JP6917495B1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
基板を処理する処理室へガスを供給するガス配管を加熱する配管ヒータと、
前記ガス配管の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部が検出した温度に基づき、前記配管ヒータに与えるべき電力を示す操作量を出力し、前記ガス配管の温度を目標値に近づける制御をする温度調節器と、
前記温度調節器の前記制御による前記ガス配管の加熱の開始と停止を制御する上位制御器と、を備え、
前記上位制御器は、前記温度調節器の前記制御による前記ガス配管の加熱の開始後に、前記操作量を取得し、前記操作量が最大値となっている時間を積算し、前記積算した時間が閾値以上になった場合に、前記ガス配管の加熱を停止するように前記温度調整器を制御する
技術が提供される。
以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。
図1に示すように、第1加熱部であるヒータ207の内側に、基板であるウエハ200を処理する処理容器として反応管203が設けられる。この反応管203の下端には炉口部としてのインレットフランジ210が設けられ、インレットフランジ210は蓋体であるシールキャップ219により気密部材であるOリング220を介して気密に閉塞されている。また、インレットフランジ210には、インナーチューブ204が載置されている。少なくとも、反応管203、インナーチューブ204、インレットフランジ210、シールキャップ219により処理室201を形成している。シールキャップ219には石英キャップ218を介して基板保持部であるボート217が設置されている。石英キャップ218、ボート217は処理室201内外に搬入出される。ボート217にはバッチ処理される複数のウエハ200が水平に多段に積載される。ヒータ207は処理室201に挿入されたウエハ200を所定の温度に加熱する。
次に、制御部としてのコントローラ321について図2を用いて説明する。
次に、半導体製造装置としての基板処理装置を使用して、基板を処理する基板処理工程の概略について図3を用いて説明する。この基板処理工程は、例えば、半導体装置を製造するための一工程である。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作や処理は、コントローラ321により制御される。
まず、ウエハ200をボート217に装填し、処理室201内へ搬入し、基板搬入工程S102を行う。
次に、ウエハ200の表面上に薄膜を形成する成膜工程S104を行う。成膜工程は次の4つのステップを順次実行する。なお、ステップ1〜4の間は、ヒータ207により、ウエハ200を所定の温度に加熱しておく。また、ガス配管用ヒータ22は、ガス配管10及びガス配管40の一部を第1の指定温度に加熱する。第1の指定温度は、原料ガスに応じて適宜設定される。本実施の形態では、原料ガスとしてSi2Cl6ガスが用いられるので、成膜工程S104の間、例えば、第1の指定温度として180℃以上に加熱される。また、排気配管用ヒータ20は、成膜工程S104の間、排気配管231を第2の指定温度に加熱する。第2の指定温度は、原料ガスと反応ガスにより生じる反応物(副生成物)の排気配管231内面への付着を抑制することができる温度に適宜設定され、例えば100℃以上である。
[ステップ1]
ステップ1では、Si2Cl6ガスを流す。まず、ガス配管10に設けたバルブ34と排気配管231に設けたAPCバルブ243を共に開けて、ガス供給器4からMFC41により流量調節されたSi2Cl6ガスをガス配管10に通し、ノズル234のガス供給孔から処理室201内に供給しつつ、排気配管231から排気する。この際、ガス配管用ヒータ22はガス配管10を加熱し、排気配管用ヒータ20は排気配管231を所定温度に加熱する。また、この際、処理室201内の圧力を所定の圧力に保つ。これにより、ウエハ200の表面にシリコン(Si)薄膜を形成する。
[ステップ2]
ステップ2では、ガス配管10のバルブ34を閉めてSi2Cl6ガスの供給を止める。排気配管231のAPCバルブ243は開いたままにし、真空ポンプ246により処理室201を排気し、残留ガスを処理室201から排除する。また、ガス配管40に設けられたバルブ39を開けて、ガス配管40からN2等の不活性ガスを処理室201に供給し処理室201のパージを行い、処理室201内の残留ガスを処理室201外に排出する。さらに、ガス配管6に設けられたバルブ36を開けて、MFC33により流量調節されたN2等の不活性ガスをガス配管6からも処理室201に供給する。
[ステップ3]
ステップ3では、NH3ガスを流す。配管11に設けられた、バルブ35と排気配管231に設けられたAPCバルブ243を共に開け、ガス供給器5からMFC32により流量調節されたNH3ガスをガス配管11に通し、ノズル233のガス供給孔から処理室201に供給しつつ、排気配管231から排気する。また、処理室201の圧力を所定の圧力に調整する。NH3ガスの供給により、Si2Cl6ガスがウエハ200の表面に形成したSi薄膜とNH3ガスが表面反応して、ウエハ200上にSiN膜が形成される。
[ステップ4]
ステップ4では、再び不活性ガスによる処理室201のパージを行う。ガス配管11のバルブ35を閉めて、NH3ガスの供給を止める。排気配管231のAPCバルブ243は開いたままにし、真空ポンプ246により処理室201を排気し、残留ガスを処理室201から排除する。また、ガス配管6に設けられたバルブ36を開けて、MFC33により流量調節されたN2等の不活性ガスをガス配管6より処理室201に供給して処理室201のパージを行う。さらに、ガス配管40に設けられたバルブ39を開けて、ガス配管40からもN2等の不活性ガスを処理室201に供給する。
次に、SiN膜が形成されたウエハ200が載置されたボート217を、処理室201から搬出する。
次に、本実施形態における配管ヒータ310の詳細について説明する。
図7(A)及び図7(B)は、配管ヒータ310の一例であるテープヒータから熱電対550が外れている場合のテープヒータの出力値(操作量)と、テープヒータの温度と、熱電対550による測定温度の時間変化を示す図である。なお、図7(A)及び図7(B)の右縦軸は、温度の上昇量(現在の温度と初期温度との差)を示している。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
231 排気配管
310 配管ヒータ
321 コントローラ
600 温度調節器
608 PLC
Claims (11)
- 基板を処理する処理室へガスを供給するガス配管を加熱する配管ヒータと、
前記ガス配管の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部が検出した温度に基づき、前記配管ヒータに与えるべき電力を示す操作量を出力し、前記ガス配管の温度を目標値に近づける制御をする温度調節器と、
前記温度調節器の前記制御による前記ガス配管の加熱の開始と停止を制御する上位制御器と、を備え、
前記上位制御器は、前記温度調節器の前記制御による前記ガス配管の加熱の開始後に、前記操作量と前記温度検出部により検出した温度を取得し、前記操作量が最大値となっており、且つ、前記温度検出部により検出した温度の、前記ガス配管の加熱の開始時の温度との偏差が所定の閾値未満である時間を積算し、前記積算した時間が閾値以上になった場合に、前記ガス配管の加熱を停止するように前記温度調節器を制御する
基板処理装置。 - 前記温度検出部は、前記配管ヒータと分離可能に構成される請求項1記載の基板処理装置。
- 前記配管ヒータは、繊維質の絶縁体を用いることなく素線が絶縁されたテープヒータである、請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 前記温度検出部は、前記ガス配管に接触することにより前記ガス配管に熱的に結合するように装着されて、前記テープヒータに対応して1つのみ設けられる、請求項3記載の基板処理装置。
- 前記上位制御器の制御によって前記配管ヒータへの電力供給をオンオフする電源出力制御器を更に備え、
前記配管ヒータと、前記温度検出部と、前記温度調節器とは、複数組設けられ、
それぞれの前記温度調節器は、前記電源出力制御器から出力された電源に対して、導通角制御もしくはオンオフ制御によって操作量に応じた電力が、対応する前記配管ヒータに与えられるように制御し、
前記上位制御器は、それぞれの前記温度調節器に前記目標値を設定するとともに、少なくとも1つの前記温度調節器の制御において前記ガス配管の加熱を停止する場合に、前記電源出力制御器により全ての配管ヒータへの電力供給をオフにすることによって前記制御の停止を行う、請求項1又は2記載の基板処理装置。 - 前記電源出力制御器は、交流電源と前記配管ヒータを含む回路に直列に挿入されるサイリスタ又は半導体リレーを備える請求項5記載の基板処理装置。
- 前記配管ヒータは、発熱体フィルムを耐熱性樹脂シートで挟んだ構造を有する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記配管ヒータは、前記ガス配管の外周と対応する幅を有し、前記配管ヒータの長手方向が、前記ガス配管に沿うように設置される請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 処理室で基板を処理する工程と、
前記処理室へガスを供給するガス配管を、配管ヒータにより加熱する工程と、
前記ガス配管の温度を、温度検出部により検出する工程と、
検出された温度に基づき、前記配管ヒータに与えるべき電力を示す操作量を出力し、前記ガス配管の温度を目標値に近づける工程と、
前記ガス配管の加熱の開始後に、前記操作量と前記温度検出部により検出した温度を取得し、前記操作量が最大値となっており、且つ、前記温度検出部により検出した温度の、前記ガス配管の加熱の開始時の温度との偏差が所定の閾値未満である時間を積算し、前記積算した時間が閾値以上になった場合に、前記ガス配管の加熱を停止する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 処理室で基板を処理する工程と、
前記処理室へガスを供給するガス配管を、配管ヒータにより加熱する工程と、
前記ガス配管の温度を、温度検出部により検出する工程と、
検出された温度に基づき、前記配管ヒータに与えるべき電力を示す操作量を出力し、前記ガス配管の温度を目標値に近づける工程と、
前記ガス配管の加熱の開始後に、前記操作量と前記温度検出部により検出した温度を取得し、前記操作量が最大値となっており、且つ、前記温度検出部により検出した温度の、前記ガス配管の加熱の開始時の温度との偏差が所定の閾値未満である時間を積算し、前記積算した時間が閾値以上になった場合に、前記ガス配管の加熱を停止する工程と、
を備える基板処理方法。 - 処理室で基板を処理する手順と、
前記処理室へガスを供給するガス配管を、配管ヒータにより加熱する手順と、
前記ガス配管の温度を、温度検出部により検出する手順と、
検出された温度に基づき、前記配管ヒータに与えるべき電力を示す操作量を出力し、前記ガス配管の温度を目標値に近づける手順と、
前記ガス配管の加熱の開始後に、前記操作量と前記温度検出部により検出した温度を取得し、前記操作量が最大値となっており、且つ、前記温度検出部により検出した温度の、前記ガス配管の加熱の開始時の温度との偏差が所定の閾値未満である時間を積算し、前記積算した時間が閾値以上になった場合に、前記ガス配管の加熱を停止する手順と、
を基板処理装置が備えるコンピュータに実行させるプログラム。
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