JP6892061B2 - バルク弾性波共振器の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 28
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 81
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- -1 scandium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、バルク弾性波共振器の製造方法に関し、特に量産に適した製造方法に関する。
近年、スマートフォンの世界的な普及や、ウェアラブルやＩｏＴ（Internet of Things）と通称されるマイクロ波を用いた無線通信サービスの留まることのない旺盛な需要の拡大に伴い、限られた資源である電波（マイクロ波）を有効に利用するため、空間にあふれるマイクロ波の中から必要な周波数の電波を選択的に抽出することが求められている。例えば、現在、２．５ＧＨｚ帯以下の周波数帯だけでなく、３ＧＨｚ以上の高周波帯を利用するサービスも拡大しており、所定の周波数帯域の電波を選択的に抽出するため高周波フィルタが使用されている。この種の高周波フィルタでは、温度ドリフトがなく、急峻なスカート特性を有する等、高性能化が要求されている。
また、世界各地で使用されている周波数帯域に対応できるようにするため、１台のスマートフォンに１０個を超える高周波フィルタが搭載されるようになり、小型でフィルタ特性に優れていることから、高周波フィルタとしてＳＡＷ（表面弾性波）共振器が多用されている。
一方、ＳＡＷ共振器では３ＧＨｚ以上の高周波帯域や広い通過帯域を実現するには限界があり、高性能を要求されるフィルタにはバルク弾性波（ＢＡＷ）共振器が使われるようになってきている。今後、３ＧＨｚ帯以上の高周波帯でも、使用される周波数帯域が込み合ってくるとの予測を踏まえると、バルク弾性波共振器の需要はさらに拡大することが期待される。
従来のバルク弾性波共振器は次のように形成される。まず、支持基板となるシリコン基板１を用意し、シリコン基板１表面の一部をエッチング除去して凹部２を形成する。その後、凹部２内に犠牲層３を充填する。この凹部２への犠牲層３の充填は、例えば犠牲層３としてリン酸シリケートガラス（ＰＳＧ）を使用する場合には、凹部２内にＰＳＧが十分に充填され、表面を平坦化した状態でエッチバックすることで、図５に示すように表面が平坦化された犠牲層３が形成できる。ここで、後述する圧電膜５を形成する際、圧電膜が所望の結晶構造となるように成長させるため、表面を平坦化することが重要となる。
次に、シリコン基板１表面に下部電極膜４、圧電膜５および上部電極膜６を積層し、それぞれ所望のパターニングを行う。その後、後述するキャビティ部を形成するため上部電極膜６、圧電膜５および下部電極膜４の一部をエッチング除去し、開口部７を形成し、開口部７の底面に犠牲層３の表面の一部を露出させる（図６）。この開口部７の数、配置位置等は、次の工程で犠牲層３を除去できるように適宜設定されている。
開口部７を通してエッチング液を供給し犠牲層３を選択的に除去する。犠牲層３が除去された空間がキャビティ部８となり、バルク弾性波共振器が完成する（図７）。（特許文献１、２）
ところで従来の製造方法では、犠牲層３を除去する際ウエットエッチング法が採用されており、量産には適していなかった。また、温度補償型のバルク弾性波共振器を形成する場合には、図８に示すように温度補償膜９を付加することが必要である。この温度補償膜９は、犠牲層３を除去する工程の前に積層形成されるため、犠牲層３をエッチング除去する際にエッチングされない材料を使用しなければならない。例えば、犠牲層３のエッチング除去の際、フッ酸系のエッチング液を使用する場合、温度補償膜として汎用的に使用されているシリコン酸化膜を使用することができず、特殊は材料を用意しなければならないという問題があった。
従来のバルク弾性波共振器の製造方法は、犠牲層を除去する際、量産に適さないウエットエッチング法が採用されていた。また犠牲層のエッチングの際、温度補償膜がエッチングされてしまうことがないように犠牲層と温度補償膜の材料を選定する必要があり、制約の多い製造方法であった。本発明はこれらの問題点を解消し、量産性に優れ、一般的に使用されているシリコン酸化膜を温度補償膜として使用することができるバルク弾性波共振器の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本願発明は、バルク弾性波共振器の製造方法であって、支持基板を用意する工程と、前記バルク弾性波共振器のキャビティ部形成予定領域の前記支持基板表面を被覆するように、シリコン窒化膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記シリコン窒化膜表面および前記支持基板表面を前記シリコン窒化膜と選択除去可能な絶縁膜で被覆した後、平坦化し、前記シリコン窒化膜表面を露出させる工程と、該平坦化されたシリコン窒化膜および前記絶縁膜表面に、下部電極膜、圧電膜および上部電極膜を積層形成する工程と、前記キャビティ部形成予定領域の前記上部電極膜、前記圧電膜および前記下部電極膜の一部を除去して開口部を形成し、該開口部の底面に前記シリコン窒化膜表面の一部を露出させる工程と、前記開口部を通して、前記シリコン窒化膜をエッチング除去し、キャビティ部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、キャビティ部を形成する際に使用する犠牲層としてシリコン窒化膜を選択することで、量産性に優れたドライエッチング方法により簡便に除去することが可能となる。特にシリコン窒化膜は、温度補償膜として汎用的に使用されているシリコン酸化膜に対して選択除去可能であり、温度補償型バルク弾性波共振器の製造方法として利点がある。
本発明は、バルク弾性波共振器を簡便に形成することができる製造方法であり、特に、ギャビティ部を簡便に形成することができる製造方法である。以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
本発明の第１の実施例について、その製造工程に従い詳細に説明する。まず、支持基板となるシリコン基板１上のキャビティ部形成予定領域にシリコン窒化膜１０を堆積させる。シリコン窒化膜１０の厚さは１ミクロン程度とする。その後全面にポリシリコン膜１１を形成する。（図１）。ポリシリコン膜１１は、先に形成したシリコン窒化膜１０の段差を被覆し、表面が平坦化する厚さまで堆積させる。シリコン窒化膜１０を選択的にエッチング除去可能であれば、ポリシリコン膜１１の代わりにシリコン酸化膜等であっても良い。
次に、ドライエッチングによるエッチンバック法や化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により表面を平坦化するとともに、先に形成したシリコン窒化膜１０表面を露出させる（図２）。ＣＭＰ法により平坦化する場合、シリコン窒化膜１０が研磨停止膜となり、高い精度で平坦化することができる。
次に、バルク弾性波共振器を構成する多層膜を形成する。この多層膜は、キャビティ部形成予定領域となるシリコン窒化膜１０上を覆い、ポリシリコン膜１１に達するように形成する。多層膜は一例として、モリブデン（Ｍｏ）からなる下部電極膜４、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる圧電膜５、シリコン酸化膜からなる温度補償層９、最後にモリブデンなどからなる上部電極膜６をそれぞれ、例えばスパッタ堆積法とドライエッチング工程を組み合わせて積層形成する。シリコン酸化膜は温度補償が必要な場合に形成すれば良く、必須な構成要素ではない。また、温度補償膜９は図３に示すように圧電膜５の直上で上層電極膜６の直下に限らず、例えば、上部電極膜６上に形成してもよい。
これら多層膜を構成する各膜の厚さは、バルク弾性波共振器として所望の特性が得られるように適宜設定される。
その後、ドライエッチング法により多層膜の一部をエッチング除去し、シリコン窒化膜１０表面の一部を露出する開口部７を形成する（図３）。開口部７の数、配置位置は適宜設定すればよい。
その後、フッ素系のガスを用いた等方的なドライエッチング法であるプラズマエッチング法により、開口部７を介してシリコン窒化膜１０をエッチング除去する。その結果、キャビティ部８が形成される（図４）。このエッチング工程で、先に形成したポリシリコン膜１１やシリコン酸化膜からなる温度補償膜９がエッチングされることはない。
以上説明したように本発明によれば、ドライエッチング法により犠牲層であるシリコン窒化膜１０を選択除去する構成とすることで、量産性に優れた製造方法となる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。具体的には、圧電膜として窒化アルミニウムに限定されるものでなく、窒化スカンジウムアルミニウム（Ａｌ1-xＳｃxＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）も利用することが可能である。また、上部電極膜あるいは下部電極膜は、モリブデン（Ｍｏ）の代わりに、プラチナ（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属薄膜で形成することができる。同様に、温度補償膜として使用する金属膜についても、モリブデン（Ｍｏ）の代わりに、プラチナ（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属薄膜で形成することができる。
１：シリコン基板、２：凹部、３：犠牲層、４：下部電極膜、５：圧電膜、６：上部電極膜、７：開口部、８：キャビティ部、９：温度補償膜、１０：シリコン窒化膜、１１：ポリシリコン膜
Claims (1)
- バルク弾性波共振器の製造方法であって、
支持基板を用意する工程と、
前記バルク弾性波共振器のキャビティ部形成予定領域の前記支持基板表面を被覆するように、シリコン窒化膜をパターニングする工程と、
パターニングされた前記シリコン窒化膜表面および前記支持基板表面を前記シリコン窒化膜と選択除去可能な絶縁膜で被覆した後、平坦化し、前記シリコン窒化膜表面を露出させる工程と、
該平坦化されたシリコン窒化膜および前記絶縁膜表面に、下部電極膜、圧電膜および上部電極膜を積層形成する工程と、
前記キャビティ部形成予定領域の前記上部電極膜、前記圧電膜および前記下部電極膜の一部を除去して開口部を形成し、該開口部の底面に前記シリコン窒化膜表面の一部を露出させる工程と、
前記開口部を通して、前記シリコン窒化膜をエッチング除去し、キャビティ部を形成する工程と、を含むことを特徴とするバルク弾性波共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017013228A JP6892061B2 (ja) | 2017-01-27 | 2017-01-27 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017013228A JP6892061B2 (ja) | 2017-01-27 | 2017-01-27 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018121292A JP2018121292A (ja) | 2018-08-02 |
| JP6892061B2 true JP6892061B2 (ja) | 2021-06-18 |
Family
ID=63045467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017013228A Active JP6892061B2 (ja) | 2017-01-27 | 2017-01-27 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6892061B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4707574B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-06-22 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 |
| JP5270412B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2013-08-21 | 日本碍子株式会社 | バルク弾性波装置の製造方法 |
| JP5184179B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-04-17 | 京セラ株式会社 | 薄膜共振子、フィルタおよびデュプレクサ |
| CN102668376B (zh) * | 2009-11-26 | 2017-08-25 | 株式会社村田制作所 | 压电设备以及压电设备的制造方法 |
| WO2011099381A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| JP5839103B2 (ja) * | 2012-02-20 | 2016-01-06 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク弾性波素子の製造方法及び圧電バルク弾性波素子 |
-
2017
- 2017-01-27 JP JP2017013228A patent/JP6892061B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018121292A (ja) | 2018-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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|
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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