JP6922798B2 - 静電容量式圧力センサ - Google Patents

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Description

本発明は、静電容量式圧力センサに関する。
圧力センサは、主として気体や液体の圧力を検出するものであり、気圧センサや高度センサ、水圧センサとして各種の装置に適用されている。また、近年においては、これを高度センサとして利用する場合の一態様として、位置情報を得るためのナビゲーション装置への応用やユーザの運動量を精緻に計測する計測器への応用等、その適用範囲が広がりつつある。
MEMS(Micro Electro Mechanical System)センサチップとしての静電容量式圧力
センサが知られている。静電容量式圧力センサは、可動電極を有する基板と、固定電極を有する硬質基板とを備えている。可動電極と固定電極との間には、ギャップに応じた静電容量が発生する。静電容量式圧力センサに圧力が印加されることにより、可動電極を有する基板が撓み、可動電極と固定電極との間のギャップが変化することで、静電容量の変化を検出する。静電容量の変化に応じた圧力が検出される。ダイアフラムと基板表面との間で閉塞された空間に圧力室を形成し、圧力室内に導かれる測定圧力を検出する静電容量型圧力センサにおいて、圧力室に導かれる測定圧力の少なくとも一部をセンサ外部へリークさせる圧力リーク部を設けることが提案されている(特許文献1参照)。
特開平8−240502号公報
静電容量式圧力センサでは、大気圧の影響を受けることにより測定精度が低下するおれがある。大気圧の影響を抑えるため、静電容量式圧力センサに貫通孔が設けられている。従来、静電容量式圧力センサにおいて、硬質基板同士を用いていたが、静電容量式圧力センサにフレキシブル性を持たせるために、硬質基板とポリイミド等のシート部材からなるフレキシブル基板とを用いている。そのため、静電容量式圧力センサの屈曲時に、フレキシブル基板側に設けた貫通孔が潰れてしまう問題がある。このような状況に鑑み、本発明は、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することによって静電容量式圧力センサの測定精度を向上することを目的とする。
本発明では、上記課題を解決するために、以下の手段を採用した。すなわち、本発明は、第1電極を含むフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に対向して配置され、前記第1電極との間に中空部を介して前記第1電極に対向配置される第2電極を含む硬質基板と、前記フレキシブル基板と前記硬質基板との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板と前記硬質基板とを接合する接合部と、を備え、前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有する、静電容量式圧力センサである。
接合部の貫通孔を介して、中空部内に空気が導入されると共に、中空部内の空気が外気に排出される。これにより、静電容量式圧力センサの内部の密閉状態が解除され、大気圧と中空部内の圧力とが一致する。大気圧と中空部内の圧力とが一致することにより、大気
圧の影響を受けずに静電容量式圧力センサの測定が行われるため、静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。接合部に貫通孔を設けることにより、静電容量式圧力センサの屈曲時に貫通孔が潰れることが抑制されるため、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することによって静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。
静電容量式圧力センサにおいて、前記接合部は、前記フレキシブル基板側に配置された金属部材と、前記硬質基板側に配置された絶縁部材とを含み、前記貫通孔が、前記金属部材に設けられており、前記貫通孔が、前記第1電極及び前記絶縁部材に接している。金属部材に貫通孔が設けられているため、静電容量式圧力センサの屈曲時に貫通孔が潰れることが抑制されるため、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。
静電容量式圧力センサにおいて、前記接合部は、前記フレキシブル基板側に配置された金属部材と、前記硬質基板側に配置された防湿性の高い絶縁部材とを含み、前記貫通孔が、前記絶縁部材に設けられており、前記貫通孔が、前記金属部材に接している。防湿性の高い絶縁部材に設けられた貫通孔を空気が通る際、防湿性の高い絶縁部材の吸湿が抑制されるため、静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。絶縁部材に貫通孔が設けられているため、静電容量式圧力センサの屈曲時に貫通孔が潰れることが抑制されるため、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。
静電容量式圧力センサにおいて、前記貫通孔が、前記接合部の内部で蛇行している。静電容量式圧力センサにおいて、前記貫通孔が、前記接合部の内部で分岐している。
静電容量式圧力センサにおいて、前記フレキシブル基板は前記第1電極を複数含んでおり、複数の前記第1電極に対応する複数の前記第2電極、複数の前記硬質基板及び複数の前記接合部を備える。これにより、フレキシブル基板と複数の硬質基板とが接合された静電容量式圧力センサを用いた圧力の面測定が可能となる。
本発明によれば、静電容量式圧力センサの測定精度を向上すると共に、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。
図1Aは、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。 図1Bは、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。 図2は、可動電極の平面図である。 図3は、固定電極の平面図である。 図4は、壁部の平面図である。 図5は、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。 図6は、圧力センサの平面図の一例である。 図7は、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。 図8は、壁部の一例を示す図である。 図9は、壁部の一例を示す図である。 図10は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図11は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図12は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図13は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図14は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図15は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図16は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図17は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図18は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。 図19は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。
以下、実施形態について図を参照しながら説明する。以下に示す実施形態は、本願の一態様であり、本願の技術的範囲を限定するものではない。
<適用例>
まず、本発明が適用される場面の一例について説明する。図1A及び図1Bは、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。圧力センサ100は、静電容量式圧力センサの一例である。圧力センサ100は、可動部10及び固定基板部20を備える。可動部10は、可撓性を有する。可動部10は、シート基板11及び可動電極12を含む。可動電極12は、導体部13及びメッキ部14を有する。可動部10は、フレキシブル基板の一例である。また、シート基板11が、フレキシブル基板の一例であってもよい。可動電極12は、第1電極の一例である。
固定基板部20は、基板部21及び固定電極22を含む。固定基板部20は、可動部10との間に中空部(空隙)30を介して可動部10に対向して配置されている。固定電極22は、可動電極12との間に中空部30を介して可動電極12に対向配置されている。絶縁部23は、第1絶縁膜26及び第2絶縁膜27を有する。絶縁部23は、固定電極22を囲むようにして、固定基板部20上に設けられている。絶縁部23及び壁部24は、中空部30を囲むように設けられており、可動部10と固定基板部20とを接合する。固定基板部20は、硬質基板の一例である。固定電極22は、第2電極の一例である。絶縁部23は、固定基板部20側に配置され、壁部24は、可動部10側に配置されている。絶縁部23及び壁部24は、接合部の一例である。圧力センサ100は、可動電極12が撓むことで生じる静電容量の変化を検出することにより、可動電極12に印加された圧力を測定する。
図2は、可動電極12の平面図である。図3は、固定電極22の平面図である。図4は、壁部24の平面図である。なお、図1Aは、図2のB1−B1線における断面、図3のD1−D1線における断面及び図4のF1−F1線における断面に対応している。図1Bは、図2のB2−B2線における断面、図3のD2−D2線における断面及び図4のF2−F2線における断面に対応している。図2の例では、固定基板部20における可動部10との対向面の法線方向(図1A及び図1Bの矢印Aで示す方向)からの平面視において、可動電極12の形状は円形である。図3の例では、平面視において、固定電極22の形状は円形である。図2及び図3の例に限定されず、平面視において、可動電極12の形状及び固定電極22の形状は、楕円形、矩形等の他の形状であってもよい。図4の例では、平面視において、壁部24の形状は円形の環状である。図4の例に限定されず、平面視において、壁部24の形状は、楕円形の環状、矩形の環状等の他の形状であってもよい。
図2に示すように、可動電極12は、グランド(GND)線16に接続されている。また、信号線15が、可動電極12を挟むようにして、グランド線16に対向配置されている。信号線15は、可動電極12から離間している。可動電極12、信号線15及びグランド線16は、可動部10における固定基板部20との対向面に設けられている。具体的には、可動電極12、信号線15及びグランド線16は、シート基板11の下面に設けられている。シート基板11の下面は、基板部21の上面と対向している。図2では、シート基板11の外形線を点線で示している。図3に示すように、固定電極22は、信号パッド28に接続されている。また、グランドパッド29が、固定電極22を挟むようにして、信号パッド28に対向配置されている。
壁部24は、中空部30から壁部24の外側に向かって壁部24を貫通する貫通孔60を有する。図4の例では、壁部24に4つの貫通孔60が設けられているが、貫通孔60の個数は増減可能である。図4の例では、平面視において、貫通孔60が壁部24の内面61から外面62に向って伸びる直線形状である。図4の例に限らず、貫通孔60は他の形状であってもよい。壁部24に設けられた貫通孔60を介して、中空部30内に空気が導入されると共に、中空部30内の空気が外気に排出される。これにより、圧力センサ100の内部の密閉状態が解除され、大気圧と中空部30内の圧力とが一致する。大気圧と中空部30内の圧力とが一致することにより、大気圧の影響を受けずに圧力センサ100の測定が行われるため、圧力センサ100の測定精度が向上する。壁部24に貫通孔60を設けることにより、圧力センサ100の屈曲時に貫通孔60が潰れることが抑制されるため、圧力センサ100に安定的に貫通孔60を形成することができる。
<実施形態>
図5は、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。図6は、圧力センサ100の平面図の一例である。図5は、図6のH−H線に沿った断面を示している。また、図5は、図2のC−C線における断面、図3のE−E線における断面及び図4のG−G線における断面に対応している。図6では、4つの圧力センサ100(100A、100B、100C及び100D)が例示されると共に、コネクタ200及び静電容量測定回路300が例示される。図6の例では、4つの圧力センサ100が例示されているが、圧力センサ100の個数は増減可能である。4つの圧力センサ100は、シート基板11を共有する。
可動部10は、シート基板11、可動電極12、信号線15、グランド線16を含む。シート基板11は、可撓性を有する部材(例えば、ポリイミド)で形成される。シート基板11の下面に可動電極12、信号線15、グランド線16が設けられている。可動電極12、信号線15、グランド線16は、導電性を有する。可動電極12は、導体部13A及びメッキ部14Bを有する。信号線15は、導体部13B及びメッキ部14Bを有する。グランド線16は、導体部13C及びメッキ部14Cを有する。導体部13A、13B、13Cは、例えば、Cu(銅)等の金属で形成されている。メッキ部14A、14B、14Cは、例えば、Ti(チタン)、Au(金)等の金属で形成されている。なお、導体部13A、13B、13Cを総称する場合、導体部13と称し、メッキ部14A、14B、14Cを総称する場合、メッキ部14と称する。
固定基板部20は、基板部21、固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29を含む。基板部21は、容易に変形しない部材(例えば、ガラス)で形成される。基板部21の厚さは、例えば、300μm以上600μm以下であるが、この範囲に限定されない。基板部21が容易に変形しない部材で形成されるため、シート基板11への圧力の印加により可動部10が撓んでも、固定基板部20の変形は抑制される。基板部21の上面に固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29が配置されている。基板部21の上面は、シート基板11の下面と対向している。固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29は、導電性を有する。固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29は、例えば、Cr(クロム)等で形成されている。
固定基板部20には、固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29の周囲を囲むと共に、固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29の一部を覆う絶縁部23が設けられている。絶縁部23は、第1絶縁膜26、第2絶縁膜27を有する。絶縁部23は、絶縁部材の一例である。第1絶縁膜26は、例えば、TEOS(テトラエトキシシラン)、SiO(二酸化ケイ素)等によって形成されている。第2絶縁膜27は、SiN(窒化ケイ素)によって形成されている。第1絶縁膜26、第2絶縁膜27は、絶縁部
材の一例である。固定電極22の一部を覆う絶縁部23A上に壁部24Aが設けられている。壁部24は、金属部材の一例である。絶縁部23A及び壁部24Aは、基板部21上において、中空部30を囲むように設けられている。信号パッド28の一部を覆う絶縁部23B上に壁部24Bが設けられている。グランドパッド29の一部を覆う絶縁部23C上に壁部24Cが設けられている。壁部24A、24B、24Cは、例えば、Cu等の金属で形成されている。なお、絶縁部23A、23B、23Cを総称する場合、絶縁部23と称する。
絶縁部23(23A、23B、23C)及び壁部24(24A、24B、24C)が、可動部10と固定基板部20とを接合することで可動部10と固定基板部20とが一体となり、圧力センサ100が形成される。壁部24Bは、信号線15及び信号パッド28に接触している。壁部24Bを介して、信号線15が信号パッド28に電気的に接続されている。固定電極22が、信号パッド28に接続されているため、信号線15が固定電極22に電気的に接続されている。壁部24Cを介して、グランド線16がグランドパッド29に電気的に接続されている。圧力センサ100は、可動電極12及び固定電極22を電極板とするコンデンサとして動作する。
図6に示すように、複数の信号線15がコネクタ200に接続されている。コネクタ200は、静電容量測定回路300に接続されている。図6に例示されるように、シート基板11を共有して複数の圧力センサ100を並べることが可能である。すなわち、単一のシート基板11に複数の可動電極12を設けることにより、単一のシート基板11に複数の可動電極12及び複数の固定基板部20を列状、格子状又はアレイ状に配置することが可能である。したがって、圧力センサ100は、単一のシート基板11を共有する複数のセンサ素子を有する。この場合、複数の可動電極12同士が離間し、複数の固定基板部20同士が離間している。そのため、圧力センサ100に圧力が印加された際、隣接する複数の可動部10の一方が、隣接する複数の可動部10の他方の基板が撓むことを阻害しない。したがって、圧力センサ100に圧力が印加された際における可動部10の撓みが阻害されず、圧力センサ100に印加された圧力を高い精度で測定することができる。
圧力センサ100では、中空部30の上方から圧力センサ100に圧力が印加されると、印加された圧力に応じて可動部10が固定基板部20に向かって撓む。また、圧力センサ100に圧力が印加されなくなると、圧力センサ100は圧力が印加される前の状態に戻る。すなわち、圧力センサ100では、印加された圧力に応じて、可動電極12と固定電極22との間の距離が変動する。可動電極12と固定電極22との間の距離が変動すると、圧力センサ100の静電容量が変動する。例えば、図6に例示される静電容量測定回路300によって圧力センサ100の静電容量の変動が測定されることで、圧力センサ100に印加された圧力が検出される。
可動部10に接続線41が設けられている。図6に示すように、隣接する可動電極12の間に接続線41が配置されており、隣接する可動電極12同士が接続線41によって接続されている。接続線41は、可動電極12と同じ材料で形成されているが、接続線41は、熱伝導性樹脂で形成されてもよい。可動電極12同士が接続されることにより、複数の可動電極12の温度が均等化される。実施形態において、接続線41の形成を省略してもよい。
壁部24Aは、中空部30から壁部24Aの外側に向かって壁部24Aを貫通する貫通孔60を有する。壁部24Aに設けられた貫通孔60を介して、中空部30内に空気が導入されると共に、中空部30内の空気が外気に排出される。これにより、大気圧と中空部30内の圧力とが一致する。大気圧と中空部30内の圧力とが一致することにより、大気圧の影響を受けずに圧力センサ100の測定が行われるため、圧力センサ100の測定精
度が向上する。壁部24Aに貫通孔60を設けることにより、圧力センサ100に安定的に貫通孔60を形成することができる。壁部24Aに貫通孔60が設けられているため、壁部24Aの内部を空気が通り、絶縁部23Aの内部を空気が通らない。したがって、絶縁部23Aの吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。貫通孔60の形成は、壁部24Aの形成工程と同一の工程で行われる。これにより、圧力センサ100の製造工程を増加せずに、壁部24Aに貫通孔60を形成することができる。
第1絶縁膜26は、TEOS、SiO等によって形成された酸化シリコン膜である。酸化シリコン膜は吸湿性を有する。酸化シリコン膜が吸湿することにより、圧力センサ100の測定に悪影響を与える可能性がある。第2絶縁膜27は、SiNによって形成された窒化シリコン膜である。窒化シリコン膜は防湿性の高い部材である。第2絶縁膜27は、防湿性の高い絶縁部材の一例である。絶縁部23が第2絶縁膜27を含むことにより、絶縁部23の吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。例えば、図5に示すように、第2絶縁膜27が第1絶縁膜26を覆うことにより、第1絶縁膜26の吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。壁部24Aに設けられた貫通孔60が、可動電極12に接していると共に、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に接している。圧力センサ100が屈曲した際、可動電極12が貫通孔60内に進入し、可動電極12が第2絶縁膜27に接触しても、可動電極12と第2絶縁膜27とが接合されない。したがって、圧力センサ100の屈曲が解除された際、可動電極12が貫通孔60を塞がない。このため、中空部30内への空気の導入及び中空部30内から外気への空気の排出が維持される。第2絶縁膜27は、防湿性の高い部材であるため、壁部24Aに設けられた貫通孔60を空気が通る際、絶縁部23Aの第2絶縁膜27の吸湿が抑制される。したがって、絶縁部23Aの吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。
図7は、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。図7では、圧力センサ100の一部を拡大して示している。図7に示すように、絶縁部23Aの第2絶縁膜27が、中空部30から第2絶縁膜27の外側に向かって第2絶縁膜27を貫通する貫通孔63を有してもよい。絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63を介して、中空部30内に空気が導入されると共に、中空部30内の空気が外気に排出される。これにより、圧力センサ100の内部の密閉状態が解除され、大気圧と中空部30内の圧力とが一致する。大気圧と中空部30内の圧力とが一致することにより、大気圧の影響を受けずに圧力センサ100の測定が行われるため、圧力センサ100の測定精度が向上する。第2絶縁膜27は、防湿性の高い部材であるため、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63を空気が通る際、絶縁部23Aの第2絶縁膜27の吸湿が抑制される。したがって、絶縁部23Aの吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。図7の例では、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、壁部24Aと第2絶縁膜27との境界に配置されている。すなわち、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、壁部24Aに接している。図7の例では、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、第1絶縁膜26に接していない。したがって、貫通孔63と第1絶縁膜26との間に第2絶縁膜27が存在している。圧力センサ100が屈曲した際、壁部24Aが貫通孔63内に進入し、壁部24Aが第2絶縁膜27に接触しても、壁部24Aと第2絶縁膜27とが接合されない。したがって、圧力センサ100の屈曲が解除された際、壁部24Aが貫通孔63を塞がない。このため、中空部30内への空気の導入及び中空部30内から外気への空気の排出が維持される。図7の例に限らず、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、第1絶縁膜26に接してもよい。貫通孔63の形成は、第2絶縁膜27の形成工程と同一の工程で行われる。これにより、圧力センサ100の製造工程を増加せずに、第2絶縁膜27に貫通孔63を形成することができる。
図8及び図9は、壁部24Aの一例を示す図である。図8及び図9に示すように、壁部24Aに設けられた複数の貫通孔60が、壁部24Aの内部で蛇行してもよい。平面視に
おいて、複数の貫通孔60が壁部24Aの内面61から外面62に向って蛇行しながら伸びている。また、図9に示すように、貫通孔60が、壁部24Aの内部で分岐してもよい。更に、図9に示すように、複数の貫通孔60が、壁部24Aの内部で相互に連結されてもよい。貫通孔60が、壁部24Aの内部で蛇行することにより、壁部24Aの外側から中空部30までの経路が長くなり、中空部30内へのごみの侵入が抑制される。貫通孔60が、壁部24Aの内部で分岐することにより、壁部24Aの外側から中空部30までの経路が長くなり、中空部30内へのごみの侵入が抑制される。これにより、圧力センサ100の歩留まりや信頼性が向上する。図9に示すように、壁部24Aの形状に沿って貫通孔60の一部が配置されているため、壁部24の接合力が低下せず、壁部24の接合力を均等に保つことができる。図8及び図9に示す壁部24Aの構造は、絶縁部23Aの第2絶縁膜27の構造に適用してもよい。すなわち、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で蛇行してもよい。また、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で分岐してもよい。更に、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で相互に連結されてもよい。
<圧力センサ100の製造工程>
図10(A)から図17(B)は、圧力センサ100の製造工程の一例を示す図である。以下、図10(A)から図17(B)を参照して、圧力センサ100の製造工程の一例について説明する。
(固定基板部20の製造工程)
図10(A)から図13(B)は固定基板部20の製造工程の一例を示す。図10(A)、図11(A)、図12(A)、図13(A)は、固定基板部20の平面図である。図10(B)、図11(B)、図12(B)、図13(B)は、固定基板部20の断面図である。図10(B)、図11(B)、図12(B)、図13(B)のそれぞれは、図10(A)、図11(A)、図12(A)、図13(A)の各J−J線に沿った断面を示している。図10(A)、図10(B)では、基板部21の可動部10に対向する面上に固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29が形成される。固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29の各厚みは、例えば、200nmであるが、この値に限定されない。次に、図11(A)、図11(B)では、固定電極22の一部、信号パッド28の一部、グランドパッド29の一部を覆うように第1絶縁膜26が形成される。第1絶縁膜26の厚みは、例えば、550nmであるが、この値に限定されない。続いて、図12(A)、図12(B)では、第1絶縁膜26を覆うように第2絶縁膜27が形成される。これにより、絶縁部23Aが固定電極22の一部を覆い、絶縁部23Bが信号パッド28の一部を覆い、絶縁部23Cがグランドパッド29の一部を覆う。絶縁部23A、23B、23Cは、第1絶縁膜26、第2絶縁膜27を有する。第2絶縁膜27の厚みは、例えば、100nmであるが、この値に限定されない。固定電極22、絶縁部23A、23B、23C、信号パッド28、グランドパッド29は、例えば、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことによって、所定パターンに形成される。
次いで、図13(A)、図13(B)では、メッキ処理を行うことにより、固定基板部20に壁部24が形成される。詳細には、絶縁部23A上に壁部24Aが形成され、絶縁部23B上に壁部24Bが形成され、絶縁部23C上に壁部24Cが形成される。壁部24A、壁部24B、壁部24Cの形成工程において、壁部24Aに貫通孔60が形成される。壁部24Bが、信号パッド28に接触しており、壁部24Bと信号パッド28とが電気的に接続される。壁部24Cが、グランドパッド29に接触しており、壁部24Bとグランドパッド29とが電気的に接続される。なお、壁部24A、24B、24Cを総称する場合、壁部24と称する。なお、壁部24をスパッタリングにより形成してもよい。即ち、スパッタ装置にて固定基板部20にメッキ層を成膜した後で、レジストを塗布してエ
ッチングすることによって壁部24のパターンを形成してもよい。
(可動部10の製造工程)
図14(A)から図17(B)は可動部10の製造工程の一例を示す。図14(A)、図15(A)、図16(A)、図17(A)は、可動部10の平面図である。図14(B)、図15(B)、図16(B)、図17(B)は、可動部10の断面図である。図14(B)、図15(B)、図16(B)、図17(B)のそれぞれは、図14(A)、図15(A)、図16(A)、図17(A)の各K−K線に沿った断面を示している。図14(A)、図14(B)では、サポート基板50に固定されたシート基板11の固定基板部20に対向する面上に導体部13が形成される。導体部13は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)によって平坦化される。図15(A)、図15(B)では、導体部1
3上にメッキ部14が形成される。例えば、導体部13上に50nmの厚みのTiと、100nmの厚みのAuとを形成することにより、導体部13上にメッキ部14が形成されてもよい。図16(A)、図16(B)では、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことにより、導体部13、メッキ部14のパターンが形成される。これにより、シート基板11の固定基板部20に対向する面上に可動電極12、信号線15、グランド線16、接続線41が形成される。図17(A)、図17(B)では、可動部10からサポート基板50が剥離される。
(可動部10と固定基板部20の接合工程)
図18は、固定基板部20と可動部10とを接合する工程の一例を示す。図18では、可動部10と固定基板部20とが接合される。接合方法は特に限定されない。可動部10と固定基板部20とは、例えば、常温接合によって接合されてもよい。常温接合では、例えば、メッキ部14の壁部24に対向する面と壁部24のメッキ部14に対向する面とに対して、当該面を平滑にする処理と当該面から不純物を除去して清浄にする処理とが行われる。これらの処理が施されたメッキ部14と壁部24とが接触すると、メッキ部14と壁部24との間で働く分子間力によって、可動部10と固定基板部20とが接合される。
図19は、図10(A)から図18までの工程によって製造された圧力センサ100について、シート基板11を共有する2つの圧力センサ100を並べた様子を例示する。図19では、固定基板部20がダイシングによって個片化されている。図19に例示するように、シート基板11を共有して複数の圧力センサ100を並べることで、圧力検出の対象とする面積を広げることが可能である。図19の例では、2つの圧力センサ100(100A、100B)が例示されているが、圧力センサ100の個数は増減可能である。
また、可動部10と固定基板部20の接合工程においてメッキ部14及び壁部24の表面を平坦化する処理を行わずに、可動部10、固定基板部20それぞれの製造工程で、表面の平坦性を担保するようにしてもよい。例えば、可動部10の製造工程において、シート基板11に対して可動電極12となる金属(例えばCu)をCMP処理して平坦にし、その上にスパッタ装置でメッキ部14を成膜してもよい。
<付記>
第1電極(12)を含むフレキシブル基板(10)と、
前記フレキシブル基板(10)に対向して配置され、前記第1電極(12)との間に中空部(30)を介して前記第1電極に(12)対向配置される第2電極(22)を含む硬質基板(20)と、
前記フレキシブル基板(10)と前記硬質基板(20)との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板(10)と前記硬質基板(20)とを接合する接合部(23、24)と、
を備え、
前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有する、
ことを特徴とする静電容量式圧力センサ(100)。
100、100A、100B、100C、100D・・・圧力センサ
10・・・可動部
11・・・シート基板
12・・・可動電極
15・・・信号線
16・・・グランド線
20・・・固定基板部
21・・・基板部
22・・・固定電極
23、23A、23B、23C・・・絶縁部
24、24A、24B、24C・・・壁部
26・・・第1絶縁膜
27・・・第2絶縁膜
30・・・中空部
60、63・・・貫通孔

Claims (6)

  1. 第1電極を含むフレキシブル基板と、
    前記フレキシブル基板に対向して配置され、前記第1電極との間に中空部を介して前記第1電極に対向配置される第2電極を含む硬質基板と、
    前記フレキシブル基板と前記硬質基板との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板と前記硬質基板とを接合する接合部と、
    を備え、
    前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有
    前記接合部は、前記フレキシブル基板側に配置され前記第1電極に接触する金属部材と、前記硬質基板側に配置された絶縁部材とを含む、
    ことを特徴とする静電容量式圧力センサ。
  2. 前記貫通孔が、前記金属部材に設けられており、
    前記貫通孔が、前記第1電極及び前記絶縁部材に接している、
    ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式圧力センサ。
  3. 前記絶縁部材は、防湿性が高く
    前記貫通孔が、前記絶縁部材に設けられており、
    前記貫通孔が、前記金属部材に接している、
    ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式圧力センサ。
  4. 前記貫通孔が、前記接合部の内部で蛇行している、
    ことを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。
  5. 前記貫通孔が、前記接合部の内部で分岐している、
    ことを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。
  6. 前記フレキシブル基板は前記第1電極を複数含んでおり、
    複数の前記第1電極に対応する複数の前記第2電極、複数の前記硬質基板及び複数の前記接合部を備える、
    ことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。
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