JP6850590B2 - Mounting plate, wafer support, and chemical vapor deposition - Google Patents

Mounting plate, wafer support, and chemical vapor deposition Download PDF

Info

Publication number
JP6850590B2
JP6850590B2 JP2016224428A JP2016224428A JP6850590B2 JP 6850590 B2 JP6850590 B2 JP 6850590B2 JP 2016224428 A JP2016224428 A JP 2016224428A JP 2016224428 A JP2016224428 A JP 2016224428A JP 6850590 B2 JP6850590 B2 JP 6850590B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafer support
mounting plate
orientation flat
protrusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016224428A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018082100A (en
Inventor
雄一郎 馬渕
雄一郎 馬渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko KK
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP2016224428A priority Critical patent/JP6850590B2/en
Publication of JP2018082100A publication Critical patent/JP2018082100A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6850590B2 publication Critical patent/JP6850590B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、搭載プレート、ウェハ支持台、及び化学気相成長装置に関する。 The present invention relates to a mounting plate, a wafer support, and a chemical vapor deposition apparatus.

炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きく、熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。炭化珪素はこれらの特性を有することから、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。このため、近年、上記のような半導体デバイスにＳｉＣエピタキシャルウェハが用いられるようになっている。 Silicon carbide (SiC) has characteristics such as an dielectric breakdown electric field that is an order of magnitude larger, a band gap that is three times larger, and a thermal conductivity that is about three times higher than that of silicon (Si). Since silicon carbide has these characteristics, it is expected to be applied to power devices, high-frequency devices, high-temperature operation devices, and the like. For this reason, in recent years, SiC epitaxial wafers have come to be used for the above-mentioned semiconductor devices.

ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板上にＳｉＣ半導体デバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル膜を成長させることによって製造される。ＳｉＣ基板は、昇華法等で作製したＳｉＣのバルク単結晶から加工して得られ、ＳｉＣエピタキシャル膜は、化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）によって形成される。 The SiC epitaxial wafer is manufactured by growing a SiC epitaxial film which is an active region of a SiC semiconductor device on a SiC substrate. The SiC substrate is obtained by processing from a bulk single crystal of SiC produced by a sublimation method or the like, and the SiC epitaxial film is formed by a chemical vapor deposition (CVD) method.

ＳｉＣエピタキシャルウェハを製造するための装置としては、複数のウェハを水平に配置し、各ウェハを公転させるとともにウェハ中心を軸にしてウェハ自体を自転させる水平自公転型のエピタキシャル成長装置が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。 As an apparatus for manufacturing a SiC epitaxial wafer, a horizontal rotation type epitaxial growth apparatus is known in which a plurality of wafers are arranged horizontally, each wafer is revolved, and the wafer itself is rotated around the center of the wafer. (For example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

このエピタキシャル成長装置では、複数の凹状収容部を有し、回転可能な搭載プレート（サセプタ）上に、この搭載プレートの回転軸を囲むように、その複数の凹状収容部内のそれぞれに、ＳｉＣ基板の外周端部の外側から通過することで、原料ガスがＳｉＣ基板上に供給される。この際が載置されるウェハ支持台が収容される。ウェハ支持台が回転駆動機構によって自転可能とされることにより、このウェハ支持台上に載置されたＳｉＣ基板は、搭載プレートの回転軸を中心に公転するとともに自転することで、自公転可能に構成されている。この自公転によって、ＳｉＣ基板の被処理面に対して原料ガスが均一に届くように工夫がなされている。 This epitaxial growth apparatus has a plurality of concave accommodating portions, and on a rotatable mounting plate (susceptor), the outer periphery of the SiC substrate is placed in each of the plurality of concave accommodating portions so as to surround the rotation axis of the mounting plate. By passing from the outside of the end portion, the raw material gas is supplied onto the SiC substrate. The wafer support on which this case is placed is accommodated. Since the wafer support is made to rotate by the rotation drive mechanism, the SiC substrate mounted on the wafer support revolves around the rotation axis of the mounting plate and rotates to rotate, so that the SiC substrate can revolve. It is configured. By this rotation, the raw material gas is devised so as to reach the surface to be treated of the SiC substrate uniformly.

上述のようなエピタキシャル成長装置においては、原料ガスが搭載プレート上に載置されたＳｉＣ基板の外周端部の外側から通過することで、原料ガスがＳｉＣ基板上に供給される。この際、加熱手段によってＳｉＣ基板を高温に維持しながら、基板上にエピタキシャル材料をエピタキシャル成長させることでエピタキシャル膜を成膜する。
この自公転型のエピタキシャル成長装置は、ＳｉＣ基板はウェハ支持台を介して搭載プレート上にＳｉＣ基板が載置される構成であるが、基板が搭載プレートに形成された凹部に直接、載置される構成のエピタキシャル成長装置もある。 In the epitaxial growth apparatus as described above, the raw material gas is supplied onto the SiC substrate by passing the raw material gas from the outside of the outer peripheral end portion of the SiC substrate placed on the mounting plate. At this time, the epitaxial film is formed by epitaxially growing the epitaxial material on the substrate while maintaining the SiC substrate at a high temperature by the heating means.
This self-revolving epitaxial growth apparatus has a configuration in which the SiC substrate is mounted on the mounting plate via a wafer support, but the substrate is directly mounted in the recess formed in the mounting plate. There is also an epitaxial growth device with a configuration.

ここで、加熱されたＳｉＣ基板は、エピタキシャル成長した膜が形成された表面と裏面との熱膨張率の差によって、裏面側が凸になるように反ることが知られている。基板は搭載プレートの下方に配置された加熱装置（例えば、高周波誘導加熱コイル）によって搭載プレートを介して加熱される。基板が載置される搭載プレートの凹部の底面が平坦である場合には、基板が反ってしまうとその底面に密着して接触しないため、基板の温度分布が不均一になる等の問題がある。そこで、加熱時に基板が反った状態でも搭載プレートの凹部の底面（ウェハ載置面）にフィットさせるために、凹部の周縁部から中心に向かうほど大きく凹む凹曲面形状に窪ませたザグリ（座ぐり）を形成することが知られている（例えば、特許文献３、特許文献４等）。一方で、基板が搭載プレートの凹部の底面に接触状態になることで、基板の裏面にその底面との接触跡が形成されてしまうことがあり（例えば、特許文献４の段落０００６参照）、ザグリの形状としては様々な観点で多数の提案がなされている。
なお、本明細書では、「ザグリ」とは、基板あるいはウェハが載置される面が平坦な面から凹んでいる（窪んでいる）部分を指す。 Here, it is known that the heated SiC substrate warps so that the back surface side becomes convex due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the front surface and the back surface on which the epitaxially grown film is formed. The substrate is heated via the mounting plate by a heating device (eg, a high frequency induction heating coil) located below the mounting plate. When the bottom surface of the recess of the mounting plate on which the board is mounted is flat, if the board is warped, it will not come into close contact with the bottom surface, so there is a problem that the temperature distribution of the board becomes uneven. .. Therefore, in order to fit the bottom surface (wafer mounting surface) of the recess of the mounting plate even when the substrate is warped during heating, the counterbore (counterbore) is recessed into a concave curved surface shape that is deeply recessed from the peripheral edge of the recess toward the center. ) Is formed (for example, Patent Document 3, Patent Document 4, etc.). On the other hand, when the substrate comes into contact with the bottom surface of the recess of the mounting plate, contact marks with the bottom surface may be formed on the back surface of the substrate (see, for example, paragraph 0006 of Patent Document 4), and counterbore. Many proposals have been made for the shape of the shape from various viewpoints.
In the present specification, the “counterbore” refers to a portion where the surface on which the substrate or wafer is placed is recessed (recessed) from a flat surface.

搭載プレートに形成されたザグリとしては、基板を支持する円環状の外周側部分と、該外周側部分の内側に該外周側部分よりも窪んだ状態に形成された平面視円形の内周側部分とを有する構成（特許文献３、特許文献４等）や、同様に外周側部分と内周側部分とを有し、その外周側部分が所定の低傾斜角とすると共に、その外周側部分が基板と重なる部分が多くなる水平幅を有する構成（特許文献５）などが知られている。
なお、特許文献４及び５は、シリコン（Ｓｉ）基板上にシリコンのエピタキシャル膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェハが実施例として記載されている。 The counterbore formed on the mounting plate includes an annular outer peripheral side portion that supports the substrate and an inner peripheral side portion that is circular in a plan view and is formed inside the outer peripheral side portion in a state of being recessed from the outer peripheral side portion. (Patent Document 3, Patent Document 4, etc.), and similarly, it has an outer peripheral side portion and an inner peripheral side portion, the outer peripheral side portion has a predetermined low inclination angle, and the outer peripheral side portion thereof. A configuration having a horizontal width in which a portion overlapping the substrate is increased (Patent Document 5) is known.
In Patent Documents 4 and 5, a silicon epitaxial wafer in which a silicon epitaxial film is formed on a silicon (Si) substrate is described as an example.

特許文献５に開示された搭載プレートにおいて、外周側部分が所定の低傾斜角とすると共に、その外周側部分が基板と重なる部分が多くなる水平幅を有する構成としたのは、特許文献５に開示された搭載プレートでは、その中央領域に、シリコン単結晶基板の裏面の自然酸化膜の除去やハローの形成の防止等のために貫通孔が形成されており、その貫通孔から、シリコン基板の裏面に原料ガスが回り込み、シリコン単結晶基板の裏面にデポが発生することを防止することを目的としたものである（段落０００５、段落０００７等参照）。 In Patent Document 5, the mounting plate disclosed in Patent Document 5 has a configuration in which the outer peripheral side portion has a predetermined low inclination angle and the outer peripheral side portion has a horizontal width in which a portion overlapping the substrate is increased. In the disclosed mounting plate, a through hole is formed in the central region for removing the natural oxide film on the back surface of the silicon single crystal substrate and preventing the formation of halos, and the through hole is used to form a through hole of the silicon substrate. The purpose is to prevent the raw material gas from wrapping around the back surface and generating a depot on the back surface of the silicon single crystal substrate (see paragraph 0005, paragraph 0007, etc.).

特許第２７７１５８５号公報Japanese Patent No. 2771585 特許第２８３５３３８号公報Japanese Patent No. 2835338 特開昭６４−８９３１８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-89318 特開２００７−３０５９９１号公報JP-A-2007-305991 特許第４６６１９８２号公報Japanese Patent No. 4661982 特開２０１５−２６７９３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-26793

ここで、通常円盤状のＳｉＣ基板（以下、「ＳｉＣウェハ」ということがある。）は、ＳｉＣウェハの結晶方位を示すための目印として、外周の一部に直線状の切り欠きであるオリエンテーションフラット（ＯＦ；以下、「オリフラ」と略称することがある。）が設けられていることがある。
特許文献６には、ＳｉＣウェハがオリフラを有する場合、そのオリフラと搭載プレートのザグリの内壁との間に堆積物が発生し、その結果、堆積物にウェハが乗り上げて温度分布が悪化する等の問題が挙げられており、その問題を解決する方策としてザグリの形状を工夫した構成が開示されている。 Here, the normally disk-shaped SiC substrate (hereinafter, may be referred to as “SiC wafer”) is an orientation flat having a linear notch on a part of the outer circumference as a mark for indicating the crystal orientation of the SiC wafer. (OF; hereinafter, it may be abbreviated as "orifra") may be provided.
According to Patent Document 6, when the SiC wafer has an orientation flat, deposits are generated between the orientation flat and the inner wall of the counterbore of the mounting plate, and as a result, the wafer rides on the deposits and the temperature distribution deteriorates. A problem has been raised, and a configuration in which the shape of the counterbore is devised is disclosed as a measure to solve the problem.

特許文献６には、いくつかの比較例のザグリに比べて、その堆積物の発生が抑制できる旨、記載されているが、その堆積物の発生のそもそもの原因である、そのオリフラからザグリへ原料ガスが入り込むことを防止する構成については何ら記載がない。 Patent Document 6 describes that the generation of the deposit can be suppressed as compared with the counterbore of some comparative examples, but from the orifra to the counterbore, which is the original cause of the generation of the deposit. There is no description about the configuration that prevents the raw material gas from entering.

本発明者は、ザグリを有するウェハ支持台を用いて、オリフラを有するＳｉＣウェハ上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成して作製したＳｉＣエピタキシャルウェハについて、ＳｉＣエピタキシャルウェハの外周の一部に平坦度（ＧＢＩＲ：Global Backside Ideal Range）が非常に悪い箇所が現れることを見出した。鋭意検討の結果、その原因を掴み、その原因を除去する構成に想到した。
ここで、ＧＢＩＲとは、ウェハを吸着固定した際の厚さ（裏面基準平面からの距離）の最大値と最小値との差として定義されるものである。 The present inventor describes a SiC epitaxial wafer produced by forming a SiC epitaxial film on a SiC wafer having an orifra using a wafer support having a counterbore, and has a flatness (GBIR:) on a part of the outer periphery of the SiC epitaxial wafer. Global Backside Ideal Range) found that a very bad part appeared. As a result of diligent examination, we came up with a configuration that grasped the cause and eliminated the cause.
Here, GBIR is defined as the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness (distance from the back surface reference plane) when the wafer is adsorbed and fixed.

図１２は、搭載プレート上にウェハが搭載された構成を模式的に示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）においてＸ−Ｘ線で切った断面図である。図１２に示す例では、搭載プレートが凹状収容部を有し、その凹状収容部内に収容されるウェハ支持台にウェハが載置されることで、搭載プレート上にウェハが搭載される場合を示す。
図１２は、オリフラ部Ｗａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面を有するウェハ支持部２Ａと、ウェハＷの外周を囲むリング状部２Ｂとを備えたウェハ支持台２を示す。
図１２はかなり誇張して描いているが、ウェハ支持部２Ａがザグリ２ａを有する場合、ウェハのオリフラ部Ｗａとウェハ支持台２のリング状部２Ｂとの間の隙間Ｓから原料ガスがウェハＷの裏面Ｗｂに回り込み、特にオリフラ部Ｗａ近傍（図中の点線の丸印）にデポが付く。このようにして付いたデポがＧＢＩＲの悪化の原因であることを本発明者は突き止めた。
そこで、発明者は鋭意検討の結果、原料ガスの回り込みを防止する構成として本発明に想到した。 12A and 12B are views schematically showing a configuration in which a wafer is mounted on a mounting plate, FIG. 12A is a plan view, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. Is. In the example shown in FIG. 12, the mounting plate has a concave accommodating portion, and the wafer is mounted on the wafer support base accommodated in the concave accommodating portion, so that the wafer is mounted on the mounting plate. ..
FIG. 12 shows a wafer support base 2 having a wafer support portion 2A having a wafer mounting surface on which the wafer W having the orientation flat portion Wa is placed and a ring-shaped portion 2B surrounding the outer periphery of the wafer W.
Although FIG. 12 is drawn with a considerable exaggeration, when the wafer support portion 2A has a counterbore 2a, the raw material gas is the wafer W from the gap S between the orientation flat portion Wa of the wafer and the ring-shaped portion 2B of the wafer support base 2. It wraps around the back surface Wb of the above, and a depot is attached especially in the vicinity of the orientation flat portion Wa (dotted circle in the figure). The present inventor has determined that the depot thus attached is the cause of the deterioration of GBIR.
Therefore, as a result of diligent studies, the inventor came up with the present invention as a configuration for preventing the wraparound of the raw material gas.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、原料ガスの回り込みを防止できる搭載プレート、原料ガスの回り込みを防止できるウェハ支持台、及び、それらの搭載プレート又はウェハ支持台を備えた化学気相成長装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a mounting plate capable of preventing the wraparound of the raw material gas, a wafer support base capable of preventing the wraparound of the raw material gas, and a chemical vapor provided with the mounting plate or the wafer support base. It is an object of the present invention to provide a phase growth apparatus.

本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。 The present invention provides the following means for solving the above problems.

（１）本発明の一態様に係る搭載プレートは、オリフラを有するウェハが載置されるウェハ載置面を有するウェハ支持部と、ウェハの外周を囲むリング状部とを備えた搭載プレートであって、前記ウェハ載置面にはザグリが形成されており、前記ウェハのオリフラと前記搭載プレートとの間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部を備える。 (1) The mounting plate according to one aspect of the present invention is a mounting plate including a wafer support portion having a wafer mounting surface on which a wafer having an orientation flat is mounted and a ring-shaped portion surrounding the outer periphery of the wafer. A counterbore is formed on the wafer mounting surface, and the wafer mounting surface is provided with a wraparound prevention portion for preventing the raw material gas from wrapping around from the gap between the wafer orientation flat and the mounting plate.

（２）上記（１）に記載の搭載プレートにおいて、前記回り込み防止部は、前記リング状部の一部であって、平面視して前記オリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、オリフラの方に突き出た突出部であってもよい。 (2) In the mounting plate according to (1) above, the wraparound prevention portion is a part of the ring-shaped portion and has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat when viewed in a plan view. It may be a protruding portion protruding toward.

（３）上記（１）に記載の搭載プレートにおいて、前記回り込み防止部は、前記ウェハ支持部の一部であって、平面視して前記オリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、前記ウェハ載置面から立説して前記ウェハのオリフラと前記リング状部との間の隙間に突き出た突出部であってよい。 (3) In the mounting plate according to (1) above, the wraparound prevention portion is a part of the wafer support portion and has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat when viewed in a plan view. It may be a protruding portion protruding from the wafer mounting surface into a gap between the wafer orientation flat and the ring-shaped portion.

（４）本発明の一態様に係るウェハ支持台は、凹状収容部を有する搭載プレートの前記凹状収容部内に収容されるウェハ支持台であって、オリフラを有するウェハが載置されるウェハ載置面を有するウェハ支持部と、ウェハの外周を囲むリング状部とを備え、前記ウェハ載置面にはザグリが形成されており、 前記ウェハのオリフラと前記ウェハ支持台との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部を備える。 (4) The wafer support according to one aspect of the present invention is a wafer support that is accommodated in the concave accommodating portion of a mounting plate having a concave accommodating portion, and is a wafer mounting on which a wafer having an orientation flat is placed. A wafer support portion having a surface and a ring-shaped portion surrounding the outer periphery of the wafer are provided, and counterbore is formed on the wafer mounting surface, from a gap between the wafer orientation fla and the wafer support base. It is provided with a wraparound prevention unit that prevents the wraparound of the raw material gas.

（５）上記（４）に記載のウェハ支持台において、前記回り込み防止部は、前記リング状部の一部であって、平面視して前記オリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、オリフラの方に突き出た突出部であってもよい。 (5) In the wafer support according to (4) above, the wraparound prevention portion is a part of the ring-shaped portion and has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat when viewed in a plan view. It may be a protruding portion protruding toward the orientation plane.

（６）上記（４）に記載のウェハ支持台において、前記回り込み防止部は、前記ウェハ支持部の一部であって、平面視して前記オリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、前記ウェハ載置面から立説して前記ウェハのオリフラと前記リング状部との間の隙間に突き出た突出部であってよい。 (6) In the wafer support according to (4) above, the wraparound prevention portion is a part of the wafer support portion and has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat when viewed in a plan view. It may be a protruding portion protruding from the wafer mounting surface into a gap between the wafer orientation flat and the ring-shaped portion.

（７）本発明の一態様に係る化学気相成長装置は、上記（１）〜（３）のいずれか一つに記載の搭載プレートを備える。 (7) The chemical vapor deposition apparatus according to one aspect of the present invention includes the mounting plate according to any one of (1) to (3) above.

（８）本発明の一態様に係る化学気相成長装置は、上記（４）〜（６）のいずれか一つに記載のウェハ支持台を備える。 (8) The chemical vapor deposition apparatus according to one aspect of the present invention includes the wafer support according to any one of (4) to (6) above.

本発明の搭載プレートによれば、原料ガスの回り込みを防止できる搭載プレートを提供することができる。
本発明のウェハ支持台によれば、原料ガスの回り込みを防止できるウェハ支持台を提供することができる。 According to the mounting plate of the present invention, it is possible to provide a mounting plate capable of preventing the raw material gas from wrapping around.
According to the wafer support of the present invention, it is possible to provide a wafer support that can prevent the raw material gas from wrapping around.

本発明の一実施形態に係る化学気相成長装置の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the chemical vapor deposition apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１のシーリング側から見た搭載プレートの平面図である。It is a top view of the mounting plate seen from the sealing side of FIG. 本発明の一実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic view of an example of the wafer support base which concerns on one Embodiment of this invention, (a) is a plan view, (b) is a sectional view. 本発明の一実施形態に係る搭載プレートの一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic view of an example of the mounting plate which concerns on one Embodiment of this invention, (a) is a plan view, (b) is a sectional view. 本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic diagram of an example of the wafer support according to another embodiment of the present invention, (a) is a plan view, and (b) is a sectional view. 本発明の他の実施形態に係る搭載プレートの一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic view of an example of the mounting plate which concerns on another embodiment of this invention, (a) is a plan view, (b) is a sectional view. 本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic diagram of an example of the wafer support according to another embodiment of the present invention, (a) is a plan view, and (b) is a sectional view. 本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic diagram of an example of the wafer support according to another embodiment of the present invention, (a) is a plan view, and (b) is a sectional view. 本発明の他の実施形態に係る搭載プレートの一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic view of an example of the mounting plate which concerns on another embodiment of this invention, (a) is a plan view, (b) is a sectional view. 本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic diagram of an example of the wafer support according to another embodiment of the present invention, (a) is a plan view, and (b) is a sectional view. 本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a schematic diagram of an example of the wafer support according to another embodiment of the present invention, (a) is a plan view, and (b) is a sectional view. 従来の搭載プレート（ウェハ支持台）の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the conventional mounting plate (wafer support).

以下、本発明を適用した実施形態である搭載プレートと、ウェハ支持台と、それらのいずれかを備えた化学気相成長装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その効果を奏する範囲で適宜変更して実施することが可能である。
本発明の搭載プレート及び化学気相成長装置は以下に示す例では、複数のウェハを搭載する構成を示しているが、１枚のウェハを搭載する場合も含まれることは言うまでもない。また、ウェハは、基板やエピタキシャル膜が炭化珪素（ＳｉＣ）の場合を例示して説明しているが、それに限定されない。 Hereinafter, a mounting plate, a wafer support, and a chemical vapor deposition apparatus including any of them, which are embodiments to which the present invention is applied, will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features easy to understand, the featured parts may be enlarged for convenience, and the dimensional ratios of each component may not be the same as the actual ones. Absent. Further, the materials, dimensions, etc. exemplified in the following description are examples, and the present invention is not limited thereto, and can be appropriately modified and carried out within the range in which the effect is exhibited.
In the example shown below, the mounting plate and the chemical vapor deposition apparatus of the present invention show a configuration in which a plurality of wafers are mounted, but it goes without saying that a case where one wafer is mounted is also included. Further, the wafer is described by exemplifying the case where the substrate and the epitaxial film are silicon carbide (SiC), but the wafer is not limited thereto.

本明細書において「ウェハ」との記載は、エピタキシャル成長前の単結晶基板を指す場合と、単結晶基板上にエピタキシャル膜を有するエピタキシャルウェハを指す場合がある。また、エピタキシャル成長途中のウェハも「ウェハ」と記載する場合がある。 In the present specification, the term "wafer" may refer to a single crystal substrate before epitaxial growth, or may refer to an epitaxial wafer having an epitaxial film on the single crystal substrate. In addition, a wafer in the process of epitaxial growth may also be described as a "wafer".

［化学気相成長装置］
図１は、本発明の一実施形態に係る化学気相成長装置の一例を模式的に示す断面図である。本発明の化学気相成長装置は、図１の構成のものには限られないが、以下理解を容易にするために、図１の化学気相成長装置に基づき本発明を説明する。 [Chemical vapor deposition equipment]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. The chemical vapor deposition apparatus of the present invention is not limited to the configuration shown in FIG. 1, but the present invention will be described below based on the chemical vapor deposition apparatus of FIG. 1 for easy understanding.

本発明の一実施形態に係る化学気相成長装置１００は、例えば、減圧排気が可能なチャンバ（成膜室）内に、原料ガスＧを供給しながら、加熱されたウェハ（ＳｉＣウェハ）Ｗの面上に層を堆積成長させる。例えば、ＳｉＣをエピタキシャル成長させる場合、原料ガスＧには、Ｓｉ源にシラン（ＳｉＨ４）、ジクロロシラン（ＳｉＣｌ２Ｈ２）、トリクロロシラン（ＳｉＣｌ３）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）等を用いることができ、炭素（Ｃ）源にプロパン（Ｃ３Ｈ８）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）等を用いることができる。また、キャリアガスとして水素（Ｈ２）を含むもの等を用いることができる。 The chemical vapor deposition apparatus 100 according to the embodiment of the present invention is, for example, a wafer (SiC wafer) W heated while supplying a raw material gas G into a chamber (deposition chamber) capable of decompression and exhaust. Layers are deposited and grown on the surface. For example, when SiC is epitaxially grown, silane (SiH 4 ), dichlorosilane (SiCl 2 H 2 ), trichlorosilane (SiCl 3 ), silicon tetrachloride (SiCl 4 ), or the like is used as the raw material gas G as the Si source. Propane (C 3 H 8 ), ethane (C 2 H 6 ), ethylene (C 2 H 4 ) and the like can be used as the carbon (C) source. Further, as the carrier gas, a gas containing hydrogen (H 2 ) or the like can be used.

化学気相成長装置１００は、チャンバの内部において、複数のウェハＷが載置される搭載プレート（サセプタ）１０と、この搭載プレート１０との間で反応空間Ｋを形成するように搭載プレート１０の上面に対向して配置されたシーリング（天板）５０と、搭載プレート１０およびシーリング５０の外側に位置して反応空間Ｋの周囲を囲むように配置された周壁６０と、を備えている。
シーリング５０は、チャンバ内に着脱自在に取り付けられている。具体的には、このシーリング５０は、周壁６０の内周面から突出して設けられた支持部６１の上に、その外周部が載置されることによって、鉛直上向きに支持されている。 In the chemical vapor deposition apparatus 100, inside the chamber, the mounting plate (susceptor) 10 on which a plurality of wafers W are mounted and the mounting plate 10 form a reaction space K between the mounting plates 10. It includes a sealing (top plate) 50 arranged to face the upper surface, and a peripheral wall 60 located outside the mounting plate 10 and the sealing 50 and arranged so as to surround the reaction space K.
The sealing 50 is detachably mounted in the chamber. Specifically, the sealing 50 is supported vertically upward by placing the outer peripheral portion thereof on the support portion 61 provided so as to project from the inner peripheral surface of the peripheral wall 60.

図１に示す化学気相成長装置１００では、搭載プレート（サセプタ）１０はその上面１０ａに凹状収容部１１が形成されており、ウェハＷが直接載置されるウェハ支持台（サテライト）２０は搭載プレート１０とは別部材である構成となっている。ウェハ支持台が搭載プレートの一部分である構成でもよい。換言すれば、搭載プレートにウェハＷを載置するウェハ支持部及びリング状部が形成された構成であってもよい。
すなわち、ウェハＷは図１に示すように、ウェハ支持台を介して搭載プレートに搭載される構成であってもよいし、あるいは、搭載プレートの上面にウェハＷが直接載置される構成であってもよい。
ウェハ支持台が搭載プレートの一部分である構成の場合、ウェハ支持台とは搭載プレートにおいて、ウェハが載置されるウェハ載置面及びザグリからなるウェハ支持部と、ウェハの外周を囲むリング状部とからなる部分を指す。
ウェハ支持部だけが搭載プレートに形成されており（すなわち、ウェハ支持部が搭載プレートに一体であり）、リング状部が搭載プレートとは別部材であってもよい。 In the chemical vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. 1, the mounting plate (susceptor) 10 has a concave accommodating portion 11 formed on the upper surface 10a thereof, and the wafer support base (satellite) 20 on which the wafer W is directly mounted is mounted. It has a structure that is a separate member from the plate 10. The wafer support may be a part of the mounting plate. In other words, a wafer support portion and a ring-shaped portion on which the wafer W is placed may be formed on the mounting plate.
That is, as shown in FIG. 1, the wafer W may be mounted on the mounting plate via the wafer support base, or the wafer W may be mounted directly on the upper surface of the mounting plate. May be.
In the case where the wafer support base is a part of the mounting plate, the wafer support base is a mounting plate in which the wafer mounting surface and the counterbore on which the wafer is mounted and a ring-shaped portion surrounding the outer periphery of the wafer are formed. Refers to the part consisting of.
Only the wafer support portion is formed on the mounting plate (that is, the wafer support portion is integrated with the mounting plate), and the ring-shaped portion may be a separate member from the mounting plate.

図示を省略する高周波電源から誘導コイル７０に高周波電流が供給されると、搭載プレート１０およびシーリング５０が高周波誘導加熱により加熱される。そして、搭載プレート１０およびシーリング５０からの輻射や、搭載プレート１０上に配されたウェハ支持台（サテライト）２０からの熱伝導等により、ウェハ支持台２０に載置されたウェハＷを加熱することができる。なお、加熱手段は、搭載プレート１０の下面側およびシーリング５０の上面側に配置された構成に限らず、これらのいずれか一方側のみに配置された構成とすることも可能である。また、加熱手段としては、高周波誘導加熱に限らず、抵抗加熱によるもの等を用いてもよい。 When a high-frequency current is supplied to the induction coil 70 from a high-frequency power source (not shown), the mounting plate 10 and the sealing 50 are heated by high-frequency induction heating. Then, the wafer W mounted on the wafer support 20 is heated by radiation from the mounting plate 10 and the sealing 50, heat conduction from the wafer support (satellite) 20 arranged on the mounting plate 10, and the like. Can be done. The heating means is not limited to the configuration arranged on the lower surface side of the mounting plate 10 and the upper surface side of the sealing 50, and may be configured to be arranged only on one of these sides. Further, the heating means is not limited to high frequency induction heating, and resistance heating or the like may be used.

化学気相成長装置１００では、ガス導入管３０を通り、その開口部３１から放出された原料ガスＧを、反応空間Ｋの内側から外側に向かって放射状に流すことにより、ウェハＷの面内に対して平行に原料ガスＧを供給することが可能となっている。チャンバ内で不要になったガスは、周壁６０の外側に設けられた排気口（不図示）からチャンバの外へと排出することが可能となっている。 In the chemical vapor deposition apparatus 100, the raw material gas G released from the opening 31 passes through the gas introduction pipe 30 and flows radially from the inside to the outside of the reaction space K into the plane of the wafer W. On the other hand, it is possible to supply the raw material gas G in parallel. Gas that is no longer needed in the chamber can be discharged to the outside of the chamber through an exhaust port (not shown) provided on the outside of the peripheral wall 60.

搭載プレート１０は、いわゆるプラネタリ（自公転）方式を用いた構造となっている。搭載プレート１０は、駆動モータ（不図示）を用いて回転軸１２を回転駆動させた際に、それに連動し、回転軸１２を軸として自転する回転台としての機能を有している。 The mounting plate 10 has a structure using a so-called planetary (revolution) method. The mounting plate 10 has a function as a turntable that rotates around the rotary shaft 12 in conjunction with the rotary drive of the rotary shaft 12 using a drive motor (not shown).

搭載プレートの上面１０ａには、平面視円形状をなし、搭載プレート１０の周方向（回転方向）に等間隔に複数並んで凹状収容部１１が設けられている。図２は、化学気相成長装置１００の搭載プレート１０を平面視した模式図である。凹状収容部１１が等間隔に６個並んで設けられている場合を例示している。 The upper surface 10a of the mounting plate has a circular shape in a plan view, and a plurality of concave accommodating portions 11 are provided side by side at equal intervals in the circumferential direction (rotational direction) of the mounting plate 10. FIG. 2 is a schematic view of the mounting plate 10 of the chemical vapor deposition apparatus 100 in a plan view. An example shows a case where six concave accommodating portions 11 are provided side by side at equal intervals.

図２は、シーリング５０側から見た搭載プレート１０の平面図である。
ウェハ支持台２０は、図２に示すように搭載プレート１０の凹状収容部１１に収容され、上面にウェハＷを載置することができる。ウェハ支持台２０は、シーリング５０と対向する側に、ウェハ載置面２１Ｓと、載置されるウェハの周囲を囲むように起立するリング状部２２とを有している。図２では、簡単のため搭載プレート１０の２つの凹状収容部１１にのみウェハ支持台２０を収容した例を示している。図２に示したウェハＷではオリフラは省略した。
なお、本明細書において、「ウェハ載置面」とは、実際にウェハが接触している部分を含む面である。 FIG. 2 is a plan view of the mounting plate 10 as viewed from the sealing 50 side.
As shown in FIG. 2, the wafer support base 20 is housed in the concave housing portion 11 of the mounting plate 10, and the wafer W can be placed on the upper surface. The wafer support base 20 has a wafer mounting surface 21S and a ring-shaped portion 22 that stands up so as to surround the periphery of the wafer to be mounted on the side facing the sealing 50. FIG. 2 shows an example in which the wafer support base 20 is accommodated only in the two concave accommodating portions 11 of the mounting plate 10 for simplicity. In the wafer W shown in FIG. 2, the orientation flat is omitted.
In addition, in this specification, a "wafer mounting surface" is a surface including a portion which is actually in contact with a wafer.

ウェハ支持台２０は、その下面と凹状収容部１１との間に、原料ガスＧとは別の駆動用ガスが供給されることにより、中心軸周りに回転駆動される仕組みとなっている（不図示）。これにより、ウェハ支持台２０に載置されたウェハＷに対して均等に成膜を行うことができる。 The wafer support base 20 has a mechanism of being rotationally driven around the central axis by supplying a driving gas different from the raw material gas G between the lower surface thereof and the concave accommodating portion 11. Illustrated). As a result, the film can be evenly formed on the wafer W placed on the wafer support base 20.

［ウェハ支持台（第１実施形態）］
図３に、本発明の一実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図を示す。図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のウェハ支持台のＸ−Ｘ線で切った断面図である。
図３に示すウェハ支持台２０は、凹状収容部を有する搭載プレートの凹状収容部内に収容されるウェハ支持台であって、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面２１Ｓを有するウェハ支持部２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａとウェハ支持台２０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部２２Ａを備えている。
なお、図３において、符号２１Ｓと共に示した点線は断面で見たときの載置されたウェハの位置（高さ）を示すものであって、ウェハ載置面自体を示すものではない。
本発明において、ザグリの形状は、ウェハを載置した段階で直接接触しないように凹んだ形状であればよく、特に制限はない。 [Wafer support (first embodiment)]
FIG. 3 shows a schematic view of an example of a wafer support according to an embodiment of the present invention. FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line XX of the wafer support of FIG. 3A.
The wafer support base 20 shown in FIG. 3 is a wafer support base accommodated in the concave accommodating portion of the mounting plate having the concave accommodating portion, and has a wafer mounting surface 21S on which the wafer W having the orientation flat Wa is placed. A wafer support portion 21 and a ring-shaped portion 22 surrounding the outer periphery of the wafer W are provided, and a counterbore 21a is formed on the wafer mounting surface, and the counterbore 21a is formed from a gap between the wafer W's orientation flat Wa and the wafer support base 20. The wraparound prevention unit 22A for preventing the wraparound of the raw material gas is provided.
In FIG. 3, the dotted line shown with reference numeral 21S indicates the position (height) of the mounted wafer when viewed in cross section, and does not indicate the wafer mounting surface itself.
In the present invention, the shape of the counterbore may be a concave shape so as not to come into direct contact at the stage where the wafer is placed, and is not particularly limited.

図３に示すウェハ支持台２０では、ウェハ支持部２１とリング状部２２とは別部材であるが、本発明のウェハ支持台はウェハ支持部とリング状部とが別部材である場合に限らず、一体であっても構わない。図３に示すウェハ支持台２０では別部材であるので、符号２１の部材はウェハ支持部材、符号２２の部材はリング状部材と言ってもよい。 In the wafer support 20 shown in FIG. 3, the wafer support 21 and the ring-shaped portion 22 are separate members, but the wafer support of the present invention is limited to the case where the wafer support and the ring-shaped portion are separate members. It does not matter if it is one. Since the wafer support base 20 shown in FIG. 3 is a separate member, the member of reference numeral 21 may be referred to as a wafer support member, and the member of reference numeral 22 may be referred to as a ring-shaped member.

図３に示すウェハ支持台２０では、リング状部２２が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａと従来のリング状の部分と同様な部分２２Ｂとの間の隙間を埋めるようにオリフラＷａ側に突起した突起部である回り込み防止部２２Ａを有する。
図３に示すリング状部２２は、回り込み防止部２２Ａと、それ以外の部分（従来のリング状の部分と同様な部分）２２Ｂとからなる。
回り込み防止部２２Ａは、リング状部２２の一部であって、平面視して、ウェハＷのオリフラＷａの切り欠け形状に対応する形状を有し、オリフラの方に突き出た突出部である。 In the wafer support base 20 shown in FIG. 3, the ring-shaped portion 22 is viewed in a plan view and is placed on the orientation flat Wa side so as to fill the gap between the orientation flat Wa of the wafer W and the portion 22B similar to the conventional ring-shaped portion. It has a wraparound prevention portion 22A which is a protruding protrusion.
The ring-shaped portion 22 shown in FIG. 3 includes a wraparound prevention portion 22A and a portion other than the ring-shaped portion 22 (a portion similar to the conventional ring-shaped portion) 22B.
The wraparound prevention portion 22A is a part of the ring-shaped portion 22, has a shape corresponding to the notch shape of the orientation flat Wa of the wafer W in a plan view, and is a protruding portion protruding toward the orientation flat.

図３に示すウェハ支持台２０はこの回り込み防止部２２Ａを備えるため、ウェハＷのオリフラＷａとウェハ支持台２０との間の隙間からウェハＷの裏側に原料ガスが回り込むことが防止されている。 Since the wafer support base 20 shown in FIG. 3 is provided with the wraparound prevention portion 22A, the raw material gas is prevented from wrapping around to the back side of the wafer W from the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the wafer support base 20.

回り込み防止部２２ＡとウェハＷのオリフラＷａとは近接しているほど（例えば、ほぼ接触するほど）、原料ガスの回り込み防止効果は大きい。この近接の程度を回り込み防止部２２ＡとウェハＷのオリフラＷａとの隙間を平面視した距離で言えば、例えば、０．５〜３ｍｍ、より好ましくは０．５〜１ｍｍとすることができる。 The closer the wraparound prevention unit 22A and the wafer W's orientation flat Wa are (for example, the closer they are in contact with each other), the greater the wraparound prevention effect of the raw material gas. The degree of this proximity can be, for example, 0.5 to 3 mm, more preferably 0.5 to 1 mm, in terms of the distance between the wraparound prevention portion 22A and the wafer W's orientation flat Wa in a plan view.

［搭載プレート（第１実施形態）］
図４は図としては図３に類似するが、図４に示すのは、本発明の一実施形態に係る、ウェハ支持部とリング状部とを備えた搭載プレートのウェハ支持部近傍の一例の模式図である。図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の搭載プレートのＸ−Ｘ線で切った断面図である。図３に記載の部材と同様な部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
図４に示す搭載プレート１１０は、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面１１０−２１Ｓを有するウェハ支持部１１０−２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ１１０−２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａと搭載プレート１１０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部２２Ａを備えている。
なお、図４において、符号１１０−２１Ｓと共に示した点線は断面で見たときの載置されたウェハの位置（高さ）を示すものであって、ウェハ載置面自体を示すものではない。 [Mounting plate (first embodiment)]
FIG. 4 is similar to FIG. 3 as a figure, but FIG. 4 shows an example of the vicinity of the wafer support portion of the mounting plate provided with the wafer support portion and the ring-shaped portion according to the embodiment of the present invention. It is a schematic diagram. FIG. 4 (a) is a plan view, and FIG. 4 (b) is a cross-sectional view taken along line XX of the mounting plate of FIG. 4 (a). The same members as those shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The mounting plate 110 shown in FIG. 4 includes a wafer support portion 110-21 having a wafer mounting surface 110-21S on which the wafer W having the orientation flat Wa is mounted, and a ring-shaped portion 22 surrounding the outer periphery of the wafer W. A counterbore 110-21a is formed on the wafer mounting surface, and is provided with a wraparound prevention unit 22A that prevents the raw material gas from wrapping around from the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the mounting plate 110.
In FIG. 4, the dotted line shown with reference numeral 110-21S indicates the position (height) of the mounted wafer when viewed in cross section, and does not indicate the wafer mounting surface itself.

図４に示す搭載プレート１１０では、ウェハ支持部１１０−２１は搭載プレート１１０の一部分であるのに対して、リング状部２２は搭載プレート１１０とは別部材である。リング状部２２はリング状部材２２と言ってもよい。 In the mounting plate 110 shown in FIG. 4, the wafer support portion 110-21 is a part of the mounting plate 110, whereas the ring-shaped portion 22 is a separate member from the mounting plate 110. The ring-shaped portion 22 may be referred to as a ring-shaped member 22.

図４に示す搭載プレート１１０では、リング状部２２が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａの部分を埋めるようにオリフラＷａ側に突起した部分である回り込み防止部２２Ａを有する。
図４に示すリング状部２２は、回り込み防止部２２Ａと、それ以外の部分（従来のリング状の部分と同様な部分）２２Ｂとからなる。
回り込み防止部２２Ａは、リング状部２２の一部であって、平面視して、ウェハＷのオリフラＷａの切り欠け形状に対応する形状を有し、オリフラの方に突き出た突出部である。 In the mounting plate 110 shown in FIG. 4, the ring-shaped portion 22 has a wraparound prevention portion 22A which is a portion protruding toward the orientation flat Wa side so as to fill the orientation flat Wa portion of the wafer W in a plan view.
The ring-shaped portion 22 shown in FIG. 4 includes a wraparound prevention portion 22A and a portion other than the ring-shaped portion 22 (a portion similar to the conventional ring-shaped portion) 22B.
The wraparound prevention portion 22A is a part of the ring-shaped portion 22, has a shape corresponding to the notch shape of the orientation flat Wa of the wafer W in a plan view, and is a protruding portion protruding toward the orientation flat.

図４に示す搭載プレート１１０はこの回り込み防止部２２Ａを備えるため、ウェハＷのオリフラＷａとリング状部２２（搭載プレート１１０）との間の隙間からウェハＷの裏側に原料ガスが回り込むことが防止されている。 Since the mounting plate 110 shown in FIG. 4 is provided with the wraparound prevention portion 22A, it is possible to prevent the raw material gas from wrapping around to the back side of the wafer W from the gap between the orientation flat Wa of the wafer W and the ring-shaped portion 22 (mounting plate 110). Has been done.

回り込み防止部２２ＡとウェハＷのオリフラＷａとは近接しているほど（例えば、ほぼ接触するほど）、原料ガスの回り込み防止効果は大きい。この近接の程度を回り込み防止部２２ＡとウェハＷのオリフラＷａとの隙間を平面視した距離で言えば、例えば、０．５〜３ｍｍ、より好ましくは０．５〜１ｍｍとすることができる。 The closer the wraparound prevention unit 22A and the wafer W's orientation flat Wa are (for example, the closer they are in contact with each other), the greater the wraparound prevention effect of the raw material gas. The degree of this proximity can be, for example, 0.5 to 3 mm, more preferably 0.5 to 1 mm, in terms of the distance between the wraparound prevention portion 22A and the wafer W's orientation flat Wa in a plan view.

［ウェハ支持台（第２実施形態）］
図５に、本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図を示す。図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のウェハ支持台のＸ−Ｘ線で切った断面図である。先述した図に記載の部材と同様な部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
図５に示すウェハ支持台１２０は、凹状収容部を有する搭載プレートの凹状収容部内に収容されるウェハ支持台であって、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面１２１Ｓを有するウェハ支持部１２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部１２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ１２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａとウェハ支持台１２０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部１２１Ａを備えている。 [Wafer support (second embodiment)]
FIG. 5 shows a schematic view of an example of a wafer support according to another embodiment of the present invention. 5 (a) is a plan view, and FIG. 5 (b) is a cross-sectional view taken along line XX of the wafer support of FIG. 5 (a). The same members as those shown in the above-described drawings are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The wafer support 120 shown in FIG. 5 is a wafer support that is accommodated in the concave accommodating portion of the mounting plate having the concave accommodating portion, and has a wafer mounting surface 121S on which the wafer W having the orientation flat Wa is placed. A wafer support portion 121 and a ring-shaped portion 122 that surrounds the outer periphery of the wafer W are provided, and a counterbore 121a is formed on the wafer mounting surface. The wraparound prevention unit 121A for preventing the wraparound of the raw material gas is provided.

図５に示すウェハ支持台１２０では、ウェハ支持部１２１とリング状部１２２とは別部材であるが、一体であっても構わない。図５に示すウェハ支持台１２０では別部材であるので、ウェハ支持部１２１はウェハ支持部材１２１、リング状部１２２はリング状部材１２２と言ってもよい。 In the wafer support base 120 shown in FIG. 5, the wafer support portion 121 and the ring-shaped portion 122 are separate members, but they may be integrated. Since the wafer support base 120 shown in FIG. 5 is a separate member, the wafer support portion 121 may be referred to as a wafer support member 121, and the ring-shaped portion 122 may be referred to as a ring-shaped member 122.

図５に示すウェハ支持台１２０では、ウェハ支持部１２１が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａとリング状部１２２との隙間を埋めるようにウェハ載置面１２１Ｓから立設した突起部である回り込み防止部１２１Ａを有する。
図５に示すウェハ支持台１２０は、ウェハ載置面１２１Ｓと、ザグリ１２１ａと、回り込み防止部１２１Ａとを備える。
回り込み防止部１２１Ａは、ウェハ支持部１２１の一部であって、平面視して前記オリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、ウェハ載置面１２１Ｓから立説してウェハＷのオリフラＷａとリング状部１２２との間の隙間に突き出た突出部である。 In the wafer support base 120 shown in FIG. 5, the wafer support portion 121 is a protrusion erected from the wafer mounting surface 121S so as to fill the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the ring-shaped portion 122 in a plan view. It has a wraparound prevention unit 121A.
The wafer support base 120 shown in FIG. 5 includes a wafer mounting surface 121S, a counterbore 121a, and a wraparound prevention portion 121A.
The wraparound prevention portion 121A is a part of the wafer support portion 121 and has a shape corresponding to the notch shape of the orientation flat when viewed in a plan view. It is a protruding portion protruding into the gap between the ring-shaped portion 122 and the ring-shaped portion 122.

図５に示すウェハ支持台１２０はこの回り込み防止部１２１Ａを備えるため、ウェハＷのオリフラＷａとウェハ支持台２０との間の隙間からウェハＷの裏側に原料ガスが回り込むことが防止されている。 Since the wafer support 120 shown in FIG. 5 includes the wraparound prevention portion 121A, the raw material gas is prevented from wrapping around to the back side of the wafer W from the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the wafer support 20.

回り込み防止部１２１ＡとウェハＷのオリフラＷａとは近接しているほど（例えば、ほぼ接触するほど）、原料ガスの回り込み防止効果は大きい。この近接の程度を回り込み防止部１２１ＡとウェハＷのオリフラＷａとの隙間を平面視した距離で言えば、例えば、０．５〜３ｍｍ、より好ましくは０．５〜１ｍｍとすることができる。 The closer the wraparound prevention unit 121A and the wafer W's orientation flat Wa are (for example, the closer they are in contact with each other), the greater the wraparound prevention effect of the raw material gas. The degree of this proximity can be, for example, 0.5 to 3 mm, more preferably 0.5 to 1 mm, in terms of the distance between the wraparound prevention portion 121A and the orientation flat Wa of the wafer W in a plan view.

［搭載プレート（第２実施形態）］
図６は図としては図５に類似するが、図６に示すのは、本発明の一実施形態に係る、ウェハ支持部とリング状部とを備えた搭載プレートのウェハ支持部近傍の一例の模式図である。図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の搭載プレートのＸ−Ｘ線で切った断面図である。図５に記載の部材と同様な部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
図６に示す搭載プレート２１０は、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面２１０−１２１Ｓを有するウェハ支持部２１０−１２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部１２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ１１０−１２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａと搭載プレート２１０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部２１０−１２１Ａを備えている。
なお、図６において、符号２１０−１２１Ｓと共に示した点線は断面で見たときの載置されたウェハの位置（高さ）を示すものであって、ウェハ載置面自体を示すものではない。 [Mounting plate (second embodiment)]
FIG. 6 is similar to FIG. 5 as a figure, but FIG. 6 shows an example in the vicinity of the wafer support portion of the mounting plate provided with the wafer support portion and the ring-shaped portion according to the embodiment of the present invention. It is a schematic diagram. 6 (a) is a plan view, and FIG. 6 (b) is a cross-sectional view taken along line XX of the mounting plate of FIG. 6 (a). The same members as those shown in FIG. 5 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The mounting plate 210 shown in FIG. 6 includes a wafer support portion 210-121 having a wafer mounting surface 210-121S on which the wafer W having the orientation flat Wa is mounted, and a ring-shaped portion 122 surrounding the outer periphery of the wafer W. A counterbore 110-121a is formed on the wafer mounting surface, and a wraparound prevention portion 210-121A for preventing the wraparound of the raw material gas from the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the mounting plate 210 is provided. ..
In FIG. 6, the dotted line shown with reference numerals 210-121S indicates the position (height) of the mounted wafer when viewed in cross section, and does not indicate the wafer mounting surface itself.

図６に示す搭載プレート２１０では、ウェハ支持部２１０−１２１は搭載プレート２１０の一部分であるのに対して、リング状部１２２は搭載プレート２１０とは別部材である。リング状部１２２はリング状部材１２２と言ってもよい。 In the mounting plate 210 shown in FIG. 6, the wafer support portion 210-121 is a part of the mounting plate 210, whereas the ring-shaped portion 122 is a separate member from the mounting plate 210. The ring-shaped portion 122 may be referred to as a ring-shaped member 122.

図６に示す搭載プレート２１０では、ウェハ支持部２１０−１２１が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａとリング状部１２２との隙間を埋めるようにウェハ載置面２１０−１２１Ｓから立設した突起部である回り込み防止部１２１Ａを有する。
図６に示す搭載プレート２１０は、ウェハ載置面２１０−１２１Ｓと、ザグリ２１０−１２１ａと、回り込み防止部２１０−１２１Ａとを有するウェハ支持部２１０−１２１を備える。
回り込み防止部２１０−１２１Ａは、ウェハ支持部２１０−１２１の一部であって、平面視してオリフラＷａの切り欠け形状に対応する形状を有し、ウェハ載置面２１０−１２１Ｓから立説してウェハＷのオリフラＷａとリング状部１２２との間の隙間に突き出た突出部である。 In the mounting plate 210 shown in FIG. 6, the wafer supporting portion 210-121 is viewed in a plan view, and a protrusion erected from the wafer mounting surface 210-121S so as to fill the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the ring-shaped portion 122. It has a wraparound prevention portion 121A which is a portion.
The mounting plate 210 shown in FIG. 6 includes a wafer mounting surface 210-121S, a counterbore 210-121a, and a wafer support portion 210-121 having a wraparound prevention portion 210-121A.
The wraparound prevention portion 210-121A is a part of the wafer support portion 210-121, has a shape corresponding to the notch shape of the orientation flat Wa in a plan view, and is based on the wafer mounting surface 210-121S. It is a protruding portion protruding into the gap between the orientation flat Wa of the wafer W and the ring-shaped portion 122.

図６に示す搭載プレート２１０はこの回り込み防止部２１０−１２１Ａを備えるため、ウェハＷのオリフラＷａとリング状部１２２（搭載プレート２１０）との間の隙間からウェハＷの裏側に原料ガスが回り込むことが防止されている。 Since the mounting plate 210 shown in FIG. 6 includes the wraparound prevention portion 210-121A, the raw material gas wraps around the back side of the wafer W from the gap between the orientation flat Wa of the wafer W and the ring-shaped portion 122 (mounting plate 210). Is prevented.

回り込み防止部１２１ＡとウェハＷのオリフラＷａとは近接しているほど（例えば、ほぼ接触するほど）、原料ガスの回り込み防止効果は大きい。この近接の程度を回り込み防止部１２１ＡとウェハＷのオリフラＷａとの隙間を平面視した距離で言えば、例えば、０．５〜３ｍｍ、より好ましくは０．５〜１ｍｍとすることができる。 The closer the wraparound prevention unit 121A and the wafer W's orientation flat Wa are (for example, the closer they are in contact with each other), the greater the wraparound prevention effect of the raw material gas. The degree of this proximity can be, for example, 0.5 to 3 mm, more preferably 0.5 to 1 mm, in terms of the distance between the wraparound prevention portion 121A and the orientation flat Wa of the wafer W in a plan view.

［ウェハ支持台（第３実施形態）］
図７に、本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図を示す。図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のウェハ支持台のＸ−Ｘ線で切った断面図である。先述した図に記載の部材と同様な部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
図７に示すウェハ支持台２２０は、凹状収容部を有する搭載プレートの凹状収容部内に収容されるウェハ支持台であって、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面２２１Ｓを有するウェハ支持部２２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部２２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ２２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａとウェハ支持台２２０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部２２２Ａ及び２２１Ａを備えている。 [Wafer support (third embodiment)]
FIG. 7 shows a schematic view of an example of a wafer support according to another embodiment of the present invention. 7 (a) is a plan view, and FIG. 7 (b) is a cross-sectional view taken along the line XX of the wafer support of FIG. 7 (a). The same members as those shown in the above-described drawings are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The wafer support base 220 shown in FIG. 7 is a wafer support base accommodated in the concave accommodating portion of the mounting plate having the concave accommodating portion, and has a wafer mounting surface 221S on which the wafer W having the orientation flat Wa is placed. A wafer support portion 221 and a ring-shaped portion 222 that surrounds the outer periphery of the wafer W are provided, and a counterbore 221a is formed on the wafer mounting surface. The wraparound prevention unit 222A and 221A for preventing the wraparound of the raw material gas of the above are provided.

図７に示すウェハ支持台２２０では、ウェハ支持部２２１とリング状部２２２とは別部材であるが、一体であっても構わない。図７に示すウェハ支持台２２０では別部材であるので、ウェハ支持部２２１はウェハ支持部材２２１、リング状部２２２はリング状部材２２２と言ってもよい。 In the wafer support base 220 shown in FIG. 7, the wafer support portion 221 and the ring-shaped portion 222 are separate members, but they may be integrated. Since the wafer support base 220 shown in FIG. 7 is a separate member, the wafer support portion 221 may be referred to as a wafer support member 221 and the ring-shaped portion 222 may be referred to as a ring-shaped member 222.

図７に示すウェハ支持台２２０では、リング状部２２２が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａと従来のリング状の部分と同様な部分２２２Ｂとの間の隙間を埋めるようにオリフラＷａ側に突起した突起部２２２Ａを有すると共に、ウェハ支持部２２１が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａとリング状部２２２との隙間を埋めるようにウェハ載置面２２１Ｓから立設した突起部２２１Ａを有する。
図７に示すウェハ支持台２２０においては、リング状部２２２が有する突起部２２２Ａ及びウェハ支持部２２１が有する突起部２２１Ａが共に、原料ガスの回り込みを防止する機能を有する回り込み防止部である。
このウェハ支持台２２０は図３に示した回り込み防止部と、図５に示した回り込み防止部とを両方有する構成であると言えるが、図７に示す構成のように、平面視して突起部２２２Ａと突起部２２１Ａのオリフラ側の端面が重なる（面一となる）ような構成の場合には、原料ガスの回り込みを防止する機能は、リング状部２２２が有する突起部２２２Ａの方がウェハ支持部２２１が有する突起部２２１Ａよりも大きいと言える。 In the wafer support base 220 shown in FIG. 7, the ring-shaped portion 222 is viewed in a plan view and is placed on the orientation flat Wa side so as to fill the gap between the orientation flat Wa of the wafer W and the portion 222B similar to the conventional ring-shaped portion. In addition to having a protruding protrusion 222A, the wafer support portion 221 has a protruding portion 221A erected from the wafer mounting surface 221S so as to fill the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the ring-shaped portion 222 in a plan view. ..
In the wafer support base 220 shown in FIG. 7, both the protrusion 222A of the ring-shaped portion 222 and the protrusion 221A of the wafer support 221 are wraparound prevention portions having a function of preventing the wraparound of the raw material gas.
It can be said that the wafer support base 220 has both the wraparound prevention portion shown in FIG. 3 and the wraparound prevention portion shown in FIG. 5, but as in the configuration shown in FIG. 7, the protrusion portion is viewed in a plan view. In the case where the end faces of the protrusion 222A and the protrusion 221A on the orientation flat side overlap (become flush with each other), the function of preventing the raw material gas from wrapping around is such that the protrusion 222A of the ring-shaped portion 222 supports the wafer. It can be said that it is larger than the protrusion 221A of the portion 221.

図７に示すウェハ支持台２２０のように図３に示した回り込み防止部と、図５に示した回り込み防止部とを両方有する構成の場合に例えば、平面視して、突起部２２２ＡとオリフラＷａとの隙間よりも突起部２２１ＡとオリフラＷａとの隙間をより狭くする等することによって、突起部２２１Ａの方の原料ガスの回り込みを防止する機能を強化する等を行ってもよい。
あるいは、図７に示すウェハ支持台２２０の変形例として、図８に示す、ウェハ支持部２２１の突起部２２１ＡＡのように、オリフラＷａの近傍において、ウェハ支持部の突起部をウェハＷの下方にまで延在する構成としてもよい。 In the case of a configuration such as the wafer support 220 shown in FIG. 7 having both the wraparound prevention portion shown in FIG. 3 and the wraparound prevention portion shown in FIG. 5, for example, in a plan view, the protrusion 222A and the orientation flat Wa By making the gap between the protrusion 221A and the orientation flat Wa narrower than the gap between the two, the function of preventing the raw material gas from wrapping around the protrusion 221A may be strengthened.
Alternatively, as a modification of the wafer support base 220 shown in FIG. 7, the protrusion of the wafer support is placed below the wafer W in the vicinity of the orientation flat Wa, as in the protrusion 221AA of the wafer support 221 shown in FIG. It may be a configuration that extends to.

［搭載プレート（第３実施形態）］
図９は図としては図７に類似するが、図９に示すのは、本発明の一実施形態に係る、ウェハ支持部とリング状部とを備えた搭載プレートのウェハ支持部近傍の一例の模式図である。図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の搭載プレートのＸ−Ｘ線で切った断面図である。図５に記載の部材と同様な部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
図９に示す搭載プレート３１０は、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面３１０−２２１Ｓを有するウェハ支持部３１０−２２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部２２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ３１０−２２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａと搭載プレート３１０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを阻止する回り込み阻止部２２２Ａ及び３１０−２２１Ａを備えている。
なお、図９において、符号３１０−２２１Ｓと共に示した点線は断面で見たときの載置されたウェハの位置（高さ）を示すものであって、ウェハ載置面自体を示すものではない。 [Mounting plate (third embodiment)]
FIG. 9 is similar to FIG. 7 as a figure, but FIG. 9 shows an example in the vicinity of the wafer support portion of the mounting plate provided with the wafer support portion and the ring-shaped portion according to the embodiment of the present invention. It is a schematic diagram. 9 (a) is a plan view, and FIG. 9 (b) is a cross-sectional view taken along line XX of the mounting plate of FIG. 9 (a). The same members as those shown in FIG. 5 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The mounting plate 310 shown in FIG. 9 includes a wafer support portion 310-221 having a wafer mounting surface 310-221S on which the wafer W having the orientation flat Wa is mounted, and a ring-shaped portion 222 surrounding the outer periphery of the wafer W. A counterbore 310-221a is formed on the wafer mounting surface, and is provided with wraparound blocking portions 222A and 310-221A that prevent the wraparound of the raw material gas from the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the mounting plate 310. ing.
In FIG. 9, the dotted line shown with reference numeral 310-221S indicates the position (height) of the mounted wafer when viewed in cross section, and does not indicate the wafer mounting surface itself.

図９に示す搭載プレート３１０では、ウェハ支持部３１０−２２１は搭載プレート３１０の一部分であるのに対して、リング状部２２２は搭載プレート３１０とは別部材である。リング状部２２２はリング状部材２２２と言ってもよい。 In the mounting plate 310 shown in FIG. 9, the wafer support portion 310-221 is a part of the mounting plate 310, whereas the ring-shaped portion 222 is a separate member from the mounting plate 310. The ring-shaped portion 222 may be referred to as a ring-shaped member 222.

図９に示す搭載プレート３１０では、リング状部２２２が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａと従来のリング状の部分と同様な部分２２２Ｂとの間の隙間を埋めるようにオリフラＷａ側に突起した突起部２２２Ａを有すると共に、ウェハ支持部３１０−２２１が平面視して、ウェハＷのオリフラＷａとリング状部２２２との隙間を埋めるようにウェハ載置面３１０−２２１Ｓから立設した突起部３１０−２２１Ａを有する。 In the mounting plate 310 shown in FIG. 9, the ring-shaped portion 222 is projected toward the orientation flat Wa side so as to fill the gap between the orientation flat Wa of the wafer W and the portion 222B similar to the conventional ring-shaped portion in a plan view. The protruding portion 222A is provided, and the protruding portion is erected from the wafer mounting surface 310-221S so that the wafer support portion 310-221 is viewed in a plan view and fills the gap between the wafer W's orientation flat Wa and the ring-shaped portion 222. It has 310-221A.

図９に示す搭載プレート３１０においては、リング状部２２２が有する突起部２２２Ａ及びウェハ支持部３１０−２２１が有する突起部３１０−２２１Ａが共に、原料ガスの回り込みを防止する機能を有する回り込み防止部である点は、図７に示したウェハ支持台２２０と同様であり、作用効果や変形例は同様に適用できるので説明は省略する。 In the mounting plate 310 shown in FIG. 9, the protrusion 222A of the ring-shaped portion 222 and the protrusion 310-221A of the wafer support portion 310-221 are both wraparound prevention portions having a function of preventing the wraparound of the raw material gas. A certain point is the same as that of the wafer support 220 shown in FIG. 7, and the effects and modifications can be applied in the same manner, and thus the description thereof will be omitted.

［ウェハ支持台（第４実施形態）］
図１０に、本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図を示す。図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のウェハ支持台のＸ−Ｘ線で切った断面図である。先述した図に記載の部材と同様な部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
図１０に示すウェハ支持台３２０は、凹状収容部を有する搭載プレートの凹状収容部内に収容されるウェハ支持台であって、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面３２１Ｓを有するウェハ支持部３２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部３２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ３２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａとウェハ支持台２２０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部３２２Ａを備えている。 [Wafer support (fourth embodiment)]
FIG. 10 shows a schematic view of an example of a wafer support according to another embodiment of the present invention. 10 (a) is a plan view, and FIG. 10 (b) is a cross-sectional view taken along line XX of the wafer support of FIG. 10 (a). The same members as those shown in the above-described drawings are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The wafer support base 320 shown in FIG. 10 is a wafer support base accommodated in the concave accommodating portion of the mounting plate having the concave accommodating portion, and has a wafer mounting surface 321S on which the wafer W having the orientation flat Wa is placed. A wafer support portion 321 and a ring-shaped portion 322 that surrounds the outer periphery of the wafer W are provided, and a counterbore 321a is formed on the wafer mounting surface. The wraparound prevention unit 322A for preventing the wraparound of the raw material gas of the above is provided.

図１０に示すウェハ支持台３２０が上述の実施形態に係るウェハ支持台と異なるのは、リング状部（リング状部材）３２２の外周を囲んでその外周を支持するリング状部材外周支持部３２２ｗを備えることである。
上述の実施形態に係るウェハ支持台では、リング状部（リング状部材）外周を囲んでその外周を支持する機能は、搭載プレート（サセプタ）に形成されたウェハ支持台を収容する凹状収容部が担うことができる。 The wafer support base 320 shown in FIG. 10 is different from the wafer support base according to the above-described embodiment in that the ring-shaped member outer peripheral support portion 322w that surrounds the outer circumference of the ring-shaped portion (ring-shaped member) 322 and supports the outer circumference thereof. Be prepared.
In the wafer support according to the above-described embodiment, the function of surrounding the outer circumference of the ring-shaped portion (ring-shaped member) and supporting the outer circumference is provided by the concave accommodating portion for accommodating the wafer support formed on the mounting plate (susceptor). Can bear.

［ウェハ支持台（第５実施形態）］
図１１に、本発明の他の実施形態に係るウェハ支持台の一例の模式図を示す。図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のウェハ支持台のＸ−Ｘ線で切った断面図である。先述した図に記載の部材と同様な部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
図１１に示すウェハ支持台４２０は、凹状収容部を有する搭載プレートの凹状収容部内に収容されるウェハ支持台であって、オリフラＷａを有するウェハＷが載置されるウェハ載置面４２１Ｓを有するウェハ支持部４２１と、ウェハＷの外周を囲むリング状部４２２とを備え、ウェハ載置面にはザグリ４２１ａが形成されており、ウェハＷのオリフラＷａとウェハ支持台４２０との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部４２２Ａを備えている。 [Wafer support (fifth embodiment)]
FIG. 11 shows a schematic view of an example of a wafer support according to another embodiment of the present invention. 11 (a) is a plan view, and FIG. 11 (b) is a cross-sectional view taken along line XX of the wafer support of FIG. 11 (a). The same members as those shown in the above-described drawings are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The wafer support table 420 shown in FIG. 11 is a wafer support table housed in the concave housing portion of the mounting plate having the concave housing portion, and has a wafer mounting surface 421S on which the wafer W having the orientation flat Wa is mounted. A wafer support portion 421 and a ring-shaped portion 422 surrounding the outer periphery of the wafer W are provided, and a counterbore 421a is formed on the wafer mounting surface. The wraparound prevention unit 422A for preventing the wraparound of the raw material gas of the above is provided.

図１１に示すウェハ支持台３２０が上述の実施形態に係るウェハ支持台と異なるのは、リング状部４２２がウェハ支持部４２１と一体になってウェハ支持台４２０を構成していることである。加工しやすい様に、回り込み防止部を含む一部分を別の部品としてウェハ支持部にはめ込んで一体化する形にしてもよい。 The wafer support base 320 shown in FIG. 11 is different from the wafer support base according to the above-described embodiment in that the ring-shaped portion 422 is integrated with the wafer support portion 421 to form the wafer support base 420. For ease of processing, a part including the wraparound prevention portion may be fitted into the wafer support portion as a separate component to be integrated.

以下、本発明の実施例について説明する。本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, examples of the present invention will be described. The present invention is not limited to the following examples.

（実施例）
ＳｉＣ基板として、ＯＦを有する板厚３５０μｍの４インチ（０００１）Ｓｉ面４°オフのＳｉＣ単結晶基板を用い、ホットウォールプラネタリ型ウェハ自公転型のＣＶＤ装置のウェハ支持台（サテライト）上に載置した。このときＳｉＣ単結晶基板の周囲には、ウェハ支持部としてＳｉＣ製のリング状部材を配置した。
同一バッチ内に２枚のＳｉＣ単結晶基板を投入し、そのうち１枚のＳｉＣ単結晶基板は完全円形（ドーナツ状）のＳｉＣ製のリング状部材を用い、もう一枚のＳｉＣ単結晶基板は回り込み防止部を備えたＳｉＣ製のリング状部材を用いて、ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を３０μｍ成長させた。
こうして得られたＳｉＣエピタキシャルウェハについて、ウェハの裏面の平坦度をウエハ平面度測定器ウルトラソート(トロッペル（Ｔｒｏｐｅｌ）社製)を用いて測定した。完全円形（ドーナツ状）のＳｉＣ製のリング状部材を用いて成長させたＳｉＣエピタキシャルウェハでは、オリフラ近傍に特徴的なピークが現れ、ＳｉＣエピタキシャルウェハの平坦度ＧＢＩＲは８．２９μmであった。一方で、回り込み防止部を備えたＳｉＣ製のリング状部材を用いて成長させたＳｉＣエピタキシャルウェハでは、オリフラ近傍にピークが現れなかった。ＳｉＣエピタキシャルウェハの平坦度ＧＢＩＲは６．９５μmであり、平坦度が改善していた。 (Example)
As the SiC substrate, a SiC single crystal substrate having an OF and having a plate thickness of 350 μm and having a 4 inch (0001) Si surface of 4 ° off is used, and is mounted on a wafer support (satellite) of a hot wall planetary type wafer self-revolving CVD device. Placed. At this time, a ring-shaped member made of SiC was arranged as a wafer support portion around the SiC single crystal substrate.
Two SiC single crystal substrates are put into the same batch, one of which uses a completely circular (doughnut-shaped) SiC ring-shaped member, and the other SiC single crystal substrate wraps around. A 30 μm SiC epitaxial layer was grown on a SiC single crystal substrate using a ring-shaped member made of SiC provided with a prevention portion.
With respect to the SiC epitaxial wafer thus obtained, the flatness of the back surface of the wafer was measured using a wafer flatness measuring instrument Ultrasort (manufactured by Tropel). In the SiC epitaxial wafer grown by using the ring-shaped member made of SiC having a perfect circular shape (doughnut shape), a characteristic peak appeared in the vicinity of the orientation flat, and the flatness GBIR of the SiC epitaxial wafer was 8.29 μm. On the other hand, in the SiC epitaxial wafer grown by using the ring-shaped member made of SiC provided with the wraparound prevention portion, the peak did not appear in the vicinity of the orientation flat. The flatness GBIR of the SiC epitaxial wafer was 6.95 μm, and the flatness was improved.

１０、１１０、２１０、３１０、搭載プレート（サセプタ）
２０、１２０、２２０、３２０、４２０ ウェハ支持台（サテライト）
２１Ｓ、１２１Ｓ、２２１Ｓ、３２１Ｓ、４２１Ｓ ウェハ載置面
１１０−２１Ｓ、２１０−１２１Ｓ、３１０−２２１Ｓ ウェハ載置面
２１、１２１、２２１、３２１、４２１ ウェハ支持部
１２１Ａ、２１０−１２１Ａ、２２１Ａ、２２１ＡＡ、２１０−２２１Ａ 回り込み防止部
２１ａ、１２１ａ、２２１ａ、３２１ａ、４２１ａ ザグリ
２２、１２２、２２２、３２２、４２２ リング状部
２２Ａ、２２２Ａ、３２２Ａ、４２２Ａ 回り込み防止部
１００ 化学気相成長装置
Ｗ ウェハ 10, 110, 210, 310, mounting plate (susceptor)
20, 120, 220, 320, 420 Wafer support (satellite)
21S, 121S, 221S, 321S, 421S Wafer mounting surfaces 110-21S, 210-121S, 310-221S Wafer mounting surfaces 21, 121, 221, 321 and 421 Wafer support parts 121A, 210-121A, 221A, 221AA, 210-221A Wrap prevention unit 21a, 121a, 221a, 321a, 421a Counterbore 22, 122, 222, 222, 422 Ring-shaped part 22A, 222A, 222A, 422A Wrap prevention unit 100 Chemical vapor deposition device W wafer

Claims (6)

オリフラを有するウェハが載置されるウェハ載置面を有するウェハ支持部と、ウェハの外周を囲むリング状部とを備えた搭載プレートであって、
前記ウェハ載置面にはザグリが形成されており、
前記ウェハのオリフラと前記搭載プレートとの間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部を備え、
ウェハを前記ウェハ支持部に載置した際、前記ウェハの表面が前記リング状部の上面よりも低い位置にあり、
前記リング状部は、円環状の本体部と、前記本体部の内周から内側に突き出る第１突起部と、からなり、
前記第１突起部は、前記ウェハ載置面と直交する方向からの平面視でオリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、
前記ウェハ支持部は、前記ウェハ載置面から立設する第２突起部を有し、
前記第２突起部は、前記ウェハ載置面と直交する方向からの平面視でオリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、
前記回り込み防止部は、前記第１突起部と、前記第２突起部と、からなり、
前記第１突起部と前記第２突起部とは、前記ウェハ載置面と直交する方向からの平面視で重なる、搭載プレート。 A mounting plate including a wafer support portion having a wafer mounting surface on which a wafer having an orientation flat is mounted and a ring-shaped portion surrounding the outer periphery of the wafer.
A counterbore is formed on the wafer mounting surface.
A wraparound prevention unit for preventing the wraparound of the raw material gas from the gap between the wafer orientation flat and the mounting plate is provided.
When the wafer is placed on the wafer support portion, the surface of the wafer is located at a position lower than the upper surface of the ring-shaped portion.
The ring-shaped portion is composed of an annular main body portion and a first protrusion portion that protrudes inward from the inner circumference of the main body portion.
The first protrusion has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat in a plan view from a direction orthogonal to the wafer mounting surface.
The wafer support portion has a second protrusion that stands upright from the wafer mounting surface.
The second protrusion has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat in a plan view from a direction orthogonal to the wafer mounting surface.
The wraparound prevention portion includes the first protrusion portion and the second protrusion portion.
A mounting plate in which the first protrusion and the second protrusion overlap in a plan view from a direction orthogonal to the wafer mounting surface. 凹状収容部を有する搭載プレートの前記凹状収容部内に収容されるウェハ支持台であって、
オリフラを有するウェハが載置されるウェハ載置面を有するウェハ支持部と、ウェハの外周を囲むリング状部とを備え、
前記ウェハ載置面にはザグリが形成されており、
前記ウェハのオリフラと前記ウェハ支持台との間の隙間からの原料ガスの回り込みを防止する回り込み防止部を備え、
ウェハを前記ウェハ支持部に載置した際、前記ウェハの表面が前記リング状部の上面よりも低い位置にあり、
前記リング状部は、円環状の本体部と、前記本体部の内周から内側に突き出る第１突起部と、からなり、
前記第１突起部は、前記ウェハ載置面と直交する方向からの平面視でオリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、
前記ウェハ支持部は、前記ウェハ載置面から立設する第２突起部を有し、
前記第２突起部は、前記ウェハ載置面と直交する方向からの平面視でオリフラの切り欠け形状に対応する形状を有し、
前記回り込み防止部は、前記第１突起部と、前記第２突起部と、からなり、
前記第１突起部と前記第２突起部とは、前記ウェハ載置面と直交する方向からの平面視で重なる、ウェハ支持台。 A wafer support that is accommodated in the concave accommodating portion of a mounting plate having a concave accommodating portion.
A wafer support portion having a wafer mounting surface on which a wafer having an orientation flat is mounted and a ring-shaped portion surrounding the outer periphery of the wafer are provided.
A counterbore is formed on the wafer mounting surface.
A wraparound prevention unit for preventing the wraparound of the raw material gas from the gap between the wafer orientation flat and the wafer support is provided.
When the wafer is placed on the wafer support portion, the surface of the wafer is located at a position lower than the upper surface of the ring-shaped portion.
The ring-shaped portion is composed of an annular main body portion and a first protrusion portion that protrudes inward from the inner circumference of the main body portion.
The first protrusion has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat in a plan view from a direction orthogonal to the wafer mounting surface.
The wafer support portion has a second protrusion that stands upright from the wafer mounting surface.
The second protrusion has a shape corresponding to the notched shape of the orientation flat in a plan view from a direction orthogonal to the wafer mounting surface.
The wraparound prevention portion includes the first protrusion portion and the second protrusion portion.
A wafer support base on which the first protrusion and the second protrusion overlap in a plan view from a direction orthogonal to the wafer mounting surface. オリフラを有するウェハを載置した際、前記第２突起部は、前記オリフラを有するウェハの下方まで延在している、請求項２に記載のウェハ支持台。 The wafer support according to claim 2, wherein when a wafer having an orientation flat is placed, the second protrusion extends below the wafer having the orientation flat. オリフラを有するウェハを載置した際、前記第２突起部は、前記オリフラを有するウェハの下方まで延在しており、
前記第２突起部は、前記オリフラの少なくとも一部を支持する、請求項２に記載のウェハ支持台。 When the wafer having the orientation flat is placed, the second protrusion extends below the wafer having the orientation flat.
The wafer support according to claim 2, wherein the second protrusion supports at least a part of the orientation flat. 請求項１に記載の搭載プレートを備える化学気相成長装置。 A chemical vapor deposition apparatus comprising the mounting plate according to claim 1. 請求項２〜４のいずれか一項に記載のウェハ支持台を備える化学気相成長装置。 A chemical vapor deposition apparatus comprising the wafer support according to any one of claims 2 to 4.
JP2016224428A 2016-11-17 2016-11-17 Mounting plate, wafer support, and chemical vapor deposition Active JP6850590B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016224428A JP6850590B2 (en) 2016-11-17 2016-11-17 Mounting plate, wafer support, and chemical vapor deposition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016224428A JP6850590B2 (en) 2016-11-17 2016-11-17 Mounting plate, wafer support, and chemical vapor deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018082100A JP2018082100A (en) 2018-05-24
JP6850590B2 true JP6850590B2 (en) 2021-03-31

Family

ID=62199058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016224428A Active JP6850590B2 (en) 2016-11-17 2016-11-17 Mounting plate, wafer support, and chemical vapor deposition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6850590B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020119938A (en) * 2019-01-21 2020-08-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7392417B2 (en) 2019-11-22 2023-12-06 株式会社レゾナック Manufacturing method of SiC epitaxial wafer
JP7440660B2 (en) 2020-11-09 2024-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー Vapor phase growth equipment
JPWO2022185453A1 (en) * 2021-03-03 2022-09-09

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3887052B2 (en) * 1996-12-13 2007-02-28 東洋炭素株式会社 Vapor growth susceptor
JP5173992B2 (en) * 2003-10-16 2013-04-03 東京エレクトロン株式会社 Deposition equipment
WO2014017650A1 (en) * 2012-07-26 2014-01-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Susceptor, crystal growing apparatus, and crystal growing method
JP5904101B2 (en) * 2012-11-22 2016-04-13 豊田合成株式会社 Compound semiconductor manufacturing apparatus and wafer holder
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018082100A (en) 2018-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6850590B2 (en) Mounting plate, wafer support, and chemical vapor deposition
US10494737B2 (en) Apparatus for producing SiC epitaxial wafer and method for producing SiC epitaxial wafer
US9624602B2 (en) Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method
WO2017043282A1 (en) Method for producing sic epitaxial wafer and apparatus for producing sic epitaxial wafer
JP6101591B2 (en) Epitaxial wafer manufacturing apparatus and manufacturing method
EP2741316B1 (en) Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method
JP6018909B2 (en) Wafer holder and epitaxial wafer manufacturing equipment
JP2017109900A (en) Epitaxial growth system, epitaxial growth method, and production method of semiconductor element
JP6562546B2 (en) Wafer support, wafer support, chemical vapor deposition equipment
JP2020096181A (en) Susceptor and chemical vapor deposition device
JP6723416B2 (en) Method for manufacturing SiC epitaxial wafer
JP6986872B2 (en) Wafer support, chemical vapor deposition equipment, and method for manufacturing SiC epitaxial wafers
JP2006186105A (en) Epitaxial growth device and susceptor used therefor
JP6335683B2 (en) SiC epitaxial wafer manufacturing equipment
JP6832770B2 (en) Substrate holder for thermochemical vapor deposition equipment
JP2018107289A (en) Susceptor, vapor phase growth apparatus, and vapor phase growth method
JP6732483B2 (en) Substrate holding member and vapor phase growth apparatus
JP6748549B2 (en) SiC epitaxial wafer manufacturing method and SiC epitaxial wafer manufacturing apparatus
WO2023234159A1 (en) Holder and vapor phase growth apparatus
JP5999511B2 (en) Vapor phase epitaxial growth apparatus and epitaxial wafer manufacturing method using the same
JP6078428B2 (en) Wafer support and chemical vapor deposition apparatus using the wafer support
JP2011060979A (en) Method of manufacturing epitaxial wafer
JP7419704B2 (en) chemical vapor deposition equipment
JP2022103933A (en) WAFER HOLDER, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SiC EPITAXIAL WAFER
JP2022083011A (en) Susceptor and cvd equipment

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181102

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200818

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210308

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6850590

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350