JP2020096431A - 過電流検知装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1において、1は全体として鉄道車両に搭載された本実施の形態による電力変換装置を示す。この電力変換装置1は、プラス電源線2及びマイナス電源線3と、U相、V相及びW相の各上アーム4A(4UA,4VA,4WA)及び各下アーム4B(4UB,4VB,4WB)と、これらU相、V相及びW相の各上アーム4A及び各下アーム4Bとそれぞれ対応付けて設けられたゲート駆動装置5A(5UA,5VA,5WA),5B(5UB,5VB,5WB)と、各ゲート駆動装置5A,5Bに切替え制御信号を送信するコントローラ6と、コントローラ6及び各ゲート駆動装置5A,5B間を接続する制御指令信号線7とを備えて構成される。
図1との対応部分に同一符号を付して示す図2は、第2の実施の形態による電力変換装置におけるU相、V相及びW相の上アーム4A及び下アーム4Bの第1及び第2のパワー半導体モジュール22,32と、当該上アーム4A又は下アーム4Bに対応するゲート駆動装置5A,5Bとの接続関係を示す。
第2の実施の形態のように第1及び第2の並列接続用ダイオード42A,42Bを第1及び第2のパワー半導体モジュール22,32上に実装する場合、第1及び第2の並列接続用ダイオード42A,42Bは、第1及び第2のパワー半導体モジュール22,32が発する熱による熱ストレスを受け易くなる。
図1との対応部分に同一符号又は同一符号に添え字「X」若しくは「Y」を付して示す図5は、第3の実施の形態による電力変換装置におけるU相、V相及びW相の上アーム4A及び下アーム4Bの第1及び第2のパワー半導体モジュール22,32と、当該上アーム4A又は下アーム4Bに対応するゲート駆動装置5AZ,5BZとの接続関係を示す。本実施の形態においては、各ゲート駆動装置80A,80Bがそれぞれ第1〜第3の実施の形態におけるゲート駆動装置5A,5Bに対応する。
なお上述の第1〜第4の実施の形態においては、第1及び第2のパワー半導体20,30をそれぞれ個別に第1又は第2のパワー半導体モジュール22,32としてモジュール化するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、第1及び第2のパワー半導体20,30を1つのモジュールにモジュール化してもよい。またU相、V相及びW相の各相ごとに、上モジュール4A及び下モジュール4Bをまとめて1つのモジュールにモジュール化するようにしてもよい。
Claims (4)
- 並列に接続され、それぞれ高電圧端子及び低電圧端子からなる一対の主端子対と、前記主端子対間を流れる電流を制御する一対の制御端子対とを有する複数のパワー半導体モジュールを流れる過電流を検知する過電流検知装置において、
それぞれカソード端子が互いに異なる前記パワー半導体モジュールの前記低電圧端子に接続され、アノード端子がオア接続された複数のダイオードと、
各前記パワー半導体モジュールに流れる過電流を検出する過電流検出回路と
を備え、
前記過電流検出回路における各前記パワー半導体モジュールの前記低電圧端子との接続用端子に各前記ダイオードのオア接続された前記アノード端子が接続された
ことを特徴とする過電流検知装置。 - 各前記パワー半導体モジュールのパッケージ上に、当該パワー半導体モジュールの前記低電圧端子に前記カソード端子が接続された前記ダイオードが実装された
ことを特徴とする請求項1に記載の過電流検知装置。 - 前記過電流検出回路における各前記パワー半導体モジュールの前記低電圧端子との前記接続用端子と、各前記ダイオードのオア接続された前記アノード端子との間がラミネートブスバー化した配線基板により接続された
ことを特徴とする請求項2に記載の過電流検知装置。 - 複数の前記ダイオードが、並列に接続された各前記パワー半導体モジュールを駆動するゲート駆動装置の近傍に配置された
ことを特徴とする請求項1に記載の過電流検知装置。
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2018
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