JP6928858B2 - Temperature applying device and temperature applying method - Google Patents

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Description

本発明は、ワーク分割装置及びワーク分割方法に係り、特に、分割予定ラインが予め加工された半導体ウェーハ等のワークを個々のチップに分割するワーク分割装置及びワーク分割方法に関する。 The present invention relates to a work dividing device and a work dividing method, and more particularly to a work dividing device and a work dividing method for dividing a work such as a semiconductor wafer on which a planned division line has been processed in advance into individual chips.

従来、半導体チップ（以下、チップと言う。）の製造にあたり、例えば、レーザ照射等によりその内部に分割予定ラインが予め加工された半導体ウェーハ（以下、ウェーハと言う。）を、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割（個片化とも言う。）するワーク分割装置が知られている（特許文献１、２参照）。 Conventionally, in manufacturing a semiconductor chip (hereinafter referred to as a chip), for example, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in which a planned division line is pre-processed by laser irradiation or the like is along the planned division line. A work dividing device that divides into individual chips (also referred to as individualization) is known (see Patent Documents 1 and 2).

ウェーハは、例えばＤＡＦ（Die Attach Film)又はＬＣテープ（商品名：リンテック株式会社製）等のフィルム状接着材及びチップ保護材を介してダイシングテープ（以下、拡張テープとも言う。）に貼付されており、ワーク分割装置は、ダイシングテープを拡張（以下、エキスパンドと言う。）することにより、ウェーハと上記フィルム状接着材及びチップ保護材を個々のチップに個片化する。 The wafer is attached to a dicing tape (hereinafter, also referred to as an expansion tape) via a film-like adhesive such as DAF (Die Attach Film) or LC tape (trade name: manufactured by Lintec Corporation) and a chip protective material. The work dividing device separates the wafer and the film-like adhesive and chip protective material into individual chips by expanding the dicing tape (hereinafter referred to as “expanding”).

図１０は、ワーク分割装置にて分割されるウェーハ１が貼付されたウェーハユニット２の説明図であり、図１０（Ａ）はウェーハユニット２の斜視図、図１０（Ｂ）はウェーハユニット２の断面図である。 10A and 10B are explanatory views of a wafer unit 2 to which a wafer 1 to be divided by a work dividing device is attached, FIG. 10A is a perspective view of the wafer unit 2, and FIG. 10B is a wafer unit 2. It is a cross-sectional view.

ウェーハユニット２は、ウェーハ１、フィルム状接着材３、ダイシングテープ４及びフレーム５から構成される。ウェーハ１は、表面に粘着層が形成された厚さ１００μｍ程度のダイシングテープ４に、フィルム状接着材３を介して貼付され、ダイシングテープ４は、その外周部が剛性のあるリング状のフレーム５に固定されている。 The wafer unit 2 is composed of a wafer 1, a film-like adhesive 3, a dicing tape 4, and a frame 5. The wafer 1 is attached to a dicing tape 4 having a thickness of about 100 μm having an adhesive layer formed on the surface thereof via a film-like adhesive 3, and the dicing tape 4 has a ring-shaped frame 5 having a rigid outer peripheral portion thereof. It is fixed to.

ワーク分割装置において、ウェーハユニット２のフレーム５が固定され、この後、エキスパンドリングの上昇動作によってダイシングテープ４が突き上げられてエキスパンドされる。これによって、ウェーハ１が個々のチップ６に分割される。 In the work dividing device, the frame 5 of the wafer unit 2 is fixed, and then the dicing tape 4 is pushed up and expanded by the ascending operation of the expanding ring. As a result, the wafer 1 is divided into individual chips 6.

ところで、ダイシングテープ４はヤング率が低く柔軟であり、また、フィルム状接着材３は一般に室温付近では粘性が高い。このため、ウェーハ１を個々のチップ６に円滑に分割するためには、ダイシングテープ４やフィルム状接着材３を冷却して脆性化させた状態でダイシングテープ４をエキスパンドする必要がある。 By the way, the dicing tape 4 has a low Young's modulus and is flexible, and the film-like adhesive 3 generally has a high viscosity near room temperature. Therefore, in order to smoothly divide the wafer 1 into individual chips 6, it is necessary to expand the dicing tape 4 in a state where the dicing tape 4 and the film-like adhesive 3 are cooled and made brittle.

拡張テープの冷却方法としては、特許文献１に開示された雰囲気冷却方式が知られており、フィルム状接着材の冷却方式としては、特許文献２に開示された低温チャックテーブル方式が知られている。 As a cooling method of the expansion tape, the atmosphere cooling method disclosed in Patent Document 1 is known, and as a cooling method of the film-like adhesive material, the low temperature chuck table method disclosed in Patent Document 2 is known. ..

ここで、本願明細書において、ダイシングテープ４のうち、フィルム状接着材３を介してウェーハ１が貼付された領域、つまり、ウェーハ１を分割する領域を「分割領域４Ａ」と称し、分割領域４Ａの外側に形成される領域を「非分割領域４Ｂ」と称する。この非分割領域４Ｂは、ダイシングテープ４のうちフレーム５に固定されている「固定領域４Ｃ」を除く領域である。 Here, in the specification of the present application, in the dicing tape 4, the region where the wafer 1 is attached via the film-like adhesive 3, that is, the region where the wafer 1 is divided is referred to as "division region 4A", and the division region 4A The region formed on the outside of the undivided region 4B is referred to as "non-divided region 4B". The non-divided region 4B is an region of the dicing tape 4 excluding the “fixed region 4C” fixed to the frame 5.

特許文献１には、非分割領域４Ｂに相当する部分に冷却手段を接近させて冷風により拡張テープを１０〜−１５℃に冷却する方式、又は冷気導入部からの冷気によって拡張テー
プを冷却する方式が開示されているが、どの方式も拡張テープを含む雰囲気を冷却して拡張テープを冷却する方式である。 Patent Document 1 describes a method in which a cooling means is brought close to a portion corresponding to the undivided region 4B and the expansion tape is cooled to 10 to -15 ° C. by cold air, or a method in which the expansion tape is cooled by cold air from a cold air introduction portion. However, all the methods are methods in which the atmosphere including the expansion tape is cooled to cool the expansion tape.

これに対して、特許文献２の低温チャックテーブル方式は、ダイシングテープの分割領域４Ａに相当する部分に低温チャックテーブルを接触させて、フィルム状接着材を、ダイシングテープを介して局所的に冷却する方式である。 On the other hand, in the low temperature chuck table method of Patent Document 2, the low temperature chuck table is brought into contact with the portion corresponding to the divided region 4A of the dicing tape, and the film-like adhesive is locally cooled via the dicing tape. It is a method.

特開２０１２−１４６７２２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-146722 特開２０１５−１６４２３３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-164233

ところで、図１０に示したフィルム状接着材３は、ダイシングテープ４と比較して、一般的にヤング率が大きい。このようなヤング率の差によって、ダイシングテープ４のうちフィルム状接着材３が貼付された分割領域４Ａは、非分割領域４Ｂよりもエキスパンド時の拡張量が小さくなる傾向にある。つまり、分割領域４Ａの硬さが、フィルム状接着材３の硬さに支配され、非分割領域４Ｂよりも硬くなるからである。 By the way, the film-like adhesive 3 shown in FIG. 10 generally has a higher Young's modulus than the dicing tape 4. Due to such a difference in Young's modulus, the divided region 4A to which the film-like adhesive 3 is attached tends to have a smaller expansion amount at the time of expansion than the non-divided region 4B. That is, the hardness of the divided region 4A is dominated by the hardness of the film-like adhesive material 3, and is harder than the undivided region 4B.

そのため、特許文献１、２のワーク分割装置は、以下のような問題を有する。 Therefore, the work dividing devices of Patent Documents 1 and 2 have the following problems.

特許文献１の雰囲気冷却方式は、雰囲気を冷却して拡張テープを冷却する方式なので、換言すれば、拡張テープ全体を冷却する方式なので、拡張テープの分割領域と非分割領域との拡張量の差が縮まらず、非分割領域のみが伸び易くなる。このため、拡張テープをエキスパンドしても分割領域を所望の拡張量に拡張することができず、ウェーハを個々のチップに円滑に分割することができないという問題があった。 Since the atmosphere cooling method of Patent Document 1 is a method of cooling the atmosphere to cool the expansion tape, in other words, since it is a method of cooling the entire expansion tape, the difference in the expansion amount between the divided region and the non-divided region of the expansion tape. Does not shrink, and only the undivided region tends to grow. Therefore, even if the expansion tape is expanded, the division region cannot be expanded to a desired expansion amount, and there is a problem that the wafer cannot be smoothly divided into individual chips.

一方、特許文献２の低温チャックテーブル冷却方式は、低温チャックテーブルによって分割領域を局所的に冷却する方式なので、特許文献１の雰囲気冷却方式よりも非分割領域が伸び易くなり、この方式もウェーハを個々のチップに円滑に分割することができないという問題があった。 On the other hand, since the low-temperature chuck table cooling method of Patent Document 2 is a method of locally cooling the divided region by the low-temperature chuck table, the non-divided region is more likely to be extended than the atmosphere cooling method of Patent Document 1, and this method also applies the wafer. There was a problem that it could not be smoothly divided into individual chips.

また、上述したような問題は、フィルム状接着材の無いウェーハユニットであっても生じる場合がある。すなわち、分割領域の硬さはウェーハの硬さに支配されるため、ダイシングテープの分割領域と非分割領域との拡張量の差の影響によって、ウェーハを個々のチップに円滑に分割することができないという問題があった。 Further, the above-mentioned problems may occur even in a wafer unit without a film-like adhesive. That is, since the hardness of the divided region is controlled by the hardness of the wafer, the wafer cannot be smoothly divided into individual chips due to the influence of the difference in the expansion amount between the divided region and the non-divided region of the dicing tape. There was a problem.

本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、ダイシングテープの拡張量の差による影響を受けることなくウェーハを個々のチップに円滑に分割することができるワーク分割装置及びワーク分割方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and is a work dividing device and a work dividing method capable of smoothly dividing a wafer into individual chips without being affected by a difference in the expansion amount of the dicing tape. The purpose is to provide.

本発明のワーク分割装置は、本発明の目的を達成するために、ダイシングテープに貼付されてリング状のフレームにマウントされたウェーハを、個々のチップに分割するワーク分割装置において、ダイシングテープは、ウェーハが貼付された分割領域と、分割領域の外側に形成される非分割領域とを有し、分割領域に対して非分割領域が相対的に低温となる温度差を生じさせる温度差生成手段と、温度差生成手段によって温度差が生じたダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、を備える。 The work dividing device of the present invention is a work dividing device that divides a wafer attached to a dicing tape and mounted on a ring-shaped frame into individual chips in order to achieve the object of the present invention. A temperature difference generating means having a divided region to which a wafer is attached and a non-divided region formed outside the divided region, and causing a temperature difference in which the non-divided region is relatively low in temperature with respect to the divided region. , An expanding means for expanding the dicing tape in which the temperature difference is generated by the temperature difference generating means.

本発明のワーク分割方法は、本発明の目的を達成するために、ダイシングテープに貼付されてリング状のフレームにマウントされたウェーハを、個々のチップに分割するワーク分割方法において、ダイシングテープは、ウェーハが貼付された分割領域と、分割領域の外側に形成される非分割領域とを有し、分割領域に対して非分割領域が相対的に低温となる温度差を生じさせる温度差生成工程と、温度差が生じたダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド工程と、を備える。 In the work dividing method of the present invention, in order to achieve the object of the present invention, in the work dividing method of dividing a wafer attached to a dicing tape and mounted on a ring-shaped frame into individual chips, the dicing tape is used. A temperature difference generation step having a divided region to which a wafer is attached and a non-divided region formed outside the divided region, and causing a temperature difference in which the non-divided region is relatively low in temperature with respect to the divided region. The dicing tape having a temperature difference is expanded, and the dicing tape is expanded.

本発明によれば、分割領域に対して非分割領域が相対的に低温となる温度差（分割領域の温度＞非分割領域の温度）を生じさせ、非分割領域の硬さを分割領域の硬さに近づける、或いは非分割領域の硬さを分割領域の硬さよりも硬くする。これにより、ダイシングテープをエキスパンドする際に、ダイシングテープの分割領域と非分割領域との拡張量の差を解消し又は縮めることができるので、ウェーハを分割するのに適した所望の拡張量とすることができる。よって、ダイシングテープの拡張量の差による影響を受けることなくウェーハを個々のチップに円滑に分割することができる。 According to the present invention, a temperature difference (temperature of the divided region> temperature of the undivided region) is generated in which the temperature of the undivided region is relatively low with respect to the divided region, and the hardness of the non-divided region is changed to the hardness of the divided region. The hardness of the undivided region is made closer to that of the halfbeak, or the hardness of the undivided region is made harder than the hardness of the divided region. As a result, when expanding the dicing tape, the difference in the expansion amount between the divided region and the non-divided region of the dicing tape can be eliminated or reduced, so that the desired expansion amount suitable for dividing the wafer can be obtained. be able to. Therefore, the wafer can be smoothly divided into individual chips without being affected by the difference in the expansion amount of the dicing tape.

本発明のワーク分割装置の一態様は、温度差生成手段は、分割領域に第１温度を付与する第１温度付与手段と、非分割領域に第１温度よりも低い第２温度を付与する第２温度付与手段と、を有することが好ましい。 In one aspect of the work dividing device of the present invention, the temperature difference generating means imparts a first temperature imparting means for imparting a first temperature to the divided region and a second temperature imparting a second temperature lower than the first temperature to the non-divided region. It is preferable to have two temperature-imparting means.

本発明のワーク分割方法の一態様は、温度差生成工程は、分割領域に第１温度を付与し、非分割領域に第１温度よりも低い第２温度を付与することが好ましい。 In one aspect of the work dividing method of the present invention, in the temperature difference generation step, it is preferable to apply a first temperature to the divided region and a second temperature lower than the first temperature to the non-divided region.

本発明のワーク分割装置の一態様は、エキスパンド手段は、ダイシングテープの非分割領域を突き上げるエキスパンドリングを有し、第２温度付与手段は、非分割領域のうち、エキスパンドリングの外周部とフレームの内周部との間に位置する領域に第２温度を付与することが好ましい。 In one aspect of the work dividing device of the present invention, the expanding means has an expanding ring that pushes up the undivided region of the dicing tape, and the second temperature applying means is the outer peripheral portion of the expanding ring and the frame of the undivided region. It is preferable to apply the second temperature to the region located between the inner peripheral portion.

本発明のワーク分割方法の一態様は、温度差生成工程は、非分割領域のうち、ダイシングテープをエキスパンドするエキスパンドリングの外周部とフレームの内周部との間に位置する領域に第２温度を付与することが好ましい。 In one aspect of the work dividing method of the present invention, the temperature difference generation step is performed in a non-divided region in a region located between the outer peripheral portion of the expanding ring for expanding the dicing tape and the inner peripheral portion of the frame. Is preferably given.

本発明のワーク分割装置の一態様は、温度差生成手段は、ダイシングテープを含む雰囲気を冷却する雰囲気冷却手段と、ダイシングテープの非分割領域を局所的に冷却する局所冷却手段と、を有することが好ましい。 One aspect of the work dividing device of the present invention is that the temperature difference generating means includes an atmosphere cooling means for cooling the atmosphere including the dicing tape and a local cooling means for locally cooling the undivided region of the dicing tape. Is preferable.

本発明のワーク分割方法の一態様は、温度差生成工程は、ダイシングテープを含む雰囲気を冷却する雰囲気冷却工程と、ダイシングテープの分割領域を局所的に冷却する局所冷却工程と、を有することが好ましい。 In one aspect of the work dividing method of the present invention, the temperature difference generation step may include an atmosphere cooling step of cooling the atmosphere including the dicing tape and a local cooling step of locally cooling the divided region of the dicing tape. preferable.

本発明のワーク分割装置の一態様は、温度差生成手段は、ダイシングテープを含む雰囲気を冷却する雰囲気冷却手段と、ダイシングテープの分割領域を局所的に加熱する局所加熱手段と、を有することが好ましい。 In one aspect of the work dividing device of the present invention, the temperature difference generating means may include an atmosphere cooling means for cooling the atmosphere including the dicing tape and a local heating means for locally heating the divided region of the dicing tape. preferable.

本発明のワーク分割方法の一態様は、温度差生成工程は、ダイシングテープを含む雰囲気を冷却する雰囲気冷却工程と、ダイシングテープの分割領域を局所的に加熱する局所加熱工程と、を有することが好ましい。 In one aspect of the work dividing method of the present invention, the temperature difference generation step may include an atmosphere cooling step of cooling the atmosphere including the dicing tape and a local heating step of locally heating the divided region of the dicing tape. preferable.

本発明のワーク分割方法の一態様は、ウェーハは、ダイシングテープにフィルム状接着材を介して貼付されていることが好ましい。 In one aspect of the work dividing method of the present invention, it is preferable that the wafer is attached to the dicing tape via a film-like adhesive.

本発明によれば、ダイシングテープの拡張量の差による影響を受けることなくウェーハを個々のチップに円滑に分割することができる。 According to the present invention, the wafer can be smoothly divided into individual chips without being affected by the difference in the expansion amount of the dicing tape.

第１実施形態のワーク分割装置の要部構造図Structural drawing of the main part of the work dividing device of the first embodiment ワーク分割方法のフローチャートFlowchart of work division method 図１のワーク分割装置の構成を示したブロック図A block diagram showing the configuration of the work dividing device of FIG. 図１のワーク分割装置によってウェーハをチップ毎に分割する説明図Explanatory drawing which divides a wafer for each chip by the work dividing apparatus of FIG. サブリングによってダイシングテープの拡張を保持した説明図Explanatory drawing holding the expansion of the dicing tape by the sub ring 第２実施形態のワーク分割装置の要部構造図Structural drawing of the main part of the work dividing device of the second embodiment 第３実施形態のワーク分割装置の要部構造図Structural drawing of the main part of the work dividing device of the third embodiment 第４実施形態のワーク分割装置の要部構造図Structural drawing of the main part of the work dividing device of the fourth embodiment 第５実施形態のワーク分割装置の要部構造図Structural drawing of the main part of the work dividing device of the fifth embodiment ウェーハユニットの構成を示した説明図Explanatory drawing which showed the structure of the wafer unit

以下、添付図面に従って本発明に係るワーク分割装置及びワーク分割方法の好ましい実施形態について詳説する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲であれば、以下の実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。 Hereinafter, preferred embodiments of the work dividing device and the work dividing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications and substitutions can be added to the following embodiments within the scope of the present invention.

〔第１実施形態のワーク分割装置１０Ａ〕
図１は、第１実施形態に係るワーク分割装置１０Ａの要部断面図である。 [Work splitting device 10A of the first embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of the work dividing device 10A according to the first embodiment.

ワーク分割装置１０Ａは、温度差生成手段を構成する第１温度付与手段及び第２温度付与手段を備える。すなわち、ワーク分割装置１０Ａは、第１温度付与手段に相当する円盤状の低温チャックテーブル１２、及び第２温度付与手段に相当するリング状の低温プレート１４を備え、かつ、エキスパンド手段を構成するエキスパンドリング１６を備える。 The work dividing device 10A includes a first temperature applying means and a second temperature applying means constituting the temperature difference generating means. That is, the work dividing device 10A includes a disk-shaped low-temperature chuck table 12 corresponding to the first temperature-imparting means and a ring-shaped low-temperature plate 14 corresponding to the second temperature-applying means, and also constitutes the expanding means. A ring 16 is provided.

低温チャックテーブル１２の平坦な上面１２Ａに、一例として、図１０に示したウェーハユニット２のダイシングテープ４が載置される。ウェーハユニット２は、円盤状のウェーハ１がダイシングテープ４を介してフレーム５にマウントされて構成される。また、ウェーハ１は、ＤＡＦやＬＣテープ等のフィルム状接着材３を介してダイシングテープ４に貼付される。このウェーハユニット２のダイシングテープ４のうち、低温チャックテーブル１２の上面１２Ａに載置される円形の分割領域４Ａが低温チャックテーブル１２によって冷却され、また、ダイシングテープ４のうち分割領域４Ａの外側に形成されたリング状の非分割領域４Ｂの一部の領域４Ｅが低温プレート１４の平坦な上面１４Ａに載置されて冷却される。この領域４Ｅは、エキスパンドリング１６の外周部１６Ａとフレーム５の内周部５Ａとの間のリング状の領域である。つまり、ダイシングテープ４のうち、エキスパンドリング１６の上面１６Ｂが接触するリング状の突き上げ領域４Ｄが、低温プレート１４によって冷却される領域４Ｅから除外されている。この理由については後述する。 As an example, the dicing tape 4 of the wafer unit 2 shown in FIG. 10 is placed on the flat upper surface 12A of the low temperature chuck table 12. The wafer unit 2 is configured by mounting a disk-shaped wafer 1 on a frame 5 via a dicing tape 4. Further, the wafer 1 is attached to the dicing tape 4 via a film-like adhesive 3 such as DAF or LC tape. Of the dicing tape 4 of the wafer unit 2, the circular division region 4A placed on the upper surface 12A of the low temperature chuck table 12 is cooled by the low temperature chuck table 12, and the dicing tape 4 is outside the division region 4A. A part of the ring-shaped undivided region 4B formed, 4E, is placed on the flat upper surface 14A of the low temperature plate 14 and cooled. This region 4E is a ring-shaped region between the outer peripheral portion 16A of the expanding ring 16 and the inner peripheral portion 5A of the frame 5. That is, in the dicing tape 4, the ring-shaped push-up region 4D in which the upper surface 16B of the expanding ring 16 contacts is excluded from the region 4E cooled by the low temperature plate 14. The reason for this will be described later.

ウェーハ１の厚さは、例えば５０μｍ程度であり、フィルム状接着材３の厚さは数μｍ〜１００μｍ程度である。また、ダイシングテープ４は、例えばＰＶＣ（polyvinyl chloride：ポリ塩化ビニール）系のテープが使用される。更に、フィルム状接着材３は、ダイシングテープ４よりもヤング率の大きい基材、例えばＰＯ（polyolefin：ポリオレフィン）系のものが使用される。 The thickness of the wafer 1 is, for example, about 50 μm, and the thickness of the film-like adhesive 3 is about several μm to 100 μm. Further, as the dicing tape 4, for example, a PVC (polyvinyl chloride) -based tape is used. Further, as the film-like adhesive 3, a base material having a Young's modulus larger than that of the dicing tape 4, for example, a PO (polyolefin) -based material is used.

低温チャックテーブル１２は、ダイシングテープ４の分割領域４Ａを真空吸着により保持することによって、分割領域４Ａに存在するダイシングテープ４の一部、フィルム状接着材３の全体及びウェーハ１の全体に、第１温度を接触式により付与する。第１温度とは、例えば５℃以下、好ましくは５℃〜−５℃程度である。これによって、分割領域４Ａが低温チャックテーブル１２によって第１温度に冷却される。 By holding the divided region 4A of the dicing tape 4 by vacuum suction, the low temperature chuck table 12 can be applied to a part of the dicing tape 4 existing in the divided region 4A, the entire film-like adhesive 3, and the entire wafer 1. 1 Temperature is applied by contact method. The first temperature is, for example, 5 ° C. or lower, preferably about 5 ° C. to −5 ° C. As a result, the divided region 4A is cooled to the first temperature by the low temperature chuck table 12.

低温チャックテーブル１２による分割領域４Ａの冷却方式としては、低温チャックテーブル１２の内部に冷媒を供給する方式があるが、ペルチェ効果を利用して低温チャックテーブル１２の上面１２Ａを氷結させる方式を採用してもよい。これにより、分割領域４Ａのみが低温チャックテーブル１２によって選択的に冷却される。 As a cooling method of the divided region 4A by the low temperature chuck table 12, there is a method of supplying a refrigerant to the inside of the low temperature chuck table 12, but a method of freezing the upper surface 12A of the low temperature chuck table 12 by utilizing the Perche effect is adopted. You may. As a result, only the divided region 4A is selectively cooled by the low temperature chuck table 12.

低温チャックテーブル１２によって分割領域４Ａを冷却する理由は、フィルム状接着材３を冷却して脆性化することにより、分割し易くするためである。つまり、フィルム状接着材３は室温では粘度が高く、エキスパンドリング１６でダイシングテープ４を下側から突き上げても、フィルム状接着材３はダイシングテープ４とともに伸びてしまい、分割されないからである。 The reason why the divided region 4A is cooled by the low temperature chuck table 12 is that the film-like adhesive 3 is cooled to make it brittle, so that the divided region 4A can be easily divided. That is, the film-like adhesive 3 has a high viscosity at room temperature, and even if the dicing tape 4 is pushed up from below by the expanding ring 16, the film-like adhesive 3 stretches together with the dicing tape 4 and is not divided.

低温チャックテーブル１２の直径は、ウェーハ１の直径と略等しいことが好ましい。例えば、ウェーハ１の直径が８インチサイズ(直径約２００ｍｍ)であれば、低温チャックテーブル１２の上面の直径も略８インチサイズであることが好ましい。 The diameter of the low temperature chuck table 12 is preferably substantially equal to the diameter of the wafer 1. For example, if the diameter of the wafer 1 is 8 inches (diameter about 200 mm), the diameter of the upper surface of the low temperature chuck table 12 is preferably about 8 inches.

低温プレート１４は、その上面１４Ａにダイシングテープ４の領域４Ｅが載置されることにより、ダイシングテープ４の領域４Ｅに、第１温度よりも低い第２温度を接触式により付与する。第２温度は、例えば、第１温度よりも５℃低い温度であることが好ましい。この場合の第２温度は、０〜−１０℃程度となる。これにより、分割領域４Ａに対して領域４Ｅが相対的に低温となる温度差が生じる。 By placing the region 4E of the dicing tape 4 on the upper surface 14A of the low temperature plate 14, the region 4E of the dicing tape 4 is contacted with a second temperature lower than the first temperature. The second temperature is preferably, for example, a temperature 5 ° C. lower than the first temperature. The second temperature in this case is about 0 to -10 ° C. As a result, there is a temperature difference in which the region 4E is relatively low in temperature with respect to the divided region 4A.

低温プレート１４による領域４Ｅの冷却方式としては、低温チャックテーブル１２と同様に、低温プレート１４の内部に冷媒を供給する方式がある。また、ペルチェ効果を利用して低温プレート１４の上面１４Ａを氷結させる方式を採用してもよい。これにより、領域４Ｅが低温プレート１４によって局所的に冷却される。 As a cooling method of the region 4E by the low temperature plate 14, there is a method of supplying the refrigerant to the inside of the low temperature plate 14 as in the low temperature chuck table 12. Further, a method of freezing the upper surface 14A of the low temperature plate 14 by utilizing the Perche effect may be adopted. As a result, the region 4E is locally cooled by the low temperature plate 14.

低温プレート１４によって領域４Ｅを分割領域４Ａよりも低温に冷却する理由は、領域４Ｅの硬さを分割領域４Ａの硬さに近づけたり、領域４Ｅの硬さを分割領域４Ａの硬さよりも硬くしたりするためである。つまり、エキスパンドリング１６からダイシングテープ４に伝達されるエキスパンド力を、領域４Ｅから分割領域４Ａに確実に伝達させて、分割領域４Ａを所望の拡張量に拡張させ、ウェーハ１を個々のチップ６に円滑に分割するためである。 The reason why the low temperature plate 14 cools the region 4E to a temperature lower than that of the divided region 4A is that the hardness of the region 4E is made closer to the hardness of the divided region 4A, or the hardness of the region 4E is made harder than the hardness of the divided region 4A. This is to do. That is, the expanding force transmitted from the expanding ring 16 to the dicing tape 4 is surely transmitted from the region 4E to the division region 4A, the division region 4A is expanded to a desired expansion amount, and the wafer 1 is transferred to the individual chips 6. This is for smooth division.

ダイシングテープ４は、エキスパンドリング１６によってエキスパンドされるため、そのサイズはウェーハ１よりも当然に大きい。例えば、ウェーハ１の直径が８インチサイズであれば、ダイシングテープ４の直径は３００ｍｍ程度が好ましい。ダイシングテープ４の略中央部にウェーハ１がフィルム状接着材３を介して貼付されるが、その際のウェーハ１の外周部１Ａとフレーム５の内周部５Ａとの間の長さは５０ｍｍ程度となる。 Since the dicing tape 4 is expanded by the expanding ring 16, its size is naturally larger than that of the wafer 1. For example, if the diameter of the wafer 1 is 8 inches, the diameter of the dicing tape 4 is preferably about 300 mm. The wafer 1 is attached to the substantially central portion of the dicing tape 4 via the film-like adhesive 3, and the length between the outer peripheral portion 1A of the wafer 1 and the inner peripheral portion 5A of the frame 5 at that time is about 50 mm. It becomes.

フィルム状接着材３の直径は、ウェーハ１の直径よりも若干大きい。つまり、フィルム状接着材３は、フィルム状接着材３にウェーハ１を貼付する際のずれ量を考慮して、ウェーハ１よりも例えば直径で約１ｃｍ程度大きいものが使用される。フィルム状接着材３の外周部３Ａとフレーム５の内周部５Ａとの間の領域が非分割領域４Ｂに相当し、この非分割領域４Ｂに突き上げ領域４Ｄと領域４Ｅとが含まれる。なお、図１では、ウェーハ１とフィルム状接着材３の直径の差を誇大化して示している。 The diameter of the film-like adhesive 3 is slightly larger than the diameter of the wafer 1. That is, the film-like adhesive 3 is used, for example, having a diameter of about 1 cm larger than that of the wafer 1 in consideration of the amount of displacement when the wafer 1 is attached to the film-like adhesive 3. The region between the outer peripheral portion 3A of the film-shaped adhesive 3 and the inner peripheral portion 5A of the frame 5 corresponds to the undivided region 4B, and the non-divided region 4B includes the push-up region 4D and the region 4E. In FIG. 1, the difference in diameter between the wafer 1 and the film-shaped adhesive 3 is exaggerated.

エキスパンドリング１６は、低温プレート１４の内側で、かつ低温チャックテーブル１２を包囲するように配置され、エキスパンド手段を構成するリング昇降機構１８に連結されて昇降される。また、ダイシングテープ４の突き上げ領域４Ｄを突き上げるエキスパンドリング１６の上面１６Ｂには、突き上げ領域４Ｄとの間の摩擦力を低減するためにローラ２０が回動自在に設けられている。なお、図１では、下降位置に待機しているエキスパンドリング１６が図示されている。また、エキスパンドリング１６は、アルミニウム等の熱伝導性のよい金属等で構成されるのが好ましい。 The expanding ring 16 is arranged inside the low temperature plate 14 and surrounding the low temperature chuck table 12, and is connected to the ring elevating mechanism 18 constituting the expanding means to be raised and lowered. Further, a roller 20 is rotatably provided on the upper surface 16B of the expanding ring 16 that pushes up the push-up region 4D of the dicing tape 4 in order to reduce the frictional force with the push-up region 4D. In addition, in FIG. 1, the expanding ring 16 waiting in the descending position is shown. Further, the expanding ring 16 is preferably made of a metal having good thermal conductivity such as aluminum.

ここで、図１０に示すウェーハ１には、レーザ照射等によりその内部に分割予定ラインが格子状に予め加工されている。図１のエキスパンドリング１６は、上昇することにより下方からダイシングテープ４の突き上げ領域４Ｄを上方に突き上げて、ダイシングテープ４をエキスパンドする（図４参照）。このようにダイシングテープ４をエキスパンドすることにより、ウェーハ１が分割予定ラインに沿って分割されてウェーハ１がフィルム状接着材３とともに個々のチップ６に分割される。 Here, in the wafer 1 shown in FIG. 10, the lines to be divided are pre-processed in a grid pattern inside the wafer 1 by laser irradiation or the like. The expanding ring 16 of FIG. 1 pushes up the push-up region 4D of the dicing tape 4 from below by ascending, and expands the dicing tape 4 (see FIG. 4). By expanding the dicing tape 4 in this way, the wafer 1 is divided along the planned division line, and the wafer 1 is divided into individual chips 6 together with the film-like adhesive material 3.

図１に戻り、ウェーハユニット２のフレーム５は、フレーム固定機構２２に固定される。また、エキスパンドリング１６の外周側には、サブリング２４が設けられる。サブリング２４は、エキスパンドリング１６とともにリング昇降機構１８によって昇降される。このサブリング２４は、エキスパンドされたダイシングテープ４の拡張状態を保持し、分割された個々のチップ６の間隔を維持する機能を有する（図５参照）。 Returning to FIG. 1, the frame 5 of the wafer unit 2 is fixed to the frame fixing mechanism 22. Further, a sub ring 24 is provided on the outer peripheral side of the expanding ring 16. The sub ring 24 is moved up and down by the ring elevating mechanism 18 together with the expanding ring 16. The sub-ring 24 has a function of holding the expanded state of the expanded dicing tape 4 and maintaining the spacing between the divided individual chips 6 (see FIG. 5).

以下、図２のフローチャート及び図３のワーク分割装置１０Ａのブロック図に従って、ウェーハ１を個々のチップ６に分割するワーク分割装置１０Ａの動作を説明する。 Hereinafter, the operation of the work dividing device 10A for dividing the wafer 1 into individual chips 6 will be described according to the flowchart of FIG. 2 and the block diagram of the work dividing device 10A of FIG.

なお、実施形態のワーク分割装置１０Ａは、エキスパンド時における分割領域４Ａと領域４Ｅとの温度差付けが重要となる。このため、ワーク分割装置１０Ａでは、図３の如く、低温チャックテーブル１２、低温プレート１４及びリング昇降機構１８が同一の制御部４０によって、温度制御の下でその動作が制御されている。すなわち、制御部４０は、低温チャックテーブル１２によって分割領域４Ａに第１温度が付与され、低温プレート１４によって領域４Ｅに第２温度が付与された際に、リング昇降機構１８を上昇させてダイシングテープ４をエキスパンドする。 In the work dividing device 10A of the embodiment, it is important that the temperature difference between the divided region 4A and the region 4E at the time of expansion is important. Therefore, in the work dividing device 10A, as shown in FIG. 3, the operation of the low temperature chuck table 12, the low temperature plate 14, and the ring elevating mechanism 18 is controlled under temperature control by the same control unit 40. That is, when the low temperature chuck table 12 applies the first temperature to the divided region 4A and the low temperature plate 14 applies the second temperature to the region 4E, the control unit 40 raises the ring elevating mechanism 18 to prepare the dicing tape. Expand 4

まず、図２のステップＳ１００において、図１の如く、ウェーハユニット２のフレーム５をフレーム固定機構２２に固定する。これにより、ウェーハユニット２の分割領域４Ａが低温チャックテーブル１２の上面１２Ａに載置され、領域４Ｅが低温プレート１４の上面１４Ａに載置される。制御部４０は、低温チャックテーブル１２と低温プレート１４とを予め駆動し、低温チャックテーブル１２の温度を第１温度に、低温プレート１４の温度を第１温度より低い第２温度に設定する。 First, in step S100 of FIG. 2, the frame 5 of the wafer unit 2 is fixed to the frame fixing mechanism 22 as shown in FIG. As a result, the divided region 4A of the wafer unit 2 is placed on the upper surface 12A of the low temperature chuck table 12, and the region 4E is placed on the upper surface 14A of the low temperature plate 14. The control unit 40 drives the low temperature chuck table 12 and the low temperature plate 14 in advance, and sets the temperature of the low temperature chuck table 12 to the first temperature and the temperature of the low temperature plate 14 to the second temperature lower than the first temperature.

次に、図２のステップＳ１１０における温度差生成工程において、ウェーハユニット２の分割領域４Ａを、低温チャックテーブル１２によって真空吸着し、分割領域４Ａを低温チャックテーブル１２の上面１２Ａに確実に接触させる。このとき、低温チャックテーブル１２は第１温度に設定されているので、この接触により分割領域４Ａには第１温度である５〜−５℃程度の温度が付与され、分割領域４Ａが第１温度に冷却される。これにより、フィルム状接着材３は脆性化され、エキスパンド力を加えることにより容易に割れるようになる。 Next, in the temperature difference generation step in step S110 of FIG. 2, the divided region 4A of the wafer unit 2 is vacuum-sucked by the low temperature chuck table 12, and the divided region 4A is surely brought into contact with the upper surface 12A of the low temperature chuck table 12. At this time, since the low temperature chuck table 12 is set to the first temperature, the divided region 4A is given a temperature of about 5 to −5 ° C., which is the first temperature, by this contact, and the divided region 4A becomes the first temperature. Is cooled to. As a result, the film-like adhesive 3 is made brittle and easily cracked by applying an expanding force.

また、低温チャックテーブル１２による分割領域４Ａの冷却と同時に、領域４Ｅが低温プレート１４に接触されているので、領域４Ｅには分割領域４Ａよりも５℃低い第２温度が付与され、領域４Ｅが第２温度に冷却される。これにより、分割領域４Ａに対して領域４Ｅが、相対的に低温となる。つまり、領域４Ｅの硬さが分割領域４Ａの硬さに近づけられ、又は領域４Ｅの硬さが分割領域４Ａの硬さよりも硬くなる。 Further, since the region 4E is in contact with the low temperature plate 14 at the same time as the cooling of the divided region 4A by the low temperature chuck table 12, the region 4E is given a second temperature 5 ° C. lower than that of the divided region 4A, and the region 4E is subjected to. It is cooled to the second temperature. As a result, the temperature of the region 4E becomes relatively low with respect to the divided region 4A. That is, the hardness of the region 4E is brought close to the hardness of the divided region 4A, or the hardness of the region 4E is harder than the hardness of the divided region 4A.

次に、図２のステップＳ１２０におけるエキスパンド工程時において、図４に示すように、リング昇降機構１８によってエキスパンドリング１６を上昇させて、ダイシングテープ４をエキスパンドし、ウェーハ１をフィルム状接着材３とともに分割する。 Next, during the expanding step in step S120 of FIG. 2, as shown in FIG. 4, the expanding ring 16 is raised by the ring elevating mechanism 18, the dicing tape 4 is expanded, and the wafer 1 is combined with the film-like adhesive 3. To divide.

具体的には、低温チャックテーブル１２による分割領域４Ａの真空吸着を制御部４０が解除し、リング昇降機構１８を制御部４０が制御して、エキスパンドリング１６及びサブリング２４を上昇させる。エキスパンドリング１６の上昇は、例えば、４００ｍｍ／ｓｅｃで、１５ｍｍ上方に突き上げる。なお、このときサブリング２４はフレーム５の下方位置で停止する。このとき、ダイシングテープ４は、領域４Ｅの硬さが分割領域４Ａの硬さに近づけられ、又は領域４Ｅの硬さが分割領域４Ａの硬さよりも硬くされているので、エキスパンドリング１６からダイシングテープ４に伝達されるエキスパンド力は、領域４Ｅから突き上げ領域４Ｄを介して分割領域４Ａに確実に伝達し、分割領域４Ａが所望の拡張量に拡張する。これにより、ウェーハ１は分割予定ラインに沿って分割されていき、個々のチップ６に円滑に分割される。また、分割された個々のチップ６の間には、数μｍから１００μｍの隙間が形成されるが、フィルム状接着材３は、冷却されて脆性化しているので、フィルム状接着材３もウェーハ１とともに分割予定ラインに沿って分割される。これによりウェーハ１は、裏面にフィルム状接着材３が付いた各チップ６に円滑に分割される。 Specifically, the control unit 40 releases the vacuum suction of the divided region 4A by the low temperature chuck table 12, and the control unit 40 controls the ring elevating mechanism 18 to raise the expanding ring 16 and the sub ring 24. The rise of the expanding ring 16 is, for example, 400 mm / sec, and is pushed upward by 15 mm. At this time, the sub ring 24 stops at a position below the frame 5. At this time, in the dicing tape 4, since the hardness of the region 4E is close to the hardness of the divided region 4A, or the hardness of the region 4E is made harder than the hardness of the divided region 4A, the dicing tape from the expanding ring 16 The expanding force transmitted to 4 is surely transmitted from the region 4E to the split region 4A via the push-up region 4D, and the split region 4A expands to a desired expansion amount. As a result, the wafer 1 is divided along the scheduled division line, and is smoothly divided into the individual chips 6. Further, a gap of several μm to 100 μm is formed between the divided individual chips 6, but since the film-like adhesive 3 is cooled and becomes brittle, the film-like adhesive 3 is also the wafer 1. It is divided along the planned division line. As a result, the wafer 1 is smoothly divided into chips 6 having a film-like adhesive 3 on the back surface.

ダイシングテープ４は、エキスパンドリング１６によるエキスパンドを解除すると、その弾性によって元の形状に復元し、各チップ６の間の隙間が無くなるので、少なくとも各チップ６が存在する領域においてダイシングテープ４のエキスパンド状態を維持する必要がある。 When the dicing tape 4 is released from the expansion by the expanding ring 16, the dicing tape 4 is restored to its original shape due to its elasticity, and there is no gap between the chips 6, so that the dicing tape 4 is in the expanded state at least in the region where the chips 6 are present. Need to be maintained.

そこで、図２のステップＳ１３０において、図５に示すように、サブリング２４を更に上昇させてフレーム５の上方位置に挿入し、拡張されたダイシングテープ４の非分割領域４Ｂを、サブリング２４とフレーム５とで挟持する。または、熱を用いてダイシングテープ４を熱収縮させエキスパンド状態を保持する方法もある。 Therefore, in step S130 of FIG. 2, as shown in FIG. 5, the sub ring 24 is further raised and inserted at an upper position of the frame 5, and the undivided region 4B of the expanded dicing tape 4 is combined with the sub ring 24. It is sandwiched between the frame 5 and the frame 5. Alternatively, there is also a method of heat-shrinking the dicing tape 4 using heat to maintain the expanded state.

次に、図２のステップＳ１４０において、エキスパンドリング１６を下降させ、エキスパンドリング１６によるダイシングテープ４のエキスパンドを解除する。このとき、サブリング２４は図５の位置に残置されているので、ダイシングテープ４の拡張状態は保持される。これにより、各チップ６間の隙間が広く維持されるので、フィルム状接着材３が再固着することを防止でき、また、ダイシングテープ４からのチップ６のピックアップも容易に実施することができる。以上が、制御部４０によって動作が制御されたワーク分割装置１０Ａの作用である。 Next, in step S140 of FIG. 2, the expanding ring 16 is lowered to release the expansion of the dicing tape 4 by the expanding ring 16. At this time, since the sub ring 24 is left at the position shown in FIG. 5, the expanded state of the dicing tape 4 is maintained. As a result, the gap between the chips 6 is maintained wide, so that the film-like adhesive 3 can be prevented from being reattached, and the chips 6 can be easily picked up from the dicing tape 4. The above is the operation of the work dividing device 10A whose operation is controlled by the control unit 40.

上記の如く構成された第１実施形態のワーク分割装置１０Ａによれば、分割領域４Ａに第１温度を付与する低温チャックテーブル１２と、領域４Ｅに第１温度よりも低い第２温度を付与する低温プレート１４とを別々に設けているので、分割領域４Ａと領域４Ｅとに相対的な温度差（例えば５℃）を付けて、領域４Ｅの硬さを分割領域４Ａの硬さに近づける、或いは領域４Ｅの硬さを分割領域４Ａの硬さよりも硬くすることができる。 According to the work dividing device 10A of the first embodiment configured as described above, the low temperature chuck table 12 that applies the first temperature to the dividing region 4A and the second temperature lower than the first temperature are applied to the region 4E. Since the low temperature plate 14 is provided separately, a relative temperature difference (for example, 5 ° C.) is provided between the divided region 4A and the region 4E to bring the hardness of the region 4E closer to the hardness of the divided region 4A, or The hardness of the region 4E can be made harder than the hardness of the divided region 4A.

これにより、第１実施形態のワーク分割装置１０Ａは、エキスパンド工程時におけるダイシングテープ４の分割領域４Ａと領域４Ｅとの拡張量の差を解消し又は縮めることができるので、分割領域４Ａを所望の拡張量に拡張することができる。よって、ダイシングテープ４の拡張量の差による影響を受けることなくウェーハ１を個々のチップ６に円滑に分割することができる。 As a result, the work dividing device 10A of the first embodiment can eliminate or reduce the difference in the amount of expansion between the divided region 4A and the region 4E of the dicing tape 4 during the expanding step, so that the divided region 4A is desired. It can be expanded to the amount of expansion. Therefore, the wafer 1 can be smoothly divided into individual chips 6 without being affected by the difference in the expansion amount of the dicing tape 4.

また、領域４Ｅは、エキスパンドリング１６の外周部１６Ａとフレーム５の内周部５Ａとの間の領域に設定している。すなわち、ダイシングテープ４のうち、エキスパンドリング１６が当接する突き上げ領域４Ｄを、第２温度を付与する領域４Ｅから除外している。これにより、突き上げ領域４Ｄに第２温度を付与する影響で突き上げ領域４Ｄが脆化して、エキスパンド時に破断することを防止することができる。なお、第２温度によっては非分割領域４Ｂの全領域を第２温度に冷却してもよい。つまり、突き上げ領域４Ｄも第２温度に冷却してもよい。 Further, the region 4E is set as a region between the outer peripheral portion 16A of the expanding ring 16 and the inner peripheral portion 5A of the frame 5. That is, in the dicing tape 4, the push-up region 4D with which the expanding ring 16 abuts is excluded from the region 4E that imparts the second temperature. As a result, it is possible to prevent the push-up region 4D from becoming brittle due to the effect of applying the second temperature to the push-up region 4D and breaking at the time of expansion. Depending on the second temperature, the entire region of the undivided region 4B may be cooled to the second temperature. That is, the push-up region 4D may also be cooled to the second temperature.

また、低温チャックテーブル１２は、分割領域４Ａに接触されて分割領域４Ａに第１温度を付与する部材であり、低温プレート１４は、領域４Ｅに接触されて領域４Ｅに第２温度を局所的に付与する部材である。これにより、分割領域４Ａを第１温度に、かつ領域４Ｅを第２温度に、それぞれ短時間で目標とする温度に冷却することができる。 Further, the low temperature chuck table 12 is a member that is brought into contact with the divided region 4A to give a first temperature to the divided region 4A, and the low temperature plate 14 is brought into contact with the region 4E to locally apply a second temperature to the region 4E. It is a member to be given. As a result, the divided region 4A can be cooled to the first temperature and the region 4E to the second temperature, respectively, to the target temperature in a short time.

また、一例として、低温チャックテーブル１２による第１温度を、５〜−５℃に設定し、低温プレート１４による第２温度を、第１温度よりも５℃低く設定したので、領域４Ｅの硬さを分割領域４Ａの硬さに近づけたり、領域４Ｅの硬さを分割領域４Ａの硬さよりも硬くしたりすることができる。 Further, as an example, since the first temperature of the low temperature chuck table 12 was set to 5 to -5 ° C and the second temperature of the low temperature plate 14 was set to 5 ° C lower than the first temperature, the hardness of the region 4E was set. Can be made closer to the hardness of the divided region 4A, or the hardness of the region 4E can be made harder than the hardness of the divided region 4A.

また、他の形態として、低温プレート１４をダイシングテープ４の上方側から領域４Ｅに接触させて、領域４Ｅを第２温度に冷却するようにしてもよい。しかしながら、低温プレート１４を、ダイシングテープ４の上方側から領域４Ｅに接触させようとすると、フィルム状接着材３に低温プレート１４が接触する場合があり、この場合には、低温プレート１４がフィルム状接着材３に接着する。そして、低温プレート１４がフィルム状接着材３から剥離する際に、ダイシングテープ４が振動し、この振動によってチップクラックが発生する場合ある。第１実施形態のワーク分割装置１０Ａでは、低温プレート１４が、ダイシングテープ４の下方側から領域４Ｅに接触しているので、上述のチップクラックの発生を防止することができる。 Further, as another form, the low temperature plate 14 may be brought into contact with the region 4E from the upper side of the dicing tape 4 to cool the region 4E to the second temperature. However, when the low temperature plate 14 is brought into contact with the region 4E from the upper side of the dicing tape 4, the low temperature plate 14 may come into contact with the film-like adhesive 3, and in this case, the low temperature plate 14 is in the form of a film. Adhere to the adhesive material 3. Then, when the low temperature plate 14 is peeled off from the film-like adhesive material 3, the dicing tape 4 vibrates, and this vibration may cause chip cracks. In the work dividing device 10A of the first embodiment, since the low temperature plate 14 is in contact with the region 4E from the lower side of the dicing tape 4, the above-mentioned chip cracks can be prevented from occurring.

本発明の趣旨は、分割領域４Ａに対して非分割領域４Ｂが相対的に低温となる温度差を生じさせることにある。よって、領域４Ｅを冷却し、分割領域４Ａを加熱することにより、分割領域４Ａに対して非分割領域４Ｂが相対的に低温となる温度差を生じさせることも本発明の範囲である。例えば、領域４Ｅを冷却方式によって０〜−１０℃に局所的に冷却し、この温度よりも５℃高く分割領域４Ａを加熱方式によって局所的に加熱しても同様の効果を得ることができる。 An object of the present invention is to generate a temperature difference in which the undivided region 4B has a relatively low temperature with respect to the divided region 4A. Therefore, it is also within the scope of the present invention that by cooling the region 4E and heating the divided region 4A, a temperature difference in which the undivided region 4B becomes relatively low with respect to the divided region 4A is generated. For example, the same effect can be obtained by locally cooling the region 4E to 0 to −10 ° C. by a cooling method and locally heating the divided region 4A by a heating method 5 ° C. higher than this temperature.

また、他の使用形態であるが、領域４Ｅを冷却し、分割領域４Ａを加熱することにより、エキスパンド時の応力が分割領域４Ａにより大きくかかるようになるので、分割予定ライン上にある金属の複合膜をエキスパンド時に分割する場合に有利となる。 Further, in another usage pattern, by cooling the region 4E and heating the divided region 4A, the stress at the time of expanding is applied more to the divided region 4A, so that the metal composite on the planned division line is used. This is advantageous when the membrane is split during expansion.

具体的に説明すると、レーザ照射等によりその内部に分割予定ラインが予め加工されたウェーハ１は、ワーク分割装置１０Ａによってウェーハ１の基材であるシリコーンのみが分割される。このため、分割予定ライン上に金属の複合膜が存在している場合は、分割予定ラインの加工後においても金属の複合膜は分割されておらず、その後のエキスパンド時で分割されない場合には、製品の生産量を下げる原因になる。そこで、第１実施形態のワーク分割装置１０Ａは、領域４Ｅを冷却し、分割領域４Ａを加熱することが可能なので、エキスパンド時の応力が分割領域４Ａによりかかるようになる。これにより、より大きな応力が分割領域４Ａに働くので、金属の複合膜を確実に分割することができる。 Specifically, in the wafer 1 in which the planned division line is pre-processed by laser irradiation or the like, only the silicone which is the base material of the wafer 1 is divided by the work dividing device 10A. Therefore, if a metal composite film is present on the planned division line, the metal composite film is not divided even after the processing of the planned division line, and if it is not divided at the time of subsequent expansion, It causes a decrease in product production. Therefore, since the work dividing device 10A of the first embodiment can cool the region 4E and heat the divided region 4A, the stress at the time of expanding is applied to the divided region 4A. As a result, a larger stress acts on the dividing region 4A, so that the metal composite film can be reliably divided.

〔第２実施形態のワーク分割装置１０Ｂ〕
図６は、第２実施形態のワーク分割装置１０Ｂの要部断面図であり、図１に示した第１実施形態のワーク分割装置１０Ａと同一又は類似の部材については、同一の符号を付すことで説明は省略する。 [Work splitting device 10B of the second embodiment]
FIG. 6 is a cross-sectional view of a main part of the work dividing device 10B of the second embodiment, and the same or similar members as those of the work dividing device 10A of the first embodiment shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. The explanation is omitted in.

ワーク分割装置１０Ｂにおいて、ワーク分割装置１０Ａに対する構成の相違点は、ノズル２６から噴射される冷却エアー２８によって領域４Ｅを局所的に冷却することにより、領域４Ｅに第２温度を付与した点にある。この場合の冷却エアー２８の温度は、低温チャックテーブル１２による第１温度よりも低い第２温度に設定され、これにより、領域４Ｅが第２温度に局所的に冷却される。 In the work dividing device 10B, the difference in the configuration from the work dividing device 10A is that the region 4E is locally cooled by the cooling air 28 injected from the nozzle 26 to give the region 4E a second temperature. .. The temperature of the cooling air 28 in this case is set to a second temperature lower than the first temperature by the low temperature chuck table 12, whereby the region 4E is locally cooled to the second temperature.

また、ワーク分割装置１０Ｂでは、ダイシングテープ４の下方側から領域４Ｅに冷却エアー２８を噴射することにより、冷却エアー２８の風圧でフィルム状接着材３がダイシングテープ４から剥離することを防止している。 Further, in the work dividing device 10B, by injecting the cooling air 28 from the lower side of the dicing tape 4 into the region 4E, it is possible to prevent the film-like adhesive 3 from peeling from the dicing tape 4 due to the wind pressure of the cooling air 28. There is.

ワーク分割装置１０Ｂのように、接触式の低温チャックテーブル１２によって局所的に分割領域４Ａに第１温度を付与しつつ、更に非接触式の冷却エアー２８を局所的に吹き付けることにより領域４Ｅに第２温度を付与しても、ワーク分割装置１０Ａと同等の効果を得ることができる。また、ワーク分割装置１０Ａと同様に、領域４Ｅを冷却し、分割領域４Ａを加熱してもよい。 Like the work dividing device 10B, the contact type low temperature chuck table 12 locally applies the first temperature to the dividing region 4A, and the non-contact type cooling air 28 is locally blown to the region 4E. Even if two temperatures are applied, the same effect as that of the work dividing device 10A can be obtained. Further, similarly to the work dividing device 10A, the region 4E may be cooled and the divided region 4A may be heated.

〔第３実施形態のワーク分割装置１０Ｃ〕
図７は、第３実施形態のワーク分割装置１０Ｃの要部断面図であり、図１に示した第１実施形態のワーク分割装置１０Ａ、及び図６に示した第２実施形態のワーク分割装置１０Ｂと同一又は類似の部材については、同一の符号を付して説明は省略する。 [Work splitting device 10C of the third embodiment]
FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of the work dividing device 10C of the third embodiment, and shows the work dividing device 10A of the first embodiment shown in FIG. 1 and the work dividing device of the second embodiment shown in FIG. Members that are the same as or similar to 10B are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

ワーク分割装置１０Ｃにおいて、ワーク分割装置１０Ｂに対する構成の相違点は、冷気噴射口３０から噴射される冷却エアー３２によってチャンバー３４の内部空気を冷却することにより、ダイシングテープ４を含む雰囲気を冷却し、ダイシングテープ４の全体に第１温度を付与した点にある。この場合の冷却エアー３２の温度は、低温チャックテーブル１２による第１温度に設定されている。ワーク分割装置１０Ｃでは、冷却エアー３２が雰囲気冷却手段に相当し、ノズル２６から局所的に吹き付けられる冷却エアー２８が局所冷却手段に相当する。また、冷却エアー３２による冷却が雰囲気冷却工程に相当し、冷却エアー２８による冷却が局所冷却工程に相当する。 The difference in the configuration of the work dividing device 10C from that of the work dividing device 10B is that the atmosphere including the dicing tape 4 is cooled by cooling the internal air of the chamber 34 by the cooling air 32 injected from the cold air injection port 30. The point is that the first temperature is applied to the entire dicing tape 4. The temperature of the cooling air 32 in this case is set to the first temperature by the low temperature chuck table 12. In the work dividing device 10C, the cooling air 32 corresponds to the atmosphere cooling means, and the cooling air 28 locally blown from the nozzle 26 corresponds to the local cooling means. Further, cooling by the cooling air 32 corresponds to the atmosphere cooling step, and cooling by the cooling air 28 corresponds to the local cooling step.

ワーク分割装置１０Ｃのように、冷却エアー３２によってダイシングテープ４を含む雰囲気を冷却しつつ、更に冷却エアー２８によって領域４Ｅを局所的に冷却することにより、分割領域４Ａに第１温度を付与し、非分割領域４Ｂに第２温度を付与してもよい。これにより、分割領域４Ａに対して非分割領域４Ｂが相対的に低温となる温度差を生じさせることができるので、ワーク分割装置１０Ａ、１０Ｂと同等の効果を得ることができる。また、ワーク分割装置１０Ａ、１０Ｂと同様に、領域４Ｅを冷却し、分割領域４Ａを加熱してもよい。 Like the work dividing device 10C, the cooling air 32 cools the atmosphere including the dicing tape 4, and the cooling air 28 locally cools the region 4E to give the divided region 4A a first temperature. A second temperature may be applied to the undivided region 4B. As a result, a temperature difference in which the non-divided region 4B becomes relatively low with respect to the divided region 4A can be generated, so that the same effect as that of the work dividing devices 10A and 10B can be obtained. Further, similarly to the work dividing devices 10A and 10B, the region 4E may be cooled and the divided region 4A may be heated.

〔第４実施形態のワーク分割装置１０Ｄ〕
図８は、第４実施形態のワーク分割装置１０Ｄの要部断面図であり、図１に示した第１実施形態のワーク分割装置１０Ａ、及び図７に示した第３実施形態のワーク分割装置１０Ｃと同一又は類似の部材については、同一の符号を付して説明は省略する。 [Work splitting device 10D of the fourth embodiment]
FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of the work dividing device 10D of the fourth embodiment, the work dividing device 10A of the first embodiment shown in FIG. 1, and the work dividing device of the third embodiment shown in FIG. Members that are the same as or similar to 10C are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

ワーク分割装置１０Ｄにおいて、ワーク分割装置１０Ｃに対する構成の相違点は、低温プレート１４によって領域４Ｅを局所的に冷却することにより、領域４Ｅに第２温度を付与した点にある。ワーク分割装置１０Ｄでは、低温プレート１４が局所冷却手段に相当し、冷却エアー３２が雰囲気冷却手段に相当する。また、冷却エアー３２による冷却が雰囲気冷却工程に相当し、低温プレート１４による冷却が局所冷却工程に相当する。 The difference in the configuration of the work dividing device 10D from that of the work dividing device 10C is that the region 4E is given a second temperature by locally cooling the region 4E with the low temperature plate 14. In the work dividing device 10D, the low temperature plate 14 corresponds to the local cooling means, and the cooling air 32 corresponds to the atmosphere cooling means. Further, cooling by the cooling air 32 corresponds to the atmosphere cooling step, and cooling by the low temperature plate 14 corresponds to the local cooling step.

ワーク分割装置１０Ｄのように、冷却エアー３２によってダイシングテープ４を含む雰囲気を冷却しつつ、更に低温プレート１４によって領域４Ｅを局所的に冷却することにより、分割領域４Ａに第１温度を付与し、領域４Ｅに第２温度を付与してもよい。これにより、分割領域４Ａに対して非分割領域４Ｂが相対的に低温となる温度差を生じさせることができるので、ワーク分割装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃと同等の効果を得ることができる。また、ワーク分割装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃと同様に、領域４Ｅを冷却し、分割領域４Ａを加熱してもよい。 Like the work dividing device 10D, the cooling air 32 cools the atmosphere including the dicing tape 4, and the low temperature plate 14 locally cools the region 4E to give the divided region 4A a first temperature. A second temperature may be applied to the region 4E. As a result, a temperature difference in which the non-divided region 4B becomes relatively low with respect to the divided region 4A can be generated, so that the same effect as that of the work dividing devices 10A, 10B, and 10C can be obtained. Further, similarly to the work dividing devices 10A, 10B and 10C, the region 4E may be cooled and the divided region 4A may be heated.

〔第５実施形態のワーク分割装置１０Ｅ〕
図９は、第５実施形態のワーク分割装置１０Ｅの要部断面図であり、図１に示した第１実施形態のワーク分割装置１０Ａ、及び図８に示した第４実施形態のワーク分割装置１０Ｄと同一又は類似の部材については、同一の符号を付して説明は省略する。 [Work splitting device 10E of the fifth embodiment]
FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part of the work dividing device 10E of the fifth embodiment, the work dividing device 10A of the first embodiment shown in FIG. 1, and the work dividing device of the fourth embodiment shown in FIG. Members that are the same as or similar to 10D are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

ワーク分割装置１０Ｅにおいて、ワーク分割装置１０Ａに対する構成の相違点は、冷気噴射口３０から噴射される冷却エアー３６によってチャンバー３４の内部空気を冷却することにより、ダイシングテープ４を含む雰囲気を冷却し、ダイシングテープ４の全体に第２温度を付与した点にある。つまり、冷却エアー３６の温度が第２温度に設定されている。また、低温チャックテーブル１２に加熱手段を設け、この加熱手段によって分割領域４Ａを局所的に加熱することにより、第２温度よりも高い第１温度を付与した点にある。ワーク分割装置１０Ｅでは、冷却エアー３６が雰囲気冷却手段に相当し、低温チャックテーブル１２が局所加熱手段に相当する。また、冷却エアー３６による冷却が雰囲気冷却工程に相当し、低温チャックテーブル１２による加熱が局所加熱工程に相当する。 In the work dividing device 10E, the difference in configuration from the work dividing device 10A is that the atmosphere including the dicing tape 4 is cooled by cooling the internal air of the chamber 34 by the cooling air 36 injected from the cold air injection port 30. The point is that the second temperature is applied to the entire dicing tape 4. That is, the temperature of the cooling air 36 is set to the second temperature. Further, the low temperature chuck table 12 is provided with a heating means, and the divided region 4A is locally heated by the heating means to give a first temperature higher than the second temperature. In the work dividing device 10E, the cooling air 36 corresponds to the atmosphere cooling means, and the low temperature chuck table 12 corresponds to the local heating means. Further, cooling by the cooling air 36 corresponds to the atmosphere cooling step, and heating by the low temperature chuck table 12 corresponds to the local heating step.

ワーク分割装置１０Ｅのように、冷却エアー３６によってダイシングテープ４を含む雰囲気を冷却しつつ、更に低温チャックテーブル１２によって分割領域４Ａを局所的に加熱することにより、分割領域４Ａに第１温度を付与し、領域４Ｅに第２温度を付与してもよい。これにより、分割領域４Ａに対して非分割領域４Ｂが相対的に低温となる温度差を生じさせることができるので、ワーク分割装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄと同等の効果を得ることができる。 Like the work dividing device 10E, the cooling air 36 cools the atmosphere including the dicing tape 4, and the low temperature chuck table 12 locally heats the dividing region 4A to impart the first temperature to the divided region 4A. Then, a second temperature may be applied to the region 4E. As a result, a temperature difference in which the non-divided region 4B becomes relatively low with respect to the divided region 4A can be generated, so that the same effect as that of the work dividing devices 10A, 10B, 10C, and 10D can be obtained.

実施形態では、フィルム状接着材３を有するウェーハユニット２を分割するワーク分割装置１０Ａ〜１０Ｅを説明したが、フィルム状接着材３の無いウェーハユニット２であっても、第１温度付与手段と第２温度付与手段とによって、分割領域４Ａと領域４Ｅとに、温度差（分割領域４Ａの温度＞領域４Ｅの温度）を付けてエキスパンドする場合にも、本発明は効果的である。つまり、フィルム状接着材３の無いウェーハユニット２であっても、分割領域４Ａの硬さはウェーハ１の硬さに支配されるため、領域４Ｅよりも拡張し難いからである。上記の如く温度差を付けることにより、分割領域４Ａの拡張量が領域４Ｅの拡張量と等しくなったり、分割領域４Ａが領域４Ｅよりも拡張し易くなったりするので、ウェーハ１を円滑に分割することができる。 In the embodiment, the work dividing devices 10A to 10E for dividing the wafer unit 2 having the film-shaped adhesive material 3 have been described, but even if the wafer unit 2 does not have the film-shaped adhesive material 3, the first temperature applying means and the first temperature-applying material 3 are described. The present invention is also effective when the divided region 4A and the region 4E are expanded by adding a temperature difference (temperature of the divided region 4A> temperature of the region 4E) by the two temperature applying means. That is, even in the wafer unit 2 without the film-like adhesive 3, the hardness of the divided region 4A is controlled by the hardness of the wafer 1, so that it is more difficult to expand than the region 4E. By adding the temperature difference as described above, the expansion amount of the division region 4A becomes equal to the expansion amount of the region 4E, and the division region 4A becomes easier to expand than the region 4E, so that the wafer 1 is smoothly divided. be able to.

また、フィルム状接着材３の無いウェーハユニット２においても、分割領域４Ａと領域４Ｅとに温度差を付けるために、領域４Ｅを冷却し、分割領域４Ａを加熱してもよい。 Further, even in the wafer unit 2 without the film-like adhesive 3, the region 4E may be cooled and the divided region 4A may be heated in order to give a temperature difference between the divided region 4A and the region 4E.

なお、ダイシングテープ４には、テープ生成方向によるＸ−Ｙ方向の伸び方の違いが存在する。原則的には、テープ生成方向に対して平行な方向が伸び易く、直交する方向が延び難い傾向にある。このようなダイシングテープ４の伸びの特性とエキスパンドリング１
６によるエキスパンド方向とを考慮して、ウェーハユニット２をワーク分割装置にセットすることにより、エキスパンド時におけるダイシングテープ４の伸びの均一性を向上させることができる。 The dicing tape 4 has a difference in how it stretches in the XY directions depending on the tape generation direction. In principle, the direction parallel to the tape generation direction tends to extend easily, and the direction orthogonal to the tape generation direction tends to be difficult to extend. The elongation characteristics of the dicing tape 4 and the expanding ring 1
By setting the wafer unit 2 in the work dividing device in consideration of the expanding direction according to 6, the uniformity of elongation of the dicing tape 4 at the time of expanding can be improved.

１…ウェーハ、２…ウェーハユニット、３…フィルム状接着材、４…ダイシングテープ、４Ａ…分割領域、４Ｂ…非分割領域、４Ｃ…固定領域、４Ｄ…突き上げ領域、５…フレーム、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ…ワーク分割装置、１２…低温チャックテーブル、１４…低温プレート、１６…エキスパンドリング、１８…リング昇降機構、２０…ローラ、２２…フレーム固定機構、２４…サブリング、２６…ノズル、２８…冷却エアー、３０…冷気噴射口、３２…冷却エアー、３４…チャンバー、３６…冷却エアー、４０…制御部 1 ... Wafer, 2 ... Wafer unit, 3 ... Film-like adhesive, 4 ... Dicing tape, 4A ... Divided area, 4B ... Undivided area, 4C ... Fixed area, 4D ... Push-up area, 5 ... Frame, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E ... Work dividing device, 12 ... Low temperature chuck table, 14 ... Low temperature plate, 16 ... Expanding ring, 18 ... Ring elevating mechanism, 20 ... Roller, 22 ... Frame fixing mechanism, 24 ... Sub ring, 26 ... Nozzle , 28 ... Cooling air, 30 ... Cold air injection port, 32 ... Cooling air, 34 ... Chamber, 36 ... Cooling air, 40 ... Control unit

Claims (2)

ウェーハが貼付されたダイシングテープを拡張することにより前記ウェーハを個々のチップに分割する場合に生じる前記ダイシングテープの拡張量の差を低減するための温度付与装置であって、
前記ダイシングテープを含む雰囲気を冷却する雰囲気冷却手段と、
前記ダイシングテープのうち、前記ウェーハが貼付された領域よりも外側の領域を前記雰囲気冷却手段よりも低温の温度で局所的に冷却する局所冷却手段と、
を備える、温度付与装置。 A temperature applying device for reducing a difference in the amount of expansion of the dicing tape that occurs when the wafer is divided into individual chips by expanding the dicing tape to which the wafer is attached.
An atmosphere cooling means for cooling the atmosphere including the dicing tape, and
A local cooling means for locally cooling a region of the dicing tape outside the region to which the wafer is attached at a temperature lower than that of the atmospheric cooling means.
A temperature imparting device. ウェーハが貼付されたダイシングテープを拡張することにより前記ウェーハを個々のチップに分割する場合に生じる前記ダイシングテープの拡張量の差を低減するための温度付与方法であって、
前記ダイシングテープを含む雰囲気を冷却する雰囲気冷却工程と、
前記ダイシングテープのうち、前記ウェーハが貼付された領域よりも外側の領域を前記雰囲気よりも低温の温度で局所的に冷却する局所冷却工程と、
備える、温度付与方法。 A temperature application method for reducing the difference in the amount of expansion of the dicing tape that occurs when the wafer is divided into individual chips by expanding the dicing tape to which the wafer is attached.
An atmosphere cooling step for cooling the atmosphere including the dicing tape, and
A local cooling step of locally cooling a region of the dicing tape outside the region to which the wafer is attached at a temperature lower than that of the atmosphere.
A method of applying temperature.
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