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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 101
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100227202 Arabidopsis thaliana FLA4 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100012983 Arabidopsis thaliana FLA1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100227197 Arabidopsis thaliana FLA2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100227198 Campylobacter jejuni flaA gene Proteins 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001006782 Homo sapiens Kinesin-associated protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027930 Kinesin-associated protein 3 Human genes 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Description
以下の実施の形態で説明する技術は、表示機能層が設けられた表示領域に設けられた複数の素子に、表示領域の周囲から信号を供給する機構を備える表示装置に広く適用可能である。以下の実施の形態では、表示装置の代表例として、液晶表示装置を取り上げて説明する。
図1は、実施の形態1の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
次に、図1および図2〜図4を参照し、本実施の形態1の表示装置の構成例を詳細に説明する。図2は、実施の形態1の表示装置の一例を示す断面図である。図3は、実施の形態1の表示装置の一例を示す回路ブロック図である。図4は、実施の形態1の表示装置の一例を示す回路図である。
次に、図5および図6を参照し、本実施の形態1の表示装置における寄生容量について説明する。図5は、実施の形態1の表示装置における画素の構成の一例を示す等価回路図である。図6(a)および(b)は、実施の形態1の表示装置における白ラスタ表示および緑ラスタ表示の一例を示す説明図である。
<画素の構成>
図7および図8を参照し、本実施の形態1の表示装置における画素の構成について説明する。図7は、実施の形態1の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。図8は、図7のA−A’線に沿った断面図である。
上述した図7を参照し、本実施の形態1の表示装置において、信号線とトランジスタの半導体層との配置について説明する。本実施の形態1に対する比較例として、図23を示す。図23は、実施の形態1に対する比較例における画素の構成の一例を示す平面図である。
実施の形態2の表示装置における画素の構成について説明する。図9は、実施の形態2の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。本実施の形態では、上述した実施の形態1と異なる点を主に説明する。
次に、実施の形態2の変形例について説明する。図10は、実施の形態2の変形例の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。
実施の形態3の表示装置における画素の構成について説明する。図11は、実施の形態3の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。本実施の形態では、上述した実施の形態1および2と異なる点を主に説明する。
次に、実施の形態3の変形例について説明する。図12は、実施の形態3の変形例の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。
実施の形態4の表示装置における画素の構成について説明する。図13は、実施の形態4の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。本実施の形態では、上述した実施の形態1〜3と異なる点を主に説明する。
次に、実施の形態4の変形例について説明する。図14は、実施の形態4の変形例の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。
実施の形態5の表示装置における画素の構成について説明する。図15は、実施の形態5の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。本実施の形態では、上述した実施の形態1〜4と異なる点を主に説明する。
次に、実施の形態5の変形例について説明する。図16は、実施の形態5の変形例の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。
実施の形態6の表示装置における画素の構成について説明する。図17は、実施の形態6の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。本実施の形態では、上述した実施の形態1〜5と異なる点を主に説明する。
次に、実施の形態6の変形例について説明する。図18は、実施の形態6の変形例の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。
実施の形態7の表示装置における画素の構成について説明する。図19は、実施の形態7の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。本実施の形態では、上述した実施の形態1〜6と異なる点を主に説明する。
次に、実施の形態7の変形例について説明する。図20は、実施の形態7の変形例の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。
実施の形態8の表示装置における画素の構成について説明する。図21は、実施の形態8の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。本実施の形態では、上述した実施の形態1〜7と異なる点を主に説明する。
次に、実施の形態8の変形例について説明する。図22は、実施の形態8の変形例の表示装置における画素の構成の一例を示す平面図である。
2 アレイ基板
3 対向基板
6 液晶層
12、12A、12B ゲートドライバ
13 ソースドライバ
19 半導体チップ
21 基板
21a 上面
22 画素電極
31 基板
31a 下面
32 カラーフィルタ
32R、32G、32B 色領域
Ad 表示領域
BD 折り曲げ部
BW、BWR、BWG、BWB 台座電極
C1、C2、C3、C4、Ca、Cap 容量
COM 共通電極
DT1〜DT6、DT11、DT12 距離
ET1、ET2 延設部
FLA、FLA1〜FLA4 額縁領域
GL 走査線
IF、IF1〜IF3 絶縁膜
LC 液晶素子
LS、LSR、LSG、LSB 遮光膜
NT 切り欠き部
OP1、OP2 開口部
Px 画素
SC、SCR、SCG、SCB 半導体層
SL、SLn、SLn+1、SLn−1、SLn−2 信号線
SPA 副画素領域
Sx、SxR、SxG、SxB 副画素
T 周期
Tr、TrR、TrG、TrB トランジスタ
t1、t2 タイミング
VCK 垂直クロックパルス
Vsig 画像信号
VST 垂直スタートパルス
Claims (11)
- 絶縁性基板上に、複数の走査線と、複数の信号線と、一対の前記走査線と一対の前記信号線に囲まれた複数の副画素領域と、前記各副画素領域に形成された複数の半導体層と、前記半導体層の一方が接続された金属層と、を備え、
前記半導体層の他方は、前記一対の信号線の一方に接続され、
前記副画素領域内で、前記半導体層が接続された信号線を第1の信号線、前記半導体層が接続されていない信号線を第2の信号線とした時、
平面視において、前記半導体層と前記金属層の接続位置において、前記第1の信号線と前記半導体層との間の距離は、前記第2の信号線と前記半導体層との間の距離よりも長い、表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
平面視において、前記第1の信号線と前記金属層との間の距離は、前記第2の信号線と前記金属層との間の距離よりも長い、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記金属層は、前記第1の信号線側に前記走査線の延在方向に凹部を有する、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記走査線は、前記信号線と平行方向に延設する第1延設部を有し、
平面視において、前記半導体層と前記第1の信号線間で、前記走査線の第1延設部と前記金属層とは重畳する、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記金属層は、前記第1の信号線側に前記走査線の延在方向に凹部を有し、
平面視において、前記第1の信号線と前記金属層との間の距離は、前記第2の信号線と前記金属層との間の距離よりも長く、
前記走査線は、前記信号線と平行方向に延設する第1延設部を有し、
平面視において、前記半導体層と前記第1の信号線間で、前記走査線の第1延設部と前記金属層とは重畳する、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記走査線は、前記信号線と平行方向に延設する第2延設部を有し、
平面視において、前記走査線の第2延設部と前記第1の信号線とは重畳する、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記金属層は、前記第1の信号線側に前記走査線の延在方向に凹部を有し、
平面視において、前記第1の信号線と前記金属層との間の距離は、前記第2の信号線と前記金属層との間の距離よりも長く、
前記走査線は、前記信号線と平行方向に延設する第2延設部を有し、
平面視において、前記半導体層と前記第1の信号線間で、前記走査線の第2延設部と前記信号線とは重畳する、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記走査線は、前記半導体層と前記第1の信号線の接続位置側に突出した折り曲げ部を有し、
平面視において、前記走査線の折り曲げ部と前記第1の信号線との間の距離と、前記走査線の折り曲げ部と前記金属層との間の距離とは略等しい、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記金属層は、前記第1の信号線側に前記走査線の延在方向に凹部を有し、
平面視において、前記第1の信号線と前記金属層との間の距離は、前記第2の信号線と前記金属層との間の距離よりも長く、
前記走査線は、前記半導体層と前記第1の信号線の接続位置側に突出した折り曲げ部を有し、
平面視において、前記走査線の折り曲げ部と前記第1の信号線との間の距離と、前記走査線の折り曲げ部と前記金属層との間の距離とは略等しい、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記副画素領域は、赤、緑および青の何れかの色を表示する、表示装置。 - 請求項10に記載の表示装置において、
前記金属層は、前記第1の信号線側に前記走査線の延在方向に凹部を有し、
前記走査線は、前記半導体層と前記第1の信号線の接続位置側に突出した折り曲げ部を有し、
前記凹部または前記折り曲げ部は、緑の副画素領域に形成される、表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017083723A JP6862258B2 (ja) | 2017-04-20 | 2017-04-20 | 表示装置 |
US15/936,832 US10409125B2 (en) | 2017-04-20 | 2018-03-27 | Display device |
JP2021059532A JP7092914B2 (ja) | 2017-04-20 | 2021-03-31 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017083723A JP6862258B2 (ja) | 2017-04-20 | 2017-04-20 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021059532A Division JP7092914B2 (ja) | 2017-04-20 | 2021-03-31 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018180442A JP2018180442A (ja) | 2018-11-15 |
JP6862258B2 true JP6862258B2 (ja) | 2021-04-21 |
Family
ID=63853824
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017083723A Active JP6862258B2 (ja) | 2017-04-20 | 2017-04-20 | 表示装置 |
JP2021059532A Active JP7092914B2 (ja) | 2017-04-20 | 2021-03-31 | 表示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021059532A Active JP7092914B2 (ja) | 2017-04-20 | 2021-03-31 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10409125B2 (ja) |
JP (2) | JP6862258B2 (ja) |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4453434B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-04-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
JP2006250985A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US8242503B2 (en) * | 2010-05-21 | 2012-08-14 | Chimei Innolux Corporation | Multi-gate thin film transistor device |
JP5909198B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2016-04-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示パネル及び電子機器 |
JP2014149322A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Japan Display Inc | 液晶表示パネル及び電子機器 |
JP2015206819A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6350984B2 (ja) * | 2014-04-24 | 2018-07-04 | Tianma Japan株式会社 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2016122175A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP6376989B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2018-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
TWI553839B (zh) * | 2015-04-15 | 2016-10-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
JP2017044915A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
TWI560486B (en) * | 2016-01-05 | 2016-12-01 | Innolux Corp | Display panel |
CN105977307B (zh) * | 2016-06-30 | 2020-06-02 | 上海中航光电子有限公司 | 薄膜晶体管、显示面板及显示装置 |
TWI625847B (zh) * | 2016-09-09 | 2018-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構及其製作方法 |
-
2017
- 2017-04-20 JP JP2017083723A patent/JP6862258B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-27 US US15/936,832 patent/US10409125B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-31 JP JP2021059532A patent/JP7092914B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018180442A (ja) | 2018-11-15 |
US10409125B2 (en) | 2019-09-10 |
JP7092914B2 (ja) | 2022-06-28 |
US20180307109A1 (en) | 2018-10-25 |
JP2021113980A (ja) | 2021-08-05 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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