JP6835437B2 - 高周波加熱システム用平面インダクタ - Google Patents
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Description
或る実施形態によれば、RF加熱システムは、RF信号を生成するように構成されたRF信号源(402;802経由)と、RF信号源(402;802経由)からのRF信号を受信するように構成された電極(404;804,806経由)と、インピーダンス整合ネットワークと、を備える。インピーダンス整合ネットワークは、RF信号源(402;802経由)と電極(404;804,806経由)との間に設置された基板(824;924)と、基板(824;924)上に設置された第1平面インダクタ(412;812)と、を備えていてもよい。RF信号源(402;802経由)は、第1平面インダクタ(412;812)を通じて、電極(404;804,806経由)に電気的に連結されてもよい。
170 第1電極
210、220 加熱システム
300 加熱システム
340 RF信号源
350 電源およびバイアス回路
360 可変インピーダンス整合ネットワーク
370 電極
400 可変インピーダンス整合ネットワーク
402 入力ノード
404 出力ノード
410 第1可変インダクタンスネットワーク
411 第2可変インダクタンスネットワーク
412−415 固定値インダクタ
420 ノード
422 中間ノード
500 可変インダクタンスネットワーク
501〜504 インダクタ
530 入力ノード
532 出力ノード
700 加熱システム
702 入力ノード
704、706 出力ノード
707 ノード
708 接地基準ノード
709 インダクタ
710、711 可変インダクタンスネットワーク
722 第2中間ノード
724 基板
740 RF信号源
752 共通基板
760 可変インピーダンス整合ネットワーク
770 第1電極
772 第2電極
800 固定インピーダンスネットワーク
802 入力ノード
804、806 出力ノード
807 ノード
808 接地基準ノード
812〜815 平面インダクタ
820 ノード
822 交差領域
824 基板
826 結合ワイヤ
829、830、832、834、836、838、840 ビア
904、906、908、910 導電層
924 基板
929 ビア
Claims (18)
- 高周波信号を生成するように構成された高周波信号源と、
第1平面インダクタを備えるインピーダンス整合ネットワークと、
前記インピーダンス整合ネットワークの前記第1平面インダクタを通じて前記高周波信号源に電気的に連結される第1電極と、
第2電極と
を備える、システムであって、
前記インピーダンス整合ネットワークはさらに基板を備え、
前記基板は第1面を有するとともに、前記第1面とは反対側に第2面を有し、
前記第1平面インダクタは、
前記基板の前記第1面上に形成された第1導電層と、
前記基板の前記第2面上に形成された第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間において前記基板の内部に配置された複数の内部導電層と
を備える、システム。 - 前記インピーダンス整合ネットワークはさらに第2平面インダクタを備え、
前記システムはさらに接地基準端子を備え、
前記第1電極は、前記インピーダンス整合ネットワークの前記第2平面インダクタを通じて、前記接地基準端子に電気的に連結される、
請求項1に記載のシステム。 - 前記インピーダンス整合ネットワークはさらに第3平面インダクタを備え、
前記第1電極は、前記第1平面インダクタおよび前記第3平面インダクタを通じて、前記高周波信号源に電気的に連結される、
請求項2に記載のシステム。 - 前記インピーダンス整合ネットワークはさらに第4平面インダクタを備え、
前記システムはさらに可変インダクタンスネットワークを備え、
前記第1電極は、前記第3平面インダクタ、前記第4平面インダクタ、および前記可変インダクタンスネットワークを通じて、前記接地基準端子に電気的に連結される、
請求項3に記載のシステム。 - 前記接地基準端子は前記第2電極に連結され、
前記第2電極は、前記第1電極、前記第1平面インダクタ、および前記第2平面インダクタによって生成される高周波信号を、抑制するように構成される、
請求項2に記載のシステム。 - 前記第1平面インダクタはさらに、前記基板を通って延びるビアを備え、
前記ビアが備える導電性側壁は、前記第1導電層、前記第2導電層、および前記複数の内部導電層に電気的に連結される、
請求項1に記載のシステム。 - 前記第1平面インダクタはさらに交差領域を備え、
前記交差領域は、前記第1導電層および前記第2導電層を備えるとともに、前記複数の内部導電層を除外する、
請求項6に記載のシステム。 - 前記基板は、前記高周波信号源と前記第1電極との間の空気空洞の中に設置される、
請求項1に記載のシステム。 - 高周波信号を生成するように構成された高周波信号源と、
前記高周波信号源からの高周波信号を受信するように構成された電極と、
インピーダンス整合ネットワークと
を備える高周波加熱システムであって、
前記インピーダンス整合ネットワークは、
前記高周波信号源と前記電極との間に設置された基板と、
前記基板上に設置された第1平面インダクタと、
を備え、
前記高周波信号源は、前記第1平面インダクタを通じて、前記電極に電気的に連結され、
前記基板は第1面を有するとともに、前記第1面とは反対側に第2面を有し、
前記第1平面インダクタは、
前記基板の前記第1面上に設置された第1導電層と、
前記基板の前記第2面上に設置された第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間において前記基板の内部に配置された複数の内部導電層と
を備える、高周波加熱システム。 - 前記インピーダンス整合ネットワークはさらに第2平面インダクタを備え、
前記高周波加熱システムはさらに接地基準端子を備え、
前記電極は、前記インピーダンス整合ネットワークの前記第2平面インダクタを通じて、前記接地基準端子に電気的に連結される、
請求項9に記載の高周波加熱システム。 - 前記インピーダンス整合ネットワークはさらに第3平面インダクタを備え、
前記電極は、前記第1平面インダクタおよび前記第3平面インダクタを通じて、前記高周波信号源に電気的に連結される、
請求項10に記載の高周波加熱システム。 - 前記インピーダンス整合ネットワークはさらに第4平面インダクタを備え、
前記高周波加熱システムはさらに可変インダクタンスネットワークを備え、
前記電極は、前記第3平面インダクタ、前記第4平面インダクタ、および前記可変インダクタンスネットワークを通じて、前記接地基準端子に電気的に連結される、
請求項11に記載の高周波加熱システム。 - 前記第1平面インダクタはさらに導電ビアを備え、
前記導電ビアは、前記複数の内部導電層を通じて前記第1導電層を前記第2導電層に電気的に連結する、
請求項9に記載の高周波加熱システム。 - 前記第1平面インダクタはさらに交差領域を備え、
前記交差領域は前記第1導電層と前記第2導電層を備えるとともに、前記複数の内部導電層を除外する、
請求項13に記載の高周波加熱システム。 - 第1面を有するとともに前記第1面とは反対側に第2面を有する基板と、
前記基板上に設置された第1ノードと、
前記基板上に設置された第2ノードと、
前記基板上に設置された第3ノードと、
前記基板上に設置され、前記第1ノードに電気的に連結される第1平面インダクタと、
前記基板上に設置され、前記第2ノードに電気的に連結される第2平面インダクタと、
前記基板上に設置され、前記第3ノードに電気的に連結される第3平面インダクタと
を備えるインピーダンス整合ネットワークであって、
前記第1ノードは、前記第1平面インダクタと前記第3平面インダクタを通じて、前記第3ノードに電気的に連結され、
前記第2ノードは、前記第2平面インダクタと前記第3平面インダクタを通じて、前記第3ノードに電気的に連結され、
前記第1ノードは、前記第1平面インダクタおよび前記第2平面インダクタを通じて、前記第2ノードに電気的に連結され、
前記第1平面インダクタは、
前記基板の前記第1面上に設置された第1導電層と、
前記基板の前記第2面上に設置された第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間において前記基板の内部に配置された複数の内部導電層と
を備える、
インピーダンス整合ネットワーク。 - 前記第1ノードは、外部高周波信号源に電気的に連結されるように構成される入力ノードであり、
前記第2ノードは、外部可変インダクタンスネットワークを通じて、外部接地基準端子に電気的に連結するように構成され、
前記第3ノードは、外部電極に電気的に連結するように構成される出力ノードである、
請求項15記載のインピーダンス整合ネットワーク。 - 前記インピーダンス整合ネットワークはさらに、
前記基板上に設置された第4ノードと、
前記基板上に設置された第5ノードと、
前記基板上に設置され、前記第4ノードと前記第5ノードとの間に電気的に連結される第4平面インダクタと
を備える、請求項16に記載のインピーダンス整合ネットワーク。 - 前記第4ノードは、前記外部接地基準端子に電気的に連結するように構成される接地基準ノードであり、
前記第5ノードは、前記外部電極に電気的に接続するように構成される追加の出力ノードである、
請求項17に記載のインピーダンス整合ネットワーク。
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