JP6806499B2 - Abrasive pad - Google Patents
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Description
本発明は、ガラス基板、ハードディスク基板、シリコンウエハや半導体デバイス等の研磨に利用される研磨パッドに関する。 The present invention relates to a polishing pad used for polishing a glass substrate, a hard disk substrate, a silicon wafer, a semiconductor device, or the like.
光学材料、半導体デバイスやハードディスク基板等の研磨には研磨パッドが用いられる。研磨パッドは、ポリウレタン等の合成樹脂からなる硬質パッドや軟質なスウェードパッド、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の合成繊維からなる不織布等からなり、物性や空隙の分布等によって所定の研磨特性を有する。 A polishing pad is used for polishing optical materials, semiconductor devices, hard disk substrates, and the like. The polishing pad is made of a hard pad made of a synthetic resin such as polyurethane, a soft suede pad, a non-woven fabric made of a synthetic fiber such as polyethylene terephthalate (PET), and has predetermined polishing characteristics depending on physical properties and the distribution of voids.
研磨パッドの表面には、研磨スラリーを拡散させるための溝が形成される場合がある。しかしながら、同一方向に延伸する複数の溝を有する研磨パッドでは、溝間が一定の距離を維持したまま延伸する規則的な形状であり、溝又はランド(溝が形成されていない領域)と被研磨物とが接する箇所が研磨に伴って同期し、局所的に過剰研磨となったり、研磨不足となる場合がある。 Grooves for diffusing the polishing slurry may be formed on the surface of the polishing pad. However, in a polishing pad having a plurality of grooves extending in the same direction, the polishing pad has a regular shape in which the grooves are extended while maintaining a certain distance, and the groove or land (region where the groove is not formed) and the polishing pad are to be polished. The part in contact with the object may be synchronized with the polishing, resulting in local overpolishing or insufficient polishing.
これに対して、例えば特許文献1には、研磨の際に被研磨物を回転させながら、研磨パッドを自転させると同時に公転させることによって同期を防止する研磨装置が開示されている。また、特許文献2には、深さが異なる2種類の溝を有する研磨パッドが開示されており、溝容積を分散させることにより、溝の磨耗による経時変化の抑制が可能とされている。さらに、特許文献3には研磨スラリーによるハイドロプレーンを抑制するために、溝ピッチを不規則にした半導体デバイス加工用の溝付樹脂パッドが開示されている。 On the other hand, for example, Patent Document 1 discloses a polishing device that prevents synchronization by rotating the polishing pad at the same time as rotating the polishing pad while rotating the object to be polished during polishing. Further, Patent Document 2 discloses a polishing pad having two types of grooves having different depths, and it is possible to suppress a change with time due to wear of the grooves by dispersing the groove volume. Further, Patent Document 3 discloses a grooved resin pad for processing a semiconductor device having an irregular groove pitch in order to suppress a hydroplane due to a polishing slurry.
しかしながら、特許文献1に記載の研磨装置や、上定盤と下定盤との回転数をずらして研磨する、被研磨物を保持する保持定盤側を一定範囲内で摺動させる等のように、研磨パッド溝形状の転写を緩和する研磨装置の構造や研磨方法によって対応しようとしても、研磨精度を維持したまま同期(例えば10mm前後の周期的なうねり)を緩和するには更に調整が必要であり、研磨パッドが異なるたびに研磨条件等を調整する必要がある。 However, the polishing apparatus described in Patent Document 1, polishing by shifting the rotation speed between the upper surface plate and the lower surface plate, sliding the holding surface plate side holding the object to be polished within a certain range, and the like. Even if the structure and polishing method of the polishing device that alleviates the transfer of the polishing pad groove shape are used, further adjustment is required to alleviate the synchronization (for example, periodic waviness of about 10 mm) while maintaining the polishing accuracy. Yes, it is necessary to adjust the polishing conditions and the like each time the polishing pad is different.
特許文献2に記載のようにランド幅を一定として溝ごとに溝深さを変更する場合、溝又はランドと被研磨物とが接する箇所が変わらないため、同期による研磨ムラの改善には不充分である。さらには、各溝間で溝深さが異なると、研磨面へのスラリーの供給量が異なり、均一性に悪影響を与える可能性がある。 When the land width is kept constant and the groove depth is changed for each groove as described in Patent Document 2, the groove or the place where the land and the object to be polished do not change, which is insufficient for improving polishing unevenness by synchronization. Is. Furthermore, if the groove depth is different between the grooves, the amount of slurry supplied to the polished surface is different, which may adversely affect the uniformity.
特許文献3においては、ハイドロプレーン現象の抑制については言及しているものの、同期を防止するために溝ピッチをどの程度不規則にするべきかについては記載されていない。 Although Patent Document 3 mentions suppression of the hydroplaning phenomenon, it does not describe how irregular the groove pitch should be in order to prevent synchronization.
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、同一方向に延伸する溝を含むにも関わらず研磨ムラを抑制することが可能な研磨パッドを提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a polishing pad capable of suppressing polishing unevenness even though it includes grooves extending in the same direction.
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る研磨パッドは、研磨面に同一方向に延伸する複数の溝が形成されている。上記複数の溝の幅及び深さは均一であり、上記複数の溝の間の上記研磨面であるランドの、溝の延伸方向に直交する方向の幅であるランド幅について、次の[数式1]で算出される変動係数が0.05以上0.30以下である。
変動係数=(ランド幅の標準偏差)/(ランド幅の平均値)[数式1]
In order to achieve the above object, the polishing pad according to one embodiment of the present invention has a plurality of grooves extending in the same direction formed on the polishing surface. The width and depth of the plurality of grooves are uniform, and the land width of the land which is the polishing surface between the plurality of grooves in the direction orthogonal to the extending direction of the groove is described in the following [Formula 1]. ] The coefficient of variation calculated in] is 0.05 or more and 0.30 or less.
Coefficient of variation = (standard deviation of land width) / (mean value of land width) [Formula 1]
この構成によれば、ランド幅のバラツキを一定範囲内で制御することにより、研磨層と被研磨物の同期による周期的な研磨ムラを効果的に防止することができる。また、溝の幅及び深さを均一とすることにより、溝を流れる研磨スラリーの流量が均一となり、この点でも研磨ムラの発生を抑制することができる。 According to this configuration, by controlling the variation of the land width within a certain range, it is possible to effectively prevent periodic polishing unevenness due to synchronization between the polishing layer and the object to be polished. Further, by making the width and depth of the groove uniform, the flow rate of the polishing slurry flowing through the groove becomes uniform, and the occurrence of polishing unevenness can be suppressed in this respect as well.
上記複数の溝は、上記研磨面において互いに平行に延伸するストライプ溝であってもよい。 The plurality of grooves may be striped grooves extending parallel to each other on the polished surface.
上記研磨面において、上記ストライプ溝が2種類重ね合された格子溝パターンが設けられてもよい。 On the polished surface, a lattice groove pattern in which two types of the stripe grooves are overlapped may be provided.
上記複数の溝は、上記研磨面において同心円状である同心円溝であってもよい。 The plurality of grooves may be concentric grooves that are concentric on the polished surface.
上記研磨面において、上記複数の溝が互いに平行に延伸するストライプ溝から構成された溝パターンが複数設けられてもよい。 On the polished surface, a plurality of groove patterns composed of striped grooves in which the plurality of grooves extend in parallel with each other may be provided.
上記研磨面において、10本以上の上記複数の溝から構成された溝切削パターンが2回以上反復して設けられてもよい。 On the polished surface, a groove cutting pattern composed of 10 or more of the plurality of grooves may be repeatedly provided twice or more.
以上のように、本発明によれば、研磨ムラを抑制することが可能な研磨パッドを提供することが可能である。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a polishing pad capable of suppressing uneven polishing.
本発明の実施形態に係る研磨パッドについて説明する。 The polishing pad according to the embodiment of the present invention will be described.
[研磨パッドの構成]
図1は、本実施形態に係る研磨パッド100を示す斜視図である。同図に示すように、研磨パッド100は、研磨層101、接着層102及びクッション層103を具備する。以下、各図において、相互に直交する三方向をX方向、Y方向及びZ方向とする。
[Structure of polishing pad]
FIG. 1 is a perspective view showing a
研磨層101は、被研磨物に当接し、研磨を行う層である。以下、研磨層101の表面を研磨面101aとする。研磨面101aには溝101bが形成されている。研磨面101aのうち、溝101bの間の領域をランド101cとする。溝101b及びランド101cの詳細については後述する。
The
研磨層101の材料は特に限定されず、ポリウレタン樹脂等の合成樹脂からなるものとすることができる。ポリウレタン樹脂は例えば、イソシアネート化合物であるプレポリマーと、ポリオール系硬化剤又はポリアミン系硬化剤を混合したものとすることができる。研磨層101には、研磨特性を改善するための気泡等が形成されていてもよい。気泡は中空微粒子を用いた発泡、化学的発泡又は機械的発泡等を利用して形成することができ、湿式成膜法によって涙型気泡を形成してもよい。また、研磨層101の材料はポリウレタン樹脂に限定されず、公知の材料からなるものとすることができる。例えば、不織布や織布、編布からなるものとしてもよく、不織布等の基材にポリウレタン樹脂等の合成樹脂を含浸させたものとしてもよく、公知の砥粒、顔料、染料、添加剤等を含むものであってもよい。しかし、研磨層102のショアA硬度が20以上、好ましくは60以上であれば、後述の溝及びランドの構成が研磨時に変化しにくくなり、安定して本発明の効果が得られる傾向にある。一方、研磨層102のショアD硬度が99以下、好ましくは80以下であれば、過度のスクラッチを抑制できる傾向にある。
The material of the
接着層102は、研磨層101とクッション層103を接着する層であり、例えば粘着テープである。
The
クッション層103は、研磨層101の被研磨物への当接を均一化させる層である。クッション層103は、不織布や合成樹脂等の可撓性を有する材料からなるものとすることができる。もちろん、硬質な支持層を有していてもよい。
The
研磨パッド100は、クッション層103に配設された粘着テープ等によって研磨装置に貼付される。研磨パッド100の大きさ(径)は研磨装置のサイズ等に応じて決定することができ、例えば、直径10cm〜2m程度の円板状とすることができる。なお、研磨パッド100の形状は円板状に限られず、矩形状や帯状等であってもよい。
The
また、研磨パッド100は、少なくとも研磨層101を備えるものであればよく、接着層102及びクッション層103を備えないものや研磨層101が直接クッション層103に積層されたものであってもよい。
Further, the
研磨パッド100は、研磨装置によって被研磨物に押圧された状態で回転駆動され、被研磨物を研磨する。その際、研磨パッド100と被研磨物の間には、研磨スラリーが供給される。研磨スラリーは溝101bを介して研磨面101aに供給され、排出される。
The
[溝及びランドの構成について]
図2は研磨層101の平面図であり、図3は、研磨層101の模式的な拡大平面図である。図4は研磨層101の断面図であり、図5は研磨層101の模式的断面図である。
[Regarding the composition of grooves and lands]
FIG. 2 is a plan view of the
図2に示すように、研磨面101aには同一方向に延伸する複数の溝101bが形成されている。溝101bは研磨面101aにおいて互いに平行に延伸するストライプ溝とすることができる。図3において、溝101bの延伸方向を線L1として示し、溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向を線L2として示す。溝101bの本数は特に限定されない。
As shown in FIG. 2, a plurality of
図4に示すように、溝101bは研磨層101において研磨面101aから一定の深さまで形成されている。溝101bの断面形状は特に限定されないが、図4に示すように矩形状とすることができる。
As shown in FIG. 4, the
図5に示すように、溝101bの幅を溝幅D1とし、溝101bの研磨面101aからの深さを溝深さH1とする。なお、溝幅D1は、溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向(線L2)に沿った幅である。ここで、それぞれの溝101bにおいて溝幅D1及び溝深さH1は均一であり、複数の溝101bの間でも溝幅D1及び溝深さH1は均一である。
As shown in FIG. 5, the width of the
また、図3及び図5に示すように、ランド101cの、溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向(線L2)に沿った幅をランド幅D2とする。
Further, as shown in FIGS. 3 and 5, the width of the
本実施形態に係る研磨層101においては、以下の[数式1]で算出される変動係数(CV:coefficient of variation)が0.05以上0.30以下となるように構成されている。
The
変動係数=(ランド幅D2の標準偏差)/(ランド幅D2の平均値)[数式1] Coefficient of variation = (standard deviation of land width D2) / (mean value of land width D2) [Formula 1]
上記のように、変動係数は標準偏差の単位を平均値で割ることで無次元化されており、ランド幅D2の平均値に依存せずに適用することができる。変動係数を増加させるには、各ランド幅D2間のバラツキ(標準偏差)を大きくすればよく、減少させるにはバラツキ(標準偏差)を小さくすればよい。ランド幅D2に特に制限はないが、研磨レート等を考慮すると、0.3mm以上30mm以下の範囲内で設定することが好ましく、0.5mm以上20mm以下であればより好ましく、1.0mm以上10mm以下であればさらに好ましい。 As described above, the coefficient of variation is made dimensionless by dividing the unit of standard deviation by the average value, and can be applied independently of the average value of the land width D2. To increase the coefficient of variation, the variation (standard deviation) between the land widths D2 may be increased, and to decrease it, the variation (standard deviation) may be decreased. The land width D2 is not particularly limited, but in consideration of the polishing rate and the like, it is preferably set within the range of 0.3 mm or more and 30 mm or less, more preferably 0.5 mm or more and 20 mm or less, and 1.0 mm or more and 10 mm. The following is more preferable.
変動係数を0.05以上0.30以下とし、即ちランド幅D2のバラツキを一定範囲内で制御することにより、研磨層101と被研磨物の同期(研磨層101の特定箇所が被研磨物の特定箇所に摺動し続けること)による周期的な研磨ムラを効果的に防止することができ、同期の防止とランド幅D2のバラツキによる研磨ムラ抑制の両立が可能となる。なお、ランド幅D2のバラツキによる研磨ムラをより確実に抑制する観点から、変動係数を0.05以上0.20以下とすることが好ましい。また、溝パターンを構成する溝101bの数は、スラリーの拡散性や同期の防止を考慮すると10本以上とすることが好ましく、20本以上であるとより好ましい。
By setting the coefficient of variation to 0.05 or more and 0.30 or less, that is, by controlling the variation of the land width D2 within a certain range, the
各ランド幅D2間のバラツキについては、規則性を排した方が本発明の効果をより確実に得られるが、工業的には、例えば5本、10本又は20本の不規則なランド幅D2を有する溝切削パターンを2回以上反復して設けることで製造コストを抑えることができる。ここで、より確実に規則性を排して同期を防止するために、溝の繰り返しの最小単位は10本以上とすることが好ましい。同様の理由により、溝の繰り返しの最小単位の幅は50mm以上とすることが好ましい。 Regarding the variation between the land widths D2, the effect of the present invention can be obtained more reliably by eliminating the regularity, but industrially, for example, an irregular land width D2 of 5, 10, or 20 lines is obtained. The manufacturing cost can be suppressed by repeatedly providing the groove cutting pattern having the above two times or more. Here, in order to more reliably eliminate regularity and prevent synchronization, it is preferable that the minimum unit for repeating the groove is 10 or more. For the same reason, the width of the minimum unit of repeating the groove is preferably 50 mm or more.
加えて、溝幅D1及び溝深さH1をそれぞれ均一とすることにより、各々の溝101bにおいて、研磨スラリーの流量や流速が均一化し、この点でも研磨ムラの発生を抑制することができる。例えば、溝幅D1や溝深さH1は、いずれも平均値±0.2mmの範囲内、より好ましくは平均値±0.1mmの範囲内であれば本発明の効果をより確実に得ることができる。溝幅D1に特に制限はないが、スラリーの流動性や研磨レート等を考慮すると、0.2mm以上10mm以下の範囲内で設定することが好ましく、0.2mm以上5mm以下であればより好ましく、0.3mm以上3mm以下であればさらに好ましい。溝深さH1においても特に制限はないが、スラリーの流動性や研磨レート等を考慮すると、0.5mm以上3mm以下範囲内で設定することが好ましい。なお、本発明は、研磨スラリーを大量に流して高研磨圧で研磨する一次研磨(粗研磨)に特に有効である。
In addition, by making the groove width D1 and the groove depth H1 uniform, the flow rate and the flow velocity of the polishing slurry are made uniform in each
研磨層101と被研磨物の同期の抑制とランド幅D2のバラツキによる研磨ムラの抑制を両立する観点から、ランド幅D2のバラツキを一定の範囲内に収めることが好ましい。具体的には、複数の溝のランド幅D2の最大値D2max、最小値D2minに対し、その比であるD2max/D2minが1.1以上3.0以下であることが好ましく、1.1以上2.0以下であることがより好ましい。同様の理由で、D2maxはD2の平均値の2倍未満であることが好ましく、D2minはD2の平均値の半分超過であることが好ましい。
From the viewpoint of suppressing the synchronization between the
溝幅D1及びランド幅D2はノギスを用いて測定することができ、各々の溝又はランド対して、溝の交点部や貫通孔加工部、気泡部等を除いた箇所を測定して得ることができる。研磨層が軟質である等の理由によりノギスを用いることができない場合は、研磨面の画像から画像解析してもよく、試料を研磨面に対して垂直且つ溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向(線L2)に裁断した断面の画像から画像解析してもよく、レーザー変位計を用いてもよい。なお、溝の断面形状が台形等の斜面を含む場合は、研磨面表面における数値を溝幅D1又はランド幅D2とする。領域内の全ての溝について溝幅D1及びランド幅D2を測定し、前記[数式1]を適用することで、当該領域における変動係数CVを算出することができる。ここで、複数の溝101bが好ましくは10本以上、より好ましくは20本以上有する領域において変動係数CVが0.05以上0.30以下であれば、より確実に同期と研磨ムラ防止の両立ができる。溝深さH1は、試料を研磨面に対して垂直に裁断した断面の画像から画像解析して算出できるが、レーザー変位計を用いてもよい。各々の溝に対して、貫通孔加工部、気泡部等を除いた箇所を測定して得ることができる。なお、溝の断面形状が台形等の斜面を含む場合は、最も深い場所における数値を溝深さH1とする。例えば、溝の断面形状が台形であれば、上底から下底までの高さが溝深さH1であり、V字状やU字状であれば、上底から底部の頂点までの高さが溝深さH1である。測定箇所は、溝幅D1やランド幅D2、溝深さH1が測定できればよく、例えば、複数の溝の延伸方向に直交する方向の仮想直線上を目安に、溝の交点部や貫通孔加工部、気泡部等を除いた箇所とすることができる。
The groove width D1 and the land width D2 can be measured using a caliper, and can be obtained by measuring each groove or land except for the intersection of the grooves, the through hole processing portion, the bubble portion, and the like. it can. If the caliper cannot be used because the polishing layer is soft or the like, image analysis may be performed from the image of the polishing surface, and the sample is perpendicular to the polishing surface and in the stretching direction of the
[溝の形状について]
溝101bの形状は、上述のようなストライプ溝に限られない。図6乃至図8は、溝101bの各種形状を示す、研磨層101の平面図である。
[About the shape of the groove]
The shape of the
図6に示すように、溝101bは研磨面101aにおいて同心円状である同心円溝とすることもできる。この形状においてはランド幅D2は同心円溝の中心を通過する直線に沿った幅となる。研磨層101の形状は同図に示すような円板状に限られず、矩形状等であってもよい。この他にも溝101bの形状は同心円弧状や波線状であってもよく、所望の研磨条件に応じて設定することができる。また、溝101bに更に別の溝が重ね合わされていてもよい。例えば、同心円溝と放射溝が組み合わされた溝形状でもよく、2種類のストライプ溝が組み合わされた格子状であってもよい。同心円溝と放射溝が組み合わされた溝を例に挙げると、同心円溝の変動係数を0.05以上0.30以下とすることで、同心円溝に由来する周期的な研磨ムラを効果的に防止することができる。格子状溝のような、2種類以上の同一方向に延伸する溝が組み合わされた溝とする場合、少なくとも1種類の溝の変動係数を0.05以上0.30以下とすることで周期的な研磨ムラを抑制することができるが、好ましくはいずれの溝も変動係数を0.05以上0.30以下とすることで周期的な研磨ムラを効果的に防止することができる。
As shown in FIG. 6, the
また、図7及び図8に示すように研磨パッド100は、研磨面101aにおいて溝パターンが複数設けられた構成とすることもできる。溝パターンは、溝101bが互いに平行に延伸するストライプ溝とすることができる。また、溝パターンは円弧状や波線状の溝101bから構成された溝パターンであってもよい。
Further, as shown in FIGS. 7 and 8, the
さらに、研磨パッド100は複数が組み合わされてもよい。一般的な研磨工程では、複数の研磨パッドを帯状、タイル状、同心状等に組み合わせて使用されることがある。本発明の研磨パッドは、このような使用方法にも適用することができる。例えば、溝が繋がるように配することで大型の研磨装置に対応させることができる。
Further, a plurality of polishing
図7及び図8に示す研磨パッドは、複数の研磨パッド100をタイル状に配して形成することもでき、図7に示すようにストライプ溝が形成された複数の研磨パッド100をタイル状に配して擬似的な放射溝とすることができる。同図では正方形の研磨パッド100をタイル状に配した例を挙げたが、扇形の研磨パッド100を円形になるように配してもよい。
The polishing pads shown in FIGS. 7 and 8 can be formed by arranging a plurality of polishing
また、図8に示すように、ストライプ溝が形成された複数の研磨パッド100を異なる角度でタイル状に配してもよい。研磨パッド100の形状や使用時の配置については所望の研磨条件に応じて設定することができる。
Further, as shown in FIG. 8, a plurality of polishing
複数の研磨パッド100の間隔も所望の研磨条件に応じて設定することができる。例えば図7に示すように、溝101bはランド101cによって離間していてもよく、図8に示すように隣接する研磨パッド100の間で互いに接していてもよい。複数の研磨パッド100を互いに接するように配すると、その接合部にわずかな段差が生じ、研磨に悪影響を与える場合がある。複数の研磨パッド100全体をドレス処理する等の手段により段差を解消してもよく、接合部を切削処理してもよく、研磨パッド100を離間して配してもよい。
The interval between the plurality of polishing
研磨パッド100は、変動係数が0.05以上0.30以下である同一方向に延伸する複数の溝101bを含んでいればよく、その領域に対して本発明の効果が得られる。例えば、特に研磨精度が要求される領域にのみ変動係数が0.05以上0.30以下となるよう溝を形成してもよい。1つの実施形態としては、研磨面101aの中央部領域にのみ変動係数が0.05以上0.30以下となる溝101bを有し、端部領域には溝を有さない研磨パッド100が挙げられる。別の実施形態としては、研磨面101aの中央部領域に変動係数が0.05以上0.30以下となるように溝を形成し、端部領域には等間隔(変動係数が0.00)となるように溝が形成された研磨パッド100が挙げられる。ここで、複数の溝101bが好ましくは10本以上、より好ましくは20本以上有する領域において変動係数CVが0.05以上0.30以下であれば、より確実に同期の防止ができる。
The
[溝の形成方法について]
研磨層101に溝101bを形成する方法は特に限定されないが、刃が並列に配列された切削具によって研磨層101を切削することによって溝101bを形成することができる。刃の間に配置されるスペーサーの厚さや枚数及び組合せなどによって刃の間隔を調整することができ、変動係数を上記範囲とすることが可能である。または、エンボス加工によって溝101bを形成しても良い。
[How to form a groove]
The method for forming the
実施例に係る研磨パッド及び比較例に係る研磨パッドに対して、片面研磨装置を使用して次の条件で研磨試験を行った。研磨試験後に被研磨物の研磨面に高輝度ハロゲンランプを照射して、陰影や質感の異なる研磨ムラの部分の有無について目視にて外観評価をした。 The polishing pad according to the example and the polishing pad according to the comparative example were subjected to a polishing test under the following conditions using a single-sided polishing apparatus. After the polishing test, the polished surface of the object to be polished was irradiated with a high-intensity halogen lamp, and the appearance was visually evaluated for the presence or absence of shadows and uneven polishing with different textures.
研磨速度(回転数):30rpm
加工圧力:80g/cm2
研磨スラリー:酸化セリウムスラリー
研磨パッド:フジボウ愛媛株式会社製 POLYPAS FX-7L
被研磨物:ガラス板(400mm×400mm)
研磨時間:30min
枚数:1枚×3バッチ
Polishing speed (rotation speed): 30 rpm
Processing pressure: 80 g / cm 2
Polishing slurry: Cerium oxide slurry Polishing pad: Made by Fujibo Ehime Co., Ltd. POLYPAS FX-7L
Object to be polished: Glass plate (400 mm x 400 mm)
Polishing time: 30 min
Number of sheets: 1 sheet x 3 batches
下記[表1]は、実施例及び比較例に係る研磨パッドの構成を示す表である。実施例に係る研磨パッドは、上記実施形態に示す直線溝からなるストライプ溝を有する直径1200mmの円形研磨層を備え、上記[数式1]で示す変動係数(CV)がそれぞれ0.052、0.097、0.198及び0.297のものを準備した。比較例に係る研磨パッドは、直線溝からなるストライプ溝を有する研磨層を備え、上記[数式1]で示す変動係数がそれぞれ0.008及び0.694のものを準備した。具体的には、溝幅2.0mm、溝深さ1.0mm、平均ランド幅4.0mm、10本の溝を20回繰り返した計200本の直線溝からなるストライプ溝とし、表1に記載したようにランド幅を形成することで実施例及び比較例に係る研磨パッドを作成した。 The following [Table 1] is a table showing the configurations of polishing pads according to Examples and Comparative Examples. The polishing pad according to the embodiment includes a circular polishing layer having a diameter of 1200 mm having stripe grooves formed by the straight grooves shown in the above embodiment, and the coefficient of variation (CV) shown in the above [Formula 1] is 0.052 and 0, respectively. Those of 097, 0.198 and 0.297 were prepared. The polishing pad according to the comparative example was provided with a polishing layer having a striped groove composed of a straight groove, and those having a coefficient of variation shown in the above [Formula 1] of 0.008 and 0.694 were prepared, respectively. Specifically, a striped groove consisting of a total of 200 straight grooves in which a groove width of 2.0 mm, a groove depth of 1.0 mm, an average land width of 4.0 mm, and 10 grooves are repeated 20 times is shown in Table 1. By forming the land width as described above, the polishing pads according to the examples and the comparative examples were prepared.
比較例1に係る研磨パッド(CV=0.008)では、研磨ムラが確認された。また、比較例2に係る研磨パッド(CV=0.694)では、研磨ムラが確認された。これに対し、実施例に係る研磨パッド(CV=0.052、CV=0.097、CV=0.198、CV=0.297)では研磨ムラは発生しなかった。 In the polishing pad (CV = 0.008) according to Comparative Example 1, polishing unevenness was confirmed. Further, in the polishing pad (CV = 0.694) according to Comparative Example 2, uneven polishing was confirmed. On the other hand, the polishing pads (CV = 0.052, CV = 0.097, CV = 0.198, CV = 0.297) according to the examples did not cause uneven polishing.
以上から、変動係数(CV)が0.05以上0.30以下である研磨パッドは、研磨ムラを抑制することが可能であるといえる。 From the above, it can be said that a polishing pad having a coefficient of variation (CV) of 0.05 or more and 0.30 or less can suppress polishing unevenness.
100…研磨パッド
101…研磨層
101a…研磨面
101b…溝
101c…ランド
102…接着層
103…クッション層
100 ...
Claims (5)
前記複数の溝の幅及び深さは均一であり、
前記複数の溝の間の前記研磨面であるランドの、溝の延伸方向に直交する方向の幅であるランド幅について、次の[数式1]で算出される変動係数が0.05以上0.30以下である、
研磨パッド。
変動係数=(ランド幅の標準偏差)/(ランド幅の平均値)[数式1] A polishing pad in which a plurality of grooves extending in the same direction are formed on the polishing surface.
The width and depth of the plurality of grooves are uniform and
The coefficient of variation calculated by the following [Formula 1] is 0.05 or more and 0. 30 or less,
Polishing pad.
Coefficient of variation = (standard deviation of land width) / (mean value of land width) [Formula 1]
前記複数の溝は、前記研磨面において互いに平行に延伸するストライプ溝である
研磨パッド。 The polishing pad according to claim 1.
The plurality of grooves are striped grooves extending in parallel with each other on the polishing surface. A polishing pad.
前記研磨面において、前記ストライプ溝が2種類重ね合された格子溝パターンが設けられた
研磨パッド。 The polishing pad according to claim 2.
A polishing pad provided with a lattice groove pattern in which two types of stripe grooves are superposed on the polishing surface.
前記複数の溝は、前記研磨面において同心円状である同心円溝である
研磨パッド。 The polishing pad according to claim 1.
The plurality of grooves are polishing pads that are concentric grooves on the polishing surface.
前記研磨面において、前記複数の溝が互いに平行に延伸するストライプ溝から構成された溝パターンが複数設けられた
研磨パッド。 The polishing pad according to claim 1, wherein a plurality of groove patterns composed of stripe grooves in which the plurality of grooves extend in parallel with each other are provided on the polishing surface.
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