JP6775972B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6775972B2 JP6775972B2 JP2016053446A JP2016053446A JP6775972B2 JP 6775972 B2 JP6775972 B2 JP 6775972B2 JP 2016053446 A JP2016053446 A JP 2016053446A JP 2016053446 A JP2016053446 A JP 2016053446A JP 6775972 B2 JP6775972 B2 JP 6775972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- film
- work
- closed container
- sputter gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3457—Sputtering using other particles than noble gas ions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0042—Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/347—Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3476—Testing and control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜装置であって、
成膜材料からなるターゲットが配置され、内部に前記ワークが搬入される密閉容器と、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気する排気装置と、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入するスパッタガス導入部と、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の前記密閉容器内の圧力であるベース圧力を計測する圧力計と、
前記圧力計で測定されたベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定し、前記スパッタガス導入部を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置は、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値が徐々に減少するように、前記スパッタガス導入部を制御する。
また、本発明の成膜装置は、
ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜装置であって、
成膜材料からなるターゲットが配置され、内部に前記ワークが搬入される密閉容器と、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気する排気装置と、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入するスパッタガス導入部と、
前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の前記密閉容器内の圧力であり、前記電源装置から前記ターゲットに供給された電力の積算量に基づいて決定されるベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定し、前記スパッタガス導入部を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置は、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値が徐々に減少するように、前記スパッタガス導入部を制御する。
ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜方法であって、
成膜材料からなるターゲットが配置された密閉容器の内部に前記ワークを搬入し、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気し、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入し、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の圧力であるベース圧力を圧力計で測定し、測定されたベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定して前記スパッタガスを導入するものであって、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値を減少させる。
また、本発明の成膜方法は、
ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜方法であって、
成膜材料からなるターゲットが配置された密閉容器の内部に前記ワークを搬入し、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気し、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入し、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の圧力であり、前記ターゲットに供給された電力の積算量に基づいて決定されるベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定し、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値を減少させる。
[構成]
本発明の第1の実施形態について、図面を参照して説明する。
次に、本実施形態に係る成膜装置1の動作及び成膜方法について説明する。以下に述べる成膜装置1の動作は、制御装置4の機構制御部41によって制御されるものである。ワークWは、大気圧の外部からロードロック室に搬入される。ロードロック室を予め設定された圧力まで減圧してから搬入口20を開き、チャンバ2の内部にワークWを搬入する。ロードロック室の圧力はチャンバ2の圧力よりも高いため、搬入口20を開いたときにチャンバ2の圧力は一時的に上昇する。搬入したワークWはステージ21に載置する。ワークWの搬入は、不図示の搬送装置で行う。ステージ21に載置した後は、搬入口20を閉じてチャンバ2を密閉する。チャンバ2は排気装置25によって常時排気されているため、搬入口20を閉じることによってチャンバ2は減圧される。
上述の実施形態の成膜装置1において、以下の条件で成膜処理を行った。
・DC電力[kW]: 3.5
・Arガス圧力[Pa]: 1.46(420sccm)
・O2圧力[Pa]: 0.037(12.5sccm)
・成膜圧力(Ar+O2)[Pa]: 1.50
・放電電圧[V]: 398
・排気時間[s]:23.4
・成膜時間[s]: 5.2
・成膜速度[nm/s]: 7.7
・ターゲット231:酸化インジウムスズ(ITO)
・膜厚[nm]:40
・ワークW:ポリカーボネート基板
(1)本実施形態の成膜装置1は、成膜材料からなるターゲット231が配置され、内部にワークWが搬入される密閉容器であるチャンバ2と、ワークWの搬入後、チャンバ2を所定の排気時間、排気してベース圧力にする排気装置25と、ベース圧力に排気されたチャンバ2の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入するスパッタガス導入部27と、を備える。スパッタガス導入部27は、チャンバ2の内部に付着する成膜材料の増加によるベース圧力の上昇に応じて、チャンバ2に導入するスパッタガスの酸素分圧を減少させる。
本発明の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、第1の実施形態の構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付与し詳細な説明を省略する。
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した成膜装置1は、スパッタリング等の成膜処理とエッチング等の膜処理を行う複数のチャンバを備えた、マルチチャンバ型のプラズマ処理装置に適用しても良い。
2 チャンバ
20 搬入口
21 ステージ
22 シャフト
23 スパッタ源
231 ターゲット
232 バッキングプレート
233 導電部材
24 電源装置
25 排気装置
26 圧力計
27 スパッタガス導入部
271a アルゴンガス導入部
272a 酸素導入部
271b,272b 流量制御計
4 制御装置
41 機構制御部
42 酸素分圧決定部
43 記憶部
44 計時部
45 警報生成部
46 入出力制御部
47 入力装置
48 出力装置
49 ベース圧力決定部
W ワーク
Claims (5)
- ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜装置であって、
成膜材料からなるターゲットが配置され、内部に前記ワークが搬入される密閉容器と、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気する排気装置と、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入するスパッタガス導入部と、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の前記密閉容器内の圧力であるベース圧力を計測する圧力計と、
前記圧力計で測定されたベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定し、前記スパッタガス導入部を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置は、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値が徐々に減少するように、前記スパッタガス導入部を制御することを特徴とする成膜装置。 - ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜装置であって、
成膜材料からなるターゲットが配置され、内部に前記ワークが搬入される密閉容器と、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気する排気装置と、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入するスパッタガス導入部と、
前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の前記密閉容器内の圧力であり、前記電源装置から前記ターゲットに供給された電力の積算量に基づいて決定されるベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定し、前記スパッタガス導入部を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置は、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値が徐々に減少するように、前記スパッタガス導入部を制御することを特徴とする成膜装置。 - 前記ベース圧力が6×10−3[Pa]を超えたときに警報を生成する警報生成部を更に備えることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜装置。
- ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜方法であって、
成膜材料からなるターゲットが配置された密閉容器の内部に前記ワークを搬入し、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気し、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入し、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の圧力であるベース圧力を圧力計で測定し、測定されたベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定して前記スパッタガスを導入するものであって、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値を減少させることを特徴とする成膜方法。 - ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜方法であって、
成膜材料からなるターゲットが配置された密閉容器の内部に前記ワークを搬入し、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気し、
前記所定時間排気した後の前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入し、
前記所定時間排気した後、かつ前記スパッタガスを導入する前の圧力であり、前記ターゲットに供給された電力の積算量に基づいて決定されるベース圧力に基づいて前記スパッタガスの酸素分圧の値を決定し、前記成膜が繰り返されることによって前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料が増加することに伴う前記ベース圧力の上昇に応じて、前記酸素分圧の値を減少させることを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053446A JP6775972B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 成膜装置及び成膜方法 |
KR1020170023939A KR101976254B1 (ko) | 2016-03-17 | 2017-02-23 | 성막 장치 및 성막 방법 |
CN201710148173.1A CN107201503B (zh) | 2016-03-17 | 2017-03-13 | 成膜装置及成膜方法 |
TW106108632A TWI641711B (zh) | 2016-03-17 | 2017-03-16 | 成膜裝置及成膜方法 |
US15/461,906 US10260145B2 (en) | 2016-03-17 | 2017-03-17 | Film formation apparatus and film formation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053446A JP6775972B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 成膜装置及び成膜方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020170135A Division JP7100098B2 (ja) | 2020-10-07 | 2020-10-07 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017166032A JP2017166032A (ja) | 2017-09-21 |
JP6775972B2 true JP6775972B2 (ja) | 2020-10-28 |
Family
ID=59848328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016053446A Active JP6775972B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10260145B2 (ja) |
JP (1) | JP6775972B2 (ja) |
KR (1) | KR101976254B1 (ja) |
CN (1) | CN107201503B (ja) |
TW (1) | TWI641711B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102077224B1 (ko) | 2018-08-14 | 2020-02-13 | 농업회사법인 한국도시농업 주식회사 | 생산량 증대를 위한 체인 컨베이어식 무인자동 작물재배장치 |
KR102219858B1 (ko) | 2018-08-27 | 2021-02-24 | 농업회사법인 한국도시농업 주식회사 | 컨베이어형 작물 재배장치의 자율 회전형 관수시스템 |
KR102143699B1 (ko) | 2018-11-23 | 2020-08-12 | (주)케이피 | 체인 컨베이어식 작물재배장치의 관수시스템 |
KR20200061256A (ko) | 2018-11-23 | 2020-06-02 | 김근우 | 체인 컨베이어식 작물재배장치의 관수 순환시스템 |
CN114277349A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-05 | 无锡展硕科技有限公司 | 一种新型可调腔室温度的物理气相镀膜设备 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4331856A (en) * | 1978-10-06 | 1982-05-25 | Wellman Thermal Systems Corporation | Control system and method of controlling ion nitriding apparatus |
JPS56133459A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Vapor-depositing apparatus |
JPS5894703A (ja) | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 松下電器産業株式会社 | 透明電極の製造方法およびその製造装置 |
KR100207279B1 (ko) * | 1996-01-31 | 1999-07-15 | 김희용 | 금속제품의 장식용 발색 제조방법 |
DE102004014855A1 (de) * | 2004-03-26 | 2004-10-21 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Einrichtung zum reaktiven Sputtern |
JP5570951B2 (ja) * | 2009-12-26 | 2014-08-13 | キヤノンアネルバ株式会社 | 反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置 |
JP5598407B2 (ja) | 2011-04-05 | 2014-10-01 | 株式会社島津製作所 | 成膜処理装置および成膜方法 |
EP2770083B1 (en) * | 2013-02-20 | 2015-11-18 | University of West Bohemia in Pilsen | High-rate reactive sputtering of dielectric stoichiometric films |
JP6101533B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 酸化アルミニウムの成膜方法 |
JP2015021173A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日東電工株式会社 | 成膜装置 |
-
2016
- 2016-03-17 JP JP2016053446A patent/JP6775972B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-23 KR KR1020170023939A patent/KR101976254B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-13 CN CN201710148173.1A patent/CN107201503B/zh active Active
- 2017-03-16 TW TW106108632A patent/TWI641711B/zh active
- 2017-03-17 US US15/461,906 patent/US10260145B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170108819A (ko) | 2017-09-27 |
TWI641711B (zh) | 2018-11-21 |
US10260145B2 (en) | 2019-04-16 |
KR101976254B1 (ko) | 2019-05-07 |
CN107201503A (zh) | 2017-09-26 |
TW201734242A (zh) | 2017-10-01 |
JP2017166032A (ja) | 2017-09-21 |
CN107201503B (zh) | 2020-06-23 |
US20170268098A1 (en) | 2017-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6775972B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP5712741B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 | |
JP5743266B2 (ja) | 成膜装置及びキャリブレーション方法 | |
JP2008526026A5 (ja) | ||
CN102912306B (zh) | 计算机自动控制的高功率脉冲磁控溅射设备及工艺 | |
JP2007231303A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0770749A (ja) | 薄膜形成方法および装置 | |
Schneider et al. | Reactive pulsed dc magnetron sputtering and control | |
JPH0772307A (ja) | 薄膜形成方法及び装置 | |
JP7100098B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2012136756A (ja) | スパッタリング方法 | |
JP2006328510A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP2015101768A (ja) | 成膜装置 | |
JP5433786B2 (ja) | スパッタリング装置の生産復帰方法 | |
JP2019094534A (ja) | スパッタリング装置及び膜の製造方法 | |
JP2015113513A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP2011168825A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6608537B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP4735291B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP2015151618A (ja) | 成膜装置 | |
JPH1030178A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
JP2007031815A (ja) | プレーナマグネトロンスパッタ装置およびプレーナマグネトロンスパッタ成膜方法 | |
JP2004027264A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
JP7275927B2 (ja) | スパッタ装置の使用方法 | |
JP2024056319A (ja) | 成膜装置および成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6775972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |