JP6922798B2 - 静電容量式圧力センサ - Google Patents
静電容量式圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6922798B2 JP6922798B2 JP2018047682A JP2018047682A JP6922798B2 JP 6922798 B2 JP6922798 B2 JP 6922798B2 JP 2018047682 A JP2018047682 A JP 2018047682A JP 2018047682 A JP2018047682 A JP 2018047682A JP 6922798 B2 JP6922798 B2 JP 6922798B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- hole
- substrate
- electrode
- wall portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
センサが知られている。静電容量式圧力センサは、可動電極を有する基板と、固定電極を有する硬質基板とを備えている。可動電極と固定電極との間には、ギャップに応じた静電容量が発生する。静電容量式圧力センサに圧力が印加されることにより、可動電極を有する基板が撓み、可動電極と固定電極との間のギャップが変化することで、静電容量の変化を検出する。静電容量の変化に応じた圧力が検出される。ダイアフラムと基板表面との間で閉塞された空間に圧力室を形成し、圧力室内に導かれる測定圧力を検出する静電容量型圧力センサにおいて、圧力室に導かれる測定圧力の少なくとも一部をセンサ外部へリークさせる圧力リーク部を設けることが提案されている(特許文献1参照)。
圧の影響を受けずに静電容量式圧力センサの測定が行われるため、静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。接合部に貫通孔を設けることにより、静電容量式圧力センサの屈曲時に貫通孔が潰れることが抑制されるため、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することによって静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。
まず、本発明が適用される場面の一例について説明する。図1A及び図1Bは、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。圧力センサ100は、静電容量式圧力センサの一例である。圧力センサ100は、可動部10及び固定基板部20を備える。可動部10は、可撓性を有する。可動部10は、シート基板11及び可動電極12を含む。可動電極12は、導体部13及びメッキ部14を有する。可動部10は、フレキシブル基板の一例である。また、シート基板11が、フレキシブル基板の一例であってもよい。可動電極12は、第1電極の一例である。
図5は、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。図6は、圧力センサ100の平面図の一例である。図5は、図6のH−H線に沿った断面を示している。また、図5は、図2のC−C線における断面、図3のE−E線における断面及び図4のG−G線における断面に対応している。図6では、4つの圧力センサ100(100A、100B、100C及び100D)が例示されると共に、コネクタ200及び静電容量測定回路300が例示される。図6の例では、4つの圧力センサ100が例示されているが、圧力センサ100の個数は増減可能である。4つの圧力センサ100は、シート基板11を共有する。
材の一例である。固定電極22の一部を覆う絶縁部23A上に壁部24Aが設けられている。壁部24は、金属部材の一例である。絶縁部23A及び壁部24Aは、基板部21上において、中空部30を囲むように設けられている。信号パッド28の一部を覆う絶縁部23B上に壁部24Bが設けられている。グランドパッド29の一部を覆う絶縁部23C上に壁部24Cが設けられている。壁部24A、24B、24Cは、例えば、Cu等の金属で形成されている。なお、絶縁部23A、23B、23Cを総称する場合、絶縁部23と称する。
度が向上する。壁部24Aに貫通孔60を設けることにより、圧力センサ100に安定的に貫通孔60を形成することができる。壁部24Aに貫通孔60が設けられているため、壁部24Aの内部を空気が通り、絶縁部23Aの内部を空気が通らない。したがって、絶縁部23Aの吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。貫通孔60の形成は、壁部24Aの形成工程と同一の工程で行われる。これにより、圧力センサ100の製造工程を増加せずに、壁部24Aに貫通孔60を形成することができる。
おいて、複数の貫通孔60が壁部24Aの内面61から外面62に向って蛇行しながら伸びている。また、図9に示すように、貫通孔60が、壁部24Aの内部で分岐してもよい。更に、図9に示すように、複数の貫通孔60が、壁部24Aの内部で相互に連結されてもよい。貫通孔60が、壁部24Aの内部で蛇行することにより、壁部24Aの外側から中空部30までの経路が長くなり、中空部30内へのごみの侵入が抑制される。貫通孔60が、壁部24Aの内部で分岐することにより、壁部24Aの外側から中空部30までの経路が長くなり、中空部30内へのごみの侵入が抑制される。これにより、圧力センサ100の歩留まりや信頼性が向上する。図9に示すように、壁部24Aの形状に沿って貫通孔60の一部が配置されているため、壁部24の接合力が低下せず、壁部24の接合力を均等に保つことができる。図8及び図9に示す壁部24Aの構造は、絶縁部23Aの第2絶縁膜27の構造に適用してもよい。すなわち、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で蛇行してもよい。また、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で分岐してもよい。更に、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で相互に連結されてもよい。
図10(A)から図17(B)は、圧力センサ100の製造工程の一例を示す図である。以下、図10(A)から図17(B)を参照して、圧力センサ100の製造工程の一例について説明する。
図10(A)から図13(B)は固定基板部20の製造工程の一例を示す。図10(A)、図11(A)、図12(A)、図13(A)は、固定基板部20の平面図である。図10(B)、図11(B)、図12(B)、図13(B)は、固定基板部20の断面図である。図10(B)、図11(B)、図12(B)、図13(B)のそれぞれは、図10(A)、図11(A)、図12(A)、図13(A)の各J−J線に沿った断面を示している。図10(A)、図10(B)では、基板部21の可動部10に対向する面上に固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29が形成される。固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29の各厚みは、例えば、200nmであるが、この値に限定されない。次に、図11(A)、図11(B)では、固定電極22の一部、信号パッド28の一部、グランドパッド29の一部を覆うように第1絶縁膜26が形成される。第1絶縁膜26の厚みは、例えば、550nmであるが、この値に限定されない。続いて、図12(A)、図12(B)では、第1絶縁膜26を覆うように第2絶縁膜27が形成される。これにより、絶縁部23Aが固定電極22の一部を覆い、絶縁部23Bが信号パッド28の一部を覆い、絶縁部23Cがグランドパッド29の一部を覆う。絶縁部23A、23B、23Cは、第1絶縁膜26、第2絶縁膜27を有する。第2絶縁膜27の厚みは、例えば、100nmであるが、この値に限定されない。固定電極22、絶縁部23A、23B、23C、信号パッド28、グランドパッド29は、例えば、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことによって、所定パターンに形成される。
ッチングすることによって壁部24のパターンを形成してもよい。
図14(A)から図17(B)は可動部10の製造工程の一例を示す。図14(A)、図15(A)、図16(A)、図17(A)は、可動部10の平面図である。図14(B)、図15(B)、図16(B)、図17(B)は、可動部10の断面図である。図14(B)、図15(B)、図16(B)、図17(B)のそれぞれは、図14(A)、図15(A)、図16(A)、図17(A)の各K−K線に沿った断面を示している。図14(A)、図14(B)では、サポート基板50に固定されたシート基板11の固定基板部20に対向する面上に導体部13が形成される。導体部13は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)によって平坦化される。図15(A)、図15(B)では、導体部1
3上にメッキ部14が形成される。例えば、導体部13上に50nmの厚みのTiと、100nmの厚みのAuとを形成することにより、導体部13上にメッキ部14が形成されてもよい。図16(A)、図16(B)では、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことにより、導体部13、メッキ部14のパターンが形成される。これにより、シート基板11の固定基板部20に対向する面上に可動電極12、信号線15、グランド線16、接続線41が形成される。図17(A)、図17(B)では、可動部10からサポート基板50が剥離される。
図18は、固定基板部20と可動部10とを接合する工程の一例を示す。図18では、可動部10と固定基板部20とが接合される。接合方法は特に限定されない。可動部10と固定基板部20とは、例えば、常温接合によって接合されてもよい。常温接合では、例えば、メッキ部14の壁部24に対向する面と壁部24のメッキ部14に対向する面とに対して、当該面を平滑にする処理と当該面から不純物を除去して清浄にする処理とが行われる。これらの処理が施されたメッキ部14と壁部24とが接触すると、メッキ部14と壁部24との間で働く分子間力によって、可動部10と固定基板部20とが接合される。
第1電極(12)を含むフレキシブル基板(10)と、
前記フレキシブル基板(10)に対向して配置され、前記第1電極(12)との間に中空部(30)を介して前記第1電極に(12)対向配置される第2電極(22)を含む硬質基板(20)と、
前記フレキシブル基板(10)と前記硬質基板(20)との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板(10)と前記硬質基板(20)とを接合する接合部(23、24)と、
を備え、
前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有する、
ことを特徴とする静電容量式圧力センサ(100)。
10・・・可動部
11・・・シート基板
12・・・可動電極
15・・・信号線
16・・・グランド線
20・・・固定基板部
21・・・基板部
22・・・固定電極
23、23A、23B、23C・・・絶縁部
24、24A、24B、24C・・・壁部
26・・・第1絶縁膜
27・・・第2絶縁膜
30・・・中空部
60、63・・・貫通孔
Claims (6)
- 第1電極を含むフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に対向して配置され、前記第1電極との間に中空部を介して前記第1電極に対向配置される第2電極を含む硬質基板と、
前記フレキシブル基板と前記硬質基板との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板と前記硬質基板とを接合する接合部と、
を備え、
前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有し、
前記接合部は、前記フレキシブル基板側に配置され前記第1電極に接触する金属部材と、前記硬質基板側に配置された絶縁部材とを含む、
ことを特徴とする静電容量式圧力センサ。 - 前記貫通孔が、前記金属部材に設けられており、
前記貫通孔が、前記第1電極及び前記絶縁部材に接している、
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式圧力センサ。 - 前記絶縁部材は、防湿性が高く、
前記貫通孔が、前記絶縁部材に設けられており、
前記貫通孔が、前記金属部材に接している、
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式圧力センサ。 - 前記貫通孔が、前記接合部の内部で蛇行している、
ことを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。 - 前記貫通孔が、前記接合部の内部で分岐している、
ことを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。 - 前記フレキシブル基板は前記第1電極を複数含んでおり、
複数の前記第1電極に対応する複数の前記第2電極、複数の前記硬質基板及び複数の前記接合部を備える、
ことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018047682A JP6922798B2 (ja) | 2018-03-15 | 2018-03-15 | 静電容量式圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018047682A JP6922798B2 (ja) | 2018-03-15 | 2018-03-15 | 静電容量式圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019158717A JP2019158717A (ja) | 2019-09-19 |
JP6922798B2 true JP6922798B2 (ja) | 2021-08-18 |
Family
ID=67993331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018047682A Active JP6922798B2 (ja) | 2018-03-15 | 2018-03-15 | 静電容量式圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6922798B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0894472A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Omron Corp | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法並びに当該圧力センサを備えたガスメータ及び血圧計 |
JPH11201847A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
JP2005207993A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Alps Electric Co Ltd | 面圧分布センサおよび面圧分布センサの製造方法 |
JP5051039B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2012-10-17 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
WO2013003789A1 (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | Invensense, Inc. | Hermetically sealed mems device with a portion exposed to the environment with vertically integrated electronics |
JP5974938B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2016-08-23 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサ及び入力装置 |
JP5974939B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2016-08-23 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサ及び入力装置 |
FI126999B (en) * | 2014-01-17 | 2017-09-15 | Murata Manufacturing Co | Improved pressure sensor |
US10006824B2 (en) * | 2014-09-29 | 2018-06-26 | Invensense, Inc. | Microelectromechanical systems (MEMS) pressure sensor having a leakage path to a cavity |
-
2018
- 2018-03-15 JP JP2018047682A patent/JP6922798B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019158717A (ja) | 2019-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9967679B2 (en) | System and method for an integrated transducer and temperature sensor | |
JP5576331B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
US20070222006A1 (en) | Micromechanical component and corresponding manufacturing method | |
US9752944B2 (en) | Microelectromechanical sensing structure for a pressure sensor including a deformable test structure | |
JP6922798B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
TWI671510B (zh) | 靜電電容式壓力傳感器 | |
WO2019098015A1 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
JP6922797B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
JP6812953B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
JP6340967B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP6773008B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
TWI593948B (zh) | 具有複合腔體的壓力感測器及其製造方法 | |
JP6834919B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
JP2009098022A (ja) | 半導体装置 | |
WO2019098076A1 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
JP7370819B2 (ja) | センサチップ | |
JP2006214963A (ja) | 加速度センサ及び電子機器並びに加速度センサの製造方法 | |
US20170233248A1 (en) | Micro sensor and manufacturing method thereof | |
KR100495802B1 (ko) | 적외선 감지용 픽셀 및 그 제조 방법 | |
JP2010060464A (ja) | 物理量センサ | |
US20200264022A1 (en) | Method for Forming Micromachined Liquid Flow Sensor | |
JP2012068149A (ja) | 静電容量型圧力センサ、圧力測定装置、及び、静電容量型圧力センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180522 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180522 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210302 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6922798 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |