JP6778069B2 - Manufacturing method of solar cell module and solar cell module - Google Patents

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Description

本開示は、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法に関する。 The present disclosure relates to a solar cell module and a method for manufacturing a solar cell module.

特許文献１には、太陽電池モジュールが記載されている。太陽電池モジュールは、複数の光起電力素子（光電変換層）を有している。複数の光起電力素子は、相互に間隔を空けて並んで配置されている。また、光起電力素子には、正極の電極および負極の電極が設けられている。例えば正極の電極が光起電力素子の表面に設けられ、負極の電極が光起電力素子の裏面に設けられる。各光起電力素子の正極の電極は、隣り合う光起電力素子の負極の電極と電気的に接続される。つまり、複数の光起電力素子は互いに直列に接続されている。 Patent Document 1 describes a solar cell module. The solar cell module has a plurality of photovoltaic elements (photoelectric conversion layers). A plurality of photovoltaic elements are arranged side by side at intervals from each other. Further, the photovoltaic element is provided with a positive electrode and a negative electrode. For example, the positive electrode is provided on the front surface of the photovoltaic element, and the negative electrode is provided on the back surface of the photovoltaic element. The positive electrode of each photovoltaic element is electrically connected to the electrode of the negative electrode of the adjacent photovoltaic element. That is, a plurality of photovoltaic elements are connected in series with each other.

複数の光起電力素子のうち、一方の端に位置する光起電力素子からは、例えば負極の電極が外側に延在しており、この延在部に、取り出し電極が電気的に接続されている。同様に、複数の光起電力素子のうち、他方に位置する光起電力素子からは、例えば正極の電極が外側に延在しており、この延在部に、取り出し電極が電気的に接続されている。 From the photovoltaic element located at one end of the plurality of photovoltaic elements, for example, the electrode of the negative electrode extends outward, and the extraction electrode is electrically connected to this extending portion. There is. Similarly, of the plurality of photovoltaic elements, for example, the electrode of the positive electrode extends outward from the photovoltaic element located on the other side, and the extraction electrode is electrically connected to this extending portion. ing.

特開２００６−１６５１６９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-165169

平面視において、光電変換層が広いほど、太陽電池モジュールの発電量を向上することができる。 In a plan view, the wider the photoelectric conversion layer, the more the power generation amount of the solar cell module can be improved.

そこで本開示は、発電量を向上できる太陽電池モジュールを提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present disclosure is to provide a solar cell module capable of improving the amount of power generation.

太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法が開示される。一実施の形態において、太陽電池モジュールは、基板と、第１電極と、第１導体と、第１光電変換層と、第２電極とを備える。第１電極は、基板の上に位置する。第１導体は、第１電極に接続される。第１光電変換層は、第１電極の上に位置しつつ、第１導体と接する。第２電極は、第１光電変換層に接続される。第１光電変換層は、第１電極の上に位置する半導体層を備える。第１導体は、配線と、当該配線と第１電極との間に介在し、半導体層と接する接続部材とを有する。
一実施の形態において、太陽電池モジュールは、基板と、第１電極と、第１導体と、第１光電変換層と、第２電極とを備え、下地層をさらに備える。第１電極は、基板の上に位置する。第１導体は、第１電極に接続される。第１光電変換層は、第１電極の上に位置しつつ、第１導体と接する。第２電極は、第１光電変換層に接続される。下地層は第１電極と基板との間に位置する。導体は、配線と、接続部材とを有する。接続部材は、配線と下地層との間に介在し、第１電極を貫通しつつ第１電極に接する。 A solar cell module and a method for manufacturing the solar cell module are disclosed. In one embodiment, the solar cell module comprises a substrate, a first electrode, a first conductor, a first photoelectric conversion layer, and a second electrode. The first electrode is located on the substrate. The first conductor is connected to the first electrode. The first photoelectric conversion layer is in contact with the first conductor while being located on the first electrode. The second electrode is connected to the first photoelectric conversion layer. The first photoelectric conversion layer includes a semiconductor layer located on the first electrode. The first conductor has a wiring and a connecting member that is interposed between the wiring and the first electrode and is in contact with the semiconductor layer.
In one embodiment, the solar cell module includes a substrate, a first electrode, a first conductor, a first photoelectric conversion layer, a second electrode, and further includes a base layer. The first electrode is located on the substrate. The first conductor is connected to the first electrode. The first photoelectric conversion layer is in contact with the first conductor while being located on the first electrode. The second electrode is connected to the first photoelectric conversion layer. The base layer is located between the first electrode and the substrate. The conductor has a wiring and a connecting member. The connecting member is interposed between the wiring and the base layer, penetrates the first electrode, and comes into contact with the first electrode.

一実施の形態において、太陽電池モジュールの製造方法は、第１工程から第３工程を備える。第１工程においては、基板の上に第１電極を形成する。第２工程においては、第１工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、接続部材が配線と第１電極との間に介在するように、第１電極の上に形成する。第３工程においては、第２工程の後に、第１電極の上に、接続部材と接する半導体層を形成して光電変換層を形成する。
一実施の形態において、太陽電池モジュールを製造する方法は第１工程から第４工程を備える。第１工程においては、基板の上に下地層を形成する。第２工程においては、第１工程の後に、下地層の上に第１電極を形成する。第３工程においては、第２工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、接続部材が配線と下地層との間に介在しつつ第１電極と接触するように、第１電極の一部を除去しつつ下地層の上に形成する。第４工程においては、第３工程の後に、第１電極の上に、第１導体と接するように、光電変換層を形成する。
In one embodiment, the method for manufacturing a solar cell module includes a first step to a third step. In the first step, the first electrode is formed on the substrate. In the second step, after the first step, a first conductor including the wiring and the connecting member is formed on the first electrode so that the connecting member is interposed between the wiring and the first electrode . In the third step, after the second step, a semiconductor layer in contact with the connecting member is formed on the first electrode to form a photoelectric conversion layer.
In one embodiment, the method of manufacturing a solar cell module comprises first to fourth steps. In the first step, a base layer is formed on the substrate. In the second step, after the first step, the first electrode is formed on the base layer. In the third step, after the second step, the first conductor including the wiring and the connecting member is of the first electrode so that the connecting member comes into contact with the first electrode while interposing between the wiring and the base layer. It is formed on the base layer while removing a part. In the fourth step, after the third step, a photoelectric conversion layer is formed on the first electrode so as to be in contact with the first conductor.

太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法によれば、発電量を向上できる。 According to the solar cell module and the method of manufacturing the solar cell module, the amount of power generation can be improved.

太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows typically an example of the structure of a solar cell module. 太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the solar cell module. 太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the end part of a solar cell module. 太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the end part of a solar cell module. 太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the end part of a solar cell module. 太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the end part of a solar cell module. 太陽電池モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of a solar cell module. 太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the end part of a solar cell module. 太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the solar cell module. 太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the end part of a solar cell module. 太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the end part of a solar cell module.

実施の形態．
以下、実施形態の各例ならびに各種変形例を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズ及び位置関係などは適宜変更され得る。 Embodiment.
Hereinafter, each example of the embodiment and various modifications will be described with reference to the drawings. In the drawings, parts having the same configuration and function are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted in the following description. In addition, the drawings are schematically shown, and the size and positional relationship of various structures in each drawing can be changed as appropriate.

＜太陽電池モジュール＞
図１から図４は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す図である。図１は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図２から図４は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す断面図である。図２では、太陽電池モジュール１００の中央付近の断面が示されている。図３では、太陽電池モジュール１００の一方の端付近の断面が示されており、図４では、太陽電池モジュール１００の他方の端付近の断面が示されている。 <Solar cell module>
1 to 4 are diagrams schematically showing an example of the configuration of the solar cell module 100. FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of the solar cell module 100, and FIGS. 2 to 4 are cross-sectional views schematically showing an example of the configuration of the solar cell module 100. FIG. 2 shows a cross section of the solar cell module 100 near the center. FIG. 3 shows a cross section of the solar cell module 100 near one end, and FIG. 4 shows a cross section of the solar cell module 100 near the other end.

図１から図４に示すように、太陽電池モジュール１００は、基板１と、複数の光電変換セル１０と、導体３１，３２とを備えている。 As shown in FIGS. 1 to 4, the solar cell module 100 includes a substrate 1, a plurality of photoelectric conversion cells 10, and conductors 31 and 32.

＜太陽電池モジュールの概要＞
基板１は、複数の光電変換セル１０を支持するものである。基板１に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。例えば、金属製の基板上に絶縁性の被膜が被覆されたものが、基板１として採用されても良い。 <Overview of solar cell module>
The substrate 1 supports a plurality of photoelectric conversion cells 10. As the main material contained in the substrate 1, for example, glass, ceramics, resin, metal and the like can be adopted. For example, a metal substrate coated with an insulating coating may be adopted as the substrate 1.

図１から図４には、ＸＹＺ座標が付記されている。このＸＹＺ座標において、Ｘ軸およびＹ軸は基板１の上面に平行に配置され、Ｚ軸は基板１の上面に垂直に配置されている。以下では、＋Ｚ側を上とも呼び、−Ｚ側を下とも呼ぶ。 XYZ coordinates are added to FIGS. 1 to 4. In the XYZ coordinates, the X-axis and the Y-axis are arranged parallel to the upper surface of the substrate 1, and the Z-axis is arranged perpendicular to the upper surface of the substrate 1. In the following, the + Z side is also referred to as the upper side, and the −Z side is also referred to as the lower side.

基板１の形状は、例えば平板状であれば良く、基板１の＋Ｚ側の一主面（上面）は略平坦であれば良い。基板１の厚さは、例えば、１ｍｍ以上で且つ３ｍｍ以下程度であってよい。 The shape of the substrate 1 may be, for example, a flat plate, and one main surface (upper surface) on the + Z side of the substrate 1 may be substantially flat. The thickness of the substrate 1 may be, for example, 1 mm or more and about 3 mm or less.

複数の光電変換セル１０は、例えば、Ｙ軸方向において並んで配されている。光電変換セル１０の数は特に制限されず、適宜に設定され得る。光電変換セル１０の各々は、外部から入射された光（例えば太陽光、以下、外光とも呼ぶ）を電力に変換し、当該電力を出力する。光電変換セル１０の各々は、後述の積層半導体４を備えており、この積層半導体４が実質的な光電変換の機能を実現する。 The plurality of photoelectric conversion cells 10 are arranged side by side in the Y-axis direction, for example. The number of photoelectric conversion cells 10 is not particularly limited and may be set as appropriate. Each of the photoelectric conversion cells 10 converts light incident from the outside (for example, sunlight, hereinafter also referred to as external light) into electric power, and outputs the electric power. Each of the photoelectric conversion cells 10 includes a laminated semiconductor 4 described later, and the laminated semiconductor 4 realizes a substantial photoelectric conversion function.

複数の積層半導体４の各々には、電極２１，２２が接続されている。積層半導体４において生成された電力は、電極２１，２２から出力される。図２に例示するように、電極２１，２２は積層半導体４を、Ｚ軸方向において挟んでいてもよい。例えば、電極２１は積層半導体４の−Ｚ側の一主面（下面）と接し、電極２２は積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）に接していてもよい。つまり、積層半導体４は電極２１の上に位置し、電極２２は積層半導体４の上に位置していてもよい。 Electrodes 21 and 22 are connected to each of the plurality of laminated semiconductors 4. The electric power generated in the laminated semiconductor 4 is output from the electrodes 21 and 22. As illustrated in FIG. 2, the electrodes 21 and 22 may sandwich the laminated semiconductor 4 in the Z-axis direction. For example, the electrode 21 may be in contact with one main surface (lower surface) on the −Z side of the laminated semiconductor 4, and the electrode 22 may be in contact with one main surface (upper surface) on the + Z side of the laminated semiconductor 4. That is, the laminated semiconductor 4 may be located on the electrode 21, and the electrode 22 may be located on the laminated semiconductor 4.

なお、積層半導体４において生成された電力が、電極２１，２２から出力されることから、光電変換セル１０は、積層半導体４のみならず、電極２１，２２を備えている、と考えることができる。以下では、電極２１，２２を光電変換セル１０に含めて説明する。 Since the electric power generated in the laminated semiconductor 4 is output from the electrodes 21 and 22, it can be considered that the photoelectric conversion cell 10 includes not only the laminated semiconductor 4 but also the electrodes 21 and 22. .. Hereinafter, the electrodes 21 and 22 will be described by including them in the photoelectric conversion cell 10.

図２の例においては、ある光電変換セル１０の電極２１は、当該光電変換セル１０と隣り合う光電変換セル１０の電極２２と、電気的に接続されている。つまり、複数の光電変換セル１０は電極２１，２２によって、相互に直列に接続される。 In the example of FIG. 2, the electrode 21 of a certain photoelectric conversion cell 10 is electrically connected to the electrode 22 of the photoelectric conversion cell 10 adjacent to the photoelectric conversion cell 10. That is, the plurality of photoelectric conversion cells 10 are connected in series with each other by the electrodes 21 and 22.

図３に示すように、−Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２２は、導体３１に電気的に接続されており、図４に示すように、＋Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２１は、導体３２に接続されている。 As shown in FIG. 3, the electrode 22 of the photoelectric conversion cell 10 located at the −Y side end is electrically connected to the conductor 31, and as shown in FIG. 4, the photoelectric conversion cell 10 located at the + Y side end is electrically connected. The electrode 21 of the conversion cell 10 is connected to the conductor 32.

このように、光電変換セル１０は、導体３１，３２の間において、相互に直列に接続される。導体３１，３２は、複数の光電変換セル１０の一組から電力を取りだすための出力用の配線として機能する。つまり、導体３１，３２は太陽電池モジュール１００の電力取り出し用の配線（出力用の配線）として機能する。 In this way, the photoelectric conversion cells 10 are connected in series with each other between the conductors 31 and 32. The conductors 31 and 32 function as output wiring for extracting electric power from a set of a plurality of photoelectric conversion cells 10. That is, the conductors 31 and 32 function as wiring for power extraction (wiring for output) of the solar cell module 100.

なお、本開示の太陽電池モジュール１００では、導体３１，３２が太陽電池モジュール１００の端部に位置している例を示しているが、太陽電池モジュール１００から取り出すべき電圧に応じて、導体３１，３２は、複数の光電変換セル１０同士の間に位置していてもよい。 In the solar cell module 100 of the present disclosure, an example is shown in which the conductors 31 and 32 are located at the end of the solar cell module 100, but the conductors 31 and 32 depend on the voltage to be taken out from the solar cell module 100. 32 may be located between the plurality of photoelectric conversion cells 10.

＜光電変換セル１０の各構成＞
＜電極２１＞
図２の例においては、基板１の上には、複数の電極２１が位置している。複数の電極２１はＹ軸方向において相互に間隔を空けて、並んで配されている。つまり、複数の電極２１の相互間には、これらを分離するための溝Ｐ１が形成されている。よって、隣り合う２つの電極２１は溝Ｐ１を介して離間している。具体的には、溝Ｐ１は電極２１の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。電極２１の各々は、平面視において、例えばＸ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。言い換えれば、電極２１の各々は、Ｘ軸方向に延在してもよい。この場合、溝Ｐ１もＸ軸方向に延在する。 <Each configuration of photoelectric conversion cell 10>
<Electrode 21>
In the example of FIG. 2, a plurality of electrodes 21 are located on the substrate 1. The plurality of electrodes 21 are arranged side by side at intervals in the Y-axis direction. That is, a groove P1 for separating the plurality of electrodes 21 is formed between the plurality of electrodes 21. Therefore, the two adjacent electrodes 21 are separated from each other via the groove P1. Specifically, the groove P1 is arranged in a region from one main surface (upper surface) on the + Z side of the electrode 21 to one main surface (lower surface) on the −Z side. Each of the electrodes 21 may have an elongated shape (for example, a rectangle) long in the X-axis direction in a plan view. In other words, each of the electrodes 21 may extend in the X-axis direction. In this case, the groove P1 also extends in the X-axis direction.

電極２１は、例えば、透光性を有する電極（例えば透明電極（TCO: Transparent Conductive Oxide））であってよい。具体的な一例として、電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、酸化亜鉛または酸化スズなどの透明導電材料で形成され得る。このような電極２１は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法などの成膜方法を用いて形成され得る。 The electrode 21 may be, for example, a translucent electrode (for example, a transparent electrode (TCO: Transparent Conductive Oxide)). As a specific example, the electrode 21 can be formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide), zinc oxide or tin oxide. Such an electrode 21 can be formed by using a film forming method such as a sputtering method or a vacuum vapor deposition method.

あるいは、電極２１は、例えば、塗布液としての金属ペーストがスクリーン印刷等によって塗布された後に乾燥されて該金属ペーストが固化されることで形成されてもよい。金属ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂等のバインダーに、光反射率が高く且つ導電性を有する粒子が添加されることで作製され得る。ここで、透光性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等が採用され得る。また、金属ペーストに含まれる粒子としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉならびにＺｎとＡｇとの合金等の金属粒子が採用され得る。この場合、電極２１には、導電性を有する多数の粒子が含まれており、該多数の粒子によって、電極２１における導電性が確保され得る。電極２１は、例えば層状である。 Alternatively, the electrode 21 may be formed, for example, by applying a metal paste as a coating liquid by screen printing or the like and then drying the metal paste to solidify the metal paste. The metal paste can be produced, for example, by adding particles having high light reflectance and conductivity to a binder such as a translucent resin. Here, as the translucent resin, for example, an epoxy resin or the like can be adopted. Further, as the particles contained in the metal paste, for example, metal particles such as Cu, Al, Ni and an alloy of Zn and Ag can be adopted. In this case, the electrode 21 contains a large number of particles having conductivity, and the large number of particles can ensure the conductivity of the electrode 21. The electrode 21 is, for example, layered.

＜積層半導体４＞
複数の電極２１の上には、それぞれ、複数の積層半導体４が位置している。積層半導体４は光電変換層として機能し、実質的な光電変換セル１０の機能を実現する。複数の積層半導体４も、Ｙ軸方向において、相互に間隔を空けて並んで配されている。つまり、複数の積層半導体４の相互間には、これらを分離するための溝Ｐ２が形成されている。隣り合う２つの積層半導体４は溝Ｐ２を介して離間している。具体的には、溝Ｐ２は積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。 <Multilayer semiconductor 4>
A plurality of laminated semiconductors 4 are respectively located on the plurality of electrodes 21. The laminated semiconductor 4 functions as a photoelectric conversion layer, and realizes a substantial function of the photoelectric conversion cell 10. The plurality of laminated semiconductors 4 are also arranged side by side at intervals in the Y-axis direction. That is, a groove P2 for separating the plurality of laminated semiconductors 4 is formed between the plurality of laminated semiconductors 4. Two adjacent laminated semiconductors 4 are separated from each other via a groove P2. Specifically, the groove P2 is arranged in a region from one main surface (upper surface) on the + Z side of the laminated semiconductor 4 to one main surface (lower surface) on the −Z side.

図２に例示するように、溝Ｐ２は電極２１の上に位置していてもよい。この場合、積層半導体４は、互いに隣り合う２つの電極２１に跨って配される。ここで、積層半導体４と電極２１との位置関係を、代表的に、積層半導体４Ａ，４Ｂおよび電極２１Ａ，２１Ｂを用いて説明する。積層半導体４Ａ，４Ｂは、隣り合う２つの積層半導体４であり、電極２１Ａ，２１Ｂは、隣り合う２つの電極２１である。電極２１Ａ，２１Ｂは例えば−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されており、積層半導体４Ａ，４Ｂも例えば−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されている。 As illustrated in FIG. 2, the groove P2 may be located above the electrode 21. In this case, the laminated semiconductor 4 is arranged so as to straddle two electrodes 21 adjacent to each other. Here, the positional relationship between the laminated semiconductor 4 and the electrode 21 will be described typically using the laminated semiconductors 4A and 4B and the electrodes 21A and 21B. The laminated semiconductors 4A and 4B are two adjacent laminated semiconductors 4, and the electrodes 21A and 21B are two adjacent electrodes 21. The electrodes 21A and 21B are arranged in this order from the −Y side to the + Y side, for example, and the laminated semiconductors 4A and 4B are also arranged in this order from the −Y side to the + Y side, for example.

積層半導体４Ｂは主として電極２１Ｂの上に位置しているものの、電極２１Ａの端部の上にも位置している。具体的には、積層半導体４Ｂは、電極２１Ａのうち電極２１Ｂ側の端部２１ａの上の領域、電極２１Ａ，２１Ｂの間に相当する領域、および、電極２１Ｂのうち電極２１Ａ側の部分の上の領域に位置している。 Although the laminated semiconductor 4B is mainly located on the electrode 21B, it is also located on the end of the electrode 21A. Specifically, the laminated semiconductor 4B is formed on a region of the electrode 21A above the end portion 21a on the electrode 21B side, a region corresponding between the electrodes 21A and 21B, and a portion of the electrode 21B on the electrode 21A side. It is located in the area of.

積層半導体４Ａは、積層半導体４Ｂと同様である。つまり、積層半導体４Ａは、主として電極２１Ａの上に位置するものの、その電極２１Ａと隣り合う電極２１（電極２１Ｂとは反対側の電極２１）の端部の上にも位置している。積層半導体４Ａは、電極２１Ａの上に位置する溝Ｐ２を介して、積層半導体４Ｂと離間している。 The laminated semiconductor 4A is the same as the laminated semiconductor 4B. That is, although the laminated semiconductor 4A is mainly located on the electrode 21A, it is also located on the end of the electrode 21 (the electrode 21 on the opposite side of the electrode 21B) adjacent to the electrode 21A. The laminated semiconductor 4A is separated from the laminated semiconductor 4B via a groove P2 located on the electrode 21A.

図２の例においては、積層半導体４の各々は、断面視において、例えば、電極２１に対して＋Ｚ側に位置する矩形状の本体部と、当該本体部から−Ｚ側に突出して溝Ｐ１を埋める突起部とを有している。また積層半導体４は、平面視において、Ｘ軸方向に延びる長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。積層半導体４の具体的な内部構造の一例については後に述べる。 In the example of FIG. 2, each of the laminated semiconductors 4 has, for example, a rectangular main body portion located on the + Z side with respect to the electrode 21 and a groove P1 protruding from the main body portion to the −Z side in a cross-sectional view. It has a protrusion to fill. Further, the laminated semiconductor 4 may have a long shape (for example, a rectangle) extending in the X-axis direction in a plan view. An example of a specific internal structure of the laminated semiconductor 4 will be described later.

＜電極２２＞
複数の電極２２もＹ軸方向に沿って相互に間隔を空けて並んで配置されており、それぞれ、積層半導体４の上に位置している。さらに、電極２２の各々は、積層半導体４の一方側（例えば−Ｙ側）の側面に沿って延在しており、電極２１に接している。なお、本開示の電極２２は、積層半導体４の側面に沿って延在しているが、例えば、積層半導体４が、隣り合う光電変換セル１０の電極２１へ繋がる貫通孔を有している場合には、電極２２は、積層半導体４の当該貫通孔に沿って延在して、当該電極２１に接していてもよい。また、電極２２の積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）に配された部分は、例えば層状である。 <Electrode 22>
The plurality of electrodes 22 are also arranged side by side at intervals along the Y-axis direction, and each of them is located on the laminated semiconductor 4. Further, each of the electrodes 22 extends along the side surface of one side (for example, the −Y side) of the laminated semiconductor 4 and is in contact with the electrode 21. The electrode 22 of the present disclosure extends along the side surface of the laminated semiconductor 4, but for example, when the laminated semiconductor 4 has a through hole connected to the electrodes 21 of adjacent photoelectric conversion cells 10. The electrode 22 may extend along the through hole of the laminated semiconductor 4 and be in contact with the electrode 21. Further, the portion of the electrode 22 arranged on one main surface (upper surface) on the + Z side of the laminated semiconductor 4 is, for example, layered.

ここで、代表的に、電極２２Ａ，２２Ｂを導入して説明する。電極２２Ａ，２２Ｂは、隣り合う２つの電極２２である。電極２２Ａ，２２Ｂは例えば−Ｙ側から＋Ｙ側へ向かってこの順で配されている。 Here, the electrodes 22A and 22B will be typically introduced and described. The electrodes 22A and 22B are two adjacent electrodes 22. The electrodes 22A and 22B are arranged in this order from, for example, the −Y side to the + Y side.

電極２２Ｂは積層半導体４Ｂの上に位置しつつ、その−Ｙ軸側の端部から積層半導体４Ｂの側面に沿って−Ｚ側に延在している。この側面とは、積層半導体４Ａと向かい合う側面、つまり積層半導体４の−Ｙ側の側面である。電極２２Ｂは、−Ｚ側の端（先端）において、電極２１Ａに接している。また、この電極２２Ｂは積層半導体４Ａおよび電極２２Ａと離間している。つまり、ある光電変換セル１０Ｂに属する電極２２Ｂは、隣り合う光電変換セル１０Ａに属する第１電極２２Ａには接しているものの、その積層半導体４Ａおよび電極２２Ａとは離間する。 The electrode 22B is located on the laminated semiconductor 4B and extends from the end on the −Y axis side to the −Z side along the side surface of the laminated semiconductor 4B. This side surface is a side surface facing the laminated semiconductor 4A, that is, a side surface on the −Y side of the laminated semiconductor 4. The electrode 22B is in contact with the electrode 21A at the end (tip) on the −Z side. Further, the electrode 22B is separated from the laminated semiconductor 4A and the electrode 22A. That is, the electrode 22B belonging to a certain photoelectric conversion cell 10B is in contact with the first electrode 22A belonging to the adjacent photoelectric conversion cell 10A, but is separated from the laminated semiconductor 4A and the electrode 22A.

図２に例示するように、電極２２Ｂは、断面視において、積層半導体４の上面および側面に沿う略Ｌ字状の形状を有していてもよい。また電極２２Ｂは、平面視において、Ｘ軸方向に延びる長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。 As illustrated in FIG. 2, the electrode 22B may have a substantially L-shaped shape along the upper surface and the side surface of the laminated semiconductor 4 in a cross-sectional view. Further, the electrode 22B may have a long shape (for example, a rectangle) extending in the X-axis direction in a plan view.

以上のように、光電変換セル１０Ｂの電極２２Ｂは、光電変換セル１０Ａの電極２１Ａに接続される。これにより、光電変換セル１０Ａ，１０Ｂが相互に直列に接続される。 As described above, the electrode 22B of the photoelectric conversion cell 10B is connected to the electrode 21A of the photoelectric conversion cell 10A. As a result, the photoelectric conversion cells 10A and 10B are connected in series with each other.

電極２２は、例えば、透光性を有する電極（例えば透明電極）であってよい。具体的な一例として、電極２２は、電極２１の説明で列挙した材料で形成され得る。またその形成方法も第１電極２２と同様である。 The electrode 22 may be, for example, a translucent electrode (for example, a transparent electrode). As a specific example, the electrode 22 may be formed of the materials listed in the description of the electrode 21. Further, the forming method thereof is the same as that of the first electrode 22.

なお、外光が＋Ｚ側から積層半導体４へ入射するように、太陽電池モジュール１００が設置される場合、電極２２は透光性を有する一方で、電極２１および基板１は透光性を有していなくても構わない。なお、ここでいう「透光性」とは、積層半導体４によって吸収される波長帯域の光についての透光性である。例えば、積層半導体４が可視光を吸収して正孔と電子とを生成する場合、電極２２は透明である。 When the solar cell module 100 is installed so that external light is incident on the laminated semiconductor 4 from the + Z side, the electrode 22 has translucency, while the electrode 21 and the substrate 1 have translucency. It doesn't have to be. The "translucency" referred to here is the translucency of light in the wavelength band absorbed by the laminated semiconductor 4. For example, when the laminated semiconductor 4 absorbs visible light to generate holes and electrons, the electrode 22 is transparent.

逆に、外光が−Ｚ側から積層半導体４へ入射するように、太陽電池モジュール１００が設置される場合、基板１および電極２１は透光性を有する一方で、電極２２は透光性を有さなくても構わない。 On the contrary, when the solar cell module 100 is installed so that the external light is incident on the laminated semiconductor 4 from the −Z side, the substrate 1 and the electrode 21 are translucent, while the electrode 22 is translucent. It does not have to be present.

積層半導体４の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）は、例えば、１［μｍ］以上且つ１０００［μｍ］以下程度に設定され得る。電極２１および電極２２の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）も、例えば、１［μｍ］以上且つ１０００［μｍ］以下程度に設定され得る。また、溝Ｐ２のＹ軸方向に沿う幅、および、溝Ｐ１のＹ軸方向に沿う幅は、いずれも、例えば１［μ］以上且つ１００［μｍ］以下程度に設定され得る。積層半導体４の厚みは、例えば、０．３［μｍ］以上且つ１［μｍ］以下程度に設定され得る。 The width of the laminated semiconductor 4 (width along the Y-axis direction) can be set to, for example, about 1 [μm] or more and 1000 [μm] or less. The widths of the electrodes 21 and 22 (widths along the Y-axis direction) can also be set to, for example, about 1 [μm] or more and 1000 [μm] or less. Further, the width of the groove P2 along the Y-axis direction and the width of the groove P1 along the Y-axis direction can be set to, for example, about 1 [μ] or more and 100 [μm] or less. The thickness of the laminated semiconductor 4 can be set to, for example, about 0.3 [μm] or more and 1 [μm] or less.

＜積層半導体４の具体例＞
積層半導体４は、光電変換を行うことができる限りにおいて、任意の構成を有していればよい。例えば、積層半導体４は、少なくとも、第１導電型（例えばｐ型）の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型（例えばｎ型）の第２半導体層とを備えている。 <Specific example of laminated semiconductor 4>
The laminated semiconductor 4 may have an arbitrary configuration as long as it can perform photoelectric conversion. For example, the laminated semiconductor 4 includes at least a first conductive type (for example, p-type) first semiconductor layer and a second conductive type (for example, n-type) second semiconductor layer different from the first conductive type. There is.

より具体的な一例として、例えば積層半導体４は、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層であってもよい。この場合、積層半導体４は、例えば半導体層４１〜４３を備えている。 As a more specific example, for example, the laminated semiconductor 4 may be a photoelectric conversion layer used in a perovskite solar cell. In this case, the laminated semiconductor 4 includes, for example, semiconductor layers 41 to 43.

半導体層４１は、例えば電極２１の上に位置している。半導体層４１は、例えば、[6,6]-フェニル-Ｃ６１-酪酸メチル(ＰＣＢＭ)、Ｃ６０または酸化物半導体層であってよい。酸化物半導体層としては、例えば、酸化チタン(IV)（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム(III)（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ(IV)（ＳｎＯ２）、または、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を採用し得る。このような半導体層４１は例えば塗布法またはスパッタリング法等によって形成され得る。この半導体層４１は、いわゆるブロッキング層あるいは電子輸送層としても機能する。また、半導体層４１はいわゆるｎ型の半導体層とみなすこともできる。 The semiconductor layer 41 is located, for example, on the electrode 21. The semiconductor layer 41 may be, for example, [6,6] -phenyl-C 61- methyl butyrate (PCBM), C 60 or an oxide semiconductor layer. Examples of the oxide semiconductor layer include titanium oxide (IV) (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), indium oxide (III) (In 2 O 3 ), tin oxide (IV) (SnO 2 ), or oxidation. Magnesium (MgO) can be adopted. Such a semiconductor layer 41 can be formed by, for example, a coating method or a sputtering method. The semiconductor layer 41 also functions as a so-called blocking layer or an electron transporting layer. Further, the semiconductor layer 41 can also be regarded as a so-called n-type semiconductor layer.

半導体層４２は、例えば、半導体層４１の上に位置している。半導体層４２は、いわゆるペロブスカイト層であり、ペロブスカイト構造を有する化合物を含んでいる。ここでいうペロブスカイト構造とは、ペロブスカイト（灰チタン石：ＣａＴｉＯ３）の結晶構造である。 The semiconductor layer 42 is located on, for example, the semiconductor layer 41. The semiconductor layer 42 is a so-called perovskite layer and contains a compound having a perovskite structure. The perovskite structure referred to here is a crystal structure of perovskite (perovskite: CaTIO 3 ).

半導体層４２は、例えば、Ａ２ＭＸ４（Ｉ）、ＡＭＸ３（ＩＩ）、ＡＮＸ４（ＩＩＩ）またはＢＭＸ４（ＩＶ）の式で示されるペロブスカイト構造、あるいはこれらの式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）の２種以上のペロブスカイト構造を含む混合物であればよい。なお式中、Ａは、有機または無機の一価のカチオン（例えば、ＣＨ（ＮＨ２）、ＣＨ３ＮＨ３またはＣｓ等）である。また、Ｂは、有機または無機の二価のカチオン（例えば、ＮＨ３（ＣＨ３）２ＮＨ３またはＮＨ３（ＣＨ３）３ＮＨ３等）である。また、Ｍは、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｃｏ２＋、Ｆｅ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｒ２＋、Ｐｄ２＋、Ｃｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｅｕ２＋、またはＹｂ２＋からなる群から選択される二価の金属カチオンである。また、Ｎは、Ｂｉ３＋およびＳｂ３＋の群から選択される元素である。また、Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＮＣＳ−、ＣＮ−、およびＮＣＯ−から選択される元素である。半導体層４２はいわゆるｉ型の半導体層（真性半導体）とみなすことができる。 The semiconductor layer 42 is, for example, a perovskite structure represented by the formulas A 2 MX 4 (I), AMX 3 (II), ANX 4 (III) or BMX 4 (IV), or these formulas (I), (II). ), (III), or a mixture containing two or more perovskite structures of (IV). In the formula, A is an organic or inorganic monovalent cation (for example, CH (NH 2 ), CH 3 NH 3 or Cs, etc.). Further, B is an organic or inorganic divalent cation (for example, NH 3 (CH 3 ) 2 NH 3 or NH 3 (CH 3 ) 3 NH 3 and the like). Further, M is selected from the group consisting of Cu 2+ , Ni 2+ , Co 2+ , Fe 2+ , Mn 2+ , Cr 2+ , Pd 2+ , Cd 2+ , Ge 2+ , Sn 2+ , Pb 2+ , Eu 2+ , or Yb 2+. It is a divalent metal cation. Further, N is an element selected from the group of Bi 3+ and Sb 3+ . Further, X is an element selected from Cl − , Br − , I − , NCS − , CN − , and NCO − . The semiconductor layer 42 can be regarded as a so-called i-type semiconductor layer (intrinsic semiconductor).

半導体層４３は、例えば、半導体層４２の上に位置している。半導体層４３は、例えば、酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ）、チオシアン酸銅(I)（ＣｕＳＣＮ）または酸化銅(I)（Ｃｕ２Ｏ）または有機半導体層であってよい。有機半導体層としては、例えば、[2,2',7,7'-テトラキス(N,N-ジ-p-メトキシフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン]（Ｓｐｉｒｏ-ＯＭｅＴＡＤ）、ポリ[ビス(4-フェニル)(2,4,6-トリフェニルメチル)アミン]（ＰＴＡＡ）、ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(Ｐ３ＨＴ)、ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（4-スチレンスルホン酸塩）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を採用することができる。このような半導体層４３は例えば塗布法または蒸着法等によって形成され得る。この半導体層４３はいわゆる正孔輸送層としても機能する。また、半導体層４３はいわゆるｐ型の半導体層とみなすことができる。電極２２は半導体層４３の上に位置している。 The semiconductor layer 43 is located, for example, on the semiconductor layer 42. The semiconductor layer 43 may be, for example, nickel (II) oxide (NiO), copper (I) thiocyanate (CuSCN) or copper (I) oxide (Cu 2 O) or an organic semiconductor layer. Examples of the organic semiconductor layer include [2,2', 7,7'-tetrakis (N, N-di-p-methoxyphenylamino) -9,9'-spirobifluorene] (Spiro-OMeTAD), poly. [Bis (4-phenyl) (2,4,6-triphenylmethyl) amine] (PTAA), poly (3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT), poly (3,4-ethylenedioxy) Thiophene) / poly (4-styrene sulfonate) (PEDOT / PSS) can be adopted. Such a semiconductor layer 43 can be formed by, for example, a coating method or a vapor deposition method. The semiconductor layer 43 also functions as a so-called hole transport layer. Further, the semiconductor layer 43 can be regarded as a so-called p-type semiconductor layer. The electrode 22 is located on the semiconductor layer 43.

外光が積層半導体４に入射されると、半導体層４２は当該外光を吸収して、電子および正孔を生成する。つまり半導体層４２は光吸収層として機能する。正孔は半導体層４３を経由して電極２２へと移動し、電子は半導体層４１を経由して電極２１へと移動する。これにより、積層半導体４は光を吸収して発電することができる。つまり、積層半導体４は光電変換を行う。なお、この積層半導体４において、電極２１および電極２２を繋ぐ電流経路（図２の例においてはＺ軸方向に沿う経路）上に、半導体層４１〜４３が介在することになる。 When the external light is incident on the laminated semiconductor 4, the semiconductor layer 42 absorbs the external light and generates electrons and holes. That is, the semiconductor layer 42 functions as a light absorption layer. The holes move to the electrode 22 via the semiconductor layer 43, and the electrons move to the electrode 21 via the semiconductor layer 41. As a result, the laminated semiconductor 4 can absorb light to generate electricity. That is, the laminated semiconductor 4 performs photoelectric conversion. In the laminated semiconductor 4, the semiconductor layers 41 to 43 are interposed on the current path connecting the electrodes 21 and 22 (the path along the Z-axis direction in the example of FIG. 2).

＜太陽電池モジュールの端部の構造＞
＜導体３１＞
図３に示すように、導体３１は、−Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２２と電気的に接続している。具体的には、導体３１は接続用電極２２１を介して当該電極２２と電気的に接続する。なお以下では、−Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０を光電変換セル１０Ｃと呼び、その光電変換セル１０Ｃに属する電極２１、積層半導体４および電極２２を、それぞれ、電極２１Ｃ、積層半導体４Ｃおよび電極２２Ｃと呼ぶ。 <Structure of the end of the solar cell module>
<Conductor 31>
As shown in FIG. 3, the conductor 31 is electrically connected to the electrode 22 of the photoelectric conversion cell 10 located at the end on the −Y side. Specifically, the conductor 31 is electrically connected to the electrode 22 via the connection electrode 221. In the following, the photoelectric conversion cell 10 located at the end on the −Y side is referred to as a photoelectric conversion cell 10C, and the electrode 21, the laminated semiconductor 4 and the electrode 22 belonging to the photoelectric conversion cell 10C are referred to as an electrode 21C and a laminated semiconductor 4C, respectively. And the electrode 22C.

例えば基板１の上に、接続用電極２２１が位置している。この接続用電極２２１はＹ軸方向において電極２１Ｃと離間している。つまり、接続用電極２２１と電極２１Ｃとの間にも、溝Ｐ１が配されている。また、接続用電極２２１および電極２１Ｃは−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されている。接続用電極２２１は、例えば、電極２１と同じ材料で形成されてもよく、その厚みは、例えば電極２１Ｃと同程度に設定されてもよい。この場合、接続用電極２２１と電極２１Ｃを同じ工程で同時に形成できる。 For example, the connection electrode 221 is located on the substrate 1. The connection electrode 221 is separated from the electrode 21C in the Y-axis direction. That is, the groove P1 is also arranged between the connection electrode 221 and the electrode 21C. Further, the connection electrodes 221 and 21C are arranged in this order from the −Y side to the + Y side. The connection electrode 221 may be formed of, for example, the same material as the electrode 21, and the thickness thereof may be set to be the same as that of the electrode 21C, for example. In this case, the connection electrode 221 and the electrode 21C can be formed at the same time in the same process.

導体３１は接続用電極２２１の一部の上に位置しており、また、電極２２Ｃは接続用電極２２１と接している。具体的には、例えば、積層半導体４は接続用電極２２１の＋Ｙ側の端部の上にも位置しており、電極２２Ｃはその積層半導体４Ｃの−Ｙ側の側面に沿って延在して、接続用電極２２１に接している。 The conductor 31 is located above a part of the connecting electrode 221 and the electrode 22C is in contact with the connecting electrode 221. Specifically, for example, the laminated semiconductor 4 is also located on the + Y side end of the connecting electrode 221 and the electrode 22C extends along the −Y side side surface of the laminated semiconductor 4C. , Is in contact with the connection electrode 221.

導体３１は、太陽電池モジュール１００の出力用の配線としての導体である。この導体３１は、所定の電源ボックス内の端子等に電気的に接続されている。図３に例示するように、導体３１は配線３１１と接続部材３１２とを備えていてもよい。 The conductor 31 is a conductor as a wiring for the output of the solar cell module 100. The conductor 31 is electrically connected to a terminal or the like in a predetermined power supply box. As illustrated in FIG. 3, the conductor 31 may include wiring 311 and connecting member 312.

配線３１１は、いわゆるタブ線である。配線３１１は、断面視において、例えば矩形状を有しており、平面視において、例えばＸ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。配線３１１の厚みは、例えば、１５０［μｍ］以上且つ４００［μｍ］以下程度に設定され得る。配線３１１の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）は、例えば、１［ｍｍ］以上且つ数１０［ｍｍ］以下程度に設定され得る。導体３１の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、および、ＮｉとＣｒとの合金であるニクロム等の導電性に優れた材料が採用され得る。 The wiring 311 is a so-called tab line. The wiring 311 may have, for example, a rectangular shape in a cross-sectional view, and may have an elongated shape (for example, a rectangular shape) long in the X-axis direction in a plan view. The thickness of the wiring 311 can be set to, for example, about 150 [μm] or more and 400 [μm] or less. The width of the wiring 311 (width along the Y-axis direction) can be set to, for example, about 1 [mm] or more and several tens [mm] or less. As the material of the conductor 31, for example, a material having excellent conductivity such as Cu, Al, and nichrome, which is an alloy of Ni and Cr, can be adopted.

接続部材３１２は、配線３１１と接続用電極２２１との間に介在し、配線３１１を接続用電極２２１に固定しつつ、これらを電気的に接続する。接続部材３１２は、接続用電極２２１の上に配されている。接続部材３１２は、例えば半田材料を、超音波半田付けによって一旦は溶融し、その後、配線３１１および接続用電極２２１に固着する。接続部材３１２の厚みは、例えば、１００［μｍ］以上且つ２００［μｍ］以下程度に設定され得る。接続部材３１２は、例えば、半田であればよい。より具体的には、例えば、鉛およびスズを含む合金であってもよい。その他、接続部材３１２の材料として、亜鉛およびスズを含む半田等を採用できる。 The connecting member 312 is interposed between the wiring 311 and the connecting electrode 221 and electrically connects the wiring 311 while fixing the wiring 311 to the connecting electrode 221. The connecting member 312 is arranged on the connecting electrode 221. The connecting member 312 melts the solder material, for example, by ultrasonic soldering, and then fixes the solder material to the wiring 311 and the connecting electrode 221. The thickness of the connecting member 312 can be set to, for example, about 100 [μm] or more and 200 [μm] or less. The connecting member 312 may be, for example, solder. More specifically, for example, it may be an alloy containing lead and tin. In addition, as the material of the connecting member 312, solder containing zinc and tin or the like can be adopted.

接続部材３１２の幅は、例えば、配線３１１より小さくてもよいし、大きくてもよい。接続部材３１２の幅が配線３１１よりも小さい場合、接続部材３１２と配線３１１との接着強度を向上させることができる。一方、接続部材３１２の幅が配線３１１よりも大きい場合、言い換えれば配線３１１の幅が接続部材３１２よりも小さい場合には、例えばより広い面積で積層半導体４が光を受けることができる。 The width of the connecting member 312 may be smaller or larger than, for example, the wiring 311. When the width of the connecting member 312 is smaller than that of the wiring 311 it is possible to improve the adhesive strength between the connecting member 312 and the wiring 311. On the other hand, when the width of the connecting member 312 is larger than that of the wiring 311 in other words, when the width of the wiring 311 is smaller than that of the connecting member 312, the laminated semiconductor 4 can receive light in a wider area, for example.

＜導体３２＞
図４に示すように、導体３２は、＋Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２１と電気的に接続している。なお以下では、＋Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０を光電変換セル１０Ｄと呼び、その光電変換セル１０Ｄに属する電極２１、積層半導体４および電極２２を、それぞれ、電極２１Ｄ、積層半導体４Ｄおよび電極２２Ｄと呼ぶ。 <Conductor 32>
As shown in FIG. 4, the conductor 32 is electrically connected to the electrode 21 of the photoelectric conversion cell 10 located at the end on the + Y side. In the following, the photoelectric conversion cell 10 located at the end on the + Y side is referred to as a photoelectric conversion cell 10D, and the electrode 21, the laminated semiconductor 4 and the electrode 22 belonging to the photoelectric conversion cell 10D are referred to as the electrode 21D, the laminated semiconductor 4D and the electrode 22, respectively. It is called the electrode 22D.

電極２１Ｄの上には、積層半導体４Ｄおよび導体３２が位置している。つまり、電極２１Ｄの第１部分の上には、積層半導体４Ｄが位置しており、電極２１Ｄの第２部分の上には、導体３２が位置している。第１部分および第２部分はＹ軸方向において互いに隣り合っている。 The laminated semiconductor 4D and the conductor 32 are located on the electrode 21D. That is, the laminated semiconductor 4D is located on the first portion of the electrode 21D, and the conductor 32 is located on the second portion of the electrode 21D. The first part and the second part are adjacent to each other in the Y-axis direction.

導体３２は、例えば、導体３１と同様に、配線３２１および接続部材３２２を備えていてもよい。配線３２１は、いわゆるタブ線であり、配線３２１の形状、サイズおよび材料の一例は、配線３１１と同様であるので繰り返しの説明を避ける。接続部材３２２は配線３２１と電極２１Ｄとの間に介在しており、配線３２１を電極２１Ｄに固定しつつ、これらを電気的に接続する。接続部材３２２は、電極２１Ｄの上に配されている。接続部材３２２の形状、サイズおよび材料は、接続部材３１２と同様であるので繰り返しの説明を避ける。 The conductor 32 may include, for example, the wiring 321 and the connecting member 322, similarly to the conductor 31. The wiring 321 is a so-called tab wire, and an example of the shape, size, and material of the wiring 321 is the same as that of the wiring 311. The connecting member 322 is interposed between the wiring 321 and the electrode 21D, and while fixing the wiring 321 to the electrode 21D, these are electrically connected. The connecting member 322 is arranged on the electrode 21D. Since the shape, size, and material of the connecting member 322 are the same as those of the connecting member 312, repeated description will be avoided.

導体３２は電極２１Ｄとともに段差部を形成している。図４の例においては、導体３２は、薄膜状の電極２１Ｄの第２部分の上に位置しているので、導体３２自体が段差部を形成する。また図４の例示するように、導体３２の厚みは電極２１Ｄよりも厚くてもよい。上述のように導体３２が電極２１Ｄよりも十分に厚い場合、段差部の高さ（＝導体３２の厚み）は比較的大きくなる。 The conductor 32 forms a stepped portion together with the electrode 21D. In the example of FIG. 4, since the conductor 32 is located on the second portion of the thin-film electrode 21D, the conductor 32 itself forms a stepped portion. Further, as illustrated in FIG. 4, the thickness of the conductor 32 may be thicker than that of the electrode 21D. When the conductor 32 is sufficiently thicker than the electrode 21D as described above, the height of the step portion (= the thickness of the conductor 32) becomes relatively large.

積層半導体４Ｄは当該段差部と接する。具体的には、積層半導体４Ｄは、少なくとも、段差部（導体３２）の−Ｙ側の側面に接している。また積層半導体４Ｄは、図４に例示するように、導体３２の上方の領域にも位置していても構わない。つまり、積層半導体４Ｄは、電極２１Ｄおよび導体３２の両方の上に位置していてもよい。具体的な一例として、積層半導体４Ｄは導体３２を覆っている。また、図４に示すように、電極２１Ｄが導体３２から＋Ｙ側に延在している場合には、積層半導体４は、導体３２に対して＋Ｙ側においても、電極２１Ｄの上に位置していてもよい。つまり、積層半導体４Ｄは、導体３２の−Ｙ側の側面、＋Ｚ側の面（上面）、および、＋Ｙ側の側面に接していてもよい。 The laminated semiconductor 4D is in contact with the step portion. Specifically, the laminated semiconductor 4D is in contact with at least the side surface of the step portion (conductor 32) on the −Y side. Further, the laminated semiconductor 4D may be located in a region above the conductor 32 as illustrated in FIG. That is, the laminated semiconductor 4D may be located on both the electrode 21D and the conductor 32. As a specific example, the laminated semiconductor 4D covers the conductor 32. Further, as shown in FIG. 4, when the electrode 21D extends from the conductor 32 to the + Y side, the laminated semiconductor 4 is located on the electrode 21D also on the + Y side with respect to the conductor 32. You may. That is, the laminated semiconductor 4D may be in contact with the side surface on the −Y side, the surface (upper surface) on the + Z side, and the side surface on the + Y side of the conductor 32.

電極２２Ｄは、図４に例示するように、積層半導体４Ｄの上面の全面に亘って配されていてもよい。つまり、電極２２Ｄが積層半導体４Ｄを覆っていてもよい。この場合、電極２２Ｄの一部はＺ軸方向において導体３２と対向することになる。 As illustrated in FIG. 4, the electrodes 22D may be arranged over the entire upper surface of the laminated semiconductor 4D. That is, the electrode 22D may cover the laminated semiconductor 4D. In this case, a part of the electrode 22D faces the conductor 32 in the Z-axis direction.

この導体３２は、例えば所定の電源ボックス内の端子と電気的に接続されて、太陽電池モジュール１００の出力用の配線として機能する。導体３２と外部の端子との接続のために、例えば、不図示の貫通孔を設けてもよい。この貫通孔は、例えば電極２２Ｄおよび積層半導体４Ｄを貫通して、導体３２に至る。この貫通孔の内部には、導体３２に接する取り出し用の電極（不図示）などが形成され、この電極が外部の端子と接続される。あるいは、基板１および電極２１Ｄを貫通して導体３２に至る貫通孔が設けられてもよい。貫通孔は、例えば、導体３２のＸ軸方向における端または中央付近などに形成され得る。 The conductor 32 is, for example, electrically connected to a terminal in a predetermined power supply box and functions as a wiring for output of the solar cell module 100. For the connection between the conductor 32 and the external terminal, for example, a through hole (not shown) may be provided. This through hole penetrates, for example, the electrode 22D and the laminated semiconductor 4D and reaches the conductor 32. An electrode for taking out (not shown) or the like in contact with the conductor 32 is formed inside the through hole, and this electrode is connected to an external terminal. Alternatively, a through hole may be provided that penetrates the substrate 1 and the electrode 21D and reaches the conductor 32. The through hole may be formed, for example, near the end or the center of the conductor 32 in the X-axis direction.

この太陽電池モジュール１００によれば、上述のように、光電変換セル１０Ｄの積層半導体４Ｄは、段差部（導体３２）と接している。比較例として、光電変換セル１０ＤがＹ軸方向において導体３２と離間する太陽電池モジュールを考える。この比較例にかかる太陽電池モジュールでは、光電変換セル１０Ｄが導体３２と離間しているので、その積層半導体４Ｄの幅は狭くなる。一方で、本実施の形態にかかる太陽電池モジュール１００によれば、積層半導体４Ｄは導体３２に接するので、比較例にかかる太陽電池モジュールに比して、積層半導体４Ｄの幅を広げることができる。 According to the solar cell module 100, as described above, the laminated semiconductor 4D of the photoelectric conversion cell 10D is in contact with the step portion (conductor 32). As a comparative example, consider a solar cell module in which the photoelectric conversion cell 10D is separated from the conductor 32 in the Y-axis direction. In the solar cell module according to this comparative example, since the photoelectric conversion cell 10D is separated from the conductor 32, the width of the laminated semiconductor 4D is narrowed. On the other hand, according to the solar cell module 100 according to the present embodiment, since the laminated semiconductor 4D is in contact with the conductor 32, the width of the laminated semiconductor 4D can be widened as compared with the solar cell module according to the comparative example.

しかも図４の例では、積層半導体４Ｄが導体３２の上方の領域にも位置している。これにより、積層半導体４Ｄの幅は更に向上する。また図４の例では、積層半導体４Ｄが導体３２に対して＋Ｙ側にも位置している。つまり、積層半導体４ＤがＹ軸方向における導体３２の両側にも位置している。これにより、積層半導体４Ｄの幅はさらに向上する。これにより、発電領域を増大することができ、太陽電池モジュール１００の発電量を更に向上できる。 Moreover, in the example of FIG. 4, the laminated semiconductor 4D is also located in the region above the conductor 32. As a result, the width of the laminated semiconductor 4D is further improved. Further, in the example of FIG. 4, the laminated semiconductor 4D is also located on the + Y side with respect to the conductor 32. That is, the laminated semiconductor 4D is also located on both sides of the conductor 32 in the Y-axis direction. As a result, the width of the laminated semiconductor 4D is further improved. As a result, the power generation area can be increased, and the power generation amount of the solar cell module 100 can be further improved.

例えば太陽電池モジュール１００の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）が１０００［ｍｍ］程度である場合、導体３２の幅は例えば１０［ｍｍ］程度に設定され得る。従来では、この導体３２に相当する幅１０［ｍｍ］の領域は発電領域としては機能していない。一方で太陽電池モジュール１００によれば、この導体３２に相当する幅１０［ｍｍ］の領域も発電領域として機能するので、太陽電池モジュール１００の発電量を、従来に比して、１％程度の分だけ向上することができる。 For example, when the width of the solar cell module 100 (width along the Y-axis direction) is about 1000 [mm], the width of the conductor 32 can be set to, for example, about 10 [mm]. Conventionally, the region having a width of 10 [mm] corresponding to the conductor 32 does not function as a power generation region. On the other hand, according to the solar cell module 100, a region having a width of 10 [mm] corresponding to the conductor 32 also functions as a power generation region, so that the amount of power generated by the solar cell module 100 is about 1% as compared with the conventional one. It can be improved by the amount.

なお、積層半導体４Ｄは必ずしも導体３２の両側に位置する必要はなく、また必ずしも導体３２の上方の領域に存在していなくてもよい。図５に例示するように、積層半導体４Ｄは段差部（導体３２）の−Ｙ側の側面の少なくとも一部に接していればよい。これによっても、積層半導体４Ｄと導体３２とが離間している場合に比べて、積層半導体４Ｄの幅を向上することができる。例えば図５において、もし仮に、領域Ａ１において積層半導体４Ｄが設けられておらず、導体３２と積層半導体４ＤとがＹ軸方向において離間する場合には、当然に領域Ａ１において発電が行われることはない。他方、図５の例では、領域Ａ１でも積層半導体４Ｄが存在しているので、領域Ａ１においても発電が行われるのである。つまり、図５の太陽電池モジュール１００によっても、発電量を向上することができる。 The laminated semiconductor 4D does not necessarily have to be located on both sides of the conductor 32, and does not necessarily have to exist in the region above the conductor 32. As illustrated in FIG. 5, the laminated semiconductor 4D may be in contact with at least a part of the side surface on the −Y side of the stepped portion (conductor 32). This also makes it possible to improve the width of the laminated semiconductor 4D as compared with the case where the laminated semiconductor 4D and the conductor 32 are separated from each other. For example, in FIG. 5, if the laminated semiconductor 4D is not provided in the region A1 and the conductor 32 and the laminated semiconductor 4D are separated from each other in the Y-axis direction, it is natural that power generation is performed in the region A1. Absent. On the other hand, in the example of FIG. 5, since the laminated semiconductor 4D also exists in the region A1, power generation is also performed in the region A1. That is, the amount of power generation can also be improved by the solar cell module 100 of FIG.

なお図５の例においても、電極２２Ｄは導体３２と離間する必要がある。電極２２Ｄが導体３２と接していると、この導体３２を介して電極２２Ｄが電極２１Ｄと短絡するからである。そこで、電極２２ＤはＹ軸方向において導体３２と離間しているとよい。つまり、電極２２は、導体３２の上方の領域を避けて設けられているとよい。更に言い換えると、電極２２Ｄの＋Ｙ側の端面は、導体３２の−Ｙ側の端面よりも−Ｙ側に位置しているとよい。 Also in the example of FIG. 5, the electrode 22D needs to be separated from the conductor 32. This is because when the electrode 22D is in contact with the conductor 32, the electrode 22D is short-circuited with the electrode 21D via the conductor 32. Therefore, the electrode 22D may be separated from the conductor 32 in the Y-axis direction. That is, the electrode 22 may be provided so as to avoid the region above the conductor 32. In other words, the end face on the + Y side of the electrode 22D may be located on the −Y side of the end face on the −Y side of the conductor 32.

また、図６に例示するように、積層半導体４が導体３２の上方の領域にも位置する場合であっても、電極２２Ｄは、導体３２の上方の領域を避けて設けられても構わない。導体３２が厚い場合には、導体３２の側面に対して積層半導体４が十分な幅で設けられない可能性があるからである。つまり、この場合には、電極２２Ｄが導体３２とＹ軸方向において離間することにより、電極２２Ｄと導体３２との間の短絡を回避する。具体的には、電極２２Ｄの＋Ｙ側の端面を、導体３２の−Ｙ側の端に対して、−Ｙ側に位置させる。 Further, as illustrated in FIG. 6, even when the laminated semiconductor 4 is located in the region above the conductor 32, the electrode 22D may be provided so as to avoid the region above the conductor 32. This is because when the conductor 32 is thick, the laminated semiconductor 4 may not be provided with a sufficient width with respect to the side surface of the conductor 32. That is, in this case, the electrode 22D is separated from the conductor 32 in the Y-axis direction to avoid a short circuit between the electrode 22D and the conductor 32. Specifically, the end face on the + Y side of the electrode 22D is positioned on the −Y side with respect to the −Y side end of the conductor 32.

＜製造方法＞
図７は、太陽電池モジュール１００の製造方法の一例を示す図である。まずステップＳ１にて、基板１が準備される。この基板１には、例えば所定の前処理（例えば洗浄処理などの処理）が施されていてもよい。次にステップＳ２にて、この基板１の上に、電極２１および接続用電極２２１が形成される。電極２１および接続用電極２２１の形成方法は特に制限されないものの、その一例について概説する。ここでは、一例として、電極２１および接続用電極２２１を同一材料で形成する。例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、電極層を基板１の上に形成する。そして、所定の位置において、この電極層に溝Ｐ１を形成して電極２１および接続用電極２２１を形成する。溝Ｐ１は例えば、フォトリソグラフィー法などによって形成され得る。 <Manufacturing method>
FIG. 7 is a diagram showing an example of a method for manufacturing the solar cell module 100. First, in step S1, the substrate 1 is prepared. The substrate 1 may be subjected to, for example, a predetermined pretreatment (for example, a treatment such as a cleaning treatment). Next, in step S2, the electrode 21 and the connecting electrode 221 are formed on the substrate 1. The method for forming the electrode 21 and the connecting electrode 221 is not particularly limited, but an example thereof will be outlined. Here, as an example, the electrode 21 and the connecting electrode 221 are made of the same material. For example, an electrode layer is formed on the substrate 1 by a sputtering method, a thin film deposition method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or the like. Then, at a predetermined position, a groove P1 is formed in the electrode layer to form the electrode 21 and the connecting electrode 221. The groove P1 can be formed by, for example, a photolithography method.

次にステップＳ３にて、導体３２が電極２１Ｄの上に設置される。例えば、配線３２１の少なくとも一方の面に半田メッキが施され、当該面を電極２１Ｄに向けて、配線３２１を電極２１Ｄの端部の上に配置してもよい。その状態において、例えば、超音波半田付けによって、半田メッキを配線３２１および電極２１Ｄに固着させる。これにより、接続部材３２２が形成される。 Next, in step S3, the conductor 32 is installed on the electrode 21D. For example, at least one surface of the wiring 321 may be solder plated so that the surface faces the electrode 21D and the wiring 321 is placed on the end of the electrode 21D. In that state, the solder plating is fixed to the wiring 321 and the electrode 21D by, for example, ultrasonic soldering. As a result, the connecting member 322 is formed.

次に、ステップＳ４にて、積層半導体４を形成する。具体的には、まず、基板１、電極２１および接続用電極２２１の一組の上に所望の形状で半導体層４１を形成する。半導体層４１の形成方法も特に制限されないが、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層を、積層半導体４として採用する場合、例えば、塗布法、または、スパッタリング法により、半導体層４１を形成し得る。 Next, in step S4, the laminated semiconductor 4 is formed. Specifically, first, the semiconductor layer 41 is formed in a desired shape on a set of the substrate 1, the electrode 21, and the connecting electrode 221. The method for forming the semiconductor layer 41 is also not particularly limited, but when the photoelectric conversion layer used in the perovskite solar cell is adopted as the laminated semiconductor 4, the semiconductor layer 41 can be formed by, for example, a coating method or a sputtering method.

次に、半導体層４１の上に半導体層４２を形成する。半導体層４２の形成方法も特に制限されないが、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層を、積層半導体４として採用する場合、例えば、塗布法、または、蒸着法などにより、半導体層４２を形成し得る。 Next, the semiconductor layer 42 is formed on the semiconductor layer 41. The method for forming the semiconductor layer 42 is also not particularly limited, but when the photoelectric conversion layer used in the perovskite solar cell is adopted as the laminated semiconductor 4, the semiconductor layer 42 can be formed by, for example, a coating method or a thin film deposition method.

次に、半導体層４２の上に半導体層４３を形成する。半導体層４３の形成方法も特に制限されないが、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層を、積層半導体４として採用する場合、例えば、塗布法、または、スパッタリング法などにより、半導体層４３を形成し得る。 Next, the semiconductor layer 43 is formed on the semiconductor layer 42. The method for forming the semiconductor layer 43 is also not particularly limited, but when the photoelectric conversion layer used in the perovskite solar cell is adopted as the laminated semiconductor 4, the semiconductor layer 43 can be formed by, for example, a coating method or a sputtering method.

このようにして、積層半導体４が形成される。次に、ステップＳ５にて、積層半導体４の上に電極２２を形成する。電極２２の形成方法も特に制限されないものの、例えば、次のように形成できる。例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、電極層を電極２１および積層半導体４の一組の上に形成する。そして、所定の位置において、この電極層に、電極２２を互いに区別するための溝を形成する。この溝は例えば、フォトリソグラフィー法などによって形成され得る。 In this way, the laminated semiconductor 4 is formed. Next, in step S5, the electrode 22 is formed on the laminated semiconductor 4. The method for forming the electrode 22 is not particularly limited, but the electrode 22 can be formed as follows, for example. For example, an electrode layer is formed on a set of an electrode 21 and a laminated semiconductor 4 by a sputtering method, a vapor deposition method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or the like. Then, at a predetermined position, a groove for distinguishing the electrodes 22 from each other is formed in the electrode layer. This groove can be formed by, for example, a photolithography method.

次に、ステップＳ６にて、導体３１を設置する。導体３１の設置方法は導体３２と同様であるので、繰り返しの説明を避ける。なおステップＳ６は、ステップＳ２の後であれば、どのタイミングで実行されても構わない。 Next, in step S6, the conductor 31 is installed. Since the method of installing the conductor 31 is the same as that of the conductor 32, repeated explanations will be avoided. Note that step S6 may be executed at any timing as long as it is after step S2.

以上のように、本製造方法によれば、積層半導体４Ｄを形成するときに（ステップＳ４）は、既に導体３２が設置されている（ステップＳ３）。したがって、積層半導体４Ｄを段差部（例えば導体３２）に適切に接触させることができる。 As described above, according to the present manufacturing method, the conductor 32 is already installed when the laminated semiconductor 4D is formed (step S4) (step S3). Therefore, the laminated semiconductor 4D can be appropriately brought into contact with the step portion (for example, the conductor 32).

＜導体３２および半導体層４１，４２の位置関係＞
図４および図５においては、例えば、半導体層４１は導体３２に接しており、半導体層４２は半導体層４１を介して導体３２と対向している。この場合、半導体層４２は導体３２に接しない。もし半導体層４２が導体３２に接すると、その界面付近において、半導体層４２で生成されたキャリア（電子または正孔）が、導体３２において再結合し得る。つまり、図４および図５に例示するように、半導体層４２が半導体層４１を介して導体３２と対面する場合には、このようなキャリアの再結合を抑制、または、回避することができる。これによっても、太陽電池モジュール１００の発電量を向上することができる。 <Positional relationship between conductor 32 and semiconductor layers 41 and 42>
In FIGS. 4 and 5, for example, the semiconductor layer 41 is in contact with the conductor 32, and the semiconductor layer 42 faces the conductor 32 via the semiconductor layer 41. In this case, the semiconductor layer 42 does not contact the conductor 32. If the semiconductor layer 42 comes into contact with the conductor 32, the carriers (electrons or holes) generated in the semiconductor layer 42 may recombine in the conductor 32 near the interface. That is, as illustrated in FIGS. 4 and 5, when the semiconductor layer 42 faces the conductor 32 via the semiconductor layer 41, such carrier recombination can be suppressed or avoided. This also makes it possible to improve the amount of power generated by the solar cell module 100.

＜導体３２の接合強度＞
＜接続部材３２２と半導体層４１との相性＞
接続部材３２２は、例えば半田（より具体的には、例えば鉛およびスズを含む合金）によって形成される。そして、電極２１Ｄが上述の透明電極であり、接続部材３２２が半田である場合、接続部材３２２と電極２１Ｄとの間の、材料的な観点での接合強度がさほど高くない場合がある。よってこの場合、導体３２が電極２１Ｄから剥がれ得る。そこで、接続部材３２２と接する半導体層４１の材料として、例えば、接続部材３として半田を使用して、半導体層４１として酸化チタン(IV)を採用してもよい。酸化チタンと接続部材３２２との相性は良く、これらの材料的な観点での接合強度は、接続部材３２２と透明電極との材料的な観点での接合強度よりも高い。これによれば、高い接合強度で接続部材３２２が半導体層４１に接合されるので、全体としての導体３２の接合強度を向上することができる。よって導体３２が剥がれる可能性を低減できる。 <Joint strength of conductor 32>
<Compatibility between connecting member 322 and semiconductor layer 41>
The connecting member 322 is formed of, for example, solder (more specifically, an alloy containing, for example, lead and tin). When the electrode 21D is the above-mentioned transparent electrode and the connecting member 322 is solder, the bonding strength between the connecting member 322 and the electrode 21D may not be so high from a material point of view. Therefore, in this case, the conductor 32 can be peeled off from the electrode 21D. Therefore, as the material of the semiconductor layer 41 in contact with the connecting member 322, for example, solder may be used as the connecting member 3 and titanium oxide (IV) may be adopted as the semiconductor layer 41. The compatibility between titanium oxide and the connecting member 322 is good, and the bonding strength of these from the material point of view is higher than the bonding strength of the connecting member 322 and the transparent electrode from the material point of view. According to this, since the connecting member 322 is bonded to the semiconductor layer 41 with high bonding strength, the bonding strength of the conductor 32 as a whole can be improved. Therefore, the possibility that the conductor 32 is peeled off can be reduced.

また、材料的な接合強度が高い組み合わせの例として、接続部材３２２および半導体層４１はそれぞれ鉛およびスズを含む合金および、酸化チタンで形成されてもよい。 Further, as an example of a combination having high material bonding strength, the connecting member 322 and the semiconductor layer 41 may be formed of an alloy containing lead and tin, respectively, and titanium oxide.

＜接続部材３２２と下地層と、電極２１との位置関係＞
図８は、太陽電池モジュール１００Ａの＋Ｙ側の端部の断面の一例を概略的に示す図である。太陽電池モジュール１００Ａは、太陽電池モジュール１００と比べて、下地層５を更に備えている。下地層５は基板１と電極２１Ｄとの間に介在している。本開示の下地層５は、例えば酸化チタン(IV)によって形成される層であり、例えば塗布法またはスパッタリング法によって形成され得る。下地層５の厚みは、適宜に設定されればよく、例えば、１０［ｎｍ］以上且つ１［μｍ］以下程度に設定され得る。 <Positional relationship between the connecting member 322, the base layer, and the electrode 21>
FIG. 8 is a diagram schematically showing an example of a cross section of the end portion on the + Y side of the solar cell module 100A. The solar cell module 100A further includes a base layer 5 as compared with the solar cell module 100. The base layer 5 is interposed between the substrate 1 and the electrode 21D. The base layer 5 of the present disclosure is, for example, a layer formed of titanium oxide (IV), and may be formed, for example, by a coating method or a sputtering method. The thickness of the base layer 5 may be appropriately set, and can be set to, for example, about 10 [nm] or more and 1 [μm] or less.

また接続部材３２２は、下地層５の上に位置しつつ、電極２１Ｄの側面（端面）と接している。例えば、電極２１Ｄには、接続部材３２２に相当する部分において孔が形成されており、その孔に接続部材３２２の一部が埋まっている。つまり接続部材３２２は電極２１ＤをＺ軸方向において貫通している。また、この接続部材３２２は、その−Ｚ側の一主面（下面）において下地層５に接しており、例えばその両側面（−Ｙ側の側面および＋Ｙ側の側面）において、電極２１Ｄに接している。接続部材３２２が電極２１Ｄと接することにより、配線３２１は接続部材３２２を介して電極２１Ｄと電気的に接続される。なお、接続部材３３２は、電極２１Ｄと接していればよく、接続部材３３２は電極２１Ｄの孔から電極２１Ｄの上面に延在していてもよい。 Further, the connecting member 322 is in contact with the side surface (end surface) of the electrode 21D while being located on the base layer 5. For example, the electrode 21D has a hole formed in a portion corresponding to the connecting member 322, and a part of the connecting member 322 is buried in the hole. That is, the connecting member 322 penetrates the electrode 21D in the Z-axis direction. Further, the connecting member 322 is in contact with the base layer 5 on one main surface (lower surface) on the −Z side thereof, and is in contact with the electrode 21D on both side surfaces (side surfaces on the −Y side and + Y side) thereof, for example. ing. When the connecting member 322 comes into contact with the electrode 21D, the wiring 321 is electrically connected to the electrode 21D via the connecting member 322. The connecting member 332 may be in contact with the electrode 21D, and the connecting member 332 may extend from the hole of the electrode 21D to the upper surface of the electrode 21D.

この構造においても、導体３２は電極２１Ｄとともに段差部を形成している。例えば導体３２が電極２１Ｄよりも十分に厚く設定されることにより、段差部が形成される。積層半導体４Ｄは、この段差部に接している。より具体的には、積層半導体４Ｄは、導体３２の−Ｙ側の側面のみならず、導体３２の上方の領域、および、導体３２に対して＋Ｙ側の領域にも位置している。よって、太陽電池モジュール１００と同様に、太陽電池モジュール１００Ａの発電量を向上できる。 Also in this structure, the conductor 32 forms a stepped portion together with the electrode 21D. For example, when the conductor 32 is set to be sufficiently thicker than the electrode 21D, a step portion is formed. The laminated semiconductor 4D is in contact with this step portion. More specifically, the laminated semiconductor 4D is located not only on the −Y side side surface of the conductor 32 but also in the region above the conductor 32 and the region on the + Y side with respect to the conductor 32. Therefore, similarly to the solar cell module 100, the power generation amount of the solar cell module 100A can be improved.

しかも、この構造によれば、接続部材３２２は、より広い下面において、下地層５に接合される。接続部材３２２が半田（例えば鉛およびスズを含む合金）であり、下地層５が酸化チタン層である場合、材料という観点での接合強度が高い下地層５に対して、より広い面積で、接続部材３２２が接合している。これによれば、より効果的に接続部材３２２の接合強度を向上することができ、導体３２が剥がれる可能性を更に低減することができる。 Moreover, according to this structure, the connecting member 322 is joined to the base layer 5 on a wider lower surface. When the connecting member 322 is solder (for example, an alloy containing lead and tin) and the base layer 5 is a titanium oxide layer, the base layer 5 is connected to the base layer 5 having high bonding strength in terms of material in a wider area. The members 322 are joined. According to this, the joint strength of the connecting member 322 can be improved more effectively, and the possibility that the conductor 32 is peeled off can be further reduced.

このような構造は、例えば、次の手順で実現され得る。まず、基板１の上に下地層５および電極２１Ｄをこの順で形成する。下地層５は、例えば、塗布法またはスパッタリング法などによって形成し得る。電極２１Ｄは、例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、形成し得る。次に、接続部材３２２を用いて、配線３２１を電極２１Ｄに固定する。接続部材３２２が半田である場合、半田付けによって、配線３２１を電極２１Ｄに固定する。例えばこの半田付けに起因して、電極２１Ｄの一部（接続部材３２２に相当する部分）が除去され得、接続部材３２２がその下層の下地層５に接合するとともに、その側面において、電極２１Ｄと接合する。 Such a structure can be realized, for example, by the following procedure. First, the base layer 5 and the electrode 21D are formed on the substrate 1 in this order. The base layer 5 can be formed by, for example, a coating method or a sputtering method. The electrode 21D can be formed, for example, by a sputtering method, a thin film deposition method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or the like. Next, the wiring 321 is fixed to the electrode 21D by using the connecting member 322. When the connecting member 322 is soldered, the wiring 321 is fixed to the electrode 21D by soldering. For example, due to this soldering, a part of the electrode 21D (a portion corresponding to the connecting member 322) can be removed, and the connecting member 322 is joined to the underlying layer 5 under the connecting member 322, and on the side surface thereof, the electrode 21D and Join.

当該除去は、例えば、次のメカニズムによって実現され得る。例えば、電極２１Ｄが透明電極としての酸化物を含む場合、接続部材３２２（例えば半田）に含まれる酸化除去材（いわゆるフラックス）が当該酸化物を除去することができる。電極２１Ｄの膜厚および半田付けの条件などを調整することで、電極２１Ｄを除去しつつ、接続部材３２２を下地層５に接合することができる。あるいは、他のメカニズムによって電極２１Ｄが除去されてもよい。例えば熱または超音波振動に起因して、電極２１Ｄを除去し得る。あるいは、電極２１Ｄに対して、半田付けに起因した除去以外の除去を施してもよい。例えばフォトリソグラフィー法またはレーザ等を用いて電極２１Ｄの一部を除去し、当該一部において、接続部材３２２を用いて配線３２１を固定しても構わない。 The removal can be achieved, for example, by the following mechanism. For example, when the electrode 21D contains an oxide as a transparent electrode, the oxidation removing material (so-called flux) contained in the connecting member 322 (for example, solder) can remove the oxide. By adjusting the film thickness of the electrode 21D, the soldering conditions, and the like, the connecting member 322 can be joined to the base layer 5 while removing the electrode 21D. Alternatively, the electrode 21D may be removed by another mechanism. Electrode 21D can be removed, for example due to heat or ultrasonic vibration. Alternatively, the electrode 21D may be removed other than the removal caused by soldering. For example, a part of the electrode 21D may be removed by a photolithography method, a laser, or the like, and the wiring 321 may be fixed in the part by using the connecting member 322.

＜太陽電池モジュール１００Ｃ＞
図９から図１１は、太陽電池モジュール１００Ｃの構成の一例を、概略的に示す図である。図９では、太陽電池モジュール１００Ｃの中央付近の断面が示されており、図１０では、太陽電池モジュール１００Ｃの−Ｙ側の端付近の断面が示されており、図１１では、太陽電池モジュール１００Ｃの＋Ｙ側の端付近の断面が示されている。 <Solar cell module 100C>
9 to 11 are diagrams schematically showing an example of the configuration of the solar cell module 100C. FIG. 9 shows a cross section of the solar cell module 100C near the center, FIG. 10 shows a cross section of the solar cell module 100C near the −Y side end, and FIG. 11 shows the solar cell module 100C. The cross section near the end on the + Y side of is shown.

太陽電池モジュール１００Ｃにおいては、電極２１および電極２２の替わりに電極２が設けられている。複数の電極２は基板１の上に位置している。これら複数の電極２はＹ軸方向において相互に間隔を空けて並んで配されている。つまり、隣り合う電極２の間には、これらを分離する領域としての溝Ｐ１’が配されている。よって、隣り合う電極２は溝Ｐ１’を介して離間している。具体的には、溝Ｐ１’は電極２の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。電極２の各々は、平面視において、例えばＸ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。言い換えれば、電極２の各々はＸ軸方向に沿って延在してもよい。この場合、この溝Ｐ１’もＸ軸方向に沿って延在する。 In the solar cell module 100C, an electrode 2 is provided instead of the electrode 21 and the electrode 22. The plurality of electrodes 2 are located on the substrate 1. These plurality of electrodes 2 are arranged side by side at intervals in the Y-axis direction. That is, a groove P1'as a region for separating them is arranged between the adjacent electrodes 2. Therefore, the adjacent electrodes 2 are separated from each other via the groove P1'. Specifically, the groove P1'is arranged in the region from one main surface (upper surface) on the + Z side of the electrode 2 to one main surface (lower surface) on the −Z side. Each of the electrodes 2 may have an elongated shape (for example, a rectangular shape) long in the X-axis direction in a plan view. In other words, each of the electrodes 2 may extend along the X-axis direction. In this case, the groove P1'also extends along the X-axis direction.

太陽電池モジュール１００Ｃにおいては、各電極２が、互いに接続される一対の電極２１，２２として機能する。つまり、ある光電変換セル１０の電極２１、および、当該光電変換セル１０に隣り合う光電変換セル１０の電極２２が、電極２を構成する。例えば、電極２のうち−Ｙ側の部分は、電極２１として機能し、電極２のうち＋Ｙ側の部分は、電極２２として機能する。 In the solar cell module 100C, each electrode 2 functions as a pair of electrodes 21 and 22 connected to each other. That is, the electrode 21 of a certain photoelectric conversion cell 10 and the electrode 22 of the photoelectric conversion cell 10 adjacent to the photoelectric conversion cell 10 constitute the electrode 2. For example, the portion of the electrode 2 on the −Y side functions as the electrode 21, and the portion of the electrode 2 on the + Y side functions as the electrode 22.

複数の積層半導体４の各々は、隣り合う２つの電極２の上に位置している。例えばある積層半導体４は、一方の電極２のうち電極２１に相当する部分、および、他方の電極２のうち電極２２に相当する部分に跨って配されている。ここで、代表的に電極２ａ〜２ｃを導入して説明する。電極２ａ〜２ｃは、隣り合う３つの電極２であり、−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されている。図９の例においては、積層半導体４Ａは、電極２ａのうち電極２２Ａに相当する部分、および、電極２ｂのうち電極２１Ａに相当する部分に跨って配されている。積層半導体４Ｂは、電極２ｂのうち電極２２Ｂに相当する部分、および、電極２ｃのうち電極２１Ｂに相当する部分に跨って配されている。このような構造によれば、積層半導体４Ａ，４Ｂは電極２ｂによって相互に直列に接続される。 Each of the plurality of laminated semiconductors 4 is located on two adjacent electrodes 2. For example, a laminated semiconductor 4 is arranged across a portion of one electrode 2 corresponding to the electrode 21 and a portion of the other electrode 2 corresponding to the electrode 22. Here, electrodes 2a to 2c will be typically introduced and described. The electrodes 2a to 2c are three adjacent electrodes 2, and are arranged in this order from the −Y side to the + Y side. In the example of FIG. 9, the laminated semiconductor 4A is arranged across the portion of the electrode 2a corresponding to the electrode 22A and the portion of the electrode 2b corresponding to the electrode 21A. The laminated semiconductor 4B is arranged across a portion of the electrode 2b corresponding to the electrode 22B and a portion of the electrode 2c corresponding to the electrode 21B. According to such a structure, the laminated semiconductors 4A and 4B are connected in series with each other by the electrodes 2b.

隣り合う積層半導体４の間には、これらを分離する領域としての溝Ｐ２’が配されている。つまり、隣り合う積層半導体４は、溝Ｐ２’を介して離間している。具体的には、溝Ｐ２’は、積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。この溝Ｐ２’は例えばＸ軸方向に沿って延在する。 A groove P2'as a region for separating these is arranged between adjacent laminated semiconductors 4. That is, the adjacent laminated semiconductors 4 are separated from each other via the groove P2'. Specifically, the groove P2'is arranged in the region from one main surface (upper surface) on the + Z side of the laminated semiconductor 4 to one main surface (lower surface) on the −Z side. The groove P2'extends, for example, along the X-axis direction.

溝Ｐ２’は電極２の上に位置する。例えば積層半導体４Ａ，４Ｂについて説明すると、積層半導体４Ａ，４Ｂを分離する溝Ｐ２’は電極２ｂの上に位置している。言い換えると、積層半導体４Ａ，４Ｂは電極２ｂの上において互いに離間している。 The groove P2'is located above the electrode 2. For example, when the laminated semiconductors 4A and 4B are described, the groove P2'that separates the laminated semiconductors 4A and 4B is located on the electrode 2b. In other words, the laminated semiconductors 4A and 4B are separated from each other on the electrode 2b.

積層半導体４の各々は、太陽電池モジュール１００と同様に、半導体層４１〜４３を有しているものの、その位置関係は太陽電池モジュール１００におけるそれと相違する。半導体層４１，４３は、それぞれ電極２の上に位置しており、Ｙ軸方向において相互に離間している。具体的には、半導体層４１は、電極２のうち電極２１に相当する部分の上に位置しており、半導体層４３は、電極２のうち電極２２に相当する部分の上に位置している。例えば積層半導体４Ｂにおいて、半導体層４１は電極２ｃのうち電極２１Ｂに相当する部分の上に位置し、半導体層４３は電極２ｂのうち電極２２Ｂに相当する部分の上に位置している。 Although each of the laminated semiconductors 4 has semiconductor layers 41 to 43 like the solar cell module 100, their positional relationship is different from that in the solar cell module 100. The semiconductor layers 41 and 43 are located on the electrodes 2 and are separated from each other in the Y-axis direction. Specifically, the semiconductor layer 41 is located on the portion of the electrode 2 corresponding to the electrode 21, and the semiconductor layer 43 is located on the portion of the electrode 2 corresponding to the electrode 22. .. For example, in the laminated semiconductor 4B, the semiconductor layer 41 is located on the portion of the electrode 2c corresponding to the electrode 21B, and the semiconductor layer 43 is located on the portion of the electrode 2b corresponding to the electrode 22B.

半導体層４２は、半導体層４１，４３の上に位置している。具体的には、半導体層４２は、半導体層４１，４３の上の領域と、半導体層４１，４２の間に相当する領域とに位置している。 The semiconductor layer 42 is located on the semiconductor layers 41 and 43. Specifically, the semiconductor layer 42 is located in a region above the semiconductor layers 41 and 43 and a region corresponding between the semiconductor layers 41 and 42.

このような太陽電池モジュール１００Ｃにおいても、半導体層４２は外光を吸収して正孔および電子を生成する。この正孔は半導体層４３を介して電極２２へと移動し、電子は半導体層４１を介して電極２１へと移動する。これにより、光電変換セル１０は光を吸収して発電を行うことができる。 Even in such a solar cell module 100C, the semiconductor layer 42 absorbs external light to generate holes and electrons. The holes move to the electrode 22 via the semiconductor layer 43, and the electrons move to the electrode 21 via the semiconductor layer 41. As a result, the photoelectric conversion cell 10 can absorb light to generate electricity.

この太陽電池モジュール１００Ｃにおいても、図１１に示すように、積層半導体４Ｄは、段差部（ここでは導体３２）に接している。つまり、積層半導体４Ｄは、少なくとも、導体３２の−Ｙ側の側面に接している。図１１の例においては、積層半導体４Ｄの半導体層４１は、導体３２の−Ｙ側の側面、上面、および、＋Ｙ側の側面に接しており、また、導体３２に対して＋Ｙ側の領域において、電極２１Ｄの上に位置している。そして、半導体層４１の上に、積層半導体４Ｄの半導体層４２が位置している。 Also in this solar cell module 100C, as shown in FIG. 11, the laminated semiconductor 4D is in contact with the step portion (here, the conductor 32). That is, the laminated semiconductor 4D is in contact with at least the side surface of the conductor 32 on the −Y side. In the example of FIG. 11, the semiconductor layer 41 of the laminated semiconductor 4D is in contact with the −Y side side surface, the upper surface surface, and the + Y side side surface of the conductor 32, and in the region on the + Y side with respect to the conductor 32. , Located above the electrode 21D. Then, the semiconductor layer 42 of the laminated semiconductor 4D is located on the semiconductor layer 41.

この構造によれば、太陽電池モジュール１００と同様に、積層半導体４Ｄの幅を向上することができる。したがって、太陽電池モジュール１００Ｃの発電量を向上することができる。 According to this structure, the width of the laminated semiconductor 4D can be improved as in the solar cell module 100. Therefore, the amount of power generated by the solar cell module 100C can be improved.

しかも、太陽電池モジュール１００Ｃによれば、導体３２の上方の領域には、電極２２が位置しない。したがって、導体３２と電極２２との間の短絡は発生しない。 Moreover, according to the solar cell module 100C, the electrode 22 is not located in the region above the conductor 32. Therefore, a short circuit between the conductor 32 and the electrode 22 does not occur.

また、太陽電池モジュール１００Ｃにおいては、図１０に示すように、積層半導体４Ｃも、段差部（ここでは導体３１）に接していてもよい。つまり、積層半導体４Ｃは、少なくとも、導体３１の＋Ｙ側の側面に接していてもよい。図１０の例においては、積層半導体４Ｃの半導体層４３は、導体３２の＋Ｙ側の側面、上面、および−Ｙ側の側面に接しており、また、導体３２に対して−Ｙ側の領域において、電極２２Ｃの上に位置している。そして、この半導体層４３の上には、積層半導体４Ｃの半導体層４２が位置している。この構造によれば、積層半導体４Ｄと同様に、積層半導体４Ｃの幅（Ｙ軸方向に沿う幅）を向上することができる。 Further, in the solar cell module 100C, as shown in FIG. 10, the laminated semiconductor 4C may also be in contact with the step portion (here, the conductor 31). That is, the laminated semiconductor 4C may be in contact with at least the side surface of the conductor 31 on the + Y side. In the example of FIG. 10, the semiconductor layer 43 of the laminated semiconductor 4C is in contact with the + Y side side surface, the upper surface surface, and the −Y side side surface of the conductor 32, and in the region on the −Y side with respect to the conductor 32. , Located above the electrode 22C. The semiconductor layer 42 of the laminated semiconductor 4C is located on the semiconductor layer 43. According to this structure, the width (width along the Y-axis direction) of the laminated semiconductor 4C can be improved as in the case of the laminated semiconductor 4D.

以上のように、太陽電池モジュール１００Ｃによれば、そのＹ軸方向における片側の端のみならず、両側の端において、それぞれ積層半導体４Ｃ，４Ｄの幅を向上することができる。よって、太陽電池モジュール１００Ｃの発電領域を更に広げることができ、更に発電量を向上することができる。 As described above, according to the solar cell module 100C, the widths of the laminated semiconductors 4C and 4D can be improved not only at one end in the Y-axis direction but also at both ends. Therefore, the power generation area of the solar cell module 100C can be further expanded, and the amount of power generation can be further improved.

なお、積層半導体４は上述の構成に限らない。要するに、光を吸収して発電できる任意の構成を積層半導体４に採用すればよい。例えば、積層半導体４は、アモルファスシリコンなどの非晶質系の半導体を有していてもよく、あるいは、カルコパイライト系の化合物半導体であるＩ−III−VI族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、III-V族化合物半導体またはII-IV-V族化合物半導体などの化合物半導体を有していてもよい。 The laminated semiconductor 4 is not limited to the above configuration. In short, the laminated semiconductor 4 may have an arbitrary configuration capable of absorbing light to generate electricity. For example, the laminated semiconductor 4 may have an amorphous semiconductor such as amorphous silicon, or an I-III-VI group compound semiconductor or a II-VI group compound semiconductor which is a calcopyrite-based compound semiconductor. , III-V group compound semiconductors, II-IV-V group compound semiconductors, and other compound semiconductors.

以上のように、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。例えば、図１１の光電変換セル１０Ｃを、太陽電池モジュール１００，１００Ａ，１００Ｂの光電変換セル１０Ｃに適用してもよい。これによっても、太陽電池モジュールのＹ軸方向における両端において、積層半導体４Ｃ，４Ｄの幅を向上することができ、発電量を向上することができる。 As described above, the solar cell module and the method for manufacturing the solar cell module have been described in detail, but the above description is an example in all aspects, and the disclosure is not limited thereto. In addition, the various modifications described above can be applied in combination as long as they do not contradict each other. And it is understood that a large number of modifications not illustrated can be assumed without departing from the scope of this disclosure. For example, the photoelectric conversion cell 10C of FIG. 11 may be applied to the photoelectric conversion cell 10C of the solar cell modules 100, 100A, 100B. This also makes it possible to improve the widths of the laminated semiconductors 4C and 4D at both ends of the solar cell module in the Y-axis direction, and to improve the amount of power generation.

１ 基板
２１，２１Ａ〜２１Ｄ，２２，２２Ａ〜２２Ｄ 電極
４ 積層半導体（光電変換層）
５ 下地層
１０ 光電変換セル
１００，１００Ａ〜１００Ｃ 太陽電池モジュール 1 Substrate 21,21A to 21D, 22, 22A to 22D Electrode 4 Laminated semiconductor (photoelectric conversion layer)
5 Underlayer 10 Photoelectric conversion cell 100, 100A-100C Solar cell module

Claims (8)

基板と、
前記基板の上に位置する第１電極と、
前記第１電極に接続された第１導体と、
前記第１電極の上に位置しつつ、前記第１導体と接する第１光電変換層と、
前記第１光電変換層に接続される第２電極と
を備え、
前記第１光電変換層は、前記第１電極の上に位置する半導体層を備え、
前記第１導体は、
配線と、
前記配線と前記第１電極との間に介在し、前記半導体層と接する接続部材と
を有する、太陽電池モジュール。 With the board
The first electrode located on the substrate and
The first conductor connected to the first electrode and
A first photoelectric conversion layer that is located on the first electrode and is in contact with the first conductor.
A second electrode connected to the first photoelectric conversion layer is provided.
The first photoelectric conversion layer includes a semiconductor layer located on the first electrode.
The first conductor is
Wiring and
A solar cell module having a connecting member interposed between the wiring and the first electrode and in contact with the semiconductor layer . 基板と、
前記基板の上に位置する第１電極と、
前記第１電極に接続された第１導体と、
前記第１電極の上に位置しつつ、前記第１導体と接する第１光電変換層と、
前記第１光電変換層に接続される第２電極と
を備え、
前記第１電極と前記基板との間に位置する下地層をさらに備え、
前記第１導体は、
配線と、
前記配線と前記下地層との間に介在し、前記第１電極を貫通しつつ前記第１電極に接する接続部材と
を有する、太陽電池モジュール。 With the board
The first electrode located on the substrate and
The first conductor connected to the first electrode and
A first photoelectric conversion layer that is located on the first electrode and is in contact with the first conductor.
A second electrode connected to the first photoelectric conversion layer is provided.
Further provided with a base layer located between the first electrode and the substrate,
The first conductor is
Wiring and
A solar cell module having a connecting member that is interposed between the wiring and the base layer and is in contact with the first electrode while penetrating the first electrode. 請求項１または請求項２に記載の太陽電池モジュールであって、
前記第１光電変換層は前記第１導体の上方の領域にも位置している、太陽電池モジュール。 The solar cell module according to claim 1 or 2 .
A solar cell module in which the first photoelectric conversion layer is also located in a region above the first conductor. 請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記第１光電変換層は、前記第１導体の両側の領域にも位置している、太陽電池モジュール。 The solar cell module according to any one of claims 1 to 3 .
The first photoelectric conversion layer is also a solar cell module located in a region on both sides of the first conductor. 請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記第２電極は前記第１光電変換層の上に位置しつつ、前記第１導体の上方の領域を避けて設けられている、太陽電池モジュール。 The solar cell module according to any one of claims 1 to 4 .
A solar cell module in which the second electrode is located on the first photoelectric conversion layer and is provided so as to avoid a region above the first conductor. 請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記基板の上に位置し、所定方向において、相互に間隔を空けて並ぶ複数の光電変換セルを備え、
前記複数の光電変換セルのうち一方の端に位置する第１光電変換セルは、前記第１電極と、前記第２電極と、前記第１光電変換層とを有し、
前記複数の光電変換セルのうち他方の端に位置する第２光電変換セルは、
前記基板の上に位置する第３電極と、
前記第３電極に接続され、前記第３電極と共に第２段差部を形成する第２導体と、
前記第３電極の上に位置するとともに、前記第２段差部と接する第２光電変換層と、
前記第２光電変換層に接続される第４電極と
を備える、太陽電池モジュール。 The solar cell module according to any one of claims 1 to 5 .
A plurality of photoelectric conversion cells located on the substrate and arranged in a predetermined direction at intervals from each other are provided.
The first photoelectric conversion cell located at one end of the plurality of photoelectric conversion cells has the first electrode, the second electrode, and the first photoelectric conversion layer.
The second photoelectric conversion cell located at the other end of the plurality of photoelectric conversion cells is
The third electrode located on the substrate and
A second conductor connected to the third electrode and forming a second step portion together with the third electrode,
A second photoelectric conversion layer located on the third electrode and in contact with the second step portion,
A solar cell module including a fourth electrode connected to the second photoelectric conversion layer. 太陽電池モジュールを製造する方法であって、
基板の上に第１電極を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、前記接続部材が前記配線と前記第１電極との間に介在するように、前記第１電極の上に形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記第１電極の上に、前記接続部材と接する半導体層を形成して光電変換層を形成する第３工程と
を備える、太陽電池モジュールの製造方法。 A method of manufacturing solar cell modules
The first step of forming the first electrode on the substrate and
After the first step, a second step of forming a first conductor including a wiring and a connecting member on the first electrode so that the connecting member is interposed between the wiring and the first electrode. When,
A method for manufacturing a solar cell module, comprising: after the second step, a third step of forming a semiconductor layer in contact with the connecting member on the first electrode to form a photoelectric conversion layer. 太陽電池モジュールを製造する方法であって、
基板の上に下地層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記下地層の上に第１電極を形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、前記接続部材が前記配線と前記下地層との間に介在しつつ前記第１電極と接触するように、前記第１電極の一部を除去しつつ前記下地層の上に形成する第３工程と、
前記第３工程の後に、前記第１電極の上に、前記第１導体と接するように、光電変換層を形成する第４工程と
を備える、太陽電池モジュールの製造方法。 A method of manufacturing solar cell modules
The first step of forming the base layer on the substrate and
After the first step, a second step of forming the first electrode on the base layer and
After the second step, the first conductor including the wiring and the connecting member is placed on the first electrode so that the connecting member comes into contact with the first electrode while interposing between the wiring and the base layer. The third step of forming on the base layer while removing a part, and
A method for manufacturing a solar cell module, comprising: after the third step, a fourth step of forming a photoelectric conversion layer on the first electrode so as to be in contact with the first conductor.
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