JP6938021B2 - レーザリフトオフによる加工方法及び平坦化治具 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 26
- 238000003754 machining Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 173
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 168
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 168
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 26
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 21
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 38
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
- H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
そこで、特許文献1では、サファイア基板の反りを半導体の構造で抑止させるため、例えば、発光半導体層を含む半導体積層体と、該半導体積層体上に形成された1層以上の金属層よりなる第1の金属積層体と、支持基板と、該支持基板上に形成された1層以上の金属層よりなる第2の金属積層体とを具備する光半導体装置が提案されている。
図7は、第1実施形態における平坦化処理の時系列の変化を説明する図であり、図8は、平坦化処理が終了した状態を説明する図である。図7では、この時系列の変化を3段階(図7(a)〜(c))で例示している。図8(a)は、図1に示す縮小光学系6側から鉛直下向きに見た平坦化治具7、石英ガラスG1及びサファイア基板11を含めた平面図を示し、図8(b)は、図8(a)のA−A線断面図を示している。なお、説明の便宜上、ステージ91については、以下の説明において、ステージ91の水平面のみ図示している。
2…レーザ装置
6…縮小光学系
7…平坦化治具
8…昇降機構
9…ステージ制御機構
10…コンピュータ
10a…制御部
11…サファイア基板
12…マイクロLED
13…境界部
71、72、73、78…平坦化治具
75…クッション材
76…押圧部材
77…固着部材
100…レーザリフトオフ装置
Claims (6)
- 剥離用の円盤形状のサファイア基板と、前記サファイア基板の一方の面に形成された複数のマイクロLEDとを含む積層体に対して、前記サファイア基板の他方の面からパルス発振によるレーザ光を照射し、各々の前記マイクロLEDを前記サファイア基板から剥離させるレーザリフトオフによる加工方法であって、
前記積層体の外部からの作用により前記サファイア基板の反りを押し付けて該サファイア基板を平坦化する工程と、
前記サファイア基板が平坦化された状態で、水平面内を移動させる搬送機構のステージ上に載置された前記積層体と、前記レーザ光を照射する光学系とを相対的に移動させながら、前記サファイア基板と前記マイクロLEDとの境界部に焦点位置が合うように前記レーザ光を前記他方の面から照射して、各々の前記マイクロLEDを前記サファイア基板から剥離させる工程と、を含み、
前記サファイア基板を平坦化する工程は、前記レーザ光を透過させる透過部材を下降させ、前記サファイア基板の他方の面上に当接させて押圧することにより前記反りを押し付けて、前記サファイア基板を平坦化した後に、前記サファイア基板の周縁部を接着剤で前記透過部材に固定させる、
ことを特徴とするレーザリフトオフによる加工方法。 - 剥離用の円盤形状のサファイア基板と、前記サファイア基板の一方の面に形成された複数のマイクロLEDとを含む積層体に対して、前記サファイア基板の他方の面からパルス発振によるレーザ光を照射し、各々の前記マイクロLEDを前記サファイア基板から剥離させるレーザリフトオフによる加工方法であって、
前記積層体の外部からの作用により前記サファイア基板の反りを押し付けて該サファイア基板を平坦化する工程と、
前記サファイア基板が平坦化された状態で、水平面内を移動させる搬送機構のステージ上に載置された前記積層体と、前記レーザ光を照射する光学系とを相対的に移動させながら、前記サファイア基板と前記マイクロLEDとの境界部に焦点位置が合うように前記レーザ光を前記他方の面から照射して、各々の前記マイクロLEDを前記サファイア基板から剥離させる工程と、を含み、
前記サファイア基板を平坦化する工程は、前記積層体に対して、前記レーザ光を透過させる透過部材を下降させて前記サファイア基板の他方の面上に当接させた後、前記透過部材の周縁部を押圧する平坦化治具を下降させて、前記透過部材を介して前記サファイア基板の反りを押し付け、
前記平坦化治具は、前記サファイア基板の直径よりも大きい直径を有するリング部材と、前記リング部材の上端部周縁から径方向内側に突出する平坦な面を有し、下面にリング状のクッション材が設けられている内環部と、前記リング部材の下端部周縁から径方向外側に突出する平坦な面を有する外環部と、
を備えることを特徴とするレーザリフトオフによる加工方法。 - 剥離用の円盤形状のサファイア基板と、前記サファイア基板の一方の面に形成された複数のマイクロLEDとを含む積層体に対して、前記サファイア基板の他方の面からパルス発振によるレーザ光を照射し、各々の前記マイクロLEDを前記サファイア基板から剥離させるレーザリフトオフによる加工方法であって、
前記積層体の外部からの作用により前記サファイア基板の反りを押し付けて該サファイア基板を平坦化する工程と、
前記サファイア基板が平坦化された状態で、水平面内を移動させる搬送機構のステージ上に載置された前記積層体と、前記レーザ光を照射する光学系とを相対的に移動させながら、前記サファイア基板と前記マイクロLEDとの境界部に焦点位置が合うように前記レーザ光を前記他方の面から照射して、各々の前記マイクロLEDを前記サファイア基板から剥離させる工程と、を含み、
前記サファイア基板を平坦化する工程は、前記積層体に対して、前記レーザ光を透過させる透過部材と前記透過部材の周縁部を押圧する平坦化治具が一体化されている押圧部材を下降させて、前記透過部材を前記サファイア基板の他方の面上に当接させて前記サファイア基板の反りを押し付け、
前記平坦化治具は、前記サファイア基板の直径よりも大きい直径を有するリング部材と、前記リング部材の上端部周縁から径方向内側に突出する平坦な面を有し、下面にリング状のクッション材が設けられている内環部と、前記リング部材の下端部周縁から径方向外側に突出する平坦な面を有する外環部と、
を備えることを特徴とするレーザリフトオフによる加工方法。 - 剥離用の円盤形状のサファイア基板と、前記サファイア基板の一方の面に形成された複数のマイクロLEDとを含む積層体に対して、前記サファイア基板の他方の面からパルス発振によるレーザ光を照射し、各々の前記マイクロLEDを前記サファイア基板から剥離させるレーザリフトオフによる加工方法に使用される、前記サファイア基板の反りを押し付けて該サファイア基板を平坦化する平坦化治具であって、
前記サファイア基板の直径よりも大きい直径を有するリング部材と、
前記リング部材の上端部周縁から径方向内側に突出する平坦な面を有し、下面にリング状のクッション材が設けられている内環部と、
前記リング部材の下端部周縁から径方向外側に突出する平坦な面を有する外環部と、
を備えることを特徴とする、平坦化治具。 - 前記内環部の下面側に前記レーザ光を透過させる円盤形状の透過部材をさらに備え、
前記透過部材の周縁部の上面が前記内環部の下面に固定されていることを特徴とする請求項4に記載の平坦化治具。 - 前記透過部材の周縁部の下面にリング状のクッション材が設けられていることを特徴とする請求項5に記載の平坦化治具。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017210858A JP6938021B2 (ja) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | レーザリフトオフによる加工方法及び平坦化治具 |
CN201880070053.7A CN111279494A (zh) | 2017-10-31 | 2018-10-23 | 利用激光剥离的加工方法和平坦化夹具 |
PCT/JP2018/039280 WO2019087855A1 (ja) | 2017-10-31 | 2018-10-23 | レーザリフトオフによる加工方法及び平坦化治具 |
KR1020207013014A KR20200070291A (ko) | 2017-10-31 | 2018-10-23 | 레이저 리프트 오프에 의한 가공 방법 및 평탄화 지그 |
TW107138300A TW201923882A (zh) | 2017-10-31 | 2018-10-30 | 利用雷射剝離法之加工方法及平坦化治具 |
US16/847,529 US20200243708A1 (en) | 2017-10-31 | 2020-04-13 | Laser lift-off processing method and flattening jig used therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017210858A JP6938021B2 (ja) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | レーザリフトオフによる加工方法及び平坦化治具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019083280A JP2019083280A (ja) | 2019-05-30 |
JP6938021B2 true JP6938021B2 (ja) | 2021-09-22 |
Family
ID=66331878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017210858A Active JP6938021B2 (ja) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | レーザリフトオフによる加工方法及び平坦化治具 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200243708A1 (ja) |
JP (1) | JP6938021B2 (ja) |
KR (1) | KR20200070291A (ja) |
CN (1) | CN111279494A (ja) |
TW (1) | TW201923882A (ja) |
WO (1) | WO2019087855A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210023375A (ko) * | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 레이저 전사 장치 및 이를 이용한 전사 방법 |
JP7386077B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7406393B2 (ja) | 2020-02-14 | 2023-12-27 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ転写装置 |
TWI757037B (zh) * | 2021-01-06 | 2022-03-01 | 揚朋科技股份有限公司 | 顯示面板的修補方法 |
CN115008025B (zh) * | 2021-03-04 | 2024-05-03 | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 | 基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法 |
US11784094B2 (en) * | 2021-03-05 | 2023-10-10 | Sky Tech Inc. | Laser lift-off method for separating substrate and semiconductor-epitaxial structure |
CN115621372A (zh) * | 2021-07-14 | 2023-01-17 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 激光剥离led外延衬底的设备及方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009252897A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 接合体の製造方法及び接合体の製造装置 |
JP5329341B2 (ja) | 2009-08-19 | 2013-10-30 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2013021251A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
US9768345B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-09-19 | Apple Inc. | LED with current injection confinement trench |
JP2016060675A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層の分離方法 |
US9640715B2 (en) * | 2015-05-15 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor structures |
-
2017
- 2017-10-31 JP JP2017210858A patent/JP6938021B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-23 WO PCT/JP2018/039280 patent/WO2019087855A1/ja active Application Filing
- 2018-10-23 CN CN201880070053.7A patent/CN111279494A/zh active Pending
- 2018-10-23 KR KR1020207013014A patent/KR20200070291A/ko unknown
- 2018-10-30 TW TW107138300A patent/TW201923882A/zh unknown
-
2020
- 2020-04-13 US US16/847,529 patent/US20200243708A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019087855A1 (ja) | 2019-05-09 |
JP2019083280A (ja) | 2019-05-30 |
CN111279494A (zh) | 2020-06-12 |
KR20200070291A (ko) | 2020-06-17 |
TW201923882A (zh) | 2019-06-16 |
US20200243708A1 (en) | 2020-07-30 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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