JP6812969B2 - 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6812969B2 JP6812969B2 JP2017521732A JP2017521732A JP6812969B2 JP 6812969 B2 JP6812969 B2 JP 6812969B2 JP 2017521732 A JP2017521732 A JP 2017521732A JP 2017521732 A JP2017521732 A JP 2017521732A JP 6812969 B2 JP6812969 B2 JP 6812969B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- solid
- image sensor
- edge portion
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 85
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 48
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical class O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/34—Systems for automatic generation of focusing signals using different areas in a pupil plane
- G02B7/346—Systems for automatic generation of focusing signals using different areas in a pupil plane using horizontal and vertical areas in the pupil plane, i.e. wide area autofocusing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/34—Systems for automatic generation of focusing signals using different areas in a pupil plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B13/00—Viewfinders; Focusing aids for cameras; Means for focusing for cameras; Autofocus systems for cameras
- G03B13/32—Means for focusing
- G03B13/34—Power focusing
- G03B13/36—Autofocus systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
- H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Focusing (AREA)
Description
(A)第1の実施形態:
(B)第2の実施形態:
(C)第3の実施形態:
図1は、本実施形態に係る固体撮像素子100の構造を説明する図である。
これら複数の画素Phは、受光面10の光軸中心11cからの離間度合に応じて段差部41Gの段差幅が徐々に増加する構成となっている。すなわち、光軸中心に近い画素Phから順に、段差部41Gの段差幅は、d1、d2、d3、d4、d5、d6となっており、これら段差幅は、d1<d2<d3<d4<d5<d6、の大小関係を有している。
読み出し走査とは、信号を読み出す単位画素を順に選択する走査である。読み出し走査は、基本的には行単位で順に行われるが、所定の位置関係にある複数画素の出力を加算もしくは加算平均することにより画素の間引きを行う場合は、所定の順番により行われる。
次に、上述した第1の実施形態に係る固体撮像素子を含んで構成される撮像装置200について説明する。図15は、本実施形態に係る撮像装置の機能構成の一例を説明する図である。
以下、上述した固体撮像素子300を製造するための製造方法の一例について説明する。図21〜図26は、固体撮像素子300の製造方法の各工程における固体撮像素子300の要部を示す図である。なお、本実施形態では、上述した裏面照射型のCMOSイメージセンサーの製造方法を示してある。
まず、図21に示すように、半導体基板301の画素領域を形成すべき領域に、各画素に対応させて光電変換部としてのフォトダイオードPDをそれぞれ形成する第1工程を行う。
Vapor Deposition)法、メッキ処理等により行われる。これにより、上述したアルミニウム等の金属膜が層間絶縁膜321の全面に形成される。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方で位置が互いに異なる第1縁部と第2縁部とを有する、固体撮像素子。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、その途中に段差部を有する、固体撮像素子。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、
前記画素は、本固体撮像素子の画隅部分に形成されており、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方と異なる第3方向に前記光電変換部の受光面上を通過する、固体撮像素子。
前記第3方向は、本固体撮像素子の受光面の光軸中心から延びる放射線に沿う方向である、前記(3)に記載の固体撮像素子。
前記縁部は、前記放射線に沿う方向と異なる方向線の組み合わせによりジグザグに形成されている、前記(4)に記載の固体撮像素子。
本固体撮像素子は、複数の画素を有し、
前記遮光部を有する画素は、2つ一組で設けられており、
当該2つ一組の各画素の遮光部は、画素の受光面の互いに異なる範囲を遮光する形状である、前記(1)〜前記(5)の何れか1項に記載の固体撮像素子。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方で位置が互いに異なる第1縁部と第2縁部とを有する、固体撮像素子と、
前記画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、を具備する撮像装置。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、前記縁部は、その途中に段差部を有する、固体撮像素子と、
前記画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、を具備する撮像装置。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、前記画素は、本固体撮像素子の画隅部分に形成されており、前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方と異なる第3方向に前記光電変換部の受光面上を通過する、固体撮像素子と、
前記画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、を具備する撮像装置。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を形成する工程を含み、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方で位置が互いに異なる第1縁部と第2縁部とを有する、固体撮像素子の製造方法。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を形成する工程を含み、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、その途中に段差部を有する、固体撮像素子の製造方法。
被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を形成する工程を含み、
前記画素は、本固体撮像素子の画隅部分に形成されており、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方と異なる第3方向に前記光電変換部の受光面上を通過する、固体撮像素子の製造方法。
Claims (5)
- 被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、
前記画素は、本固体撮像素子の画隅部分に形成されており、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方と異なる本固体撮像素子の受光面の光軸中心から延びる放射線に沿う方向に前記光電変換部の受光面上を通過する、
固体撮像素子。 - 前記縁部は、前記放射線に沿う方向と異なる方向線の組み合わせによりジグザグに形成されている、請求項1 に記載の固体撮像素子。
- 本固体撮像素子は、複数の画素を有し、
前記遮光部を有する画素は、2つ一組で設けられており、
当該2つ一組の各画素の遮光部は、画素の受光面の互いに異なる範囲を遮光する形状である、請求項1 に記載の固体撮像素子。 - 被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を備え、前記画素は、本固体撮像素子の画隅部分に形成されており、前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方と異なる本固体撮像素子の受光面の光軸中心から延びる放射線に沿う方向に前記光電変換部の受光面上を通過する、固体撮像素子と、
前記画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、を具備する撮像装置。 - 被写体からの光を集光するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズが集光した被写体光を受光して受光量に応じた電気信号を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と前記マイクロレンズの間に設けられた遮光部と、を有する画素を形成する工程を含み、
前記画素は、本固体撮像素子の画隅部分に形成されており、
前記遮光部は、前記光電変換部の受光面上を通過する縁部を有し、
前記縁部は、出力画像の上下方向に対応する第1方向と出力画像の左右方向に対応する第2方向との双方と異なる本固体撮像素子の受光面の光軸中心から延びる放射線に沿う方向に前記光電変換部の受光面上を通過する、
固体撮像素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015113289 | 2015-06-03 | ||
JP2015113289 | 2015-06-03 | ||
PCT/JP2016/062411 WO2016194501A1 (ja) | 2015-06-03 | 2016-04-19 | 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016194501A1 JPWO2016194501A1 (ja) | 2018-03-22 |
JP6812969B2 true JP6812969B2 (ja) | 2021-01-13 |
Family
ID=57441031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017521732A Active JP6812969B2 (ja) | 2015-06-03 | 2016-04-19 | 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10672813B2 (ja) |
JP (1) | JP6812969B2 (ja) |
KR (1) | KR102537009B1 (ja) |
CN (1) | CN107615484B (ja) |
WO (1) | WO2016194501A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016103430A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | ラインセンサ、画像読取装置、画像形成装置 |
WO2016194501A1 (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法 |
US9978154B2 (en) * | 2015-07-02 | 2018-05-22 | Pixart Imaging Inc. | Distance measurement device base on phase difference and distance measurement method thereof |
US10148864B2 (en) | 2015-07-02 | 2018-12-04 | Pixart Imaging Inc. | Imaging device having phase detection pixels and regular pixels, and operating method thereof |
KR102375989B1 (ko) * | 2017-08-10 | 2022-03-18 | 삼성전자주식회사 | 화소 사이의 신호 차이를 보상하는 이미지 센서 |
KR20200135305A (ko) * | 2018-03-26 | 2020-12-02 | 소니 주식회사 | 촬상 소자, 촬상 장치, 및 정보 처리 방법 |
JP2020153701A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | ソニー株式会社 | 測距装置 |
CN112866548B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-06-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 相位差的获取方法和装置、电子设备 |
KR20220105850A (ko) * | 2021-01-21 | 2022-07-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
US20240056657A1 (en) * | 2021-02-20 | 2024-02-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Image acquisition device, image acquisition apparatus, image acquisition method and manufacturing method |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4075669B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2008-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2008209761A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Nikon Corp | 焦点検出装置および撮像装置 |
JP5191168B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2013-04-24 | 株式会社ニコン | 焦点検出装置および撮像装置 |
JP5040458B2 (ja) * | 2007-06-16 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP5364995B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2013-12-11 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ |
JP2011221290A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Olympus Corp | 撮像装置及びカメラ |
JP2012003080A (ja) | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Olympus Corp | 撮像装置 |
JP2012182332A (ja) | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Sony Corp | 撮像素子および撮像装置 |
JP2012211942A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5825817B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2015-12-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5956782B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2016-07-27 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP5814626B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
JP2013157883A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Sony Corp | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP2014056014A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Canon Inc | 撮像素子および撮像装置 |
JP6308717B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2018-04-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム |
JP6052057B2 (ja) | 2013-05-22 | 2016-12-27 | ソニー株式会社 | 信号処理装置および信号処理方法、固体撮像装置、並びに、電子機器 |
JP6103301B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2017-03-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015032640A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP6518071B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2019-05-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6598473B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2019-10-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および画像処理装置 |
WO2016194501A1 (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法 |
-
2016
- 2016-04-19 WO PCT/JP2016/062411 patent/WO2016194501A1/ja active Application Filing
- 2016-04-19 JP JP2017521732A patent/JP6812969B2/ja active Active
- 2016-04-19 US US15/576,973 patent/US10672813B2/en active Active
- 2016-04-19 KR KR1020177033940A patent/KR102537009B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-19 CN CN201680030158.0A patent/CN107615484B/zh active Active
-
2020
- 2020-04-23 US US16/857,096 patent/US11437419B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180166487A1 (en) | 2018-06-14 |
KR20180015134A (ko) | 2018-02-12 |
CN107615484A (zh) | 2018-01-19 |
US11437419B2 (en) | 2022-09-06 |
JPWO2016194501A1 (ja) | 2018-03-22 |
CN107615484B (zh) | 2021-12-14 |
WO2016194501A1 (ja) | 2016-12-08 |
US10672813B2 (en) | 2020-06-02 |
US20200251513A1 (en) | 2020-08-06 |
KR102537009B1 (ko) | 2023-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6812969B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の製造方法 | |
JP7171652B2 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
TWI516825B (zh) | 固態成像器件,在固態成像器件中形成微透鏡之方法,以及電子裝置 | |
TWI636557B (zh) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device | |
US11119252B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
JP6103301B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
US20110221947A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2011216896A (ja) | マイクロレンズ付き固体イメージセンサ及び非テレセントリック撮像レンズを備えた光学系 | |
JP2010271419A (ja) | 光学装置及び焦点検出方法 | |
WO2020012860A1 (ja) | 撮像素子および撮像素子の製造方法 | |
JP2023057136A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP2023067935A (ja) | 撮像素子 | |
JP5333493B2 (ja) | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 | |
WO2021149349A1 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP2010192604A (ja) | 裏面照射型撮像素子、その製造方法および撮像装置 | |
JP2009060279A (ja) | 撮像装置 | |
JP5537618B2 (ja) | 撮像装置 | |
KR20100096765A (ko) | 구형 이미지 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201130 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6812969 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |