JP6836591B2 - 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 - Google Patents
撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6836591B2 JP6836591B2 JP2018528542A JP2018528542A JP6836591B2 JP 6836591 B2 JP6836591 B2 JP 6836591B2 JP 2018528542 A JP2018528542 A JP 2018528542A JP 2018528542 A JP2018528542 A JP 2018528542A JP 6836591 B2 JP6836591 B2 JP 6836591B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- group
- parts
- layer
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 217
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 47
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 108
- -1 benzo [b] furanyl group Chemical group 0.000 claims description 100
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 75
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 9
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 3
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 152
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N thianaphthalene Natural products C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 90
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 78
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 77
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 49
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 42
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 34
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 31
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 27
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 27
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N dichloromethane Natural products ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 21
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 18
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 17
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 17
- ARFWVTIVDAIYOQ-UHFFFAOYSA-N S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)C=1SC3=C(C1)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC1=C(S3)C=CC=C1)C=CC=C2 Chemical compound S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)C=1SC3=C(C1)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC1=C(S3)C=CC=C1)C=CC=C2 ARFWVTIVDAIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 12
- 125000003277 amino group Chemical class 0.000 description 11
- NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,4-dien-1-yl(diphenyl)phosphane;dichloropalladium;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].Cl[Pd]Cl.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 10
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- WPULGDZMPLGCFJ-UHFFFAOYSA-N IC=1SC2=C(C1)C=CC=C2I Chemical compound IC=1SC2=C(C1)C=CC=C2I WPULGDZMPLGCFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=C(I)C=C1 UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 6
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 6
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 6
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- YFTHTJAPODJVSL-UHFFFAOYSA-N 2-(1-benzothiophen-5-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC=C(SC=C2)C2=C1 YFTHTJAPODJVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HAWAHHLSLAGNFB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)benzo[g][1]benzothiole Chemical compound BrC1=CC=C(C=C1)C1=CC2=C(S1)C1=CC=CC=C1C=C2 HAWAHHLSLAGNFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- UIGRYYQDBZKOHR-UHFFFAOYSA-N 2-(4-benzo[f][1]benzothiol-2-ylphenyl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)B1OC(C(O1)(C)C)(C)C)C=C1C=CC=CC1=C2 UIGRYYQDBZKOHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKLLCXQQBVCIPA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-1-benzofuran Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC2=CC=CC=C2O1 OKLLCXQQBVCIPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJDKRWVYXSAROY-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-1-benzothiophene Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC2=CC=CC=C2S1 IJDKRWVYXSAROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YRXOCMJMOANWPJ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1-benzothiophene Chemical compound BrC1=CC=C(C=C1)C1=CC2=C(S1)C=CC(=C2)C1=CC=CC=C1 YRXOCMJMOANWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRBLDBFVZATYNZ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)benzo[f][1]benzothiole Chemical compound BrC1=CC=C(C=C1)C1=CC2=C(S1)C=C1C=CC=CC1=C2 NRBLDBFVZATYNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVANYJWPPCDDHA-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(1-benzothiophen-5-yl)phenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound S1C2=C(C=C1)C=C(C=C2)C1=CC=C(C=C1)B1OC(C(O1)(C)C)(C)C TVANYJWPPCDDHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UTOWTOOIQBQHPE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-bromophenyl)dibenzothiophene Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 UTOWTOOIQBQHPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AIDFIDPFMZFHIU-UHFFFAOYSA-N 5-(4-bromophenyl)-1-benzothiophene Chemical compound BrC1=CC=C(C=C1)C1=CC2=C(SC=C2)C=C1 AIDFIDPFMZFHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BJHKTBMMYSYOLJ-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-1-benzothiophene Chemical compound C=1C=C2SC=CC2=CC=1C1=CC=CC=C1 BJHKTBMMYSYOLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWADBGSUEZEHGX-UHFFFAOYSA-N BrC1=CC=C(C=C1)C=1C=CC2=C(OC3=C2C=CC=C3)C=1 Chemical compound BrC1=CC=C(C=C1)C=1C=CC2=C(OC3=C2C=CC=C3)C=1 PWADBGSUEZEHGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- FIQJVCVZKCFMOI-UHFFFAOYSA-N 2-(4-benzo[g][1]benzothiol-2-ylphenyl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)B1OC(C(O1)(C)C)(C)C)C=CC1=CC=CC=C12 FIQJVCVZKCFMOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTTUGIHCJMGAQJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(1-benzofuran-2-yl)phenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3C=2)C=C1 PTTUGIHCJMGAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCIRUAUCNLOCSI-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(1-benzothiophen-2-yl)phenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC=C(C=2SC3=CC=CC=C3C=2)C=C1 UCIRUAUCNLOCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- FCUIOUZQKMKJFU-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-2-(5-phenyl-1-benzothiophen-2-yl)-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC2=C(SC(=C2)B2OC(C(O2)(C)C)(C)C)C=C1 FCUIOUZQKMKJFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYFCOLJZDOJAKX-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-2-[4-(5-phenyl-1-benzothiophen-2-yl)phenyl]-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC2=C(SC(=C2)C2=CC=C(C=C2)B2OC(C(O2)(C)C)(C)C)C=C1 ZYFCOLJZDOJAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDSIMGKJEYNNLF-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1-benzothiophene Chemical compound BrC1=CC=C2SC=CC2=C1 RDSIMGKJEYNNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRYRJNHMRVINIZ-UHFFFAOYSA-N B1CCOO1 Chemical compound B1CCOO1 FRYRJNHMRVINIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[2,3-g][1]benzothiole Chemical group C1=CC=C2C3=C(SC=C4)C4=CC=C3SC2=C1 RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NCWDBNBNYVVARF-UHFFFAOYSA-N 1,3,2-dioxaborolane Chemical compound B1OCCO1 NCWDBNBNYVVARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKRRNTJIHGOMRC-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(B(O)O)=CC2=C1 PKRRNTJIHGOMRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYJATPLJVSILLB-UHFFFAOYSA-N 1-nitro-2-(2-phenylethenyl)benzene Chemical class [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 RYJATPLJVSILLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIVDHILVKACFS-UHFFFAOYSA-N 2,7-bis[4-(1-benzothiophen-2-yl)phenyl]-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)C1=CC3=C(C=C1)C=1SC4=C(C=1S3)C=CC(=C4)C1=CC=C(C=C1)C1=CC3=C(S1)C=CC=C3)C=CC=C2 DZIVDHILVKACFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQIRBKKYMJKENC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-1,3-benzothiazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 FQIRBKKYMJKENC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBVHJNZMSBQFDK-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2O1 RBVHJNZMSBQFDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZFABGHLDGJASW-UHFFFAOYSA-N 3-bromodibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(Br)C=C3OC2=C1 AZFABGHLDGJASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDPBPKDNWCZVQR-UHFFFAOYSA-N 3-bromodibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(Br)C=C3SC2=C1 FDPBPKDNWCZVQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWRXDIMAXLSQMK-UHFFFAOYSA-N 3h-1,2,3-benzodithiazole Chemical group C1=CC=C2NSSC2=C1 RWRXDIMAXLSQMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALGIYXGLGIECNT-UHFFFAOYSA-N 3h-benzo[e]indole Chemical group C1=CC=C2C(C=CN3)=C3C=CC2=C1 ALGIYXGLGIECNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUHYCOWXUUMAEG-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C=1SC2=C(C1)C=CC=C2C2=CC=CC1=CC=CC=C21 Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C=1SC2=C(C1)C=CC=C2C2=CC=CC1=CC=CC=C21 PUHYCOWXUUMAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBHYXQCKSIWDDG-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=CC2=C(S1)C(=CC=C2)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC2=C(S1)C(=CC=C2)C1=CC=CC=C1 KBHYXQCKSIWDDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBTWXLRKVNLIMF-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=CC2=C(SC(=C2)C2=CC=C(C=C2)C=2SC3=C(C2)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC2=C(S3)C=CC(=C2)C2=CC=CC=C2)C=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC2=C(SC(=C2)C2=CC=C(C=C2)C=2SC3=C(C2)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC2=C(S3)C=CC(=C2)C2=CC=CC=C2)C=C1 HBTWXLRKVNLIMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUKCGVDKCRKIPB-UHFFFAOYSA-N C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC2=CC=CC=C2S1 Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC2=CC=CC=C2S1 BUKCGVDKCRKIPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGAYFGQDOVGNOS-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C(=CC12)C=1SC2=C(C1)C=CC=C2C=2C1=CC=CC=C1C=1C=CC=CC1C2 Chemical compound C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C(=CC12)C=1SC2=C(C1)C=CC=C2C=2C1=CC=CC=C1C=1C=CC=CC1C2 SGAYFGQDOVGNOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQRDRVMZPKMUNE-UHFFFAOYSA-N O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C2=CC=C(C=C2)C=2SC1=C(C2)C=CC=C1C1=CC=C(C=C1)C=1OC2=C(N1)C=CC=C2 Chemical compound O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C2=CC=C(C=C2)C=2SC1=C(C2)C=CC=C1C1=CC=C(C=C1)C=1OC2=C(N1)C=CC=C2 FQRDRVMZPKMUNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZXRDEIPMWVNMI-UHFFFAOYSA-N S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)C=1SC3=C(C1)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC1=C(S3)C3=CC=CC=C3C=C1)C=CC1=CC=CC=C12 Chemical compound S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)C=1SC3=C(C1)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC1=C(S3)C3=CC=CC=C3C=C1)C=CC1=CC=CC=C12 IZXRDEIPMWVNMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUDFRGGYFXKJLF-UHFFFAOYSA-N S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)C=1SC3=C(C1)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC1=C(S3)C=C3C=CC=CC3=C1)C=C1C=CC=CC1=C2 Chemical compound S1C2=C(C=C1C1=CC=C(C=C1)C=1SC3=C(C1)C=CC=C3C3=CC=C(C=C3)C3=CC1=C(S3)C=C3C=CC=CC3=C1)C=C1C=CC=CC1=C2 KUDFRGGYFXKJLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000002511 behenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003935 benzaldehydes Chemical class 0.000 description 1
- YNCYPMUJDDXIRH-UHFFFAOYSA-N benzo[b]thiophene-2-boronic acid Chemical compound C1=CC=C2SC(B(O)O)=CC2=C1 YNCYPMUJDDXIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N benzofuran Natural products C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical class OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- XZKRXPZXQLARHH-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=CC=CC1=CC=CC=C1 XZKRXPZXQLARHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 125000003901 ceryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000755 henicosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002818 heptacosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004926 indolenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002462 isocyano group Chemical group *[N+]#[C-] 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000005921 isopentoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 125000002463 lignoceryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical class [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006610 n-decyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000006609 n-nonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000002465 nonacosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Chemical class 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- QDLYEPXRLHYMJV-UHFFFAOYSA-N propan-2-yloxyboronic acid Chemical compound CC(C)OB(O)O QDLYEPXRLHYMJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical class C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical class N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000004322 quinolinols Chemical class 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000004587 thienothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CS2)* 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002469 tricosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
- 125000001834 xanthenyl group Chemical group C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D495/04—Ortho-condensed systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
即ち、本発明は、下記の通りである。
[1]下記式(1)
[2]式(1)の化合物が下記式(2)
[3]式(2)の化合物が下記式(3)
[4]R1及びR2が、硫黄原子又は酸素原子を含むヘテロ環縮合芳香族基を表す前項[1]及至[3]のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料、
[5]R1及びR2が、置換若しくは無置換のフラン縮合芳香族基、置換若しくは無置換のチオフェン縮合芳香族基、又は置換若しくは無置換のチアゾール縮合芳香族基を表す前項[4]に記載の撮像素子用光電変換素子用材料、
[6]R1及びR2が、置換若しくは無置換のベンゾ[b]フラン、置換若しくは無置換のベンゾ[b]チオフェン、又は置換若しくは無置換の2−ベンゾ[d]チアゾール基を表す前項[5]に記載の撮像素子用光電変換素子用材料、
[7]前項[1]及至[6]のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料を含んでなる撮像素子用光電変換素子、
[8]p型有機半導体材料とn型有機半導体材料を有する光電変換素子であって、p型有機半導体材料が前項[1]及至[6]のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料を含んでなる撮像素子用光電変換素子、
[9](A)第一の電極膜、(B)第二の電極膜及び該第一の電極膜と該第二の電極膜の間に配置された(C)光電変換部を有する光電変換素子であって、該(C)光電変換部が少なくとも(c−1)光電変換層及び(c−2)光電変換層以外の有機薄膜層を含んでなり、かつ該(c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が前項[1]乃至[6]のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料を含んでなる撮像素子用光電変換素子、
[10](c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が電子ブロック層である前項[9]に記載の撮像素子用光電変換素子、
[11](c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が正孔ブロック層である前項[9]に記載の撮像素子用光電変換素子、
[12](c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が電子輸送層である前項[9]に記載の撮像素子用光電変換素子、
[13](c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が正孔輸送層である前項[9]に記載の撮像素子用光電変換素子、
[14]更に、(D)正孔蓄積部を有する薄膜トランジスタ及び(E)該薄膜トランジスタ内に蓄積された電荷に応じた信号を読み取る信号読み取り部を有する前項[7]乃至[13]のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子、
[15](D)正孔蓄積部を有する薄膜トランジスタが、更に(d)正孔蓄積部と第一の電極膜及び第二の電極膜のいずれか一方とを電気的に接続する接続部を有する前項[14]に記載の撮像素子用光電変換素子、
[16]前項[7]及至[15]のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子を複数アレイ状に配置した撮像素子、及び
[17]前項[7]及至[15]のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子又は前項[16]に記載の撮像素子を含む光センサー。
式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基に制限はないが、例えばアルキル基、アルコキシ基、芳香族基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アルキル置換アミノ基、アリール置換アミノ基、非置換アミノ基(NH2基)、アシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、イソシアノ基等が挙げられる。
式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基としてのハロゲン原子の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基としてのアルキル置換アミノ基は、モノアルキル置換アミノ基及びジアルキル置換アミノ基の何れにも制限されず、これらアルキル置換アミノ基におけるアルキル基としては、式(1)のR1及びR2表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基としてのアルキル基と同じものが挙げられる。
式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基としてのアシル基としては、式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基の項に記載した芳香族炭化水素基又は式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基の項に記載したアルキル基が、カルボニル基(=CO基)と結合した置換基が挙げられる。
式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基としてのアルコキシカルボニル基としては、式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基としてのアルコキシ基がカルボニル基と結合した置換基が挙げられる。
式(1)のR1及びR2が表すヘテロ環縮合芳香族基が有する置換基としては、アルキル基、芳香族基、ハロゲン原子又はアルコキシル基であることが好ましく、ハロゲン原子又は無置換の芳香族炭化水素基であることがより好ましく、フェニル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。
即ち、式(2)で表される化合物としては、式(2)におけるR1及びR2の両者が、上記した式(1)における「好ましい態様」乃至「最も好ましい態様」のものが好ましい。
即ち、式(3)で表される化合物としては、式(3)におけるR1及びR2の両者が、上記した式(1)における好ましい乃至最も好ましい態様のものが好ましい。
(C)光電変換部は、(c−1)光電変換層と、電子輸送層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、結晶化防止層及び層間接触改良層等からなる群より選択される一種又は複数種の(c−2)光電変換層以外の有機薄膜層とからなることが多い。本発明の撮像素子用光電変換素子材料は(c−1)光電変換層及び(c−2)光電変換層以外の有機薄膜層のいずれにも用いることができるが、(c−2)光電変換層以外の有機薄膜層に用いることが好ましい。
(C)光電変換部を構成する(c−1)光電変換層には一般的に有機半導体膜が用いられるが、その有機半導体膜は一層、又は複数の層であってもよく、一層の場合は、p型有機半導体膜、n型有機半導体膜、又はそれらの混合膜(バルクヘテロ構造)が用いられる。一方、複数の層である場合は、一般的に2乃至10層程度であり、p型有機半導体膜、n型有機半導体膜、又はそれらの混合膜(バルクヘテロ構造)のいずれかを積層した構造であり、層間にバッファ層が挿入されていてもよい。
正孔輸送層は、発生した正孔を(c−1)光電変換層から(A)第一の電極膜又は(B)第二の電極膜へ輸送する役割と、正孔輸送先の電極膜から(c−1)光電変換層に電子が移動するのをブロックする役割とを果たす。
電子ブロック層は、(A)第一の電極膜又は(B)第二の電極膜から(c−1)光電変換層への電子の移動を妨げ、(c−1)光電変換層内での再結合を防ぎ、暗電流を低減する役割を果たす。
正孔ブロック層は、(A)第一の電極膜又は(B)第二の電極膜から(c−1)光電変換層への正孔の移動を妨げ、(c−1)光電変換層内での再結合を防ぎ、暗電流を低減する機能を有する。
正孔ブロック層は正孔阻止性物質を単独又は二種類以上積層する、又は混合することにより形成される。正孔阻止性物質としては、正孔が電極から素子外部に流出するのを阻止することができる化合物であれば限定されない。正孔ブロック層に使用することができる化合物としては、上記一般式(1)で表される化合物の他に、バソフェナントロリン及びバソキュプロイン等のフェナントロリン誘導体、シロール誘導体、キノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、キノリン誘導体などが挙げられ、これらのうち、一種又は二種以上を用いることができる。
また、正孔ブロック層及び電子ブロック層は、(c−1)光電変換層の光吸収を妨げないために、光電変換層の吸収波長の透過率が高いことが好ましく、また薄膜で用いることが好ましい。
実施例中に記載のブロック層は正孔ブロック層及び電子ブロック層のいずれでもよい。光電変換素子の作製はグローブボックスと一体化した蒸着機で行い、作製した光電変換素子は窒素雰囲気のグローブボックス内で密閉式のボトル型計測チャンバー(株式会社エイエルエステクノロジー製)に光電変換素子を設置し、電流電圧の印加測定を行った。電流電圧の印加測定は、特に指定のない限り、半導体パラメータアナライザ4200−SCS(ケースレーインスツルメンツ社)を用いて行った。入射光の照射は、特に指定のない限り、PVL−3300(朝日分光社製)を用い、照射光波長550nm、照射光半値幅20nmにて行った。実施例中の明暗比は光照射を行った場合の電流値を暗所での電流値で割ったものを示す。
工程1(2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]フランの合成)
DMF(920部)に、一般に入手可能なベンゾ[b]フラン−2−イルボロン酸(14.8部)、パラ−ブロモヨードベンゼン(25.8部)、リン酸三カリウム(110部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(2.8部)を混合し、窒素雰囲気下、90℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(920部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をメタノールで洗浄し乾燥することにより、2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]フラン(6.6部、収率26%)を得た。
トルエン(240部)に、工程1で得られた2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]フラン(5.0部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(5.6部)、酢酸カリウム(3.5部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.5部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲル20部を加え、5分間撹拌した。その後、固形分をろ別し、溶媒を減圧除去することにより2−(4−(ベンゾ[b]フラン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(5.2部、収率88%)を得た。
DMF(200部)に、水(6.0部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(3.0部)、工程2で得られた2−(4−(ベンゾ[b]フラン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(5.0部)、リン酸三カリウム(20部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.4部)を混合し、窒素雰囲気下、90℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(200部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトンで洗浄し乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.1で表される化合物(2.0部、収率50%)を得た。
工程4(2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]チオフェンの合成)
DMF(300部)に、一般に入手可能なベンゾ[b]チオフェン−2−イルボロン酸(5.0部)、パラ―ブロモヨードベンゼン(7.9部)、リン酸三カリウム(34部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.84部)を混合し、窒素雰囲気下、90℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(300部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をメタノールで洗浄し乾燥することにより、2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]チオフェン(5.7部、収率70%)を得た。
トルエン(240部)に、工程例4で得られた2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]チオフェン(5.3部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(5.6部)、酢酸カリウム(3.5部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.5部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲル20部を加え、5分間撹拌した。その後、固形分をろ別し、溶媒を減圧除去することにより2−(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(4.5部、収率73%)を得た。
DMF(170部)に、水(5.0部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(2.6部)、工程5で得られた2−(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(4.5部)、リン酸三カリウム(18部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.35部)を混合し、窒素雰囲気下、90℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(170部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトンで洗浄し乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.5で表される化合物(1.6部、収率46%)を得た。
工程7(2−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボラン−2−イル)フェニル)ベンゾ[d]チアゾールの合成)
トルエン(240部)に、一般に入手可能な2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[d]チアゾール(5.3部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(5.6部)、酢酸カリウム(3.5部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.5部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲル20部を加え、5分間撹拌した。その後、固形分をろ別し、溶媒を減圧除去することにより2−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボラン−2−イル)フェニル)ベンゾ[d]チアゾール(4.9部、収率80%)を得た。
DMF(170部)に、水(5.0部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(2.6部)、工程7で得られた2−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボラン−2−イル)フェニル)ベンゾ[d]チアゾール(4.5部)、リン酸三カリウム(18部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.35部)を混合し、窒素雰囲気下、90℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(170部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトンで洗浄し乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.29で表される化合物(1.8部、収率52%)を得た。
工程9(2−(ベンゾ[b]チオフェン−5−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランの合成)
トルエン(200部)に、5−ブロモベンゾ[b]チオフェン(10.0部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(14.3部)、酢酸カリウム(9.2部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(1.1部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で2時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、固形分をろ別し、生成物を含むろ液を得た。次いで、ショートシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;トルエン)にて精製し、溶媒を減圧除去することにより、2−(ベンゾ[b]チオフェン−5−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(11.7部、収率96%)を得た。
DMF(230部)に、工程9で得られた2−(ベンゾ[b]チオフェン−5−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(11.5部)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(12.5部)、リン酸三カリウム(18.7部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.6部)を混合し、窒素雰囲気下、60℃で2時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水(200部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分を水、メタノールの順序で洗浄することで、5−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]チオフェン(12.0部、収率94%)を得た。
トルエン(200部)に、工程10で得られた5−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[b]チオフェン(12.0部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(14.5部)、酢酸カリウム(9.3部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(1.2部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、固形分をろ別し、生成物を含むろ液を得た。次いで、ショートシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;トルエン)にて精製し、溶媒を減圧除去した。得られた淡橙色固体をメタノールで洗浄することで、2−(4−(5−ベンゾ[b]チエニル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(7.4部、収率53%)を得た。
DMF(200部)に、水(10.0部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(3.7部)、工程11で得られた2−(4−(5−ベンゾ[b]チエニル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(6.3部)、リン酸三カリウム(6.4部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.5部)を混合し、窒素雰囲気下、80℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(150部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトン、DMFで洗浄し、乾燥した後、昇華精製を行うことにより、目的の化合物(2.0部、収率51%)を得た。
工程13(2−(4−ブロモフェニル)ナフト[1,2−b]チオフェンの合成)
DMF(190部)に、公知の方法により合成された2−(ナフト[1,2−b]チオフェン−2−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(6.0部)、パラ―ブロモヨードベンゼン(5.5部)、水(5.0部)、リン酸三カリウム(22.9部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.6部)を混合し、窒素雰囲気下、70℃で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(190部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をメタノールで洗浄し乾燥することにより、2−(4−ブロモフェニル)ナフト[1,2−b]チオフェン(3.0部、収率47%)を得た。
トルエン(110部)に、工程13で得られた2−(4−ブロモフェニル)ナフト[1,2−b]チオフェン(2.8部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(2.5部)、酢酸カリウム(1.6部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.22部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲル20部を加え、5分間撹拌した。その後、固形分をろ別し、溶媒を減圧除去することにより2−(4−(ナフト[1,2−b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.2部、収率69%)を得た。
DMF(100部)に、水(2.6部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(1.2部)、工程14で得られた2−(4−(ナフト[1,2−b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.0部)、リン酸三カリウム(8.1部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.2部)を混合し、窒素雰囲気下、80℃で5時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(100部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトンで洗浄し乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.69で表される化合物(0.4部、収率26%)を得た。
工程16(2−(4−ブロモフェニル)ナフト[2,3−b]チオフェンの合成)
2−(ナフト[1,2−b]チオフェン−2−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランの代わりに、公知の方法により合成された2−(ナフト[2,3−b]チオフェン−2−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランを使用したこと以外は工程13に準じて合成を行うことで、2−(4−ブロモフェニル)ナフト[2,3−b]チオフェン(3.5部、収率55%)を得た。
2−(4−ブロモフェニル)ナフト[1,2−b]チオフェンの代わりに、工程16で得られた2−(4−ブロモフェニル)ナフト[2,3−b]チオフェンを使用したこと以外は工程14に準じて合成を行うことで、2−(4−(ナフト[2,3−b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(3.7部、収率58%)を得た。
2−(4−(ナフト[1,2−b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランの代わりに、工程17で得られた2−(4−(ナフト[2,3−b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランを使用したこと以外は工程15に準じて合成を行うことで、上記具体例のNo.20で表される化合物(0.6部、収率39%)を得た。
工程19(2−(ベンソ[d]オキサゾール−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランの合成)
トルエン(500部)に、2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[d]オキサゾール(10部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(10.8部)、酢酸カリウム(6.9部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド ジクロロメタン付加物(1.0部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲル20部を加え、5分間撹拌した。その後、固形分をろ別し、溶媒を減圧除去することにより2−(ベンソ[d]オキサゾール−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(11.4部、収率99%)を得た。
DMF(430部)に、水(11部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(4.9部)、工程19で得られた2−(ベンソ[d]オキサゾール−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(8.0部)、リン酸三カリウム(34部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.8部)を混合し、窒素雰囲気下、80℃で5時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(430部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトンで洗浄し乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.30で表される化合物(3.6部、収率57%)を得た。
工程21(5−フェニルベンゾ[b]チオフェンの合成)
DMF(500部)に、5−ブロモベンゾ[b]チオフェン(20部)、フェニルボロン酸(13.7部)、リン酸三カリウム(113部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(3.0部)を混合し、窒素雰囲気下、70℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(500部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分を水とアセトンで洗浄し乾燥を行うことにより、5−フェニルベンゾ[b]チオフェン(13.3部、収率67%)を得た。
テトラヒドロフラン(300部)に、工程21で得られた5−フェニルベンゾ[b]チオフェン(12.6部)を混合した。0℃に冷却した混合液へノルマルブチルリチウムヘキサン溶液(2.6M、28部)を加え、窒素雰囲気下、1時間撹拌した。得られた混合液へイソプロポキシボロン酸ピナコール(16部)を加え、室温で12時間撹拌した。得られた反応液へ水(100部)を加え、溶媒を減圧留去することで生じた固形分をろ過分取した。得られた固形分を水で洗浄し乾燥を行うことにより、2−(5−フェニルベンゾ[b]チオフェン−2−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(11.4部、収率57%)を得た。
DMF(300部)に、水(8.0部)、工程22で得られた2−(5−フェニルベンゾ[b]チオフェン−2−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(10部)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(8.4部)、リン酸三カリウム(36部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.0部)を混合し、窒素雰囲気下、70℃で3時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水(300部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分を水、メタノールの順序で洗浄することで、2−(4−ブロモフェニル)−5−フェニルベンゾ[b]チオフェン(9.2部、収率85%)を得た。
トルエン(300部)に、工程23で得られた2−(4−ブロモフェニル)−5−フェニルベンゾ[b]チオフェン(8.5部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(6.9部)、酢酸カリウム(4.4部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド ジクロロメタン付加物(0.64部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、シリカゲル20部を加え、5分間撹拌した。その後、固形分をろ別し、溶媒を減圧除去することにより2−(4−(5−フェニルベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(5.2部、収率55%)を得た。
DMF(200部)に、水(5.0部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(1.8部)、工程24で得られた2−(4−(5−フェニルベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(4.5部)、リン酸三カリウム(15部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.4部)を混合し、窒素雰囲気下、80℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(200部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトンで洗浄し乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.83で表される化合物(1.5部、収率50%)を得た。
工程26(2−(3−ジベンゾ[b,d]フラン)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランの合成)
トルエン(100部)に、3−ブロモジベンゾ[b,d]フラン(5.0部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(6.2部)、酢酸カリウム(4.0部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.5部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で5時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、固形分をろ別し、生成物を含むろ液を得た。次いで、ショートシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;トルエン)にて精製し、溶媒を減圧除去することにより、2−(3−ジベンゾ[b,d]フラン)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(3.8部、収率64%)を得た。
DMF(60部)に、工程26で得られた2−(3−ジベンゾ[b,d]フラン)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(3.8部)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(3.7部)、リン酸三カリウム(5.5部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.4部)を混合し、窒素雰囲気下、60℃で2時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水(200部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分を水、メタノールの順序で洗浄することで、3−(4−ブロモフェニル)ジベンゾ[b,d]フラン(2.7部、収率64%)を得た。
トルエン(50部)に、工程27で得られた3−(4−ブロモフェニル)ジベンゾ[b,d]フラン(2.7部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(2.5部)、酢酸カリウム(1.6部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.2部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で8時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、固形分をろ別し、生成物を含むろ液を得た。次いで、ショートシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;トルエン)にて精製することで、2−(4−(3−ジベンゾ[b,d]フラン)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.8部、収率90%)を得た。
DMF(80部)に、水(8.0部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(1.5部)、工程28で得られた2−(4−(3−ジベンゾ[b,d]フラン)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.8部)、リン酸三カリウム(2.6部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.2部)を混合し、窒素雰囲気下、80℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(100部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトン、DMFで洗浄し、乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.72で表される化合物(0.9部、収率41%)を得た。
工程30(2−(3−ジベンゾ[b,d]チオフェン)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロランの合成)
トルエン(100部)に、3−ブロモジベンゾ[b,d]チオフェン(5.0部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(5.8部)、酢酸カリウム(3.7部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.4部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で4時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、固形分をろ別し、生成物を含むろ液を得た。次いで、ショートシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;トルエン)にて精製し、溶媒を減圧除去することにより、2−(3−ジベンゾ[b,d]チオフェン)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.3部、収率39%)を得た。
DMF(40部)に、工程30で得られた2−(3−ジベンゾ[b,d]チオフェン)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.3部)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(2.1部)、リン酸三カリウム(3.0部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.3部)を混合し、窒素雰囲気下、60℃で3時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水(60部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分を水、メタノールの順序で洗浄することで、3−(4−ブロモフェニル)ジベンゾ[b,d]チオフェン(2.5部、収率99%)を得た。
トルエン(50部)に、工程31で得られた3−(4−ブロモフェニル)ジベンゾ[b,d]チオフェン(2.5部)、ビス(ピナコラト)ジボロン(2.2部)、酢酸カリウム(1.4部)及び[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(0.2部)を混合し、窒素雰囲気下、還流温度で8時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、固形分をろ別し、生成物を含むろ液を得た。次いで、ショートシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液;トルエン)にて精製することで、2−(4−(3−ジベンゾ[b,d]チオフェン)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.0部、収率71%)を得た。
DMF(60部)に、水(8.0部)、特許第4945757号に記載の方法で合成した2,7−ジヨード[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(1.0部)、工程32で得られた2−(4−(3−ジベンゾ[b,d]チオフェン)フェニル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(2.0部)、リン酸三カリウム(1.8部)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.1部)を混合し、窒素雰囲気下、80℃で6時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、水(100部)を加え、固形分をろ過分取した。得られた固形分をアセトン、DMFで洗浄し、乾燥した後、昇華精製を行うことにより、上記具体例のNo.71で表される化合物(0.4部、収率26%)を得た。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック株式会社製、ITO膜厚150nm)に、2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)を、ブロック層として抵抗加熱真空蒸着により50nm成膜した。次に、前記のブロック層の上に、光電変換層としてキナクリドンを100nm真空成膜した。最後に、前記の光電変換層の上に、電極としてアルミニウムを100nm真空成膜し、本発明の撮像素子用光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として、5Vの電圧を印加したときの明暗比は6.7×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]フラン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例1で得られたNo.1で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は4.2×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(ベンゾ[d]チアゾール−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例3で得られたNo.29で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は2.5×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(5−ベンゾ[b]チエニル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例4で得られた化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は5.0×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(ナフト[1,2−b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例5で得られたNo.69で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は8.4×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(ナフト[2,3−b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例6で得られたNo.20で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は4.5×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(ベンゾ[d]オキサゾール−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例7で得られたNo.30で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は3.5×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(5−フェニルベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例8で得られたNo.83で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は1.0×106であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(3−ジベンゾ[b,d]フラン)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例9で得られたNo.72で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は1.2×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(4−(3−ジベンゾ[b,d]チオフェン)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例10で得られたNo.71で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は9.2×105であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)を使用しないこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は4.7であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ジフェニル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(下記式(11)で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は600であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は31であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(9−フェナントレニル)−[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(下記式(12)で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は690であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(1−ナフチル)−[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(下記式(13)で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は240であった。
2,7−ビス(4−(ベンゾ[b]チオフェン−2−イル)フェニル)[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(合成例2で得られたNo.5で表される化合物)の代わりに、2,7−ビス(9H−カルバゾール−9−イル)−[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(下記式(14)で表される化合物)を使用したこと以外は、実施例1に準じて評価を行ったところ、5Vの電圧を印加したときの明暗比は47であった。
2 上部電極
3 電子ブロック層又は正孔輸送層
4 光電変換部
5 正孔ブロック層又は電子輸送層
6 下部電極
7 絶縁基材又は他光電変換素子
Claims (15)
- 下記式(1)
(式(1)中、R1及びR2は独立して置換若しくは無置換のベンゾチエニル基、置換若しくは無置換のベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のベンゾチアゾール基を表す。)で表される化合物を含む撮像素子用光電変換素子用材料。 - 式(1)の化合物が下記式(2)
(式(2)中、R1及びR2は請求項1に記載の式(1)におけるR1及びR2と同じ意味を表す。)で表される化合物である請求項1に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。 - 式(2)の化合物が下記式(3)
(式(3)中、R1及びR2は請求項1に記載の式(1)におけるR1及びR2と同じ意味を表す。)で表される化合物である請求項2に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。 - R1及びR2が、置換若しくは無置換のベンゾ[b]フラニル基、置換若しくは無置換のベンゾ[b]チエニル基、又は置換若しくは無置換の2−ベンゾ[d]チアゾール基を表す請求項1乃至3のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料を含んでなる撮像素子用光電変換素子。
- p型有機半導体材料とn型有機半導体材料を有する光電変換素子であって、p型有機半導体材料が請求項1乃至4のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料を含んでなる撮像素子用光電変換素子。
- (A)第一の電極膜、(B)第二の電極膜及び該第一の電極膜と該第二の電極膜の間に配置された(C)光電変換部を有する光電変換素子であって、該(C)光電変換部が少なくとも(c−1)光電変換層及び(c−2)光電変換層以外の有機薄膜層を含んでなり、かつ該(c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が請求項1乃至4のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子用材料を含んでなる撮像素子用光電変換素子。
- (c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が電子ブロック層である請求項7に記載の撮像素子用光電変換素子。
- (c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が正孔ブロック層である請求項7に記載の撮像素子用光電変換素子。
- (c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が電子輸送層である請求項7に記載の撮像素子用光電変換素子。
- (c−2)光電変換層以外の有機薄膜層が正孔輸送層である請求項7に記載の撮像素子用光電変換素子。
- 更に、(D)正孔蓄積部を有する薄膜トランジスタ及び(E)該薄膜トランジスタ内に蓄積された電荷に応じた信号を読み取る信号読み取り部を有する請求項5乃至11のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子。
- (D)正孔蓄積部を有する薄膜トランジスタが、更に(d)正孔蓄積部と第一の電極膜及び第二の電極膜のいずれか一方とを電気的に接続する接続部を有する請求項12に記載の撮像素子用光電変換素子。
- 請求項5乃至13のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子を複数アレイ状に配置した撮像素子。
- 請求項5乃至13のいずれか一項に記載の撮像素子用光電変換素子又は請求項14に記載の撮像素子を含む光センサー。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141373 | 2016-07-19 | ||
JP2016141373 | 2016-07-19 | ||
JP2016166546 | 2016-08-29 | ||
JP2016166546 | 2016-08-29 | ||
JP2016237629 | 2016-12-07 | ||
JP2016237629 | 2016-12-07 | ||
JP2017102724 | 2017-05-24 | ||
JP2017102724 | 2017-05-24 | ||
PCT/JP2017/025882 WO2018016465A2 (ja) | 2016-07-19 | 2017-07-18 | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018016465A1 JPWO2018016465A1 (ja) | 2019-05-09 |
JP6836591B2 true JP6836591B2 (ja) | 2021-03-03 |
Family
ID=60992479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018528542A Active JP6836591B2 (ja) | 2016-07-19 | 2017-07-18 | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11374044B2 (ja) |
JP (1) | JP6836591B2 (ja) |
KR (1) | KR102389030B1 (ja) |
CN (1) | CN109791984B (ja) |
TW (1) | TWI734806B (ja) |
WO (1) | WO2018016465A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018170487A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-11-01 | 日本化薬株式会社 | 撮像素子用光電変換素子 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108389968B (zh) * | 2018-02-28 | 2021-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、其制备方法及显示器件 |
EP4290596A1 (en) | 2021-02-05 | 2023-12-13 | FUJIFILM Corporation | Photoelectric conversion element, imaging element, photosensor, and compound |
KR20230116682A (ko) | 2022-01-28 | 2023-08-04 | 에스에프씨 주식회사 | 중수소 치환된 보론 화합물의 신규한 제조방법 |
CN115073420A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-09-20 | 陕西维世诺新材料有限公司 | 一种2-苯基苯并噻吩衍生物的制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5022573B1 (ja) | 1970-07-13 | 1975-07-31 | ||
JPS4945146B1 (ja) | 1970-09-10 | 1974-12-02 | ||
JP5022573B2 (ja) | 2005-06-02 | 2012-09-12 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法 |
JP4945146B2 (ja) | 2006-02-27 | 2012-06-06 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
JP4581062B2 (ja) | 2006-10-20 | 2010-11-17 | 日本化薬株式会社 | 電界効果トランジスタ、半導体デバイス作製用インク、電界効果トランジスタの製造方法、および有機複素環化合物 |
KR101314998B1 (ko) | 2006-12-13 | 2013-10-04 | 삼성전자주식회사 | 헤테로아센 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 당해 박막을 포함하는 전자 소자 |
JP5187737B2 (ja) | 2007-03-09 | 2013-04-24 | 国立大学法人広島大学 | 電界効果トランジスタ、その製造方法及びそれに用いる化合物、並びに半導体デバイス作製用インク |
JP2008290963A (ja) | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | 芳香族化合物の製造方法 |
DE102007032739A1 (de) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Merck Patent Gmbh | Chinazolinamidderivate |
JP5252482B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-07-31 | 国立大学法人広島大学 | 発光素子 |
JP5460118B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2014-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子、及び撮像素子 |
WO2010098372A1 (ja) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 国立大学法人広島大学 | 電界効果トランジスタ |
CN101908597B (zh) * | 2009-06-03 | 2014-05-07 | 富士胶片株式会社 | 光电转换装置和成像装置 |
EP2679592B1 (en) * | 2011-02-25 | 2018-10-03 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Novel heterocyclic compound, method for producing intermediate therefor, and use thereof |
JP5673477B2 (ja) * | 2011-10-06 | 2015-02-18 | コニカミノルタ株式会社 | 光電変換素子 |
WO2015163349A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | 日本化薬株式会社 | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 |
-
2017
- 2017-07-18 KR KR1020197001047A patent/KR102389030B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-18 CN CN201780038284.5A patent/CN109791984B/zh active Active
- 2017-07-18 US US16/318,240 patent/US11374044B2/en active Active
- 2017-07-18 WO PCT/JP2017/025882 patent/WO2018016465A2/ja active Application Filing
- 2017-07-18 TW TW106123957A patent/TWI734806B/zh active
- 2017-07-18 JP JP2018528542A patent/JP6836591B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018170487A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-11-01 | 日本化薬株式会社 | 撮像素子用光電変換素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018016465A2 (ja) | 2018-01-25 |
TWI734806B (zh) | 2021-08-01 |
WO2018016465A3 (ja) | 2018-03-08 |
JPWO2018016465A1 (ja) | 2019-05-09 |
TW201831491A (zh) | 2018-09-01 |
CN109791984B (zh) | 2023-02-07 |
CN109791984A (zh) | 2019-05-21 |
US11374044B2 (en) | 2022-06-28 |
KR102389030B1 (ko) | 2022-04-20 |
KR20190028434A (ko) | 2019-03-18 |
US20190157321A1 (en) | 2019-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6803362B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子 | |
JP6986887B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子 | |
JP6836591B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
JP6739290B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
JP2018190755A (ja) | 撮像素子用光電変換素子 | |
JP6862277B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
JP6906357B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子 | |
JP6864561B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
JP6890469B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
JP6619806B2 (ja) | 縮合多環芳香族化合物 | |
JP2020010024A (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及び光電変換素子 | |
JP6784639B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
JP6906388B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子 | |
JP6759075B2 (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
WO2021117622A1 (ja) | 縮合多環芳香族化合物 | |
JP2018046267A (ja) | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 | |
JP7514258B2 (ja) | 縮合多環芳香族化合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20181005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180927 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6836591 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |