JP6881816B2 - 熱電モジュール - Google Patents
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Description
本出願は2017年6月15日付韓国特許出願第10-2017-0076058号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
A)熱電半導体を含む、複数の熱電素子と、
B)前記複数の熱電素子間を連結するための電極と、
C)前記熱電素子の各々と電極との間に位置し、熱電素子と電極を接合するための接合層と、
D)前記熱電素子と接合層との間に位置する酸化防止層とを含み、
前記酸化防止層は、下記i)ないしiv)からなる群より選択される1種以上の化合物を含む熱電モジュールを提供する:
i)モリブデン(Mo)と、タングステン(W)、コバルト(Co)、チタニウム(Ti)、ジルコニウム(Zr)及びタンタル(Ta)からなる群より選択される1種以上の金属と、を含む合金、
ii)前記合金の酸化物、
iii)前記合金の窒化物、及び
iv)前記合金の酸窒化物。
A)熱電半導体を含む、複数の熱電素子と、
B)前記複数の熱電素子間を連結するための電極と、
C)前記熱電素子の各々と電極との間に位置し、熱電素子と電極を接合するための接合層と、
D)前記熱電素子と接合層との間に位置する酸化防止層とを含み、
前記酸化防止層は、下記i)ないしiv)からなる群より選択される1種以上の化合物を含む:
i)モリブデン(Mo)と、タングステン(W)、コバルト(Co)、チタニウム(Ti)、ジルコニウム(Zr)及びタンタル(Ta)からなる群より選択される1種以上の金属と、を含む合金、
ii)前記合金の酸化物、
iii)前記合金の窒化物、及び
iv)前記合金の酸窒化物。
A)熱電半導体を含む、複数の熱電素子100と、
B)前記複数の熱電素子100間を連結するための電極200と、
C)前記熱電素子100の各々と電極200との間に位置し、熱電素子100と電極200を接合するための接合層300と、
D)前記熱電素子100と接合層300との間に位置し、接合層材料の熱拡散及び、熱電素子の高温環境下、酸化及び変形を防止するための酸化防止層400とを含む。
前記焼結誘導添加剤は金属間化合物の生成及び焼結を誘導及び促進するためにペースト内金属表面の酸化層を還元させるか、合成反応開始を誘導するか、炭素系分散剤の熱分解を助けるなどの役割をするものであって、これを含む金属ペーストは同一の接合条件でもさらに緻密な接合層を形成することができる。
実施例1
(1)Ag粉末(平均粒径:300nm)78.0wt%、Sn粉末(平均粒径:1μm)5.0wt%、バインダー成分にメチルメタクリレート(Methyl Methacrylate;MMA)2.1wt%、添加剤にステアリン酸ナトリウム(sodium stearate)0.5wt%、及び残量の溶媒にイソホロン(Isophorone)を混合して、金属ペースト(100wt%)を製造した。
熱電素子を連結する電極の役割をし得るDBC(Direct Bonded Copper)基板に、前記(1)で準備した金属ペーストをステンシルプリンティング法(Stencil printing)によって塗布し、110℃で、10分間乾燥した。
以降、3×3mm2の大きさにダイシングして、熱電レッグを準備した。
製造された熱電モジュールの高温部基板の大きさ30×30mm2、低温部基板の大きさが30×32mm2、素子の大きさが3×3×2mm3であり、32pairsであった。
接合層の厚さは100nmであり、酸化防止層の厚さは約400nmと確認された。
スクッテルダイト系(Co-Sb系)熱電半導体である、In0.2Co4Sb12を熱電素材にして、ウエハを準備したことを除いては、前記実施例1と同一に、Mo-Ti合金層を蒸着して、熱電モジュールを製造した。
酸化防止層の厚さは約400nmと確認された。
スクッテルダイト系(Co-Sb系)熱電半導体であるIn0.2Co4Sb12を熱電素材にしてウエハを準備し、MoTi合金(Mo:Ti=50:50原子比)ターゲット及びスパッタ機器を利用して、4.4W/cm2、工程圧6mTorr、3sccm、及び窒素20sccm条件で進行して、MoTiON(Mo:Ti=50:50原子比)を蒸着して酸化防止層を形成することを除いては、前記実施例1と同一に遂行して熱電モジュールを製造した。
酸化防止層の厚さは約400nmと確認された。
スクッテルダイト系(Co-Sb系)熱電半導体のIn0.2Co4Sb12を熱電素材にしてウエハを準備し、熱電半導体上に順次に、チタニウム層、モリブデン層、チタニウム層及びモリブデン層を蒸着して4層構造の酸化防止層を形成した。この時、各金属層の蒸着はスパッタ機器を利用して、2〜3W/cm2、工程圧0.5〜3mTorrの条件で進行し、酸化防止層内の各金属層の厚さは同一になるように遂行した。以外には、前記実施例1と同一に遂行して熱電モジュールを製造した。
酸化防止層の厚さは約270nmと確認された。
前記比較例1でチタニウム層/モリブデン層/チタニウム層/モリブデン層の4層構造の酸化防止層を約400mmの厚さで蒸着、形成することを除いては、前記比較例1と同一の方法で遂行して熱電モジュールを製造した。
酸化防止層形成が熱電素子の熱安定性に及ぼす影響を評価するために、前記実施例1ないし3、及び比較例1ないし2と各々同一の方法で遂行して熱電素子上に酸化防止層を形成した。
200:電極
300:接合層
400:酸化防止層
Claims (8)
- A)熱電半導体を含む、複数の熱電素子と、
B)前記複数の熱電素子間を連結するための電極と、
C)前記熱電素子の各々と電極との間に位置し、熱電素子と電極を接合するための接合層と、
D)前記熱電素子と接合層との間に位置する酸化防止層とを含み、
前記酸化防止層は、モリブデン-チタニウム系合金の酸窒化物(MoTiON)を含む、熱電モジュール。 - 前記酸化防止層の厚さは0.1ないし200μmである、請求項1に記載の熱電モジュール。
- 前記モリブデン-チタニウム系合金は、モリブデンとチタニウムを1:9ないし9:1の原子比で含む、請求項1または2に記載の熱電モジュール。
- 前記酸化防止層は、スパッタリング層、気相蒸着層、イオンプレーティング層、電解メッキ層、または焼結層である、請求項1から3のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記酸化防止層は、熱電素子に直接接触して形成された、請求項1から4のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記接合層は、金属ソルダリング層または金属焼結層である、請求項1から5のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記金属焼結層は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、及び銀(Ag)からなる群より選択された1種以上である第1金属と、及び錫(Sn)、亜鉛(Zn)、ビスマス(Bi)及びインジウム(In)からなる群より選択された1種以上である第2金属を含む、請求項6に記載の熱電モジュール。
- 前記熱電素子は、Co-Sb系熱電半導体またはBi-Te系熱電半導体を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
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