JP6847780B2 - 回路基板およびプローブカード - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子の検査に用いられる回路基板およびプローブカードに関する。

半導体素子の電気的な検査をするためのプローブカード用の基板として、セラミック多層基板と、セラミック多層基板上に設けられた有機多層部とを有する回路基板が用いられている。有機多層部は、互いに積層された複数の樹脂層と、樹脂層の層間または露出表面に設けられた薄膜導体とを含んでいる。樹脂層の上下の薄膜導体同士は、樹脂層を厚み方向に貫通する貫通導体によって互いに電気的に接続されている（特許文献１参照）。

特開２０１６−７２２８５号公報

検査対象の半導体素子が多ピン化または小型化によってピン間距離が狭くなると、有機多層部の層数を増加させて対応する必要がある。有機多層部の層数を増加させると、有機多層部内の導体のインダクタンスが増加し、回路基板の電源インピーダンスが上昇する。また半導体素子の微細化にともない半導体素子の動作電圧が低下していることから、電源インピーダンスが大きくなるとノイズの影響が大きくなる。このようなことから、この回路基板を用いたプローブカードでは、検査精度が低下してしまう。

本発明の実施形態の回路基板は、セラミック材料からなる絶縁層が積層された絶縁基体、および
前記絶縁基体の表面および内部に配設された配線導体、を有するセラミック基板と、
第１樹脂材料からなる第１樹脂絶縁層が積層された第１樹脂絶縁基体、および
前記第１樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第１配線導体、を有する第１有機基板と、
第２樹脂材料からなる第２樹脂層が積層された第２樹脂絶縁基体、および
前記第２樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第２配線導体、を有する第２有機基板と、
前記セラミック基板と前記第１有機基板とを接合する第１接合層と、
前記第１接合層を貫通して、前記配線導体と前記第１配線導体とを電気的に接続する第１接続導体と、
前記第１有機基板と前記第２有機基板とを接合する第２接合層と、
前記第２接合層を貫通して、前記第１配線導体と前記第２配線導体とを電気的に接続する第２接続導体と、を備え、
前記第２配線導体は、前記第２樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の電源導体層および前記第２樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の接地導体層を含む。

また本発明の実施形態のプローブカードは、上記の回路基板と、
前記第１配線層に電気的に接続されたプローブピンと、を備える。

本発明の実施形態の回路基板によれば、第２樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の電源導体層および第２樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の接地導体層を含むことにより、インダクタンスを減少させるとともに、容量成分を増加させることで電源インピーダンスを低減させることができる。

また本発明の実施形態のプローブカードによれば、回路基板の電源インピーダンスが低下することにより、検査精度の低下を抑制することができる。

本実施形態の回路基板および回路基板を備えるプローブカードを示す断面図である。 図１の回路基板のＡ部分の拡大断面図である。 図１の回路基板のＡ部分の他の例の拡大断面図である。

本実施形態の回路基板について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、上下の区別は説明上の便宜的なものあって実際に回路基板等が使用されるときの上下を規制するものではない。

図１は、本実施形態の回路基板およびプローブカードを示す断面図である。本実施形態の回路基板１は、セラミック基板２と、第１有機基板３と、第２有機基板４とがこの順に積層されて構成されている。セラミック基板２と第１有機基板３とは、第１接合層５によって接合され、第１有機基板３と第２有機基板４とは、第２接合層６によって接合されている。

セラミック基板２は、例えば四角形板状等の平板状であり、複数のセラミック材料からなる絶縁層２０ａ（セラミック絶縁層２０ａ）が互いに積層された絶縁基体２０と、絶縁基体２０の上面から下面にかけて表面および内部に配設された配線導体２１と、を含んでいる。本実施形態において、配線導体２１は、セラミック絶縁層２０ａの層間に設けられた内層配線導体２２と、セラミック絶縁層２０ａを厚み方向に貫通している貫通導体２３と、絶縁基体２０の表面（上面および下面）に設けられた表面配線導体２４と、を有している。

第１有機基板３は、例えば四角形板状等の平板状であり、互いに積層された複数の第１樹脂絶縁層３０ａからなる第１有機絶縁基体３０と、第１有機絶縁基体３０の上面から下面にかけて表面および内部に配設された第１配線導体３１と、を含んでいる。本実施形態において、第１配線導体３１は、第１樹脂絶縁層３０ａの層間の所定部位に設けられた薄膜導体３２と、第１樹脂絶縁層３０ａを厚み方向に貫通している貫通導体３３と、を有している。

セラミック基板２と第１有機基板３とは、セラミック基板２の上面と第１有機基板３の下面とが第１接合層５によって接合されている。セラミック基板２の配線導体２１と、第１有機基板３の第１配線導体３１とは、第１接合層５を貫通する第１接続導体７によって電気的に接続されている。本実施形態では、セラミック基板２の表面配線導体２４と、第１有機基板３の貫通導体３３とが、第１接続導体７で接続されている。

第２有機基板４は、例えば四角形板状等の平板状であり、互いに積層された複数の第２樹脂絶縁層４０ａからなる第２樹脂絶縁基体４０と、第２有機樹脂絶縁基体４０の上面から下面にかけて表面および内部に配設された第２配線導体４１と、を。本実施形態において、第２配線導体４１は、第２樹脂絶縁層４０ａの層間の所定部位に設けられた薄膜導体４２と、第２樹脂絶縁層４０ａを厚み方向に貫通している貫通導体４３と、を有している。さらに、本実施形態では、第２配線導体４１は、第２樹脂絶縁層４０ａの層間に、層状の電源導体層４４および層状の接地導体層４５が埋設されている。電源導体層４４と接地導体層４５とは、電気的に絶縁されていれば、同じ層間に埋設されていてもよく、異なる層間に埋設されていてもよい。電源導体層４４は、異なる層間に複数埋設されていてもよく、接地導体層４５は、異なる層間に複数埋設されていてもよい。

第１有機基板３と第２有機基板４とは、第１有機基板３の上面と第２有機基板４の下面とが第２接合層６によって接合されている。第１有機基板３の第１配線導体３１と、第２有機基板４の第２配線導体４１とは、第２接合層６を貫通する第２接続導体８によって電気的に接続されている。本実施形態では、第１有機基板３の薄膜導体３２と、第２有機基板４の薄膜導体４２とが、第２接続導体８で接続されている。

第２有機基板４の表面（上面）には、接続端子９が配設されている。接続端子９は、検査対象の半導体素子の入出力端子に対応するように第１有機基板３に比べて狭い端子ピッチ（狭ピッチ）で配設されている。さらに、半導体素子の入出力端子と接触し易いように、接続端子９には、プローブピン１０が接合されている。

セラミック基板２の表面（下面）に配設された表面配線導体２４は、例えば外部回路と接続するために実装基板の入出力端子などと接続する。実装基板などにおける入出力端子は、比較的広い端子ピッチであり、これに対応する表面配線導体２４も同様に広いピッチで設けられている。回路基板１は、接続端子９から表面配線導体２４まで電気的に接続されており、プローブピン１０に接触した半導体素子と検査用の外部回路とが電気的にされることで、半導体素子の回路に関する動作不良の有無等の種々の検査が行なわれる。

この場合、半導体素子は電気的な検査を行なうために一時的に回路基板の上面に載置される。半導体素子としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）またはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体集積回路素子、または半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子）等が挙げられる。

セラミック基板２は、例えば回路基板１の全体の剛性を確保する機能を有している。セラミック基板２によって回路基板１としての剛性が高められ、例えばプローブカード用基板として用いられて半導体素子（図示せず）に検査のために押し付けられるときの変形が抑制されている。

セラミック基板２は、例えば全体として平面視において多角形状または円形状の板状である。この場合、複数のセラミック絶縁層２０ａがそれぞれ同様の形状および寸法を有する板状に形成されている。セラミック基板２の平面視における寸法は、例えばプローブカード用基板として使用されるときに、検査される半導体素子の平面視における寸法に応じて適宜設定される。

セラミック基板２を構成する複数のセラミック絶縁層２０ａは、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料からなる。

セラミック絶縁層２０ａの厚みおよび層数は、例えば内層配線導体２２、貫通導体２３および表面配線導体２４の配置の総数および位置等の電気的な条件、セラミック基板２の所望の剛性および経済性等の種々の条件に応じて適宜設定されている。

また、配線導体２１は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の金属材料、もしくは、これらの金属材料の合金材料からなる。これらの金属材料（合金材料）は、例えばメタライズ法またはめっき法等の方法でセラミック基板２の露出表面または内部等に被着されている。

第１有機基板３および第２有機基板４は、セラミック基板２上に微細なパターンで接続端子９を設けるための部分である。接続端子９が設けられている第２有機基板４の表面は、その表面粗さがセラミック基板２の表面粗さに比べて小さいため、薄膜形成技術によって微細なパターンで接続端子９を形成することが容易である。これによって、微細な接続端子９の形成が可能になっている。

半導体素子の入出力端子の端子数の増加、端子ピッチの狭小化などによって、セラミック基板２の配線ピッチにまで広げるためには、第１有機基板３および第２有機基板４の配線幅を小さくし、層数を増加させる必要があるが、これらは、配線導体のインダクタンスを増加させる原因となり、電源インピーダンスを増加させる。電源インピーダンスの増加を抑制するためには、容量成分を増加させればよく、本実施形態では、第２有機基板４において、層状の電源導体層４４および層状の接地導体層４５を設けている。層状の導体層とは、いわゆるベタ層であり、例えば、第２樹脂絶縁層４０ａ間において、薄膜導体４２が配設されている領域を除く領域に設けられた導体層である。第２有機基板４において、層状の電源導体層４４および層状の接地導体層４５を設けていることにより、第１有機基板３と第２有機基板４とを比較したときに、第１有機基板３よりも第２有機基板４のほうが、基板全体として導体層の含有量、すなわち金属材料の含有量が多い。これにより、第２有機基板４のほうが、基板全体として熱膨張率が大きくなる。第１有機基板３と第２有機基板４とを一体的に１つの有機基板としてしまうと、温度変化時に熱膨張率の差異によって、第１有機基板３に相当する部分と第２有機基板４に相当する部分との間で、剥離、断線などが生じることになる。

本実施形態では、上記のように、金属材料の含有量が多い第１有機基板３と、金属材料の含有量が少ない第２有機基板４と別体とし、第１有機基板３と第２有機基板４とを第２接合層６によって接合することにより、熱膨張率の差異による剥離、断線などを抑制している。また、多層の有機基板を第１有機基板３と第２有機基板４の２つに分けることで、比較的層数の少ない第１有機基板３と第２有機基板４とを個別に並行して作製することができるので、回路基板１の製造に要する時間を短縮することができる。

第１有機基板３にも層状の電源導体層および層状の接地導体層を設けてもよいが、電源インピーダンスの増加の抑制を考慮すると、導体層の面積の和または体積の和を比較したときに、第２有機基板４のほうが第１有機基板３よりも大きければよい。

第１樹脂絶縁層３０ａを構成する第１樹脂材料は、例えば、ポリイミド樹脂，ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，全芳香族ポリエステル樹脂，ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂，エポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，ポリキノリン樹脂，フッ素樹脂等を用いることができる。

第２樹脂絶縁層４０ａを構成する第２樹脂材料は、上記のように第１樹脂材料と同様の樹脂を用いることができる。第１樹脂材料と第２樹脂材料とは、同一種類の樹脂を用いてもよく、異なる種類の樹脂を用いてもよい。

第１樹脂絶縁層３０ａおよび第２樹脂絶縁層４０ａは、複数層であってもよく、例えば、基材層と接着層とを含むものであってもよい。基材層は、機械的な強度を確保する部分である。基材層としては、上記と同様の樹脂材料を用いることができる。接着層としては、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，ポリイミド樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂接着剤を用いることができる。基材層と接着層とを交互に積層することによって、第１樹脂絶縁層３０ａが積層された第１有機基板３と第２樹脂絶縁層４０ａが積層された第２有機基板４とを形成することができる。

上記のように、第２有機基板４のほうが、第１有機基板３よりも基板全体として熱膨張率が大きくなり、温度変化時に第１有機基板３と第２有機基板４との間での剥離、断線などを生じさせることになる。第２接合層６による接合に加えて、第２樹脂材料の熱膨張係数を第１樹脂材料の熱膨張係数よりも小さくすれば、金属材料の含有量による熱膨張率の差異を小さくすることができるので好ましい。例えば、第１樹脂絶縁層３０ａおよび第２樹脂絶縁層４０ａが複数層（本例では、基材層と接着層の２層）からなる場合、接着層を同じ樹脂材料とし、基材層の樹脂材料を熱膨張係数の異なる材料とすればよい。一例としては、第２樹脂絶縁層４０ａの基材層の熱膨張係数を２０×１０^−６／℃以上とし、第１樹脂絶縁層３０ａの基材層の熱膨張係数を２０×１０^−６／℃未満とする。基材層がポリイミド樹脂からなる場合は、主鎖構造の直線性が高いほど熱膨張係数が小さくなるので、第２樹脂絶縁層４０ａの基材層のポリイミド樹脂が、第１樹脂絶縁層３０ａの基材層のポリイミド樹脂よりも主鎖構造の直線性が高いものを用いればよい。

第１有機基板３に配設される第１配線導体３１および第２有機基板４に配設される第２配線導体４１は、例えば、以下の様に作製すればよい。貫通孔と導体層に対応する開口を有するレジスト膜を第１樹脂絶縁層３０ａまたは第２樹脂絶縁層４０ａに形成するとともに、このレジスト膜の開口に位置する第１樹脂絶縁層３０ａまたは第２樹脂絶縁層４０ａをエッチングすることによって薄膜導体３２に対応する凹部を形成する。そしてレーザを使い、貫通導体３３に対応する第１樹脂絶縁層３０ａを除去する。

次に、蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等の薄膜形成法により、貫通導体３３と薄膜導体３２となる凹部内に、０．１μｍ〜３μｍ程度の厚みの、例えばクロム（Ｃｒ）−銅（Ｃｕ）合金層やチタン（Ｔｉ）−銅（Ｃｕ）合金層から成る下地導体層を形成する。次に、めっき等で銅または金等の電気抵抗の小さい金属で凹部を埋める。レジストを剥離して、盛り上がった金属を研磨等で取り除くことで貫通導体３３および薄膜導体３２を形成できる。第２有機基板４の第２配線導体４１も同様に作製することができる。

第１有機基板３とセラミック基板２とを接合する第１接合層５としては、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、変性エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などを用いることができる。第１有機基板３とセラミック基板２とでは、熱膨張率が異なり、温度変化時に第１有機基板３とセラミック基板２との間での剥離などを生じさせることになる。第１接合層５は、上記のような材料で構成されるので、熱膨張率の差異を吸収して剥離などの発生を抑制することができる。

第１有機基板３と第２有機基板４とを接合する第２接合層６としては、例えば、上記の第１接合層５と同様の樹脂を用いることができる。第１有機基板３と第２有機基板４とでも、熱膨張率が異なり、温度変化時に第１有機基板３とセラミック基板２との間での剥離などを生じさせることになる。第２接合層６は、上記のような材料で構成されるので、熱膨張率の差異を吸収して剥離などの発生を抑制することができる。第１接合層５および第２接合層６は、２つの基板を接合することができれば、例えば、その厚さなどは限定されない。

セラミック基板２の配線導体２１と、第１有機基板３の第１配線導体３１とを接続する第１接続導体７、および第１有機基板３の第１配線導体３１と、第２有機基板４の第２配線導体４１とを接続する第２接続導体８は、第１配線導体３１および第２配線導体４１と同様に銅または金などの金属材料を用いてもよく、はんだなどの比較的柔らかい合金材料を用いてもよい。上記のように、第１接合層５および第２接合層６は、接合する基板間の熱膨張率の差異を吸収する緩衝機能を有している。基板間を電気的に接続する第１接続導体７および第２接続導体８に、はんだを用いることで、第１接合層５および第２接合層６による緩衝機能を有効なものとすることができる。

はんだとしては、例えば、錫−銀はんだ、または錫−銀−銅はんだ、錫−銀−銅−ビスマス−インジウムはんだ等の無鉛はんだが挙げられる。第１接続導体７と第２接続導体８とでは、同一種類のはんだを用いてもよく、異なる種類のはんだを用いてもよい。はんだは、複数の金属が組み合わされた合金であり、金属種が同じであっても、各金属の含有割合が異なることによって特性も異なる。例えば、錫−銀−銅−ビスマス−インジウムはんだは、合金を構成する金属成が、高融点金属成分である銀、銅と、低融点金属成分である錫、ビスマス、インジウムとに分かれる。

セラミック基板２と第１有機基板３とを電気的に接続する第１接続導体７に用いるはんだ（第１はんだ）と、第１有機基板３と第２有機基板４とを電気的に接続する第２接続導体８に用いるはんだ（第２はんだ）とで、低融点金属成分に対する高融点金属成分の割合を異ならせている。具体的には、第１はんだより第２はんだのほうが、高融点金属成分の割合を大きくしている。はんだを用いて接続した場合、リフロー時などに一部の低融点金属成分が、基板に拡散する。金属成分の拡散は、はんだ接続部分周辺の絶縁性を低下させて配線導体間の短絡を引き起こしたり、配線導体が銅の場合、低融点金属成分の錫が拡散して脆弱な錫−銅合金が形成されてしまい断線などを引き起こす。第２はんだは、第１有機基板３と第２有機基板４とを接続することから、いずれも配線導体に銅が用いられる可能性が高く、錫−銅合金が形成されてしまう。また、第２有機基板４は、セラミック基板２、第１有機基板３および第２有機基板４のうちで最も狭ピッチであるので、配線導体間で短絡を引き起こす可能性も高い。このような不具合を抑制するために、第１はんだより第２はんだのほうが、高融点金属成分の割合を大きくし、第２はんだからの低融点金属成分の拡散を抑制している。

製造方法としては、セラミック基板２と第１有機基板３と第２有機基板４とを個別に、予め公知の方法で製造しておき、まず、第１有機基板３と第２有機基板４とを第２はんだを用いた第２接続導体８で接続するとともに第２接合層６で両基板を接合する。そののち、接合された両基板と、セラミック基板２とを第１はんだを用いた第１接続導体７で接続するとともに第１接合層５で接合する。このような製造方法では、本実施形態において、第２はんだを用いた第２接続導体８は、２回の接合工程によって２回加熱される。上記のように第２はんだは、高融点金属成分の割合が大きいので、融点も高くなっており、第１はんだは、高融点金属成分の割合が小さいので、融点は低くなっている。すなわち、本実施形態では、１回目の接合工程で、高融点の第２はんだによって第１有機基板３と第２有機基板４とを接合したのち、２回目の接合工程で、低融点の第１はんだによって両有機基板とセラミック基板２とを接合する。２回目の接合工程では、低融点の第１はんだを用いるので、すでに接合された第２はんだは、２回目の接合工程でも接合状態を維持することが可能である。

第１接続導体７および第２接続導体８として、上記のような、はんだ等の比較的柔らかい材料を用いた場合、第１接合層５および第２接合層６による緩衝機能を有効なものとすることができる。セラミック基板２と第１有機基板３とを接続する第１接続導体７の体積を、第１有機基板３と第２有機基板４とを接続する第２接続導体８の体積よりも大きくする。体積が大きいほど、大きな変形が許容されるなど、接続体が有する緩衝機能の有効性が向上する。熱膨張係数の差は、第１有機基板３と第２有機基板４とよりもセラミック基板２と第１有機基板３との方が大きい。この差を埋めるように、熱膨張係数の差が大きなセラミック基板２と第１有機基板３とを接続する第１接続導体７の体積を、第１有機基板３と第２有機基板４とを接続する第２接続導体８の体積よりも大きくしている。

体積が大きいとは、例えば、第１接続導体７と第２接続導体８とが、それぞれ同じ底面積を有している場合には、第１接続導体７の高さを高くする。また、例えば、第１接続導体７と第２接続導体８とが、それぞれ同じ高さを有している場合には、第１接続導体７の底面積を大きくする。また、第１接続導体７の高さを高くし、かつ底面積も大きくしてもよい。さらに、第１接続導体７の体積が大きければ、高さと底面積の一方を第２接続導体８が大きくし、もう一方を第１接続導体７が大きくしてもよい。

図２は、図１の回路基板のＡ部分を拡大して示す断面図である。第１接続導体７は、第１接合層５から第１樹脂絶縁層３０ａに、その一部が突出していてもよい。第１接続導体７と貫通導体３３との接続箇所が、第１接合層５と第１樹脂絶縁層３０ａと界面よりも第１樹脂絶縁層３０の内部側に位置している。これにより、第１接続導体７と貫通導体３３との接合界面と、第１接合層５と第１樹脂絶縁層３０との接合界面とが、同一面内にないので、熱応力による第１接続導体７と貫通導体３３との接合界面での破断が発生する可能性をより低減できる。

図３は、図１の回路基板のＡ部分の他の例を拡大して示す断面図である。第１接続導体７Ａは、第１接合層５から第１樹脂絶縁層３０ａに、さらに突出しており、貫通導体３３を設けることなく、薄膜導体３２と表面配線導体２４とが第１接続導体７Ａによって接続されている。第１接続導体７Ａの体積をさらに大きくすることで、緩衝機能をさらに有効なものとすることができる。第１接合層５の厚みを変えることなく、第１接続導体７Ａを大きくすることができるので、回路基板１全体としての剛性を低下させることなく、緩衝機能をさらに有効なものとすることができる。

１ 回路基板
２ セラミック基板
３ 第１有機基板
４ 第２有機基板
５ 第１接合層
６ 第２接合層
７，７Ａ 第１接続導体
８ 第２接続導体
９ 接続端子
１０ プローブピン
２０ 絶縁基体
２０ａ 絶縁層（セラミック絶縁層）
２１ 配線導体
２２ 内層配線導体
２３ 貫通導体
２４ 表面配線導体
３０ 第１樹脂絶縁基体
３０ａ 第１樹脂絶縁層
３１ 第１配線導体
３２ 薄膜導体
３３ 貫通導体
４０ 第２樹脂絶縁基体
４０ａ 第２樹脂絶縁層
４１ 第２配線導体
４２ 薄膜導体
４３ 貫通導体
４４ 電源導体層
４５ 接地導体層

Claims (4)

1. セラミック材料からなる絶縁層が積層された絶縁基体、および
   前記絶縁基体の表面および内部に配設された配線導体、を有するセラミック基板と、
   第１樹脂材料からなる第１樹脂絶縁層が積層された第１樹脂絶縁基体、および
   前記第１樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第１配線導体、を有する第１有機基板と、
   第２樹脂材料からなる第２樹脂層が積層された第２樹脂絶縁基体、および
   前記第２樹脂絶縁基体の表面および内部に配設された第２配線導体、を有する第２有機基板と、
   前記セラミック基板と前記第１有機基板とを接合する第１接合層と、
   前記第１接合層を貫通して、前記配線導体と前記第１配線導体とを電気的に接続する第１接続導体と、
   前記第１有機基板と前記第２有機基板とを接合する第２接合層と、
   前記第２接合層を貫通して、前記第１配線導体と前記第２配線導体とを電気的に接続する第２接続導体と、を備え、
   前記第２配線導体は、前記第２樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の電源導体層および前記第２樹脂絶縁基体の内部に埋設された層状の接地導体層を含み、
   前記第２樹脂材料の熱膨張係数は、前記第１樹脂材料の熱膨張係数より小さい回路基板。
2. 前記第１接続導体の体積は、前記第２接続導体の体積より大きい請求項１に記載の回路基板。
3. 前記第１接続導体および前記第２接続導体は、低融点金属成分と高融点金属成分とのはんだからなり、
   はんだにおける、低融点金属成分に対する高融点金属成分の割合は、前記第１接続導体より前記第２接続導体のほうが大きい請求項１または２に記載の回路基板。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の回路基板と、
   前記第２配線導体に電気的に接続されたプローブピンと、を備えるプローブカード。

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