JP6907546B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
この場合、両銅系低線膨張材の線膨張係数の差が5ppm/℃を超えると、その線膨張差により半導体素子に作用する熱応力が大きくなって好ましくない。
また、スペーサによってリードフレームの高さ位置(積層方向の位置)を調整することができ、適切な位置でリードフレームを引き出すことができる。この場合も、スペーサとリードフレームとの厚さの比率は半導体の破損を招かないように、0.2以上5.0以下に設定される。
<全体構造>
第1実施形態のパワーモジュール100は、図1に示すように、セラミックス基板11、及びその一方の面に形成された回路層12、他方の面に形成された放熱層13を備えるパワーモジュール用基板10と、このパワーモジュール用基板10の回路層12の表面にスペーサ20を介して搭載された半導体素子30と、半導体素子30に接合されたリードフレーム40と、半導体素子30、パワーモジュール用基板10及びリードフレーム40を封止するエポキシ樹脂等からなるモールド樹脂50とにより構成される。
なお、銅系低線膨張材は、低線膨張材料の含有比率及びクラッドされる純銅板との厚みの比率を変えることにより線膨張係数及び熱伝導率を調整することができる。線膨張係数については後述する。熱伝導率は例えば180〜200W/m・Kである。
図示例では、回路層12の上に面方向に並んで2個のスペーサ20が接合されている。
このような半導体素子30には、上面及び下面に電極が設けられており、回路層12とリードフレーム40との間で電気的接続状態とされる。この場合、2個のスペーサ20のそれぞれに半導体素子30が接合され、これら半導体素子30相互を接続した状態でリードフレーム40が設けられている。
次に、このように構成されたパワーモジュール100を製造する方法について説明する。このパワーモジュール製造方法は、図2に示すように、パワーモジュール用基板10を形成し[パワーモジュール用基板形成工程]、そのパワーモジュール用基板10の回路層12の接合予定面に下地金属層60を形成[下地金属層形成工程]した後、回路層12にスペーサ20、半導体素子30、リードフレーム40を順に積層し、これらを一括して接合[一括接合工程]した後、モールド樹脂50によって樹脂封止する[樹脂封止工程]ことにより形成される。以下、工程順に説明する。
図3(a)に示すように、セラミックス基板11の各面にろう材15を介して回路層12となるアルミニウム板12´と放熱層13となるアルミニウム板13´とを積層し、これらの積層構造体を積層方向に加圧した状態で加熱し、ろう材15を溶融させることによってそれぞれのアルミニウム板12´,13´とセラミックス基板11とを接合し、回路層12と放熱層13とを有するパワーモジュール用基板10を形成する(図3(b)参照)。具体的には、積層構造体を加圧したまま炉に入れて、真空雰囲気中で610℃以上650℃以下の温度で1分〜60分加熱する。
一括接合の前に、回路層12の接合予定面に金、銀、ニッケル等からなる下地金属層60を形成する。
この下地金属層15は、金、銀、ニッケル等をめっきやスパッタリングによって薄膜状に形成することにより得ることができる。また、回路層12の表面の下地金属層60は、ガラス含有銀ペーストを塗布して焼成することによっても形成することができる。
回路層12の表面にガラス含有銀ペーストによって下地金属層60を形成する方法を説明しておくと、ガラス含有銀ペーストは、銀粉末と、ガラス(無鉛ガラス)粉末と、樹脂と、溶剤と、分散剤とを含有しており、銀粉末とガラス粉末とからなる粉末成分の含有量が、ガラス含有銀ペースト全体の60質量%以上90質量%以下とされ、残部が樹脂、溶剤、分散剤とされている。銀粉末は、その粒径が0.05μm以上1.0μm以下とされており、例えば平均粒径0.8μmのものが好適である。ガラス粉末は、主成分として酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化鉛(PbO2)、酸化リン(P2O5)のいずれか1種または2種以上を含むものとされており、そのガラス転移温度が300℃以上450℃以下、軟化温度が600℃以下、結晶化温度が450℃以上とされている。例えば、酸化鉛と酸化亜鉛と酸化ホウ素とを含有し、平均粒径0.5μmのガラス粉末が好適である。
また、銀粉末の重量Aと、ガラス粉末の重量Gとの重量比A/Gは、80/20から99/1の範囲内、例えばA/G=80/5に調整される。
溶剤は、沸点が200℃以上のものが適しており、例えば、ジエチレングリコールジブチルエーテルが用いられる。
樹脂は、ガラス含有銀ペーストの粘度を調整するものであり、350℃以上で分解されるものが適している。例えば、エチルセルロースが用いられる。
また、ジカルボン酸系の分散剤が適宜添加される。分散剤を添加することなくガラス含有銀ペーストを構成してもよい。
ガラス層61には銀又はアルミニウムの少なくとも一方を含有する導電性粒子(結晶性粒子)63が分散されるが、焼成の際にガラス層61内部に析出したものと推測されている。また、銀層62の内部にも微細なガラス粒子64が分散される。このガラス粒子64は、銀粒子の焼成が進行していく過程で、残存したガラス成分が凝集したものと推測される。
ここで、加熱温度が350℃未満及び加熱温度での保持時間が1分未満の場合には、焼成が不十分となり、下地金属層60を十分に形成することができないおそれがある。一方、加熱温度が645℃を超える場合及び加熱温度での保持時間が60分を超える場合には、焼成が進行し過ぎて、熱処理後に形成される下地金属層60における銀層62の平均結晶粒径が0.5μm以上3.0μm以下の範囲内とならないおそれがある。
なお、下地金属層60を確実に形成するためには、熱処理時の加熱温度の下限を400℃以上とすることが好ましく、450℃以上とすることがより好ましい。また、加熱温度での保持時間は5分以上とすることが好ましく、10分以上とすることがより好ましい。
一方、焼成の進行を確実に抑制するためには、熱処理時の加熱温度を600℃以下とすることが好ましく、575℃以下とすることがより好ましい。また、加熱温度での保持時間を45分以下とすることが好ましく、30分以下とすることがより好ましい。
下地金属層60を形成した回路層12、スペーサ20、半導体素子30、リードフレーム40の間に銀ペースト層70を介在させた状態で、これらを積層する。
銀ペースト層70は、粒径0.05μm〜100μmの銀粉末と、樹脂と、溶剤と、を含有してなるペーストを塗布して形成した層である。
銀ペーストに用いられる樹脂としては、エチルセルロース等を用いることができる。銀ペーストに用いられる溶剤としては、α―テルピネオール等を用いることができる。
銀ペーストの組成としては、銀粉末の含有量が銀ペースト全体の60質量%以上92質量%以下とし、樹脂の含有量が銀ペースト全体の1質量%以上10質量%以下とし、残部が溶剤とするとよい。
また、銀ペーストに、蟻酸銀、酢酸銀、プロピオン酸銀、安息香酸銀、シュウ酸銀などのカルボン酸系金属塩等の有機金属化合物粉末を銀ペースト全体の0質量%以上10質量%以下含有させることもできる。また、必要に応じて、アルコールや有機酸等の還元剤を銀ペースト全体に対して、0質量%以上10質量%以下含有させることもできる。
なお、この銀ペーストは、その粘度が10Pa・s以上100Pa・s以下、より好ましくは30Pa・s以上80Pa・s以下に調整されている。
この銀ペーストを回路層12の下地金属層60の上、スペーサ20の表面、リードフレーム40の表面にそれぞれ、例えばスクリーン印刷法等によって塗布して、乾燥することにより、銀ペースト層70となる。この銀ペースト層70は、接合時に対向する接合予定面のいずれかの表面に形成されていればよい。図3(c)に示す例では、回路層12の表面、スペーサ20の半導体素子30に対向する側の表面、リードフレーム40の半導体素子30に対向する側の表面にそれぞれ銀ペースト層70が形成されている。
図3(c)に示すように、回路層12の銀ペースト層70の上にスペーサ20を重ね、そのスペーサ20の銀ペースト層70の上に半導体素子30を重ね、その半導体素子30の上にリードフレーム40の銀ペースト層70を重ねるようにして、これらを積層状態とする。
そして、積層方向に1MPa以上20MPa以下の加圧力を作用させた状態で、180℃以上350℃以下の温度に加熱する。その温度の保持時間は1分以上60分以下の範囲内であればよい。この熱処理によって、銀ペースト層70が焼結して、回路層12、スペーサ20、半導体素子30、リードフレーム40の相互間で銀焼結接合層71を形成し、この銀焼結接合層71によって回路層12、スペーサ20、半導体素子30、リードフレーム40が一体に接合される。
以上のようにして、パワーモジュール用基板10にスペーサ20、半導体素子30及びリードフレーム40を接合した後、パワーモジュール基板10の放熱層13の下面を除き、パワーモジュール用基板10、スペーサ20、半導体素子30及びリードフレーム40の接続部付近を一体にモールド樹脂50によって封止する。
具体的には、例えばエポキシ樹脂等からなる封止材を用いてトランスファーモールディング方法によってモールド樹脂50を形成し封止する。リードフレーム40の外側端部はモールド樹脂50から露出させておく。
図5は第2実施形態のパワーモジュール101を示しており、この第2実施形態では、第1実施形態で設けられていたスペーサ20がなく、パワーモジュール用基板16の回路層17に半導体素子30が接合され、その半導体素子30にリードフレーム40が接合されている。
この場合、パワーモジュール用基板16のセラミックス基板1には、回路層17として図示例では2個の小回路部17a,17bが面方向に並んだ状態で積層状態に接合され、各小回路部17a,17bの上にそれぞれ半導体素子30が接合されている。
なお、リードフレーム40は第1実施形態と同様、銅(Cu)に、タングステン(W)やモリブデン(Mo)、クロム(Cr)等の低線膨張率材料を組み合わせた銅系低線膨張材(第2銅系低線膨張材)からなる。
そして、このパワーモジュール用基板16とリードフレーム40との線膨張係数差が5ppm/℃以下に設定され、パワーモジュール用基板15の回路層16とリードフレーム40との厚さの比率が0.2以上5.0以下に設定されている。
このようにして製造されたパワーモジュール101は、半導体素子30の両面に配置されるリードフレーム40及びパワーモジュール用基板15が銅系低線膨張材により構成されており、半導体素子30に作用する熱応力を低減させて、その破損を有効に防止することができる。
半導体素子の破損の有無は、インサイト株式会社製超音波画像測定機を用い、半導体素子にクラックが認められる確率が10%以下の場合を○、半導体素子にクラックが認められる確率が10%を超える場合を×とした。
これらの結果を表1に示す。表1中、「4N−Al」は純度99.99質量%以上のアルミニウム、「C1020」は無酸素銅、「Cu−Mo」は純銅/銅モリブデンコンポジット材/純銅のクラッド材、「Cu−W」は純銅/銅タングステンコンポジット材/純銅のクラッド材を示す。
11 セラミックス基板
12 回路層
13 放熱層
15 ろう材
16 パワーモジュール用基板(第1銅系低線膨張材)
17 回路層
17a,17b 小回路部
18 放熱層
20 スペーサ(第1銅系低線膨張材)
30 半導体素子
40 リードフレーム(第2銅系低線膨張材)
50 モールド樹脂
60 下地金属層
61 ガラス層
62 銀層
70 銀ペースト層
71 銀焼結接合層
100,101 パワーモジュール
Claims (1)
- パワーモジュール用基板に搭載された半導体素子は、その一方の面が第1銅系低線膨張材に銀焼結接合層を介して接合され、他方の面が銅又は銅合金と低線膨張率材とを含む第2銅系低線膨張材からなるリードフレームに銀焼結接合層を介して接合されており、これら第1銅系低線膨張材と第2銅系低線膨張材とは、線膨張係数の差が5ppm/℃以下であり、
前記パワーモジュール用基板はセラミックス基板の表面に積層状態に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、該回路層の表面に積層状態に接合され、銅又は銅合金と低線膨張率材とを含むスペーサとを有しており、該スペーサが前記第1銅系低線膨張材であり、前記スペーサと前記リードフレームとの厚さの比率が0.2以上5.0以下であり、
前記回路層の表面に下地金属層が形成され、該下地金属層に銀焼結接合層を介して前記スペーサが接合されてなり、
前記下地金属層は、前記回路層表面に形成されたガラス層と、該ガラス層の上に形成された銀層との二層構造を有していることを特徴とするパワーモジュール。
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