JP6858657B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置の構成を示す図である。本実施の形態1に係る電力用半導体装置は、モジュールの樹脂製フレーム枠2から突出して形成された、主端子5および複数本の信号端子6を備えて構成されている。
図7は、本発明の実施の形態2に係る電力用半導体装置の上面および断面の具体的な構成を示す図である。図7においては、セラミックなどの絶縁層とCuなどの表面導体層、裏面導体層からなる基板1の表面導体層に、Agペーストでパワー半導体素子(IGBTとフリーホイールダイオード)3が各1個ずつダイボンドされている。基板表面のチップ外周部に、シリコーン接着剤などを用いてフレーム枠2を接着し、熱硬化させる。
図9は、本発明の実施の形態3に係る電力用半導体装置の主端子5に載せる具体的なすり鉢状治具12および治具を主端子5上に搭載した場合の断面を示す図である。本実施の形態3におけるすり鉢状治具12は、フレーム枠2と同じ材質のPPS(ポリフェニレンスルファイド)などの射出成形可能な樹脂からなる。
本実施の形態4では、本発明の係る電力用半導体装置の一連の製造工程について、フローチャートを用いて具体的に説明する。図11は、本発明の実施の形態4における電力用半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。
Claims (5)
- パワー半導体素子がAgシンターにより搭載され、はんだ接合用のランド部を有する金属配線基板と、
前記ランド部と一端がはんだ接合により電気的に接続される主端子と、
前記主端子の他端が外部に突出するように組み込まれるとともに、前記パワー半導体素子が搭載された前記金属配線基板の周囲を覆う樹脂製のフレーム枠と
を備えて構成された電力用半導体装置であって、
前記主端子は、はんだ接合される前記一端に、フラックスを含むはんだペーストを注入するための開口部が設けられるとともに、前記開口部を形成する周囲の一部分に、前記はんだペーストを外部に流出させるための切り欠きを有し、
前記切り欠きは、前記開口部に注入された前記はんだペーストが、前記パワー半導体素子および前記Agシンターからずれた方向に流出する位置に設けられ、前記はんだペーストに含まれるフラックス成分の流れ制御を可能とする
電力用半導体装置。 - 前記主端子は、前記開口部の縦方向断面形状が、前記ランド部にはんだ接合される下面側に対して上面側を広くし、上面方向に進むに従い開口部が広がるテーパー形状を有する
請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記主端子は、前記一端の先端部分の縦方向断面形状が、前記ランド部にはんだ接合される下面側の方向へ曲がった鍵形状を有する
請求項1または2に記載の電力用半導体装置。 - 前記開口部の上面に搭載され、前記開口部の上面の断面積を拡大させるすり鉢形状を有する治具
をさらに備える請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記治具は、前記フレーム枠と一体成形されている
請求項4に記載の電力用半導体装置。
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