JP6932865B1 - ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに、上記のレーザ熱処理を用いたウエハエッジ部の改質装置において、前記レーザ光を前記階層ごとの前記光学系で前記照射区間ごとに照射するよう照射位置を制御する姿勢制御手段を備えることが望ましい。
2…上面
3…下面
4…ノッチ部
5…レーザ光
6、7、21、24、52、55…ポリゴンミラー
8…集光レンズ
9、36、37、39、40、41、43…ミラー
10、51…レーザ光源
11、50…切替え手段
12…姿勢制御手段
22、27、28、54、61…回転ミラー
23、25、29、31、33、34、53、56、58、59、63…固定ミラー
26、30、32、35、57、60、62…偏向ミラー
38、42…ビームスプリッタ
70…制御部
71…偏向素子
T…端面
X1、X2…斜面
R1、R2…R部
f…垂直二等分線
Claims (9)
- レーザ熱処理を用いたウエハエッジ部の改質装置において、
レーザ光源からのレーザ光をノッチ部へ照射する光学系を有し、
前記光学系は、
前記レーザ光を反射して、側面がくの字状に組み合わされ凹面鏡となる円弧型であるミラーへ導くポリゴンミラーと、
断面形状が平凸型で上面から見て曲面形状となった3次元曲面体であり、前記ミラーで反射した前記レーザ光を前記ノッチ部へ集光する集光レンズと、
を備え、前記ポリゴンミラーが回転することで前記ノッチ部へ前記レーザ光を走査して照射し、前記ノッチ部の結晶方位に対応した累積照射エネルギを決定して前記レーザ光を前記照射することを特徴とするウエハエッジ部の改質装置。 - 前記ノッチ部の照射区間を(1)片R部、(2)直線部、(3)ボトムR部、前記(2)直線部と傾き方向が異なる(2')直線部、前記(1)片R部と対称の(1')片R部に分け、前記光学系は3次元的に複数の階層ごとに構成され、前記レーザ光は前記階層ごとの前記光学系で前記照射区間ごとに照射されることを特徴とする請求項1に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記レーザ光を前記階層ごとの前記光学系で前記照射区間ごとに照射するよう照射位置を制御する姿勢制御手段を備えることを特徴とする請求項2に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記照射区間である前記(2)直線部、前記(2')直線部は、前記ミラーと前記ポリゴンミラーとの回転中心間の距離を大きくしてレーザ走査軌道が直線近似されることを特徴とする請求項2又は3に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記レーザ光源を1台として、前記レーザ光を前記階層ごとの前記光学系へビームスプリッタで分岐させることを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記レーザ光源を複数台として、前記レーザ光を前記階層ごとの前記光学系へ導くことを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記ノッチ部の曲率に対応してエネルギ密度、スキャンピッチ、照射回数の少なくともいずれか一つを変えて前記照射することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記レーザ光は、ナノ秒パルスレーザの前記照射と共に、CW(連続)レーザ照射が併用されることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- レーザ熱処理を用いたウエハエッジ部の改質方法であって、
レーザ光を反射して、側面がくの字状に組み合わされ凹面鏡となる円弧型であるミラーへ導くポリゴンミラーと、断面形状が平凸型で上面から見て曲面形状となった3次元曲面体であり、前記ミラーで反射した前記レーザ光をノッチ部へ集光する集光レンズと、を備えた光学系を用いて、前記ポリゴンミラーを回転させることで前記ノッチ部へ前記レーザ光を走査して照射し、前記ノッチ部の結晶方位に対応した累積照射エネルギを決定して前記レーザ光を前記照射することを特徴とするウエハエッジ部の改質方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2021045451A JP6932865B1 (ja) | 2021-03-19 | 2021-03-19 | ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 |
JP2021133140A JP7221345B2 (ja) | 2021-03-19 | 2021-08-18 | ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP6932865B1 true JP6932865B1 (ja) | 2021-09-08 |
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JP (1) | JP6932865B1 (ja) |
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Patent Citations (5)
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