JP6821700B2 - 小スポットサイズ透過型小角x線スキャタロメトリ用ビーム整形スリット - Google Patents
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Description
本特許出願は2016年4月22日付米国暫定特許出願第62/326648号に基づき米国特許法第119条の規定による優先権を主張するものであるので、この参照を以てその主題の全容を本願に繰り入れることにする。
(1)ある量のX線輻射をある有限な放射エリアに亘り生成するステップと、
上記生成された量のX線輻射のうち計測下標本上に入射するもののビームを、そのX線輻射ビームのビーム路内に複数個のビーム整形スリットを位置決めすることで整形するステップであり、それら複数個のビーム整形スリットそれぞれが、そのX線輻射ビーム沿いの方向に沿いその計測下標本の100mm以内に配置されるステップと、
計測下標本を上記X線輻射入射ビームに対し複数通りの入射角に位置決めするステップであり、それら複数通りの入射角が、直交入射と、直交入射から少なくとも40°と、の間の範囲内にあるステップと、
上記複数通りの入射角にて上記X線輻射入射ビームに応じ計測下標本により散乱された輻射の量に係る一通り又は複数通りの強度を検出するステップと、
計測下標本上に配置された計測ターゲットに係る注目パラメタの値を、検出された強度に基づき求めるステップと、
を有する方法。
(2)上記(1)に記載の方法であって、上記複数個のビーム整形スリットの位置決めに当たり、コマンド信号を送ることで、少なくとも1個のアクチュエータにより、上記ビーム整形スリットのうち少なくとも1個をX線輻射ビーム沿いの方向に対し垂直な方向に動かす方法。
(3)上記(1)に記載の方法であって、更に、上記標本上に入射するX線輻射ビームの軸に名目上整列している軸周りで上記複数個のビーム整形スリットを回動させるステップを有する方法。
Claims (17)
- 計量システムであって、
ある量のX線輻射を生成するよう構成されており、ある有限な放射エリアを有するX線照明源と、
そのX線照明源と計測下標本との間のビーム路内に所在するビーム整形スリット機構であり、
その標本の至近に所在する複数個のビーム整形スリット、
そのビーム整形スリット機構のフレームに連結されており、それぞれ、複数個のビーム整形スリットのいずれに比べても上記標本から遠方に所在する複数個のアクチュエータ、
上記複数個のビーム整形スリットのうち1個及び上記アクチュエータのうち1個にそれぞれ連結された複数個のアーム構造、並びに
上記フレームに対するそれらアーム構造のうち1個のずれを計測するようそれぞれ構成された複数個の計測システム、
を有し、上記複数個のビーム整形スリットそれぞれにより上記量のX線輻射のうち一部分が阻止され、計測下標本上に入射するX線輻射のビームスポットサイズがそれにより定まるビーム整形スリット機構と、
そのX線輻射入射ビームに応じ計測下標本により散乱された輻射の量に係る強度を同時検出するよう構成されたX線検出器と、
を備える計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、上記複数個のビーム整形スリットそれぞれと計測下標本との間の距離が100mm未満である計量システム。
- 請求項2に記載の計量システムであって、上記アクチュエータそれぞれと上記標本との間の、X線輻射入射ビーム沿い方向に沿った距離が、上記複数個のビーム整形スリットそれぞれとその標本との間の、X線輻射入射ビーム沿い方向に沿った最大距離の5倍超である計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、更に、
上記X線輻射入射ビームに対し計測下標本を複数通りの入射角に位置決めしうるよう構成された標本位置決めシステムを備え、それら複数通りの入射角が、直交入射と、直交入射から少なくとも20°と、の間の範囲内にある計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、更に、
情報処理システムを備え、その情報処理システムが、
上記ビーム整形スリット機構にコマンド信号を送ることで、少なくとも1個のアクチュエータにより、少なくとも1個のビーム整形スリットを、上記X線輻射入射ビームのビーム軸に対し垂直な方向に動かすよう、構成されている計量システム。 - 請求項5に記載の計量システムであって、上記少なくとも1個のアクチュエータが、上記少なくとも1個のビーム整形スリットを、上記X線輻射入射ビームのビーム軸に対し垂直な方向に、少なくとも3mmに亘り10μm未満の位置決め不確定性で以て動かす計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、上記複数個のアーム構造それぞれが、対応するピボットジョイントにて上記フレームに連結されており、そのアーム構造に連結されているアクチュエータが、そのアーム構造を当該対応するピボットジョイント周りで回動させ、且つ、取り付けられているビーム整形スリットを上記X線輻射入射ビームのビーム軸に対し垂直な方向に動かす計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、上記複数個のアクチュエータそれぞれが圧電アクチュエータである計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、上記ビーム整形スリットそれぞれが開裂単結晶素材を含む計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、X線照明源・ビーム整形スリット機構間ビームラインのうち一部分が真空チャンバ内に収容されており、その真空チャンバの一部分がそのビーム整形スリット機構と機械的に一体化されている計量システム。
- 請求項1に記載の計量システムであって、上記ビーム整形スリット機構が、更に、
上記ビーム整形スリット機構のフレームに連結されたロータリアクチュエータを備え、そのロータリアクチュエータが、上記標本上に入射するX線輻射ビームの軸に名目上整列している軸周りでそのビーム整形スリット機構を回動させるよう構成されている計量システム。 - 請求項1に記載の計量システムであって、上記複数個のビーム整形スリットそれぞれが、上記標本上に入射するX線輻射ビーム沿いの方向に沿いその計測下標本から別々の距離に所在している計量システム。
- X線照明源・計測下標本間ビーム路内に所在するビーム整形スリット機構であって、
その標本の至近に所在する複数個のビーム整形スリットと、
本ビーム整形スリット機構のフレームに連結されており、それぞれ、複数個のビーム整形スリットのいずれに比べても上記標本から遠方に所在する複数個のアクチュエータと、
上記複数個のビーム整形スリットのうち1個及び上記アクチュエータのうち1個にそれぞれ連結された複数個のアーム構造と、
上記フレームに対するそれらアーム構造のうち1個のずれを計測するようそれぞれ構成された複数個の計測システムと、
を備え、上記複数個のビーム整形スリットそれぞれにより上記量のX線輻射のうち一部分が阻止され、それにより計測下標本上に入射するX線輻射のビームスポットサイズが定まるビーム整形スリット機構。 - 請求項13に記載のビーム整形スリット機構であって、上記複数個のビーム整形スリットそれぞれと計測下標本との間の距離が50mm未満であるビーム整形スリット機構。
- 請求項13に記載のビーム整形スリット機構であって、上記アクチュエータそれぞれと上記標本との間の、X線輻射入射ビーム沿い方向に沿った距離が、上記複数個のビーム整形スリットそれぞれとその標本との間の、X線輻射入射ビーム沿い方向に沿った最大距離の5倍超であるビーム整形スリット機構。
- 請求項13に記載のビーム整形スリット機構であって、更に、
情報処理システムを備え、その情報処理システムが、
本ビーム整形スリット機構にコマンド信号を送ることで、少なくとも1個のアクチュエータにより、少なくとも1個のビーム整形スリットを、上記X線輻射入射ビームのビーム軸に対し垂直な方向に動かすよう、構成されているビーム整形スリット機構。 - 請求項13に記載のビーム整形スリット機構であって、更に、
本ビーム整形スリット機構のフレームに連結されたロータリアクチュエータを備え、そのロータリアクチュエータが、上記標本上に入射するX線輻射ビームの軸に名目上整列している軸周りで本ビーム整形スリット機構を回動させるよう構成されているビーム整形スリット機構。
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NL8201343A (nl) * | 1982-03-31 | 1983-10-17 | Philips Nv | Roentgen analyse apparaat met instelbare strooistralenspleet. |
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US5859424A (en) | 1997-04-08 | 1999-01-12 | Kla-Tencor Corporation | Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications |
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US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
GB0031040D0 (en) * | 2000-12-20 | 2001-01-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | X-ray diffractometer |
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US6716646B1 (en) | 2001-07-16 | 2004-04-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for performing overlay measurements using scatterometry |
JP4938219B2 (ja) | 2001-12-19 | 2012-05-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 光学分光システムを使用するパラメトリック・プロフィーリング |
US6778275B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations |
US6992764B1 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-31 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with a single polarization state |
US7842933B2 (en) | 2003-10-22 | 2010-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for measuring overlay errors |
US6937337B2 (en) | 2003-11-19 | 2005-08-30 | International Business Machines Corporation | Overlay target and measurement method using reference and sub-grids |
US7321426B1 (en) | 2004-06-02 | 2008-01-22 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical metrology on patterned samples |
US7478019B2 (en) | 2005-01-26 | 2009-01-13 | Kla-Tencor Corporation | Multiple tool and structure analysis |
JP4585926B2 (ja) | 2005-06-17 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターンレイヤーデータ生成装置、それを用いたパターンレイヤーデータ生成システム、半導体パターン表示装置、パターンレイヤーデータ生成方法、及びコンピュータプログラム |
US7567351B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-07-28 | Kla-Tencor Corporation | High resolution monitoring of CD variations |
JP4887062B2 (ja) | 2006-03-14 | 2012-02-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置 |
US7406153B2 (en) | 2006-08-15 | 2008-07-29 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Control of X-ray beam spot size |
JP5074054B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-11-14 | 株式会社日立メディコ | X線画像診断装置 |
US7873585B2 (en) | 2007-08-31 | 2011-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for predicting a semiconductor parameter across an area of a wafer |
US7929667B1 (en) | 2008-10-02 | 2011-04-19 | Kla-Tencor Corporation | High brightness X-ray metrology |
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