JP6818512B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 162
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 93
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 51
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
Claims (10)
- 表示領域内に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された対向電極と、
前記対向電極上に形成された封止層と、
前記表示領域の外側の領域である額縁領域内に形成され、前記発光層の発光を制御する駆動回路と、
前記額縁領域内に形成され、前記駆動回路と電気的に分離された第1検査電極と、
前記第1検査電極上に、前記第1検査電極の全体を覆うように形成された額縁絶縁層と、
前記額縁領域内の前記額縁絶縁層上に形成され、前記駆動回路及び前記第1検査電極と電気的に分離された第2検査電極と、を有する、
表示装置。 - 表示領域内に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された対向電極と、
前記対向電極上に形成された封止層と、
前記表示領域の外側の領域である額縁領域内に形成され、前記発光層の発光を制御する駆動回路と、
前記額縁領域内に形成され、前記駆動回路と電気的に分離された第1検査電極と、
前記第1検査電極上に、前記第1検査電極の一部を露出するように形成された額縁絶縁層と、を有する、
表示装置。 - 前記額縁絶縁層は、前記画素電極の下に形成される絶縁層と同層で形成される、
請求項1又は2に記載の表示装置。 - 表示領域内に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された対向電極と、
前記対向電極上に形成された封止層と、
前記表示領域の外側の領域である額縁領域内に形成され、前記発光層の発光を制御する駆動回路と、
前記額縁領域内に形成され、前記駆動回路と電気的に分離された第1検査電極と、
前記第1検査電極上に、前記画素電極の下に形成される絶縁層と同層で形成された額縁絶縁層と、を有する、
表示装置。 - 前記額縁領域に設けられた端子と、
前記端子に接続されたフレキシブルプリント基板と、
をさらに有し、
前記端子は、前記額縁絶縁層の下層であって、前記第1検査電極と同層に位置し、前記額縁絶縁層から露出する導電層を含む、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の表示装置。 - 表示領域内に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成された対向電極と、前記対向電極上に形成された封止層と、前記表示領域の外側の領域である額縁領域内に形成され、前記発光層の発光を制御する駆動回路と、前記駆動回路と電気的に分離された第1検査電極と、前記第1検査電極上に形成された額縁絶縁層と、を有する表示装置の製造方法であって、
前記駆動回路を搭載する電極上に形成された前記封止層を除去する工程と、
前記第1検査電極上の前記額縁絶縁層にテスタを接触させ、電気的導通を確認する工程と、を有する、
表示装置の製造方法。 - 前記額縁絶縁層上に形成され、前記駆動回路及び前記第1検査電極と電気的に分離された第2検査電極に前記テスタを接触させ、電気的導通を確認する工程をさらに有する、
請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記額縁絶縁層は、前記第1検査電極の一部を露出するように形成され、
前記第1検査電極の露出した部分に前記テスタを接触させ、電気的導通を確認する工程をさらに有する、
請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記電気的導通を確認する工程の確認結果に基づいて、前記封止層を除去する工程におけるエッチングレートを変更する工程をさらに有する、
請求項6乃至8のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。 - 前記テスタは、平面部を有する弾性接触子であり、
前記電気的導通を確認する工程は、前記第1検査電極上の前記額縁絶縁層に前記テスタの前記平面部を押圧させることで行われる、
請求項6乃至9のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016210938A JP6818512B2 (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US15/788,845 US10374199B2 (en) | 2016-10-27 | 2017-10-20 | Display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016210938A JP6818512B2 (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018073592A JP2018073592A (ja) | 2018-05-10 |
JP6818512B2 true JP6818512B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=62022653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016210938A Active JP6818512B2 (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10374199B2 (ja) |
JP (1) | JP6818512B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021009811A1 (ja) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN114557127A (zh) * | 2019-10-25 | 2022-05-27 | 夏普株式会社 | 显示装置及显示装置的检查方法 |
CN111490086B (zh) | 2020-04-22 | 2023-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3094945B2 (ja) | 1997-05-14 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3231726B2 (ja) | 1999-02-09 | 2001-11-26 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6590225B2 (en) * | 2001-01-19 | 2003-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Die testing using top surface test pads |
KR100403621B1 (ko) * | 2001-03-30 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 전기적 특성 평가를 위한 테스트 패드를 갖는 칩 온 필름패키지 및 칩 온 필름 패키지 형성 방법 |
KR102246123B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP2011191739A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-29 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
US9419065B2 (en) * | 2012-08-07 | 2016-08-16 | Apple Inc. | Flexible displays |
KR102047001B1 (ko) * | 2012-10-16 | 2019-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전 척 |
US9721505B2 (en) * | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
JP2015056335A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法 |
KR102090159B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2020-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
JP2015149327A (ja) | 2014-02-05 | 2015-08-20 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
KR102349281B1 (ko) * | 2015-10-28 | 2022-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US9786568B2 (en) * | 2016-02-19 | 2017-10-10 | Infineon Technologies Ag | Method of manufacturing an integrated circuit substrate |
KR102553910B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그의 검사방법 |
-
2016
- 2016-10-27 JP JP2016210938A patent/JP6818512B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-20 US US15/788,845 patent/US10374199B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018073592A (ja) | 2018-05-10 |
US20180123089A1 (en) | 2018-05-03 |
US10374199B2 (en) | 2019-08-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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