｃａｌ）などの方法でｎ型半導体層に光抽出パターンを形成している。
しかし、ｎ型半導体層は、前記光抽出パターンのオーバーエッチングが発生することがあり、前記オーバーエッチングはショートを引き起こす。すなわち、一般的なｎ型半導体層のＰＥＣによる光抽出パターンは、ショートなどによる歩留り低下の問題があった。
一方、一般的な紫外線発光素子は、電極と隣接した領域で電流が集中される問題があった。
実施例は、電流広がり（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）を改善することができる紫外線発光素子、紫外線発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明装置を提供することができる。
また、実施例は、欠陥を改善することができる紫外線発光素子、紫外線発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明装置を提供することができる。
実施例による紫外線発光素子は、光抽出構造を有する第１導電型第１半導体層と、前記第１導電型第１半導体層上にエッチング遮断層と、前記エッチング遮断層上に第１導電型第２半導体層と、前記第１導電型第２半導体層上に活性層と、前記活性層上に第２導電型半導体層と、前記エッチング遮断層と前記活性層との間に配置された電流広がり層とを含み、前記電流広がり層は、第１導電型またはアンドープ（ｕｎｄｏｐｅｄ）ＡｌＧａＮ系またはＧａＮ系の半導体層、アンドープＡｌＮ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層を含み、第１導電型またはアンドープＡｌＧａＮ系またはＧａＮ系の半導体層とアンドープＡｌＮの格子定数の差によるピエゾエレクトリック（ｐｉｅｚｏ−ｅｌｅｃｔｒｉｃ）による内部場（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｆｉｅｌｄ）を発生させることで、前記１導電型またはアンドープＡｌＧａＮ系またはＧａＮ系の半導体層とアンドープＡｌＮとの界面で電子広がりを誘導することによって、電流広がり（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）を改善することができる。
実施例による発光素子パッケージは、前記紫外線発光素子を含むことができる。
実施例の紫外線発光素子は、光抽出パターンの深さを制限してショートによる歩留まりの低下を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子は、結晶性を向上させることができる。
また、実施例の紫外線発光素子は、電流広がりを改善することができる。
実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンの「上／うえ（ｏｎ／ｏｖｅｒ）」に、または「下／した（ｕｎｄｅｒ）」に形成されるものと記載される場合において、「上／うえ（ｏｎ／ｏｖｅｒ）」と「下／した（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」または「他の層を介在して（Ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されるものをすべて含む。また、各層の上／うえ、または、下／したに対する基準は、図面を基準として説明する。
図１は、実施例による紫外線発光素子を示す平面図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’ラインに沿って切断した紫外線発光素子の断面図であり、図３は、実施例のエッチング遮断層及び電流広がり層を示す断面図であり、図４は、実施例のエッチング遮断層及び電流広がり層のエネルギーバンドギャップダイヤグラムを示す図面である。
図１ないし図４に示したように、実施例による紫外線発光素子１００は発光構造物１１０を含むことができる。
前記発光構造物１１０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ、エッチング遮断層１２０、電流広がり層１３０、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂ、活性層１１４及び第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６を含むことができる。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂは、半導体化合物、例えばＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族などの化合物半導体で具現され得、第１導電型ドーパントがド−ピングされ得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂは、ＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０≦ｎ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂがｎ型半導体層の場合、ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されものではない。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａは、光抽出効率を向上させる光抽出パターン１１３を含むことができる。前記光抽出パターン１１３は、ＰＥＣなどの方法で形成され得、これに限定されるものではない。前記光抽出パターン１１３は、規則的な形状及び配列を有するように形成することができ、不規則的な形状及び配列を有するように形成することもできる。前記光抽出パターン１１３は、活性層１１４から生成された光が前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａの上部面から全反射され、再吸収される光を外部に屈折させて光抽出効率を向上させることができる。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの厚さは、１５００ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの厚さは、１５００ｎｍないし２５００ｎｍであり得るが、これに限定されるものではない。
前記エッチング遮断層１２０は、前記光抽出パターン１１３の形成深さを制限することができる。例えば、前記エッチング遮断層１２０は、ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂを含むことができる。ここで、前記ＡｌＮ１２０ａは、第１導電型ドーパントを含むことができるが、これに限定されるものではない。前記ＡｌＮ１２０ａのＡｌは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａのＧａより結合エネルギーが大きい。これによりエッチング遮断層１２０のエッチング速度は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａのエッチング速度より遅くなり得る。したがって、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａのエッチングによる光抽出パターン１１３が形成されるうちにエッチング遮断層１２０の遅いエッチング速度によって前記光抽出パターン１１３は前記エッチング遮断層１２０を貫通する深さを有することが困難となる。前記エッチング遮断層１２０は、ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが５ペア以上交互するように形成され得る。例えば前記エッチング遮断層１２０は前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが５ペアないし１５ペア以上交互するように形成され得る。前記エッチング遮断層１２０は、前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが５ペア未満の場合、エッチング遮断効果が低下し得る。前記エッチング遮断層１２０は、前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが１５ペア超過の場合、格子定数の差によって結晶性が低下し得る。
前記ＡｌＮ１２０ａの厚さは、０．５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記ＡｌＮ１２０ａの厚さは、０．５ｎｍないし３ｎｍであり得る。前記ＡｌＮ１２０ａの厚さが０．５ｎｍ未満の場合、エッチング遮断効果が低下し得る。前記ＡｌＮ１２０ａの厚さが３ｎｍ超過の場合、格子の小さいＡｌＮ１２０ａによって結晶性が低下し、キャリア注入効率が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さは、１ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さは、１ｎｍないし５ｎｍであり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さが１ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さが５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂは、ＡｌａＧａ１−ａＮ（０．４≦ａ≦０．８）であり得る。アルミニウム（Ａｌ）組成ａが０．４未満の場合、エッチング遮断効果が低下し、アルミニウム（Ａｌ）組成ａが０．８を超過する場合、結晶性が低下し得る。
前記エッチング遮断層１２０の全体厚さは、１５ｎｍないし２５ｎｍであり得る。前記エッチング遮断層１２０の厚さが１５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し、前記エッチング遮断層１２０の厚さが２５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの間にエッチング遮断層１２０が形成されて光抽出パターン１１３の深さを制限するので、オーバーエッチングを改善することができる。したがって、実施例の紫外線発光素子は、オーバーエッチングによるショートによる歩留まりの低下を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子１００は、５ペア以上交互するように形成された前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂによって欠陥遮断（Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ）効果を含むことができる。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記エッチング遮断層１２０の下に電流広がり層１３０を含むことができる。前記電流広がり層１３０は、前記エッチング遮断層１２０より高い温度で形成され得る。前記電流広がり層１３０は、前記エッチング遮断層１２０より高い温度で成長して前記エッチング遮断層１２０の欠陥を改善することができる。
前記電流広がり層１３０は、前記エッチング遮断層１２０と前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に配置され得る。前記電流広がり層１３０は、結晶欠陥を改善すると同時に電流広がりを改善することができる。例えば、前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄを含むことができる。前記電流広がり層１３０は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａとアンドープＡｌＮ１３０ｂとの格子定数の差によるピエゾエレクトリック（ｐｉｅｚｏ−ｅｌｅｃｔｒｉｃ）による内部場（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｆｉｅｌｄ）を発生させることによって、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａとアンドープＡｌＮ１３０ｂとの界面で電子広がりを誘導することができる。前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが２ペア以上交互され得る。例えば、前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが２ペアないし４ペア交互され得る。前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが２ペア未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが４ペア超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａは、前記エッチング遮断層１２０とアンドープＡｌＮ１３０ｂとの間に配置され得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａは、アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄ及びアンドープＡｌＮ１３０ｂの間に配置され得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さは５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さは５ｎｍないし２０ｎｍであり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さが５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さが２０ｎｍ超過の場合、電流広がり層１３０の全体厚さが厚くなり得る。ここで、実施例は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａが第１導電型ドーパントを含んでいるが、これに限定されず、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａは、アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層であり得る。
前記アンドープＡｌＮ１３０ｂは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａと、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃとの間に配置され得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａと対比してバンドギャップエネルギーが大きくなり得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さは０．５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さは０．５ｎｍないし１．５ｎｍであり得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さが０．５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さが１．５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃは、前記アンドープＡｌＮ１３０ｂとアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄとの間に配置され得、アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄに行くほどＡｌ組成が漸進的に低くなり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃは、前記アンドープＡｌＮ１３０ｂからアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄに行くほどＡｌ組成が漸進的に低くなり、結晶性を改善させることができる。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃは、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０．２５≦ｂ≦０．３５）であり得る。アルミニウム（Ａｌ）組成ｂが０．２５未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。アルミニウム（Ａｌ）組成ｂが０．３５を超過する場合、結晶性が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さは１５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さは１５ｎｍないし２５ｎｍであり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さが１５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さが２５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃと前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａとの間に配置され得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃと前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に配置され得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄの厚さは３ｎｍ以上であってもよい。例えば、前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄの厚さは３ｎｍないし１０ｎｍであり得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄの厚さが３ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄは、厚さが１０ｎｍ超過の場合、動作電圧（Ｖｆ）が上昇し得る。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記エッチング遮断層１２０と第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に電流広がり層１３０が配置されて電流広がり効果を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子１００は、エッチング遮断層１２０より高い温度で形成される電流広がり層１３０が前記エッチング遮断層１２０の形成後に形成されるので、前記エッチング遮断層１２０による欠陥が第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂに進行されることを遮断して発光素子の結晶性を向上させることができる。
前記活性層１１４は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造の少なくともいずれか一つに形成され得る。
前記活性層１１４は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂを通じて注入される電子または正孔と、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６を通じて注入される正孔または電子が互いに結合して、前記活性層１１４の形成物質によるエネルギーバンド（Ｅｎｅｒｇｙ Ｂａｎｄ）のバンドギャップ（Ｂａｎｄ ＧａＰ）の差によって光を放出する層である。
前記活性層１１４は、化合物半導体で構成され得る。前記活性層１１４は例として ＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち少なくとも一つで具現され得る。
前記活性層１１４は、量子井戸と量子壁を含むことができる。前記活性層１１４が多重量子井戸構造で具現された場合、量子井戸と量子壁が交互に配置され得る。前記量子井戸と量子壁は、それぞれＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料に配置され得、またはＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ／ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＰのいずれか一つ以上のペア構造で形成され得るが、これに限定されない。
前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６は、半導体化合物、例えば、ＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族などの化合物半導体で具現され得、第２導電型ドーパントがド−ピングされ得る。例えば、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６はＡｌpＧａ１−pＮ（０≦ｐ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６がｐ型半導体層の場合、前記第２導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂはｎ型半導体層として、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６はｐ型半導体層として説明しているが、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂをｐ型半導体層として、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６をｎ型半導体層として形成することもでき、これに限定されるものではない。前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６上には前記第２導電型とは反対の極性を有する半導体、例えばｎ型半導体層（図示せず）を形成することができる。これによって、発光構造物１１０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうちいずれか一つの構造で具現することができる。
第１電極１７０は、前記発光構造物１１０の下に配置され得る。前記第１電極１７０は、前記発光構造物１１０と前記第２電極１６０との間に配置され得る。前記第１電極１７０は、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系列の半導体層１１６と電気的に連結され得る。前記第１電極１７０は、前記第２電極１６０と電気的に絶縁され得る。前記第１電極１７０は、接触層１７１、反射層１７３、キャッピング層１７５、パッド１７７を含むことができる。
前記接触層１７１は、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６の下に配置され得る。前記接触層１７１は、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６と直接接触され得る。前記接触層１７１は、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６と前記反射層１７３との間に配置され得る。前記接触層１７１は、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６と電気的に連結され得る。前記接触層１７１は、伝導性酸化物、伝導性窒化物または金属であり得る。例えば、前記接触層１７１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯＮ（ＩＴＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉのうち少なくとも一つを含むことができる。
前記反射層１７３は、前記接触層１７１と前記キャッピング層１７５との間に配置され得る。前記反射層１７３は、前記接触層１７１及びキャッピング層１７５に電気的に連結され得る。前記反射層１７３は、前記発光構造物１１０から入射される光を反射させる機能を含むことができる。前記反射層１７３は、前記発光構造物１１０からの光を外部に反射させて光抽出効率を向上させることができる。前記反射層１７３は、金属であり得る。例えば、前記反射層１７３は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含む金属または合金であり得る。前記反射層１７３は、前記金属または合金と、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）などの透明伝導性物質の単層または多層であり得る。
前記キャッピング層１７５は、前記反射層１７３の下に配置され得る。前記キャッピング層１７５は、前記反射層１７３の下部面と直接接触され得る。前記キャッピング層１７５は、前記パッド１７７の下に配置され得る。前記キャッピング層１７５は、前記パッド１７７と電気的に連結され得る。前記キャッピング層１７５は、前記パッド１７７の下部面と直接接触され得る。前記キャッピング層１７５は、前記パッド１７７から供給される駆動電源を前記発光構造物１１０に提供することができる。前記キャッピング層１７５は、導電性物質であり得る。例えば、前記キャッピング層１７５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。前記キャッピング層１７５の端は、前記発光構造物１１０の端よりさらに外側に配置され得る。
前記パッド１７７は、前記発光構造物１１０から離隔することができる。前記パッド１７７は、前記発光構造物１１０より外側に配置され得る。前記パッド１７７は、前記発光構造物１１０より外側に位置する前記キャッピング層１７５上に配置され得る。前記パッド１７７は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。
前記第２電極１６０は、前記第１電極１７０の下に配置され得る。前記第２電極１６０は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂと電気的に連結され得る。前記第２電極１６０は、拡散防止層１６１、ボンディング層１６３及び支持部材１６５を含むことができる。前記第２電極１６０は、前記拡散防止層１６１、前記ボンディング層１６３、前記支持部材１６５の中で１つまたは２つを選択的に含むことができる。例えば、前記第２電極１６０は、前記拡散防止層１６１及び前記ボンディング層１６３のうち少なくとも一つを削除することができる。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂと接触する前記拡散防止層１６１の接触部１６１ａと前記電流広がり層１３０との間の間隔Ｄが８００ｎｍ以上であり得る。例えば、前記接触部１６１ａと前記電流広がり層１３０との間の間隔Ｄは８００ｎｍないし１２００ｎｍであり得るが、これに限定されるものではない。
前記拡散防止層１６１は、前記第１電極１７０で前記ボンディング層１６３に含まれた物質の拡散を防止する機能を含むことができる。前記拡散防止層１６１は、ボンディング層１６３及び支持部材１６５と電気的に連結され得る。前記拡散防止層１６１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。
前記ボンディング層１６３は、前記拡散防止層１６１の下に配置され得る。前記ボンディング層１６３は、前記拡散防止層１６１と前記支持部材１６５との間に配置され得る。前記ボンディング層１６３は、バリアー金属またはボンディング金属などを含むことができる。例えば、前記ボンディング層１６３は、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、ＰｄまたはＴａのうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。
前記支持部材１６５は、金属またはキャリア基板であり得る。例えば、前記支持部材１６５は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗまたは不純物が注入された半導体基板（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）のうち少なくともいずれか一つに形成され得、単層または多層に形成され得る。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの間にエッチング遮断層１２０が形成されて光抽出パターン１１３の深さをエッチング遮断層１２０までに制限することによって、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂにおけるショートによる歩留まりの低下を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子は、５ペア以上交互するように形成された前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂを含むエッチング遮断層１２０により欠陥遮断効果によって発光構造物１１０の結晶性を向上させることができる。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記エッチング遮断層１２０と第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に電流広がり層１３０が配置されて電流広がり効果を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子１００は、エッチング遮断層１２０より高い温度で形成される電流広がり層１３０が前記エッチング遮断層１２０の形成以後に形成されるので前記エッチング遮断層１２０による欠陥が第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂに進行されることを遮断して発光素子の結晶性を向上させることができる。
図５ないし図９は、実施例による紫外線発光素子の製造方法を示す断面図である。
図３及び図５を参照すると、発光構造物１１０、接触層１７１、反射層１７３、キャッピング層１７５は基板５上に形成され得る。
前記基板５は、熱伝導性に優れた物質で形成され得、伝導性基板または絶縁性基板であり得る。例えば、前記基板５は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、ａｎｄ Ｇａ２Ｏ３のうち少なくとも一つを使用することができる。前記基板５上には凹凸構造が形成され得、これに対して限定しない。
前記発光構造物１１０は、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学蒸着法（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ；Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線成長法（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ；Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）などの方法で形成され得るが、これに限定されるものではない。
前記発光構造物１１０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ、エッチング遮断層１２０、電流広がり層１３０、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂ、活性層１１４及び第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６を含むことができる。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂは、半導体化合物、例えば、ＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族などの化合物半導体で具現され得、第１導電型ドーパントがド−ピングされ得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂは、ＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０≦ｎ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂがｎ型半導体層の場合、ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されるものではない。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの厚さは１５００ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの厚さは１５００ｎｍないし２５００ｎｍであり得、これに限定されるものではない。
前記エッチング遮断層１２０は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの間に形成され得る。前記エッチング遮断層１２０は、発光素子製造工程の後工程で形成される前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａの前記光抽出パターン１１３の形成深さを制限することができる。例えば、前記エッチング遮断層１２０は、ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂを含むことができる。ここで、前記ＡｌＮ１２０ａは、第１導電型ドーパントを含むことができるが、これに限定されるものではない。前記ＡｌＮ１２０ａのＡｌは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａのＧａより結合エネルギーが大きい。これにより、エッチング遮断層１２０のエッチング速度は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａのエッチング速度より遅くなり得る。したがって、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａのエッチングによる光抽出パターン１１３が形成されるうちにエッチング遮断層１２０の遅いエッチング速度によって、前記光抽出パターン１１３は前記エッチング遮断層１２０を貫通する深さを有することが困難となる。前記エッチング遮断層１２０は、ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが５ペア以上交互するように形成され得る。例えば、前記エッチング遮断層１２０は、前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが５ペアないし１５ペア交互するように形成され得る。前記エッチング遮断層１２０は、前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが５ペア未満の場合、エッチング遮断効果が低下し得る。前記エッチング遮断層１２０は、前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂが１５ペア超過の場合、格子定数の差によって結晶性が低下し得る。
前記ＡｌＮ１２０ａの厚さは０．５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記ＡｌＮ１２０ａの厚さは０．５ｎｍないし３ｎｍであり得る。前記ＡｌＮ１２０ａの厚さが０．５ｎｍ未満の場合、エッチング遮断効果が低下し得る。前記ＡｌＮ１２０ａの厚さが３ｎｍ超過の場合、格子の小さいＡｌＮ１２０ａによって結晶性が低下し、キャリア注入効率が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さは１ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さは１ｎｍないし５ｎｍであり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さが１ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂの厚さが５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂは、ＡｌａＧａ１−ａＮ（０．４≦ａ≦０．８）であり得る。アルミニウム（Ａｌ）組成ａが０．４未満の場合、エッチング遮断効果が低下し、アルミニウム（Ａｌ）組成ａが０．８を超過する場合、結晶性が低下し得る。
前記エッチング遮断層１２０の全体厚さは１５ｎｍないし２５ｎｍであり得る。前記エッチング遮断層１２０の厚さが１５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し、前記エッチング遮断層１２０の厚さが２５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
実施例の紫外線発光素子は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの間にエッチング遮断層１２０が形成されて光抽出パターン１１３の深さを制限するので、オーバーエッチングを改善することができる。したがって、実施例の紫外線発光素子はショートによる歩留まりの低下を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子は、５ペア以上交互するように形成された前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂによって欠陥遮断（Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ）効果を含むことができる。
実施例の紫外線発光素子は、前記エッチング遮断層１２０上に電流広がり層１３０が形成され得る。前記電流広がり層１３０は、前記エッチング遮断層１２０と直接接触され得る。前記電流広がり層１３０は、前記エッチング遮断層１２０より高い温度で形成され得る。前記電流広がり層１３０は、前記エッチング遮断層１２０より高い温度で成長されて前記エッチング遮断層１２０の欠陥を改善することができる。
前記電流広がり層１３０は、前記エッチング遮断層１２０と前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に形成され得る。前記電流広がり層１３０は、結晶欠陥を改善すると同時に電流広がりを改善することができる。例えば、前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄを含むことができる。前記電流広がり層１３０は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａとアンドープＡｌＮ１３０ｂとの格子定数の差によるピエゾエレクトリック（ｐｉｅｚｏ−ｅｌｅｃｔｒｉｃ）による内部場（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｆｉｅｌｄ）を発生させることによって、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａとアンドープＡｌＮ１３０ｂとの界面で電子の拡散を誘導することができる。前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが２ペア以上交互され得る。例えば前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが２ペアないし４ペア交互され得る。前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが２ペア未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記電流広がり層１３０は、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａ、アンドープＡｌＮ１３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃ、及びアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄが４ペア超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａは、前記エッチング遮断層１２０とアンドープＡｌＮ１３０ｂとの間に形成され得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａは、前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄとアンドープＡｌＮ１３０ｂとの間に形成され得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さは５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さは５ｎｍないし２０ｎｍであり得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さが５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａの厚さが２０ｎｍ超過の場合、エッチング遮断層１２０の全体厚さが厚くなり得る。ここで、実施例は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａが第１導電型ドーパントを含んでいるが、これに限定されず、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａが、アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層であり得る。
前記アンドープＡｌＮ１３０ｂは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａと、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃとの間に形成され得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂは前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａと対比してバンドギャップエネルギーが大きくなり得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さは０．５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さは０．５ｎｍないし１．５ｎｍであり得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さが０．５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記アンドープＡｌＮ１３０ｂの厚さが１．５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃは、前記アンドープＡｌＮ１３０ｂとアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄとの間に形成され得、アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄに行くほどＡｌ組成が漸進的に低くなり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃは、前記アンドープＡｌＮ１３０ｂからアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄに行くほどＡｌ組成が漸進的に低くなり、結晶性を改善させることができる。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃは、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０．２５≦ｂ≦０．３５）であり得る。アルミニウム（Ａｌ）組成ｂが０．２５未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。アルミニウム（Ａｌ）組成ｂが０．３５を超過する場合、結晶性が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さは１５ｎｍ以上であり得る。例えば前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さは１５ｎｍないし２５ｎｍであり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さが１５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃの厚さが２５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃと前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層１３０ａとの間に配置され得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層１３０ｃと前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に配置され得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄの厚さは３ｎｍ以上であり得る。例えば、前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄの厚さは３ｎｍないし１０ｎｍであり得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄの厚さが３ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層１３０ｄの厚さが１０ｎｍ超過の場合、動作電圧（Ｖｆ）が上昇し得る。
実施例の紫外線発光素子は、前記エッチング遮断層１２０と第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に電流広がり層１３０が配置されて電流広がり効果を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子は、エッチング遮断層１２０より高い温度で形成される電流広がり層１３０が前記エッチング遮断層１２０の形成以後に形成されるので前記エッチング遮断層１２０による欠陥が第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂに進行されることを遮断して発光素子の結晶性を向上させることができる。
前記活性層１１４は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造のうち少なくともどの一つに形成され得る。
前記活性層１１４は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂを通じて注入される電子または正孔と、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６を通じて注入される正孔または電子が互いに結合して、前記活性層１１４の形成物質によるエネルギーバンド（Ｅｎｅｒｇｙ Ｂａｎｄ）のバンドギャップ（Ｂａｎｄ ＧａＰ）の差によって光を放出する層である。
前記活性層１１４は、化合物半導体で構成され得る。前記活性層１１４は、例として２族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち少なくとも一つで具現され得る。
前記活性層１１４は、量子井戸と量子壁を含むことができる。前記活性層１１４が多重量子井戸構造で具現された場合、量子井戸と量子壁が交互に配置され得る。前記量子井戸と量子壁は、それぞれ、ＩｎxＡｌyＧａ１−x−yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で配置され得るか、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ／ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＰのうちいずれか一つ以上のペア構造に形成され得るが、これに限定されない。
前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６は、半導体化合物、例えばＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族などの化合物半導体で具現され得、第２導電型ドーパントがド−ピングされ得る。例えば前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６は、ＡｌpＧａ１−pＮ（０≦ｐ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６がｐ型半導体層の場合、前記第２導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂはｎ型半導体層として、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６はｐ型半導体層として説明しているが、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂをｐ型半導体層として、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６をｎ型半導体層として形成することもでき、これに限定されるものではない。前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６の上には前記第２導電型とは反対の極性を有する半導体、例えばｎ型半導体層（図示せず）を形成することができる。これによって、発光構造物１１０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうち一つの構造で具現することができる。
前記接触層１７１は、前記発光構造物１１０上に形成され得る。前記接触層１７１は、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６上に形成され得る。前記接触層１７１は、前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６と直接接触され得る。前記接触層１７１は、伝導性酸化物、伝導性窒化物または金属であり得る。例えば、前記接触層１７１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯＮ（ＩＴＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉのうち少なくとも一つを含むことができる。
前記反射層１７３は、前記接触層１７１と前記キャッピング層１７５との間に形成され得る。前記反射層１７３は、前記接触層１７１及びキャッピング層１７５に電気的に連結され得る。前記反射層１７３は、前記発光構造物１１０から入射される光を反射させる機能を含むことができる。前記反射層１７３は、前記発光構造物１１０からの光を外部に反射させて光抽出効率を向上させることができる。前記反射層１７３は金属であり得る。例えば、前記反射層１７３は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含む金属または合金であり得る。前記反射層１７３は、前記金属または合金と、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）などの透明伝導性物質の単層または多層であり得る。
前記キャッピング層１７５は、前記反射層１７３上に形成され得る。前記キャッピング層１７５は、前記反射層１７３の下部面と直接接触され得る。前記キャッピング層１７５は、導電性物質であり得る。例えば、前記キャッピング層１７５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。前記キャッピング層１７５の端は、前記発光構造物１１０の端よりさらに外側に配置され得る。
図６を参照すると、複数のリセス１４１は、前記発光構造物１１０内に形成され得る。前記リセス１４１は、エッチング工程を通じて形成され得る。前記リセス１４１は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂを外部に露出させることができる。前記リセス１４１は、前記キャッピング層１７５、反射層１７３、接触層１７１の側面を外部に露出させ、第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６、活性層１１４及び前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの側面を外部に露出させることができる。前記リセス１４１の底面は、前記第１第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂであり得る。
図７を参照すると、絶縁層１４３は、前記キャッピング層１７５及びリセス１４１上に形成され得、第２電極１６０は、前記絶縁層１４３上に形成され得る。
前記絶縁層１４３は、第１電極１７０と第２電極１６０とを絶縁させることができる。前記絶縁層１４３は、第２電極１６０と前記第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６とを絶縁させることができる。前記絶縁層１４３は、前記リセス１４１の側部に形成され得る。すなわち、前記絶縁層１４３は、前記リセス１４１の側部に露出するキャッピング層１７５、反射層１７３、接触層１７１、第２導電型ＡｌＧａＮ系の半導体層１１６、活性層１１４及び前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂを絶縁させることができる。前記絶縁層１４３は、前記リセス１４１の底面に位置する第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの一部を露出させることができる。前記絶縁層１４３は、酸化物または窒化物であり得る。前記絶縁層１４３は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群より少なくとも一つが選択され得る。
前記第２電極１６０は、前記絶縁層１４３上に形成され得る。前記第２電極１６０は、前記リセス１４１の底面に露出した第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂまで形成され得る。前記第２電極１６０は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂと電気的に連結され得る。前記第２電極１６０は、拡散防止層１６１、ボンディング層１６３及び支持部材１６５を含むことができる。前記第２電極１６０は、前記拡散防止層１６１、前記ボンディング層１６３、前記支持部材１６５の中で１つまたは２つを選択的に含むことができる。例えば、前記第２電極１６０は、前記拡散防止層１６１及び前記ボンディング層１６３のうち少なくとも一つを削除することができる。
前記拡散防止層１６１は、前記第１電極１７０で前記ボンディング層１６３に含まれた物質の拡散を防止する機能を含むことができる。前記拡散防止層１６１は、ボンディング層１６３及び支持部材１６５と電気的に連結され得る。前記拡散防止層１６１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。
前記ボンディング層１６３は、前記拡散防止層１６１上に形成され得る。前記ボンディング層１６３は、前記拡散防止層１６１と前記支持部材１６５との間に配置され得る。前記ボンディング層１６３は、バリアー金属またはボンディング金属などを含むことができる。例えば、前記ボンディング層１６３は、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、ＰｄまたはＴａのうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。
前記支持部材１６５は、金属またはキャリア基板であり得る。例えば、前記支持部材１６５は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗまたは不純物が注入された半導体基板例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）のうち少なくともいずれか一つに形成され得、単層または多層に形成され得る。
図８及び図９を参照すると、基板（図７の５）は、発光構造物１１０から除去され得る。前記基板（図７の５）の除去方法は、化学的食刻方法を使用することができるが、これに限定されるものではない。
パッド１７７は、発光構造物１１０から露出したキャッピング層１７５上に形成され得る。前記キャッピング層１７５は、エッチング工程を通じて前記発光構造物１１０から上部面が露出することができ、露出した前記キャッピング層１７５は、発光素子の少なくとも一つの角領域に位置することができるが、これに限定されるものではない。
前記パッド１７７は、前記発光構造物１１０から離隔することができる。前記パッド１７７は、前記発光構造物１１０より外側に配置され得る。前記パッド１７７は、前記発光構造物１１０より外側に位置する前記第１キャッピング層１７５上に形成され得る。前記パッド１７７は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。
前記発光構造物１１０上には、光抽出効率を向上させる光抽出パターン１１３が形成され得る。前記光抽出パターン１１３は、ＰＥＣなどの方法で形成され得、これに限定されるものではない。前記光抽出パターン１１３は、規則的な形状及び配列を有するように形成することができ、不規則的な形状及び配列を有するように形成することもできる。
前記光抽出パターン１１３は、活性層１１４から生成された光を外部に屈折させて光抽出効率を向上させることができる。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層１１２ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂの間にエッチング遮断層１２０が形成され、光抽出パターン１１３の深さをエッチング遮断層１２０までに制限することによって、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂにおけるショートによる歩留まりの低下を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子は、５ペア以上交互するように形成された前記ＡｌＮ１２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層１２０ｂを含むエッチング遮断層１２０による欠陥遮断効果により、発光構造物１１０の結晶性を向上させることができる。
実施例の紫外線発光素子１００は、前記エッチング遮断層１２０と第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂとの間に電流広がり層１３０が配置されて電流広がり効果を改善することができる。
また、実施例の紫外線発光素子１００は、エッチング遮断層１２０より高い温度で形成される電流広がり層１３０が前記エッチング遮断層１２０形成後に形成されるので、前記エッチング遮断層１２０による欠陥が第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層１１２ｂに進行されることを遮断して発光構造物１１０の結晶性を向上させることができる。
図１０は、他の実施形態に係る紫外線発光素子を示す断面図であり、図１１は、他の実施形態のエッチング遮断層と電流広がり層を示す断面図である。
図１０及び図１１に示したように、他の実施例による紫外線発光素子２００は、発光構造物２１０の上部に配置された第１電極２６０と、前記発光構造物２１０の下部に配置された第２電極２７０とを含むことができる。他の実施例による紫外線発光素子２００は、第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂと活性層２１４との間に電流広がり層２３０が配置され得る。
前記発光構造物２１０は、第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ、エッチング遮断層２２０、第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂ、電流広がり層２３０、活性層２１４及び第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６を含むことができる。
前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ及び第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂは、半導体化合物、例えば、ＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族などの化合物半導体で具現され得、第１導電型ドーパントがド−ピングされ得る。前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ及び第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂがｎ型半導体層の場合、ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されるものではない。
前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａは、光抽出効率を向上させる光抽出パターン２１３を含むことができる。前記光抽出パターン２１３は、ＰＥＣなどの方法で形成され得、これに限定されるものではない。前記光抽出パターン２１３は、規則的な形状及び配列を有するように形成することができ、不規則的な形状及び配列を有するように形成することもできる。前記光抽出パターン２１３は、活性層２１４から生成された光が前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａの上部面から全反射され、再吸収される光を外部に屈折させて光抽出効率を向上させることができる。
前記エッチング遮断層２２０は、前記光抽出パターン２１３の形成深さを制限することができる。例えば、前記エッチング遮断層２２０は、ＡｌＮ２２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂを含むことができる。ここで、前記ＡｌＮ２２０ａは、第１導電型ドーパントを含むことができるが、これに限定されるものではない。前記ＡｌＮ２２０ａのＡｌは、前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａのＧａより結合エネルギーが大きい。これにより、エッチング遮断層２２０のエッチング速度は、前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａのエッチング速度より遅くなり得る。したがって、前記第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂのエッチングによる光抽出パターン２１３が形成されるうちにエッチング遮断層２２０の遅いエッチング速度によって、前記光抽出パターン２１３は前記エッチング遮断層２２０を貫通する深さを有することが困難となる。前記エッチング遮断層２２０は、ＡｌＮ２２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂが５ペア以上交互するように形成され得る。例えば、前記エッチング遮断層２２０は、前記ＡｌＮ２２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂが５ペアないし１５ペア交互するように形成され得る。前記エッチング遮断層２２０は、前記ＡｌＮ２２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂが５ペア未満の場合、エッチング遮断効果が低下し得る。前記エッチング遮断層２２０は、前記ＡｌＮ２２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂが１５ペア超過の場合、格子定数の差によって結晶性が低下し得る。
前記ＡｌＮ２２０ａの厚さは０．５ｎｍ以上であり得る。例えば前記ＡｌＮ２２０ａの厚さは０．５ｎｍないし３ｎｍであり得る。前記ＡｌＮ２２０ａの厚さが０．５ｎｍ未満の場合、エッチング遮断効果が低下し得る。前記ＡｌＮ２２０ａの厚さが３ｎｍ超過の場合、格子の小さいＡｌＮ２２０ａによって結晶性が低下し、キャリア注入効率が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂの厚さは、１ｎｍ以上であり得る。例えば前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂの厚さは、１ｎｍないし５ｎｍであり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂの厚さが１ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂの厚さが５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂは、ＡｌｃＧａ１−ｃＮ（０．４≦ｃ≦０．８であり得る。アルミニウム（Ａｌ）組成ｃが０．４未満の場合、エッチング遮断効果が低下し、アルミニウム（Ａｌ）組成ｃが０．８を超過する場合、結晶性が低下し得る。
前記エッチング遮断層２２０の全体厚さは、１５ｎｍないし２５ｎｍであり得る。前記エッチング遮断層２２０の厚さが１５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し、前記エッチング遮断層２２０の厚さが２５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
他の実施例の紫外線発光素子２００は、前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ及び第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂの間にエッチング遮断層２２０が形成されて光抽出パターン２１３の深さを制限するので、オーバーエッチングを改善することができる。したがって、実施例の紫外線発光素子はショートによる歩留まりの低下を改善することができる。
また、他の実施例の紫外線発光素子２００は、５ペア以上交互するように形成された前記ＡｌＮ２２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂによって欠陥遮断（Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ）効果を含むことができる。
実施例の紫外線発光素子２００は、前記第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂの下に電流拡散層２３０を含むことができる。前記電流広がり層２３０は、前記エッチング遮断層２２０より高い温度で形成され得る。前記電流広がり層２３０は、前記エッチング遮断層２２０より高い温度で成長されて欠陥を改善することができる。
前記電流広がり層２３０は、前記活性層２１４と前記第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂとの間に配置され得る。前記電流広がり層２３０は、結晶欠陥を改善すると同時に電流広がりを改善することができる。例えば、前記電流広がり層２３０は、第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａ、アンドープＡｌＮ２３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃ、及びアンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄを含むことができる。前記電流広がり層２３０は、前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａとアンドープＡｌＮ２３０ｂとの格子定数の差によるピエゾエレクトリック（ｐｉｅｚｏ−ｅｌｅｃｔｒｉｃ）による内部場（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｆｉｅｌｄ）を発生させることによって、前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａとアンドープＡｌＮ２３０ｂとの界面で電子広がりを誘導することができる。前記電流広がり層２３０は、第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａ、アンドープＡｌＮ２３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃ、及びアンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄが２ペア以上交互され得る。例えば、前記電流広がり層２３０は、第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａ、アンドープＡｌＮ２３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃ、及びアンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄが２ペアないし４ペア交互交番され得る。前記電流広がり層２３０は、第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａ、アンドープＡｌＮ２３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃ、及びアンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄが２ペア未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記電流広がり層２３０は、第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａ、アンドープＡｌＮ２３０ｂ、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃ、及びアンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄが４ペア超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａは、前記第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂとアンドープＡｌＮ２３０ｂとの間に配置され得る。前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａの厚さは５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａの厚さは５ｎｍないし２０ｎｍであり得る。前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａの厚さが５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａの厚さが２０ｎｍ超過の場合、エッチング遮断層２２０の全体厚さが厚くなり得る。ここで、実施例は前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａが第１導電型ドーパントを含んでいるが、これに限定されず、前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａはアンドープＧａＮ系の半導体層であり得る。
前記アンドープＡｌＮ２３０ｂは、前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａと第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃとの間に配置され得る。前記アンドープＡｌＮ２３０ｂは、前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａと対比してバンドギャップエネルギーが大きくなり得る。前記アンドープＡｌＮ２３０ｂの厚さは０．５ｎｍ以上であり得る。例えば、前記アンドープＡｌＮ２３０ｂの厚さは０．５ｎｍないし１．５ｎｍであり得る。前記アンドープＡｌＮ２３０ｂの厚さが０．５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記アンドープＡｌＮ２３０ｂの厚さが１．５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃは、前記アンドープＡｌＮ２３０ｂとアンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄとの間に配置され得、アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄに行くほどＡｌ組成が漸進的に低くなり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃは、前記アンドープＡｌＮ２３０ｂからアンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄに行くほどＡｌ組成が漸進的に低くなり、結晶性を改善させる機能を含むことができる。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃは、ＡｌｄＧａ１−ｄＮ（０≦ｄ≦０．３５）であり得る。すなわち、第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃは、前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄに行くほどＡｌ組成ｄが漸進的に低くなり、前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄと接触する領域でＡｌ組成ｄが０になることがある。アルミニウム（Ａｌ）組成ｄが０．３５を超過する場合、結晶性が低下し得る。
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃの厚さは１５ｎｍ以上であり得る。例えば前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃの厚さは１５ｎｍないし２５ｎｍであり得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃの厚さが１５ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃの厚さが２５ｎｍ超過の場合、結晶性が低下し得る。
前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃと前記第１導電型ＧａＮ系の第３半導体層２３０ａの間に配置され得る。前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層２３０ｃと前記活性層２１４との間に配置され得る。前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄの厚さは３ｎｍ以上であり得る。例えば、前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄの厚さは３ｎｍないし１０ｎｍであり得る。前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄの厚さが３ｎｍ未満の場合、電流広がり効果が低下し得る。前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄの厚さが１０ｎｍ超過の場合、動作電圧（Ｖｆ）が上昇し得る。ここで、前記アンドープＧａＮ系の半導体層２３０ｄは省略されることもある。
他の実施例の紫外線発光素子２００は、前記活性層２１４と第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂとの間に電流広がり層２３０が配置されて電流広がり効果を改善することができる。
また、他の実施例の紫外線発光素子２００は、エッチング遮断層２２０より高い温度で形成される電流広がり層２３０によって、前記エッチング遮断層２２０による欠陥を改善することができる。
前記活性層２１４は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造のうち少なくともどの一つに形成され得る。
前記活性層２１４は、前記第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂを通じて注入される電子（または正孔）と、前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６を通じて注入される正孔（または電子）が互いに結合して、前記活性層２１４の形成物質によるエネルギーバンド（Ｅｎｅｒｇｙ Ｂａｎｄ）のバンドギャップ（Ｂａｎｄ Ｇａｐ）の差によって光を放出する層である。
前記活性層２１４は、化合物半導体で構成され得る。前記活性層２１４は、例としてＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち少なくとも一つで具現され得る。
前記活性層２１４は、量子井戸と陽子壁を含むことができる。前記活性層２１４が多重量子井戸構造で具現された場合、量子井戸と量子壁が交互に配置され得る。前記量子井戸と量子壁はそれぞれＩｎxＡｌyＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料に配置されてもよく、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ／ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＰのうちいずれか一つ以上のペア構造に形成され得るが、これに限定されない。
前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６は、半導体化合物、例えばＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族などの化合物半導体で具現され得、第２導電型ドーパントがド−ピングされ得る。前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６がｐ型半導体層の場合、前記第２導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。
前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ及び第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂはｎ型半導体層として、前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６はｐ型半導体層として説明しているが、前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ及び第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂをｐ型半導体層として、前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６をｎ型半導体層として形成することもでき、これに限定されるものではない。前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６上には前記第２導電型とは反対の極性を有する半導体、例えば、ｎ型半導体層（図示せず）を形成することができる。これによって、発光構造物２１０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうちいずれか一つ構造で具現することができる。
前記第１電極２６０は、前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ上に配置され得る。前記第１電極２６０は、前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａと電気的に連結されることができ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層に形成され得る。
他の実施例においては、前記発光構造物２１０の下に電流ブロッキング層２８０が配置され得る。前記電流ブロッキング層２８０は、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２のうち少なくとも一つを含むことができ、発光構造物２１０と第２電極２７０との間に少なくとも一つが形成され得る。
前記電流ブロッキング層２８０は、前記発光構造物２１０上に配置された第１電極２６０と前記発光構造物２１０の厚さ方向に対応するように配置され得る。前記電流ブロッキング層２８０は、前記第２電極２７０から供給される電流を遮断し、他の経路に拡散させて前記第１電極２６０の直下に集中される電流集中を改善することができる。
前記第２電極２７０は、チャンネル層２７３、コンタクト層２７５、反射層２７７、ボンディング層２７９、及び支持部材２０１を含むことができる。
前記チャンネル層２７３は、前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６の下面周りに沿って形成され、リング形状、ループ形状またはフレーム形状に形成され得る。前記チャンネル層２７３は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２のうち少なくとも一つを含むことができる。前記チャンネル層２７３の内側部は、前記第２導電型ＧａＮ系の半導体層２１６の下に配置され、外側部は前記発光構造物２１０の側面よりさらに外側に配置され得る。
前記コンタクト層２７５は、キャリア注入を効率的に行うことができるように単一金属あるいは金属合金、金属酸化物などを多重に積層して形成することができる。前記コンタクト層２７５は半導体と電気的な接触に優れた物質で形成され得る。例えば、前記コンタクト層２７５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含んで形成され得るがこれに限定されるものではない。
前記反射層２７７は、前記コンタクト層２７５下に位置することができる。前記反射層２７７は、反射性に優れ、電気的な接触に優れた物質で形成され得る。例えば、前記反射層２７７は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含む金属または合金で形成され得る。また、前記反射層２７７は、前記金属または合金と、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの投光性伝導性物質を用いて単層または多層に形成することができ、例えば、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで積層することができる。
前記ボンディング層２７９は、前記反射層２７７の下に配置され得、バリアー金属またはボンディング金属で使用され得、その物質は例えば、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＴａと選択的な合金のうち少なくとも一つを含むことができる。
前記支持部材２０１は、前記ボンディング層２７９の下に配置され得、伝導性部材に形成され得、その物質は、銅（Ｃｕ−ｃｏｐｐｅｒ）、金（Ａｕ−ｇｏｌｄ）、ニッケル（Ｎｉ−ｎｉｃｋｅｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリアウェーハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ）などのような伝導性物質で形成され得る。前記支持部材２０１は、他の例として、伝導性シートで具現され得る。
他の実施例の紫外線発光素子２００は、前記第１導電型ＧａＮ系の第１半導体層２１２ａ及び第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂの間にエッチング遮断層２２０が形成されて光抽出パターン２１３の深さを制限するので、オーバーエッチングを改善することができる。したがって、実施例の紫外線発光素子はショートによる歩留まりの低下を改善することができる。
また、他の実施例の紫外線発光素子２００は、前記ＡｌＮ２２０ａ及び第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層２２０ｂが５ペア以上交互するように形成されたエッチング遮断層２２０によって、欠陥遮断（Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ）効果を含むことができる。
他の実施例の紫外線発光素子２００は、前記活性層２１４と第１導電型ＧａＮ系の第２半導体層２１２ｂとの間に電流広がり層２３０が配置されて電流広がり効果を改善することができる。
また、他の実施例の紫外線発光素子２００は、エッチング遮断層２２０より高い温度で形成される電流広がり層２３０によって、前記エッチング遮断層２２０による欠陥を改善することができる。
図１２は、実施例による発光素子パッケージを示す断面図である。
実施例による発光素子パッケージ３００は、パッケージ本体部３０５と、前記パッケージ本体部３０５に設けられた第１リード電極３１３及び第２リード電極３１４と、前記パッケージ本体部３０５に設置されて前記第１リード電極３１３及び第２リード電極３１４と電気的に連結される紫外線発光素子１００と、前記紫外線発光素子１００を囲むモールディング部材３３０とが含まれる。
前記第１リード電極３１３及び第２リード電極３１４は、互いに電気的に分離され、前記紫外線発光素子１００に電源を提供する役割をする。また、前記第１リード電極３１３及び第２リード電極３１４は、前記紫外線発光素子１００から発光された光を反射させて光効率を増加させる機能を含むことができ、前記紫外線発光素子１００で発生された熱を外部に排出させる機能を含むこともある。
前記紫外線発光素子１００は、前記第１リード電極３１３または第２リード電極３１４と、ワイヤ方式、フリップチップ方式またはダイボンディング方式のうちいずれか一つによって電気的に連結されることもできる。
前記紫外線発光素子１００は、一実施例による紫外線発光素子であり得るが、これに限定されず、他の実施例による紫外線発光素子であり得る。
前記モールディング部材３３０には、蛍光体３３２が含まれて白色光の発光素子パッケージとなっていてもよいが、これに限定されるものではない。
前記モールディング部材３３０の上面は、平坦であるか、凹状または凸状に形成され得、これに限定しない。
以上、実施例に説明された特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例において例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野における通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合せるか、または変形して実施可能である。したがって、このような組合せと変形に関連した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
以上、実施例を中心に説明したがこれは単なる例示に過ぎず、実施例を限定するものではなく、本発明が属する分野における通常の知識を有した者であれば本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるだろう。例えば、本発明の実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
Claims (7)
- 支持部材と、
前記支持部材の上に配置され、第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の下に配置される第２導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に配置される活性層とを含み、前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部領域を露出させる複数のリセスを含む発光構造物と、
前記支持部材と前記発光構造物との間に配置され、前記第２導電型半導体層と電気的に連結される第１電極と、
前記第１電極の下に配置され、前記リセスによって露出した前記一部領域を通じて前記第１導電型半導体層と電気的に連結される第２電極と、
を含み、
前記第１導電型半導体層は、前記活性層の上に配置され、上面に光抽出パターンを有する第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層と、前記活性層と前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第１半導体層との間に配置されるエッチング遮断層と、前記活性層と前記エッチング遮断層との間に配置される電流広がり層と、前記活性層と前記電流広がり層との間に配置される第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層と、を含み、
前記第２電極は、前記支持部材と、前記支持部材上に配置される拡散防止層と、前記支持部材と前記拡散防止層との間に配置されるボンディング層と、を含み、
前記電流広がり層は、
前記エッチング遮断層とアンドープＡｌＮ層との間に配置される第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層と、
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層と第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層との間に配置される前記アンドープＡｌＮ層と、
前記アンドープＡｌＮ層とアンドープＡｌＧａＮ系の半導体層との間に配置される前記
第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層と
前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層と、を含み、
前記アンドープＡｌＮ層のバンドギャップエネルギーは、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層、及び前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層のバンドギャップエネルギーより大きく、
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第２半導体層と接触する前記拡散防止層の接触部と、前記電流広がり層との間の間隔は８００ｎｍ〜１２００ｎｍである紫外線発光素子。 - 前記エッチング遮断層は、ＡｌＮ層と第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層が５ペア以上交互配置される、請求項１に記載の紫外線発光素子。
- 前記アンドープＡｌＮ層の厚さは、０．５ｎｍないし１．５ｎｍである、請求項１に記載の紫外線発光素子。
- 前記第１電極は、前記第２導電型半導体層の下に配置される接触層と、前記接触層の下に配置される反射層と、前記反射層の下に配置されるキャッピング層と、前記発光構造物より外側に位置する前記キャッピング層の上に配置されるパッドと、を含む、請求項３に記載の紫外線発光素子。
- 前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第３半導体層は、ＡｌａＧａ１−ａＮ（０．４≦ａ≦０．８）である、請求項２に記載の紫外線発光素子。
- 前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層は、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０．２５≦ｂ≦０．３５）であり、
前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層のＡｌ組成は、前記アンドープＡｌＮ層から前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層に向かうほどＡｌ組成が低くなる、請求項５に記載の紫外線発光素子。 - 前記電流広がり層において、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第４半導体層、前記アンドープＡｌＮ層、前記第１導電型ＡｌＧａＮ系の第５半導体層、及び前記アンドープＡｌＧａＮ系の半導体層が２ペア〜４ペア交互する、請求項１から４のいずれかに記載の紫外線発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150156638A KR102432015B1 (ko) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지 |
| KR10-2015-0156638 | 2015-11-09 | ||
| PCT/KR2016/012852 WO2017082622A1 (ko) | 2015-11-09 | 2016-11-09 | 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018534781A JP2018534781A (ja) | 2018-11-22 |
| JP6948494B2 true JP6948494B2 (ja) | 2021-10-13 |
Family
ID=58695772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018523450A Active JP6948494B2 (ja) | 2015-11-09 | 2016-11-09 | 紫外線発光素子及び発光素子パッケージ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10971648B2 (ja) |
| EP (1) | EP3376546B1 (ja) |
| JP (1) | JP6948494B2 (ja) |
| KR (1) | KR102432015B1 (ja) |
| CN (1) | CN108352426B (ja) |
| WO (1) | WO2017082622A1 (ja) |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3724213B2 (ja) | 1998-08-05 | 2005-12-07 | 松下電器産業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP4483513B2 (ja) | 2004-10-08 | 2010-06-16 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子用エピタキシャルウェハ |
| KR100638818B1 (ko) | 2005-05-19 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
| US7273798B2 (en) * | 2005-08-01 | 2007-09-25 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Gallium nitride device substrate containing a lattice parameter altering element |
| JP4929652B2 (ja) | 2005-08-29 | 2012-05-09 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子 |
| KR100728132B1 (ko) | 2005-12-30 | 2007-06-13 | 서울옵토디바이스주식회사 | 전류 확산층을 이용한 발광 다이오드 |
| DE102007057674A1 (de) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED mit Stromaufweitungsschicht |
| DE102008030584A1 (de) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement |
| KR101025980B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-03-30 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
| JP5397042B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-01-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR101730152B1 (ko) | 2010-10-06 | 2017-04-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US20120119254A1 (en) * | 2011-07-08 | 2012-05-17 | Yong Tae Moon | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
| US9012939B2 (en) * | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US8865565B2 (en) * | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| JP5741350B2 (ja) | 2011-09-22 | 2015-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| JP5953155B2 (ja) | 2012-02-24 | 2016-07-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| KR20130120615A (ko) * | 2012-04-26 | 2013-11-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
| KR102007273B1 (ko) * | 2013-01-04 | 2019-08-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| KR20140102422A (ko) * | 2013-02-14 | 2014-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| KR102163956B1 (ko) | 2014-04-07 | 2020-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
| CN106165128B (zh) | 2014-04-07 | 2018-11-09 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光元件和照明*** |
| US9680056B1 (en) * | 2016-07-08 | 2017-06-13 | Bolb Inc. | Ultraviolet light-emitting device with a heavily doped strain-management interlayer |
-
2015
- 2015-11-09 KR KR1020150156638A patent/KR102432015B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-11-09 EP EP16864548.9A patent/EP3376546B1/en active Active
- 2016-11-09 WO PCT/KR2016/012852 patent/WO2017082622A1/ko active Application Filing
- 2016-11-09 US US15/774,562 patent/US10971648B2/en active Active
- 2016-11-09 JP JP2018523450A patent/JP6948494B2/ja active Active
- 2016-11-09 CN CN201680065564.0A patent/CN108352426B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018534781A (ja) | 2018-11-22 |
| EP3376546A1 (en) | 2018-09-19 |
| KR102432015B1 (ko) | 2022-08-12 |
| EP3376546B1 (en) | 2021-02-17 |
| CN108352426B (zh) | 2021-10-12 |
| WO2017082622A1 (ko) | 2017-05-18 |
| CN108352426A (zh) | 2018-07-31 |
| US10971648B2 (en) | 2021-04-06 |
| EP3376546A4 (en) | 2019-05-08 |
| KR20170053998A (ko) | 2017-05-17 |
| US20200259042A1 (en) | 2020-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101064053B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101134731B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101646255B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 | |
| KR101707118B1 (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| CN107810563B (zh) | 紫外光发光二极管、发光二极管封装及照明装置 | |
| KR20110052131A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20120020436A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20110027296A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101114047B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101007078B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20120086485A (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR102356232B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지 | |
| KR100999695B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US20180219126A1 (en) | Ultraviolet light emitting diode and light emitting diode package | |
| JP6948494B2 (ja) | 紫外線発光素子及び発光素子パッケージ | |
| KR102447089B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지 | |
| KR101199129B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101777263B1 (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR20160145413A (ko) | 적색 발광소자, 적색 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 | |
| KR102397266B1 (ko) | 발광소자 및 조명장치 | |
| KR20160086603A (ko) | 발광 소자 | |
| KR102350784B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102299735B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102356516B1 (ko) | 발광소자 및 발광소자 패키지 | |
| KR102336432B1 (ko) | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180511 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191108 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201021 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210615 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210618 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210617 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6948494 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |