JP6929196B2 - 基板からテンプレートを引き離す方法、装置及び物品を製造する方法 - Google Patents
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Description
Claims (18)
- 基板の上に形成された固化されたパターン層からテンプレートを引き離す方法であって、
(a)前記基板に対して前記テンプレートが上方移動するように、前記テンプレート及び前記基板を互いに相対的に移動させる工程と、
(b)前記テンプレートと前記基板とが接触している接触領域と前記テンプレートと前記基板とが分離している分離領域との間の境界の接触半径の関数としての、前記基板に対する前記テンプレートの上方移動の傾きの制御により、前記上方移動により前記テンプレート及び前記基板に与えられる張力で引き起こされた前記テンプレート及び前記基板の曲げによって前記テンプレート及び前記基板に蓄積される蓄積エネルギーが打ち消されるように、前記テンプレート及び前記基板の少なくとも一方の裏面に当該テンプレート及び前記基板の接触面の形状を変形させるために与える圧力の量を決定する工程と、
(c)決定された圧力の量を前記テンプレート及び前記基板の少なくとも一方の前記裏面に与える工程と、
(d)前記テンプレートが固化された前記パターン層から完全に引き離されるまで、工程(a)−工程(c)を1回以上繰り返す工程と、
を有することを特徴とする方法。 - 与えられた張力の量は、分離の全体の間で6Nを超えないことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記テンプレートが固化された前記パターン層から完全に引き離された後、与えられた圧を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記テンプレートは、マスターテンプレートであり、前記基板は、レプリカテンプレート基板であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレート基板は、コアアウトされた裏面領域を有し、前記圧力の量は前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレート基板のそれぞれに対して決定され、前記決定された圧力は当該裏面領域のそれぞれに与えられることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記圧力の量は、前記マスターテンプレートの裏面領域の形状と前記レプリカテンプレート基板の裏面領域の形状とに応じてそれぞれ決定されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレート基板は、同一の厚さ寸法を有することを特徴とする請求項4乃至6のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレート基板は、同一の材料からなることを特徴とする請求項4乃至7のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記上方移動の傾きが、前記テンプレートと前記基板とを引き離すプロセスを通して略一定となるように、工程(a)−工程(c)を繰り返すことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の方法。
- 装置であって、
テンプレートを保持するテンプレートチャック又はホルダと、
基板を保持する基板チャック又はホルダと、
前記テンプレートと前記基板との相対的な位置を調整するアクチュエータシステムと、
前記基板の上に形成された固化されたパターン層から前記テンプレートを引き離す間に前記テンプレート及び前記基板に与えられる張力の量を検出する力検出システムと、
前記テンプレート及び前記基板の少なくとも一方の裏面に圧力を与えることで、前記テンプレート及び前記基板の接触面の形状を変形させる圧力システムと、
前記力検出システム及び前記圧力システムと通信する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記テンプレートと前記基板とが接触している接触領域と前記テンプレートと前記基板とが分離している分離領域との間の境界の接触半径の関数としての、前記基板に対する前記テンプレートの上方移動の傾きの制御により、前記上方移動により前記テンプレート及び前記基板に与えられる張力で引き起こされた前記テンプレート及び前記基板の曲げによって前記テンプレート及び前記基板に蓄積される蓄積エネルギーが打ち消されるように、前記力検出システムで検出された張力の量に基づいて、前記テンプレート及び前記基板の少なくとも一方の裏面に与える圧力の量を決定し、
当該決定された圧力の量を前記テンプレート及び前記基板の少なくとも一方の裏面に与えるように、信号を前記圧力システムに提供することを特徴とする装置。 - 前記制御部は、更に、前記テンプレートが固化された前記パターン層から完全に引き離されるまで、決定及び提供する工程を繰り返すことを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記テンプレートは、マスターテンプレートであり、前記基板は、レプリカテンプレート基板であることを特徴とする請求項10又は11に記載の装置。
- 前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレート基板は、コアアウトされた裏面領域を有し、前記圧力の量は前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレート基板のそれぞれに対して決定され、前記決定された圧力は当該裏面領域のそれぞれに与えることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- 前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレート基板は、同一の厚さ寸法を有し、同一の材料で形成されることを特徴とする請求項12又は13に記載の装置。
- 物品を製造する方法であって、
請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の方法に従って、基板の上に形成された固化されたパターン層からテンプレートを引き離すことと、
前記物品を生産するために、固化された前記パターン層のパターンを前記基板に転写することと、
を有することを特徴とする方法。 - コアアウトされた裏面領域を有する基板の上に形成された固化されたパターン層からコアアウトされた裏面領域を有するテンプレートを引き離す方法であって、
(a)前記基板に対して前記テンプレートが上方移動するように、前記テンプレート及び前記基板を互いに相対的に移動させる工程と、
(b)前記上方移動により前記テンプレート及び前記基板に与えられる張力で引き起こされた前記テンプレート及び前記基板の曲げによって前記テンプレート及び前記基板に蓄積される蓄積エネルギーが打ち消されるように、前記テンプレート及び前記基板の接触面の形状を変形させるために、前記テンプレートの裏面領域及び前記基板の裏面領域のそれぞれに与える圧力の量を決定する工程と、
(c)決定された圧力の量を前記テンプレートの裏面領域及び前記基板の裏面領域に与える工程と、
(d)前記テンプレートが固化された前記パターン層から完全に引き離されるまで、工程(a)−工程(c)を1回以上繰り返す工程と、
を有することを特徴とする方法。 - 装置であって、
コアアウトされた裏面領域を有するテンプレートを保持するテンプレートチャック又はホルダと、
コアアウトされた裏面領域を有する基板を保持する基板チャック又はホルダと、
前記テンプレートと前記基板との相対的な位置を調整するアクチュエータシステムと、
前記基板の上に形成された固化されたパターン層から前記テンプレートを引き離す間に前記テンプレート及び前記基板に与えられる張力の量を検出する力検出システムと、
前記テンプレート及び前記基板の少なくとも一方の裏面に圧力を与えることで、前記テンプレート及び前記基板の接触面の形状を変形させる圧力システムと、
前記力検出システム及び前記圧力システムと通信する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記基板に対して前記テンプレートが上方移動するように、前記テンプレート及び前記基板との相対的な位置を調整することにより前記テンプレート及び前記基板に与えられる張力で引き起こされた前記テンプレート及び前記基板の曲げによって前記テンプレート及び前記基板に蓄積される蓄積エネルギーが打ち消されるように、前記力検出システムで検出された張力の量に基づいて、前記テンプレート及び前記基板の接触面の形状を変形させるために、前記テンプレートの裏面領域及び前記基板の裏面領域のそれぞれに与える圧力の量を決定し、
当該決定された圧力の量を前記テンプレートの裏面領域及び前記基板の裏面領域に与えるように、信号を前記圧力システムに提供することを特徴とする装置。 - 物品を製造する方法であって、
請求項16に記載の方法に従って、基板の上に形成された固化されたパターン層からテンプレートを引き離すことと、
前記物品を生産するために、固化された前記パターン層のパターンを前記基板に転写することと、
を有することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/338,735 US10627715B2 (en) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | Method for separating a nanoimprint template from a substrate |
US15/338,735 | 2016-10-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018074159A JP2018074159A (ja) | 2018-05-10 |
JP2018074159A5 JP2018074159A5 (ja) | 2020-05-14 |
JP6929196B2 true JP6929196B2 (ja) | 2021-09-01 |
Family
ID=62020180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017209540A Active JP6929196B2 (ja) | 2016-10-31 | 2017-10-30 | 基板からテンプレートを引き離す方法、装置及び物品を製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10627715B2 (ja) |
JP (1) | JP6929196B2 (ja) |
KR (1) | KR102210834B1 (ja) |
CN (1) | CN108020986B (ja) |
SG (1) | SG10201708239YA (ja) |
TW (1) | TWI716644B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11454883B2 (en) | 2016-11-14 | 2022-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Template replication |
US10288999B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes |
US10444624B1 (en) | 2018-11-30 | 2019-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Active metrology frame and thermal frame temperature control in imprint lithography |
US11442359B2 (en) | 2019-03-11 | 2022-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of separating a template from a shaped film on a substrate |
JP7284639B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2023-05-31 | キヤノン株式会社 | 成形装置、および物品製造方法 |
CN114556211A (zh) | 2019-12-02 | 2022-05-27 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于脱离印模的方法和装置 |
CN115812179A (zh) * | 2020-07-06 | 2023-03-17 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 制造微结构及/或奈米结构之方法及装置 |
TW202211363A (zh) * | 2020-09-01 | 2022-03-16 | 美商伊路米納有限公司 | 夾具及相關系統及方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
US6696220B2 (en) * | 2000-10-12 | 2004-02-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography |
US6673287B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-01-06 | International Business Machines Corporation | Vapor phase surface modification of composite substrates to form a molecularly thin release layer |
US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
US7179396B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US7591641B2 (en) * | 2005-03-22 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold and process of production thereof |
US7906058B2 (en) | 2005-12-01 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Bifurcated contact printing technique |
US8361371B2 (en) | 2008-02-08 | 2013-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Extrusion reduction in imprint lithography |
US8652393B2 (en) * | 2008-10-24 | 2014-02-18 | Molecular Imprints, Inc. | Strain and kinetics control during separation phase of imprint process |
JP4940262B2 (ja) | 2009-03-25 | 2012-05-30 | 株式会社東芝 | インプリントパターン形成方法 |
JP5363165B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-12-11 | 富士フイルム株式会社 | 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置 |
JP2011103362A (ja) | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
US20110189329A1 (en) | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Molecular Imprints, Inc. | Ultra-Compliant Nanoimprint Lithography Template |
JP5438578B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置 |
TWI576229B (zh) * | 2010-04-27 | 2017-04-01 | 分子壓模公司 | 奈米壓印之安全分離技術 |
JP6028413B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート |
JP6127517B2 (ja) * | 2013-01-08 | 2017-05-17 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドの製造方法 |
CN106030756B (zh) | 2013-12-31 | 2021-01-22 | 佳能纳米技术公司 | 用于局部区域压印的非对称模板形状调节 |
US11454883B2 (en) | 2016-11-14 | 2022-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Template replication |
US10969680B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for adjusting a position of a template |
US10288999B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes |
-
2016
- 2016-10-31 US US15/338,735 patent/US10627715B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-03 TW TW106134194A patent/TWI716644B/zh active
- 2017-10-06 SG SG10201708239YA patent/SG10201708239YA/en unknown
- 2017-10-30 JP JP2017209540A patent/JP6929196B2/ja active Active
- 2017-10-30 CN CN201711029734.2A patent/CN108020986B/zh active Active
- 2017-10-30 KR KR1020170142080A patent/KR102210834B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-03-26 US US16/830,427 patent/US11143957B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10201708239YA (en) | 2018-05-30 |
US20200225575A1 (en) | 2020-07-16 |
KR102210834B1 (ko) | 2021-02-02 |
TW201833667A (zh) | 2018-09-16 |
CN108020986A (zh) | 2018-05-11 |
KR20180048367A (ko) | 2018-05-10 |
TWI716644B (zh) | 2021-01-21 |
US20180117805A1 (en) | 2018-05-03 |
US10627715B2 (en) | 2020-04-21 |
CN108020986B (zh) | 2021-08-03 |
US11143957B2 (en) | 2021-10-12 |
JP2018074159A (ja) | 2018-05-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200330 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200330 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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