JP6847780B2 - 回路基板およびプローブカード - Google Patents
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Description
前記絶縁基体の表面および内部に配設された配線導体、を有するセラミック基板と、
第1樹脂材料からなる第1樹脂絶縁層が積層された第1樹脂絶縁基体、および
前記第1樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第1配線導体、を有する第1有機基板と、
第2樹脂材料からなる第2樹脂層が積層された第2樹脂絶縁基体、および
前記第2樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第2配線導体、を有する第2有機基板と、
前記セラミック基板と前記第1有機基板とを接合する第1接合層と、
前記第1接合層を貫通して、前記配線導体と前記第1配線導体とを電気的に接続する第1接続導体と、
前記第1有機基板と前記第2有機基板とを接合する第2接合層と、
前記第2接合層を貫通して、前記第1配線導体と前記第2配線導体とを電気的に接続する第2接続導体と、を備え、
前記第2配線導体は、前記第2樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の電源導体層および前記第2樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の接地導体層を含む。
前記第1配線層に電気的に接続されたプローブピンと、を備える。
2 セラミック基板
3 第1有機基板
4 第2有機基板
5 第1接合層
6 第2接合層
7,7A 第1接続導体
8 第2接続導体
9 接続端子
10 プローブピン
20 絶縁基体
20a 絶縁層(セラミック絶縁層)
21 配線導体
22 内層配線導体
23 貫通導体
24 表面配線導体
30 第1樹脂絶縁基体
30a 第1樹脂絶縁層
31 第1配線導体
32 薄膜導体
33 貫通導体
40 第2樹脂絶縁基体
40a 第2樹脂絶縁層
41 第2配線導体
42 薄膜導体
43 貫通導体
44 電源導体層
45 接地導体層
Claims (4)
- セラミック材料からなる絶縁層が積層された絶縁基体、および
前記絶縁基体の表面および内部に配設された配線導体、を有するセラミック基板と、
第1樹脂材料からなる第1樹脂絶縁層が積層された第1樹脂絶縁基体、および
前記第1樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第1配線導体、を有する第1有機基板と、
第2樹脂材料からなる第2樹脂層が積層された第2樹脂絶縁基体、および
前記第2樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第2配線導体、を有する第2有機基板と、
前記セラミック基板と前記第1有機基板とを接合する第1接合層と、
前記第1接合層を貫通して、前記配線導体と前記第1配線導体とを電気的に接続する第1接続導体と、
前記第1有機基板と前記第2有機基板とを接合する第2接合層と、
前記第2接合層を貫通して、前記第1配線導体と前記第2配線導体とを電気的に接続する第2接続導体と、を備え、
前記第2配線導体は、前記第2樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の電源導体層および前記第2樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の接地導体層を含み、
前記第2樹脂材料の熱膨張係数は、前記第1樹脂材料の熱膨張係数より小さい回路基板。 - 前記第1接続導体の体積は、前記第2接続導体の体積より大きい請求項1に記載の回路基板。
- 前記第1接続導体および前記第2接続導体は、低融点金属成分と高融点金属成分とのはんだからなり、
はんだにおける、低融点金属成分に対する高融点金属成分の割合は、前記第1接続導体より前記第2接続導体のほうが大きい請求項1または2に記載の回路基板。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の回路基板と、
前記第2配線導体に電気的に接続されたプローブピンと、を備えるプローブカード。
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