JP6831248B2 - Wafer processing method and adhesive tape - Google Patents
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- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims description 49
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Laser Beam Processing (AREA)
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Description
本発明は、ウエーハにレーザー光線を照射して個々のチップに分割するウエーハの加工方法、及び粘着テープに関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer by irradiating the wafer with a laser beam to divide the wafer into individual chips, and an adhesive tape.
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイス（チップ）に分割され、携帯電話、パソコン、テレビ等の電気機器に利用される。 A wafer formed on the surface of a plurality of devices such as ICs and LSIs divided by a planned division line is divided into individual devices (chips) by a dicing device and a laser processing device, and is used for electrical devices such as mobile phones, personal computers, and televisions. Used for.
ダイシング装置は、チャックテーブルに保持されたウエーハの分割予定ラインに対して切削ブレードを位置付けて切込み、個々のチップに分割する構成であることから、切削ブレードの切込み深さを調整することで、ウエーハを支持する粘着テープを僅かに切削して残しウエーハを完全切断することができる（例えば、特許文献１を参照。）。 Since the dicing device has a configuration in which the cutting blade is positioned and cut with respect to the planned division line of the wafer held on the chuck table and divided into individual chips, the cutting depth of the cutting blade is adjusted to adjust the cutting depth of the wafer. The adhesive tape that supports the wafer can be slightly cut and left to completely cut the wafer (see, for example, Patent Document 1).
また、切削ブレードを用いずに、レーザー光線の集光点をウエーハの分割予定ラインに位置付けて照射してウエーハを相対移動させることでウエーハを個々のチップに分割する構成も知られており、切削ブレードを使用する場合に比して分割予定ラインを狭くすることができ、１枚のウエーハから取り出せるチップの数を増やして生産効率を向上させることを実現している（例えば、特許文献２を参照。）。 It is also known that the wafer is divided into individual chips by irradiating the focusing point of the laser beam at the planned division line of the wafer and moving the wafer relative to each other without using a cutting blade. The planned division line can be narrowed as compared with the case of using the above, and the number of chips that can be taken out from one wafer is increased to improve the production efficiency (see, for example, Patent Document 2). ).
しかし、特許文献２に記載されたレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割する構成では、レーザー光線がウエーハに照射されてウエーハが分割される際に溶融物（デブリ）が飛散してチップの側面に付着し、チップの抗折強度を低下させたり、チップをピックアップする際にデブリが落下して他のチップを汚染したりして、ワイヤーボンディング等の妨げになるという問題がある。 However, in the configuration described in Patent Document 2 in which the wafer is divided into individual chips by irradiating the laser beam, the melt (debris) scatters when the wafer is irradiated with the laser beam and the wafer is divided. There is a problem that it adheres to the side surface and lowers the bending strength of the chip, or debris falls when the chip is picked up and contaminates other chips, which hinders wire bonding and the like.
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー光線を照射してウエーハを加工する際に、レーザー光線の照射によって分割された個々のチップの側面にデブリが付着する等して品質を損ねるようなことを抑制するウエーハの加工方法、及び粘着テープを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is that when a wafer is processed by irradiating a wafer with a laser beam, debris adheres to the side surfaces of individual chips divided by the irradiation of the laser beam. It is an object of the present invention to provide a method for processing a wafer and an adhesive tape that suppress the deterioration of quality.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって、レーザー光線の照射によってガスを発生する粘着テープにウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、チャックテーブルに粘着テープ側を保持しウエーハを露出させる保持工程と、該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動しながらウエーハを分割する分割工程と、該分割工程の際、粘着テープに到達したレーザー光線の照射によって、個々に分割されたチップの側面をエッチするエッチングガスを発生させ、該エッチングガスによって分割されたチップの側面にエッチング加工を施して該チップの側面にデブリが付着するのを防止する品質加工工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a method of processing a wafer by irradiating a wafer with a laser beam having a wavelength that is absorbent to the wafer to divide the wafer into individual chips, and by irradiating the wafer with a laser beam. The adhesive tape attaching step of attaching the wafer to the adhesive tape that generates gas, the holding step of holding the adhesive tape side on the chuck table to expose the wafer, and the wafer while relatively moving the chuck table and the laser beam. And during the dividing step, the side surface of the chip divided by the etching gas is generated by generating an etching gas that etches the side surface of the individually divided chip by irradiating the adhesive tape with a laser beam. provide Reinforced etching is debris on the sides of the chip processing method of at least constituted wafer from a quality processing step for preventing the adhesion is provided.
該粘着テープは、糊層とシートとから構成され、レーザー光線の照射によってエッチングガスが発生する物質が、粘着テープの糊層又はシートに混入されているように構成することができる。さらに、粘着テープを構成する糊層、シートはレーザー光線の照射によってエッチングガスが発生する物質で構成することもできる。該エッチングガスが発生する物質とは、フッ素系樹脂であることが好ましい。 The adhesive tape is composed of a glue layer and the sheet, material etching gas is generated by the irradiation of laser beam, it may be configured as being incorporated into glue layer or sheet of the adhesive tape. Further, the glue layer and the sheet constituting the adhesive tape can also be composed of a substance that generates an etching gas by irradiation with a laser beam. The substance that generates the etching gas is preferably a fluororesin.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割する際に使用される粘着テープであって、レーザー光線が照射されることにより分割されたチップの側面にデブリが付着することを防止してエッチするエッチングガスが発生する粘着テープが提供される。 According to the present invention, in order to solve the above-mentioned main technical problem, it is an adhesive tape used when irradiating a wafer with a laser beam having a wavelength that is absorbent to the wafer to divide the wafer into individual chips, and is a laser beam. There Ru are provided adhesive tape etching gas and etched to prevent the debris on the sides of the divided chip by being irradiated adheres to occur.
本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法は、レーザー光線の照射によってガスを発生する粘着テープにウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、チャックテーブルに粘着テープ側を保持しウエーハを露出させる保持工程と、該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動しながらウエーハを分割する分割工程と、該分割工程の際、粘着テープに到達したレーザー光線の照射によって、個々に分割されたチップの側面をエッチするエッチングガスを発生させ、該エッチングガスによって分割されたチップの側面にエッチング加工を施して該チップの側面にデブリが付着するのを防止する品質加工工程と、から少なくとも構成されることから、レーザー光線が粘着テープに至った際にプラズマ化されたエッチングガス等が発生し個々に分割されたチップの側面に品質を損ねない加工を施すことが可能となる。 The method for processing a wafer configured based on the present invention includes an adhesive tape attaching step of attaching the wafer to an adhesive tape that generates gas by irradiation with a laser beam, and holding the adhesive tape side on a chuck table to expose the wafer. The side surface of the individually divided chip is etched by the step, the dividing step of dividing the wafer while relatively moving the chuck table and the laser beam, and the irradiation of the laser beam reaching the adhesive tape during the dividing step. the etching gas is generated which, from being at least composed of a quality processing step to prevent the debris to the side of the chip provide Reinforced etching on the side surface of the divided chip by the etching gas is attached, When the laser beam reaches the adhesive tape, plasmaized etching gas or the like is generated, and the side surfaces of the individually divided chips can be processed without impairing the quality.
本発明に基づき構成された粘着テープは、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割する際に使用される粘着テープであって、レーザー光線が照射されることにより分割されたチップの側面にデブリが付着することを防止してエッチするエッチングガスが発生するように構成されていることから、レーザー光線が粘着テープに至った際にプラズマ化されたエッチングガス等が発生し個々に分割されたチップの側面に品質を損ねない加工を施すことが可能となる。 The adhesive tape constructed based on the present invention is an adhesive tape used when irradiating a wafer with a laser beam having a wavelength capable of absorbing the wafer to divide the wafer into individual chips, and is irradiated with the laser beam. As a result, since it is configured to prevent debris from adhering to the side surface of the divided chip and generate etching gas that etches, the etching gas that is turned into plasma when the laser beam reaches the adhesive tape, etc. It is possible to perform processing on the side surface of the individually divided chip without impairing the quality.
以下、本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法、及び粘着テープについて添付図面を参照ながら詳細に説明する。図１には、本発明に基づき構成されるウエーハの加工方法を実現するレーザー加工装置２の全体斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、被加工物を保持する保持手段２２と、静止基台２ａ上に配設され該保持手段２２を移動させる移動手段２３と、該保持手段２２に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２４と、該静止基台２ａ上の移動手段２３の側方に立設される垂直壁部５１、及び該垂直壁部５１の上端部から水平方向に延びる水平壁部５２からなる枠体５０とを備えている。枠体５０の水平壁部５２内部には、レーザー光線照射手段２４の光学系が内蔵されており、その構成についてはおって詳述する。なお、保持手段２２は、図中左上方に拡大して示す粘着テープＴを介して環状のフレームＦに保持された被加工物（ウエーハ１０）を保持する。 Hereinafter, the processing method of the wafer configured based on the present invention and the adhesive tape will be described in detail with reference to the attached drawings. FIG. 1 shows an overall perspective view of a laser processing apparatus 2 that realizes a wafer processing method configured based on the present invention. The laser machining apparatus 2 is attached to a holding means 22 for holding the work piece, a moving means 23 arranged on the stationary base 2a for moving the holding means 22, and a work piece held by the holding means 22. A laser beam irradiating means 24 that irradiates a laser beam, a vertical wall portion 51 that is erected on the side of the moving means 23 on the stationary base 2a, and a horizontal wall portion that extends in the horizontal direction from the upper end portion of the vertical wall portion 51. It includes a frame body 50 made of 52. The optical system of the laser beam irradiating means 24 is built in the horizontal wall portion 52 of the frame body 50, and the configuration thereof will be described in detail. The holding means 22 holds the workpiece (wafer 10) held by the annular frame F via the adhesive tape T enlarged to the upper left in the drawing.
該保持手段２２は、図中に矢印Ｘで示すＸ方向において移動自在に基台２ａに搭載された矩形状のＸ方向可動板３０と、図中に矢印Ｙで示すＹ方向において移動自在にＸ方向可動板３０に搭載された矩形状のＹ方向可動板３１と、Ｙ方向可動板３１の上面に固定された円筒状の支柱３２と、支柱３２の上端に固定された矩形状のカバー板３３とを含む。カバー板３３には該カバー板３３上に形成された長穴を通って上方に延びる円形状の被加工物を保持し、図示しない回転駆動手段により周方向に回転可能に構成されたチャックテーブル３４が配設されている。チャックテーブル３４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック３５が配置されている。吸着チャック３５は、支柱３２を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。 The holding means 22 has a rectangular X-direction movable plate 30 mounted on the base 2a so as to be movable in the X direction indicated by the arrow X in the drawing, and an X movablely movable in the Y direction indicated by the arrow Y in the drawing. A rectangular Y-direction movable plate 31 mounted on the directional movable plate 30, a cylindrical support plate 32 fixed to the upper surface of the Y-direction movable plate 31, and a rectangular cover plate 33 fixed to the upper end of the support column 32. And include. The cover plate 33 holds a circular workpiece extending upward through an elongated hole formed on the cover plate 33, and is configured to be rotatable in the circumferential direction by a rotation driving means (not shown). Are arranged. On the upper surface of the chuck table 34, a circular suction chuck 35 formed of a porous material and extending substantially horizontally is arranged. The suction chuck 35 is connected to a suction means (not shown) by a flow path passing through the support column 32. The X direction is the direction indicated by the arrow X in FIG. 1, and the Y direction is the direction indicated by the arrow Y and is orthogonal to the X direction. The planes defined in the X and Y directions are substantially horizontal.
移動手段２３は、Ｘ方向移動手段４０と、Ｙ方向移動手段４２と、を含む。Ｘ方向移動手段４０は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換してＸ方向可動板３０に伝達し、基台２ａ上の案内レールに沿ってＸ方向可動板３０をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段４２は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換し、Ｙ方向可動板３１に伝達し、Ｘ方向可動板３０上の案内レールに沿ってＹ方向可動板３１をＹ方向において進退させる。なお、図示は省略するが、Ｘ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２には、それぞれ位置検出手段が配設されており、チャックテーブル３４のＸ方向の位置、Ｙ方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、後述する制御手段から指示される信号に基づいてＸ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２、及び図示しない回転駆動手段が駆動され、任意の位置および角度にチャックテーブル３４を正確に位置付けることが可能になっている。 The moving means 23 includes an X-direction moving means 40 and a Y-direction moving means 42. The X-direction moving means 40 converts the rotational motion of the motor into a linear motion via a ball screw and transmits it to the X-direction movable plate 30, and X-direction movable plate 30 is X along the guide rail on the base 2a. Move forward and backward in the direction. The Y-direction moving means 42 converts the rotational motion of the motor into a linear motion via the ball screw, transmits it to the Y-direction movable plate 31, and transmits the Y-direction movable plate 31 along the guide rail on the X-direction movable plate 30. Moves forward and backward in the Y direction. Although not shown, the X-direction moving means 40 and the Y-direction moving means 42 are provided with position detecting means, respectively, in the X-direction position, the Y-direction position, and the circumferential direction of the chuck table 34. The rotation position is accurately detected, and the X-direction moving means 40, the Y-direction moving means 42, and the rotation driving means (not shown) are driven based on a signal instructed from the control means described later, and the chuck table is set to an arbitrary position and angle. It is possible to accurately position 34.
図１に示すように、被加工物となるウエーハ１０は複数のデバイス１４が分割予定ライン１２によって区画され表面に形成されており、粘着テープＴを介して環状のフレームＦに支持された状態でチャックテーブル３４に保持される。そして、レーザー光線照射手段２４を作動させて集光器２４ａからＳｉ（シリコン）からなるウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢを照射しながら、上記したＸ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２を作動させることにより、該分割予定ライン１２に対して所謂アブレーション加工を実施し、分割溝１００を形成する。 As shown in FIG. 1, the wafer 10 to be a work piece has a plurality of devices 14 partitioned by a planned division line 12 and formed on the surface thereof, and is supported by an annular frame F via an adhesive tape T. It is held on the chuck table 34. Then, the laser beam irradiating means 24 is operated to irradiate the wafer 10 made of Si (silicon) with the laser beam LB having an absorptive wavelength from the condenser 24a, while moving the X-direction moving means 40 and the Y-direction. By operating the means 42, so-called ablation processing is performed on the planned division line 12, and the division groove 100 is formed.
図２に基づいて、本発明のウエーハの加工方法を実現すべく構成されたレーザー光線照射手段２４をより具体的に説明する。レーザー光線照射手段２４は、Ｓｉからなるウエーハ１０に対して吸収性を有する３５５ｎｍ波長のレーザー光線を集光器２４ａから照射するためのレーザー発振器２４ｂを備えている。レーザー発振器２４ｂから発振されたレーザー光線は、透過率を調整することによりレーザー光線の出力を調整するアッテネータ２４ｃに入射される。アッテネータ２４ｃにて所望の出力に調整されたレーザー光線は、ウエーハ１０側に方向を変換する反射ミラー２４ｄにて方向が変換される。反射ミラー２４ｄにて方向が変換されたレーザー光線は、集光器２４ａの集光レンズＬを介してチャックテーブル３４上に保持されたウエーハ１０の所定の位置に照射される。なお、集光レンズＬは、複数のレンズを適宜組み合わせた集合体から構成することができる。 Based on FIG. 2, the laser beam irradiation means 24 configured to realize the wafer processing method of the present invention will be described more specifically. The laser beam irradiating means 24 includes a laser oscillator 24b for irradiating a laser beam having a wavelength of 355 nm, which has absorption with respect to the wafer 10 made of Si, from the condenser 24a. The laser beam oscillated from the laser oscillator 24b is incident on the attenuator 24c that adjusts the output of the laser beam by adjusting the transmittance. The direction of the laser beam adjusted to the desired output by the attenuator 24c is changed by the reflection mirror 24d that changes the direction toward the wafer 10. The laser beam whose direction is changed by the reflection mirror 24d is irradiated to a predetermined position of the wafer 10 held on the chuck table 34 via the condenser lens L of the condenser 24a. The condenser lens L can be composed of an aggregate in which a plurality of lenses are appropriately combined.
図１に記載されたレーザー加工装置２は、図示しない制御手段を備えており、該制御手段は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略）。該制御手段は、レーザー加工装置に配設された各種手段を制御するものであり、レーザー光線照射手段２４のレーザー発振器２４ｂ、アッテネータ２４ｃの制御等も行う。 The laser processing apparatus 2 shown in FIG. 1 includes a control means (not shown), which is composed of a computer and includes a central processing unit (CPU) that performs arithmetic processing according to a control program, a control program, and the like. It is equipped with a read-only memory (ROM) for storing, a readable and writable random access memory (RAM) for temporarily storing detected detection values, calculation results, etc., and an input interface and an output interface (details). Is not shown). The control means controls various means arranged in the laser processing apparatus, and also controls the laser oscillator 24b and the attenuator 24c of the laser beam irradiation means 24.
図１〜３に基づいて、上記したウエーハ１０を支持する粘着テープＴについて、詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態の図２の一点鎖線Ａで囲む部位の一部拡大断面図を示している。粘着テープＴは、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル等から形成されたシートｔｂと、シートｔｂ上に形成されたゴム系やアクリル系の糊層（粘着層）ｔａとから構成され、該糊層ｔａ上にウエーハ１０が貼着され支持される。ウエーハ１０は、表面側にデバイス１４、分割予定ライン１２が形成されたデバイス層を備えており、裏面側が粘着テープＴに貼着される。該糊層ｔａを形成する材料には、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン（４フッ化エチレン樹脂））の粉末が混入されて糊層ｔａ内に均等に分散されており、該糊層ｔａに対して該３５５ｎｍ波長のレーザー光線が照射されると、ＰＴＦＥが混入されていることでプラズマ化されたフッ素ガスが発生する。なお、図１では説明の都合上省略しているが、プラズマ化されたフッ素ガスを発生させるため、レーザー加工装置２の少なくともレーザー加工領域は、所謂真空放電雰囲気中に置かれている。 The adhesive tape T that supports the wafer 10 described above will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 3A shows a partially enlarged cross-sectional view of a portion surrounded by the alternate long and short dash line A in FIG. 2 of the present embodiment. The adhesive tape T is composed of a sheet tb formed of polyolefin, polyethylene terephthalate, polyvinyl chloride, etc., and a rubber-based or acrylic-based glue layer (adhesive layer) ta formed on the sheet tb. The wafer 10 is attached and supported on the ta. The wafer 10 includes a device layer on which a device 14 and a planned division line 12 are formed on the front surface side, and the back surface side is attached to the adhesive tape T. For example, PTFE (polytetrafluoroethylene (tetrafluoroethylene resin)) powder is mixed in the material forming the glue layer ta and evenly dispersed in the glue layer ta, and the glue layer ta is relatively dispersed. When the laser beam having a wavelength of 355 nm is irradiated, the fluorine gas turned into plasma is generated due to the inclusion of PTFE. Although omitted in FIG. 1 for convenience of explanation, at least the laser processing region of the laser processing apparatus 2 is placed in a so-called vacuum discharge atmosphere in order to generate plasma-generated fluorine gas.
上述したレーザー加工装置によるレーザー加工時の加工条件は、例えば以下のように設定される。
ウエーハ ：Ｓｉウエーハ
レーザー波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：２０ｋＨｚ
集光スポット径 ：φ１０μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
The processing conditions at the time of laser processing by the above-mentioned laser processing apparatus are set as follows, for example.
Wafer: Si Wafer Laser wavelength: 355 nm
Average output: 3.0W
Repeat frequency: 20kHz
Condensing spot diameter: φ10 μm
Machining feed rate: 100 mm / sec
本実施形態のレーザー加工装置２、及び被加工物となるウエーハ１０、及び該ウエーハ１０が貼着される粘着テープＴは、概ね以上のような構成を備えており、該レーザー加工装置２によって実施される本発明のウエーハの加工方法の作用について以下に説明する。 The laser processing apparatus 2 of the present embodiment, the wafer 10 to be the workpiece, and the adhesive tape T to which the wafer 10 is attached have the above-mentioned configurations, and are carried out by the laser processing apparatus 2. The operation of the wafer processing method of the present invention described below will be described below.
本発明に基づき構成されるウエーハの加工方法を実施するに際し、先ずレーザー光線の照射によってプラズマ化されたフッ素ガスを発する粘着テープＴに該ウエーハ１０を貼着する粘着テープ貼着工程を実施する。なお、以下の各工程は、適宜オペレータの指示によって実施がなされる。 When carrying out the method for processing a wafer configured based on the present invention, first, an adhesive tape sticking step of sticking the wafer 10 to a sticky tape T that emits fluorine gas plasmalized by irradiation with a laser beam is carried out. In addition, each of the following steps is carried out according to the instruction of the operator as appropriate.
粘着テープ貼着工程が実施されたならば、ウエーハ１０をチャックテーブル３４に保持する保持工程を実施する。より具体的には、図１に示すレーザー加工装置２のチャックテーブル３４に粘着テープＴ側を下にして載置し、図示しない吸引手段を作動させて吸着チャック３５を介して吸引保持し、ウエーハ１０を上方に露出させてクランプ等により環状フレームＦをクランプして固定する。 After the adhesive tape sticking step is carried out, the holding step of holding the wafer 10 on the chuck table 34 is carried out. More specifically, it is placed on the chuck table 34 of the laser processing apparatus 2 shown in FIG. 1 with the adhesive tape T side facing down, and a suction means (not shown) is operated to suck and hold the wafer through the suction chuck 35. The annular frame F is clamped and fixed by exposing 10 upward and using a clamp or the like.
上記した保持工程を実施したならば、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。分割工程を実施するに際し、先ずウエーハ１０の加工領域（分割予定ライン１２）を撮像する撮像手段２６を用いて、ウエーハ１０の加工領域と、レーザー光線照射手段２４の集光器２４ａの照射位置との位置合わせを行うアライメントを実施する。アライメントにより検出された位置情報は、該制御手段に適宜記憶される。 After the above-mentioned holding step is carried out, a dividing step of dividing the wafer into individual devices is carried out. When carrying out the division step, first, the processing region of the wafer 10 and the irradiation position of the condenser 24a of the laser beam irradiation means 24 are set by using the imaging means 26 for imaging the processing region of the wafer 10 (scheduled division line 12). Perform alignment to perform alignment. The position information detected by the alignment is appropriately stored in the control means.
アライメント実施後、チャックテーブル３４を移動して分割予定ライン１２の一端にレーザー光線の照射位置を位置付ける。そして、上記したレーザー加工条件、すなわち、レーザー光線照射手段２４の集光器２４ａによりウエーハ１０に対して吸収性を有する波長（３５５ｎｍ）のレーザー光線ＬＢをウエーハ１０の表面位置に集光して照射しつつ、移動手段２３を作動してチャックテーブル３４を矢印Ｘで示す方向に所定の加工送り速度で移動させる。 After the alignment is performed, the chuck table 34 is moved to position the laser beam irradiation position at one end of the scheduled division line 12. Then, while condensing and irradiating the above-mentioned laser processing conditions, that is, the laser beam LB having a wavelength (355 nm) having absorption with respect to the waiha 10 by the concentrator 24a of the laser beam irradiating means 24 at the surface position of the waha 10. , The moving means 23 is operated to move the chuck table 34 in the direction indicated by the arrow X at a predetermined machining feed rate.
上述したように、分割工程が開始されると、レーザー光線照射手段２４の集光器２４ａからレーザー光線ＬＢがウエーハ１０の表面に形成されたデバイス１４の間に位置する分割予定ライン１２に照射される（図３（ａ）を参照。）。レーザー光線照射手段２４のレーザー発振器２４ｂから照射されるレーザー光線ＬＢの出力は、アッテネータ２４ｃによって予めウエーハ１０を完全分割し且つ該ウエーハ１０を支持する粘着テープＴを僅かに加工する程度に調整されている。 As described above, when the dividing step is started, the laser beam LB is irradiated from the condenser 24a of the laser beam irradiating means 24 to the scheduled division line 12 located between the devices 14 formed on the surface of the wafer 10 ( See FIG. 3 (a)). The output of the laser beam LB emitted from the laser oscillator 24b of the laser beam irradiating means 24 is adjusted to the extent that the wafer 10 is completely divided in advance by the attenuator 24c and the adhesive tape T supporting the wafer 10 is slightly processed.
集光器２４ａから照射されるレーザー光線ＬＢの出力が所定の値に調整されていることにより、ウエーハ１０が完全切断されて分割溝１００が形成されると、粘着テープＴにレーザー光線ＬＢが達する。図３（ｂ）に示すように、レーザー光線ＬＢが粘着テープＴのＰ点に到達すると、粘着テープＴのウエーハ１０側に位置する糊層ｔａに混入されたＰＴＦＥと反応してプラズマ化されたフッ素ガスＧが発生し放出される。該フッ素ガスＧは、ウエーハ１０に形成された分割溝１００を構成するデバイス１４の側壁１０１に接しながら上方に噴出される。該フッ素ガスＧにはデバイスチップを構成するＳｉに対して腐食作用を奏する機能を有し、分割溝１００が形成されることにより表出したデバイス１４の側壁１０１に対してエッチ作用を奏する所謂ドライエッチングがなされる。これにより、レーザー光線の照射により生じるデブリが側壁１０１に付着することが抑制され、結果的に個々にチップ化されたデバイス１４の品質を損ねない加工が実施される（品質加工工程）。なお、このドライエッチングが施される際のガス発生条件等を調整することにより、エッチング過程で生成される不揮発性反応生成物や、エッチングガスの解離や再結合過程で生成されるプラズマ重合膜（フロロカーボン膜）等により側壁保護膜が形成され、ウエーハ１０が個々のチップに分割された際の側壁１０１にデブリが付着せずデバイス１４の品質を低下させることを抑制する効果を奏することもできる。 When the output of the laser beam LB emitted from the condenser 24a is adjusted to a predetermined value and the wafer 10 is completely cut to form the dividing groove 100, the laser beam LB reaches the adhesive tape T. As shown in FIG. 3B, when the laser beam LB reaches the P point of the adhesive tape T, it reacts with PTFE mixed in the glue layer ta located on the wafer 10 side of the adhesive tape T to form plasma-like fluorine. Gas G is generated and released. The fluorine gas G is ejected upward while being in contact with the side wall 101 of the device 14 forming the dividing groove 100 formed in the wafer 10. The fluorine gas G has a function of exerting a corrosive action on Si constituting the device chip, and is a so-called dry that exerts an etching action on the side wall 101 of the device 14 exposed by forming the dividing groove 100. Etching is done. As a result, debris generated by irradiation with the laser beam is suppressed from adhering to the side wall 101, and as a result, processing that does not impair the quality of the individually chipped device 14 is performed (quality processing step). By adjusting the gas generation conditions when this dry etching is performed, the non-volatile reaction product generated in the etching process and the plasma polymer film produced in the dissociation and recombination process of the etching gas ( A side wall protective film is formed by a fluorocarbon film) or the like, and when the wafer 10 is divided into individual chips, debris does not adhere to the side wall 101, and the effect of suppressing deterioration of the quality of the device 14 can be achieved.
上述したように分割工程、品質加工工程を実施することにより、分割予定ライン１２の他端が集光器２４ａの照射位置に達したならば、レーザー光線の照射を停止すると共にチャックテーブル３４の移動を停止する。この結果、ウエーハ１０の所定の分割予定ライン１２に沿って分割溝１００が形成される。 By carrying out the division step and the quality processing step as described above, when the other end of the scheduled division line 12 reaches the irradiation position of the condenser 24a, the irradiation of the laser beam is stopped and the chuck table 34 is moved. Stop. As a result, the dividing groove 100 is formed along the predetermined division scheduled line 12 of the wafer 10.
上述したレーザー加工により、所定の分割予定ライン１２の一端から他端に渡り分割溝１００が形成されたならば、保持手段２２、移動手段２３、及び図示しない回転駆動手段を作動してチャックテーブル３４を移動させて、集光器２４ａに対するウエーハ１０の位置を変更しながらその余の分割予定ライン１２に対し同様の加工を施す。これによりウエーハ１０の全ての分割予定ライン１２に沿って分割溝１００が形成され、分割溝１００を形成する際に生じたデブリがデバイス１４の側壁１０１にデブリが付着することが防止されてウエーハ１０が分割予定ライン１２に沿って個々のデバイス１４に分割されてチップ化され分割工程、品質加工工程が完了する。 When the dividing groove 100 is formed from one end to the other end of the predetermined division scheduled line 12 by the laser processing described above, the holding means 22, the moving means 23, and the rotation driving means (not shown) are operated to operate the chuck table 34. Is moved, the position of the wafer 10 with respect to the condenser 24a is changed, and the same processing is performed on the remaining planned division line 12. As a result, the dividing groove 100 is formed along all the scheduled division lines 12 of the wafer 10, and the debris generated when the dividing groove 100 is formed is prevented from adhering to the side wall 101 of the device 14, and the wafer 10 is prevented from adhering to the side wall 101 of the device 14. Is divided into individual devices 14 along the scheduled division line 12 and formed into chips, and the division process and the quality processing process are completed.
本発明は、上述した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に含まれる限り種々の変形例を想定することができる。上記の実施形態では、ウエーハ１０が貼着される粘着テープＴを、図３（ａ）に示したように糊層ｔａと、シートｔｂから構成し、チップ化されたデバイス１４の側面にデブリが付着することを防止するためのＰＴＦＥの微粉末を糊層ｔａに混入して形成した例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、粘着テープＴを構成する糊層ｔａのみならず、シートｔｂにも該ＰＴＦＥを混入するように形成してもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be assumed as long as it is included in the technical scope of the present invention. In the above embodiment, the adhesive tape T to which the wafer 10 is attached is composed of the glue layer ta and the sheet tb as shown in FIG. 3A, and debris is formed on the side surface of the chipped device 14. An example of forming by mixing fine powder of PTFE for preventing adhesion into the glue layer ta has been shown, but the present invention is not limited to this. For example, not only the glue layer ta constituting the adhesive tape T but also the sheet tb may be formed so that the PTFE is mixed.
上記実施形態では、粘着テープＴを構成する糊層ｔａ、シートｔｂに対して、分割されたチップの側面に品質を損ねない加工を施すガスを発生させるべくＰＴＦＥの微粉末を混入して形成したが、本発明は、これに限定されず、例えば以下に示すような、他のフッ素系樹脂を選択することもできる。 In the above embodiment, the glue layer ta and the sheet tb constituting the adhesive tape T are formed by mixing fine powder of PTFE in order to generate a gas for processing the side surfaces of the divided chips so as not to impair the quality. However, the present invention is not limited to this, and other fluororesins such as those shown below can be selected.
＜フッ素系樹脂の例＞
ＰＦＡ：テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体
ＦＥＰ：テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（４．６フッ化）
ＥＴＦＥ：テツロフルオロエチレン・エチレン共重合体
ＰＶＤＦ：ポリビニリデンフルオライド（２フッ化）
ＰＣＴＦＥ：ポリクロロトリフルオロエチレン（３フッ化）
ＥＣＴＦＥ：クロロトリフル・エチレン共重合体
<Example of fluororesin>
PFA: Tetrafluoroethylene / Perfluoroalkyl Vinyl Ether Copolymer FEP: Tetrafluoroethylene / Hexafluoropropylene Copolymer (4.6 Fluoride)
ETFE: Tetrafluoroethylene / ethylene copolymer PVDF: Polyvinylidene fluoride (difluorinated)
PCTFE: Polychlorotrifluoroethylene (trifluorine)
ECTFE: Chlorotriflu-ethylene copolymer
また、本実施形態では、粘着テープＴをポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル等から形成されたシートｔｂと、シートｔｂ上に形成されたゴム系やアクリル系の糊層（粘着層）ｔａとから構成し、糊層ｔａ、シートｔｂに対して、分割されたチップの側面に品質を損ねない加工を施すガスを発生させるべくＰＴＦＥの微粉末を混入して形成したが、これに限定されず、糊層ｔａ、シートｔｂ自体を上述したフッ素系樹脂を主成分とする樹脂で形成することもできる。 Further, in the present embodiment, the adhesive tape T is composed of a sheet tb formed of polyolefin, polyethylene terephthalate, polyvinyl chloride, etc., and a rubber-based or acrylic-based glue layer (adhesive layer) ta formed on the sheet tb. It was formed by mixing fine powder of PTFE with respect to the glue layer ta and the sheet tb in order to generate a gas for processing the side surfaces of the divided chips without impairing the quality, but the present invention is not limited to this. The glue layer ta and the sheet tb itself can also be formed of the resin containing the above-mentioned fluororesin as a main component.
２：レーザー加工装置
２ａ：静止基台
１０：ウエーハ
１２：分割予定ライン
１４：デバイス
２２：保持手段
２３：移動手段
２４：レーザー光線照射手段
２４ａ：集光器
２４ｂ：レーザー発振器
２４ｃ：アッテネータ
２４ｄ：反射ミラー
３０：Ｘ方向可動板
３１：Ｙ方向可動板
３２：支柱
３３：カバー板
３４：チャックテーブル
３５：吸着チャック
４２：Ｘ方向移動手段
４３：Ｙ方向移動手段
５０：枠体
１００：分割溝
１０１：側壁
Ｇ：フッ素ガス
Ｔ：粘着テープ
Ｆ：フレーム
2: Laser processing device 2a: Stationary base 10: Waha 12: Scheduled division line 14: Device 22: Holding means 23: Moving means 24: Laser beam irradiating means 24a: Condenser 24b: Laser oscillator 24c: Attenuator 24d: Reflection mirror 30: X-direction movable plate 31: Y-direction movable plate 32: Support 33: Cover plate 34: Chuck table 35: Suction chuck 42: X-direction moving means 43: Y-direction moving means 50: Frame 100: Dividing groove 101: Side wall G: Fluorine gas T: Adhesive tape F: Frame
Claims (5)
レーザー光線の照射によってガスを発生する粘着テープにウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、
チャックテーブルに粘着テープ側を保持しウエーハを露出させる保持工程と、
該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動しながらウエーハを分割する分割工程と、
該分割工程の際、粘着テープに到達したレーザー光線の照射によって、個々に分割されたチップの側面をエッチするエッチングガスを発生させ、該エッチングガスによって分割されたチップの側面にエッチング加工を施して該チップの側面にデブリが付着するのを防止する品質加工工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。 It is a processing method of a wafer that divides the wafer into individual chips by irradiating the wafer with a laser beam having a wavelength that is absorbent.
Adhesive tape application process of attaching a wafer to an adhesive tape that generates gas by irradiation with a laser beam,
The holding process of holding the adhesive tape side on the chuck table and exposing the wafer,
A dividing step of dividing the wafer while relatively moving the chuck table and the laser beam, and
During the division process, by irradiation of the laser beam reaching the adhesive tape, to generate the etching gas to etch the side surface of the chip that is divided into individual, provide Reinforced etching on the side surface of the divided chip by the etching gas A quality processing process that prevents debris from adhering to the sides of the chip, and
Wafer processing method consisting of at least.
レーザー光線が照射されることにより分割されたチップの側面にデブリが付着することを防止してエッチするエッチングガスが発生する粘着テープ。 An adhesive tape used to divide a wafer into individual chips by irradiating a laser beam with a wavelength that absorbs the wafer.
Adhesive tape that generates etching gas that prevents debris from adhering to the sides of the divided chips when irradiated with a laser beam and etches them .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017004825A JP6831248B2 (en) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | Wafer processing method and adhesive tape |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017004825A JP6831248B2 (en) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | Wafer processing method and adhesive tape |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018116950A JP2018116950A (en) | 2018-07-26 |
| JP6831248B2 true JP6831248B2 (en) | 2021-02-17 |
Family
ID=62985333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017004825A Active JP6831248B2 (en) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | Wafer processing method and adhesive tape |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6831248B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7199786B2 (en) * | 2018-11-06 | 2023-01-06 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277487A (en) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Dry etching device |
| WO2001085387A1 (en) * | 2000-05-11 | 2001-11-15 | Ptg Precision Technology Center Limited Llc | System for cutting brittle materials |
| WO2003090258A2 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Xsil Technology Limited | Laser machining |
| JP2004186200A (en) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sekisui Chem Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor chip |
-
2017
- 2017-01-16 JP JP2017004825A patent/JP6831248B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018116950A (en) | 2018-07-26 |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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