JP6808266B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
支持基板には、第1の絶縁層の第1の部分に重なる第1の開口部が形成され、接地層には、第1の開口部に重なる第2の開口部が形成されている。
上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第1および第2の開口部が形成される。したがって、第1および第2の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。
(1)サスペンション基板の構造
図1は、第1の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図1において、矢印が向かう方向を前方と呼び、その逆方向を後方と呼ぶ。図1に示すように、サスペンション基板1は、サスペンション本体部として例えばステンレス鋼からなる支持基板10を備える。図1においては、支持基板10は、略前後方向に延びている。
図2(a)は図1のサスペンション基板1のうち一点鎖線で取り囲まれる部分Qの拡大平面図であり、図2(b)は図2(a)のA1−A1線断面図であり、図2(c)は図2(a)のB1−B1線断面図である。また、図3(a)は図2(a)のC1−C1線断面図であり、図3(b)は図2(a)のD1−D1線断面図である。図2(a)に示すように、図1の部分Qでは、書込用配線パターンW1,W2および電源用配線パターンP1がそれぞれ前後方向に延びる。また、書込用配線パターンW1,W2および電源用配線パターンP1が前後方向に直交する方向に並ぶ。
サスペンション基板1の製造方法について説明する。図6〜図11は、図1のサスペンション基板1の製造方法を示す模式的工程断面図である。図6〜図11の各図においては、(a)が図2(a)のC1−C1線断面図に対応し、(b)が図2(a)のD1−D1線断面図に対応する。ここでは、図1のタング部12、複数の接続端子21〜26,31〜36、複数の孔部H、読取用配線パターンR1,R2および電源用配線パターンP2の形成工程についての説明は省略する。
本実施の形態に係るサスペンション基板1においては、書込用配線パターンW1,W2の少なくとも一部と支持基板10との間に接地層50が位置するので、書込用配線パターンW1,W2から支持基板10に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層50により遮断される。それにより、支持基板10における渦電流の発生が低減される。
第2の実施の形態に係るサスペンション基板について、第1の実施の形態に係るサスペンション基板1とは異なる点を説明する。図12(a)は第2の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、図12(b)は図12(a)のA2−A2線断面図であり、図12(c)は図12(a)のB2−B2線断面図である。また、図13(a)は図12(a)のC2−C2線断面図であり、図13(b)は図12(a)のD2−D2線断面図である。図12(a)の平面図ならびに図12(b),(c)および図13(a),(b)の断面図は、図2(a)の平面図ならびに図2(b),(c)および図3(a),(b)の断面図に対応する。図12(a)においては、図2(a)の例と同様に、サスペンション基板1の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。
第3の実施の形態に係るサスペンション基板について、第2の実施の形態に係るサスペンション基板1とは異なる点を説明する。図20(a)は第3の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、図20(b)は図20(a)のA3−A3線断面図であり、図20(c)は図20(a)のB3−B3線断面図である。また、図21(a)は図20(a)のC3−C3線断面図であり、図21(b)は図20(a)のD3−D3線断面図である。図20(a)の平面図ならびに図20(b),(c)および図21(a),(b)の断面図は、図12(a)の平面図ならびに図12(b),(c)および図13(a),(b)の断面図に対応する。図20(a)においては、図12(a)の例と同様に、サスペンション基板1の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。
上記実施の形態では、電源用配線パターンP1,P2は低い周波数帯域を有する電気信号を伝送させるための低周波線路であるが、本発明はこれに限定されない。電源用配線パターンP1,P2を伝送する電気信号の損失がある程度許容される場合には、電源用配線パターンP1,P2に高い周波数帯域を有する電気信号を伝送させてもよい。すなわち、電源用配線パターンP1,P2を高周波線路として用いてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
実施例および比較例として、以下のサスペンション基板を想定する。図22(a)は実施例に係るサスペンション基板の平面図であり、図22(b)は図22(a)のE1−E1線断面図である。また、図23(a)は図22(a)のF1−F1線断面図であり、図23(b)は図22(a)のG1−G1線断面図である。
[7]参考形態
(1)第1の参考形態に係る配線回路基板は、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上の第1の領域に形成されるとともに支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、支持基板上の第1の領域とは異なる第2の領域に形成される第1の絶縁層と、接地層および第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層と、支持基板の第1および第2の領域に重なるように第2の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備える。
その配線回路基板においては、支持基板の第1の領域上に接地層が形成され、支持基板の第2の領域上に第1の絶縁層が形成される。また、接地層上および第1の絶縁層上に第2の絶縁層が形成される。さらに、第1の絶縁層の第1および第2の領域に重なるように第2の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、上部配線パターンに電気信号を伝送させることができる。
上記の構成によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。
また、高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンを伝送する電気信号には、上部配線パターンの線路長に応じた損失が生じる。電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が大きいほど大きく、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。本参考形態に係る配線回路基板においては、支持基板の第1の領域上に接地層が形成され、第2の領域上に第1の絶縁層が形成される。それにより、支持基板、第1の絶縁層および第2の絶縁層の積層方向において、接地層の上面の位置と第1の絶縁層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、接地層および第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。そのため、第2の絶縁層上に上部配線パターンを直線状に形成することができる。したがって、上部配線パターンの配線長が長くなることを抑制することができる。
これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。
(2)上部配線パターンは第1の方向に延び、支持基板は、第1の領域を複数有するとともに、第2の領域を複数有し、複数の第1の領域と複数の第2の領域とは、第1の方向に交互に並んでもよい。
この場合、上部配線パターンが第1の方向に間欠的に並ぶ複数の接地層の部分に重なる。それにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの均一性を向上させることができる。
(3)支持基板の第1の領域の少なくとも一部に第1の開口部が形成され、接地層には、第1の開口部に重なる第2の開口部が形成されてもよい。
上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第1および第2の開口部が形成される。したがって、第1および第2の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。
(4)配線回路基板は、第1の絶縁層上に形成される下部配線パターンをさらに備え、第2の絶縁層は、下部配線パターンを覆うように第1の絶縁層上に形成されてもよい。この場合、下部配線パターンおよび上部配線パターンの各々に電気信号を伝送させることができる。
(5)支持基板はステンレスを含み、接地層は銅を含んでもよい。
この場合、ステンレス鋼により、上部配線パターンを支持するために必要とされる支持基板の十分な剛性を確保することができる。また、ステンレス鋼の表面には不動態皮膜が形成される。それにより、腐食による支持基板の劣化が抑制される。銅はステンレス鋼に比べて高い電気伝導率を有する。それにより、電磁波により接地層に発生する渦電流を小さくすることができる。
(6)配線回路基板は、上部配線パターンを覆うように第2の絶縁層上に形成される第3の絶縁層をさらに備えてもよい。この場合、上部配線パターンが第3の絶縁層により保護される。
(7)第2の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、導電性材料により形成される支持基板上の第1の領域に支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、支持基板上の第1の領域とは異なる第2の領域に第1の絶縁層を形成するステップと、接地層および第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成するステップと、支持基板の第1および第2の領域に重なるように第2の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップとを含む。
その製造方法により得られる配線回路基板においては、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の多くが支持基板に到達することなく接地層により遮断される。また、上部配線パターンを伝送する電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。上記の構成によれば、積層方向における第1の絶縁層の上面の位置と接地層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、第2の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。したがって、上部配線パターンを直線状に形成することができるので、上部配線パターンの配線長が長くなることを抑制することができる。これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。
10 支持基板
10A 第1の領域
10B 第2の領域
11,58 開口部
12 タング部
19 第1の開口部
21〜26,31〜36 接続端子
41 第1の絶縁層
41A 第1の部分
41B 第2の部分
41C 凹部
41D 開口
42 第2の絶縁層
50 接地層
59 第2の開口部
60 第3の絶縁層
90 支持プレート
91 前端領域
92 後端領域
93 中央領域
94 圧電素子実装領域
94h 貫通孔
95,96 圧電素子
d01,d02 寸法
d11 幅
d12,d14 厚み
d13 間隔
L10 配線パターン
L11,L12 線路
P1,P2 電源用配線パターン
R1,R2 読取用配線パターン
W1,W2 書込用配線パターン
Claims (8)
- 導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上に形成され、第1の厚みを有する第1の部分と前記第1の厚みよりも小さい第2の厚みを有する第2の部分とを含む第1の絶縁層と、
前記支持基板に電気的に接続されるように前記第1の絶縁層の前記第2の部分に形成され、前記支持基板よりも高い電気導電率を有する接地層と、
前記接地層を覆うように前記第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の前記第1および第2の部分に重なるように前記第2の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、
前記支持基板には、前記第1の絶縁層の前記第1の部分に重なる第1の開口部が形成され、
前記接地層には、前記第1の開口部に重なる第2の開口部が形成された、配線回路基板。 - 前記上部配線パターンは第1の方向に延び、
前記第1の絶縁層は、前記第1の部分を複数有するとともに、前記第2の部分を複数有し、
前記複数の第1の部分と前記複数の第2の部分とは、前記第1の方向に交互に並ぶ、請求項1記載の配線回路基板。 - 導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上の第1の領域に形成されるとともに前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、
前記支持基板上の第1の領域とは異なる第2の領域に形成される第1の絶縁層と、
前記接地層および前記第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層と、
前記支持基板の前記第1および第2の領域に重なるように前記第2の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、
前記上部配線パターンは第1の方向に延び、
前記支持基板は、前記第1の領域を複数有するとともに、前記第2の領域を複数有し、
前記複数の第1の領域と前記複数の第2の領域とは、前記第1の方向に交互に並び、
前記支持基板の前記第1の領域の少なくとも一部に第1の開口部が形成され、
前記接地層には、前記第1の開口部に重なる第2の開口部が形成された、配線回路基板。 - 前記第1の絶縁層上に形成される下部配線パターンをさらに備え、
前記第2の絶縁層は、前記下部配線パターンを覆うように前記第1の絶縁層上に形成される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の配線回路基板。 - 前記支持基板はステンレスを含み、前記接地層は銅を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の配線回路基板。
- 前記上部配線パターンを覆うように前記第2の絶縁層上に形成される第3の絶縁層をさらに備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の配線回路基板。
- 導電性材料により形成される支持基板上に第1の厚みを有する第1の部分と前記第1の厚みよりも小さい第2の厚みを有する第2の部分とを含む第1の絶縁層を形成するステップと、
前記支持基板に電気的に接続されるように前記第1の絶縁層の前記第2の部分に前記支持基板よりも高い電気導電率を有する接地層を形成するステップと、
前記接地層を覆うように前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の絶縁層の前記第1および第2の部分に重なるように前記第2の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップと、
前記支持基板に、前記第1の絶縁層の前記第1の部分に重なる第1の開口部を形成するステップと、
前記接地層に、前記第1の開口部に重なる第2の開口部を形成するステップとを含む、配線回路基板の製造方法。 - 配線回路基板の製造方法であって、
導電性材料により形成される支持基板上の複数の第1の領域に前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、
前記支持基板上の前記複数の第1の領域とは異なる複数の第2の領域に第1の絶縁層を形成するステップと、
前記接地層および前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成するステップと、
前記支持基板の前記第1および第2の領域に重なるように前記第2の絶縁層上に第1の方向に延びる上部配線パターンを形成するステップとを含み、
前記複数の第1の領域と前記複数の第2の領域とは、前記第1の方向に交互に並び、
前記配線回路基板の製造方法は、
前記支持基板の前記第1の領域の少なくとも一部に第1の開口部を形成するステップと、
前記接地層に、前記第1の開口部に重なる第2の開口部を形成するステップとをさらに含む、配線回路基板の製造方法。
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