JP6921319B2 - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6921319B2 JP6921319B2 JP2020519881A JP2020519881A JP6921319B2 JP 6921319 B2 JP6921319 B2 JP 6921319B2 JP 2020519881 A JP2020519881 A JP 2020519881A JP 2020519881 A JP2020519881 A JP 2020519881A JP 6921319 B2 JP6921319 B2 JP 6921319B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- bypass
- main power
- main
- bridge circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 428
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 69
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 62
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims description 45
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M7/219—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
- H02M7/4835—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels comprising two or more cells, each including a switchable capacitor, the capacitors having a nominal charge voltage which corresponds to a given fraction of the input voltage, and the capacitors being selectively connected in series to determine the instantaneous output voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
- H02M1/0006—Arrangements for supplying an adequate voltage to the control circuit of converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
- H02M1/092—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/60—Arrangements for transfer of electric power between AC networks or generators via a high voltage DC link [HVCD]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
実施の形態1では、2つのハーフブリッジ回路が直列に接続されることによって1つのサブモジュールが構成される。サブモジュールが外部端子を介して他のサブモジュールと直列接続される。
電力変換装置104は、複数個のサブモジュール101と、複数個のリアクトル102とを備える。
1つの相の出力端は負荷105に接続されるとともに、出力端とならないアームの他方の端子は直流電圧源106の両端にそれぞれ接続される。
サブモジュール101aは、第1のハーフブリッジ回路204aと、第2のハーフブリッジ回路204bと、主回路給電装置213aと、主回路給電装置213bと、ゲート駆動装置211aと、ゲート駆動装置211bと、個別コントローラ210と、バイパス部206と、バイパス部駆動装置212とを備える。
従って、バイパス用パワー半導体207a,207bをオフ状態からオン状態に変化させるのに必要な瞬時電力は、スイッチング周波数fswを1とし、2で除算した値である。2で除算するのは、式(1)において、右辺を2で乗算してオン/オフを考慮しているのに対して、バイパス動作はオンのみだからである。この電力は、例えばスイッチング周波数fswが1000Hzの場合の電力と比較すると、2000分の1である。
実施の形態2の電力変換装置は、図2に示す実施の形態1のサブモジュール101aの構成に加えて、中間端子209にインピーダンス要素を新たに挿入する。
サブモジュール101bは、2つのバイパス用パワー半導体207a,207bの接続点NX1と2つのハーフブリッジ回路204a,204bの接続点NX2との間に配置されたインピーダンス要素701を備える。
図8には、ハーフブリッジ回路204aにおいて、主パワー半導体201aが短絡故障して、バイパス用パワー半導体207aがオン状態となった場合の短絡電流の経路が示される。
図9には、ハーフブリッジ回路204bにおいて主パワー半導体201dが短絡故障して、バイパス用パワー半導体207bがオン状態となった場合の短絡電流の経路が示される。
一方、3つの図4に示すパワーモジュール401を用いることによって、インピーダンス要素701を実現できる。すなわち、主パワー半導体201a,201bおよび還流ダイオード202a,202bを第1のパワーモジュールで構成し、主パワー半導体201c,201dおよび還流ダイオード202c,202dを第2のパワーモジュールで構成し、バイパス用パワー半導体207a,207bおよび還流ダイオード208a,208bを第3のパワーモジュールで構成する。これらの3つのパワーモジュールを導体で接続すると、パワーモジュール内部の配線によるインピーダンスと比較して、パワーモジュール外部の導体の配線によるインピーダンスの方が大きくなる。この特性を用いて、インピーダンス要素701を実現することができる。ただし、この方式によるバイパス用パワー半導体207a,207bの短絡電流流入の抑制効果は、リアクトル等でインピーダンスを構成する場合と比較すると劣る。
実施の形態3の電力変換装置では、サブモジュールが1つのハーフブリッジ回路を有し、サブモジュールが、外部端子を介して他のサブモジュールと直列接続される。
サブモジュール101cは、ハーフブリッジ回路1004と、主回路給電装置1012と、ゲート駆動装置1010と、個別コントローラ1009と、バイパス部1006と、バイパス部駆動装置1011とを備える。
主パワー半導体1001a,1001bとの間のノードNDCが外部端子1005Pと接続される。主パワー半導体1001bと電気エネルギー蓄積要素1003との接続点が外部端子1005Nと接続される。
実施の形態4は、異常サブモジュールが存在する電力変換装置の起動方法に係るものである。例えば、異常サブモジュールが常に開放状態となっているような場合、この異常サブモジュールを含んだ状態では、電力変換装置の初期充電が完了できない。従って、異常サブモジュールを含んだ状態で電力変換装置を起動させる場合には、予め確実に異常サブモジュールをバイパスして、電力変換装置から切り離しておくことが要求される。
なお、ハーフブリッジ回路204aの主パワー半導体201a,201b、ハーフブリッジ回路204b内の主パワー半導体201c,201dは、電力変換装置の起動前なので、オフに設定されている。
実施の形態5の電力変換装置のサブモジュールは、フルブリッジ回路を備える。フルブリッジ回路は、2つのハーフブリッジ回路を組み合わせることによって構成される。このサブモジュールは、外部端子を介して他のサブモジュールと直列接続される。
サブモジュール101dは、フルブリッジ回路1304を備える。
Claims (16)
- 電力変換装置であって、
直列接続された電力変換を行うサブモジュールを複数個備え、
前記サブモジュールは、
オン/オフ制御によって電力変換を行う直列接続された2つの主パワー半導体と、前記直列接続された2つの主パワー半導体の経路と並列に接続された電気エネルギー蓄積要素とを含むブリッジ回路と、
バイパス用パワー半導体を含むバイパス部と、
前記バイパス部を駆動するバイパス部駆動装置と、
第1の外部端子と第2の外部端子とを含み、
前記第1の外部端子と前記第2の外部端子の間に前記バイパス部が配置され、前記第1の外部端子と、前記2つの主パワー半導体の間のノードとが接続され、
前記電力変換装置は、さらに、
前記バイパス部駆動装置を給電するための光による給電系を備える、電力変換装置。 - 前記バイパス用パワー半導体は、前記主パワー半導体と比較して定格電圧の高いパワー半導体である、請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記バイパス用パワー半導体をオン状態とするための信号を伝送するために第1の伝達経路と第2の伝達経路とを有する、請求項1または2記載の電力変換装置。
- 前記第1の伝達経路による前記信号の伝達時間は、前記第2の伝達経路による信号の伝達時間よりも短い、請求項3記載の電力変換装置。
- 前記電気エネルギー蓄積要素で生成された電力によって駆動される個別コントローラと、
接地電位と接続される中央コントローラとを備え、
前記個別コントローラが前記第1の伝達経路を通じて、前記バイパス用パワー半導体をオン状態とするための第1の制御信号を前記バイパス部駆動装置へ送信し、
前記中央コントローラが前記第2の伝達経路を通じて、前記バイパス用パワー半導体をオン状態とするための第2の制御信号を前記バイパス部駆動装置へ送信し、
前記サブモジュールの異常検出から前記第1の制御信号が前記バイパス部駆動装置へ伝達されるまでの時間が、前記サブモジュールの異常検出から前記第2の制御信号が前記バイパス部駆動装置へ伝達されるまでの時間よりも短い、請求項3または4に記載の電力変換装置。 - 前記光による給電系は、光ファイバーを用いた給電系である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記2つの主パワー半導体を駆動するゲート駆動装置と、
前記バイパス部駆動装置および前記ゲート駆動装置を制御する個別コントローラと、
前記電気エネルギー蓄積要素と並列に接続され、前記個別コントローラ、およびゲート駆動装置へ電力を供給する主回路給電装置とを備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 前記個別コントローラは、前記ブリッジ回路に異常が検出された場合に、前記2つの主パワー半導体のうち、オン状態に設定するバイパス用パワー半導体と並列に接続された主パワー半導体をオン状態にする指令を出力し、前記2つの主パワー半導体のうち残りの主パワー半導体をオフ状態に設定する指令を伝送する、請求項7に記載の電力変換装置。
- 前記サブモジュールは、前記ブリッジ回路として、第1のハーフブリッジ回路と第2のハーフブリッジ回路を備え、
前記第1のハーフブリッジ回路は、直列接続された第1の主パワー半導体と第2の主パワー半導体とを含み、
前記第2のハーフブリッジ回路は、直列接続された第3の主パワー半導体と第4の主パワー半導体とを含み、
前記バイパス部は、
前記第2の主パワー半導体と並列に接続された第1のバイパス用パワー半導体と、前記第3の主パワー半導体と並列に接続された第2のバイパス用パワー半導体とを含み、前記第1の主パワー半導体と前記第2のバイパス用パワー半導体とが直列接続され、
前記第2の主パワー半導体と前記第3の主パワー半導体との接続点と、前記第1のバイパス用パワー半導体と前記第2のバイパス用パワー半導体の接続点とが電気的に接続されている、請求項7に記載の電力変換装置。 - 前記個別コントローラは、前記第1のハーフブリッジ回路に異常が検出された場合に、前記第2の主パワー半導体をオン状態にする指令を出力し、前記第1の主パワー半導体をオフ状態に設定する指令を伝送し、前記第2のハーフブリッジ回路に異常が検出された場合に、前記第3の主パワー半導体をオン状態にする指令を出力し、前記第4の主パワー半導体をオフ状態に設定する指令を伝送する、請求項9に記載の電力変換装置。
- 前記第2の主パワー半導体と前記第3の主パワー半導体の接続点と、前記第1のバイパス用パワー半導体と前記第2のバイパス用パワー半導体の接続点とがインピーダンス要素を介して電気的に接続される、請求項9に記載の電力変換装置。
- 前記第1のバイパス用パワー半導体と前記第2のバイパス用パワー半導体は、1つのパワー半導体モジュールによって構成される、請求項9に記載の電力変換装置。
- 前記サブモジュールは、前記ブリッジ回路として、1つのハーフブリッジ回路を備え、
前記ハーフブリッジ回路は、前記2つの主パワー半導体を備え、
前記バイパス部は、前記バイパス用パワー半導体を備える、請求項1〜8のいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 異常が検出された前記サブモジュールを記憶し、起動時に記憶されている前記サブモジュールを予めバイパスさせる中央コントローラを備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記サブモジュールは、前記ブリッジ回路として、フルブリッジ回路を備え、
前記フルブリッジ回路は、
直列接続された第1の主パワー半導体と第2の主パワー半導体と、
直列接続された第3の主パワー半導体と第4の主パワー半導体と、
前記電気エネルギー蓄積要素とを含み、
前記直列接続された前記第1の主パワー半導体と前記第2の主パワー半導体の経路と、前記直列接続された前記第3の主パワー半導体と前記第4の主パワー半導体の経路と、前記電気エネルギー蓄積要素の経路とは並列に接続され、
前記第1の外部端子は、前記第1の主パワー半導体と前記第2の主パワー半導体との間のノードに接続され、
前記第2の外部端子は、前記第3の主パワー半導体と前記第4の主パワー半導体との間のノードに接続され、
前記バイパス部は、直列接続された第1のバイパス用パワー半導体と第2のバイパス用パワー半導体とを備え、
前記第1のバイパス用パワー半導体と、前記第2のバイパス用パワー半導体とは互いに逆向きに接続されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 前記フルブリッジ回路に異常が検出された場合に、前記第1の主パワー半導体、前記第2の主パワー半導体、前記第3の主パワー半導体、および前記第4の主パワー半導体をオフ状態に設定する指令を出力し、前記第1のバイパス用パワー半導体および前記第2のバイパス用パワー半導体を短絡させる個別コントローラを備える、請求項15に記載の電力変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018095146 | 2018-05-17 | ||
JP2018095146 | 2018-05-17 | ||
PCT/JP2019/019241 WO2019221160A1 (ja) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019221160A1 JPWO2019221160A1 (ja) | 2021-03-11 |
JP6921319B2 true JP6921319B2 (ja) | 2021-08-18 |
Family
ID=68540003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020519881A Active JP6921319B2 (ja) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 電力変換装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11463015B2 (ja) |
JP (1) | JP6921319B2 (ja) |
DE (1) | DE112019002506T5 (ja) |
WO (1) | WO2019221160A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7261530B2 (ja) * | 2020-02-05 | 2023-04-20 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
CN111740441A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-02 | 西安电子科技大学 | 一种交直流并行供电的多能量传输通路模块化多电平电路 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56106663A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Transmitting medium for energy to organism buried device |
US5986909A (en) * | 1998-05-21 | 1999-11-16 | Robicon Corporation | Multiphase power supply with plural series connected cells and failed cell bypass |
JP4969614B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2012-07-04 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP5378274B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2013-12-25 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
EP2369725B1 (de) * | 2010-03-25 | 2012-09-26 | ABB Schweiz AG | Überbrückungseinheit |
US8618698B2 (en) * | 2010-09-09 | 2013-12-31 | Curtiss-Wright Electro-Mechanical Corporation | System and method for controlling a M2LC system |
EP2719067B1 (en) * | 2011-06-10 | 2018-12-26 | ABB Schweiz AG | Method for energizing a chain-link converter, controller, computer programs and computer program products |
KR101389579B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-04-29 | 주식회사 효성 | 전력용 컨버터 |
US20160036314A1 (en) * | 2013-03-18 | 2016-02-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Power conversion apparatus |
WO2016002319A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP6383304B2 (ja) | 2015-02-27 | 2018-08-29 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置、およびダブルセル |
JP6772645B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2020-10-21 | 富士電機株式会社 | インバータ装置 |
KR102587873B1 (ko) * | 2018-03-12 | 2023-10-12 | 한국전자통신연구원 | 무순단 전력 공급 장치 및 방법 |
-
2019
- 2019-05-15 JP JP2020519881A patent/JP6921319B2/ja active Active
- 2019-05-15 US US17/040,551 patent/US11463015B2/en active Active
- 2019-05-15 DE DE112019002506.6T patent/DE112019002506T5/de active Pending
- 2019-05-15 WO PCT/JP2019/019241 patent/WO2019221160A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11463015B2 (en) | 2022-10-04 |
DE112019002506T5 (de) | 2021-03-04 |
WO2019221160A1 (ja) | 2019-11-21 |
JPWO2019221160A1 (ja) | 2021-03-11 |
US20210044215A1 (en) | 2021-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101389579B1 (ko) | 전력용 컨버터 | |
JP6575289B2 (ja) | 電力変換装置 | |
US9564808B2 (en) | Electric power conversion device | |
EP3373435B1 (en) | Power conversion device | |
JP5930567B1 (ja) | 機械式バイパススイッチ装置、コンバータアーム、及び電力変換装置 | |
JP6334201B2 (ja) | 電力変換装置、及び電力変換装置の制御方法 | |
EP3410592B1 (en) | Converter cell with integrated photovoltaic cell | |
EP3627678B1 (en) | Power conversion system with abnormal energy protection and method of operating the same | |
US20140104906A1 (en) | Energy storage device, and system having an energy storage device | |
US9787173B2 (en) | Multilevel converter | |
JP6921319B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2019092284A (ja) | 降圧チョッパ回路 | |
KR20180132372A (ko) | Mmc 컨버터 및 그의 서브모듈 | |
US20220376610A1 (en) | Submodule of power converter having bypass switch | |
JP6974258B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP7054311B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5134839B2 (ja) | 電力変換器のゲートパルス発生回路 | |
US20220376611A1 (en) | Sub-module of power converter including bypass switch | |
RU107422U1 (ru) | Ячейка высоковольтного многоуровневого преобразователя частоты | |
KR20170090911A (ko) | 서브 모듈 제어장치 | |
JP2022009985A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2021106466A (ja) | 電力変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6921319 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |