JP6847726B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。たとえば、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給するノズルとを備えている。ノズルに対し、所定の高温に温度調整された処理液が供給されるものがある（たとえば特許文献１）。
特開２０１３−１７２０７９号公報
このような基板処理装置では、ノズルからの吐出停止状態では、ノズルの管壁や処理液配管の管壁が温度低下する。したがって、高温の処理液を用いた前回の処理から長期間が経過した後に、高温の処理液を用いた処理を再開する際には、処理液配管やノズルに送り出された高温の処理液が、温度の低いノズルの管壁や処理液配管の管壁と熱交換して冷却される恐れがある。そのため、高温の処理液を用いた処理の再開時に、温度低下した処理液が基板に供給されるおそれがある。高温の処理液が所望の温度よりも低いと処理レートが低下するなどの問題が発生する。そして、その後に連続して処理が行われる場合には、処理を重ねるごとに管壁が温度上昇し、ノズルからは所期の高温を有する処理液が吐出されるようになる。したがって、このような熱影響に起因して基板間の処理がばらつくおそれがある。
すなわち、複数枚の基板に対し高温処理を繰り返し連続的に施す場合に、このような熱影響に起因する基板間の処理のばらつきを抑制または防止することが求められている。
そこで、本発明の目的は、基板間の処理のばらつきを抑制または防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
この発明の一実施形態は、基板を保持する基板保持ユニットと、内壁面および外壁面を有する処理液流通部材であって、前記内壁面によって、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を吐出する吐出口に連通する処理液流通路の少なくとも一部を区画する処理液流通部材と、常温よりも高い高温（第１の高温）の処理液を前記処理液流通路に供給する処理液供給ユニットと、前記処理液流通部材の前記外壁面に対して外側から加熱または冷却して、前記処理液流通部材を温度変化させるための温度変化ユニットと、前記処理液供給ユニットを制御して、前記処理液流通路に前記高温の処理液を供給して、前記吐出口から前記高温の処理液を吐出することにより、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理を施す基板処理工程と、前記処理液流通路に前記処理液供給ユニットから処理液が供給されていない状態において、前記温度変化ユニットを制御して、前記処理液流通部材の前記内壁面を、常温よりも高くかつ前記第１の高温よりも低い所定の熱平衡温度に維持する平衡温度維持工程とを実行する制御装置とを含む、基板処理装置を提供する。
この明細書において、熱平衡温度とは、基板処理工程を繰り返し連続的に実行させた場合に収束する、前記処理液流通部材の内壁面の温度のことをいう。
この構成によれば、処理液流通部材のうち外壁面を温度変化ユニットによって加熱または冷却して、処理液流通部材を温度変化させることにより、処理液流通路に高温の処理液が供給されていない状態において、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持される。
熱平衡温度は、基板処理工程を繰り返し連続的に実行させた場合に収束する内壁面の温度である。処理液流通路に高温の処理液が供給されていない状態において処理液流通部材の内壁面を熱平衡温度に維持することにより、その次に実行される基板処理工程において、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持される。それだけでなく、それ以降に繰り返し実行される基板処理工程においても、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持される。すなわち、内壁面に温度変化がない。
熱平衡温度は、常温よりも高くかつ前記高温（第１の高温）よりも低い所定の温度であってもよい。
処理液流通路に供給された高温の処理液は、熱平衡温度に維持された処理液流通部材の内壁面と接触した後に、吐出口から吐出される。内壁面に温度変化がないので、吐出口からの処理液の温度を、複数の基板処理工程間に亘って均一に保つことができる。これにより、基板間の処理のばらつきを抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記平衡温度維持工程において、前記内壁面を前記熱平衡温度に保ち、かつ前記外壁面を常温よりも高くかつ前記熱平衡温度よりも低い所定温度に保つ工程を実行する。
この構成によれば、外壁面が、常温よりも高くかつ熱平衡温度よりも低い所定温度に保たれる。これにより、外壁面において熱の出入りを抑制または防止することができ、換言すると、処理液流通部材に対する熱の出入りを抑制または防止することができる。ゆえに、内壁面を熱平衡状態に維持し続けることが可能である。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記平衡温度維持工程の開始時において、前記外壁面の温度を前記熱平衡温度よりも高温に昇温させるべく、当該外壁面を加熱する第１の加熱工程と、前記第１の加熱工程に次いで、前記外壁面の温度を処理液の温度よりも低温に降下させるべく当該外壁面を冷却する冷却工程と、前記冷却工程に次いで、前記内壁面が前記熱平衡温度に保たれるようにかつ前記外壁面の温度が前記所定温度に保たれるように、当該外壁面を加熱する第２の加熱工程とを実行する。
この構成によれば、平衡温度維持工程の開始時において、まず、温度変化ユニットによって外壁面を加熱することにより、外壁面の温度を熱平衡温度よりも高温に昇温させる。次いで、温度変化ユニットによって外壁面を冷却することにより、外壁面の温度を降下させる。次いで、温度変化ユニットによって外壁面を加熱することにより、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に保たれ、かつ外壁面の温度が所定温度に保たれる。このように、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に保たれかつ外壁面が常温よりも高くかつ熱平衡温度よりも低い所定温度に保たれる状態を、比較的簡単な手法で実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記平衡温度維持工程の次に実行される前記基板処理工程において用いられる処理液の温度に応じて当該平衡温度維持工程において設定される前記熱平衡温度を調整する。そして、前記制御装置は、設定されている前記熱平衡温度に基づいて前記平衡温度維持工程を実行する。
この構成によれば、２つの基板処理工程において互いに異なる温度の高温の処理液が用いられる場合には、これら２つの基板処理工程の間に実行される平衡温度維持工程において、処理液流通部材の内壁面が、その次に実行される基板処理工程において用いられる処理液の温度に対応した熱平衡温度に調整される。これにより、それ以降に実行される基板処理工程において、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持され続ける。これにより
、吐出すべき高温の処理液の温度が途中で変わった場合でもあっても、それ以降の高温処理において、基板間のばらつきを抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記処理液流通部材は、前記吐出口を有するノズルを含む。
この構成によれば、温度変化ユニットによってノズルの外壁面を加熱または冷却して、ノズルを温度変化させることにより、ノズルの内部に高温の処理液が供給されていない状態において、ノズルの内壁面が熱平衡温度に維持される。
熱平衡温度は、基板処理工程を繰り返し連続的に実行させた場合に収束するノズルの内壁面の温度である。処理液流通路に高温の処理液が供給されていない状態において、ノズルの内壁面を熱平衡温度に維持することにより、その次に実行される基板処理工程において、ノズルの内壁面が熱平衡温度に維持される。それだけでなく、それ以降に繰り返し実行される基板処理工程においても、ノズルの内壁面が熱平衡温度に維持される。すなわち、ノズルの内壁面に温度変化がない。
ノズルの内部に供給された高温の処理液は、熱平衡温度に維持されたノズルの内壁面と接触した後に、吐出口から吐出される。ノズルの内壁面に温度変化がないので、吐出口から吐出される処理液の温度を、複数の基板処理工程間に亘って均一に保つことができる。これにより、基板間の処理のばらつきを抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記ノズルは、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を吐出するための処理位置と、前記基板保持ユニットから退避した退避位置との間で移動可能に設けられている。そして、前記温度変化ユニットは、前記ノズルが前記退避位置に配置されている状態で、当該ノズルを温度変化させる。
この構成によれば、退避位置に配置されているノズルの外壁面が、温度変化ユニットによって加熱または冷却される。処理位置と退避位置との間で移動可能なタイプのノズルでは、基板への処理液非供給の期間のうち長い期間において、ノズルが退避位置に配置されている。基板への処理液非供給の期間を有効に活用して肉厚部分を温めておくことができる。
この発明の一実施形態では、前記退避位置に配置された前記ノズルを包囲する包囲部材を含む。そして、前記温度変化ユニットは前記包囲部材の側壁に配置されている。
この構成によれば、包囲部材の壁面に温度変化ユニットを配置することにより、退避位置に配置されているノズルの外壁面を温度変化ユニットによって加熱または冷却する構成を、比較的簡単に実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記ノズルは複数設けられている。そして、前記包囲部材は、それぞれ前記退避位置に配置されている複数の前記ノズルを一括して包囲可能に設けられている。そして、前記温度変化ユニットは複数設けられている。そして、前記温度変化ユニットは前記ノズルに対応して設けられている。そして、各温度変化ユニットは、対応する前記ノズルの温度を個別に温度変化させる。
この構成によれば、各温度変化ユニットは、対応するノズルの外壁面の温度を個別に温度変化させる。これにより、ノズルの内壁面の温度を、互いに異なる温度に調整することができる。ノズルが複数設けられる場合、各ノズルから吐出される処理液の温度が異なる場合がある。このような場合に、各ノズルの内壁面の温度を、熱平衡温度に設けることも可能である。
この発明の一実施形態では、前記ノズルは、前記吐出口に連通する連通路と、前記連通路を区画するボディとを含む。そして、前記処理液流通部材は前記ボディを含む。そして、前記処理液流通部材の外壁面は、前記ボディの外壁面を含む。
この構成によれば、温度変化ユニットによってボディの外壁面を加熱または冷却して、ボディを温度変化させることにより、連通路に高温の処理液が供給されていない状態において、ボディの内壁面が熱平衡温度に維持される。
熱平衡温度は、基板処理工程を繰り返し連続的に実行させた場合に収束するボディの内壁面の温度である。連通路に高温の処理液が供給されていない状態において、ボディの内壁面を熱平衡温度に維持することにより、その次に実行される基板処理工程において、ボディの内壁面が熱平衡温度に維持される。それだけでなく、それ以降に繰り返し実行される基板処理工程においても、ボディの内壁面が熱平衡温度に維持される。すなわち、ボディの内壁面に温度変化がない。
連通路に供給された高温の処理液は、熱平衡温度に維持されたボディの内壁面と接触した後に、吐出口から吐出される。ボディの内壁面に温度変化がないので、吐出口から吐出される処理液の温度を、複数の基板処理工程間に亘って均一に保つことができる。これにより、基板間の処理のばらつきを抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記連通路は複数の分岐路を含む。そして、各分岐路は前記吐出口を有している。そして、前記ボディは、前記複数の分岐路を収容する吐出口ボディを含む。
この構成によれば、ノズルは複数の吐出口を有している。各分岐路に供給された高温の処理液は、熱平衡温度に維持されたボディの内壁面と接触した後、各吐出口から吐出される。ボディの内壁面に温度変化がないので、各吐出口から吐出される処理液の温度を、複数の基板処理工程間に亘って均一に保つことができる。
この発明の一実施形態では、前記ボディは、樹脂材料を用いて形成されている。
この構成によれば、ボディは、耐熱性を有する樹脂材料を用いて形成されている。樹脂材料は、熱容量の大きな材料である。そのため、熱伝導効率が悪い。ボディがこのような材料を用いて形成されているために、ボディが温度変化し難いという問題がある。 そのため、ボディの内壁面がたとえば常温にある状態で、複数の基板処理工程を繰り返し行った場合、基板処理工程を重ねるごとに吐出口から吐出される処理液の温度が上昇し、これにより、複数の基板処理工程の間で、吐出口から吐出される処理液の温度がばらつくという問題がある。その結果、基板間の処理のばらつきが顕在化するおそれがある。
これに対し、この構成では、処理液流通路に高温の処理液が供給されていない状態において、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持される。これにより、吐出口から吐出される処理液の温度を、複数の基板処理工程間に亘って均一に保つことができる。ゆえに、ボディが熱容量の大きな材料によって形成されている場合であっても、基板間の処理のばらつきを効果的に抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記樹脂材料は、ＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥおよびＰＦＡの少なくとも一つを含む。
この構成によれば、ボディの材料として、ＰＣＴＦＥや、ＰＴＦＥ、ＰＦＡを例示できる。これらをボディの材料とする場合、ボディが温度変化し難いという問題があるが、ボディがＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥおよびＰＦＡの少なくとも一つを含む場合であっても、基板
間の処理のばらつきを効果的に抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記温度変化ユニットは、ペルチェ素子を含む。
この構成によれば、温度変化ユニットがペルチェ素子を含むことにより、温度変化ユニットが処理液流通部材のうち外壁面を加熱する構成、および温度変化ユニットが、処理液流通部材のうち外壁面を冷却する構成を、一部材で実現することができる。
この発明の一実施形態は、処理液流通部材の処理液流通路に常温よりも高い高温（第１の高温）の処理液を供給し、前記処理液流通路に連通する吐出口から前記高温の処理液を吐出することにより、基板保持ユニットに保持されている基板に処理を施す基板処理工程と、前記基板処理工程が行われていない状態において、前記処理液流通部材の外壁面に対して外側から加熱または冷却して、前記処理液流通部材を温度変化させることにより、前記処理液流通部材の内壁面を熱平衡温度に維持する平衡温度維持工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この方法によれば、処理液流通部材のうち外壁面を加熱または冷却して、処理液流通部材を温度変化させることにより、処理液流通路に高温の処理液が供給されていない状態において、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持される。
熱平衡温度は、基板処理工程を繰り返し連続的に実行させた場合に収束する内壁面の温度である。処理液流通路に高温の処理液が供給されていない状態において処理液流通部材の内壁面を熱平衡温度に維持することにより、その次に実行される基板処理工程において、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持される。それだけでなく、それ以降に繰り返し実行される基板処理工程においても、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持される。すなわち、内壁面に温度変化がない。
熱平衡温度は、常温よりも高くかつ前記高温（第１の高温）よりも低い所定の温度であってもよい。
処理液流通路に供給された高温の処理液は、熱平衡温度に維持された処理液流通部材の内壁面と接触した後に、吐出口から吐出される。内壁面に温度変化がないので、吐出口からの処理液の温度を、複数の基板処理工程間に亘って均一に保つことができる。これにより、基板間の処理のばらつきを抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記平衡温度維持工程は、前記内壁面を熱平衡温度に保ち、かつ前記外壁面を、常温よりも高くかつ前記熱平衡温度よりも低い所定温度に保つ工程を含む。
この方法によれば、外壁面が、常温よりも高くかつ熱平衡温度よりも低い所定温度に保たれる。これにより、外壁面において熱の出入りを抑制または防止することができ、換言すると、処理液流通部材に対する熱の出入りを抑制または防止することができる。ゆえに、内壁面を熱平衡状態に維持し続けることが可能である。
この発明の一実施形態では、前記平衡温度維持工程は、前記外壁面の温度を前記熱平衡温度よりも高温に昇温させるべく、当該外壁面を加熱する第１の加熱工程と、前記第１の加熱工程に次いで、前記外壁面の温度を処理液の温度よりも低温に降下させるべく当該外壁面を冷却する冷却工程と、前記冷却工程に次いで、前記処理液流通部材の前記内壁面が前記熱平衡温度に保たれるようにかつ前記外壁面の温度が前記所定温度に保たれるように、当該外壁面を加熱する第２の加熱工程とを含む。
この方法によれば、まず、外壁面を加熱することにより、外壁面の温度を熱平衡温度よりも高温に昇温させる。次いで、外壁面を冷却することにより、外壁面の温度を処理液の温度よりも低温に降下させる。次いで、外壁面を加熱することにより、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に保たれ、かつ外壁面の温度が所定温度に保たれる。このように、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に保たれかつ外壁面が常温よりも高くかつ熱平衡温度よりも低い所定温度に保たれる状態を、比較的簡単な手法で実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記平衡温度維持工程は、当該平衡温度維持工程の後に実行される前記基板処理工程において用いられる処理液の温度に対応して当該平衡温度維持工程における前記熱平衡温度を調整する。
この方法によれば、連続的に実行される２つの基板処理工程において、互いに異なる温度の高温の処理液が用いられる場合には、これら２つの基板処理工程の間に実行される平衡温度維持工程において、処理液流通部材の内壁面が、その後に実行される基板処理工程において用いられる処理液の温度に対応した熱平衡温度に調整される。これにより、それ以降に実行される基板処理工程において、処理液流通部材の内壁面が熱平衡温度に維持され続ける。これにより、吐出すべき高温の処理液の温度が途中で変わった場合でもあっても、それ以降の高温処理において、基板間のばらつきを抑制または防止できる。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な正面図である。 図３は、前記処理ユニットの内部を示す模式的な平面図である。 図４は、前記処理ユニットに含まれる複数のノズルを示す模式的な正面図である。 図５は、前記ノズルに含まれる吐出バルブの一例の内部を示す断面図である。 図６は、前記基板処理装置に含まれる、吐出停止状態の処理液供給システムを示す模式図である。 図７は、前記基板処理装置に含まれる、吐出状態の処理液供給システムを示す模式図である。 図８は、前記基板処理装置に含まれる、吸引除去状態の処理液供給システムを示す模式図である。 図９は、図２に示す退避ポットの概略構成を示す断面図である。 図１０は、図９を、矢視Xから見た図である。 図１１は、図９に示す温度調整ユニットの断面図である。 図１２は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図１３は、前記処理ユニットによって行われる処理の処理例について説明するためのフローチャートである。 図１４は、前記処理例における制御装置の主たる制御内容を説明するためのタイムチャートである。 図１５は、前記ノズルに含まれる吐出口ボディの外壁面を、温度調整ユニットが加熱している状態を示す模式的な図である。 図１６は、温度調整ユニットによる加熱開始時に実行される平衡温度調整工程の内容を示すフローチャートである。 図１７は、前記平衡温度調整工程における、前記吐出口ボディの内壁面および外壁面の温度変化を示すグラフである。 図１８は、図１３に示す薬液工程を連続的に実行する場合の、吐出口ボディの内壁面温度の変化を示すグラフである。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置１は、基板Ｗを収容する複数の基板収容器Ｃを保持する複数のロードポートＬＰと、複数のロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを薬液等の処理液で処理する複数の処理ユニット２と、複数のロードポートＬＰから複数の処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボットと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットは、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間の経路上で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲと、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間の経路上で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＣＲとを含む。
基板処理装置１は、吐出バルブ６８（図６等参照）等を収容する複数の流体ボックス４を含む。処理ユニット２および流体ボックス４は、基板処理装置１のフレーム８の中に配置されており、基板処理装置１のフレーム８で覆われている。処理液を貯留する薬液タンク６等を収容する貯留ボックス７は、図１の例では、基板処理装置１のフレーム８の外に配置されているが、フレーム８の中に収容されていてもよい。貯留ボックス７は、複数の流体ボックス４に対応する１つのボックスであってもよいし、流体ボックス４に一対一対応で設けられた複数のボックスであってもよい。
図２は、基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を示す模式的な正面図である。図３は、図２の処理ユニット２の内部を示す模式的な平面図である。
処理ユニット２は、チャンバー９と、チャンバー９内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる（基板保持ユニット）１０と、基板Ｗから排出された処理液を受け止める筒状のカップ１１とを含む。スピンチャック１０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットの一例である。
チャンバー９は、基板Ｗが通過する搬入搬出口１２ａが設けられた箱型の隔壁１２と、搬入搬出口１２ａを開閉するシャッター１２ｂとを含む。シャッター１２ｂは、搬入搬出口１２ａが開く開位置と、搬入搬出口１２ａが閉じられる閉位置（図３に示す位置）との間で、隔壁１２に対して移動可能である。図示しない搬送ロボットは、搬入搬出口１２ａを通じてチャンバー９に基板Ｗを搬入し、搬入搬出口１２ａを通じてチャンバー９から基板Ｗを搬出する。
スピンチャック１０は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１３と、スピンベース１３の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１４と、複数のチャックピン１４を回転させることにより回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンモータ１５とを含む。スピンチャック１０は、複数のチャックピン１４を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１３の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
カップ１１は、スピンチャック１０を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガード１６と、スプラッシュガード１６を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む円筒状の外壁面１７とを含む。処理ユニット２は、スプラッシュガード１６の上端がスピンチャック１０による基板Ｗの保持位置よりも上方に位置する上位置（図２に示す位置）と、スプラッシュガード１６の上端がスピンチャック１０による基板Ｗの保持位置よりも下方に位置する下位置との間で、スプラッシュガード１６を鉛直に昇降させるガード昇降ユニット１８を含む。
処理ユニット２は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル１９を含む。リンス液ノズル１９は、リンス液バルブ２０が介装されたリンス液配管２１に接続されている。処理ユニット２は、処理位置と退避位置との間でリンス液ノズル１９を移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。
リンス液バルブ２０が開かれると、リンス液が、リンス液配管２１からリンス液ノズル１９に供給され、リンス液ノズル１９から吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Deionized water）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
処理ユニット２は、処理液を下方に吐出する複数のノズル２２と、複数のノズル２２のそれぞれを保持するホルダ２３と、ホルダ２３を移動させることにより、処理位置（図３に二点鎖線で示す位置）と退避位置（図３に実線で示す位置）との間で複数のノズル２２を移動させるノズル移動ユニット２４とを含む。
処理液はたとえば薬液である。薬液はたとえばエッチング液である。エッチング液の具体例は、ＤＨＦ（希釈されたフッ酸）、ＴＭＡＨ（Tetramethylammonium Hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）、ｄＮＨ４ＯＨ（希釈された水酸化アンモニウム）、およびＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）である。その他、処理液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、ＴＭＡＨを除く有機アルカリ、疎水化剤（たとえばＴＭＳ、ＨＭＤＳなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。
各ノズル２２は、ホルダ２３によって片持ち支持されて、当該ホルダ２３から水平な長手方向Ｄ１に延びるアーム２５と、各アーム２５の先端に接続されたノズルヘッド２６（第１のノズルヘッド２６Ａ、第２のノズルヘッド２６Ｂ、第３のノズルヘッド２６Ｃ、および第４のノズルヘッド２６Ｄ）を含む。
複数のアーム２５は、第１のノズルヘッド２６Ａ〜第４のノズルヘッド２６Ｄの順番で、長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並んでいる。複数のアーム２５は、同じ高さに配置されている。配列方向Ｄ２に隣接する２つのアーム２５の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図３は、複数のアーム２５が等間隔で配置されている例を示している。
長手方向Ｄ１への複数のアーム２５の長さは、第１のノズルヘッド２６Ａ〜第４のノズルヘッド２６Ｄの順番で短くなっている。複数のノズルヘッド２６は、長手方向Ｄ１に関して第１のノズルヘッド２６Ａ〜第４のノズルヘッド２６Ｄの順番で並ぶように長手方向Ｄ１にずれている。複数のノズルヘッド２６は、平面視で直線状に並んでいる。
ノズル移動ユニット２４は、カップ１１のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりにホルダ２３を回動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って複数のノズル２２を移動させる。これにより、処理位置（図４の処理位置Ｐ１）と退避位置（図４の退避位置Ｐ２）との間で複数のノズル２２が水平に移動する。処理ユニット２は、複数のノズル２２の退避位置の下方に配置された有底筒状の退避ポット（包囲部材）２７をさらに含む。退避ポット２７は、平面視でカップ１１のまわりに配置されている。
処理位置は、複数のノズル２２から吐出された処理液が基板Ｗの上面に着液する位置である。処理位置では、複数のノズル２２のノズルヘッド２６と基板Ｗとが平面視で重なり、複数のノズルヘッド２６が、平面視において、回転軸線Ａ１側から第１のノズルヘッド２６Ａ〜第４のノズルヘッド２６Ｄの順番で径方向Ｄｒに並ぶ。このとき、第１のノズルヘッド２６Ａは、平面視で基板Ｗの中央部に重なり、第４のノズルヘッド２６Ｄは、平面視で基板Ｗの周縁部に重なる。
退避位置は、複数のノズルヘッド２６と基板Ｗとが平面視で重ならないように、複数のノズルヘッド２６が退避した位置である。退避位置では、複数のノズルヘッド２６が、平面視でカップ１１の外周面（外壁面１７の外周面）に沿うようにカップ１１の外側に位置し、第１のノズルヘッド２６Ａ〜第４のノズルヘッド２６Ｄの順番で周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に並ぶ。複数のノズルヘッド２６は、第１のノズルヘッド２６Ａ〜第４のノズルヘッド２６Ｄの順番で、回転軸線Ａ１から遠ざかるように配置される。
以下の説明では、第１のノズルヘッド２６Ａに対応する構成の先頭および末尾に、それぞれ「第１の」および「Ａ」を付ける場合がある。たとえば、第１のノズルヘッド２６Ａに対応する薬液供給流路３２を、「第１の薬液供給流路３２Ａ」と記載する場合がある。第２のノズルヘッド２６Ｂ〜第４のノズルヘッド２６Ｄに対応する構成についても同様である。
図４は、複数のノズル２２を示す模式的な正面図である。図４では、複数のノズル２２が基板Ｗの上面上に設定された処理位置Ｐ１に配置されている状態を示す。図４では、複数のノズル２２のノズルヘッド２６のうち、第２のノズルヘッド２６Ｂのみ内部を詳細に記載しているが、第２のノズルヘッド２６Ｂ以外の各ノズルヘッド２６の内部の構成も同様である。
第１のノズル２２Ａは、１つの吐出口３１を有している。第２のノズル２２Ｂ、第３２のノズル２２Ｃおよび第４のノズル２２Ｄは、それぞれ３つの吐出口３１を有している。すなわち、複数のノズル２２に設けられた吐出口３１の総数が１０個である。
第１〜第４のノズル２２Ａ〜２２Ｄは、それぞれ吐出バルブ２８をさらに含む。各吐出バルブ２８はノズルヘッド２６内に設けられている。各吐出バルブ２８は、２つのチューブ２９，３０が接続されている。チューブ２９，３０は、それぞれ処理液を案内する流路を形成している。
第１のノズルヘッド２６Ａの吐出バルブ２８には、吐出口部７０が結合されている。吐出口部７０の内部には、処理液を案内する１つの流路が形成されている。吐出口部７０の１つの流路は、各吐出口部７０の下面で開口して、１つの吐出口３１（３１Ａ）を形成している。
第２のノズルヘッド２６Ｂ〜第４のノズルヘッド２６Ｄの各吐出バルブ２８には、吐出口ボディ３４が結合されている。吐出口ボディ３４は、処理液を案内する複数（たとえば３つ）の流路を形成している。第２のノズルヘッド２６Ｂの吐出口ボディ３４の複数の流路は、各吐出口ボディ３４の下面で開口して、複数（たとえば３つ）の吐出口３１（３１Ｂ）を形成している。第３のノズルヘッド２６Ｃの吐出口ボディ３４の複数の流路は、各吐出口ボディ３４の下面で開口して、複数（たとえば３つ）の吐出口３１（３１Ｃ）を形成している。第４のノズルヘッド２６Ｄの吐出口ボディ３４の複数の流路は、各吐出口ボディ３４の下面で開口して、複数（たとえば３つ）の吐出口３１（３１Ｄ）を形成している。
各吐出口ボディ３４に設けられた３つの吐出口３１（３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ）は、３つの吐出口３１のうちで回転軸線Ａ１に最も近い内側吐出口と、３つの吐出口３１のうちで回転軸線Ａ１から最も遠い外側吐出口と、内側吐出口と外側吐出口との間に配置された中間吐出口とを含む。複数の吐出口３１は、平面視で略直線状に並んでいる。隣接する２つの吐出口３１の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。また、複数の吐出口３１は、２つ以上の異なる高さに配置されていてもよいし、同じ高さに配置されていてもよい。
各吐出口３１は、基板Ｗの上面に対して垂直な吐出方向に処理液を吐出する。複数の吐出口３１は、基板Ｗの上面内の複数の着液位置に向けて処理液を吐出する。複数の着液位置は、回転軸線Ａ１からの距離が異なる別々の位置である。
複数のノズルヘッド２６が処理位置に配置された状態で、複数の吐出口３１は、回転軸線Ａ１からの距離（平面視での最短距離）が異なる複数の位置にそれぞれ配置される。複数の吐出口３１は、平面視で基板Ｗの回転は回転半径方向に沿って一列に配列されている。第１のノズルヘッド２６Ａに設けられた第１の吐出口３１Ａは、基板Ｗの上面中央部に対向するように配置されている。また、第１のノズルヘッド２６Ａ以外の各ノズルヘッド２６に設けられた第２の吐出口３１Ｂ、第３の吐出口３１Ｃおよび第４の吐出口３１Ｄは、中央部以外の基板Ｗの上面に対向するように配置されている。この状態で、複数の吐出口３１のうちで回転軸線Ａ１に最も近い最内吐出口（第１の吐出口３１Ａ）は、基板Ｗの中央部の上方に配置され、複数の吐出口３１のうちで回転軸線Ａ１から最も遠い最外吐出口（第４の吐出口３１Ｄ）は、基板Ｗの周縁部の上方に配置される。
チューブ２９から各吐出口３１に至る流路は、薬液タンク６（図１参照）から供給される処理液を、吐出口３１に向けて案内する薬液供給流路３２（後述する）の一部に該当する。吐出バルブ２８内で薬液供給流路３２から分岐してチューブ３０に続く流路は、薬液供給流路３２を流通している処理液を薬液タンク６に戻す第２の帰還流路３３（後述する）の一部に該当する。
図５は、吐出バルブ２８の一例の内部を示す断面図である。
吐出バルブ２８は、処理液を導く流路３５が形成された本体３６と、流路３５を開閉する弁体３７と、弁体３７を軸方向Ｘ１に進退させて流路３５を開閉させる空圧アクチュエータ３８と、吐出口３１とを含む。
本体３６は、空圧アクチュエータ３８を構成するシリンダ３９と、弁体３７を進退させる弁室４０と、チューブ２９と連通して弁室４０に至る流路３５ａと、流路３５ａの、弁室４０よりも上流の位置で、流路３５ａに接続された、チューブ３０と連通する流路３５ｂと、弁室４０から吐出口３１に至る流路３５ｃとを含む。シリンダ３９と弁室４０とは、軸方向Ｘ１に並んでいる。シリンダ３９と弁室４０との間は、隔壁４１によって隔てられている。
流路３５ｃは、吐出口ボディ３４の内部を挿通し、かつ吐出口３１に連通する連通路６９が形成されている。この実施形態では、連通路６９は、弁室４０側の主連通路６９Ａと、主連通路６９Ａと各吐出口３１とを接続する複数の分岐路６９Ｂとを含む。
空圧アクチュエータ３８は、シリンダ３９、ピストン４２、バネ４３およびロッド４４を含む。シリンダ３９は、ピストン４２によって、隔壁４１側の前室と、当該ピストン４２を挟んで軸方向Ｘ１の反対側の後室とに隔てられている。本体３６には、シリンダ３９の前室および後室にそれぞれ別個に空気圧を伝達するチューブ（図４に示すチューブ４５）を接続するためのジョイント４７が、各々接続されている。ピストン４２は、チューブ４５およびジョイント４７を介して、シリンダ３９の前室または後室のいずれ一方に空気圧を伝達することにより、シリンダ３９内を、軸方向Ｘ１に沿って進退される。
バネ４３は、シリンダ３９の後室側において、ピストン４２と本体３６との間に介挿されて、ピストン４２を、隔壁４１の方向に押圧している。
ロッド４４は、基部がピストン４２に連結され、先端部が、隔壁４１を貫通して弁室４０に突出されている。弁室４０に突出されたロッド４４の先端部には、弁体３７が連結されている。弁体３７は円板状に形成され、ロッド４４の先端部に、径方向を軸方向Ｘ１と直交させて連結されている。弁体３７は、シリンダ３９内で、ピストン４２が軸方向Ｘ１に沿って進退されると、ロッド４４を介して、弁室４０内で、軸方向Ｘ１に沿って進退される。
弁室４０は、隔壁４１と対向し、軸方向Ｘ１と直交する円環状の弁座面４６を含み、弁座面４６の中心位置に、流路３５ａが同心状に開口されている。流路３５ｃは、弁室４０の、弁体３７の進退方向（軸方向Ｘ１）の側方に開口されている。
チューブ２９と流路３５ａ、チューブ３０と流路３５ｂは、それぞれジョイント４８を介して接続される。
本体３６は、先端に吐出口３１が形成され、ノズルヘッド２６の下面から下方へ突出される筒部４９を含む。第１のノズルヘッド２６Ａ以外の各ノズルヘッド２６では、図示していないが、筒部４９に、処理液を案内する複数の流路が形成された吐出口ボディ３４が接続され、吐出口ボディ３４の複数の流路が下面で開口されて、複数の吐出口３１が形成されている。
吐出バルブ２８において処理液に接する部分（接液部）は、処理液に対する耐性を有する材料（たとえば、フッ素樹脂等の合成樹脂）によって作製されるか、もしくは処理液に対する耐性を有する材料からなる被膜によって被覆されている。流路３５や弁室４０の内面、あるいは弁体３７やロッド４４の外面は、接液部に含まれる。
シリンダ３９の前室および後室のいずれにも空気圧を作用させず、空圧アクチュエータ３８を作動させない状態では、ピストン４２が、バネ４３によって、シリンダ３９内で前進位置、つまり、図８に示すように、隔壁４１側に近接した位置に押圧され、それによって弁室４０内で、弁体３７が弁座面４６に接触されて、流路３５ａの開口が閉鎖される。そのため、流路３５ａと流路３５ｃとの間が閉じられて、薬液タンク６からチューブ２９と流路３５ａとを通して供給される処理液は、流路３５ｂとチューブ３０とを通して薬液タンク６に帰還させられる（吐出停止状態）。
この吐出停止状態において、シリンダ３９の前室に空気圧を伝達して、ピストン４２を、バネ４３の押圧力に抗して、シリンダ３９の後室方向に後退させると、弁室４０内で、弁体３７が弁座面４６から離れて、流路３５ａの開口が弁室４０に解放される。そのため、流路３５ａと流路３５ｃとが、弁室４０を介して繋がれて、薬液タンク６からチューブ２９と流路３５ａとを通して供給される処理液が、流路３５ｃを通して、吐出口３１から吐出される（吐出状態）。
この吐出状態において、シリンダ３９の前室への空気圧の伝達を停止し、代わって、シリンダ３９の後室に空気圧を伝達して、ピストン４２を、バネ４３の押圧力とともに、シリンダ３９の前室方向、すなわち、隔壁４１に近接する方向に前進させると、弁室４０内で、弁体３７が弁座面４６に接触されて、流路３５ａの開口が閉鎖される。そのため、流路３５ａと流路３５ｃとの間が閉じられて、薬液タンク６からチューブ２９と流路３５ａとを通して供給される処理液は、流路３５ｂとチューブ３０とを通して薬液タンク６（図１参照）に帰還させられる吐出停止状態に復帰する。
なお吐出バルブ２８は、電磁バルブであってもよいし、それ以外のバルブであってもよい。
図６〜図８は、基板処理装置１に含まれる処理液供給システムを示す模式図である。図６、図７および図８は、それぞれ、吐出停止状態、吐出状態および吸引除去状態を示している。
処理液供給システムは、薬液を貯留する薬液タンク６と、薬液タンク６から送られた薬液を案内する薬液流路６６と、薬液流路６６内を流れる薬液を常温（ＲＴ。たとえば約２３〜２５℃）よりも高い温度で加熱することにより薬液タンク６内の薬液の温度を調整する第１の循環ヒータ５１と、薬液タンク６内の薬液を薬液流路６６に送るポンプ５２と、薬液流路６６内の薬液を薬液タンク６に戻す第１の帰還流路６５とを含む。薬液タンク６、薬液流路６６、および第１の帰還流路６５が、薬液タンク６に貯留されている処理液を循環させて薬液タンク６に戻す第１の循環流路５０に含まれる。
処理液供給システムは、薬液流路６６を開閉する供給バルブ５４と、第１の循環流路５０を開閉する第１の帰還バルブ５３と薬液流路６６に接続された薬液供給流路３２とを含む。薬液供給流路３２は、第１の循環流路５０から供給された処理液を複数の吐出口３１に向けて案内する複数の薬液供給流路３２（第１の薬液供給流路３２Ａ、第２の薬液供給流路３２Ｂ、第３の薬液供給流路３２Ｃおよび第４の薬液供給流路３２Ｄ）を含む。処理液供給システムは、さらに、複数の薬液供給流路３２内を流れる処理液の流量を検出する複数の流量計５５と、複数の薬液供給流路３２内を流れる処理液の流量を変更する複数の流量調整バルブ５６と、複数の薬液供給流路３２内を流れる処理液を、薬液流路６６内を流れる薬液を常温（たとえば約２３〜２５℃）よりも高い温度で加熱することにより薬液タンク６内の薬液の温度を調整する、複数の第２の循環ヒータ５７と、複数の薬液供給流路３２をそれぞれ開閉する複数の薬液供給バルブ６８と、チャンバー９内で複数の薬液供給流路３２をそれぞれ開閉する複数の吐出バルブ２８とを含む。
処理液供給システムは、チャンバー９内で、かつ複数の吐出バルブ２８よりも上流の位置で、複数の薬液供給流路３２にそれぞれ接続されて、薬液供給流路３２を流通している処理液を第１の循環流路５０に帰還させる複数の第２の帰還流路３３と、複数の第２の帰還流路３３をそれぞれ開閉する複数の第２の帰還バルブ５８とをさらに含む。
処理液供給システムは、複数の薬液供給流路３２において、第２の帰還流路３３との接続位置よりも上流の位置で、第２の帰還流路３３に接続された複数のバイパス流路５９と、複数のバイパス流路５９をそれぞれ開閉する複数のバイパスバルブ６０と、バイパス流路５９との接続位置よりも上流の位置で、複数の第２の帰還流路３３に接続された複数の吸引流路６１と、複数の吸引流路６１をそれぞれ開閉する複数の吸引バルブ６２とをさらに含む。吸引流路６１の下流側には、図示していないが、吸引装置が接続されている。バイパス流路５９、バイパスバルブ６０、吸引流路６１および吸引バルブ６２は、いずれも流体ボックス５内に設けられている。
薬液供給バルブ６８、吐出バルブ２８、第２の帰還バルブ５８、および吸引バルブ６２は、処理液供給システムを吐出状態、吐出停止状態および吸引除去状態に切り替える切替ユニットの一例である。またバイパスバルブ６０は、バイパス流路５９を開閉する開閉ユニットの一例である。
処理液供給システムは、複数の第２の帰還流路３３から帰還させられた処理液を冷却するクーラー６３と、クーラー６３から薬液タンク６に処理液を案内する回収流路６４とを含む。複数の第２の帰還流路３３からクーラー６３に帰還させられた処理液は、クーラー６３によって、循環温度に近づけられた後、回収流路６４を介して薬液タンク６に案内される。クーラー６３は、水冷ユニットまたは空冷ユニットであってもよいし、これら以外の冷却ユニットであってもよい。薬液タンク６、薬液流路６６、薬液供給流路３２、第２の帰還流路３３および回収流路６４が、薬液タンク６に貯留されている処理液を循環させて薬液タンク６に戻す第２の循環流路（処理液供給ユニット）６７に含まれる。
次に、図６を参照して、複数の吐出口３１からの処理液の吐出が停止された吐出停止状態の処理液供給システムについて説明する。図６では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
吐出停止状態では、第１の帰還バルブ５３が閉じられかつ供給バルブ５４が開かれる。これにより、第１の循環流路５０を循環している薬液が、複数の薬液供給流路３２に流れ、第２の循環流路６７を循環する。具体的には、薬液供給流路３２に供給された処理液は、第２の循環ヒータ５７によって加熱された後、チャンバー９内に配置された吐出口３１の近傍の、第２の帰還流路３３との接続位置まで送られて、当該接続位置から、第２の帰還流路３３を介して、薬液タンク６に帰還させられる。
この吐出停止状態においては、複数の薬液供給流路３２と、そのそれぞれに接続された第２の帰還流路３３とを介して処理液を循環させ続けることにより、それぞれの薬液供給流路３２内の処理液を、チャンバー９内の（すなわち吐出口３１の近傍の）第２の帰還流路３３との接続位置まで、所定の高温に維持することができる。
次に、図７を参照して、複数の吐出口３１から処理液が吐出される吐出状態の処理液供給システムについて説明する。図７では、やはり、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク６内の処理液は、ポンプ５２によって第１の循環流路５０に送られる。ポンプ５２によって送られた処理液は、第１の循環ヒータ５１によって加熱された後、第１の循環流路５０から複数の薬液供給流路３２に流れる。薬液供給流路３２に供給された処理液は、第２の循環ヒータ５７によって加熱された後、チャンバー９内に配置された複数の吐出口３１に供給される。
第１の薬液供給流路３２Ａに供給された処理液は、第１のノズルヘッド２６Ａに設けられた１つの第１の吐出口３１Ａに供給される。第２の薬液供給流路３２Ｂに供給された処理液は、第２のノズルヘッド２６Ｂに設けられた複数の第２の吐出口３１Ｂに供給される。第３の薬液供給流路３２Ｃおよび第４の薬液供給流路３２Ｄについても、第２の薬液供給流路３２Ｂと同様である。これにより、全ての吐出口３１から処理液が吐出される。
この吐出状態においては、複数の吐出口３１から、基板Ｗの上面内の異なる複数の位置に処理液を供給することで、処理液の温度の均一性の低下を抑制できる。また、基板Ｗを回転軸線まわりに回転させながら、当該回転軸線からの距離が異なる複数の位置に、複数の吐出口３１から吐出させた処理液を着液させる場合には、基板Ｗの上面の全域に、速やかに、処理液を行き渡らせることができる。
次に、図８を参照して、薬液供給流路３２の、第２の帰還流路３３との接続位置よりも下流の領域に残留する処理液が吸引除去される吸引除去状態の処理液供給システムについて説明する。図８では、やはり、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク６内の処理液は、ポンプ５２によって薬液流路６６に送られる。ポンプ５２によって送られた処理液の一部は、第１の循環ヒータ５１によって加熱された後、第１の帰還流路６５を介して薬液タンク６に戻る。ポンプ５２によって送られた残りの処理液は、第１の循環流路５０から複数の薬液供給流路３２に流れる。薬液供給流路３２に供給された処理液は、第２の循環ヒータ５７によって加熱された後、バイパス流路５９を介して、薬液タンク６に帰還させられる。
薬液供給流路３２の、第２の帰還流路３３との接続位置よりも下流の領域に残留した処理液は、吸引流路６１から第２の帰還流路３３を介して伝達された吸引力によって、吸引流路６１内に吸引除去される。
図９は、退避ポット２７の概略構成を示す断面図である。図１０は、図９を、矢視Xから見た図である。図１１は、温度調整ユニット（温度変化ユニット）８０の断面図である。
退避ポット２７は、略直方体の内部空間７１を区画する、たとえば有底筒状のハウジング７２を含む。ハウジング７２は、ハウジング７２の上面に形成された挿入口７３と、ハウジング７２の下壁７２ａに形成された排出口７４とを有する。退避ポット２７の排出口７４には、機外の廃液処理設備に他端が接続された排出配管７６の一端が接続されている。図９および図１０には、複数のノズル２２が退避位置Ｐ２に配置されている状態を示している。
複数のノズル２２が退避位置Ｐ２に配置された状態では、各吐出口ボディ３４が退避ポット２７の内部に収容されている。この収容状態では、吐出口ボディ３４の上端が、退避ポット２７の挿入口７３よりも下方に位置している。換言すると、ノズル２２が退避位置Ｐ２に配置された状態では、各吐出口ボディ３４が退避ポット２７によって包囲されている。さらに、この実施形態は、退避ポット２７は、複数（たとえば３つ）の吐出口ボディ３４を一括して包囲する。
退避ポット２７には、温度調整ユニット８０が設置されている。温度調整ユニット８０は、ペルチェ素子などの熱源８３を内蔵する温度調整器７７と、温度調整器７７の表面温度を検出するための温度センサ７８とを含む。この実施形態では、温度調整ユニット８０は一対設けられている。
各温度調整器７７は、退避ポット２７のハウジング７２の双方の側壁７２ｂの外側側面に、それぞれ配置されている。各温度調整器７７は、断熱材によって形成された固定プレート８１およびボルト８２によって、ハウジング７２の側壁７２ｂに固定されている。
図１１に示すように、温度調整器７７は矩形のシート状をなしている。温度調整器７７は、フィルム状の熱源８３と、熱源８３の周囲を包囲する断熱層８４と、断熱層８４の周囲を包囲する熱拡散体８５と、熱拡散体８５の周囲を包囲する断熱体８６とを含む。熱源８３は、たとえば、発熱および吸熱可能な構成が採用されている。このような熱源８３はペルチェ素子を含む。また、温度センサ７８として、たとえば熱電対が採用される。
温度調整器７７の熱源８３に電力が供給されると、熱源８３が発熱または吸熱し、温度調整器７７の表面が昇温または降温する。ノズル２２が退避位置Ｐ２に配置されている状態で、温度調整器７７の表面が昇温または降温させられることにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが加熱または冷却される。熱源８３がペルチェ素子を含むので、温度調整ユニット８０が吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａを加熱する構成、および温度調整ユニット８０が吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａを冷却する構成を、一部材で実現することができる。
図１２は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット９１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット９２、および入出力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット９２には、演算ユニット９１が実行するプログラム９３が記憶されている。
記憶ユニット９２は、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピを記憶するレシピ記憶部９４を含む。レシピ記憶部９４は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。レシピ記憶部９４には、基板Ｗに対する処理の内容（手順および条件を含む。以下同じ。）が規定されたプロセスレシピ（図示しない）が格納されている。
基板処理装置１には、一つのロットを構成する所定枚数（たとえば、２５枚）の基板Ｗが基板収容器Ｃ（図１参照）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置１では、基板収容器Ｃごとにプロセスジョブが対応付けられている。基板収容器Ｃが、基板処理装置１のロードポートＬＰ（図１参照）に載置されると、基板収容器Ｃに含まれるロットの情報を示す基板情報が、ホストコンピュータから制御装置３に送られる。ホストコンピュータは、半導体製造工場に設置された複数の基板処理装置を統括するコンピュータである。制御装置３は、ホストコンピュータから送られた基板情報（プロセスジョブ）に基づいて、そのロットに対するプロセスレシピがレシピ記憶部９４から読み出される。そして、制御装置３が、このプロセスレシピに従った制御を繰り返し実行することにより、１つの基板収容器Ｃに収容された基板Ｗは、次々と連続して処理ユニット２に搬入され、処理ユニット２で基板処理を受ける。そして、プロセスレシピに従った制御が基板収容器Ｃに収容された基板の枚数に等しい所定回数だけ実行されると、当該基板収容器Ｃに次いで搬入された基板収容器Ｃに収容されている基板に対し、当該処理が実行される。
さらに、制御装置３は、記憶ユニット９２に記憶されているプログラム９３の内容に従って、スピンモータ１５、第２の循環ヒータ５７および温度調整ユニット８０等の動作を制御する。また、制御装置３は、吐出バルブ２８およびリンス液バルブ２０等を制御する。
図１３は、処理ユニット２によって行われる処理の処理例について説明するためのフローチャートである。図１４は、前記処理例における制御装置３の主たる制御内容を説明するためのタイムチャートである。
図１〜図１４を参照しつつ処理例について説明する。この処理例は、高温の薬液として、エッチング液を用いてエッチング処理を基板Ｗに施す処理例である。
基板処理装置１（つまり処理液供給システム）の起動後直ちに、制御装置３は、ポンプ５２を作動開始させ、かつ第１および第２の循環ヒータ５１，５７を作動開始させる。その後、制御装置３は、第１の帰還バルブ５３を閉じかつ供給バルブ５４を閉じる。この状態で、第２の循環流路６７を薬液が循環する（処理液供給システムが図６に示す吐出停止状態になる）。制御装置３は、温度計（図示しない）の出力値を常時参照することにより、第２の循環流路６７内を循環している薬液の温度を監視している。第２の循環流路６７内の薬液は、予め定める高温処理温度（この処理例では、たとえば約８２℃）を目標に昇温させられ、その処理温度に達した後は、当該高温処理温度のまま維持される。
また、制御装置３は、基板処理装置１の起動後直ちに、温度調整ユニット８０を制御して、温度調整ユニット８０による吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａの加熱を開始する。
その後、基板Ｗが搬入されてくるまで、基板処理装置１はＩＤＬＥ状態（待機状態）にある。
未処理の基板Ｗを収容する基板収容器ＣがロードポートＬＰに載置されると（ＲＥＡＤＹ）、インデクサロボットＩＲによって基板収容器Ｃから、処理対象の基板Ｗが取り出される。取り出された基板Ｗは搬送ロボットＣＲに受け渡され、搬送ロボットＣＲによって、チャンバー９の内部に搬入される（図１３のステップＳ１）。具体的には、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバー９の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面（エッチング対象面）を上方に向けた状態でスピンチャック１０に受け渡される。その後、スピンチャック１０に基板Ｗが保持され、かつ、ハンドＨがチャンバー９外に退避させられる。また、基板Ｗの搬入前の状態で、ノズル２２は、退避位置Ｐ２に配置されている。
スピンチャック１０に基板Ｗが保持された後、制御装置３はスピンモータ１５を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図１３のステップＳ２）。基板Ｗの回転速度は、液処理速度（約３００ｒｐｍ〜約１０００ｒｐｍの所定の速度）まで上昇させられる。
次に、基板Ｗに薬液を供給する高温薬液工程（図１３のステップＳ４）が行われる。具体的には、制御装置３は、ノズル移動ユニット２４を制御して、退避位置Ｐ２に配置されている（すなわち、退避ポット２７に収容されている）ノズル２２を処理位置Ｐ１（図４参照）に配置させる（図１３のステップＳ３）。ノズル２２が処理位置Ｐ１に配置された後、制御装置３は、吐出バルブ２８を開く。これにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けてノズル２２から薬液が吐出される。ノズル２２から吐出された薬液は、基板Ｗの上面に供給される（Ｓ４）。吐出口３１が基板Ｗの回転半径方向に沿って複数並んでいるので（多点吐出）、基板Ｗの上面の全域に薬液を行き渡らせることができ、これにより、基板Ｗの上面を均一に薬液処理（たとえばエッチング処理）することができる。薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、吐出バルブ２８を閉じて、ノズル２２からの薬液の吐出を停止する。これにより、高温薬液工程（Ｓ３）が終了する。
薬液の吐出停止後、制御装置３は、ノズル移動ユニット２４を制御して、ノズル２２を、処理位置Ｐ１から退避位置Ｐ２まで退避させる（図１３のステップＳ５）。
高温薬液工程（Ｓ４）の終了に次いで、リンス液を基板Ｗに供給するリンス工程（図１３のステップＳ６）が行われる。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ２０を開いて、リンス液ノズル１９からのリンス液の吐出を開始する。リンス液ノズル１９から吐出されたリンス液は、回転状態にある基板Ｗの上面に供給される。このリンス液により、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。リンス液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２０を閉じてリンス液ノズル１９からのリンス液の吐出を停止する。これにより、リンス工程（Ｓ６）が終了する。
次いで、制御装置３はスピンモータ１５を制御して、各工程Ｓ４，Ｓ５における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗの周縁部に付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗの周縁部から液体が除去され、基板Ｗの周縁部が乾燥する（図１３のＳ７：乾燥工程）。
乾燥工程（Ｓ７）が予め定める期間に亘って行われると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御して、スピンチャック１０の回転（基板Ｗの回転）を停止させる（図１３のステップＳ８）。
基板Ｗの回転停止後は、複数のチャックピン１４による基板Ｗの保持が解除される。その後、制御装置３は、基板Ｗを搬入したときと同様に、処理済みの基板Ｗを搬送ロボットによってチャンバー９内から搬出させる（図１３のステップＳ９）。
その後、引き続いて、次の基板Ｗが搬入され、当該基板ＷにＳ１〜Ｓ９の各工程が施される。
吐出口ボディ３４の連通路６９に供給される。このとき、連通路６９に供給される薬液の温度Ｔｃ（図１５参照）は、たとえば約８２℃であり、この温度の薬液が吐出口３１から吐出される。
薬液供給工程（Ｓ４）を除いて、ノズル２２は、退避位置Ｐ２に配置されている。ノズル２２が退避位置Ｐ２に配置されている状態では、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが温度調整ユニット８０によって加熱されている。
図１５は、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａを、温度調整ユニット８０が加熱している状態を示す模式的な図である。
吐出口ボディ３４は、耐熱性を有する樹脂材料を用いて形成されている。このような樹脂材料として、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）やＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）を例示できる。ＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥおよびＰＦＡは、それぞれ熱容量の大きな材料である。そのため、熱伝導率が悪い。また、吐出口ボディ３４は肉厚に設けられており、かつ、その肉厚が大きい。この実施形態では、吐出口ボディ３４の厚み（すなわち、外壁面３４Ａと内壁面３４Ｂとの間の距離）が、約１０ミリメートル程度と、大きく設けられている。
この状態では、制御装置３は、温度調整ユニット８０を制御して、温度調整ユニット８０の制御温度（すなわち温度調整器７７の表面温度）を高温度（たとえば約１２０℃）に維持している。この状態では、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが温められ、この外壁面３４Ａの温度Ｔ１が低温度ＴＡ（たとえば約５０℃）に達している。この低温度ＴＡは、温度調整ユニット８０からの加熱状態において、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａがその周囲の雰囲気と熱平衡状態に保たれるような温度である。一方、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２は、内壁面３４Ｂの熱平衡温度である熱平衡温度ＴＢ（たとえば約８０℃）に維持されている。内壁面３４Ｂの熱平衡温度とは、複数回の高温薬液工程（図１３のＳ４）を繰り返し連続的に実行させた場合に収束する、薬液の非流通状態における内壁面３４Ｂの温度である。内壁面３４Ｂの熱平衡温度ＴＢは、予め行われる実験等によって求められる。
すなわち、図１５に示す状態は、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに保たれかつ吐出口ボディ３４の外壁面が低温度ＴＡに保たれる状態である。このような状態では、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａにおいて、吐出口ボディ３４に対する熱の出入りを防止することができる。ゆえに、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂを熱平衡状態に維持し続けることが可能である。このような状態は、温度調整ユニット８０による加熱開始時（熱平衡温度維持工程の開始時）時に行われる熱平衡温度調整工程によって実現される。
図１６は、熱平衡温度調整工程の内容を示すフローチャートである。図１７は、熱平衡温度調整工程における、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂおよび外壁面３４Ａの温度変化を示すグラフである。
熱平衡温度調整工程において、制御装置３は、温度調整ユニット８０を制御して、温度調整ユニット８０の制御温度を極めて高温に昇温させる。これにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが加熱される（図１６のＳ１１：第１の加熱工程）。このような外壁面３４Ａの加熱により、図１７に実線で示すように、外壁面３４Ａの温度Ｔ１が上昇し、高温（たとえば約１６０℃）に達する。また、熱伝導により、図１７に破線で示すように、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２が、外壁面３４Ａの温度上昇に伴って温度上昇する。外壁面３４Ａの温度Ｔ１は、熱平衡温度ＴＢよりも高い所定の高温度（たとえば約１２０℃）まで上昇させられる。
加熱開始から所定の期間が経過すると、制御装置３は、温度調整ユニット８０を制御して、温度調整ユニット８０の制御温度を極めて低温に降温させる。これにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが急激に冷却される（図１６のＳ１２：冷却工程）。このような外壁面３４Ａの冷却により、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａの温度Ｔ１が、目標とする低温度ＴＡよりも低い温度（たとえば約４０℃）まで急激に降下する。
一方、吐出口ボディ３４の冷却を開始した後も、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２は上昇する。これは、吐出口ボディ３４を形成している樹脂材料の熱容量が比較的大きいことと、内壁面３４Ｂと外壁面３４Ａとの間に距離があることから、外壁面３４Ａから内壁面３４Ｂに熱が伝わり難いことに起因している。しかし、時間の経過に伴って、内壁面３４Ｂの温度上昇は緩やかになり、その後、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２は下降に向かう。
冷却開始から所定の期間が経過すると、制御装置３は、温度調整ユニット８０を制御して、温度調整ユニット８０の制御温度を高温度（たとえば約１２０℃）に昇温させる。これにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが加熱される（図１６のＳ１３：第２の加熱工程）。このような外壁面３４Ａの加熱により、図１７に実線で示すように、外壁面３４Ａの温度Ｔ１が上昇し、外壁面３４Ａの温度Ｔ１が低温度ＴＡに達する。低温度ＴＡに達した後、外壁面３４Ａの温度Ｔ１は低温度ＴＡに保たれる。一方、降下していた内壁面３４Ｂの温度Ｔ２が、目標とする熱平衡温度ＴＢに達する。熱平衡温度ＴＢに達した後、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２は熱平衡温度ＴＢに保たれる。これにより、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに保たれかつ吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが低温度ＴＡに保たれる状態を、比較的簡単な手法で実現することができる。その後、制御装置３は、温度調整ユニット８０の制御温度を高温度（約１２０℃）に維持し続ける。
図１８は、図１３に示す高温薬液工程（Ｓ４）を連続的に実行する場合の、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂの温度Ｔ２の変化を示すグラフである。
前述のように、この実施形態では、基板処理装置１（つまり処理液供給システム）の起動後直ちに、温度調整ユニット８０による加熱が開始される。そのため、基板処理装置１が起動しているが待機しているＩＤＬＥ状態（待機状態。ノズルが使用されていない状態）において、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２が熱平衡温度ＴＢに保たれている。
基板処理装置１に基板Ｗが搬入されると、各基板Ｗに対して高温薬液工程（図１３のＳ４）が繰り返し連続的に実行される。この高温薬液工程（Ｓ４）では、第２の循環流路６７（図６等参照）において所定の温度Ｔｃに温度調整された薬液が、吐出口ボディ３４の連通路６９（図１５参照）に供給される。このとき、図１５に示すように、連通路６９に供給される薬液の温度Ｔｃは、たとえば約８２℃であり、この温度の薬液が吐出口３１から吐出される。連通路６９の管壁である内壁面３４Ｂの温度Ｔ２は、連通路６９を流れる薬液に接液することにより、温度Ｔｃと略同じ温度まで昇温させられる。
したがって、ＩＤＬＥ状態から復帰後の最初の１枚目の基板Ｗに対する高温薬液工程（図１３のＳ４）から、高温に精度良く調整された薬液を吐出口３１から吐出することができる。そして、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂに温度変化がないので、その次の基板Ｗに対する高温薬液工程（図１３のＳ４）においても、同じ温度の薬液を吐出口３１から吐出することができる。すなわち、吐出口３１から吐出される薬液の温度を、複数の高温薬液工程（図１３のＳ４）間に亘って均一に保つことができる。これにより、基板Ｗ間の高温処理のばらつきを抑制または防止できる。
これに対し、使用されていない状態のノズルが加熱されていない場合を、図１８に破線で示す。この場合、ＩＤＬＥ状態から復帰時には、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２は常温である。このとき、温度Ｔｃの薬液が連通路６９に供給されても、内壁面３４Ｂと熱交換して薬液の温度が低下する。そのため、ＩＤＬＥ状態から復帰後の最初の数枚の基板Ｗの温度は低い。その後に、高温薬液工程（図１３のＳ４）が繰り返し連続的に実行されることにより、内壁面３４Ｂが温度上昇し、やがて、薬液が供給されていない状態において、熱平衡温度ＴＢに維持されるようになる。
また、基板処理装置１の処理ユニット２において、基板Ｗ（ロット単位）の種類に応じて、使用される薬液の温度が異なることがある。このような場合には、その前のロットの基板Ｗに対する基板処理が終了した後、温度調整ユニット８０による吐出口ボディ３４の加熱温度が変更される。
具体的には、ロードポートＬＰに載置された基板収容器Ｃに含まれる基板Ｗのレシピにおける高温薬液の設定温度がそれまでの設定温度と異なる場合には、制御装置は、退避位置Ｐ２に配置されている吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂの温度Ｔ２が新たな高温薬液に対応する熱平衡温度になり、かつ当該吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａの温度Ｔ１が、新たな熱平衡温度よりも低温でかつ外壁面３４Ａがその周囲の雰囲気と熱平衡状態に保たれるような低温度になるように、温度調整ユニット８０を制御される。そして、それ以降に実行される高温薬液処理工程（図１３のＳ４）において、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２が新たな高温薬液に対応する熱平衡温度に維持され続ける。これにより、吐出すべき薬液の設定温度が途中で変わった場合でもあっても、それ以降の高温処理における基板Ｗ間のばらつきを抑制または防止できる。
以上によりこの実施形態によれば、温度調整ユニット８０（温度変化ユニット）によって吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａを加熱または冷却して、吐出口ボディ３４を温度変化させることにより、連通路６９に高温の薬液が供給されていない状態において、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに維持される。
熱平衡温度ＴＢには、高温薬液工程（Ｓ４。基板処理工程）を繰り返し連続的に実行させた場合に収束する吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂの温度である。連通路６９に高温の薬液が供給されていない状態において、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂを熱平衡温度ＴＢに維持することにより、その次に実行される高温薬液工程（Ｓ４）において、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに維持される。それだけでなく、それ以降に繰り返し実行される高温薬液工程（Ｓ４）においても、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに維持される。すなわち、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂに温度変化がない。
連通路６９に供給された高温の薬液は、熱平衡温度ＴＢに維持された吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂと接触した後に、吐出口３１から吐出される。吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂに温度変化がないので、吐出口３１から吐出される薬液の温度を、複数の高温薬液工程（Ｓ４）間に亘って均一に保つことができる。これにより、基板Ｗ間の高温処理のばらつきを抑制または防止できる。
また、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが、常温よりも高くかつ熱平衡温度ＴＢよりも低い低温度ＴＡに保たれる。低温度ＴＡは、温度調整ユニット８０からの加熱状態において、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａがその周囲の雰囲気と熱平衡状態に保たれるような温度である。これにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａにおいて、吐出口ボディ３４に対する熱の出入りを防止することができる。ゆえに、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂを熱平衡状態に維持し続けることが可能である。
また、温度調整ユニット８０によって吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａを加熱することにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａの温度を熱平衡温度ＴＢよりも高温に昇温させる。次いで、温度変化ユニットによって吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａを冷却することにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａの温度を降下させる。次いで、温度調整ユニット８０によって吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａを加熱することにより、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに保たれ、かつ吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａの温度が低温度ＴＡに保たれる。このように、比較的簡単な手法で、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに保たれ、かつ吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが低温度ＴＡに保たれる状態を実現することができる。
また、退避位置Ｐ２に配置されているノズル２２の吐出口ボディ３４が、温度変化ユニットによって加熱または冷却される。処理位置Ｐ１と退避位置Ｐ２との間で移動可能なスキャン式のノズル２２では、基板Ｗへの薬液非供給の期間のうち長い期間において、ノズル２２が退避位置Ｐ２に配置されている。基板Ｗへの薬液非供給の期間を有効に活用して吐出口ボディ３４を温めておくことができる。
吐出口ボディ３４がＰＣＴＦＥやＰＴＦＥ、ＰＦＡを用いて形成されている。ＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥおよびＰＦＡは、それぞれ熱容量の大きな材料である。そのため、熱伝導率が悪い。吐出口ボディ３４がこのような材料を用いて形成されているために、吐出口ボディ３４が温度変化し難いという問題がある。そのため、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂがたとえば常温にある場合において、複数の薬液処理工程（図１３のＳ４）を繰り返し行った場合、高温薬液工程（Ｓ４）ごとに、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂの温度がばらつき、これにより、吐出口３１から吐出される薬液の温度がばらつくという問題がある。その結果、基板Ｗ間の高温処理のばらつきが顕在化するおそれがある。
これに対し、実施形態では、連通路６９に高温の薬液が供給されていない状態において、吐出口ボディ３４の内壁面３４Ｂが熱平衡温度ＴＢに維持される。これにより、吐出口３１から吐出される薬液の温度を、複数の高温薬液工程（図１３のＳ４）間に亘って均一に保つことができる。ゆえに、吐出口ボディ３４が熱容量の大きな材料によって形成されている場合であっても、基板Ｗ間の処理のばらつきを効果的に抑制または防止できる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
また、前述の実施形態では、温度調整ユニット８０の熱源８３として、ペルチェ素子を用いるとして説明したが、熱源を、加熱源（ヒータ）と、冷却源（クーラー）とに分けて設けるようにしてもよい。
また、前述の処理例では、プリディスペンスを行っていないが、高温薬液工程（図１３のＳ４）に先立ってプリディスペンスを行うようにしてもよい。この場合、平衡温度維持工程（温度調整ユニット８０による加熱）と、基板処理工程（高温薬液工程（Ｓ４））との間にプリディスペンスが行われるようになる。この場合、プリディスペンスのために吐出口３１から吐出された薬液は、退避ポット２７に受け止められる。ディスペンスを行う場合であっても、廃棄する薬液の量が少量で済むから、薬液の消費量は少量で済み、かつプリディスペンスに要する時間も短時間で済む。
また、温度調整ユニット８０を複数設け、複数のノズル２２に対して個々に対応付けられていてもよい。この場合、各ノズル２２が、対応する温度調整ユニット８０によって個別に温度調整されるようになっていてもよい。
前述の実施形態では、温度調整ユニット８０の熱源８３として、ペルチェ素子を用いるとして説明したが、熱源を、加熱源（ヒータ）と、冷却源（クーラー）とに分けて設けるようにしてもよい。
また、高温の処理液として、高温の薬液を例に挙げたが、高温の処理液が、高温の水であってもよい。この場合、水は、たとえば、純水（脱イオン水：Deionized water）であるが、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
また、前述の実施形態では、ノズル２２が複数設けられる場合について説明したが、ノズル２２が退避位置Ｐ２において、温度調整ユニット８０によって加熱（温度変更）されるのであれば、温度変更対象のノズル２２は複数でなく１つであってもよい。
また、温度調整ユニット８０からの吐出口ボディ３４の加熱状態において、内壁面３４Ｂの温度Ｔ２が熱平衡温度ＴＢに保たれていれば、吐出口ボディ３４の外壁面３４Ａが、必ずしも、熱平衡温度ＴＢよりも低温に保たれていなくてもよい。
また、温度調整ユニット８０によってノズル２２を加熱（温度変更）する場合について説明したが、温度変更の対象は、ノズル２２でなく、処理液流通路の一部を構成する処理液流通部材であってもよい。しかしながら、温度変更の対象は、循環流路（第２の循環流路６７）の下流側の部分に限られる。
また、前述の実施形態では、基板処理装置１が円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
１ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット
３ ：制御装置
１０ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
２２ ：ノズル
２２Ａ ：第１のノズル
２２Ｂ ：第２のノズル
２２Ｃ ：第３のノズル
２２Ｄ ：第４のノズル
２７ ：退避ポット（包囲部材）
３１ ：吐出口
３１Ａ ：第１の吐出口
３１Ｂ ：第２の吐出口
３１Ｃ ：第３の吐出口
３１Ｄ ：第４の吐出口
３４ ：吐出口ボディ
３４Ａ ：外壁面
３４Ｂ ：内壁面
６７ ：第２の循環流路（処理液供給ユニット）
６９ ：連通路
６９Ｂ ：分岐路
７２ｂ ：側壁
８０ ：温度調整ユニット（温度変化ユニット）
Ｐ１ ：処理位置
Ｐ２ ：退避位置
ＴＡ ：低温度（所定温度）
ＴＢ ：熱平衡温度
Ｗ ：基板

Claims (17)

  1. 基板を保持する基板保持ユニットと、
    内壁面および外壁面を有する処理液流通部材であって、前記内壁面によって、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を吐出する吐出口に連通する処理液流通路の少なくとも一部を区画する処理液流通部材と、
    常温よりも高い所定の第１の高温の処理液を前記処理液流通路に供給する処理液供給ユニットと、
    前記処理液流通部材の前記外壁面に対して外側から加熱または冷却して、前記処理液流通部材を温度変化させるための温度変化ユニットと、
    前記処理液供給ユニットを制御して、前記処理液流通路に前記第１の高温の処理液を供給して、前記吐出口から前記第１の高温の処理液を吐出することにより、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理を施す基板処理工程と、前記処理液流通路に前記処理液供給ユニットから処理液が供給されていない状態において、前記温度変化ユニットを制御して、前記処理液流通部材の前記内壁面を、常温よりも高くかつ前記第１の高温よりも低い所定の熱平衡温度に維持する平衡温度維持工程とを実行する制御装置とを含む、基板処理装置。
  2. 基板を保持する基板保持ユニットと、
    内壁面および外壁面を有する処理液流通部材であって、前記内壁面によって、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を吐出する吐出口に連通する処理液流通路の少なくとも一部を区画する処理液流通部材と、
    常温よりも高い高温の処理液を前記処理液流通路に供給する処理液供給ユニットと、
    前記処理液流通部材の前記外壁面に対して外側から加熱または冷却して、前記処理液流通部材を温度変化させるための温度変化ユニットと、
    前記処理液供給ユニットを制御して、前記処理液流通路に前記高温の処理液を供給して、前記吐出口から前記高温の処理液を吐出することにより、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理を施す基板処理工程と、前記処理液流通路に前記処理液供給ユニットから処理液が供給されていない状態において、前記温度変化ユニットを制御して、前記処理液流通部材の前記内壁面を熱平衡温度に維持する平衡温度維持工程とを実行する制御装置とを含み、
    前記制御装置は、前記平衡温度維持工程において、前記内壁面を前記熱平衡温度に保ち、かつ前記外壁面を常温よりも高くかつ前記熱平衡温度よりも低い所定温度に保つ工程を実行する、基板処理装置。
  3. 前記制御装置は、前記平衡温度維持工程の開始時において、
    前記外壁面の温度を前記熱平衡温度よりも高温に昇温させるべく、当該外壁面を加熱する第１の加熱工程と、
    前記第１の加熱工程に次いで、前記外壁面の温度を処理液の温度よりも低温に降下させるべく当該外壁面を冷却する冷却工程と、
    前記冷却工程に次いで、前記内壁面が前記熱平衡温度に保たれるようにかつ前記外壁面の温度が前記所定温度に保たれるように、当該外壁面を加熱する第２の加熱工程とを実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御装置は、前記平衡温度維持工程の次に実行される前記基板処理工程において用いられる処理液の温度に応じて当該平衡温度維持工程において設定される前記熱平衡温度を調整し、
    前記制御装置は、設定されている前記熱平衡温度に基づいて前記平衡温度維持工程を実行する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記処理液流通部材は、前記吐出口を有するノズルを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記ノズルは、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を吐出するための処理位置と、前記基板保持ユニットから退避した退避位置との間で移動可能に設けられており、
    前記温度変化ユニットは、前記ノズルが前記退避位置に配置されている状態で、当該ノズルを温度変化させる、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記退避位置に配置された前記ノズルを包囲する包囲部材を含み、
    前記温度変化ユニットは前記包囲部材の側壁に配置されている、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記ノズルは複数設けられており、
    前記包囲部材は、それぞれ前記退避位置に配置されている複数の前記ノズルを一括して
    包囲可能に設けられており、
    前記温度変化ユニットは複数設けられており、前記温度変化ユニットは前記ノズルに対応して設けられており、
    各温度変化ユニットは、対応する前記ノズルの温度を個別に温度変化させる、請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記ノズルは、前記吐出口に連通する連通路と、前記連通路を区画するボディとを含み、前記処理液流通部材は前記ボディを含み、
    前記処理液流通部材の外壁面は、前記ボディの外壁面を含む、請求項５〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 前記連通路は複数の分岐路を含み、各分岐路は前記吐出口を有しており、
    前記ボディは、前記複数の分岐路を収容する吐出口ボディを含む、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記ボディは、樹脂材料を用いて形成されている、請求項９または１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記樹脂材料は、ＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥおよびＰＦＡの少なくとも一つを含む、請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記温度変化ユニットは、ペルチェ素子を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14. 処理液流通部材の処理液流通路に常温よりも高い所定の第１の高温の処理液を供給し、前記処理液流通路に連通する吐出口から前記第１の高温の処理液を吐出することにより、基板保持ユニットに保持されている基板に処理を施す基板処理工程と、
    前記基板処理工程が行われていない状態において、前記処理液流通部材の外壁面に対して外側から加熱または冷却して、前記処理液流通部材を温度変化させることにより、前記処理液流通部材の内壁面を、常温よりも高くかつ前記第１の高温よりも低い所定の熱平衡温度に維持する平衡温度維持工程とを含む、基板処理方法。
  15. 処理液流通部材の処理液流通路に常温よりも高い高温の処理液を供給し、前記処理液流通路に連通する吐出口から前記高温の処理液を吐出することにより、基板保持ユニットに保持されている基板に処理を施す基板処理工程と、
    前記基板処理工程が行われていない状態において、前記処理液流通部材の外壁面に対して外側から加熱または冷却して、前記処理液流通部材を温度変化させることにより、前記処理液流通部材の内壁面を熱平衡温度に維持する平衡温度維持工程とを含み、
    前記平衡温度維持工程は、前記内壁面を前記熱平衡温度に保ち、かつ前記外壁面を、常温よりも高くかつ前記熱平衡温度よりも低い所定温度に保つ工程を含む、基板処理方法。
  16. 前記平衡温度維持工程は、
    前記外壁面の温度を前記熱平衡温度よりも高温に昇温させるべく、当該外壁面を加熱する第１の加熱工程と、
    前記第１の加熱工程に次いで、前記外壁面の温度を処理液の温度よりも低温に降下させるべく当該外壁面を冷却する冷却工程と、
    前記冷却工程に次いで、前記処理液流通部材の前記内壁面が前記熱平衡温度に保たれるようにかつ前記外壁面の温度が前記所定温度に保たれるように、当該外壁面を加熱する第２の加熱工程とを含む、請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 前記平衡温度維持工程は、当該平衡温度維持工程の後に実行される前記基板処理工程において用いられる処理液の温度に応じて当該平衡温度維持工程における前記熱平衡温度を調整する、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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