JP6940398B2 - コンデンサ - Google Patents

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本開示は、積層型のコンデンサに関する。
積層型のコンデンサ(以下、コンデンサと表記する。)は、セラミック層と内部電極層とが交互に複数層積層されたコンデンサ本体と、そのコンデンサ本体の端面に設けられた外部電極とを備えた構成となっている(例えば、特許文献1を参照)。
特開2003−17356号公報
本開示のコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に複数層積層されたコンデンサ本体を備えているコンデンサであって、前記内部電極層が、金属部と、前記内部電極層を厚み方向に貫通する貫通孔と、前記内部電極層内に存在する閉気孔とを有し、前記内部電極層の断面を、該内部電極層が延びている方向である長手方向に測定したときに、前記貫通孔の前記長手方向の長さの平均値をLopとし、前記閉気孔の前記長手方向の長さの平均値をLcpとし、前記内部電極層の前記長手方向の所定の長さLeの範囲内に含まれる前記貫通孔の前記長手方向の長さの合計をLoptとし、前記所定長さLeの範囲内に含まれる前記閉気孔の前記長手方向の長さの合計をLcptとしたときに、Lcpが0.01μm以上1μm以下、Lcpt/Leが2%以上20%以下、Lopが2μm以上20μm以下、Lopt/Leが8%以上29%以下、(Lcpt+Lopt)/Leが22%以上39%以下、およびLcpt/(Lcpt+Lopt)が5%以上71%以下である。
コンデンサの一実施形態を模式的に示す斜視図である。 図1のii−ii線断面図である。 図2のA部を拡大した断面図である。 図2のiv−iv線断面図である。 図2のiv−iv線断面におけるA部周辺を拡大した平面透視図である。
近年、例えば、モバイル型の電子機器のさらなる小型化および高性能化に伴い、コンデンサは小型・高容量化とともに、耐電圧の向上が求められている。
実施形態のコンデンサは、コンデンサ本体1の対向する2つの端面にそれぞれ外部電極3を有する。コンデンサ本体1は、誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層された構成である。コンデンサ本体1では、誘電体層5および内部電極層7の積層数を少なく図示しているが、本実施形態はこれに限らず、積層数が数百層にも及ぶ構成まで含まれる。
実施形態のコンデンサは、内部電極層7が、金属部7aとともに、当該内部電極層7を厚み方向に貫通する貫通孔9と、内部電極層7内に存在する閉気孔11とを有する。
内部電極層7内に存在する貫通孔9および閉気孔11を、図3、図4および図5を基にして説明する。図3は、図2のA部を拡大した断面図であり、コンデンサ本体1の縦断面における一部分を示した拡大図である。この場合、1層の内部電極層7が上下から2つの誘電体層5に挟まれた状態を成している。図3では、内部電極層7の断面を、その内部電極層7が延びている方向である長手方向に測定したときの所定の長さLeは、貫通孔9および閉気孔11がそれぞれ1個となっているが、実際の長さLeの範囲内には、貫通孔9および閉気孔11がそれぞれ複数個づつ含まれる。図4は、図2のiv−iv線断面図である。図4は、積層された誘電体層5と内部電極層7とを平面視した状態を示している。図5は、図2のiv−iv線断面におけるA部周辺を拡大した平面透視図である。
実施形態のコンデンサにおいて、内部電極層7は貫通孔9および閉気孔11を有してい
る。貫通孔9には誘電体層5の磁器の一部が入り充填されている場合がある。閉気孔11の内部は空の状態である。
内部電極層7が貫通孔9と閉気孔11とを有する場合には、内部電極層7が貫通孔9と閉気孔11とを合わせた割合と同程度に、内部電極層7が貫通孔9だけを有する場合に比較して、内部電極層7の有効面積の低下を抑えることができる。これによりコンデンサの静電容量の低下を抑えることができる。静電容量をより設計値に近い値にすることができる。また、以下に示す理由により耐電圧を高めることができる。
コンデンサに電圧が印加されると、図4に示すように、内部電極層7の全体に電子eが充電されるようになる。この場合、電子eはマイナスの電荷を持っている。このため電子eは内部電極層7内において反発し合っている。この場合、内部電極層7(金属部7a)以外の領域15(空気または誘電体層5の一部の磁器の部分)は、内部電極層7の金属部7aに比較して電子eの濃度が低くなっている。
コンデンサに十分高い電圧が印加されると、内部電極層7では電子eがそれ以上移動できないような状態になる。このため、内部電極層7に貫通孔9および閉気孔11が無く、全面が金属部7aによって構成されている場合には、電子eは、内部電極層7の中で角部7dおよびエッジ部7eに偏って分布する傾向にある。
これに対し、図5に示すように、内部電極層7の面内に貫通孔9や閉気孔11など金属部7a以外の領域15が存在すると、元々、内部電極層7の中で、角部7dおよびエッジ部7eに偏って分布していた電子eが、貫通孔9および閉気孔11などの近傍(符号7c)にも分布するようになる。つまり、内部電極層7中に存在していた電子eの偏在が緩和され、内部電極層7の角部7dおよびエッジ部7eにおける電子eの密度が低くなる。言い換えると、内部電極層7の角部7dおよびエッジ部7eにおける電束密度を低くすることができる。これにより内部電極層7の面内において電束(電気力線を束ねたもの)密度の高い部分によって生じる電気力線の出発点を分散させることができる。その結果、電束密度D/ε(比誘電率)=E(電界の強さ)の関係式から分かるように、局所的な電束密度の低下により、内部電極層7の角部7dおよびエッジ部7eにおける電界強度を低くすることができる。これによりコンデンサに局所的に生じる電界強度が低くなり、耐電圧の低下を抑えることができる。
この場合、適用されるコンデンサとしては、誘電体層5の厚みが0.4μm以上6μm以下、内部電極層7の厚みが0.8μm以上2μm以下であり、誘電体層5および内部電極層7を1ペアとしたときの積層数が200層以上にもなる小型・高積層のコンデンサが好適なものとなる。
また、内部電極層7の断面を、内部電極層7が延びている方向である長手方向に測定したときに、金属部7aと貫通孔9と閉気孔11とを含めた所定の長さをLeとする。貫通孔9の長手方向の長さの平均値をLopとする。閉気孔11の長手方向の長さの平均値をLcpとする。内部電極層7の長手方向の所定の長さLeの範囲内に含まれる貫通孔9の長手方向の長さの合計をLoptとし、所定長さLeの範囲内に含まれる閉気孔11の長手方向の長さの合計をLcptとする。このとき、内部電極層7に存在する貫通孔9の平均径(Lop)は2μm以上20μm以下、貫通孔9の割合(Lopt/Le)は8%以上29%以下、閉気孔11の平均径(Lcp)は0.01μm以上1μm以下、閉気孔11の割合(Lcpt/Le)は2%以上20%以下、貫通孔9と閉気孔11とを合わせた割合(Lcpt+Lopt)/Leは22%以上39%以下、貫通孔9と閉気孔11とを合わせた割合に対する閉気孔11の割合Lcpt/(Lcpt+Lopt)は5%以上71%以下であるのが良い。このとき内部電極層7の被覆率は70%以上92%以下である
のが良い。この場合、内部電極層7の被覆率は、(Le−Lopt)/Leとして求められる値である。
実施形態のコンデンサは、後述するように、上記した内部電極層7に存在する貫通孔9の平均径(Lop)、貫通孔9の割合(Lopt/Le)、閉気孔11の平均径(Lcp)、閉気孔11の割合(Lcpt/Le)、貫通孔9と閉気孔11とを合わせた割合に対する閉気孔11の割合(Lcpt/(Lcpt+Lopt)、貫通孔9と閉気孔11とを合わせた割合(Lcpt+Lopt)/Leおよび内部電極層7の被覆率を限定すると、耐電圧および静電容量を高めることができる。また、クラックなどの発生割合を低くすることができる。
以下、貫通孔9および閉気孔11の長さおよび割合の求め方について、図3を基にして説明する。まず、コンデンサ本体1の断面から図2に示すA部に相当する領域を抽出する。この場合、抽出する領域は、金属部7aとともに、それぞれ複数の貫通孔9および閉気孔11を含むようにする。抽出する領域は、境界に貫通孔9および閉気孔11が含まれない範囲とする。領域の境界は、領域以外の貫通孔9または閉気孔11と接するようにする。抽出した所定の範囲の全体の長さをLe、貫通孔9の長さをLop、および閉気孔11の長さをLcpとする。所定長さLeの範囲内に含まれる複数の貫通孔9の長さの合計をLopt、閉気孔11の長さの合計をLcptとする。この場合、貫通孔9の長さLopおよび閉気孔11の長さLcpを求める場合には、内部電極層7の厚み方向において閉気孔11の中央部を通る位置とする。抽出した領域に含まれる貫通孔9および閉気孔11のそれぞれの長さを測定し、それぞれに平均値を求める。貫通孔9の割合は、貫通孔9の長さの合計Loptを用いて、Lopt/Leから求める。閉気孔11の割合は、閉気孔11の長さLcptを用いて、Lcpt/Leから求める。貫通孔9の割合と閉気孔11の割合とを合わせた割合は(Lcpt+Lopt)/Leから求める。貫通孔9の割合と閉気孔11の割合とを合わせた割合(Lcpt+Lopt)に対する閉気孔11の割合はLcpt/(Lcpt+Lopt)から求める。なお、上記した各値は、A部に相当する領域を複数の箇所抽出し、それらの平均値から求めても良い。
実施形態のコンデンサを構成する誘電体層5は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子9を主体として含んでいる誘電体磁器が好適である。また、内部電極層7は、銀、パラジウムあるいはこれらの合金、またはニッケル、銅、タングステン、モリブデンおよびこれらを複合させた材料が好適なものとなる。
次に、実施形態のコンデンサを製造する方法について説明する。このコンデンサは、内部電極層用の導体パターンを形成するための金属粉末として微粒の金属粉末を用いること、コンデンサ本体となる成形体の脱脂条件および焼成条件を後述のように制御する以外は、コンデンサの慣用的な製造方法によって作製する。この場合、脱脂条件の中では水素濃度および保持温度が主要な条件となる。焼成条件の中では水素濃度および昇温速度が主要な条件となる。
この場合、コンデンサ本体となる成形体を脱脂、焼成する工程において、脱脂を比較的低い温度で行う。また、脱脂は所定の時間保持する条件を採用する。脱脂を比較的低い温度で行い、かつ所定の時間保持する条件を採用することで、焼成温度が最高温度に達する前の段階において、内部電極層7中に導体ペースト中に含まれていた有機成分(炭素)を意図的に残存させる。残存した有機成分により金属粉末同士の間にネックを形成することができる。また、焼成は昇温速度を高くした条件で行う。焼成では、内部電極層7が焼結する温度領域において、従来のコンデンサを製造する条件よりも水素の濃度を低くした条件に設定する。こうした条件で焼成を行うことにより、内部電極層7が焼結する温度領域において、脱脂後に残存していた有機成分(炭素)が内部電極層7中で気化し、内部電極
層7中に閉気孔11を形成することができる。なお、上記した条件においては、導体パターンを構成している金属粉末が局所的に集まり焼結するため、同時に貫通孔9が形成される。貫通孔9および閉気孔11の平均径および存在割合は上記した脱脂条件および焼成条件によって変化させることができる。
以下、コンデンサの例として積層セラミックコンデンサを具体的に作製して誘電特性の評価を行った。まず、原料粉末として、純度が99.9%であり、Ba/Tiのモル比が1.005のチタン酸バリウム粉末および(Ba+Ca)/Tiのモル比が1.005のカルシウムを0.5原子%含むチタン酸バリウム粉末を準備し、これに以下の成分を添加して誘電体粉末を調製した。誘電体粉末の組成は、チタン酸バリウム粉末100モルに対して、V粉末を0.05モル、MgO粉末を0.7モル、希土類元素(Dy)の酸化物粉末を0.4モル、MnCO粉末を0.2モルとし、さらに焼結助剤(SiO=55,BaO=20,CaO=15,LiO=10(モル%)のガラス粉末)を原料粉末(チタン酸バリウム粉末またはカルシウムを含むチタン酸バリウム粉末)100質量部に対して1質量部添加したものとした。
次に、得られた誘電体粉末を、ポリビニルブチラール樹脂と、トルエンおよびアルコールの混合溶媒中に投入し、直径0.5mmのジルコニアボールを用いて湿式混合してセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により平均厚みが6μmのセラミックグリーンシートを作製した。
次に、このセラミックグリーンシートの上面にニッケル(Ni)を主成分とする導体ペーストを矩形状の内部電極パターンとなるように複数形成した。内部電極パターンを形成するための導体ペーストは、表1に示すように平均粒径が0.15μm以上0.2μm以下のニッケル粉末を用いた。このニッケル100質量部に対してチタン酸バリウム粉末を共材として10質量部添加したものを用いた。
次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを300枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ20枚積層し、プレス機を用いて温度60℃、圧力10Pa、時間10分の条件で密着させて積層体を作製し、しかる後、この積層体を、所定の寸法に切断してコンデンサ本体成形体を形成した。
次に、コンデンサ本体となる生の成形体を表1に示す条件にて、脱脂および焼成を行い、コンデンサ本体を作製した。この焼成にはバッチ式焼成炉を用いた。
次に、作製したコンデンサ本体に対して再酸化処理を行った。再酸化処理の条件は、窒素雰囲気中、最高温度を1000℃に設定し、保持時間を5時間とした。
焼成後に得られたコンデンサ本体は、長さが3.2mm、幅が1.6mm、厚みが1.6mmであった。誘電体層の平均厚みは5μmであった。内部電極層の平均厚みは表2に示した。内部電極層の1層当たりの有効面積は1.78mmであった。ここで有効面積とは、コンデンサ本体の異なる端面にそれぞれ露出するように積層方向に交互に形成された内部電極層同士の重なる部分の面積のことである。
次に、コンデンサ本体をバレル研磨した後、コンデンサ本体の両端部にCu粉末とガラスとを含んだ外部電極ペーストを塗布し、850℃で焼き付けを行って外部電極を形成した。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極3の表面に、順にNiメッキ及びSnメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。
次に、作製した積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。
内部電極層中の貫通孔および閉気孔についての評価は、上述したように、図3に示した方法により行った。閉気孔および貫通孔の長さとその割合は、コンデンサの断面から図2に示すA部に相当する領域をコンデンサの縦断面から抽出して測定した。抽出した部分の数はコンデンサの積層方向の中段の領域でありかつ幅方向の中央部から3か所とした。この場合、抽出した各領域にはそれぞれ3〜10個の貫通孔および閉気孔が含まれていた。抽出した各領域における全体の長さをLe、貫通孔の長さをLop、および閉気孔の長さをLcpとした。貫通孔の長さの合計をLoptおよび閉気孔の長さの合計をLcptとした。この場合、貫通孔の長さLopおよび閉気孔の長さLcpを求める場合には、内部電極層の厚み方向において閉気孔の中央部を通る位置を測定した。貫通孔の割合はLopt/Leから求めた。閉気孔の割合はLcpt/Leから求めた。貫通孔の割合と閉気孔の割合とを合わせた割合は、(Lcpt+Lopt)/Leから求めた。貫通孔の割合と閉気孔の割合とを合わせた割合に対する閉気孔の割合は、Lcpt/(Lcpt+Lopt)から求めた。表2には、貫通孔の長さLop、閉気孔の長さLcpおよびこれらから求まる各割合を平均値として示した。
クラックの発生率は、再酸化処理した後のコンデンサ本体をランダムに500個抜き取り、外観検査によって求めた。
静電容量は、室温(25℃)において、LCRメータを用いて、温度25℃、周波数1.0kHz、AC電圧を1.0Vrmsとして測定した。
耐電圧は、昇圧速度を5V/秒として測定した。試料数は30個とし、平均値を求めた。
Figure 0006940398
Figure 0006940398
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内部電極層用の導体ペーストに平均粒径が0.15μm以上0.19μm以下のニッケル粉末を用い、焼成時の昇温速度を300℃/h以上1000℃/h以下として作製した試料3〜13は、いずれの試料にも内部電極層中に閉気孔が観察された。これらの試料は静電容量が4.5μF以上5.1μF以下であった。また、耐電圧が381V以上451Vであった。クラックの発生率は500個中3個以下であった。
これらの試料は、内部電極層に存在する貫通孔の平均径(Lop)が2μm以上20μm以下、貫通孔の割合(Lopt/Le)が8%以上29%以下、閉気孔の平均径(Lcp)が0.01μm以上1μm以下、閉気孔の割合(Lcpt/Le)が2%以上20%以下、貫通孔と閉気孔とを合わせた割合(Lopt+Lcpt)/Leが22%以上39%以下、貫通孔と閉気孔とを合わせた割合に対する閉気孔の割合Lcpt/(Lcpt/Lcot)が5%以上71%以下であった。また、内部電極層の被覆率が70%以上92%以下であった。
これらの試料の中で、試料No.4〜6、9〜13は、耐電圧が400V以上451V
以下であった。これらの試料は、閉気孔の平均径(Lcp)が0.5μm以上1μm以下、貫通孔と閉気孔とを合わせた割合(Lopt+Lcpt)/Leが28%以上39%以下であった。
さらに、これらの試料の中で、試料No.4〜6および9〜12は、耐電圧が402V以上451V以下であり、また、クラックの発生が見られなかった。これらの試料は、閉気孔の割合Lcpt/Leが2%以上16%以下、貫通孔の平均径(Lop)が3μm以上20μm以下、貫通孔の割合Lopt/Leが15%以上29%以下であった。また、内部電極層の被覆率が70%以上85%以下であった。
またさらに、これらの試料の中で、試料No.4、5および9は、耐電圧が430V以上451V以下であった。これらの試料は、貫通孔の平均径(Lop)が12μm以上15μm以下、貫通孔の割合Lopt/Leが19%以上20%以下、閉気孔の平均径が0.6μm以上1μm以下、閉気孔の割合Lcpt/Leが10%以上16%以下。貫通孔と閉気孔とを合わせた割合(Lpp+Lcp)が30%以上35%以下、貫通孔と閉気孔とを合わせた割合に対する閉気孔の割合(Lcp/Lco)が34%以上46%以下であった。また、内部電極層の被覆率は80%以上81%以下であった。
これに対し、内部電極層用の導体ペーストに平均粒径が0.2μmのニッケル粉末を用い、焼成時の昇温速度を100℃/hとして作製した試料1、2には、内部電極層中に閉気孔が観察されなかった。これらの試料は静電容量が4.5〜4.7μFであったが、耐電圧が365Vであった。また、クラックの発生率が500個中1個であった。
1・・・・・・・・・・コンデンサ本体
3・・・・・・・・・・外部電極
5・・・・・・・・・・誘電体層
7・・・・・・・・・・内部電極層
7a・・・・・・・・・金属部
9・・・・・・・・・・貫通孔
11・・・・・・・・・閉気孔

Claims (4)

  1. 誘電体層と内部電極層とが交互に複数層積層されたコンデンサ本体を備えているコンデンサであって、
    前記内部電極層が、金属部と、前記内部電極層を厚み方向に貫通する貫通孔と、前記内部電極層内に存在する閉気孔とを有し、
    前記内部電極層の断面を、該内部電極層が延びている方向である長手方向に測定したときに、
    前記貫通孔の前記長手方向の長さの平均値をLopとし、
    前記閉気孔の前記長手方向の長さの平均値をLcpとし、
    前記内部電極層の前記長手方向の所定の長さLeの範囲内に含まれる前記貫通孔の前記長手方向の長さの合計をLoptとし、
    前記所定長さLeの範囲内に含まれる前記閉気孔の前記長手方向の長さの合計をLcptとしたときに、
    Lcpが0.01μm以上1μm以下、Lcpt/Leが2%以上20%以下、
    Lopが2μm以上20μm以下、Lopt/Leが8%以上29%以下、
    (Lcpt+Lopt)/Leが22%以上39%以下、
    およびLcpt/(Lcpt+Lopt)が5%以上71%以下である、
    コンデンサ。
  2. Lcpが0.5μm以上1μm以下、および(Lcpt+Lopt)/Leが28%以上39%以下である、請求項1に記載のコンデンサ。
  3. Lcpt/Leが2%以上16%以下、Lopが3μm以上20μm以下、およびLopt/Leが15%以上29%以下である、請求項2に記載のコンデンサ。
  4. Lcpが0.6μm以上1μm以下、Lcpt/Leが10%以上16%以下、
    Lopが12μm以上15μm以下、Lopt/Leが19%以上20%以下、
    (Lopt+Lcpt)/Leが30%以上35%以下、およびLcpt/(Lcpt+Lopt)が34%以上46%以下である、請求項3に記載のコンデンサ。
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